JP2007189263A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の誤作動を防止しつつ、静電気破壊を有効に防止することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】回路付サスペンション基板１のカバー絶縁層５の表面全面および端子部６の導体層４の表面全面にスパッタリング法によってクロム薄膜７を形成した後、クロム薄膜７の表面にその表面を加熱により酸化させるかまたはスパッタリング法により酸化クロム層８を形成する。この方法によれば、カバー絶縁層５の表面にクロム薄膜７および酸化クロム層８からなる半導電体層９が形成されるので、静電気による実装部品の破壊や、クロム薄膜７のみを形成した場合に発生する装置の誤作動を防止でき、また、カバー絶縁層５の表面に反応性スパッタリング法や金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法によって直接酸化クロム層８を形成した場合に比べ、表面抵抗率が均一で好適な範囲の半導電体層９を形成できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、電気機器や電子機器に用いられる配線回路基板の製造方法に関する。

フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板は、例えば、銅箔などの導体層の片面または両面に、ポリイミド樹脂などの絶縁層が積層されることにより形成されており、各種の電気機器や電子機器に広く用いられている。

このような配線回路基板に、部品を実装する場合には、その実装工程において、静電気により実装部品が破壊されることがある。

そのため、例えば、特開平８−１５３９４０号公報には、フレキシブル回路基板において、絶縁層の表面に、蒸着法、スパッタリング法、無電解めっき法などにより金属層を形成して、静電気のアースまたは低減を図ることが提案されている。
特開平８−１５３９４０号公報

しかるに、絶縁層の表面に金属層を形成すると、表面抵抗値が著しく低下するので、静電気対策にはなり得るが、その著しい表面抵抗値の低下に起因して、却って装置の誤作動が生じる原因となる。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、装置の誤作動を防止しつつ、静電気破壊を有効に防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー絶縁層とを備える配線回路基板を用意する工程、前記カバー絶縁層の表面にクロム薄膜を形成する工程、前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程を含むことを特徴としている。

また、この方法においては、前記絶縁層の表面にクロム薄膜を形成する工程において、スパッタリング法によって、前記クロム薄膜を形成することが好ましい。

また、この方法においては、前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、前記クロム薄膜の表面を加熱により酸化させて、前記酸化クロム層を形成することが好ましい。

また、この方法においては、前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、スパッタリング法によって、前記酸化クロム層を形成することも好ましい。

また、本発明は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー絶縁層と、前記カバー絶縁層が開口されることにより露出する導体層からなる端子部とを備える配線回路基板を用意する工程、前記カバー絶縁層の表面および前記端子部の表面にクロム薄膜を形成する工程、前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程、前記端子部の表面に形成された前記クロム薄膜および前記酸化クロム層を除去する工程を含む、配線回路基板の製造方法をも含んでいる。

また、この方法においては、前記カバー絶縁層の表面および前記端子部の表面にクロム薄膜を形成する工程において、スパッタリング法によって、前記クロム薄膜を形成することが好ましい。

また、この方法においては、前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、前記クロム薄膜の表面を加熱により酸化させて、前記酸化クロム層を形成することが好ましい。

また、この方法においては、前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、スパッタリング法によって、前記酸化クロム層を形成することも好ましい。

また、この方法では、前記端子部の表面に形成された前記クロム薄膜および前記酸化クロム層を除去する工程において、複数の前記端子部の表面と、各前記端子部の間およびそれらの周囲を含むカバー絶縁層の表面部分とに形成されたクロム薄膜および酸化クロム層を除去することが好ましい。

また、この方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、金属支持層を用意し、前記金属支持層の上に前記ベース絶縁層を形成することが好ましい。

また、この方法では、前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることが好ましい。

また、この方法では、前記カバー絶縁層の表面にクロム薄膜を形成する工程において、クロム薄膜を、さらに、前記ベース絶縁層の表面に形成することが好ましい。

また、この方法では、前記カバー絶縁層の表面および前記端子部の表面にクロム薄膜を形成する工程において、クロム薄膜を、さらに、前記ベース絶縁層の表面に形成することが好ましい。

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、カバー絶縁層の表面に、クロム薄膜および酸化クロム層からなる半導電体層が形成されるので、静電気により実装部品が破壊されることを有効に防止することができる。しかも、クロム薄膜のみを形成した場合のように、表面抵抗値が低くなり過ぎることもなく、装置の誤作動が生じることも、有効に防止することができる。

