JP2007173621A - 基板に対する液膜材料の塗布方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板の表面に液膜材料をむらなく塗布することができる基板に対する液膜材料の塗布方法を提供する。
【解決手段】 基板11の直径よりも長く、液膜材料17を線状に吐出するノズル孔が形成されるノズル13を、保持部材12に保持される基板11の上方であって、ノズル13を基板11の表面上に投影するとき、基板11の回転中心を通って基板11の直径方向に延び、両端部26a,26bが基板11の外周縁よりも外側に位置するように配置し、基板11を回転させながらノズル13から吐出される液膜材料17を基板11の表面に滴下して塗布する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、基板に対する液膜材料の塗布方法に関する。
基板の表面に薄膜を形成するために液膜材料を塗布する方法としては、たとえば印刷、ロール塗布、スピン(回転)塗布などが用いられている。特に、基板の代表的なものである半導体ウエハに対する薄膜形成、たとえばレジスト塗布、保護膜塗布、現像液塗布などには、スピン塗布が多用されている。
図10は、基板に対する液膜材料のスピン塗布方法の従来例を説明する図である。従来のスピン塗布方法は、保持部材1によって円板状の基板2を回転自在に保持し、保持部材1に保持される基板2の一方の表面2aにおける回転中心付近に、液膜材料3をノズル4から点状に滴下し、その後保持部材1によって基板2を矢符5方向に低速回転または中速回転させて液膜材料3を基板2の表面2a上に広げる。その後、さらに基板2を高速回転させることによって、余剰の液膜材料3を遠心力で除去調整し、液膜材料3による所定厚さの薄膜3aを形成する。
図10に示すようなスピン塗布方法では、基板の表面に滴下した液膜材料のごく一部しか薄膜形成に利用されず、液膜材料の利用効率が低いという問題がある。
このような問題を解決する従来技術として、液膜材料を吐出するノズルを複数またはインクジェットヘッドを複数設け、各ノズルまたはインクジェットヘッドの液膜材料の吐出動作を独立に制御することによって、基板の表面に液膜材料を最適パターンで付着させ、液膜材料が付着された基板を所要の回転速度で回転させることが提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1の方法によれば、液膜材料の有効利用率が改善されるけれども、従来のスピン塗布方法には、特許文献1に開示される技術では解決することができない以下のような問題がある。
従来のスピン塗布方法では、円板状の基板の直径が大きくなると、基板がたとえば半導体ウエハであるとき、半導体ウエハのパターンまたはスクライブライン等による凹凸、また半導体ウエハの表面に形成された膜質の変化により液膜材料がはじかれたり、液膜材料の不足により半導体ウエハ上に塗布されない部分が発生してしまうという問題がある。
このような問題に対処する従来技術の1つとして、液膜材料を線状またはカーテン状に吐出させて液体流を形成させるとともに、その液体流を外側から囲う気体流を形成することによって、吐出される液膜材料を層流状に保ち、基板表面上の所望の部位に液膜材料を滴下させるノズルが提案されている(特許文献2参照)。
特許文献2のノズルによれば、ノズルから吐出される液膜材料を基板表面の狙い位置へ滴下させることができるけれども、基板側に上記のような凹凸または膜質の変化がある場合、凹凸または膜質の変化のある部位にまで充分に薄膜を形成することができない。
したがって、大きな直径の基板に対するスピン塗布に際して、基板の表面全体に均一に薄膜を形成するために、液膜材料を数回に分けて滴下したり、液膜材料の滴下量を増やしたり、基板上に液膜材料ができるだけ広がるまで静止状態にするなどの方法、また、液膜材料を滴下している途中で基板を低速回転させることによって、基板の表面に液膜材料を遠心力で広げるなどの方法がとられている。
このような方法がとられてもなお、基板たとえば半導体ウエハのパターンなどによる凹凸がある場合、また半導体ウエハ表面の膜質が液膜材料となじみにくい場合、基板表面における液膜材料の流れが均一にならず、基板の表面上に液膜材料が塗布されない部分が発生するという問題が残る。
本発明の目的は、基板の表面に液膜材料をむらなく塗布することができる基板に対する液膜材料の塗布方法を提供することである。
本発明は、円板状の基板の表面に液膜材料をノズルから滴下して塗布する塗布方法において、
保持部材によって基板を回転自在に保持するステップと、
液膜材料を線状または膜状に吐出することのできるノズル孔が形成されるノズルであって、基板の直径または半径よりも長さが長いノズルを、保持部材に保持される基板の上方に配置し、ノズル孔から吐出される液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップとを含むことを特徴とする基板に対する液膜材料の塗布方法である。
