JP2007157818A - シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】P型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
【選択図】 図1
Description
シリコンウェーハ中の結晶欠陥のうち、OSF(酸化誘起積層欠陥、Oxidation Induced Stacking Fault)とBMD(内部微小欠陥、Bulk Micro Defects)の結晶欠陥密度評価においては、JIS規格(非特許文献1)に基づく選択エッチングによる評価方法が一般的である。
しかし、この方法では、ウェーハ表面に面あれが発生するため、結晶欠陥の評価は精度が悪いものとなり、観察に時間もかかるという問題があった。
このように、前記アルカリ溶液としてKOHおよび/またはNaOH溶液を用い、また、前記アルカリ溶液のアルカリ濃度を、1.5質量%以上30質量%以下とすることによって、より効果的にステインを落としながら面あれを抑えることができる。アルカリ濃度1.5質量%以上であれば、ステインを十分に落とすことができ、30重量%以下であれば、面あれが発生することもない。
このように、前記選択エッチング液として、少なくともフッ酸および硝酸を含み、さらには、酢酸を含むものを用いることによって、より高い選択性で結晶欠陥を顕在化することができるので、より高精度で結晶欠陥を評価することができる。
このように、本発明によれば、前記基板の結晶欠陥の評価は、デバイス形成に悪影響を及ぼすOSF(酸化誘起積層欠陥)や、重金属汚染のゲッタリング能力を高めるBMD(内部微小欠陥)を評価する場合に、低コストで迅速かつ高精度にシリコン単結晶基板の品質を評価することができる。
このように、前記シリコン単結晶基板として、選択エッチングにおいてステインが特に問題となり、また、半導体回路の高集積化に伴い多用されるようになった抵抗率が0.1Ω・cm以下であるものを評価することができる。
図1は、本発明のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法の一例を示したフロー図である。図2は、本発明の方法または従来の方法で仕上げエッチングを行ったシリコン単結晶基板の観察図である。
まず、図1(a)のようにP型低抵抗のシリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングすることによって、P型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥を選択的に顕在化することができる。
アルカリ濃度1.5質量%以上であれば、ステインを十分に落とすことができ、30重量%以下であれば、面あれが発生することもない。
このようにアルカリ溶液によって仕上げエッチングをした場合、図2の左上、右上、右下の図のように、低コストで基板表面の面あれを小さくして高精度で迅速に結晶欠陥を評価することができる。
前記基板の結晶欠陥の評価は、OSF(酸化誘起積層欠陥、Oxidation Induced Stacking Fault)や、BMD(内部微小欠陥、Bulk Micro Defects)を顕微鏡観察して評価することが好ましい。これによって、低コストで迅速かつ高精度にシリコン単結晶基板の品質を評価することができる。
OSFは、このIまたはN領域において、結晶中の過剰なシリコン酸化物が原因となってリング状に発生する面欠陥であり、デバイス形成に悪影響を及ぼすため、これが少ないウェーハほど高品質のウェーハといえる。従って、OSFをより高精度に評価することによって、ウェーハ品質をより高精度に評価することができる。
(実施例1、比較例1)
P型低抵抗のシリコン単結晶基板として、ボロンをドープしたシリコンウェーハ(抵抗率0.01Ω・cm、面方位(100)、直径200mm)を用意し、ドライO2雰囲気下1000℃で16時間酸素析出熱処理を行った。
そして、このシリコン単結晶基板を、JIS規格(非特許文献1)のG液(容量比、フッ化水素酸(49〜50質量%):硝酸(69〜71質量%):水=1:12.7:6.7)の選択エッチング液に室温で5分間浸漬して選択エッチングを行った。
その結果、図2(a)のように、フッ硝酸の洗浄液で仕上げエッチングを行った比較例1では、面あれが大きくなり、OSFおよびBMDの評価の精度が悪く時間も要した一方で、アルカリ溶液で仕上げエッチングを行った実施例1では、面あれが小さく高精度で迅速にOSFおよびBMDの評価を行うことができた。
P型低抵抗のシリコン単結晶基板として、ボロンをドープしたシリコンウェーハ(抵抗率0.02Ω・cm、面方位(100)、直径150mm)を18枚用意し、このうち12枚を、ドライO2雰囲気下1000℃で16時間、酸素析出熱処理して、残り6枚を、ウェットO2雰囲気下1100℃で60分間熱処理した。
そして、これらのサンプルについて、上記G液を選択エッチング液として、選択エッチングした。
その結果、次の表1に示すように、NaOH濃度1.5%以上のNaOH溶液で仕上げエッチングを行った場合、ステインの残留がなく面状態が良好のものを得ることができ、NaOH濃度1.5%未満のNaOH溶液で仕上げエッチングを行ったものよりも、高精度で迅速にOSFおよびBMDの評価を行うことができた。
Claims (6)
- P型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記アルカリ溶液として、KOHおよび/またはNaOH溶液を用いることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記アルカリ溶液のアルカリ濃度を、1.5質量%以上30質量%以下とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記選択エッチング液として、少なくともフッ酸および硝酸を含み、さらには、酢酸を含むものを用いることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記基板の結晶欠陥の評価は、OSFまたはBMDを評価することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記シリコン単結晶基板として、抵抗率が0.1Ω・cm以下であるものを評価すること特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
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---|---|---|---|---|
JPH11312717A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Fujitsu Ltd | シリコン基板の評価方法及び半導体装置の製造方法 |
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