さらに、カバー絶縁層の表面に、反応性スパッタリング法や金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法によって、直接、酸化クロム層を形成する場合に比べて、表面抵抗値が、均一で、かつ、好適な範囲の半導電体層を形成することができる。

本発明の配線回路基板の製造方法では、まず、配線回路基板を用意する。配線回路基板は、ベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に形成される導体層と、導体層の上に形成されるカバー絶縁層とを有していれば、特に制限されず、例えば、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、多層フレキシブル配線回路基板、回路付サスペンション基板など、公知の配線回路基板として用意することができる。なお、これらの配線回路基板において、導体層は、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定の配線回路パターンとして形成されている。

また、このような配線回路基板には、通常、外部回路や電子部品と電気的に接続するための端子部が設けられている。端子部は、カバー絶縁層の所定部分を、例えば、エッチング、パターンニング、ドリル穿孔などの公知の方法によって開口させて、その開口部から露出する導体層として設けることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程断面図である。以下、図１を参照しつつ、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、回路付サスペンション基板の製造方法を説明する。

この方法では、図１（ａ）に示すように、まず、回路付サスペンション基板１を用意する。

この回路付サスペンション基板１は、金属支持層２と、その金属支持層２上に形成されたベース絶縁層３と、そのベース絶縁層３上に形成された導体層４と、その導体層４上に形成されたカバー絶縁層５とを備えている。

このような回路付サスペンション基板１は、例えば、まず、ステンレス箔などからなる金属支持層２上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像により所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成する。次いで、このベース絶縁層３上に、セミアディティブ法によって、導体層４を所定の配線回路パターンとして形成した後、その導体層４を含むベース絶縁層３上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像により所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層５を形成することにより、得ることができる。

また、このような回路付サスペンション基板１においては、カバー絶縁層５が開口されることにより、端子部６が設けられている（図２参照）。端子部６は、例えば、カバー絶縁層５を形成するときに、感光性ポリアミド酸樹脂を、導体層４における端子部６を形成する部分が露出されるようにパターン化することにより、設けることができる。

そして、この方法では、図１（ｂ）に示すように、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、クロム薄膜７を形成する。

クロム薄膜７を形成するためのクロムの酸化皮膜は、高温高湿下においても変化の少ない、安定した表面抵抗値を得ることができる。
また、クロム薄膜７は、その厚みが、例えば、３〜１０００ｎｍ、好ましくは、５〜５００ｎｍの範囲に設定される。これより厚いと、クロム薄膜７の表面に酸化クロム層８を形成しても、表面抵抗値が上昇しにくい場合があり、また、これより薄いと、後述する加熱により酸化する工程において、クロム薄膜７における厚さ方向すべてが酸化されてしまい、クロム薄膜７が絶縁体となる場合がある。

クロム薄膜７の形成は、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの公知の物理蒸着法（ＰＶＤ法）が用いられる。カバー絶縁層５に対する密着性がよいという観点から、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。

スパッタリング法では、例えば、図３に示すスパッタリング装置が用いられる。すなわち、図３において、このスパッタリング装置では、真空チャンバー２１内に、ターゲット２２（金属薄膜７を形成するためのクロム）およびアース電極２３が所定の間隔を隔てて対向配置されている。ターゲット２２には、電源２４が接続されるとともに、プラズマエミッションモニター２５が、ターゲット２２に対してプラズマ発光可能に配置されている。なお、電源２４は、特に制限されず、パルス電源、直流電源、交流電源などが用いられる。

また、アース電極２３は、接地されるとともに、その表面に基板２６が設置されている。（ここで、基板２６は、図１（ａ）により用意された回路付サスペンション基板１であって、その端子部６を含むカバー絶縁層５側が、ターゲット２２と対向するような状態で設置される。）
そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、クロム薄膜７が形成される。

なお、このようなクロム薄膜７の形成のためのスパッタリング条件の一例を、下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^−５〜１．３３×１０^−２Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０^−３〜２．４×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜４００Ｗ
スパッタリング時間：１５秒〜１５分
スパッタリング法では、真空度、ターゲット２２の純度、印加する電源２４の電力、膜厚、導入ガス流量、プラズマ発光強度などの因子を制御する必要があるが、とりわけ、膜厚およびプラズマ発光強度の制御が重要となる。例えば、プラズマ発光強度は、ターゲット２２に用いられる金属の種類によって特有の発光スペクトル（適合スペクトル、クロム（Ｃｒ）で４２５．４ｎｍ）があり、この発光強度を、一定に保持するように導入ガス流量を制御することによって、クロム皮膜７を、再現性の高い特性を有する皮膜として得ることができる。

