JP2007173816A - 金属配線及びその製造方法とこれを具備した表示基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線不良防止及び製造工程の簡単化を図ることのできる金属配線及びその製造方法とこれを具備した表示基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上に銅を含む金属物質で形成される金属膜と、前記金属膜の下部面と接触して形成される第1非晶質カーボン膜とを有することを特徴とする。これによって、非晶質カーボン膜を含む低抵抗金属配線を形成することにより製造工程の簡単化を図ることができ、又、配線不良を防止することができる。
【選択図】 図7
Description
本発明の更に他の目的は、上記金属配線が形成された表示基板を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、上記表示基板の製造方法を提供することにある。
図1を参照すると、アレイ基板は、第1方向に形成された複数のゲート配線(GLn−1、GLn)と、第1方向と交差する第2方向に形成された複数のソース配線(DLm−1、DLm)と、ゲート配線(GLn−1、GLn)とソース配線(DLm−1、DLm)によって定義される複数の画素部Pを含む。
銅と混合される金属物質は、アルミニウム(Al)又はアルミニウム合金等のアルミニウム系金属、銀(Ag)や銀合金系金属、モリブデン(Mo)やモリブデン合金等のモリブデン系金属、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、又はチタニウム(Ti)を含む金属を含む。
図1及び図2を参照すると、表示パネルは、アレイ基板100と、カラーフィルタ基板200と、アレイ基板100とカラーフィルタ基板200との間に介在する液晶層300を含む。
110、410、510 スイッチング素子
102a、504a 第1非晶質カーボン膜
102b 第1低抵抗金属膜
104a、504c 第2非晶質カーボン膜
104b 第2低抵抗金属膜
111、411、511 ゲート電極
112a、412a、503a 活性層
112b、412b、503b オーミックコンタクト層
113、413、513 ソース電極
114、414、514 ドレイン電極
170、470、570 画素電極
PR フォトレジストパターン
Claims (25)
- ベース基板上に銅を含む金属物質で形成される金属膜と、
前記金属膜の下部面と接触して形成される第1非晶質カーボン膜とを有することを特徴とする金属配線。 - 前記第1非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項1に記載の金属配線。
- 前記金属膜の上部面と接触して形成される第2非晶質カーボン膜を更に有することを特徴とする請求項1に記載の金属配線。
- 前記第2非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項3に記載の金属配線。
- ベース基板上に第1非晶質カーボン膜を形成する段階と、
前記第1非晶質カーボン膜上に銅を含む金属物質で金属膜を形成する段階と、
前記金属膜をパターニングして金属パターンを形成する段階とを有することを特徴とする金属配線の製造方法。 - 前記第1非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項5に記載の金属配線の製造方法。
- 前記金属膜をパターニングして金属パターンを形成する段階は、前記金属膜上に前記金属パターンに対応するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記金属膜をエッチングして前記金属パターンを形成する段階と、
前記金属パターン上に残留する前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階において、エッチングされた金属膜によって露出した第1非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項5に記載の金属配線の製造方法。 - 前記金属膜を形成する段階の後に、金属膜上に第2非晶質カーボン膜を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項5に記載の金属配線の製造方法。
- 前記第2非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項8に記載の金属配線の製造方法。
- 前記金属膜をパターニングして金属パターンを形成する段階は、前記第2非晶質カーボン膜上に前記金属パターンに対応するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記第2非晶質カーボン膜及び金属膜をエッチングして金属パターンを形成する段階と、
前記金属パターン上に残留する前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階において、エッチングされた金属膜によって露出した第1非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項8に記載の金属配線の製造方法。 - 複数の画素部を含み、各画素部にはゲート配線とソース配線に連結されたスイッチング素子及び該スイッチング素子に連結される画素電極が形成される表示基板の製造方法において、
ベース基板上にゲート金属膜をパターニングして前記ゲート配線、前記スイッチング素子のゲート電極を含むゲート金属パターンを形成する段階と、
前記ゲート金属パターンが形成されたベース基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜が形成されたベース基板上に第1非晶質カーボン膜を形成する段階と、
前記第1非晶質カーボン膜上に低抵抗金属膜を形成する段階と、
