JP2007165507A - 発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子モジュール、表示装置、照明装置、交通信号機 - Google Patents

発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子モジュール、表示装置、照明装置、交通信号機 Download PDF

Info

Publication number
JP2007165507A
JP2007165507A JP2005358604A JP2005358604A JP2007165507A JP 2007165507 A JP2007165507 A JP 2007165507A JP 2005358604 A JP2005358604 A JP 2005358604A JP 2005358604 A JP2005358604 A JP 2005358604A JP 2007165507 A JP2007165507 A JP 2007165507A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting element
light emitting
insulating film
substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005358604A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Fukuda
武司 福田
Kentaro Ichii
健太郎 市井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2005358604A priority Critical patent/JP2007165507A/ja
Publication of JP2007165507A publication Critical patent/JP2007165507A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

【課題】従来の低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材と比較して、融点が低い金属材料に絶縁膜を設けた発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子実装用基板を備えた発光素子モジュール、この発光素子モジュールを用いた表示装置、照明装置および交通信号機を提供する。
【解決手段】発光素子14から発する光を所定の方向に向けて反射する反射カップ部18が形成された金属基材12と、この金属基材12の表面を被覆する絶縁膜13とを有する発光素子実装用基板11において、絶縁膜13を、熱伝導性と放熱性とを兼ね備えたものとする。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオード(以下、「LED」と記す。)などの発光素子を実装するための発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子実装用基板を備えた発光素子モジュール、この発光素子モジュールを用いた表示装置、照明装置および交通信号機に関する。
近年、LEDなどの発光素子は、照明装置、液晶表示装置のバックライト、交通信号機などに適用されるようになり、さらなる発光強度の向上が求められている。発光素子の発光強度は、発光素子に印加する電流量を増加することによって向上する。一方で、発光素子に印加する電流量を増加すると、発光素子自体が発熱するため、この熱を効率的に放出する(放熱)必要がある。放熱が不十分な場合、発光素子は発光中に高温になるため、発光効率が低下して、消費電力が増加したり、発光強度が低下する。また、発光素子を長期的に使用する場合、放熱が不十分であると、発光素子が長期間、高熱を発し続けるため、発光素子の信頼性が著しく低下して、適正に発光しないなどの不具合を生じるおそれがある。
また、例えば、特許文献1および特許文献2に開示されているように、一般的に、発光素子は、外力や湿気などの外部環境から保護するために、パッケージ化される。さらに、特許文献1および特許文献2には、発光素子から発する光を効率的に前方に放射して発光効率を向上させるために、2枚の金属基板を組み合わせると共に、一方の金属基板の所定位置にカップ加工部を形成して、このカップ加工部内に発光素子を実装した照明装置が開示されている。
また、特願2004−336132には、実装した発光素子から発する光を所定方向に向けて反射する反射カップ部が複数設けられたコア金属の表面に、ホーロー層(絶縁膜)が設けられたホーロー基板(発光素子実装用基板)が提案されている。コア金属の材質としては、例えば、低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材が好ましく用いられている。
特開2001−332768号公報 特開2001−332769号公報
特願2004−336132に提案されているホーロー基板を製造する過程では、ホーロー層の焼結時に1000℃近い高温処理が必要となる。そのため、コア金属の材質としては、アルミニウムやステンレスなどの低コストで加工可能であるが、従来の低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材と比較して、融点が低い金属材料を用いることが困難であった。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、従来の低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材と比較して、融点が低い金属材料に絶縁膜を設けた発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子実装用基板を備えた発光素子モジュール、この発光素子モジュールを用いた表示装置、照明装置および交通信号機を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係る発光素子実装用基板は、発光素子から発する光を所定の方向に向けて反射する反射カップ部が形成された金属基材と、この金属基材の表面を被覆する絶縁膜とを有する発光素子実装用基板であって、前記絶縁膜は、熱伝導性と放熱性とを兼ね備えていることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記絶縁膜の厚みは10μm以上、100μm以下であることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記金属基材はアルミニウム、ステンレスを主成分とする金属材料からなることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る発光素子実装用基板は、請求項1において、前記絶縁膜は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、シリカガラスから選択される1種または2種以上からなることを特徴とする。
本発明の請求項5に係る発光素子実装用基板の製造方法は、発光素子から発する光を所定の方向に向けて反射する反射カップ部が形成された金属基材と、この金属基材の表面を被覆する絶縁膜とを有する発光素子実装用基板の製造方法であって、前記絶縁膜をエアロゾルデポジション法により形成することを特徴とする。
本発明の請求項6に係る発光素子実装用基板の製造方法は、請求項5において、前記絶縁膜の原料として、エアロゾル化した微粒子を用い、前記金属基材に対して該微粒子を噴射し、該絶縁膜を形成する際に、前記金属基材の表面に対して前記微粒子が噴出する角度を0°以上、50°以下とすることを特徴とする。
