JP2007184353A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007184353A5
JP2007184353A5 JP2006000533A JP2006000533A JP2007184353A5 JP 2007184353 A5 JP2007184353 A5 JP 2007184353A5 JP 2006000533 A JP2006000533 A JP 2006000533A JP 2006000533 A JP2006000533 A JP 2006000533A JP 2007184353 A5 JP2007184353 A5 JP 2007184353A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride
compound semiconductor
gas
based compound
stacking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006000533A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4767020B2 (ja
JP2007184353A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006000533A priority Critical patent/JP4767020B2/ja
Priority claimed from JP2006000533A external-priority patent/JP4767020B2/ja
Publication of JP2007184353A publication Critical patent/JP2007184353A/ja
Publication of JP2007184353A5 publication Critical patent/JP2007184353A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4767020B2 publication Critical patent/JP4767020B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006000533A 2006-01-05 2006-01-05 窒化物系化合物半導体素子の製造方法 Expired - Fee Related JP4767020B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006000533A JP4767020B2 (ja) 2006-01-05 2006-01-05 窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006000533A JP4767020B2 (ja) 2006-01-05 2006-01-05 窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007184353A JP2007184353A (ja) 2007-07-19
JP2007184353A5 true JP2007184353A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2008-11-27
JP4767020B2 JP4767020B2 (ja) 2011-09-07

Family

ID=38340194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006000533A Expired - Fee Related JP4767020B2 (ja) 2006-01-05 2006-01-05 窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4767020B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4845055B2 (ja) * 2008-03-07 2011-12-28 古河電気工業株式会社 面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子
JP5206699B2 (ja) 2010-01-18 2013-06-12 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
US7933303B2 (en) 2009-06-17 2011-04-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device
JP4475357B1 (ja) * 2009-06-17 2010-06-09 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP2011023398A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Sharp Corp 半導体発光素子
JP5131266B2 (ja) 2009-12-25 2013-01-30 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5327154B2 (ja) 2009-12-25 2013-10-30 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5201129B2 (ja) 2009-12-25 2013-06-05 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5625355B2 (ja) 2010-01-07 2014-11-19 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5152392B2 (ja) * 2011-10-26 2013-02-27 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子
JP5152393B2 (ja) * 2011-10-26 2013-02-27 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子、及びｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
JP5152391B2 (ja) * 2011-10-26 2013-02-27 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ素子
JPWO2016143653A1 (ja) * 2015-03-06 2018-01-18 スタンレー電気株式会社 Ｉｉｉ族窒化物積層体、及び該積層体を有する発光素子
US10529561B2 (en) * 2015-12-28 2020-01-07 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating non-etch gas cooled epitaxial stack for group IIIA-N devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2919788B2 (ja) * 1995-08-31 1999-07-19 株式会社東芝 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法
JP4103309B2 (ja) * 2000-07-13 2008-06-18 松下電器産業株式会社 ｐ型窒化物半導体の製造方法
US20020157596A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Stockman Stephen A. Forming low resistivity p-type gallium nitride
JP4397695B2 (ja) * 2003-01-20 2010-01-13 パナソニック株式会社 Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007184353A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2009033179A5 (enrdf_load_stackoverflow)
CN103476965B (zh) 由铝和硅前体沉积Al2O3/SiO2叠层的方法
JP2010141242A5 (enrdf_load_stackoverflow)
CN102097524B (zh) 太阳能电池高方阻扩散方法
Zhang et al. The way towards ultrafast growth of single‐crystal graphene on copper
TW201238057A (en) Plasma treatment of silicon nitride and silicon oxynitride
TW200820324A (en) Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
TW200908151A (en) Boron nitride and boron nitride-derived materials deposition method
JP2010239131A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2008547195A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP5948698B2 (ja) 紫外発光素子およびその製造方法
JP2009135465A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2009283923A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2011077504A5 (ja) Ｓｏｉ基板の作製方法
JP2011040729A5 (ja) 半導体基板の作製方法
WO2004049441A3 (en) Low thermal budget fabrication of ferroelectric memory using rtp
JP2010263183A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2010283337A5 (enrdf_load_stackoverflow)
CN112259651A (zh) 一种具有p型插入层的led芯片及制作方法
CN103824899B (zh) 一种晶体硅低表面浓度发射极的实现方法
JP2008244019A5 (enrdf_load_stackoverflow)
WO2022213777A1 (zh) 一种大尺寸具有层间转角的二维单晶叠层的制备方法
CN113594303B (zh) 一种选择性发射极的制作方法
CN115000240A (zh) 隧穿氧化层钝化接触电池的制备方法以及钝化接触电池