JP2006093453A - アルカリエッチング液及びアルカリエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アルカリ水溶液に多価アルコールを含むことを特徴とするアルカリエッチング液。
【選択図】図1
Description
本発明のアルカリエッチング液(以下「本エッチング液」とする。)は、通常公知のアルカリエッチング液に、エッチングの際ウェーハ面全体に亘ってエッチング速度を均一とする作用を有する添加物を加えることを特徴とする。
本発明によるアルカリエッチング方法は、上記本アルカリエッチング液を用いることを特徴とする半導体ウェーハのアルカリエッチング方法である。本アルカリエッチング液を使用することにより、ウェーハ面全面に亘ってエッチング速度を均一となり、エッチング後のウェーハ面全面に亘り高い平坦性を有するウェーハが得られる。本アルカリエッチング液を使用するエッチング方法において、エッチング条件については特に制限はない。通常のアルカリエッチング条件がそのまま又は最適化して使用することができる。エッチング温度は半導体ウェーハの種類、エッチング速度などに応じて適宜選択することが可能であるが、60〜100℃の範囲である。さらにアルカリエッチング時間についても特に制限はなく、所望のエッチング量(除去厚)に応じて適宜最適化することができる。
測定装置:ADE社製、ウルトラゲージ9700
エッチング量の測定:上記エッチングの前後に、ADE社製の静電容量型フラットネス測定器を用いて、ウェーハ中心厚みを測定し、エッチング量(=エッチング前厚みーエッチング後厚み)を算出した。
直径8インチ、抵抗率8〜10Ω・cmのシリコン単結晶インゴットをスライスし、べべリング、ラップし、界面活性剤によるラップ後洗浄されたウェーハを準備した。
直径8インチ、抵抗率8〜10Ω・cmのシリコン単結晶インゴットをスライスし、べべリング、ラップし、界面活性剤によるラップ後洗浄されたウェーハを準備した。
直径8インチ、抵抗率8〜10Ω・cmのシリコン単結晶インゴットをスライスし、べべリング、ラップし、界面活性剤によるラップ後洗浄されたウェーハを準備した。
直径8インチ、抵抗率8〜10Ω・cmのシリコン単結晶インゴットをスライスし、べべリング、ラップし、界面活性剤によるラップ後洗浄されたウェーハを準備した。
直径8インチ、抵抗率8〜10Ω・cmのシリコン単結晶インゴットをスライスし、べべリング、ラップし、界面活性剤によるラップ後洗浄されたウェーハを準備した。
直径8インチ、抵抗率8〜10Ω・cmのシリコン単結晶インゴットをスライスし、べべリング、ラップし、界面活性剤によるラップ後洗浄されたウェーハを準備した。
Claims (3)
- アルカリ水溶液に多価アルコールを含むアルカリエッチング液。
- 多価アルコールとしてグリセリンを用いた請求項1記載のアルカリエッチング液。
- アルカリ水溶液に多価アルコールを含むアルカリエッチング液を用いることを特徴とする、アルカリエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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