JP2007164231A - 半導体設計支援装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レイアウト検証工程において、より高精度にレイアウトパターンの検証を行う。
【解決手段】上記課題を解決するために、パターンデータ生成部と、レイアウト実行部と、レイアウト検証部とを備えているレイアウトパターン検証装置を構成する。
パターンデータ生成部は第１対称軸（４５）と、第１対称軸（４５）に垂直な第２対称軸（４６）とを有する領域（４４）に認識パターン（４０）を形成する。認識パターン（４０）は、第１対称軸（４５）と第２対称軸（４６）に非線対称に構成される。レイアウト実行部は、認識パターン（４０）を有するマクロセル（２４）のレイアウトを決定してレイアウトパターンデータ（２２）を生成する。レイアウト検証部は、レイアウトパターンデータに基づいてマクロセル（２４）に含まれる認識パターン（４０）のパターンデータを読み出し、認識パターンの状態に基づいてマクロセルの配置方向を検証する。
【選択図】図８

Description

本発明は、半導体設計支援装置に関し、特に半導体設計のレイアウト検証工程を支援する装置、方法に関する。

半導体技術の進歩に伴って、市場に流通する様々な製品に半導体集積回路が搭載されるようになってきている。半導体集積回路の設計は、いくつかの工程に分けることができ、一般的には、システム設計工程、論理設計工程、および、レイアウト設計工程がある。

システム設計工程において、開発計画に基づいて半導体集積回路の機能や性能が決定される。その後、論理設計工程において、決定された機能や性能を実現する論理回路が作成される。さらに、レイアウト設計工程において、作成された論理回路を半導体集積回路のマスクパターンとして構成する作業が行われる。一般的に、半導体集積回路は、あるまとまった単位の回路(マクロセル)の組み合わせとして構成されている。レイアウト設計工程では、そのマクロセルを配置し、配置されたマクロセル間の信号線を配線することで半導体集積回路のマスクパターンを構成している。

設計されたマスクパターンによって正しく半導体集積回路の製造が行えること、また、製造された半導体集積回路が正しく動作することを事前に確認するために、レイアウト検証が行われる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１（特開２００３−３６２８５号公報）には、マスクレイアウトパターンを検証する装置および方法に関する技術が開示されている。

図１は、上記特許文献１に記載のマスクレイアウトパターン検証装置の構成を示すブロック図である。図１を参照すると、このレイアウト検証装置１１０は、レイアウトパターンデータファイル及び検証コマンドファイルが入力される入力部１０１と、レイアウトパターンデータファイルを格納するレイアウトパターンデータファイル格納部１０２と、検証コマンドファイルを格納する検証コマンドファイル格納部１０３と、検証コマンドファイルからのデータにしたがって、レイアウトパターンデータファイルに含まれる配線およびデバイスパターンを認識する配線・デバイス認識部１０４と、配線・デバイス認識部４により認識されたヒューズ図形から方向・中心座標データを抽出する長方形データ方向・中心座標抽出部１０５と、抽出されたヒューズ長方形データ方向・中心座標を格納するヒューズ中心座標・方向データ格納部１０６とを有している。

レイアウト検証装置１１０は、更に、ヒューズ座標の算出式を定義したヒューズ中心座標・方向算出式定義ファイル（以下、ＴＰＬ定義式ファイルという）を格納するヒューズ中心座標・方向算出式定義ファイル格納部１０７と、ＴＰＬ定義式ファイルに定義された算出式，定数，変数等にしたがって検証対象の仮想ヒューズ中心座標・方向データを算出する仮想ヒューズ算出部１０８と、算出された仮想ヒューズ中心座標・方向データを格納する仮想ヒューズ中心座標・方向データ格納部１０９と、検証対象のヒューズに対してヒューズ中心座標・方向データと仮想ヒューズ中心座標・方向データとを比較し、それらが互いに一致しているか否かの判断を行なうヒューズ中心座標・方向比較部１１１と、ヒューズ中心座標・方向比較部１１１における比較結果に基づき、一致した若しくは一致していないヒューズの中心座標及び方向を出力する出力部１１２とを有している。

図２は、従来のマスクレイアウトパターン検証装置において、長方形データから、中心座標および長辺方向を抽出する具体例を示す説明図である。図２を参照すると、従来のマスクレイアウトパターン検証装置は、矩形データ１１３の４頂点（Ｐ１〜Ｐ４）の座標、Ｐ１（１，１）、Ｐ２（３，１）、Ｐ３（１，５）、Ｐ４（３，５）を求め、それらの座標から、矩形データの中心の座標（２，３）と長辺方向＝Ｙ方向の方向情報を取得している。

上述のように、従来のマスクレイアウトパターン検証装置では、レイアウトパターンデータファイルに含まれる各パターンについての中心座標および方向情報を抽出し、その抽出された中心座標および方向情報を、基準となる仮想ヒューズ中心座標・方向データと比較して、各レイアウトパターンの方向性を判定している。

換言すると、特許文献１では、半導体集積回路のマスクレイアウトパターン検証方法において、検証対象データに対して頂点数と長辺の存在を調べることにより、所定の矩形データを選別し、選別された矩形データに対して、４頂点の座標を抽出し、矩形データの長辺方向及び中心座標を算出する技術を開示している。また、算出された長辺方向を、所定の定義式に基づき予め指定された基準データの方向と比較して、矩形データの方向性の一致を判定する技術を開示している。

特開２００３−３６２８５号公報

半導体製造技術の微細化や、設計される半導体デバイスの複雑化に伴って、レイアウト設計によって生成されたレイアウトパターンを、より高精度に検証する技術が求められてきている。例えば、マクロセルを反転してレイアウトするミラー処理のように、上述のマスクレイアウトパターン検証装置では方向としては同一であると見なされるものを、区別して認識する必要が生じる場合がある。また、アライメントマークなどのような長辺方向が同一でも、配置角が異なるものを区別して認識する技術が必要になってきている。

図３は、セル内部の構成が、セル枠の対称軸に対して非線対称であるマクロセルのレイアウト状態を示すレイアウト図である。図３に示されている外部座標軸２００は、マクロセルが配置される基板を基準にしたときのマクロセルの配置方向（以下、外部座標系と呼ぶ）を定義している。また、図３に示されているマクロセル枠の内側に記載された座標軸は、各マクロセルごとのセル内部のパターンの方向（以下、内部座標系と呼ぶ）を定義している。

図３の（ａ）は、外部座標の＋Ｙ方向と内部座標の＋ｙ方向とが等しく、かつ、外部座標の＋Ｘ方向と内部座標の＋ｘ方向が等しい場合のマクロセル２０１のレイアウト状態を示している。また、図３の（ｂ）は、外部座標の＋Ｙ方向と内部座標の−ｙ方向とが等しく、かつ、外部座標の＋Ｘ方向と内部座標の＋ｘ方向が等しい場合のマクロセル２０１のレイアウト状態を示している。

図３を参照すると、マクロセル２０１は、第１辺２０２とその第１辺２０２に対向する第２辺２０３とを備えている。また、図３に示されているように、マクロセル２０１に備えられている内部データ２０４は、セル枠の第１辺２０２と第１間隔ｄ１を有し、第２辺２０３と第２間隔ｄ２を有するように構成されている。図３に示されているように、マクロセル２０１において、
第１間隔ｄ１≠第２間隔ｄ２
である。

ここにおいて、図３の（ａ）に示されるレイアウト状態では、外部座標軸の＋Ｘ方向と、マクロセル２０１の長辺方向が一致している。また、図３の（ｂ）に示されるレイアウト状態でも、外部座標軸の＋Ｘ方向とマクロセル２０１の長辺方向とが一致している。そして、マクロセル２０１は長方形データであるので、
長さｌ１＝長さｌ３
である。

そのため、従来のマスクレイアウトパターン検証装置は、図３の（ａ）、（ｂ）を区別することなく認識する。図３に示されているように、マクロセル２０１の内部データ２０４は、特定の軸に対して反転したように構成されている。半導体プロセスの微細化に伴って、このように反転して配置されるマクロセルを区別して認識することが可能な技術が求められてきている。

図４は、異なる向きで配置される複数のマクロセルの状態を示すレイアウト図である。図４を参照すると、第１パターン配置３０１は、基準パターン３００を基準としたときに、同じ向きに配置された場合のレイアウト状態を示している。第２パターン配置３０２は、基準パターン３００を反転させて配置した場合のレイアウト状態を示している。第３パターン配置３０３は、基準パターン３００を９０度回転させた場合のレイアウト状態を示し、第４パターン配置３０４は基準パターン３００を２７０度回転させた場合のレイアウト状態を示している。図４に示されているように、従来のマスクレイアウトパターン検証装置では、第２パターン配置３０２と第３パターン配置３０３とを異なるレイアウト状態であると区別することが可能であるが、第１パターン配置３０１と第２パターン配置３０２や、第３パターン配置３０３と第４パターン配置３０４のように配置されたセル同士を区別することが困難な場合があった。

