JP2007165276A - 有機発光表示装置 - Google Patents

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魯 敏 郭
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Abstract

【課題】高い温度でも偏光度を維持することができる染料系偏光子を具備する有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】第1基板及び第2基板と、前記第1基板及び第2基板の間に形成されて、所定の光を発光する発光素子と、前記発光素子から発光された光が進行する経路の前記基板上に配置されて、入射する光の位相を変化させる位相差板と、前記位相差板上に配置されて、特定偏光方向の光は反射させ、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させるワイヤグリッド偏光子と、前記ワイヤグリッド偏光子上に配置されて、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させ、前記特定偏光方向の光は吸収する染料系偏光子と、を含む。
【選択図】図8

Description

本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳細には、高い温度でも偏光度を維持することができる染料系偏光子を具備する有機発光表示装置に関する。
有機発光表示装置は、自発光特性を持つ次世代表示装置として、液晶表示装置(Liquid Crystal Display Device;LCD)に比べて視野角、コントラスト(contrast)、応答速度、消費電力などの面で優秀な特性を持っており、バックライトが不要で軽量及び薄型に製作可能である。
有機発光表示装置は、走査線と信号線が交差してマトリックス形態の画素を構成するパッシブマトリックス(passive matrix)方式と、各画素の動作がスイッチの役目をする薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)によって制御されるアクティブマトリックス(active matrix)方式に区分される。
パッシブマトリックス方式では走査線を時間によって順次駆動してそれぞれの画素を駆動させ、アクティブマトリックス方式ではストレージキャパシタ(storage capacitor)を利用してそれぞれの画素を駆動させる。アクティブマトリックス方式の方が低い電流で同じ輝度を得ることができるため、パッシブマトリックス方式より消費電力が少なく、高精細及び大型化に有利である。
図1は、従来のパッシブマトリックス方式有機発光表示装置の一例を説明するための概略的な断面図である。
絶縁基板10上にアノード電極11が形成され、アノード電極11上に有機薄膜層20が形成される。有機薄膜層20は、正孔輸送層21、有機発光層22及び電子輸送層23が積層された構造で形成され、さらに正孔注入層と電子注入層を含むことができる。また、有機薄膜層20の上部にはカソード電極30がアノード電極11と交差する方向に形成され、全体の上部には、上記のように構成された有機発光表示装置を保護するための封止基板40がシラント(図示せず)によって基板10に接着される。
図2は、従来のアクティブマトリックス方式有機発光表示装置の一例を説明するための概略的な断面図である。
絶縁基板50上に半導体層51、ゲート電極52、ソース電極53及びドレイン電極54で構成された薄膜トランジスタTが形成される。薄膜トランジスタTのソース電極53には、電極55、誘電体56及び電極57が積層された構造のストレージキャパシタCSTが繋がれ、また、薄膜トランジスタTのドレイン電極54には、アノード電極58、有機薄膜層59及びカソード電極60が積層された構造の発光素子Eが繋がれる。そして全体の上部には、上記のように構成された有機発光表示装置を保護するための封止基板70がシラント(図示せず)によって基板50に接着される。
前記のように構成された有機発光表示装置は、アノード電極とカソード電極に所定の電圧が印加されると、アノード電極を通じて注入される正孔とカソード電極を通じて注入される電子が発光層で再結合することになって、この過程で発生されるエネルギーの差によって光を放出する。
したがって有機発光表示装置は、発光された光が下部に進行する背面発光方式と上部に進行する前面発光方式に分けることができる。
背面発光方式では、発光された光が薄膜トランジスタが形成された基板の方に放出されるから薄膜トランジスタを含む配線部分が表示領域から除かれるが、前面発光方式では発光された光が薄膜トランジスタ上部の方に放出されるので、広い表示領域を得ることができる。
有機発光表示装置において、コントラスト比(contrast ratio)は、オン/オフ(on/off)時の輝度比で、画像を明確に認識できる程度を現わすが、オフの時の輝度は外部光源に対する反射率によって決まる。したがって、コントラスト比を高めるためには外部光源の反射率を減少させることが重要である。
外部光源の反射を減少させるために、発光された光が進行する経路の基板表面にλ/4位相差板と偏光板を形成するか(大韓民国特許出願第2000-60524号2000.10.14参照)、位相差調節が可能な原型偏光板(circularly polarizing plate)を形成する技術が提案された。