本発明の請求項7に係る発光素子実装用基板の製造方法は、請求項6において、前記微粒子の直径を21μm以下とすることを特徴とする。
本発明の請求項8に係る発光素子モジュールは、請求項1ないし4に係る発光素子実装用基板と、該発光素子実装用基板の反射カップ部に実装された発光素子と、を具備することを特徴とする。
本発明の請求項9に係る表示装置は、請求項8に係る発光素子モジュールを有することを特徴とする。
本発明の請求項10に係る照明装置は、請求項8に係る発光素子モジュールを有することを特徴とする。
本発明の請求項11に係る交通信号機は、請求項8に係る発光素子モジュールを有することを特徴とする。
本発明の発光素子実装用基板によれば、熱伝導性と放熱性とを兼ね備えた絶縁膜が設けられているので、従来の低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材と比較して、融点が低い金属材料からなる金属基材にも絶縁膜を設けることができる。その結果として、低コストで、かつ種々の加工が可能な発光素子実装用基板、および、この発光素子実装用基板を用いた発光素子モジュールを実現することができる。
本発明の発光素子実装用基板の製造方法は、エアロゾルデポジション法により、熱伝導性と放熱性とを兼ね備えた絶縁膜を形成するので、従来の低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材と比較して、融点が低い金属材料からなる金属基材にも絶縁膜を設けることができる。その結果として、エネルギーコストを削減することができるので、製造コストの削減も実現することができる。
以下、図面を参照して、本発明を実施した発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子実装用基板を備えた発光素子モジュール、この発光素子モジュールを用いた表示装置、照明装置および交通信号機について詳細に説明する。
図1は、本発明に係る発光素子モジュールの一実施形態を示す概略断面図である。
図1中、符号10は発光素子モジュール、11は発光素子実装用基板、12は金属基材、13は絶縁膜、14は発光素子、15はワイヤボンド、16は封止樹脂、17は電極、18は反射カップ部、をそれぞれ示している。
この実施形態の発光素子実装用基板11は、反射カップ部18が形成された金属基材12と、この金属基材12の表面12aを被覆する絶縁膜13とから概略構成されている。
反射カップ部18は、金属基材12の表面12aから12b側に窪んだ凹部をなしており、発光素子14が実装され、金属基材12の表面12aと平行な面からなる底部18aと、この底部18aの周縁から上方に向けて漸次拡がるように傾斜した側面からなる側部18bとから構成されている。また、反射カップ部18の側部18bの傾斜は、発光素子14の大きさ、形状、光の発する部位などに応じて、適宜設定される。
また、この実施形態の発光素子モジュール10は、発光素子実装用基板11と、この発光素子実装用基板11の絶縁膜13上に複数に分割して設けられた電極17と、反射カップ部18の底部18aの中央部に配された電極17A上に実装された発光素子14と、この発光素子14と、電極17Aと離間して隣接する電極17Bとを電気的に接続するワイヤボンド15と、反射カップ部18内に充填されて発光素子14を封止している封止樹脂16とから概略構成されている。
絶縁膜13の厚みは10μm以上、100μm以下であることが好ましい。この実施形態では、絶縁膜13の厚みを10μm以上、100μm以下とすることにより、優れた絶縁性能と放熱性能が得られ、亀裂のない、均一な絶縁膜13となる。さらに、絶縁膜13の厚みがこの範囲内であれば、下地となる金属基材12の形状をそのまま再現することができるばかりでなく、金属基材12に形成された反射カップ部18の形状も絶縁膜13にほぼ忠実に再現できる。
また、絶縁膜13の厚みが10μm未満では、金属基材12の表面に設けられた絶縁膜13に亀裂が発生し、金属基材12が露出するおそれがあり、絶縁性の低下や、金属基材12の酸化などにより、発光素子実装用基板11の長期信頼性を損なうことがある。一方、絶縁層13の厚みが100μmを超えると、金属基材12の表面に設けられた絶縁膜13に亀裂が発生するおそれがあり、また、絶縁膜13を設ける際に、絶縁膜13を形成する材料が反射カップ部18の底部18aの周縁部に溜まり易く、実装スペースの減少によって底部18aに発光素子14を実装できなくなるおそれがある。さらに、厚い絶縁膜によって、放熱性が悪くなり、発光素子の発光特性を損なうおそれがある。
絶縁膜13は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、シリカガラスの群から選択される1種または2種以上からなるものが好ましい。
金属基材12としては、特に限定されるものではないが、安価で加工し易い金属材料が好ましく、例えば、アルミニウムやステンレスなどの融点が低い金属を主成分とする金属材料が挙げられる。
また、金属基材12の形状は、特に限定されるものではないが、発光素子モジュール10の用途などに応じて、適宜調整される。
発光素子14としては、特に限定されるものではないが、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)などの半導体発光素子が好適に用いられる。また、発光素子14の発色光は、特に限定されるものではなく、青色、緑色、赤色あるいはそれ以外の発色光でもよく、さらに、窒化物系化合物半導体からなる青色発色光の半導体素子と、この青色系の光の少なくとも一部を吸収して可視波長域の光に波長変換する蛍光体(例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体など)を組み合わせた白色LEDを用いてもよい。
ワイヤボンド15としては、公知のワイヤボンディング装置を用いてボンディングすることができるものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、金線などが挙げられる。
封止樹脂16としては、光透過率の高いエポキシ系の熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、熱硬化性のシリコン樹脂などの硬化性樹脂が挙げられる。
電極17としては、厚膜銀ペーストからなるものや、反射カップ部18の形状に応じて、銅箔をプレス成形してなるものなどが挙げられる。
これらの厚膜銀ペーストや銅箔をプレス成形してなるものを用いることにより、電極17を、絶縁膜13上で、かつ、金属基材12の反射カップ18を除く領域から、反射カップ部18の側部18bおよび底部18aに渡って設けることができる。
この実施形態の発光素子実装用基板11によれば、熱伝導性と放熱性とを兼ね備えた絶縁膜13が設けられているので、従来の低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材と比較して、融点が低い金属材料からなる金属基材12にも絶縁膜13を設けることができる。その結果として、低コストかつ歩留まり良く、この発光素子実装用基板11を用いた発光素子モジュール10を実現することができる。
次に、本発明に係る発光素子実装用基板の製造に用いられるエアロゾルデポジション成膜装置の一実施形態について説明する。
図2は、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際に用いられるエアロゾルデポジション成膜装置の一実施形態を示す概略構成図である。
図2中、符号20はエアロゾルデポジション成膜装置、21はエアロゾル発生器、22はガスボンベ、23はマスフローコントローラ、24は配管、25は容器、26は成膜室、27Aは絶縁膜の原料となるエアロゾル化されていない微粒子、27Bは絶縁膜の原料となるエアロゾル化された微粒子、28は振動器、29は配管、30はノズル、31は基材保持台、32はメカニカルブースターポンプ、33はロータリーポンプ、をそれぞれ示している。なお、図2中、符号12は、図1に示した金属基材を示す。