上述したように、半導体技術の進歩に伴って、半導体装置における構造の複雑化やプロセスの微細化が進んできている。このような半導体装置の設計にはマクロセルを用いた設計手法が用いられ、そのマクロセルが複数配置されることによってレイアウトパターンが生成されている。設計段階におけるレイアウト検証工程では、そのマクロセルが適切に配置されているか否かを検証することによって、レイアウトパターンの検証が行われている。

レイアウト検証工程において、より高精度にレイアウトパターンの検証を行うことが可能な技術が求められている。

以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。

上記課題を解決するために、パターンデータ生成部と、レイアウト実行部と、レイアウト検証部とを備えているレイアウトパターン検証装置を構成する。
ここにおいて、パターンデータ生成部は第１対称軸（４５）と、前記第１対称軸（４５）に垂直な第２対称軸（４６）とを有する領域（４４）に形成され、前記第１対称軸（４５）に非線対称に構成され、かつ、前記第２対称軸（４６）に非線対称に構成される認識パターン（４０）のパターンデータを生成する。また、レイアウト実行部は、前記認識パターン（４０）を有するマクロセル（２４）のレイアウトを決定し、前記レイアウトに基づいてレイアウトパターンデータ（２２）を生成する。そして、レイアウト検証部は、前記レイアウトパターンデータに基づいて前記マクロセル（２４）に含まれる前記認識パターン（４０）のパターンデータを読み出し、前記パターンデータで示される前記認識パターンの状態に基づいて前記マクロセルの配置方向を検証する。

互いに垂直な二つの軸に非対称な認識パターンを用いてレイアウト検証を行うことで、特定の配置状態を基準にして反転または回転した状態で配置されたとしても、その配置状態を認識することが可能となる。

上記のレイアウトパターン検証装置において、前記レイアウト検証部は、前記マクロセルが任意の向きで配置されたときの前記認識パターンに対して所定の図形演算処理を実行して得られるパターンに関するデータを検証用データとして保持する機能を有することが好ましい。そして、前記レイアウトパターンデータから読み出されたパターンデータで示される前記認識パターンに対して、前記所定の演算処理を実行して得られた検証対象パターンと前記検証用データとに基づいて前記マクロセルの配置方向を検証する構成であることが好ましい。

本発明によると、より高精度にレイアウトパターンの検証を行うことが可能となる。特に、セル内部の構成が同じであり、そのセルが回転して配置されたり反転して配置されたりする場合に、それぞれの配置状態を区別して認識することが可能となる。

以下に、図面を参照して本発明を実施すための形態について説明を行う。
［第１の実施形態］
図５は、本実施形態のレイアウトパターン検証装置１０の構成を例示するブロック図である。本実施形態のレイアウトパターン検証装置１０は、情報処理装置１と、入力装置２と、出力装置３とを含んで構成されている。また、図５を参照すると、情報処理装置１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算処理装置）４と、メモリ５と、入出力インターフェース６と、大容量記憶装置７とを備え、それらはバス８を介して接続されている。また、大容量記憶装置７はデータ記憶部１１とプログラム記憶部１２とを含んで構成されている。

情報処理装置１は、パーソナルコンピュータやワークステーションなどに代表される高速演算処理装置である。入力装置２は、情報処理装置１に対して、データを入力する機能を備えたマンマシンインターフェースであり、例えば、キーボードやマウスなどがその代表である。以下の実施形態においては、入力装置２が、キーボードである場合を例示して説明を行う。出力装置３は、情報処理装置１の処理結果を外部に出力する機能を有するマンマシンインターフェースであり、例えば、ＣＲＴや液晶ディスプレイがその代表である。以下の実施形態においては、出力装置３が、ディスプレイ装置である場合を例示し、レイアウト検証結果などを視覚的に表示するものとして説明を行う。

ＣＰＵ４は、レイアウトパターン検証装置１０に備えられた各種装置の制御や、情報処理装置１に入出力されるデータの処理を行う演算処理装置であり、入力装置２などから受け取ったデータを解釈して演算し、その演算結果を出力装置３などで出力する。メモリ５は、データの書き込みと読み出しができる記憶媒体であり、例えば、ＳＤＲＡＭやＤＤＲ−ＳＤＲＡＭなどがその代表として例示される。入出力インターフェース６は、上述の入力装置２や出力装置３と情報処理装置１との間で実行されるデータ通信を制御する装置である。大容量記憶装置７は、記憶媒体に大量のデータを記録させるために使用する装置であり、例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などがその代表として例示される。図５に示されているように、大容量記憶装置７はデータ記憶部１１とプログラム記憶部１２とを含んで構成されている。

データ記憶部１１は、大容量記憶装置７が保持する各種データの中で本実施形態に関連するデータを格納する記憶領域を示している。また同様に、プログラム記憶部１２は、大容量記憶装置７が保持する各種データの中で本実施形態の動作に関連するコンピュータプログラムを格納する記憶領域を示している。以下に、図面を参照してデータ記憶部１１とプログラム記憶部１２の詳細な構成に関して説明を行う。

図６は、データ記憶部１１の構成を例示するブロック図である。図６を参照すると、データ記憶部１１は、認識パターンデータ２１と、レイアウト情報２２と、リサイズ条件データ２３と、アライメント用セルデータ２４と、検証用データ２５とを含んで構成されている。認識パターンデータ２１は、本実施形態のレイアウト検証に用いられるパターンの情報を示すデータである。レイアウト情報２２は、基板上に形成されるパターンのレイアウトに関する情報である。リサイズ条件データ２３は、後述するレイアウト検証動作において、上記認識パターンに対して実行される図形演算処理に関連する情報である。アライメント用セルデータ２４は、本実施形態の認識パターンを備えるセルデータである。なお、以下の実施形態において、認識パターンがこのアライメント用セルデータ２４に備えられる場合を例示して説明を行っていくが、これは、本発明において認識パターンが備えられるマクロセルを限定するものではない。検証用データ２５は、後述するレイアウト検証の動作において、配置されたパターンのレイアウトが適切かどうかの判断に用いられる情報である。

図７は、プログラム記憶部１２の構成を例示するブロック図である。図７を参照すると、プログラム記憶部１２は、リサイズ実行部３１と、検証実行部３２とを含んで構成されている。リサイズ実行部３１は、レイアウト検証を実行する場合に、上記認識パターンに対する図形演算処理（以下リサイズと称するものは、この図形演算処理と同義であるものとする）を行う手順を示すプログラムである。検証実行部３２は、上記リサイズ実行部の処理に対応してレイアウト検証を行うための手順を示すプログラムである。

図８は、第１の実施形態における認識パターンデータ２１が示す認識パターン４０の構成を例示するレイアウト図である。図８を参照すると、第１の実施形態における認識パターン４０は、第１パターン４１と、第２パターン４２と、第３パターン４３とを含んで構成され、各々のパターンは基板の法線方向に投影して接することなく配置されている。また、各々のパターン（４１、４２、４３）は、領域４４に配置されている。ここにおいて、第１パターン４１、第２パターン４２および第３パターン４３は、それぞれが独立して認識されるパターンであることが好ましい。

図８に示されているように、領域４４は、第１対称軸４５と、その第１対称軸４５に直交する第２対称軸４６とを軸とする線対称な図形で構成されている。第１の実施形態において、領域４４に配置される複数のパターン（第１パターン４１、第２パターン４２および第３パターン４３）は、第１対称軸４５と第２対称軸４６とに非線対称となるように配置されている。以下に述べる第１の実施形態においては、本願発明の理解を容易にするために第１パターン４１、第２パターン４２、および第３パターン４３が矩形のパターンで構成されている場合を例示して説明を行う。なお、これは本発明における認識パターン４０が、矩形パターンの組み合わせに制限されることを意味するものではない。

図８に示されている内部座標軸４９は、認識パターン４０を構成する各パターンの位置関係を定義している。また、外部座標軸４８は、基板に配置されるマクロセルの配置方向を定義している。図８に示されている配置状態において、第１パターン４１と第３パターン４３とは第１距離Ｄ１の間隔を有するように構成され、第１パターン４１と第２パターン４２は第２距離Ｄ２の間隔を有するように構成されている。また、第２パターン４２は、第１パターン４１を基準としたときに、内部座標軸４９で定義されるの＋ｘ方向に配置されている。そして、第３パターン４３は、第１パターン４１を基準としたときに、内部座標軸４９で定義される−ｙ方向に配置されている。

第１パターン４１は４つの辺（第１パターン第１辺４１ａ、第１パターン第２辺４１ｂ、第１パターン第３辺４１ｃおよび第１パターン第４辺４１ｄ）を備えている。以下に述べる実施形態において、外部座標軸４８の−Ｙ方向の辺を第１パターン第１辺４１ａとし、＋Ｘ方向の辺を第１パターン第２辺４１ｂとし、＋Ｙ方向の辺を第１パターン第３辺４１ｃとし、−Ｘ方向の辺を第１パターン第４辺４１ｄと定義する。したがって、図８に示されるレイアウト状態の場合、第１パターン第１辺４１ａと第１距離Ｄ１の間隔で第３パターン４３が配置され、第１パターン第２辺４１ｂと第２距離Ｄ２の間隔で第２パターン４２が配置される。