特定波長、例えば、水平波のみを通過させる偏光板を用いた場合、偏光板を通過した水平波は内部の金属電極に反射された後λ/4位相差板によって位相が変更されるので、偏光板を通過することができずに消滅するようになる。したがって、λ/4位相差板によって位相差が誘導されて入射された外部光が出射されないため、外部光の反射が減少される。
しかし、前記のように構成された有機発光表示装置は、内部から発光する光も偏光板によって50%位が遮られるので、輝度が半分以下に減少されるという短所がある。また、偏光板が主にヨード(iodine)系の偏光板で構成されるため、熱や湿気に対する耐久性が低くて太陽光に大いに露出される環境やTVなどには適用が難しい。
一方、前記従来の有機発光表示装置に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献1ないし6等がある。
大韓民国公開特許10-2002-0029809号明細書 大韓民国公開特許10-2005-0018401号明細書 大韓民国公開特許10-2005-0017871号明細書 大韓民国公開特許10-2004-0067483号明細書 大韓民国公開特許10-2002-0030465号明細書 大韓民国公開特許10-2004-0074939号明細書
したがって、本発明の目的は、高い温度でも最適のコントラスト比を維持することができる有機発光表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、外部光の反射は最小化させて、内部から発光された光の放出量を増大させることができる有機発光表示装置を提供することにある。
上記目的を果たすための本発明の一側面による有機発光表示装置は、第1基板及び第2基板、前記第1基板及び第2基板の間に形成されて所定の光を発光する発光素子、前記発光素子から発光された光が進行する経路の前記基板上に配置されて入射する光の位相を変化させる位相差板、前記位相差板上に配置されて特定偏光方向の光は反射させ前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させるワイヤグリッド偏光子、前記ワイヤグリッド偏光子上に配置されて前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させ前記特定偏光方向の光は吸収する染料系偏光子を含む。
また、上記目的を果たすための本発明の他の側面による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成されて所定の光を発光する発光素子、前記発光素子を含む全体上部面に形成された保護膜、前記保護膜上に形成されて入射する光の位相を変化させる位相差板、前記位相差板上に配置されて特定偏光方向の光は反射させ前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させるワイヤグリッド偏光子、前記ワイヤグリッド偏光子上に配置されて前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させ前記特定偏光方向の光は吸収する染料系偏光子を含む。
前記位相差板は入射する光の位相を45゜変化させるように構成される。また、前記染料系偏光子上には反射防止膜が形成されて、前記反射防止膜はAnti-GlareフィルムまたはAnti-Reflectionフィルムで形成される。
前述したように構成された本発明の有機発光表示装置によれば、染料系偏光子を使うので高温及び高湿環境でも使用が可能である。
また、染料系偏光子をワイヤグリッド偏光子と共に使うことで、偏光度が低下される染料系偏光子の短所が補完され、外部光の反射を最小化させ、かつ、内部から発光された光の放出量を増大させて最適のコントラスト比を維持することができる。
また、本発明によれば、高い温度で偏光度が低下されるヨード系偏光子の短所を補うために熱的に優秀な特性を持つ染料系の偏光子を使う。しかし、染料系の偏光子はヨード系偏光子に比べて偏光度が低いので、本発明はこれを補うために染料系偏光子とワイヤグリッド偏光子を使う。したがって、高い温度でも偏光度が安定に維持され、外部光の反射は最小化させ、発光された光の放出量は増大させて最適のコントラスト比を維持することができる。
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳しく説明する。
ヨード系偏光子は、優秀な偏光度を持つが、高温及び高湿雰囲気で耐久性が低下されるという短所がある。これに対し、染料系偏光子は、ヨード系偏光子より偏光度は低いが、熱的に優秀な特性を持つ。
一般に、染料系偏光子は、偏光度が低いために素子に適用することが難しかった。しかし、表示装置が大型化されて複雑になることによって、または強い光に露出されたり他の光源から強い光が照射される場合に、高い温度でもある程度水準の偏光度を得なければならないので、染料系偏光子の使用が要求される。
本発明は、熱的に優秀な特性を持つ染料系の偏光子をワイヤグリッド偏光子と一緒に使って、高い温度でも最適のコントラスト比を維持することができる有機発光表示装置を提供しようとする。
図3ないし図6は、本発明の実施形態による有機発光表示装置を説明するための断面図である。