プラズマの発光強度は、プラズマエミッションモニター２５のセットポイントにて制御する。この制御は、導入ガスを導入する前の発光強度を９０％として、その相対値をセットポイントとして設定する。

なお、このようなスパッタリング法においては、より具体的には、直流スパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法あるいはこれらの複合化法などの公知のスパッタリング法が適宜選択される。

また、真空蒸着法では、例えば、真空チャンバー内に、蒸着材料（クロム）と、基板（回路付サスペンション基板１）とを所定の間隔を隔てて対向配置し、真空下、例えば、抵抗加熱法、外熱るつぼ法、電子ビーム法、高周波法、レーザ法などの加熱法によって、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、蒸着材料を蒸着させることにより、クロム薄膜７を形成する。

また、イオンプレーティング法では、例えば、真空チャンバー内に、蒸着材料（クロム）と、基板（回路付サスペンション基板１）とを所定の間隔を隔てて対向配置し、アルゴンなどの不活性ガスをプラズマガスとして導入し、真空下、例えば、直流放電励起方式、高周波放電励起方式、ホローカソード放電方式、アーク放電方式などの放電方式によって、プラズマ放電を発生させることにより、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面にクロム薄膜７を形成する。

次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、クロム薄膜７の表面全面に、酸化クロム層８を形成する。

酸化クロム層８の形成は、特に制限されないが、例えば、加熱により酸化する方法、または、スパッタリング法が用いられる。

加熱により酸化する方法では、クロム薄膜７の表面を加熱により酸化させて酸化クロム層８を形成する。加熱する方法は、特に制限されず、例えば、加熱炉などを用いて大気中で加熱すればよい。加熱温度は、例えば、５０〜４００℃、好ましくは、１００〜２５０℃であり、加熱時間は、例えば、１分〜１２時間である。これによって、クロム薄膜７の表面に非常に薄い酸化クロム層８が形成される。

なお、このような加熱により形成される酸化クロム層８は、非常に薄いが、その生成は、ＥＳＣＡ、ＡＥＳ（オージェ電子分光法）、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）などによって確認することができる。

また、これによって形成される酸化クロム層８は、電気抵抗値が非常に大きい一方で、クロム薄膜７の電気抵抗値は非常に小さいので、これらクロム薄膜７と酸化クロム層８とによって、半導電体層９を形成することができる。

また、スパッタリング法では反応性スパッタリング法が好ましく用いられる。反応性スパッタリング法では、上記した図３に示すスパッタリング装置において、真空チャンバー２１内に酸素を含む導入ガスを導入する以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法を用いることができる。

より具体的には、ターゲット２２としてクロムを配置するとともに、基板２６としてクロム薄膜７が形成された回路付サスペンション基板１であって、そのクロム薄膜７側が、ターゲット２２と対向するような状態で設置する。

そして、真空チャンバー２１内に、酸素を必須としてアルゴンや窒素が任意の割合で混合された反応性ガス（例えば、Ａｒ／Ｏ_２混合ガス、Ｎ_２／Ｏ_２混合ガス）を導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、クロム薄膜７の表面全面に酸化クロム層８が形成される。

なお、このような酸化クロム層８の形成のための反応性スパッタリング条件の一例を、下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^−５〜１．３３×１０^−２Ｐａ
導入ガス流量：Ａｒ／Ｏ_２混合ガスの場合
Ａｒ：１．２×１０^−３〜２．４×１０^−３ｍ^３／ｈ
Ｏ_２：６×１０^−５〜３０×１０^−５ｍ^３／ｈ
Ｎ_２／Ｏ_２混合ガスの場合
Ｎ_２：１．２×１０^−３〜２．４×１０^−３ｍ^３／ｈ
Ｏ_２：６×１０^−５〜３０×１０^−５ｍ^３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜４００Ｗ
スパッタリング時間：１５秒〜３分
このような反応性スパッタリング法においては、酸素の導入ガス流量およびスパッタリング時間の制御が特に重要であり、これらを適切に調整することによって、電気抵抗値の大きい酸化クロム層８を均一に形成することができる。また、このような反応性スパッタリング法によって得られた酸化クロム層８の厚みは、例えば、２〜３０ｎｍである。