エアロゾルデポジション成膜装置20は、エアロゾル発生器21と、ガスボンベ22と、マスフローコントローラ23と、配管24と、容器25と、成膜室26と、振動器28と、ノズル30と、基材保持台31と、メカニカルブースターポンプ32と、ロータリーポンプ33とから概略構成されている。
また、エアロゾル発生器21は、微粒子27Aを収容した容器25と、この容器25を超音波振動、電磁振動または機械的振動により振動させて、微粒子27Aを一次粒子化する振動器28とから概略構成されている。エアロゾル発生器21における微粒子の一次粒子化により、緻密かつ均一な絶縁膜を形成することができる。
エアロゾル発生器21の容器25には、ガスボンベ22と、ガスボンベ22に充填されたキャリアガスの流量などを制御するマスフローコントローラ23とが、配管24を介して接続されている。
マスフローコントローラ23により、キャリアガスの流量などを制御することによって、エアロゾル発生器21の容器25内における微粒子27Aの発塵量や、成膜室26内において、ノズル30から噴出されるエアロゾル化された微粒子27Bの噴出量を制御することができる。
上記のキャリアガスとしては、高圧のアルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素などの不活性ガスが用いられる。
なお、微粒子27Aとして、チタン酸バリウム(BaTiO)、PbZrO−PbTiO、BiSrCaCu10などのペロブスカイト構造を有する酸化物セラミックスを用いる場合には、キャリアガスとしては酸化性のガスを用いてもよい。酸化性のガスとしては、例えば、酸素や空気が挙げられる。
成膜室26内には、微粒子27Bを金属基材12に噴射するノズル30が配されている。このノズル30は、配管29を介してエアロゾル発生器21の容器25と接続されている。
また、ノズル30は、成膜室26内に設けられた基材保持台31上に配された金属基材12と所定の角度で対向するように配されている。
基材保持台31は、この基材保持台31上に配された金属基材12のノズル30に対する位置を制御するXYZステージ(図示略)に連結されている。
また、成膜室26には、この成膜室26内の圧力を低圧にするために、耐圧ホースなどを介してメカニカルブースターポンプ32が接続され、さらに、このメカニカルブースターポンプ32には、耐圧ホースなどを介してロータリーポンプ33が接続されている。
次に、図1および図2を参照して、本発明に係る発光素子実装用基板の製造方法および発光素子モジュールの製造方法の一実施形態について説明する。
本発明に係る発光素子実装用基板を製造するには、まず、所定の形状、大きさに加工した金属基材12に、ドリルなどの切削工具を用いた切削加工、超硬砥石を用いた研磨加工、金属プレス成型機を用いたプレス加工などにより、反射カップ部18を形成する。
次いで、エアロゾルデポジション法により、金属基材12の表面を被覆する絶縁膜13を形成し、発光素子実装用基板11を得る。
エアロゾルデポジション法とは、図2に示すようなエアロゾルデポジション成膜装置20を用い、低圧にて、金属基材12の表面にエアロゾル化した微粒子27Bを衝突させて、高熱伝導性の絶縁膜13を形成する成膜法である。
このエアロゾルデポジション法によれば、室温に非常に近い低温でも、様々な金属基材12上に高熱伝導性の絶縁膜13を形成することができる。すなわち、エアロゾルデポジション法によれば、アルミニウムやステンレスなどの融点が低い金属を主成分とする金属材料からなる金属基材上にも高熱伝導性の絶縁膜を形成することができる。
エアロゾルデポジション成膜装置20を用いて、エアロゾルデポジション法により、金属基材12の表面を被覆する絶縁膜13を形成する方法を説明する。
エアロゾル発生器21の容器25内に収容された微粒子27Aを振動器28により振動させながら、ガスボンベ22から、アルゴンガスなどのキャリアガスを容器25内に供給し、微粒子27Aをエアロゾル化する。そして、容器25内でエアロゾル化された微粒子27Bは、ガスボンベ22から容器25内に供給されているキャリアガスと共に、配管29を介して、ノズル30から金属基材12に向けて噴射される。これにより、ジェット流となった微粒子27Bが金属基材12上に堆積し、金属基材12上に絶縁膜13が形成される。
この実施形態では、金属基材12上に絶縁膜13を形成する際、基材保持台31に連結されたXYZステージにより、金属基材12に形成された反射カップ部18の形状に応じて、基材保持台31に保持された金属基材12のノズル30に対する位置が、所定の範囲となるように制御される。
また、この実施形態では、金属基材12に対してエアロゾル化した微粒子27Bを噴射し、金属基材12上に絶縁膜13を形成する際、金属基材31の表面に対して、ノズル30から微粒子27Bが噴出する角度を0°以上、50°以下とすることが好ましい。
金属基材31の表面に対して、ノズル30から微粒子27Bが噴出する角度が50°を超えると、絶縁膜の平坦度が悪化して放熱性が悪化する。また、絶縁膜の平坦度が悪いので、金属や発光素子の実装が困難になり、信頼性が悪化する。
また、この実施形態では、エアロゾル発生器21の容器25内に収容され、絶縁膜13の原料となるエアロゾル化されていない微粒子27Aの直径を21μm以下とすることが好ましく、実用的には10μm以上、21μm以下とする。
微粒子27Aの直径が21μmを超えると、金属材料に衝突する微粒子の運動エネルギーが大きくなり、金属材料がエッチングされてしまう。
次いで、上述のようにして得られた発光素子実装用基板11を用いて、発光素子モジュールを製造する。
本発明に係る発光素子モジュールを製造するには、まず、発光素子実装用基板11の絶縁膜13上に、所定の厚みに銀ペーストを塗布するか、または、あらかじめ反射カップ部の形状に応じて所定の形状に成形された銅箔などを配し、発光素子に電力を供給するための電極17を設ける。
次いで、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)などからなる発光素子14を、銀ペーストにより、絶縁膜13上に設けた電極17Aに電気的に接続する。
次いで、金線からなるワイヤボンド15により、発光素子14と、電極17Aと離間して隣接する電極17Bとを電気的に接続する。
次いで、反射カップ部18内に、上部が表面張力で十分に盛り上がるまでエポキシ系の熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、熱硬化性のシリコン樹脂などの硬化性樹脂を入れ、この硬化性樹脂を硬化させて、封止樹脂16を形成し、発光素子モジュール10を得る。
この実施形態の発光素子実装用基板の製造方法および発光素子モジュールの製造方法によれば、エアロゾルデポジション法により、熱伝導性と放熱性とを兼ね備えた絶縁膜13を形成するので、従来の低炭素鋼、ステンレス鋼などの鋼材と比較して、融点が低い金属材料からなる金属基材12にも絶縁膜13を設けることができる。その結果として、低コストかつ歩留まり良く、発光素子実装用基板11を用いた発光素子モジュール10を製造することができる。
また、金属基材12に複数の反射カップ部18を設け、発光素子実装用基板11に複数の発光素子14を実装した発光素子モジュール10を作製すれば、用途に応じた発光素子モジュール10を構成することができる。
例えば、発光素子14として、多数の青色LED、緑色LED、赤色LEDを順次、またはランダムに配置することにより、LEDを用いた表示装置を構成することができる。
また、例えば、発光素子14として、白色LEDを用い、多数の白色LEDを大型の発光素子実装用基板11に縦横に実装することにより、大面積の平面型照明装置を構成することができる。
さらに、例えば、発光素子実装用基板11に実装する複数の発光素子14を同じ発色光のものとすることにより、交通信号機を構成することができる。