以下に、認識パターン４０を含むアライメント用セルデータ２４が異なるレイアウト状態で基板に配置される場合に関して説明を行う。図９は、認識パターン４０を含むアライメント用セルデータ２４が配置されるときのレイアウトパターン図である。図９の（ａ）は、矩形パターンで構成されるアライメント用セルデータ２４に認識パターン４０が配置され、そのアライメント用セルデータ２４のセル枠４７の長辺方向と外部座標軸４８の＋Ｘ方向とが同一のレイアウトパターンを示している。また、図９の（ｂ）は、そのアライメント用セルデータ２４のセル枠４７の長辺方向と外部座標軸４８の＋Ｙ方向とが同一のレイアウトパターンを示している。

図９に示されているように、図９の（ａ）の状態においては、領域４４は、＋Ｙ方向と第１対称軸４５とが平行で、＋Ｘ方向と第２対称軸４６とが平行になるように配置されている。図９の（ｂ）の状態は、図９の（ａ）に示されるレイアウトパターンを９０度回転して配置した状態となっている。アライメント用セルデータ２４はレイアウトが実行される前に、認識パターン４０を含んで構成される。したがって、図９の（ｂ）に示されるように、その状態においては、領域４４は、＋Ｙ方向と第２対称軸４６とが平行で、＋Ｘ方向と第１対称軸４５とが平行になるように配置される。

上述のように、領域４４に配置される認識パターン４０は、第１対称軸４５と第２対称軸４６とに非線対称に配置される複数のパターン（４１、４２、４３）で構成されている。そのため、図９の（ａ）のレイアウトパターンと図９の（ｂ）のレイアウトパターンとにおいて、領域４４の認識パターン４０がどのような状態であるかを自動的に検出することで、アライメント用セルデータ２４のレイアウト状態を自動的に検証することが可能となる。

所定の回路を構成しているマクロセルを基板に配置する場合に、そのマクロセルの内部の回路構成が同様であっても、配線の制限等により特定の配置状態を基準に回転・反転し状態（以下、配置角と呼ぶ）で配置する場合がある。配置角が異なっていても、回路構成自体は変更されていないため、動作検証においては同じ回路として判断される場合がある。上記のように、動作的には同じマクロセルとして判断される場合に、配置角を区別して認識することで、レイアウト検証における精度の向上が実現可能となる。

本実施形態において、認識パターン４０の構成は図８に示される配置に制限されることは無い。図１０は、認識パターン４０を構成する複数のパターン（４１、４２、４３）を例示するレイアウトパターン図である。以下、図１０の（ａ）〜図１０の（ｈ）を第１状態〜第８状態として説明を行う。

図１０（ａ）を参照すると、第１状態における認識パターン４０は、第１パターン４１と、その第１パターン４１に対して外部座標軸４８の＋Ｘ方向に配置される第２パターン４２と、第１パターン４１に対して−Ｙ方向に配置される第３パターン４３とで構成されている。また、第１状態において、第１パターン４１の第１パターン第１辺４１ａと、第３パターン４３との間には第１距離Ｄ１の間隔が設けられ、第１パターン第２辺４１ｂと第２パターン４２との間には第２距離Ｄ２の間隔が設けられている。

図１０（ｂ）を参照すると、第２状態における認識パターン４０は、第１状態の認識パターン４０を９０度回転させて配置したときと同様の配置状態である。第２状態において、第１パターン４１の各辺の定義を図１０（ｂ）に示されているように、外部座標軸４８の−Ｙ方向の辺を第１パターン第１辺４１ａとし、＋Ｘ方向の辺を第１パターン第２辺４１ｂとし、＋Ｙ方向の辺を第１パターン第３辺４１ｃとし、−Ｘ方向の辺を第１パターン第４辺４１ｄと定義する。また、外部座標軸４８の±Ｙ方向と平行の対称軸を第１対称軸４５とし、外部座標軸４８の±Ｘ方向と平行の対称軸を第２対称軸４６とする。

同様に、図１０（ｃ）は、第３状態における認識パターン４０の配置状態を例示し、図１０（ｄ）は第４状態における認識パターン４０の配置状態を例示している。第３状態における認識パターン４０は、第１状態の認識パターン４０を１８０度回転させて配置したときと同様の配置状態であり、第４状態における認識パターン４０は、第１状態の認識パターン４０を１８０度回転させて配置したときと同様の配置状態である。第３状態、第４状態ともに外部座標軸４８の−Ｙ方向の辺を第１パターン第１辺４１ａとし、＋Ｘ方向の辺を第１パターン第２辺４１ｂとし、＋Ｙ方向の辺を第１パターン第３辺４１ｃとし、−Ｘ方向の辺を第１パターン第４辺４１ｄと定義する。また、外部座標軸４８の±Ｙ方向と平行の対称軸を第１対称軸４５とし、外部座標軸４８の±Ｘ方向と平行の対称軸を第２対称軸４６とする。

また、図１０（ｅ）を参照すると、第５状態における認識パターン４０は、第１状態の認識パターン４０を第２対称軸４６を軸に１８０度反転させて配置したときと同様の配置状態である。第５状態において、第１パターン４１の各辺の定義を図１０（ｅ）に示されているように、外部座標軸４８の−Ｙ方向の辺を第１パターン第１辺４１ａとし、＋Ｘ方向の辺を第１パターン第２辺４１ｂとし、＋Ｙ方向の辺を第１パターン第３辺４１ｃとし、−Ｘ方向の辺を第１パターン第４辺４１ｄと定義する。また、外部座標軸４８の±Ｙ方向と平行の対称軸を第１対称軸４５とし、外部座標軸４８の±Ｘ方向と平行の対称軸を第２対称軸４６とする。

同様に、図１０（ｆ）、図１０（ｇ）および図１０（ｈ）は、第６状態、第７状態および第８状態における認識パターン４０の配置状態を例示している。第６状態における認識パターン４０は、第２状態の認識パターン４０を、第２対称軸４６を軸に１８０度反転させて配置したときと同様の配置状態である。第７状態における認識パターン４０は、第３状態の認識パターン４０を第２対称軸４６を軸に１８０度反転させて配置したときと同様の配置状態である。第８状態における認識パターン４０は、第４状態の認識パターン４０を、第２対称軸４６を軸に１８０度反転させて配置したときと同様の配置状態である。

第６状態、第７状態および第８状態において、第１パターン４１の各辺の定義はそれぞれ、外部座標軸４８の−Ｙ方向の辺を第１パターン第１辺４１ａとし、＋Ｘ方向の辺を第１パターン第２辺４１ｂとし、＋Ｙ方向の辺を第１パターン第３辺４１ｃとし、−Ｘ方向の辺を第１パターン第４辺４１ｄと定義する。また、外部座標軸４８の±Ｙ方向と平行の対称軸を第１対称軸４５とし、外部座標軸４８の±Ｘ方向と平行の対称軸を第２対称軸４６とする。

これによって、後述するレイアウト検証動作によって、第１状態から第８状態のそれぞれを基準としてアライメント用セルデータ２４のレイアウト状態を検証することが可能となる。また、第１状態から第８状態のそれぞれは、各状態の一つを特定したときに、その配置状態を回転・反転させることで構成することが可能である。したがって、第１状態から第８状態の少なくとも一つを認識パターン４０として保持しておくことで、それぞれの状態に対応した認識パターン４０を構成することが可能となる。

以下に、上述の第１状態から第８状態に対応してレイアウト検証を行うための検証用データに関して説明を行う。図１１は、リサイズ条件データ２３の構成を例示するテーブルである。図１１を参照すると、リサイズ条件データ２３は、状態５１〜変更方向５６を保持している。図１１に示されているように、リサイズ条件データ２３の第１列には状態５１が格納され、第１状態から第８状態のそれぞれに関連付けて方向特定用パターン５２〜変更方向５６が保持されている。

方向特定用パターン５２は、基準状態に対して、各パターンがどの配置角かを示すパターンデータであり、各状態（第１状態〜第８状態）に一対一に関連付けられている。検証条件５３は、各状態に対応する検証条件である。第１パターンデータ変更部分５４は、各検証条件を特定したときに、リサイズ対象となる部分を示している。変更量５５は、各検証条件を特定したときに、リサイズ対象となる部分に対するリサイズ量を示している。変更方向５６は、各検証条件を特定したときに、リサイズ対象となる部分に対するリサイズ方向を示している。