保持部材によって基板を回転自在に保持するステップと、
液膜材料を線状または膜状に吐出することのできるノズル孔が形成されるノズルであって、基板の直径または半径よりも長さが長いノズルを、保持部材に保持される基板の上方に配置し、ノズル孔から吐出される液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップとを含むことを特徴とする基板に対する液膜材料の塗布方法である。
また本発明は、基板の上方に配置されるノズルを基板の表面上に投影するとき、
ノズルは、
基板の回転中心を通って基板の直径または半径方向に延び、少なくともノズルの一方の端部が基板の外周縁よりも外側に位置するように配置されることを特徴とする。
ノズルは、
基板の回転中心を通って基板の直径または半径方向に延び、少なくともノズルの一方の端部が基板の外周縁よりも外側に位置するように配置されることを特徴とする。
また本発明は、液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップは、
回転速度:50〜1000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことを判定する判定ステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことの判定結果に応じて、基板の表面に対する液膜材料の滴下を停止する滴下停止ステップとを含むことを特徴とする。
回転速度:50〜1000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことを判定する判定ステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことの判定結果に応じて、基板の表面に対する液膜材料の滴下を停止する滴下停止ステップとを含むことを特徴とする。
また本発明は、液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップは、
第1の回転速度:50〜1000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
第1の回転速度よりも速い第2の回転速度:1000〜3000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことを判定する判定ステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことの判定結果に応じて、基板の表面に対する液膜材料の滴下を停止する滴下停止ステップとを含むことを特徴とする。
第1の回転速度:50〜1000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
第1の回転速度よりも速い第2の回転速度:1000〜3000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことを判定する判定ステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことの判定結果に応じて、基板の表面に対する液膜材料の滴下を停止する滴下停止ステップとを含むことを特徴とする。
また本発明は、液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップは、
滴下停止ステップの後に、
判定ステップ時における基板の回転速度で、基板の回転を1秒以上5秒以下の間持続させる持続回転ステップと、
持続回転ステップの後、回転速度:2000〜7000rpmで基板を回転させる高速回転ステップとをさらに含むことを特徴とする。
滴下停止ステップの後に、
判定ステップ時における基板の回転速度で、基板の回転を1秒以上5秒以下の間持続させる持続回転ステップと、
持続回転ステップの後、回転速度:2000〜7000rpmで基板を回転させる高速回転ステップとをさらに含むことを特徴とする。
また本発明は、基板が半導体ウエハであり、液膜材料がレジストであることを特徴とする。
本発明によれば、円板状の基板の表面に液膜材料をノズルから滴下して塗布するに際し、保持部材によって基板を回転自在に保持し、液膜材料を線状または膜状に吐出することのできるノズル孔が形成されるノズルであって、基板の直径または半径よりも長さが長いノズルを、保持部材に保持される基板の上方に配置し、ノズル孔から吐出される液膜材料を基板の表面に滴下して塗布する。このことによって、基板表面の凹凸および膜質に関わらず、塗布むらを生じることなく基板表面全体に液膜材料を塗布することが可能になり、塗布むらに起因する基板の特性不良の発生を防止し、基板の再処理を減少させることができる。