また、上記条件において反応性スパッタリングにより酸化クロム層８を形成すれば、表面抵抗値が大きい、より具体的には、表面抵抗値が１０^１０〜１０^１３Ω／□の均一な酸化クロム層８を形成することができる（予備実験として確認ずみ）。一方、酸化クロム層８を形成する以前のクロム薄膜７の表面抵抗値は小さく、より具体的には、表面抵抗値が１０^２〜１０^３Ω／□程度である。そのため、これらクロム薄膜７と酸化クロム層８とによって、上記と同様に半導電体層９を形成することができる。

また、反応性スパッタリングでなく、金属酸化物をターゲットとした、通常のスパッタリング法によっても、酸化クロム層８を形成することができる。

金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法では、金属酸化物ターゲットとして、例えば、ＣｒＯ_２が用いられる。スパッタリングの方法としては、上記した図３に示すスパッタリング装置において、電源が交流電流（ＲＦ）に限定される以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法を用いることができる。

より具体的には、ターゲット２２として、上記したクロム薄膜７を形成するためのクロムターゲットとは別に金属酸化物ターゲットを配置するとともに、基板２６として、クロム薄膜７が形成された回路付サスペンション基板１であって、そのクロム薄膜７側がターゲット２２と対向するような状態で設置する。

そして、真空チャンバー２１内にアルゴンや窒素を導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にてプラズマの発光強度を一定に保ちながらターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによってクロム薄膜７の表面全面に酸化クロム層８が形成される。

なお、このような酸化クロム層８の形成のためのスパッタリングの条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^−５〜１．３３×１０^−２Ｐａ
導入ガス流量：Ａｒガスの場合
１．２×１０^−３〜２．４×１０^−３ｍ^３／
：Ｎ_２ガスの場合
１．２×１０^−３〜２．４×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：ＲＦ１００〜１０００Ｗ
スパッタリング時間：１５秒〜３分
このようなスパッタリング法においては、スパッタリング時間の制御が重要であり、これを適切に調整することによって、電気抵抗値の大きい酸化クロム層８を形成することができる。なお、金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法で得られた酸化クロム層８の厚みは、例えば、２〜３０ｎｍである。

また、上記条件において、金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法で酸化クロム層８を形成すれば、表面抵抗が大きい、具体的には表面抵抗値が、１０^１０〜１０^１３Ω／□の均一な酸化クロム層８を形成することができる（予備実験として確認ずみ）。一方、酸化クロム層８を形成する以前のクロム薄膜７の表面抵抗値は小さく、より具体的には、表面抵抗値は、１０^２〜１０^３Ω／□程度である。そのため、これらクロム薄膜７と酸化クロム層８とによって、上記と同様に半導電体層９を形成することができる。
そして、このような、加熱により酸化する方法やスパッタリング法などによって形成された半導電体層９の表面抵抗値は、電気抵抗値の小さなクロム薄膜７と電気抵抗値の大きな酸化クロム層８との平均的な値として得られ、例えば、１０^４〜１０^１０Ω／□の範囲であることが好ましい。半導電体層９の表面抵抗値が１０^４Ω／□未満であると、後述する端子部６において、めっきによりパッド部１０を形成するときに、酸化クロム層８の表面もめっきされてしまい、実装部品の誤作動を生じる場合がある。

なお、表面抵抗値の単位は、慣用的に（Ω／□）として表される。

そして、この方法では、端子部６と、その端子部６に実装される実装部品との間の導通を図るべく、図１（ｄ）に示すように、端子部６の表面に形成されたクロム薄膜７および酸化クロム層８を除去する。

クロム薄膜７および酸化クロム層８の除去は、特に制限されないが、例えば、エッチング法が好ましく用いられる。

エッチング法では、回路付サスペンション基板１における端子部６およびその近傍部分以外にエッチングレジストを設けて、端子部６およびその近傍部分（図２において、各端子部６の間およびそれらの周囲を含むカバー絶縁層５の表面部分であって、点線の範囲Ｘとして示される。）の酸化クロム層８およびクロム薄膜７をエッチング液を用いて除去する。

エッチング液の種類は、酸化クロム層８が酸化クロムから形成され、クロム薄膜７がクロムから形成されることから、フェリシアン化カリウム系、過マンガン酸カリウム系、メタケイ酸ナトリウム系、硝酸第２セリウムアンモン系、塩酸系、硫酸系、硝酸系などのエッチング液が用いられる。