硝子のように透明な物質からなる絶縁基板110上に所定の光を発光する発光素子120が形成されて、発光素子120上部には透明な物質からなる封止基板130がシラント(図示せず)によって絶縁基板110に接着される。また、発光素子120から発光する光が進行する経路の絶縁基板110、または封止基板130の上部には、入射する光の位相を所定の角度変化させる位相差板140が配置される。
そして、位相差板140上には、特定偏光方向の光は反射させ、かつ、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させるワイヤグリッド(wire grid)偏光子150が配置され、さらに、ワイヤグリッド偏光子150上には、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させ、かつ、前記特定偏光方向の光は吸収する染料系偏光子160が配置される。
染料系偏光子160の表面には紫外線などのような外部光の反射を最小化させるためのAnti-GlareフィルムやAnti-Reflectionフィルムなどの反射防止膜(図示せず)が形成されうる。
発光素子120は、下部電極、有機薄膜層及び上部電極を含むパッシブマトリックス方式で構成されるか、または、下部電極、有機薄膜層及び上部電極を含んで、各画素の動作がスイッチの役目をする薄膜トランジスタ(TFT)によって制御されるアクティブマトリックス方式で構成されうる。
下部電極は、アノード電極として、ITO、IZO、ITZOなどのような透明電極物質で形成され、また、有機薄膜層は、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された構造で形成されるか、正孔輸送層に形成された正孔注入層と電子輸送層に形成された電子注入層がさらに含まれることができる。
上部電極は、カソード電極として、Ca、Mg、Al、Agなどのように仕事関数の低い金属で形成される。
位相差板140は、例えば、入射する光の位相を45゜変化させることができるλ/4位相差板で構成される。
ワイヤグリッド偏光子150は、微細な周期の格子を持つ構造で、入射される光の波長より格子の周期が短ければ平行な成分は反射させ、垂直な成分は透過させる。
染料系偏光子160を構成する物質及び製作方法などについては、大韓民国特許公開第2002-30465号、第2004-74939号などに記載されている。例えば、一種類の特定の金属含有色素、及び色相表(Color Index)に記載された特定直接色素より選択される少なくとも二種類以上の色素を配合して製作する。このように製作された染料系偏光子は、一般的な吸収型偏光子のように特定偏光方向の光は吸収し、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過するように構成される。
本発明の第1実施形態として、発光素子120が背面発光方式で構成された場合、図3に示されたように絶縁基板110の下部に位相差板140、ワイヤグリッド偏光子150及び染料系偏光子160が配置される。
本発明の第2実施形態として、発光素子120が前面発光方式で構成された場合、図4に示されたように封止基板130の上部に位相差板140、ワイヤグリッド偏光子150及び染料系偏光子160が配置される。
本発明の第3実施形態として、発光素子120が両面発光方式で構成された場合、図5に示されたように絶縁基板110の下部及び封止基板130の上部にそれぞれ位相差板140、ワイヤグリッド偏光子150及び染料系偏光子160が配置される。
図3ないし図5には、絶縁基板110と封止基板130の上部に位相差板140、ワイヤグリッド偏光子150及び染料系偏光子160が配置された構造を例示したが、絶縁基板110と封止基板130の背面に位相差板140、ワイヤグリッド偏光子150及び染料系偏光子160が配置された構造でも実現が可能である。
図6は、本発明の第4実施形態による有機発光表示装置を説明するための断面図である。この第4実施形態による有機発光表示装置は、図4に示された有機発光表示装置と構造的に類似しているが、発光素子120の全体上部面にAlxOy、SiOxNy、SixNy、MgO、TixOy、BxOy、VxOy、AlTixOyなどで保護膜170が形成され、封止基板(図4の130)が形成されずに保護膜170上に位相差板140、ワイヤグリッド偏光子150及び染料系偏光子160が配置される。
図7及び図8は、前記のように構成された本発明による有機発光表示装置の動作を説明するための断面図で、図4のように前面発光方式で構成された場合を例えて説明する。
発光素子120は、アノード電極である下部電極とカソード電極である上部電極に所定の電圧が印加されると、下部電極を通じて注入される正孔と上部電極を通じて注入される電子が有機発光層で再結合するようになって、この過程で発生されるエネルギーの差によって光を放出する。また、発光素子120から発光された光が外部へ放出される一方、有機発光表示装置には外部光源から外部光が入射される。
外部光源から外部光が染料系偏光子160を通じて入射する場合、図7に示されたように染料系偏光子160は、外部光の中で、例えば、垂直波は透過させて水平波は吸収する。このとき、染料系偏光子160の表面に形成された反射防止膜によって外部光の反射はほとんど発生しなくなる。
染料系偏光子160を通過した垂直波の外部光は、ワイヤグリッド偏光子150及び位相差板140を通過して内部に入射される過程で位相差板140によって位相が例えば、45゜変化される。そして、内部の金属電極に反射された垂直波の外部光は、位相差板140によって再度位相が45゜変化されて水平波に変化される。