前記低抵抗金属膜をエッチングして前記ソース配線、前記スイッチング素子のソース電極、及びドレイン電極を含むソース金属パターンを形成する段階と、
前記ソース金属パターンが形成されたベース基板上に保護絶縁膜を形成する段階と、
前記ドレイン電極と電気的に連結される前記画素電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示基板の製造方法。 - 前記ソース金属パターンを形成する段階は、前記低抵抗金属膜上のソース金属パターンに対応する領域にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記低抵抗金属膜をエッチングして前記ソース金属パターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階において、エッチングされた低抵抗金属膜によって露出した第1非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項11に記載の表示基板の製造方法。 - 前記低抵抗金属膜を形成する段階の後に、低抵抗金属膜上に第2非晶質カーボン膜を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項11に記載の表示基板の製造方法。
- 前記ソース金属パターンを形成する段階は、前記第2非晶質カーボン膜上のソース金属パターンに対応する領域にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第2非晶質カーボン膜と低抵抗金属膜をエッチングして前記ソース金属パターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階において、エッチングされた低抵抗金属膜によって露出した第1非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項13に記載の表示基板の製造方法。 - 前記ドレイン電極と画素電極を電気的に連結するために前記保護絶縁膜にコンタクトホールを形成する段階を更に有し、
前記コンタクトホールを形成する段階において、前記ドレイン電極の上部に形成された第2非晶質カーボン膜が除去されることを特徴とする請求項13に記載の表示基板の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコンで形成される活性層を形成する段階と、
前記活性層上に不純物がドーピングされた非晶質シリコン層で形成されるオーミックコンタクト層を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項11に記載の表示基板の製造方法。 - 前記活性層及びオーミックコンタクト層をパターニングして、前記スイッチング素子のチャンネル部を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項16に記載の表示基板の製造方法。
- 前記ソース金属パターンを形成する段階は、前記低抵抗金属膜上のソース金属パターンに対応する領域にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記低抵抗金属膜をエッチングして前記ソース金属パターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記ソース金属パターンを利用して前記活性層及びオーミックコンタクト層をエッチングする段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階で露出した第1非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項16に記載の表示基板の製造方法。 - 前記ゲート金属パターンを形成する段階は、前記ベース基板上に非晶質カーボン膜を形成する段階と、
前記非晶質カーボン膜上に低抵抗金属膜を形成する段階と、
前記低抵抗金属膜上のゲート金属パターンに対応する領域にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記低抵抗金属膜をエッチングして前記ゲート金属パターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階において、エッチングされた低抵抗金属膜によって露出した非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項11に記載の表示基板の製造方法。 - 低抵抗金属膜を含むゲート金属膜で形成されるゲート配線と、
前記ゲート配線と交差し、前記低抵抗金属膜と非晶質カーボン膜を含むソース金属層で形成されるソース配線と、
前記ゲート配線から延長されたゲート電極と、前記ソース配線から延長されたソース電極と、前記ソース金属層で形成されるドレイン電極とを含むスイッチング素子と、
前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極とを有することを特徴とする表示基板。 - 前記低抵抗金属膜は、銅を含む金属物質で形成されることを特徴とする請求項20に記載の表示基板。
- 前記ソース金属層は、前記非晶質カーボン膜と低抵抗金属膜が順次に積層された二重膜構造であることを特徴とする請求項20に記載の表示基板。
- 前記ソース金属層は、前記非晶質カーボン膜と低抵抗金属膜と非晶質カーボン膜とが順次に積層された三重膜構造であることを特徴とする請求項20に記載の表示基板。
- 前記スイッチング素子は、非晶質シリコン層で形成されたチャンネル部を含むことを特徴とする請求項20に記載の表示基板。
- 前記非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項20に記載の表示基板。
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