なお、エッチングレジストは、クロム薄膜７を形成するときに、端子部６およびその近傍に予め設けてもよいが、スパッタリング法によるクロム薄膜７の形成において、エッチングレジストが存在すると、真空チャンバー２１内において、エッチングレジストからガスが発生して真空度が低下する場合がある。そのため、上記したように、クロム薄膜７および酸化クロム層８を形成した後、端子部６およびその近傍部分のクロム薄膜７および酸化クロム層８を除去することが好ましい。

また、端子部６における導体層４が銅からなり、その上に形成されるクロムからなるクロム薄膜７に、導体層４である下地の銅が露出する微細孔が存在している場合には、銅を溶解してクロムを溶解しないエッチング液（例えば、硫酸系、過酸化水素系、塩酸系）を用いて、クロム薄膜７であるクロムを溶解することなく微細孔を介して導体層４の表面部分の銅を溶解することによって、その銅が溶解された部分のクロムからなるクロム薄膜７および酸化クロム層８を、エッチングレジストを用いずに除去することができる。

また、上記においては、酸化クロム層８を形成した後で、クロム薄膜７および酸化クロム層８を除去するようにしたが、例えば、クロム薄膜７をエッチングにより除去した後で、酸化クロム層８を形成するようにしてもよい。このような方法では、クロム薄膜７の方が酸化クロム層８よりも種々のエッチング液に溶解しやすいという利点がある。

そして、この方法では、図１（ｅ）に示すように、クロム薄膜７および酸化クロム層８が除去された端子部６に、例えば、ニッケルおよび金を、順次電解めっきすることによりパッド部１０を形成し、その後、図示しないが、金属支持層２を所定形状にエッチングすることによって、クロム薄膜７および酸化クロム層８が形成された回路付サスペンション基板１を得る。

そして、このような方法によれば、カバー絶縁層５の表面に、クロム薄膜７および酸化クロム層８からなる半導電体層９が形成されるので、静電気により実装部品が破壊されることを有効に防止することができる。しかも、クロム薄膜７のみを形成した場合のように、表面抵抗値が低くなり過ぎることもなく、装置の誤作動が生じることも、有効に防止することができる。

また、例えば、カバー絶縁層５の表面に、反応性スパッタリング法によって、直接、酸化クロム層８を形成した場合には、真空チャンバー２１中の酸素濃度が必ずしも均一にならないため、酸素の導入ガス流量のわずかな違いで表面抵抗値が大きく変化し、形成された酸化クロム層８の表面抵抗値に、ばらつきを生じる。一方、酸素の導入ガス流量を多くして、スパッタリング時間を短くすると、ばらつきは低減されるが、表面抵抗値が非常に大きくなり、半導電体層９としての好ましい範囲の上限値（１０^１０Ω／□）を超えてしまう。また、金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法によって、直接、酸化クロム層８を形成した場合にも、表面抵抗値が非常に大きくなり、半導電体層９としての好ましい範囲の上限値（１０^１０Ω／□）を超えてしまう。

しかし、上記したように、クロム薄膜７および酸化クロム層８を順次形成すれば、表面抵抗値が、均一で、かつ、１０^４〜１０^１０Ω／□の範囲の半導電体層９を形成することができる。

なお、以上の説明では、本発明の配線回路基板の製造方法を、回路付サスペンション基板１の製造方法として説明したが、本発明は何らこれに限定されず、例えば、図４に示すように、フレキシブル配線回路基板１１の製造方法に適用することもできる。

すなわち、図４では、まず、図４（ａ）に示すように、ベース絶縁層１２上に、所定の配線回路パターンとして形成されている導体層１３が形成され、その導体層１３を含むベース絶縁層１２上に、カバー絶縁層１４が形成されているフレキシブル配線回路基板１１を用意する。このようなフレキシブル配線回路基板１１は、例えば、ベース絶縁層１２上に導体層１３が積層されている二層基材の導体層１３を、サブトラクティブ法により所定の配線回路パターンとして形成した後、その上に、カバー絶縁層１４を積層することにより形成することができる。なお、このフレキシブル配線回路基板１１には、カバー絶縁層１４が開口されることにより露出する導体層１３が端子部１５として設けられている。