図１２は、データ記憶部１１に格納される検証用データ２５の構成を例示するテーブルである。図１２を参照すると、検証用データ２５は、リサイズ条件データ２３と、後述するレイアウト検証の検証実行結果とに基づいて、認識パターン４０がどの状態に配置されているかを特定するためのデータを保持している。例えば、検証実行部３２は、第１検証条件に基づいてレイアウト検証を実行した結果、検証実行後の第１パターン４１が、第２パターン４２および第３パターン４３に接する場合、その時に状態が第１状態であると特定し、第２パターン４２および第３パターン４３のどちらか一方にのみに接するか、または、どちらにも接しない場合には認識パターン４０が第１状態で配置されていないと判断する。

以下に、図面を参照して本実施形態の認識パターン４０を用いたレイアウト検証の動作に関して説明を行う。図１３は、本実施形態における動作を例示するフローチャートである。このフローチャートに示される動作は、レイアウト検証実効命令に応答して開始する。また、以下に述べる動作は、リサイズ実行部３１および検証実行部３２のコンピュータプログラムに示される手順に基づいて、情報処理装置１が動作することによって実行されるものとする。

図１３を参照すると、ステップＳ１０１において、リサイズ実行部３１は、データ記憶部１１からレイアウト情報２２を読み出し、検証対象のレイアウトパターンを特定する。ステップＳ１０２において、リサイズ実行部３１は、データ記憶部１１からリサイズ条件データ２３を読み出す。ステップＳ１０３において、リサイズ実行部３１は、ステップＳ１０２で読み出したレイアウト情報２２とステップＳ１０３で読み出したリサイズ条件データ２３とに基づいて、特定したレイアウトパターンにおける認識パターン４０の第１パターン４１のサイズを変更して、サイズ変更第１パターンデータを生成する。上述したように、第１パターン４１、第２パターン４２および第３パターン４３は、それぞれ独立して認識されるパターンであることが好ましい。そのため、第１パターン４１のサイズを変更することで、ある配置状態においては、第１パターン４１と第２パターン４２、または、第１パターン４１と第３パターン４３とが接することとなる。この接合の状態を検出することで、レイアウトパターンの配置角を検証する。

ステップＳ１０４において、検証実行部３２は、データ記憶部１１から検証用データ２５を読み出す。ステップＳ１０５において、検証実行部３２は、ステップＳ１０３の実行結果に基づいて、サイズ変更第１パターンデータが第２パターン４２および第３パターン４３に接合するかどうか検証する。ステップＳ１０６において、検証実行部３２は、その検証によって得られた検証結果に基づいて、読み出した検証用データ２５を参照し、ステップＳ１０１で特定したレイアウトパターンの配置角が、適切であるかどうかを求める。これによって、本実施形態のレイアウトパターン検証装置１０は、内部の構成が同様であるセルが異なる配置角で配置された場合に、それぞれの配置角の違いを区別して認識することが可能となる。また、この検証結果は自動的に実行することが可能である。したがって、本実施形態のレイアウト検証に基づいてフォトマスクを生成することで、半導体装置の製造工程における工数を低減させることが可能となる。

以下に、上述したサイズ変更第１パターンデータを生成する動作に関して図面を参照して説明する。図１４は、第１状態を基準として、第１状態検証条件に基づいて第１パターンのサイズを変更した場合のレイアウトパターンの遷移を例示するレイアウトパターン図である。以下の説明において、第１状態の認識パターン４０を有するアライメント用セルデータ２４が、適切に配置されている場合のレイアウトパターンを図１４の（ａ）で示し、第１状態の認識パターン４０を有するアライメント用セルデータ２４が、何らかの要因によって回転または反転されて配置された場合のレイアウトパターンを図１４の（ｂ）〜図１４の（ｈ）で示す。

図１４を参照すると、データ記憶部１１からリサイズ条件データ２３を読み出したリサイズ実行部３１は、そのリサイズ条件データ２３の第１状態検証条件に基づいて、第１パターン４１を構成している各辺から変更対象となる辺（第１パターンデータ変更部分５４）を特定する。ここにおいて、第１状態検証条件に示される第１パターンデータ変更部分５４は、第１パターン第１辺４１ａと第１パターン第２辺４１ｂであるので、リサイズ実行部３１は、図１４の（ａ）〜（ｈ）に示されている各状態の第１パターン４１に対して、＋Ｘ方向を構成する辺と−Ｙ方向を構成する辺とをそれぞれ第１パターン第１辺４１ａと第１パターン第２辺４１ｂとして特定する。

リサイズ実行部３１は、リサイズ条件データ２３の変更量５５を参照して特定した辺に対する変更量を決定する。また、リサイズ実行部３１は、リサイズ条件データ２３の変更方向５６を参照して特定した辺に対する変更方向を決定する。ここにおいて、第１様態検証条件に示される変更量５５を参照すると、第１パターン第１辺４１ａに対する変更量５５は第１距離Ｄ１であり、第１パターン第２辺４１ｂに対する変更量５５は第２距離Ｄ２である。また、第１パターン第１辺４１ａに対する変更方向５６は−Ｙ方向であり、第１パターン第２辺４１ｂに対する変更方向５６は＋Ｘ方向である。

リサイズ実行部３１は、これらの条件に基づいて第１パターン４１のサイズを変更してサイズ変更第１パターンデータを生成する。図１４を参照すると、配置角が異なるアライメント用セルデータ２４の認識パターン４０に対して、第１状態検証条件による変更処理が行われた結果が示されている。図１４に示されているように、第１状態検証条件に対応して第１パターン４１のサイズを変更した場合、サイズ変更第１パターンデータは、第１状態の認識パターン４０を含むアライメント用セルデータ２４が適切に配置されているときには、第２パターン４２と第３パターン４３との両方に接して構成される。上述したように検証用データ２５は、このときの配置状態を第１状態と判断するためのデータを保持している。そのため、検証実行部３２は、上述したリサイズ実行部３１の処理結果と検証用データ２５とに基づいてアライメント用セルデータ２４のレイアウト状態を高精度に検証することが可能となる。

図１５は、第２状態を基準として、第２状態検証条件に基づいて第１パターンのサイズを変更した場合のレイアウトパターンの遷移を例示するレイアウトパターン図である。図１５は、上述の図１４と同様に、第２状態の認識パターン４０を有するアライメント用セルデータ２４が、適切に配置されている場合のレイアウトパターンを図１５の（ａ）で示し、第２状態の認識パターン４０を有するアライメント用セルデータ２４が、何らかの要因によって回転または反転されて配置された場合のレイアウトパターンを図１５の（ｂ）〜図１４の（ｈ）で示している。

第２状態検証条件に示される第１パターンデータ変更部分５４は、第１パターン第２辺４１ｂと第１パターン第３辺４１ｃであるので、リサイズ実行部３１は、図１４の（ａ）〜（ｈ）に示されている各状態の第１パターン４１に対して、＋Ｘ方向を構成する辺と＋Ｙ方向を構成する辺とをそれぞれ第１パターン第２辺４１ｂと第１パターン第３辺４１ｃとして特定する。また、第２様態検証条件に示される変更量５５を参照すると、第１パターン第２辺４１ｂに対する変更量５５は第１距離Ｄ１であり、第１パターン第３辺４１ｃに対する変更量５５は第２距離Ｄ２である。また、第１パターン第２辺４１ｂに対する変更方向５６は＋Ｘ方向であり、第１パターン第３辺４１ｃに対する変更方向５６は＋Ｙ方向である。

図１５を参照すると、リサイズ実行部３１は、これらの条件に基づいて第１パターン４１のサイズを変更してサイズ変更第１パターンデータを生成する。図１５には、配置角が異なるアライメント用セルデータ２４の認識パターン４０に対して、第２状態検証条件による変更処理が行われた結果が示されている。第２状態検証条件に基づく第１パターン４１のサイズ変更処理を実行した場合、サイズ変更第１パターンデータは、第２状態の認識パターン４０を含むアライメント用セルデータ２４が適切に配置されているとき（図１５の（ａ）に示される状態で構成されるとき）には、第２パターン４２と第３パターン４３との両方に接して構成される。検証実行部３２は、第１状態検証条件と同様に、第２状態検証条件に対応してサイズ変更処理が実行された結果と、検証用データ２５から得られるデータとに基づいて、第２状態の認識パターン４０を含むアライメント用セルデータ２４が、適切に配置されているかどうかを検証する。

本実施形態のレイアウトパターン検証装置１０は、基準となる認識パターン４０の状態を特定し、その基準状態に対応する検証条件を用いてレイアウト検証を行うことで、レイアウトパターンの検証を高精度に行うことが可能となる。また、上述したように、認識パターン４０が第１状態〜第８状態のどの状態であったとしても、その時の配置を基準とすることができるため、汎用性の高いレイアウト検証を実行することが可能となる。

［第２の実施形態］
以下に、本発明の第２の実施形態について説明を行う。なお、以下に述べる第２の実施形態において、レイアウトパターン検証を実行する装置は、上述した第１の実施形態におけるレイアウトパターン検証装置１０と同様の構成を備えている。したがって、以下の説明においては、その装置に関する詳細な説明は省略するものとする。