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
(発光素子実装用基板の作製)
厚み1.5mmのアルミニウム基材を縦10mm×横10mmの寸法に切断した後、このアルミニウム基材に、ドリルあるいは金属プレス加工により、反射カップ部を形成した。反射カップ部は、深さを0.6mm、底部の直径を2.1mm、側部の傾斜角度を45°とした。
次いで、エアロゾルデポジション法により、アルミニウム基材の表面を被覆する絶縁膜を形成し、発光素子実装用基板を得た。絶縁膜の形成には、絶縁膜の原料としては、窒化アルミニウム微粒子を用い、キャリアガスとしては乾燥空気を用いた。
次いで、発光素子実装用基板の絶縁膜上に、所定の厚みに銀ペーストを塗布し、発光素子に電力を供給するための電極を設けた 。
次いで、青色発光素子(XB900、Cree社製)を、銀ペーストにより、絶縁膜上に設けた電極に電気的に接続した。
次いで、金線からなるワイヤボンドにより、青色発光素子と、この青色発光素子を接続した電極と離間して隣接する電極とを電気的に接続した。
次いで、反射カップ部内に、上部が表面張力で十分に盛り上がるまでエポキシ系の熱硬化型樹脂を入れ、この熱硬化型樹脂を硬化させて、封止樹脂を形成し、発光素子モジュールを得た。
以下に示す実施例または比較例について、得られた発光素子モジュールの熱抵抗値、電気絶縁性、反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度を評価した。
(熱抵抗値の評価)
雰囲気温度を室温(25℃)とし、発光素子モジュールに350mAの電流を1時間通電した後、電流値を10mAまで急激に落として、発光素子モジュールに印加されている電圧を測定した。電圧の測定には、電圧計を用いた。
あらかじめ測定しておいた発光素子モジュールに印加されている電圧と温度との関係から、測定した電圧から換算した温度を、発光素子の温度(A)とした。同時に、熱電対により、この発光素子モジュールを構成するアルミニウム基材の裏面(発光素子が実装されていない側の面)の温度(B)を測定した。
得られた発光素子の温度(A)と、アルミニウム基材の裏面の温度(B)との温度差(A−B)を、発光素子モジュールに投入した電力(電流×電圧)で除することにより、発光素子モジュールの熱抵抗値(℃/W)を算出した。
(電気絶縁性の評価)
発光素子モジュールの反射カップ部が設けられている側の面の全面に、銀ペーストを塗布し、この銀ペーストを焼成して、電気絶縁性の評価用基板を作製した。
この評価用基板の反射カップ部が設けられている側の面と、反射カップ部が設けられていない側の面に、電極を接続し、評価用基板に1000Vの直流電流を通電して耐電圧試験を行い、発光素子モジュールの電気絶縁性を評価した。耐電圧試験には、あらかじめ決められた電圧を印加したときの絶縁破壊の有無を確認する方法を用いた。
この耐電圧試験において、発光素子モジュールが電気絶縁性を保った場合をOK、発光素子モジュールが電気絶縁性を保てなかった場合をNGとした。なお、電気絶縁性が保てるか否かの判断は、LED駆動時に流れる電流値が100mAを超えるか否かで行った。電流値が100mA以下の場合をOKとした。
(反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度の評価)
発光素子モジュールの反射カップ部の底部に形成された絶縁膜について、その中央部の1000μm×1000μmの領域における厚みの最大値と最小値との差を測定し、反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度を評価した。絶縁膜の平坦度の測定には、接触式の段差計を用いた。
絶縁膜の厚みの最大値と最小値との差の絶対値が10μm以下の場合をOK、絶縁膜の厚みの最大値と最小値との差の絶対値が10μmを超える場合をNGとした。
また、絶縁膜の厚みの絶対値を変化させた時のLEDの発光効率を表5に示す。
この発光効率は、発熱の影響を評価するために、電流印加後5分経過してから測定した。また、LEDを発光させた直後の発光効率は、24.0〜26.0lm/Wであった。このことから、絶縁膜の膜厚は、10μm以下であることが放熱基板には必要であると言える。
(実施例1)
発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みを10μmとした。
(実施例2)
発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みを30μmとした。
(実施例3)
発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みを59μmとした。
(実施例4)
発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みを100μmとした。
(比較例1)
発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みを5μmとした。
(比較例2)
発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みを135μmとした。
なお、実施例1〜4、および、比較例1,2では、絶縁膜の原料として用いられる窒化アルミニウム微粒子(エアロゾル化されていない微粒子)の直径を1.1μmとした。
上記の実施例1〜4、および、比較例1,2について、発光素子モジュールの熱抵抗値、電気絶縁性、反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度を評価した。
結果を表1に示す。
Figure 2007165507
表1の結果から、反射カップ部が形成された発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みが、10μm以上、100μm以下であれば、発光素子モジュールは、熱抵抗値が低く、電気絶縁性および反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度に優れることが確認された。
(実施例5)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料となるエアロゾル化されていない窒化アルミニウム微粒子の直径を1.1μmとし、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成した。
(実施例6)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料となるエアロゾル化されていない窒化アルミニウム微粒子の直径を10μmとし、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成した。
(実施例7)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料となるエアロゾル化されていない窒化アルミニウム微粒子の直径を21μmとし、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成した。
(比較例3)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料となるエアロゾル化されていない窒化アルミニウム微粒子の直径を25μmとし、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成した。
なお、実施例5〜7、および、比較例3では、発光素子実装用基板の絶縁膜の厚みを100μmとした。実施例5〜7、比較例3は、微粒子の直径を1.1〜25μmとして、膜厚100μmの絶縁膜を成膜した結果を示している。
上記の実施例5〜7、および、比較例3について、反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度を評価した。