次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１２および端子部１５を含むカバー絶縁層１４の表面に、上記と同様の方法によって、クロム薄膜１６を形成し、図４（ｃ）に示すように、続いて、クロム薄膜１６の表面に、上記と同様の方法によって、酸化クロム層１７を形成した後、図４（ｄ）に示すように、端子部１５およびその近傍部分に形成されたクロム薄膜１６および酸化クロム層１７を、上記と同様の方法によって除去し、図４（ｅ）に示すように、その端子部１５に、上記と同様の方法によって、パッド部１８を形成し、これによって、フレキシブル配線回路基板１１を得る。

このような方法によっても、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の両方に、クロム薄膜１６および酸化クロム層１７からなる半導電体層１９がそれぞれ形成されるので、静電気により実装部品が破壊されることを有効に防止することができる。しかも、クロム薄膜１６のみを形成した場合のように、表面抵抗値が低くなり過ぎることもなく、装置の誤作動が生じることも、有効に防止することができる。

さらに、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の表面に、反応性スパッタリング法や金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法によって、直接、酸化クロム層１７を形成する場合に比べて、表面抵抗値が、均一で、かつ、好適な範囲の半導電体層１９を形成することができる。

なお、図４に示す方法では、クロム薄膜１６および酸化クロム層１７を、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の両方に形成したが、カバー絶縁層１４のみに形成してもよい。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されるものではない。

実施例１
幅２５０ｍｍの長尺ステンレス箔（厚み２０μｍ）からなる金属支持層上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像により所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層（厚み１０μｍ）を形成した。次いで、このベース絶縁層上に、セミアディティブ法によって、導体層（厚み１５μｍ）を所定の配線回路パターンとして形成した後、その導体層を含むベース絶縁層上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像により所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層（厚み３μｍ）を形成し、これによって、回路付サスペンション基板を得た（図１（ａ）参照）。なお、この回路付サスペンション基板は、カバー絶縁層が開口される部分に導体層が露出する端子部を備えている。

次いで、カバー絶縁層の表面全面および端子部の表面全面に、スパッタリング法によってクロム薄膜を形成した（図１（ｂ）参照）。なお、スパッタリングは、上記と同様の方法において、下記の条件で測定した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：８×１０^−３Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．８×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧：０．２７Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力（パルス電源）：１２５Ｗ（電圧２２７Ｖ、電流０．５５Ａ）
スパッタリング時間：１分
クロム薄膜の厚み：７ｎｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜の表面を酸化して、酸化クロム層を形成した（図１（ｃ）参照）。なお、酸化クロム層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。

次いで、回路付サスペンション基板における端子部およびその近傍以外に、フォトリソグラフィー法によってエッチングレジストを形成し、エッチング液として、硝酸第２セリウムアンモンおよび硝酸の混合水溶液を用いて、端子部およびその近傍部分の酸化クロム層およびクロム薄膜をエッチング除去した（図１（ｄ）参照）。

その後、端子部の導体層の表面に、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを順次施して、パッド部を形成し（図１（ｅ）参照）、金属支持層を所定形状にエッチングすることにより、酸化クロム層およびクロム薄膜が形成された回路付サスペンション基板を得た。

実施例２
酸化クロム層の形成を、加熱による酸化に代えて、下記の条件の反応性スパッタリング法にした以外は、実施例１と同様の方法によって、酸化クロム層およびクロム薄膜が形成された回路付サスペンション基板を得た。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：８×１０^−３Ｐａ
導入ガス流量：Ａｒ／Ｏ_２混合ガス
Ａｒ：１．２×１０^−３ｍ^３／ｈ
Ｏ_２：１．２×１０^−４ｍ^３／ｈ
動作圧：０．２７Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力（パルス電源）：１２５Ｗ（電圧２２７Ｖ、電流０．５５Ａ）
スパッタリング時間：１分
酸化クロム層の厚み：７ｎｍ
比較例１
クロム薄膜を形成せずに、カバー絶縁層に、直接、酸化クロム層を下記の条件の反応性スパッタリング法によって形成した以外は、実施例１と同様の方法によって、酸化クロム層およびクロム薄膜が形成された回路付サスペンション基板を得た。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：８×１０^−３Ｐａ
導入ガス流量：Ａｒ／Ｏ_２混合ガス
Ａｒ：１．８×１０^−３ｍ^３／ｈ
Ｏ_２：７．２×１０^−５ｍ^３／ｈ
動作圧：０．２７Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力（パルス電源）：１２５Ｗ（電圧２２７Ｖ、電流０．５５Ａ）
スパッタリング時間：３分
酸化クロム層の厚み：２０ｎｍ
評価
金属支持層（ステンレス）の幅方向において、５箇所の表面抵抗値を測定した。なお、表面抵抗値の測定は、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定した。その結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１、２は、比較例１に比べて、ばらつきが小さいことがわかる。また、比較例１では、表面抵抗値が１０^１０Ω／□を超えているものがあった。