図１６は、第２の実施形態における認識パターン４０の構成を例示するレイアウトパターン図である。以下に述べる第２の実施形態において、認識パターン４０は第１頂点Ａから第８頂点Ｈを備えた不等辺多角形であり、第２の実施形態における認識パターン４０は、全ての辺（第１辺６１ａ〜第８辺６１ｈ）の長さが異なる多角形で構成されている。第２の実施形態において、認識パターンを構成する多角形は、４つ以上の辺を備えていることが好ましい。以下では、認識パターン４０が８つの辺を備えている場合を例示して説明を行う。図１６を参照すると、第２の実施形態における認識パターン４０は、第１の実施形態と同様に領域４４に配置されている。図１６に示されているように、その領域４４は、第１対称軸４５と第２対称軸４６とを備え、各々の軸に対象に構成されている。認識パターン４０は、第１対称軸４５を軸に反転させたときに非対称であり、かつ、第２対称軸４６を軸に反転させたときも非対称である単一の多角形として構成されている。

図１７は、第２の実施形態におけるリサイズ条件データ２３の構成を例示するテーブルである。図１７を参照すると、第２の実施形態におけるリサイズ条件データ２３は、状態６２から検証対象長さ６７を備えて構成されている。状態６２、方向特定用パターン６３および検証条件６４は第１の実施形態の状態５１、方向特定用パターン５２および検証条件５３と同様の構成である。

変更対象頂点６５は、リサイズ対象となる頂点を示している。変更方向６６は、変更対象頂点６５に示される頂点のリサイズ方向を示している。なおこのときのリサイズ量に制限は無い。検証対象長さ６７は、変更対象頂点６５のなかで、検証に用いられる２頂点間の長さを示している。なお、第２の実施形態において、認識パターン４０の構成は図１６に示される配置に制限されることは無い。第２の実施形態のレイアウトパターン検証装置１０も、第１の実施形態と同様に、認識パターン４０を回転・反転させた構成を第１状態〜第８状態として、レイアウト検証を実行することが可能である。また、第２の実施形態においては、図１６に示されている状態を基準とした場合に、領域４４に配置された認識パターン４０の各頂点に付される識別子（例えば、頂点Ａなど）は、認識パターン４０の重心と内部座標とによって固定的に定義されているものとする。したがって、第２の実施形態において、データ記憶部１１は、認識パターンデータ２１として第１状態〜第８状態の各状態におけるパターンデータを保持していることが好ましい。

図１８は、第２の実施形態における動作を例示するフローチャートである。第２の実施形態の動作は、レイアウト検証実効命令に応答して開始する。また、以下に述べる動作は、リサイズ実行部３１および検証実行部３２のコンピュータプログラムに示される手順に基づいて、情報処理装置１が動作することによって実行されるものとする。また以下の動作においては、第２の実施形態の認識パターン４０が、アライメント用セルデータ２４に第１状態（図１６に示される配置状態）で配置されているものとし、そのアライメント用セルデータ２４のレイアウト検証を実行する場合に対応して説明を行う。ここにおいて、アライメント用セルデータ２４が適切に配置されているときの認識パターン４０の情報は予め保持されているものとする。

図１８を参照すると、ステップＳ２０１において、情報処理装置１は、リサイズ実行部３１に示される手順に従ってデータ記憶部１１からリサイズ条件データ２３を読み出す。リサイズ実行部３１は、読み出したリサイズ条件データ２３の検証条件６４に基づいて、多角形状の認識パターン４０を構成する複数の頂点の中から、変更対象となる頂点を特定する。リサイズ実行部３１は、検証条件６４に基づいて特定した頂点を変更方向６６に所定の長さ（例えば１ｕｍ）だけ移動して認識パターン４０の形状を変更し、サイズ変更認識パターンデータを生成する。

ステップＳ２０２において、情報処理装置１は検証実行部３２に示される手順に従って、認識パターン４０とサイズ変更認識パターンデータとの差分となる差分データを生成する。ステップＳ２０３において、検証実行部３２は、差分データと認識パターン４０とに基づいて、検証対象となる頂点を特定し、その長さ（以下、検証対象長さと称する）を算出する。

ステップＳ２０４において、検証実行部３２は、算出した検証対象長さが、アライメント用セルデータ２４が適切に配置されているときの認識パターン４０から導き出される長さに合致するかどうかを検証し、その検証結果に基づいてアライメント用セルデータ２４の配置角を求める。

第２の実施形態におけるサイズ変更認識パターンデータを生成する動作に関して、図面を参照して以下に説明を行う。図１９は、第１状態を基準として第１状態検証条件に基づいて、第２の実施形態の認識パターン４０のサイズを変更した場合のレイアウトパターンを例示するレイアウトパターン図である。以下の説明において、第１状態の認識パターン４０を有するアライメント用セルデータ２４が、適切に配置されている場合のレイアウトパターンを図１９の（ａ）で示し、第１状態の認識パターン４０を有するアライメント用セルデータ２４が、何らかの要因によって回転または反転されて配置された場合のレイアウトパターンを図１９の（ｂ）〜図１４の（ｈ）で示す。

図１９を参照すると、データ記憶部１１からリサイズ条件データ２３を読み出したリサイズ実行部３１は、そのリサイズ条件データ２３の第１状態検証条件に基づいて、認識パターン４０を構成している各頂点から変更対象となる頂点（変更対象頂点６５）を特定する。このとき、リサイズ実行部３１は、リサイズ条件データ２３の変更対象頂点６５に基づいて、認識パターン４０に重なる第１対称軸４５（または第２対称軸４６）を基準としたときに−Ｙ方向および＋Ｘ方向に位置する頂点を特定する。

その後、変更方向６６にしたがって、各頂点を所定の移動量だけ移動させる。第１状態検証条件に対応して、第２の実施形態における認識パターン４０のサイズを変更した結果、図１９の（ａ）〜図１９の（ｈ）に示されているようなサイズ変更認識パターンデータが形成される。ここで、検証実行部３２によって、認識パターン４０とサイズ変更認識パターンデータとの比較が行われ、その差分データが抽出される。例えば、図１９の（ａ）に示されている状態で、サイズ変更処理が実行された場合、差分データとしてＧ−Ｆ−Ｅ−Ｄ−Ｄ’−Ｅ’−Ｆ’−Ｇ’で囲まれる図形と、Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｅ’’−Ｄ’’−Ｃ’−Ｂ’で囲まれる図形が抽出される。検証実行部３２は、この抽出した差分データと元となる認識パターン４０のデータとに基づいて検証対象長さ６７と比較する辺の長さを特定する。

図１９に示されているように、第１状態検証条件に示されている検証対象長さ６７と同じ長さを特定することができるレイアウトパターンは、図１９の（ａ）の状態である。したがって、第２の実施形態におけるレイアウトパターン検証装置１０は、上述の構成・動作によって高精度にレイアウト検証を実行することが可能となる。

［第３の実施形態］
以下に、本発明の第３の実施形態について説明を行う。なお、以下に述べる第３の実施形態において、レイアウトパターン検証を実行する装置は、上述した第１、第２の実施形態におけるレイアウトパターン検証装置１０と同様の構成を備えている。したがって、第２の実施形態と同様に以下の説明においては、その装置に関する詳細な説明を省略するものとする。

図２０は、本発明の第３の実施形態の認識パターン４０の構成を例示するレイアウトパターン図である。図２０を参照すると、第３の実施形態の認識パターン４０は、領域４４に配置されている。またその認識パターン４０は、第１パターン７１と、第２パターン７２と、第３パターン７３とを含んで構成されている。第３の実施形態において、各パターンは同じ形状で構成されている。以下の説明においては書くパターンは同じ長さの辺を有する矩形データであるものとする。図２０に示されているように、第１パターン７１と第１パターン７１は、第１距離Ｄ３の間隔で配置され、第１パターン７１と第２パターン７２とは、第２距離Ｄ４の間隔で配置されている。

さらに、図２０に示されているように、第１パターン７１は４つの辺（第１パターン第１辺７１ａ、第１パターン第２辺７１ｂ、第１パターン第３辺７１ｃおよび第１パターン第４辺７１ｄ）を備えている。第３の実施形態において、−Ｙ方向の辺を第１パターン第１辺７１ａとし、＋Ｘ方向の辺を第１パターン第２辺７１ｂとし、＋Ｙ方向の辺を第１パターン第３辺７１ｃとし、−Ｘ方向の辺を第１パターン第４辺７１ｄと定義する。したがって、図２０に示されるレイアウト状態の場合、第１パターン第１辺７１ａ第１距離Ｄ３の間隔で第３パターン７３が配置され、第１パターン第２辺７１ｂと距離Ｄ４の間隔で第２パターン７２が配置される。第３の実施形態において、第１パターン７１〜第３パターン７３の各辺が１umである場合を例示し、また、第１距離Ｄ３が１umであり、第２距離Ｄ４が２umであるものとする。