結果を表2に示す。
Figure 2007165507
表2の結果から、窒化アルミニウム微粒子の直径が21μm以下であれば、発光素子モジュールは、反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度に優れることが確認された。
(実施例8)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料として、直径1.1μmの窒化ケイ素微粒子を用い、厚み100μmの絶縁膜を形成した。
(実施例9)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料として、直径4.0μmの窒化アルミニウム微粒子を用い、厚み100μmの絶縁膜を形成した。
(実施例10)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料として、直径5.0μmのダイヤモンド微粒子を用い、厚み100μmの絶縁膜を形成した。
(実施例11)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料として、直径2.5μmの窒化ホウ素微粒子を用い、厚み100μmの絶縁膜を形成した。
(実施例12)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料として、直径1.0μmの酸化アルミニウム微粒子を用い、厚み100μmの絶縁膜を形成した。
(実施例13)
発光素子実装用基板の絶縁膜の原料として、直径2.0μmのシリカガラス微粒子を用い、厚み100μmの絶縁膜を形成した。
上記の実施例8〜13について、発光素子モジュールの電気絶縁性を評価した。
結果を表3に示す。
なお、参考として、各原料の熱伝導率(W/m・K)を表3に示す。
Figure 2007165507
表3の結果から、実施例8〜13の原料を用いれば、発光素子モジュールは、電気絶縁性に優れることが確認された。
(実験例1)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面形状(反射カップ部の形状)に応じて、アルミニウム基材の表面に対して、窒化アルミニウム微粒子が噴出する角度を変化させた。具体的には、アルミニウム基材の表面(反射カップ部の側部や底部に対しても)と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に90°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(実験例2)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面に対して、窒化アルミニウム微粒子が噴出する角度を一定とした。
なお、実験例1,2では、絶縁膜の原料として用いられる窒化アルミニウム微粒子(エアロゾル化されていない微粒子)の直径を1.1μmとし、厚み10μmの絶縁膜を形成した。
上記の実験例1,2について、反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度を評価した。
結果を表4に示す。
Figure 2007165507
表4の結果から、アルミニウム基材の表面形状に応じて、アルミニウム基材の表面に対して、窒化アルミニウム微粒子が噴出する角度を変化させて、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角を常に一定に保つことにより、平坦度に優れる絶縁膜を形成することができることが確認された。
(実施例14)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に90°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(実施例15)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に80°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(実施例16)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に70°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(実施例17)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に60°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(実施例18)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に50°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(実施例19)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に40°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(比較例4)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に30°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(比較例5)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に20°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
(比較例6)
エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が常に10°となるように、窒化アルミニウム微粒子の噴出方向を制御した。
なお、実験例14〜19、および、比較例4〜6では、絶縁膜の原料として用いられる窒化アルミニウム微粒子(エアロゾル化されていない微粒子)の直径を1.1μmとし、厚み10μmの絶縁膜を形成した。
上記の実験例14〜19、および、比較例4〜6について、反射カップ部の底部における絶縁膜の平坦度を評価した。
結果を表5に示す。
Figure 2007165507
表5の結果から、エアロゾルデポジション法により、発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際、アルミニウム基材の表面と窒化アルミニウム微粒子の噴射方向とのなす角が0°以上、50°以下であれば、平坦度に優れる絶縁膜を形成することができることが確認された。
本発明に係る発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子実装用基板を備えた発光素子モジュールは、表示装置、照明装置、交通信号機、ディスプレイのバックライトにも適用できる。
本発明に係る発光素子モジュールの一実施形態を示す概略断面図である。 発光素子実装用基板の絶縁膜を形成する際に用いられるエアロゾルデポジション成膜装置の一実施形態を示す概略構成図である。
符号の説明
10・・・発光素子モジュール、11・・・発光素子実装用基板、12・・・金属基材、13・・・絶縁膜、14・・・発光素子、15・・・ワイヤボンド、16・・・封止樹脂、17・・・電極、18・・・反射カップ部、20・・・エアロゾルデポジション成膜装置、21・・・エアロゾル発生器、22・・・ガスボンベ、23・・・マスフローコントローラ、24・・・配管、25・・・容器、26・・・成膜室、27A,27B・・・微粒子、28・・・振動器、29・・・配管、30・・・ノズル、31・・・基材保持台、32・・・メカニカルブースターポンプ、33・・・ロータリーポンプ。