また本発明によれば、基板の上方に配置されるノズルを基板の表面上に投影するとき、ノズルは、基板の回転中心を通って基板の直径または半径方向に延び、少なくともノズルの一方の端部が基板の外周縁よりも外側に位置するように配置される。このことによって、基板をたとえば低速で回転させながら、ノズルから液膜材料を滴下するとき、基板の表面の全面に液膜材料を行きわたらせることができるので、基板表面に凹凸がある場合、また液膜材料となじみにくい膜質の場合であっても、塗布むらを生じることなく液膜材料を塗布できる。
また本発明によれば、基板を低速で回転させながら液膜材料を滴下することによって、基板表面全体に液膜材料を行きわたらせて塗布することが可能になる。
また本発明によれば、基板を低速で回転させながら液膜材料を滴下するとともに、滴下の途中で基板を中速回転させながら液膜材料を滴下するという、2段階の回転速度で基板を回転させながら液膜材料を基板表面に対して滴下することによって、基板表面全体に液膜材料を確実に行きわたらせて塗布することが可能になる。
また本発明によれば、液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップは、滴下停止ステップの後に、判定ステップ時における基板の回転速度で、基板の回転を1秒以上5秒以下の間持続させる持続回転ステップと、持続回転ステップの後、回転速度:2000〜7000rpmで基板を回転させる高速回転ステップとをさらに含むので、基板表面上に液膜材料で形成される薄膜の厚さを一層精度高く調整することができる。
また本発明によれば、半導体ウエハの表面に、塗布むらを生じることなくレジストを塗布することができる塗布方法が提供される。
図1は本発明の基板に対する液膜材料の塗布方法に好適に用いられる塗布装置10の構成を簡略化して示す側面図であり、図2は図1に示す塗布装置10の部分平面図である。
塗布装置10は、基板11を回転自在に保持する保持部材12と、基板11の表面に向けて液膜材料17を吐出して滴下するノズル13と、ノズル13に液膜材料17を供給する液膜材料供給手段14と、基板11の表面に対する液膜材料17の滴下状態を検知する検知手段15と、液膜材料供給手段14および保持部材12の動作を制御する制御手段16とを含んで構成される。この塗布装置10は、基板11の表面に液膜材料17を滴下して塗布することに用いられる。
基板11は、円板状の形状を有する。液膜材料により薄膜が形成される基板11としては、半導体ウエハ、ガラス基板などが挙げられる。また、基板11の表面に薄膜を形成する材料である液膜材料17としては、現像液、レジストなどが挙げられる。本実施形態では、基板11に半導体ウエハ11、液膜材料17にレジスト17をとりあげ、半導体ウエハ11にレジスト17を滴下して塗布する場合について例示する。
半導体ウエハ11が保持される保持部材12は、半導体ウエハ11が載置されるとともに吸引保持されるステージ21と、ステージ21を矢符23方向に回転駆動させる回転駆動部22とを含んで構成される。ステージ21には、半導体ウエハ11が載置される面に開口する孔が複数形成され、孔には不図示の配管が接続され、またその配管が不図示の真空吸引装置に接続される。したがって、ステージ21上に半導体ウエハ11が載置された状態で、真空吸引装置を動作させることによって、半導体ウエハ11を吸引保持することができる。回転駆動部22には電動機が備えられ、電動機の回転駆動力がステージ21に伝達されて、ステージ21が半導体ウエハ11を保持した状態で矢符23方向に回転することができる。
図3は、ノズル13を半導体ウエハ11のレジスト17が塗布される面側から見た図である。本実施形態のノズル13は、液膜材料であるレジスト17を線状に吐出することのできる略円形のノズル孔25が複数個形成され、半導体ウエハ11の直径dよりも長さが長くなるように構成される。
ノズル13は、複数のノズル孔25が長手方向に1列に並んで形成される直管部26と、直管部26の長手方向のほぼ中央部に接続されるL管部27とを含んで構成される。直管部26は、たとえばステンレス鋼の管で形成され、長手方向の両端部が塞がれ、半導体ウエハ11の表面側に臨む面にのみ開口すなわちノズル孔25が形成される。ノズル13では、この直管部26の長さLが、半導体ウエハ11の直径dよりも長くなるように構成される。
L管部27もたとえばステンレス鋼の管で形成され、一方の端部27aが直管部26の長手方向のほぼ中央部に接続され、他端部27bが液膜材料供給手段14であるレジスト供給手段14に連なる配管に接続される。したがって、レジスト供給手段14から供給されるレジスト17は、L管部27を通り、さらに直管部26を通ってノズル孔25から吐出され、半導体ウエハ11の表面に対して各ノズル孔25から線状に滴下される。