第３の実施形態においても、初期状態の認識パターンの構成は図２０に示される配置に制限されることは無い。図２１は、認識パターン４０を構成する複数のパターン（７１、７２、７３）を例示するレイアウトパターン図である。以下、第３の実施形態の説明において、図２１の（ａ）〜図２１の（ｈ）を第１状態〜第８状態とする。第３の実施形態は、第１状態から第８状態のそれぞれを基準としてレイアウト状態を検証することが可能となる。また、第１状態から第８状態のそれぞれは、各状態の一つを特定したときに、その配置状態を回転・反転させることで構成することが可能である。したがって、第１状態から第８状態の少なくとも一つを認識パターン４０として保持しておくことで、それぞれの状態に対応した認識パターン４０を構成することが可能となる。

図２２は、第３の実施形態におけるリサイズ条件データ２３の構成を例示するテーブルである。図２２を参照すると、第３の実施形態のリサイズ条件データ２３は、状態８１と、方向特定用パターン８２と、検証条件８３と、第１パターン変更対象部分８４と、変更方向８５と、変更量８６とを保持している。ここで、状態８１、方向特定用パターン８２および検証条件８３には、第１の実施形態における状態５１、方向特定用パターン５２および検証条件５３と同様の情報が保持されている。

第１パターン変更対象部分８４は、各検証条件を特定したときに、リサイズ対象となる部分を示している。変更方向８５は、各検証条件を特定したときに、リサイズ対象となる部分に対するリサイズ方向を示している。変更量８６は、各検証条件を特定したときに、リサイズ対象となる部分に対するリサイズ量を示している。

図２３は、第３の実施形態における検証用データ２５の構成を例示するテーブルである。図２３を参照すると、第３の実施形態における検証用データ２５は、認識パターン４０の第１パターン７１に対してサイズ変更処理を実行した結果と、認識パターン４０の配置状態（上述の第１状態〜第８状態）と関連付けを行うための情報を保持している。後述するように、サイズ変更処理を実行した結果、認識パターン４０を構成する各パターン（第１パターン７１〜第３パターン７３）は、パターンのサイズが変わることとなる。第３の実施形態のレイアウトパターン検証装置１０は、変更後のパターンのサイズの組み合わせからレイアウト検証を行っている。

図２４は、第３の実施形態の動作を例示するフローチャートである。第３の実施形態の動作は、レイアウト検証実効命令に応答して開始する。また、以下に述べる動作は、リサイズ実行部３１および検証実行部３２のコンピュータプログラムに示される手順に基づいて、情報処理装置１が動作することによって実行されるものとする。また図２４の示される動作は、第３の実施形態の認識パターン４０が、第１状態（図２０に示される配置状態）でアライメント用セルデータ２４に配置されているものとし、そのアライメント用セルデータ２４のレイアウト検証を実行する場合の動作であるものとして説明を行う。

図２４を参照すると、ステップＳ３０１において、情報処理装置１は、リサイズ実行部３１に示される手順に基づいてデータ記憶部１１からレイアウト情報２２を読み出し、検証対象のレイアウトパターンを特定する。このとき、リサイズ実行部３１は、データ記憶部１１からリサイズ条件データ２３を読み出し、読み出したレイアウト情報２２およびリサイズ条件データ２３に基づいて、特定したレイアウトパターンにおける認識パターン４０の第１パターン７１のサイズを変更して、サイズ変更第１パターンデータを生成する。

ステップＳ３０２において、検証実行部３２は、ステップＳ３０１で生成されたサイズ変更第１パターンデータに基づいて、リサイズ処理が行われた後のパターンの面積を特定する。ステップＳ３０３において、検証実行部３２は、データ記憶部１１から検証用データ２５を読み出し、ステップＳ３０２で特定した面積と検証用データ２５から得られる情報との照合を行う。検証実行部３２は、その照合の結果に基づいて、アライメント用セルデータ２４の配置角を特定する。

以下に、図面を参照して上記の動作を具体的に説明する。図２５は、上記の構成・動作によって、認識パターン４０のサイズ変更処理が実行された場合のパターンを示すレイアウトパターン図である。図２５は、第３の実施形態の認識パターン４０を有するアライメント用セルデータ２４が、異なる配置角で配置され、それぞれのアライメント用セルデータ２４の認識パターン４０に対してサイズ変更処理を実行した結果を例示している。また、図２５は、第１状態の認識パターン４０がアライメント用セルデータ２４に配置された場合におけるレイアウト検証の実行結果を示している。ここにおいて、図２５の（ａ）は、上記アライメント用セルデータ２４が適切に配置されたときの配置状態を示し、図２５の（ｂ）は、上記アライメント用セルデータ２４が何らかの要因で、適切に配置されなかったときの状態を示しているものとする。

図２５に示されているように、情報処理装置１は、上述したフローチャートの動作に従って、アライメント用セルデータ２４の認識パターン４０を特定し、その認識パターン４０を構成する第１パターン７１に対してサイズ変更処理を実行する。図２５を暗証すると、データ記憶部１１からリサイズ条件データ２３を読み出したリサイズ実行部３１は、そのリサイズ条件データ２３の第１状態検証条件に基づいて、第１パターン７１を構成している各辺から変更対象となる辺（第１パターン変更対象部分８４）を特定する。ここにおいて、第１状態検証条件に示される第１パターン変更対象部分８４は、第１パターン第１辺７１ａと第１パターン第２辺７１ｂであるので、リサイズ実行部３１は、図２５の（ａ）、（ｂ）に示されている各状態の第１パターン４１に対して、＋Ｘ方向を構成する辺と−Ｙ方向を構成する辺とをそれぞれ第１パターン第１辺４１ａと第１パターン第２辺４１ｂとして特定する。

リサイズ実行部３１は、リサイズ条件データ２３の変更方向８５を参照して特定した辺に対する変更量を決定する。また、リサイズ実行部３１は、リサイズ条件データ２３の変更量８６を参照して特定した辺に対する変更方向を決定する。ここにおいて、第１様態検証条件に示される変更方向８５を参照すると、第１パターン第１辺７１ａに対する変更方向８５は第１距離Ｄ３であり、第１パターン第２辺７１ｂに対する変更方向８５は第２距離Ｄ４である。また、第１パターン第１辺７１ａに対する変更量８６は−Ｙ方向であり、第１パターン第２辺７１ｂに対する変更量８６は＋Ｘ方向である。

リサイズ実行部３１は、これらの条件に基づいて第１パターン７１のサイズを変更してサイズ変更第１パターンデータを生成する。図２５を参照すると、配置角が異なるアライメント用セルデータ２４の認識パターン４０に対して、第１状態検証条件による変更処理が行われた結果が示されている。

第１状態検証条件に対応して第１パターン７１のサイズを変更した場合、第１状態の認識パターン４０を含むアライメント用セルデータ２４が適切に配置されているときには、−Ｙ方向にサイズ変更処理を行った結果から得られるパターン面積と＋Ｘ方向にサイズ変更処理を行った結果から得られるパターン面積は、特定の組み合わせとして提供される。ここで、レイアウトパターン検証装置１０の情報処理装置１は、検証実行部３２に示される手順に従って検証用データ２５を読み出し、レイアウト検証を行う。上述したように検証用データ２５は、このときの配置状態を第１状態と判断するためのパターン面積の組をデータとして保持している。そのため、検証実行部３２は、上述したリサイズ実行部３１の処理結果と検証用データ２５とに基づいてアライメント用セルデータ２４のレイアウト状態（配置角）を高精度に検証することが可能となる。

以上述べてきたように、上記の実施形態に示したレイアウトパターン検証装置１０を構成し、そのレイアウトパターン検証装置１０を上述の手順に従って動作させることによって、より高精度にレイアウト検証を行うことが可能となる。本明細書において、複数の実施形態を例示して本願発明の説明を行っている。この複数の実施形態は、認識パターン４０の構成が異なる複数のパターンに対応して、本願発明の説明が行われている。本発明において、認識パターン４０の構成は、それぞれの実施形態に示す認識パターン４０に限定されるものではない。