水平波に変化された外部光は、ワイヤグリッド偏光子150に反射された後、再度位相差板140によって位相が45゜変化されて垂直波になり、染料系偏光子160を通じて外部へ出射される。しかし、この過程で出射される光の強さは弱くなり、一部の光は再度ワイヤグリッド偏光子150に反射されるから、結局入射された外部光の大部分は消滅されて外部光の反射は最小化される。
一方、発光素子120から発光された光の中で垂直波は、図8に示されたように位相差板140、ワイヤグリッド偏光子150及び染料系偏光子160を通じて外部へ放出され、水平波はワイヤグリッド偏光子150に反射された後位相差板140によって位相が45゜変化される。
位相が変化された水平波は、内部の金属電極に反射された後再度位相差板140によって位相が45゜変化されて垂直波になり、染料系偏光子160を通じて外部へ放出される。
したがって、外部へ放出されなかった水平波がワイヤグリッド偏光子150に反射された後位相差板140によって位相が変化されて染料系偏光子160を通じて放出されることで、発光された光の放出量が従来に比べて増大される。
以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。
従来のパッシブマトリックス方式有機発光表示装置の一例を説明するための概略的な断面図である。 従来のアクティブマトリックス方式有機発光表示装置の一例を説明するための概略的な断面図である。 本発明の第1実施形態による有機発光表示装置を説明するための断面図である。 本発明の第2実施形態による有機発光表示装置を説明するための断面図である。 本発明の第3実施形態による有機発光表示装置を説明するための断面図である。 本発明の第4実施形態による有機発光表示装置を説明するための断面図である。 本発明による有機発光表示装置の動作を説明するための断面図である。 本発明による有機発光表示装置の動作を説明するための断面図である。
符号の説明
10,50,110 絶縁基板
11,58 アノード電極
20,59 有機薄膜層
21 正孔輸送層
22 有機発光層
23 電子輸送層
30,60 カソード電極
40,70,130 封止基板
51 半導体層
52 ゲート電極
53 ソース電極
54 ドレイン電極
55,57 電極
56 誘電体
120 発光素子
140 位相差板
150 ワイヤグリッド偏光子
160 染料系偏光子
170 保護膜

Claims (8)

  1. 第1基板及び第2基板と、
    前記第1基板及び第2基板の間に形成されて、所定の光を発光する発光素子と、
    前記発光素子から発光された光が進行する経路の前記基板上に配置されて、入射する光の位相を変化させる位相差板と、
    前記位相差板上に配置されて、特定偏光方向の光は反射させ、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させるワイヤグリッド偏光子と、
    前記ワイヤグリッド偏光子上に配置されて、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させ、前記特定偏光方向の光は吸収する染料系偏光子と、
    を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
  2. 前記発光素子は、
    第1電極及び第2電極と、
    前記第1電極及び第2電極の間に形成された有機薄膜層を含むことを特徴とする請求項1記載の有機発光表示装置。
  3. 前記有機薄膜層は、
    正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層を含むことを特徴とする請求項2記載の有機発光表示装置。
  4. 前記位相差板は、
    前記入射する光の位相を45゜変化させるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の有機発光表示装置。
  5. 前記染料系偏光子上に形成された反射防止膜をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の有機発光表示装置。
  6. 前記反射防止膜がAnti-GlareフィルムまたはAnti-Reflectionフィルムで形成されたことを特徴とする請求項5記載の有機発光表示装置。
  7. 基板と、
    前記基板上に形成されて、所定の光を発光する発光素子と、
    前記発光素子を含む全体上部面に形成された保護膜と、
    前記保護膜上に形成されて、入射する光の位相を変化させる位相差板と、
    前記位相差板上に配置されて、特定偏光方向の光は反射させ、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させるワイヤグリッド偏光子と、
    前記ワイヤグリッド偏光子上に配置されて、前記特定偏光方向と反対偏光方向の光は透過させ、前記特定偏光方向の光は吸収する染料系偏光子と、
    を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
  8. 前記位相差板は、
    前記入射する光の位相を45゜変化させるように構成されたことを特徴とする請求項7記載の有機発光表示装置。
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