Claims (11)

  1. 発光素子から発する光を所定の方向に向けて反射する反射カップ部が形成された金属基材と、この金属基材の表面を被覆する絶縁膜とを有する発光素子実装用基板であって、
    前記絶縁膜は、熱伝導性と放熱性とを兼ね備えていることを特徴とする発光素子実装用基板。
  2. 前記絶縁膜の厚みは10μm以上、100μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
  3. 前記金属基材はアルミニウム、ステンレスを主成分とする金属材料からなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
  4. 前記絶縁膜は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、シリカガラスから選択される1種または2種以上からなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基板。
  5. 発光素子から発する光を所定の方向に向けて反射する反射カップ部が形成された金属基材と、この金属基材の表面を被覆する絶縁膜とを有する発光素子実装用基板の製造方法であって、
    前記絶縁膜をエアロゾルデポジション法により形成することを特徴とする発光素子実装用基板の製造方法。
  6. 前記絶縁膜の原料として、エアロゾル化した微粒子を用い、前記金属基材に対して該微粒子を噴射し、該絶縁膜を形成する際に、前記金属基材の表面に対して前記微粒子が噴出する角度を0°以上、50°以下とすることを特徴とする請求項5に記載の発光素子実装用基板の製造方法。
  7. 前記微粒子の直径を21μm以下とすることを特徴とする請求項6に記載の発光素子実装用基板の製造方法。
  8. 請求項1ないし4に記載の発光素子実装用基板と、該発光素子実装用基板の反射カップ部に実装された発光素子と、を具備することを特徴とする発光素子モジュール。
  9. 請求項8に記載の発光素子モジュールを有することを特徴とする表示装置。
  10. 請求項8に記載の発光素子モジュールを有することを特徴とする照明装置。
  11. 請求項8に記載の発光素子モジュールを有することを特徴とする交通信号機。