なお、上述してきた複数の実施形態は、その構成・動作に矛盾が生じない場合において組み合わせて実施することが可能である。

図１は、従来のマスクレイアウトパターン検証装置の構成を示すブロック図である。 図２は、従来のマスクレイアウトパターン検証装置において、長方形データから、中心座標および長辺方向を抽出する具体例を示す説明図である。 図３は、従来のマクロセルのレイアウト状態を示すレイアウト図である。 図４は、異なる向きで配置される複数のマクロセルの状態を示すレイアウト図である。 図５は、本発明の実施形態のレイアウト検証装置の構成を例示するブロック図である。 図６は、データ記憶部１１の構成を例示するブロック図である。 図７は、プログラム記憶部１２の構成を例示するブロック図である。 図８は、認識パターンデータ２１に基づく認識パターン４０のレイアウトパターンを示すパターン図である。 図９は、認識パターン４０を含むアライメント用セルデータ２４が配置されるときのレイアウトパターン図である。 図１０は、認識パターン４０を構成する複数のパターンを例示するレイアウトパターン図である。 図１１は、リサイズ条件データ２３の構成を例示するテーブルである。 図１２は、検証用データ２５の構成を例示するテーブルである。 図１３は、本実施形態における動作を例示するフローチャートである。 図１４は、第１状態検証条件に基づいて第１パターンのサイズを変更した場合のレイアウトパターンの遷移を例示するレイアウトパターン図である。 図１５は、第２状態検証条件に基づいて第１パターンのサイズを変更した場合のレイアウトパターンの遷移を例示するレイアウトパターン図である。 図１６は、第２の実施形態における認識パターン４０の構成を例示するレイアウトパターン図である。 図１７は、第２の実施形態におけるリサイズ条件データ２３の構成を例示するテーブルである。 図１８は、第２の実施形態における動作を例示するフローチャートである。 図１９は、第２の実施形態の認識パターン４０のサイズを変更した場合のレイアウトパターンを例示するレイアウトパターン図である。 図２０は、第３の実施形態の認識パターン４０の構成を例示するレイアウトパターン図である。 図２１は、第３の実施形態の認識パターン４０を構成する複数のパターン（７１、７２、７３）を例示するレイアウトパターン図である。 図２２は、第３の実施形態におけるリサイズ条件データ２３の構成を例示するテーブルである。 図２３は、第３の実施形態におけるリサイズ条件データ２３の構成を例示するテーブルである。 図２４は、第３の実施形態の動作を例示するフローチャートである。 図２５は、認識パターン４０のサイズ変更処理が実行された場合のパターンを示すレイアウトパターン図である。

符号の説明

１０…レイアウトパターン検証装置
１…情報処理装置、２…入力装置、３…表示装置
４…ＣＰＵ（中央演算処理装置）、５…メモリ
６…入出力インターフェース、７…大容量記憶装置、８…バス
１１…データ記憶部、１２…プログラム記憶部
２１…認識パターンデータ、２２…レイアウト情報
２３…リサイズ条件データ、２４…アライメント用セルデータ
２５…検証用データ
３１…リサイズ実行部、３２…検証実行部
４０…認識パターン
４１…第１パターン
４１ａ…第１辺、４１ｂ…第２辺、４１ｃ…第３辺、４１ｄ…第４辺
４２…第２パターン、４３…第３パターン
４４…認識パターン配置領域
４５…第１対称軸、４６…第２対称軸
Ｄ１…第１距離、Ｄ２…第２距離
４７…セル枠
４８…外部座標軸、４９…内部座標軸
５１…状態
５２…方向特定用パターン
５３…検証条件
５４…第１パターンデータ変更部分
５５…変更量
５６…変更方向
６１ａ…第１辺、６１ｂ…第２辺、６１ｃ…第３辺、６１ｄ…第４辺
６１ｅ…第５辺、６１ｆ…第６辺、６１ｇ…第７辺、６１ｈ…第８辺
６２…状態
６３…方向特定用パターン
６４…検証条件
６５…変更対象頂点
６６…変更方向
６７…検証対象長さ
７１…第１パターン、７２…第２パターン、７３…第３パターン
７１ａ…第１パターン第１辺、７１ｂ…第１パターン第２辺
７１ｃ…第１パターン第３辺、７１ｄ…第１パターン第４辺
Ｄ３…第１長さ、Ｄ４…第２長さ
８１…状態
８２…方向特定用パターン
８３…検証条件
８４…第１パターン変更対象部分
８５…変更方向
８６…変更量
１１０…レイアウト検証装置
１０１…入力部
１０２…レイアウトパターンデータ格納部
１０３…検証コマンドファイル格納部
１０４…配線・デバイス認識部
１０５…長方形データ方向・中心座標抽出部
１０６…ヒューズ中心座標・方向データ格納部
１０７…ヒューズ中心座標・方向データ格納部
１０８…仮想ヒューズ算出部
１０９…仮想ヒューズ中心座標・方向データ格納部
１１１…ヒューズ中心座標・方向比較部
１１２…出力部
１１３…矩形データ
２００…外部座標軸
２０１…マクロセル
２０２…第１辺
２０３…第２辺
２０４…内部データ
ｄ１…第１間隔
ｄ２…第２間隔
３００…基準パターン
３０１…第１パターン
３０２…第２パターン
３０３…第３パターン
３０４…第４パターン

Claims (17)