レジスト供給手段14は、レジストを貯留する貯留槽と、貯留槽に貯留されるレジストをL管部27へ通じる配管へと供給する、たとえば送給ポンプなどとを含んで構成される。送給ポンプによるレジスト17の送給動作、すなわちノズル13による半導体ウエハ11に対するレジスト17の滴下動作は、制御手段16によって制御される。
ノズル13は、保持部材12に保持される半導体ウエハ11の上方に、直管部26が半導体ウエハ11の表面とほぼ平行になるようにして配置される。さらに、半導体ウエハ11の上方に配置されるノズル13を半導体ウエハ11の表面上に投影するとき、ノズル13は、半導体ウエハ11の回転中心を通って半導体ウエハ11の直径方向に延び、ノズル13の両端部26a,26bが半導体ウエハ11の外周縁よりも外側に位置するように配置される。
検知手段15は、たとえば反射式の屈折率測定器によって実現される。検知手段15である屈折率測定器は、半導体ウエハ11の周辺付近上部に設けられ、半導体ウエハ11の表面上にレジスト17が広がってきたときの屈折率の変化を読取り検知する。検知手段15による屈折率変化の検知結果は、制御手段16に与えられる。
検知手段15は、上記の屈折率測定器に限定されるものではなく、赤外光のセンサであってもよい。上記と同じ位置に赤外光センサを設け、半導体ウエハ11の表面上にレジスト17が広がったときの赤外光の透過量変化を検知するようにしてもよい。
レジスト17が半導体ウエハ11の表面全体に滴下されたことの判定を、特にセンサを設けることなく、さらに簡易的に行うようにしてもよい。たとえば、半導体ウエハ11を所定の設定回転数で回転させてレジスト17の滴下を行い、レジスト17が半導体ウエハ11の全面に広がりきる時間を予め試験して確認しておき、その時間+αの時間を全面滴下の判定基準時間とする。このような場合、滴下開始からの経過時間を計数するクロック部(たとえば制御手段16に備えられる)が検知手段15として機能する。なお、+αの時間としては、たとえば0.5〜2秒程度が挙げられる。
制御手段16は、中央処理装置(CPU)を備えるたとえばマイクロコンピュータなどによって実現される処理回路である。制御手段16には、記憶手段であるメモリ28が付設される。メモリ28としては、リードオンリメモリ(ROM)およびランダムアクセスメモリ(RAM)またはハードディスクドライブ(HDD)など公知のものを用いることができる。メモリ28には、塗布装置10が、半導体ウエハ11にレジスト17を滴下し塗布するための動作を制御するプログラム、各部の動作条件、またレジスト17が半導体ウエハ11の全面に塗布されたか否かを判定する基準が予め格納される。
図4は、本発明の実施態様である半導体ウエハ11に対するレジスト17の塗布方法を説明するフローチャートである。以下、図4を参照して半導体ウエハ11に対するレジスト17の塗布方法を説明する。なお、図4中では、半導体ウエハ11を単にウエハと略記する。
スタートでは、塗布装置10の電源がオンにされて動作可能な状態にある。ステップs1では、半導体ウエハ11をステージ21上に載置し、保持部材12によって回転可能な状態に保持する。ステップs2では、ノズル13を半導体ウエハ11の上方であって、半導体ウエハ11の回転中心を通って半導体ウエハ11の直径方向に延び、ノズル13の両端部26a,26bが半導体ウエハ11の外周縁よりも外側に位置するように配置する。
ステップs3では、ステージ21を回転駆動部22で回転させることによって、ステージ21上の半導体ウエハ11を第1の回転速度である低速で回転させる。半導体ウエハ11は、上記のようにステージ21を回転させることによってステージ21とともに回転するものであり、直接回転されるものではないけれども、ここでは半導体ウエハ11を回転させると簡略に表記する。このステップs3において低速と呼ぶ回転速度としては、50rpm以上、1000rpm以下が選択される。回転速度の設定は、メモリ28から読出す回転速度に関する設定条件データに基き、制御手段16が、回転駆動部22の動作を制御することによって行われる。
半導体ウエハ11の大きさ(直径)および表面性状によって、低速回転速度の適正範囲が適宜選択されることが好ましいけれども、50〜1000rpmの範囲内で選定することによって、次ステップで滴下されるレジストを、半導体ウエハ11の表面に広げて確実に行きわたらせることができる。
ステップs4では、ノズル13から半導体ウエハ11に対してレジスト17を線状に滴下する。低速回転速度で半導体ウエハ11を回転しながらレジスト17を滴下するこのステップs4の継続時間は、特に限定されるものではないけれども、概ね1〜5秒の範囲内で選定される。このような時間設定は、制御手段16がメモリ28内に予め格納される動作条件を読出し、該条件に従って回転駆動部22を動作制御することによって実現できる。