JP2005358604A 2005-12-13 2005-12-13 発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子モジュール、表示装置、照明装置、交通信号機 Pending JP2007165507A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005358604A JP2007165507A (ja) 2005-12-13 2005-12-13 発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子モジュール、表示装置、照明装置、交通信号機

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005358604A JP2007165507A (ja) 2005-12-13 2005-12-13 発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子モジュール、表示装置、照明装置、交通信号機

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007165507A true JP2007165507A (ja) 2007-06-28

Family

ID=38248089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005358604A Pending JP2007165507A (ja) 2005-12-13 2005-12-13 発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子モジュール、表示装置、照明装置、交通信号機

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007165507A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010073844A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 株式会社応用ナノ粒子研究所 ワイヤボンディング方法、電子部品、発光電子部品、複合発光電子部品及び発光装置
WO2011136404A1 (ko) * 2010-04-28 2011-11-03 주식회사 웨이브닉스이에스피 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
JP2012089357A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Sumitomo Light Metal Ind Ltd Led照明基板用積層体及びそれを用いたled照明
JP2013530541A (ja) * 2010-07-07 2013-07-25 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光ダイオード
KR20140124551A (ko) * 2013-04-17 2014-10-27 엘지이노텍 주식회사 발광장치
WO2015151686A1 (ja) * 2014-04-04 2015-10-08 シャープ株式会社 発光装置用基板、及び、発光装置
JP2016111204A (ja) * 2014-12-05 2016-06-20 市光工業株式会社 光源装置及びこの光源装置を備えた車両用灯具