1. 第１対称軸と、前記第１対称軸に直角な第２対称軸とを有する領域に形成され、前記第１対称軸に非線対称に構成され、かつ、前記第２対称軸に非線対称に構成される認識パターンのパターンデータを生成するパターンデータ生成部と、
   前記認識パターンを有するマクロセルのレイアウトを決定し、前記レイアウトに基づいてレイアウトパターンデータを生成するレイアウト実行部と、
   前記レイアウトパターンデータに基づいて前記マクロセルに含まれる前記認識パターンのパターンデータを読み出し、前記パターンデータで示される前記認識パターンの状態に基づいて前記マクロセルの配置方向を検証するレイアウト検証部と
   を具備する
   半導体設計支援装置。
2. 請求項１に記載の半導体設計支援装置において、
   前記レイアウト検証部は、
   前記マクロセルが任意の向きで配置されたときの前記認識パターンに対して所定の図形演算処理を実行して得られるパターンに関するデータを検証用データとして保持し、
   前記レイアウトパターンデータから読み出されたパターンデータで示される前記認識パターンに対して前記所定の演算処理を実行して得られた検証対象パターンと前記検証用データとに基づいて前記マクロセルの配置方向を検証する
   半導体設計支援装置。
3. 請求項２に記載の半導体設計支援装置において、
   前記認識パターンは、
   第１パターンと、
   前記第１パターンと第１の間隔を隔てて構成される第２パターンと、
   前記第１パターンと第２の間隔を隔てて構成される第３パターンとを含み、
   前記パターンデータ生成部は、
   前記第１対称軸の方向に前記第１の間隔を有し、前記第２対称軸の方向に前記第１の間隔と異なる第２の間隔を有するように前記認識パターンを構成し、
   前記レイアウト検証部は、
   前記第１の間隔に対応する第１長さと前記第２の間隔に対応する第２長さとに基づいて前記第１パターンの形状を変更して新たな第１パターンを形成し、
   前記新たな第１パターンと前記第２パターンとが接するか否か、または前記新たな第１パターンと前記第３パターンとが接するか否かに基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証する
   半導体設計支援装置。
4. 請求項２に記載の半導体設計支援装置において、
   前記パターンデータ生成部は、
   前記認識パターンを、各々の辺の長さが異なる不等辺多角形状のパターンで構成し、
   前記レイアウト検証部は、
   前記マクロセルが正しく配置されるときの前記認識パターンのパターンデータから、前記第１対称軸、または前記第２対称軸の少なくとも一方に対応する辺を示す基準辺データを読み出し、
   前記レイアウトデータから読み出されたパターンデータに基づいて、前記不等辺多角形状のパターンを構成する辺から、前記第１対称軸、または前記第２対称軸の少なくとも一方に対応する辺を示す検証辺データを抽出し、
   前記基準辺データと前記検証辺データとの比較に基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証する
   半導体設計支援装置。
5. 請求項２に記載の半導体設計支援装置において、
   前記認識パターンは、第１パターンと第２パターンと第３パターンとを含んで構成され、
   前記パターンデータ生成部は、
   前記第１対称軸に沿って、第１の間隔で前記第１パターンと前記第２パターンとを形成し、
   前記第２対称軸に沿って、前記第１の間隔と異なる第２の間隔で前記第１パターンと前記第３パターンとを形成することで前記認識パターンを構成し、
   前記レイアウト検証部は、
   前記第１の間隔に対応する第１長さ、または前記第２の間隔に対応する第２長さの少なくとも一方に基づいて前記第１パターンの形状を変更して新たな第１パターンを形成し、
   前記新たな第１パターンの形状に基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証する
   半導体設計支援装置。
6. コンピュータに、半導体設計におけるレイアウト検証を実行させるためのプログラムであって、
   前記コンピュータに、
   （ａ）第１対称軸と、前記第１対称軸に垂直な第２対称軸とを有する領域に形成され、前記第１対称軸に非線対称に構成され、かつ、前記第２対称軸に非線対称に構成される認識パターンのパターンデータを生成するステップと、
   （ｂ）前記認識パターンを有するマクロセルのレイアウトを決定し、前記レイアウトに基づいてレイアウトパターンデータを生成するステップと、
   （ｃ）前記レイアウトパターンデータに基づいて前記マクロセルに含まれる前記認識パターンのパターンデータを読み出すステップと、
   （ｄ）読み出した前記パターンデータで示される前記認識パターンの状態に基づいて前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
   を実行させるための
   プログラム。
7. 請求項６に記載のプログラムにおいて、
   前記（ｄ）ステップは、
   検証用データを読み出すステップと、前記検証用データは、前記マクロセルが配置されたときの前記認識パターンに対して、所定の図形演算処理を実行して得られるパターンに関するデータを含み、
   前記レイアウトパターンデータから読み出されたパターンデータで示される前記認識パターンに対して、前記所定の演算処理を実行して得られた検証対象パターンと前記検証用データとに基づいて前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
   を前記コンピュータに実行させるためのプログラム。
8. 請求項７に記載のプログラムにおいて、
   前記認識パターンは、
   第１パターンと、
   前記第１パターンと第１の間隔を隔てて構成される第２パターンと、
   前記第１パターンと第２の間隔を隔てて構成される第３パターンとで構成されるものであり、
   前記（ａ）ステップは、
   前記第１対称軸の方向に前記第１の間隔を有し、前記第２対称軸の方向に前記第１の間隔と異なる第２の間隔を有するように前記認識パターンを構成するステップを含み、
   前記（ｄ）ステップは、
   前記第１の間隔に対応する第１長さと前記第２の間隔に対応する第２長さとに基づいて前記第１パターンの形状を変更して新たな第１パターンを形成するステップと、
   前記新たな第１パターンと前記第２パターンとが接するか否か、または前記新たな第１パターンと前記第３パターンとが接するか否かに基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
   を前記コンピュータに実行させるためのプログラム。
9. 請求項７に記載のプログラムにおいて、
   前記（ａ）ステップは、
   前記認識パターンを、各々の辺の長さが異なる不等辺多角形状のパターンで構成するステップを含み、
   前記（ｄ）ステップは、
   前記マクロセルが正しく配置されるときの前記認識パターンのパターンデータから、前記第１対称軸、または前記第２対称軸の少なくとも一方に対応する辺を示す基準辺データを読み出すステップと、
   前記レイアウトデータから読み出されたパターンデータに基づいて、前記不等辺多角形状のパターンを構成する辺から、前記第１対称軸、または前記第２対称軸の少なくとも一方に対応する辺を示す検証辺データを抽出するステップと、
   前記基準辺データと前記検証辺データとの比較に基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
   を前記コンピュータに実行させるためのプログラム。
10. 請求項７に記載のプログラムにおいて、
    前記認識パターンは、第１パターンと第２パターンと第３パターンとを含んで構成されるものであり、
    前記（ａ）ステップは、
    前記第１対称軸に沿って、第１の間隔で前記第１パターンと前記第２パターンとを形成するステップと、
    前記第２対称軸に沿って、前記第１の間隔と異なる第２の間隔で前記第１パターンと前記第３パターンとを形成するするステップ
    を含み、
    前記（ｄ）ステップは、
    前記第１の間隔に対応する第１長さ、または前記第２の間隔に対応する第２長さの少なくとも一方に基づいて前記第１パターンの形状を変更して新たな第１パターンを形成するステップと、
    前記新たな第１パターンの形状に基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
    を前記コンピュータに実行させるためのプログラム。
11. （ａ）第１対称軸と、前記第１対称軸に垂直な第２対称軸とを有する領域に形成され、前記第１対称軸に非線対称に構成され、かつ、前記第２対称軸に非線対称に構成される認識パターンのパターンデータを生成するステップと、
    （ｂ）前記認識パターンを有するマクロセルのレイアウトを決定し、前記レイアウトに基づいてレイアウトパターンデータを生成するステップと、
    （ｃ）前記レイアウトパターンデータに基づいて前記マクロセルに含まれる前記認識パターンのパターンデータを読み出すステップと、
    （ｄ）読み出した前記パターンデータで示される前記認識パターンの状態に基づいて前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
    を具備する
    レイアウトパターン検証方法。
12. 請求項１１に記載のレイアウトパターン検証方法において、
    前記（ｄ）ステップは、
    検証用データを読み出すステップと、前記検証用データは、前記マクロセルが配置されたときの前記認識パターンに対して、所定の図形演算処理を実行して得られるパターンに関するデータを含み、
    前記レイアウトパターンデータから読み出されたパターンデータで示される前記認識パターンに対して、前記所定の演算処理を実行して得られた検証対象パターンと前記検証用データとに基づいて前記マクロセルの配置方向を検証する
    レイアウトパターン検証方法。
13. 請求項１２に記載のレイアウトパターン検証方法において、
    前記認識パターンは、
    第１パターンと、
    前記第１パターンと第１の間隔を隔てて構成される第２パターンと、
    前記第１パターンと第２の間隔を隔てて構成される第３パターンとを含み、
    前記（ａ）ステップは、
    前記第１対称軸の方向に前記第１の間隔を有し、前記第２対称軸の方向に前記第１の間隔と異なる第２の間隔を有するように前記認識パターンを構成するステップを含み、
    前記（ｄ）ステップは、
    前記第１の間隔に対応する第１長さと前記第２の間隔に対応する第２長さとに基づいて前記第１パターンの形状を変更して新たな第１パターンを形成するステップと、
    前記新たな第１パターンと前記第２パターンとが接するか否か、または前記新たな第１パターンと前記第３パターンとが接するか否かに基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
    を含む
    レイアウトパターン検証方法。
14. 請求項１２に記載のレイアウトパターン検証方法において、
    前記（ａ）ステップは、
    前記認識パターンを、各々の辺の長さが異なる不等辺多角形状のパターンで構成するステップを含み、
    前記（ｄ）ステップは、
    前記マクロセルが正しく配置されるときの前記認識パターンのパターンデータから、前記第１対称軸、または前記第２対称軸の少なくとも一方に対応する辺を示す基準辺データを読み出すステップと、
    前記レイアウトデータから読み出されたパターンデータに基づいて、前記不等辺多角形状のパターンを構成する辺から、前記第１対称軸、または前記第２対称軸の少なくとも一方に対応する辺を示す検証辺データを抽出するステップと、
    前記基準辺データと前記検証辺データとの比較に基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
    を含む
    レイアウトパターン検証方法。
15. 請求項１２に記載のレイアウトパターン検証方法において、
    前記認識パターンは、第１パターンと第２パターンと第３パターンとを含み、
    前記（ａ）ステップは、
    前記第１対称軸に沿って、第１の間隔で前記第１パターンと前記第２パターンとを形成するステップと、
    前記第２対称軸に沿って、前記第１の間隔と異なる第２の間隔で前記第１パターンと前記第３パターンとを形成するするステップ
    を含み、
    前記（ｄ）ステップは、
    前記第１の間隔に対応する第１長さ、または前記第２の間隔に対応する第２長さの少なくとも一方に基づいて前記第１パターンの形状を変更して新たな第１パターンを形成するステップと、
    前記新たな第１パターンの形状に基づいて、前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
    を含む
    レイアウトパターン検証方法。
16. 半導体装置を設計するステップと、
    前記半導体装置を製造するステップと
    を具備する半導体装置の製造方法であって、
    前記設計するステップは、
    （ａ）第１対称軸と、前記第１対称軸に垂直な第２対称軸とを有する領域に形成され、前記第１対称軸に非線対称に構成され、かつ、前記第２対称軸に非線対称に構成される認識パターンのパターンデータを生成するステップと、
    （ｂ）前記認識パターンを有するマクロセルのレイアウトを決定し、前記レイアウトに基づいてレイアウトパターンデータを生成するステップと、
    （ｃ）前記レイアウトパターンデータに基づいて前記マクロセルに含まれる前記認識パターンのパターンデータを読み出すステップと、
    （ｄ）読み出した前記パターンデータで示される前記認識パターンの状態に基づいて前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
    を含み、
    前記製造するステップは、
    前記（ｄ）ステップの検証結果に基づいて前記半導体装置を製造するステップ
    を含む
    半導体装置の製造方法。
17. 半導体装置を設計するステップと、
    前記設計に基づいてフォトマスクを製造するステップと
    を具備し、
    前記設計するステップは、
    （ａ）第１対称軸と、前記第１対称軸に垂直な第２対称軸とを有する領域に形成され、前記第１対称軸に非線対称に構成され、かつ、前記第２対称軸に非線対称に構成される認識パターンのパターンデータを生成するステップと、
    （ｂ）前記認識パターンを有するマクロセルのレイアウトを決定し、前記レイアウトに基づいてレイアウトパターンデータを生成するステップと、
    （ｃ）前記レイアウトパターンデータに基づいて前記マクロセルに含まれる前記認識パターンのパターンデータを読み出すステップと、
    （ｄ）読み出した前記パターンデータで示される前記認識パターンの状態に基づいて前記マクロセルの配置方向を検証するステップ
    を含み、
    前記製造するステップは、
    前記（ｄ）ステップの検証結果に基づいて前記フォトマスクを製造するステップ
    を含む製造方法で製造される
    フォトマスク。

Images