実施例３
酸化クロム層の形成を、加熱による酸化に代えて、下記の条件の金属酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法にした以外は、実施例１と同様の方法によって、酸化クロム層およびクロム薄膜が形成された回路付サスペンション基板を得た。
ターゲット：ＣｒＯ_２
到達真空度：８×１０^−５Ｐａ
導入ガス流量：１．２×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧：０．２７Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力（ＲＦ電源）：４００Ｗ
スパッタリング時間：１分
酸化クロム層の厚み：７ｎｍ

本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程断面図であって、（ａ）は、回路付サスペンション基板を用意する工程、（ｂ）は、カバー絶縁層の表面全面および端子部の表面全面に、クロム薄膜を形成する工程、（ｃ）は、クロム薄膜の表面全面に、酸化クロム層を形成する工程、（ｄ）は、端子部およびその近傍部分に形成されたクロム薄膜および酸化クロム層を除去する工程、（ｅ）は、端子部にパッド部を形成する工程を示す。 図１に示す回路付サスペンション基板の端子部の平面図である。 スパッタリング装置の一実施形態を示す概略構成図である。 本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す工程断面図であって、（ａ）は、フレキシブル配線回路基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の表面にクロム薄膜を形成する工程、（ｃ）は、クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程、（ｄ）は、端子部およびその近傍部分に形成されたクロム薄膜および酸化クロム層を除去する工程、（ｅ）は、端子部にパッド部を形成する工程を示す。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
４ 導体層
５ カバー絶縁層
６ 端子部
７ クロム薄膜
８ 酸化クロム層

Claims (13)

1. ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー絶縁層とを備える配線回路基板を用意する工程、
   前記カバー絶縁層の表面にクロム薄膜を形成する工程、
   前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程
   を含むことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
2. 前記カバー絶縁層の表面にクロム薄膜を形成する工程において、
   スパッタリング法によって、前記クロム薄膜を形成することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
3. 前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、
   前記クロム薄膜の表面を加熱により酸化させて、前記酸化クロム層を形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
4. 前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、
   スパッタリング法によって、前記酸化クロム層を形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
5. ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー絶縁層と、前記カバー絶縁層が開口されることにより露出する導体層からなる端子部とを備える配線回路基板を用意する工程、
   前記カバー絶縁層の表面および前記端子部の表面にクロム薄膜を形成する工程、
   前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程、
   前記端子部の表面に形成された前記クロム薄膜および前記酸化クロム層を除去する工程
   を含むことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
6. 前記カバー絶縁層の表面および前記端子部の表面にクロム薄膜を形成する工程において、
   スパッタリング法によって、前記クロム薄膜を形成することを特徴とする、請求項５に記載の配線回路基板の製造方法。
7. 前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、
   前記クロム薄膜の表面を加熱により酸化させて、前記酸化クロム層を形成することを特徴とする、請求項５または６に記載の配線回路基板の製造方法。
8. 前記クロム薄膜の表面に酸化クロム層を形成する工程において、
   スパッタリング法によって、前記酸化クロム層を形成することを特徴とする、請求項５または６に記載の配線回路基板の製造方法。
9. 前記端子部の表面に形成された前記クロム薄膜および前記酸化クロム層を除去する工程において、
   複数の前記端子部の表面と、各前記端子部の間およびそれらの周囲を含むカバー絶縁層の表面部分とに形成されたクロム薄膜および酸化クロム層を除去することを特徴とする、請求項５〜８のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
10. 前記配線回路基板を用意する工程において、
    金属支持層を用意し、前記金属支持層の上に前記ベース絶縁層を形成することを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
11. 前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１０に記載の配線回路基板の製造方法。
12. 前記カバー絶縁層の表面にクロム薄膜を形成する工程において、
    クロム薄膜を、さらに、前記ベース絶縁層の表面に形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
13. 前記カバー絶縁層の表面および前記端子部の表面にクロム薄膜を形成する工程において、
    クロム薄膜を、さらに、前記ベース絶縁層の表面に形成することを特徴とする、請求項５〜９のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。

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