ステップs5では、レジスト17の滴下を継続しながら半導体ウエハ11を、第2の回転速度である中速回転速度で回転させる。このステップs5において中速と呼ぶ回転速度としては、1000rpm以上、3000rpm以下が選択されるが、少なくともステップs3の第1の回転速度である低速回転速度よりも速い回転速度が選定される。中速回転速度も、半導体ウエハ11の直径に応じて適正範囲が適宜選択されることが好ましいけれども、1000〜3000rpmの範囲内で選定することによって、半導体ウエハ11に滴下されるレジスト17を、遠心力で半導体ウエハ11上から振り切ってしまうことなく、半導体ウエハ11の上にレジスト17を行きわたらせて、ある程度の厚みを有するレジスト17の膜を形成することができる。
ステップs6は判定ステップであり、レジスト17が半導体ウエハ11の全面に滴下されたか否かが判定される。この判定動作は、制御手段16が行う。制御手段16は、検知手段15である屈折率測定器によって検知され出力される屈折率変化を、メモリ28から読出した予め定める基準値と比較し、基準値以上であるときレジスト17が全面に滴下されたと判定し、基準値未満であるときレジスト17が未だ全面に滴下されていないと判定する。
レジスト17が半導体ウエハ11の全面に滴下されたときステップs7へ進み、レジスト17が未だ半導体ウエハ11の全面に滴下されていないとき、レジスト17が全面に滴下されたと判定されるまで、ステップs6を繰返す。
ステップs7は滴下停止ステップであり、レジスト17の半導体ウエハ11に対する滴下を停止する。ステップs8は持続回転ステップであり、レジスト17の滴下停止後も、半導体ウエハ11を中速回転速度で継続して回転させるが、その回転時間は好ましい範囲が有り、好ましい範囲内で選定される所定時間を経過したか否かが判定される。ここで、所定時間とは、1秒以上5秒以下の範囲で選定される。
持続回転時間が1秒未満であると、プログラムの滴下終了とレジスト17の滴下が終了するのにタイムラグがあり滴下終了せずして回転数が上がってレジスト膜厚にバラツキが発生することがあり、持続回転時間が5秒を超えると、中速回転での時間が長いため膜厚調整が行いにくくなるので、持続回転時間の適正範囲を1〜5秒とした。
この判定は、制御手段16が、メモリ28に予め格納される持続回転時間の設定条件と、滴下停止後の経過時間とを比較することによって行う。滴下停止後の経過時間は、制御手段16に備わる時間計測部(たとえば商用交流周波数から計時するクロック部)によって計時可能である。持続回転時間が所定時間に達したときステップs9へ進み、持続回転時間が所定時間に達していないとき、所定時間に達するまでステップs8を繰返す。
ステップs9は高速回転ステップであり、半導体ウエハ11を高速回転速度で回転させる。このステップs9において高速と呼ぶ回転速度としては、2000rpm以上、7000rpm以下の範囲内で選定される。高速回転速度も、半導体ウエハ11の直径に応じて適正範囲が適宜選択されることが好ましいけれども、2000〜7000rpmの範囲内で選定することによって、半導体ウエハ11に滴下されて薄膜18を形成しているレジスト17を、遠心力で半導体ウエハ11上から適度に振り切って除去することができるので、半導体ウエハ11上のレジスト17による薄膜18の厚さを所望の厚さに調整することができる。
このステップs9における高速回転の回転速度および高速回転を継続する時間については、半導体ウエハ11の直径、レジスト17の種類および粘度などの特性、半導体ウエハ11上に形成するレジスト膜の所望厚みなどに応じ、予め試験をしてその試験結果をテーブルデータとしてメモリ28に予め格納しておき、塗布条件に従ってメモリ28からデータを読出すことによって、選定することができる。
ステップs10では、半導体ウエハ11の回転を停止してエンドへ進み、半導体ウエハ11に対するレジスト17の塗布を終了する。なお、続いて他の半導体ウエハにレジスト17を塗布するときには、半導体ウエハ11をステージ21から取除いた後、ステップs1へ戻り、以降のステップを実行する。
この本発明の塗布方法によれば、回転させた状態の半導体ウエハ11の全面にレジスト17を滴下するように、ノズル13のノズル孔25が形成される直管部26の長さLを半導体ウエハ11の直径dよりも長くし、ノズル13の直管部26が、半導体ウエハ11の回転中心を通り、かつその両端部26a,26bが半導体ウエハ11の外周縁よりも外側に位置するようにセットして、半導体ウエハ11に対してレジスト17を滴下する。このことによって、ノズル13から滴下されるレジスト17が、半導体ウエハ11上を表面パターンの凹凸に関係なく、また膜質に依らず広がるので、半導体ウエハ11上に滴下むらを発生することなくレジスト17を塗布することができる。