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60128625A (ja) * 1983-12-15 1985-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子搭載用基板
JPS62235787A (ja) * 1986-04-07 1987-10-15 Koito Mfg Co Ltd 照明装置
JPH0278102A (ja) * 1987-12-24 1990-03-19 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JP2003282951A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2004047863A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Toto Ltd 放熱回路基板とその作製方法
JP2004119515A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Neo Led Technology Co Ltd 高い放熱性を有する発光ダイオード表示モジュール及びその基板
JP2004228170A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Matsushita Electric Works Ltd 配線板及び発光装置
JP2005232496A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 保護膜の製造方法及び保護膜
JP2007180525A (ja) * 2005-12-01 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60128625A (ja) * 1983-12-15 1985-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子搭載用基板
JPS62235787A (ja) * 1986-04-07 1987-10-15 Koito Mfg Co Ltd 照明装置
JPH0278102A (ja) * 1987-12-24 1990-03-19 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JP2003282951A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2004047863A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Toto Ltd 放熱回路基板とその作製方法
JP2004119515A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Neo Led Technology Co Ltd 高い放熱性を有する発光ダイオード表示モジュール及びその基板
JP2004228170A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Matsushita Electric Works Ltd 配線板及び発光装置
JP2005232496A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 保護膜の製造方法及び保護膜
JP2007180525A (ja) * 2005-12-01 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010073844A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 株式会社応用ナノ粒子研究所 ワイヤボンディング方法、電子部品、発光電子部品、複合発光電子部品及び発光装置
WO2011136404A1 (ko) * 2010-04-28 2011-11-03 주식회사 웨이브닉스이에스피 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
JP2013530541A (ja) * 2010-07-07 2013-07-25 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光ダイオード
US9431378B2 (en) 2010-07-07 2016-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diodes
JP2012089357A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Sumitomo Light Metal Ind Ltd Led照明基板用積層体及びそれを用いたled照明
KR20140124551A (ko) * 2013-04-17 2014-10-27 엘지이노텍 주식회사 발광장치
KR102026120B1 (ko) * 2013-04-17 2019-11-04 엘지이노텍 주식회사 발광장치
WO2015151686A1 (ja) * 2014-04-04 2015-10-08 シャープ株式会社 発光装置用基板、及び、発光装置
JPWO2015151686A1 (ja) * 2014-04-04 2017-04-13 シャープ株式会社 発光装置用基板の製造方法、発光装置の製造方法、及び照明装置の製造方法
US9947850B2 (en) 2014-04-04 2018-04-17 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for light emitting devices and light emitting device
JP2016111204A (ja) * 2014-12-05 2016-06-20 市光工業株式会社 光源装置及びこの光源装置を備えた車両用灯具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6215360B2 (ja) 発光装置用基板、発光装置および発光装置用基板の製造方法
JP4527197B2 (ja) 半導体発光素子および半導体発光装置の製造方法
JP4492378B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP4091063B2 (ja) 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
JP6290380B2 (ja) 発光装置用基板、発光装置、及び、発光装置用基板の製造方法
JP5275642B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2007165507A (ja) 発光素子実装用基板およびその製造方法、並びに、発光素子モジュール、表示装置、照明装置、交通信号機
JP6455495B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2004088013A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2011142356A (ja) 発光装置
JPWO2009066430A1 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2006054209A (ja) 発光装置
US20120138998A1 (en) Light-Emitting Device
JP2006202962A (ja) 発光装置
US9780275B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP2006165029A (ja) 発光素子実装用基板及び発光素子パッケージ体
US20240063348A1 (en) Method of manufacturing wavelength converting member and method of manufacturing light emitting device
JP2006147865A (ja) 発光素子実装用基板とその製造方法、発光素子モジュールとその製造方法、表示装置、照明装置及び交通信号機
CN102918666B (zh) 发光装置
US10840420B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
CN103165794A (zh) 光学半导体装置用基台、其制造方法以及光学半导体装置
US10775023B2 (en) Wavelength conversion member complex, light emitting device, and method for manufacturing wavelength conversion member complex
JP2019212699A (ja) 発光装置
JP2007299997A (ja) 発光装置の製造方法
JP2006032804A (ja) 発光装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080612

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101214

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110802

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111003

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120228