図5は、本発明の塗布方法に好適に用いられる他の塗布装置に設けられるノズル31の構成を示す図である。他の塗布装置は、ノズル31を除いて前述の塗布装置10と同じに構成されるので、全体構成図を省略し、ノズル31の構成のみを示す。
ノズル31において注目すべきは、液膜材料であるレジストを吐出するノズル孔33が、円孔ではなく、ステージ21上に保持される半導体ウエハ11に向って開口する細長い長孔に形成されることである。したがって、レジスト供給手段14からL管部27を通って直管部32へ供給されたレジストは、ノズル孔33から膜状に吐出され、半導体ウエハ11に滴下される。
このようなノズル31を備える塗布装置を用いて、本発明の塗布方法を行うことによって、回転している半導体ウエハ11の表面に対して膜状に吐出されるレジストを滴下することができるので、半導体ウエハ11の表面における凹凸や膜質に関わらず、塗布むらを一層確実に防止することが可能になる。
図6は本発明の塗布方法に好適に用いられる他の塗布装置40の構成を簡略化して示す側面図であり、図7は図6に示す塗布装置40の平面図である。塗布装置40は、前述の塗布装置10に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。また液膜材料供給手段14、検知手段15および制御手段16については、塗布装置10と同一に構成されるので、図示および説明を省略する。
塗布装置40において注目すべきは、ノズル41がその側面から見た形状が略U字状になるように形成され、ノズル41の直管部42の長さL1が、半導体ウエハ11の直径dよりも短く、半導体ウエハ11の半径d/2よりも長いことである。このノズル41は、半導体ウエハ11の上方に配置され、ノズル41を半導体ウエハ11の表面に投影するとき、直管部42の一端部42aが半導体ウエハ11の回転中心付近にあり、かつ半導体ウエハ11の回転中心を通って半導体ウエハ11の半径方向に延び、直管部42の他端部42bが半導体ウエハ11の外周縁よりも外側に位置するように配置される。
このようなノズル41を備える塗布装置40を用いて、本発明の塗布方法を実行するとき、直管部42の長さL1は半導体ウエハ11の直径dよりは短いけれども、半導体ウエハ11の半径d/2よりは長く、半導体ウエハ11が回転している状態で、ノズル41からレジスト17を滴下するので、前述の塗布装置10を用いて本発明の塗布方法を行う場合と同様の効果を奏することができる。
図8は本発明の塗布方法に好適に用いられる他の塗布装置50の構成を簡略化して示す側面図であり、図9は図8に示す塗布装置50の平面図である。塗布装置50は、前述の塗布装置40に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。また液膜材料供給手段14、検知手段15および制御手段16については、塗布装置40と同一すなわち塗布装置10と同一に構成されるので、図示および説明を省略する。
塗布装置50において注目すべきは、ノズル51がその側面から見た形状が階段状になるように形成され、ノズル51のL管部52の一端部52aが直管部42の他端部42b付近に接続されることである。ノズル51の直管部42の構成および長さL1は、前述の塗布装置40の場合と同一である。またノズル51の直管部42の半導体ウエハ11に対する相対的な配置も、前述の塗布装置40の場合と同一である。
したがって、ノズル51を備える塗布装置50を用いて本発明の塗布方法を実行するとき、前述の塗布装置40を用いて本発明の塗布方法を行う場合と同様の効果を奏することができる。
以上に述べたように、本実施の形態では、基板が半導体ウエハであり、液膜材料がレジストであるけれども、これに限定されることなく、基板がガラス基板などであってもよく、また液膜材料が現像液、保護膜形成液などであってもよい。
また、液膜材料の滴下時において、低速回転と中速回転との2段階の回転を行い、液膜材料の滴下停止後、高速回転を行うけれども、これに限定されることなく、滴下停止後の高速回転を省く方法であってもよく、滴下停止後の高速回転と滴下時の中速回転とを省く方法であってもよい。
10,40,50 塗布装置
11 基板
12 保持部材
13,31,41,51 ノズル
14 液膜材料供給手段
15 検知手段
16 制御手段
17 液膜材料
18 薄膜
28 メモリ
11 基板
12 保持部材
13,31,41,51 ノズル
14 液膜材料供給手段
15 検知手段
16 制御手段
17 液膜材料
18 薄膜
28 メモリ
Claims (6)
- 円板状の基板の表面に液膜材料をノズルから滴下して塗布する塗布方法において、
保持部材によって基板を回転自在に保持するステップと、
液膜材料を線状または膜状に吐出することのできるノズル孔が形成されるノズルであって、基板の直径または半径よりも長さが長いノズルを、保持部材に保持される基板の上方に配置し、ノズル孔から吐出される液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップとを含むことを特徴とする基板に対する液膜材料の塗布方法。 - 基板の上方に配置されるノズルを基板の表面上に投影するとき、
ノズルは、
基板の回転中心を通って基板の直径または半径方向に延び、少なくともノズルの一方の端部が基板の外周縁よりも外側に位置するように配置されることを特徴とする請求項1記載の基板に対する液膜材料の塗布方法。 - 液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップは、
回転速度:50〜1000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことを判定する判定ステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことの判定結果に応じて、基板の表面に対する液膜材料の滴下を停止する滴下停止ステップとを含むことを特徴とする請求項1または2記載の基板に対する液膜材料の塗布方法。 - 液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップは、
第1の回転速度:50〜1000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
第1の回転速度よりも速い第2の回転速度:1000〜3000rpmで基板を回転させている状態で液膜材料を滴下するステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことを判定する判定ステップと、
液膜材料が基板の表面全体に滴下されたことの判定結果に応じて、基板の表面に対する液膜材料の滴下を停止する滴下停止ステップとを含むことを特徴とする請求項1または2記載の基板に対する液膜材料の塗布方法。 - 液膜材料を基板の表面に滴下して塗布するステップは、
滴下停止ステップの後に、
判定ステップ時における基板の回転速度で、基板の回転を1秒以上5秒以下の間持続させる持続回転ステップと、
持続回転ステップの後、回転速度:2000〜7000rpmで基板を回転させる高速回転ステップとをさらに含むことを特徴とする請求項3または4記載の基板に対する液膜材料の塗布方法。 - 基板が半導体ウエハであり、液膜材料がレジストであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の基板に対する液膜材料の塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005370754A JP2007173621A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 基板に対する液膜材料の塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2007173621A true JP2007173621A (ja) | 2007-07-05 |
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JP2005370754A Pending JP2007173621A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 基板に対する液膜材料の塗布方法 |
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JP (1) | JP2007173621A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102714165A (zh) * | 2009-08-11 | 2012-10-03 | 武藏工业株式会社 | 液体材料的涂布方法、涂布装置以及程序 |
JP2015198217A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置及びワークの洗浄方法 |
JP2015213863A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 硬化膜製造方法 |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005370754A patent/JP2007173621A/ja active Pending
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