JP2007149826A - スタンダードセルおよびこれを備えた半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】スタンダードセル内でのクロストークノイズの発生を抑制する。
【解決手段】クロック端子ＴＣＫの１つ両隣の縦方向配線トラックを空き領域として設けその空き領域である縦方向配線トラックにシールド配線Ｓ１、Ｓ２を施すことが可能となり、クロック端子ＴＣＫとクロック配線ＷＣＫとにクロストークノイズの発生を抑制可能とした構成。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体集積回路（ＬＳＩ）の設計方法の１つであるスタンダードセル方式において予め登録された標準的なセルとして用いられる最小単位であるスタンダードセルおよびこれを備えた半導体集積回路に関するものである。

近年、半導体集積回路においては、その製造プロセスの微細化の進展に伴い、その動作周波数はきわめて高くなってきており、それとともにシグナル・インテグリティはその回路設計上の最重要課題となっている。

とりわけ、隣接配線間で結合する容量によって発生するクロストークは、信号遅延に変化を引き起こしたり、論理値の不正遷移の原因ともなり、パターンが微細化する程、この現象は発生しやすくなっている。

この課題に対し、隣接配線間に生じる寄生容量の影響を軽減するため、クロック配線等の上下左右にシールド配線を施したり、このシールド配線を固定信号（ＨレベルあるいはＬレベル）で固定したり、シールド対象信号と同じ信号波形を持つシールド配線を隣接かつ併走配線させた方法が知られている（特許文献１、２、３、等参照）。

従来技術では、セル間配線に使用されるシールド対象信号にしかシールド配線は施されておらず、スタンダードセル内にまでシールド配線が十分に施されないため、スタンダードセル内で発生するクロストークノイズについては抑制できない。スタンダードセルは半導体集積回路を構成する標準的な部品であるインバータ、ＮＡＮＤ回路等であり、半導体集積回路においての最小単位である。スタンダードセルを用いた半導体集積回路の設計ではスタンダードセル方式として短時間で半導体集積回路を半導体基板上に高集積に形成することができるが、従来のスタンダードセル構造では、シールド配線を配置できるよう考慮されていない。

以下、従来のスタンダードセル構造を示した図面を参照しながら詳細に説明する。図８（ａ）はセル間配線実施前のスタンダードセル、図８（ｂ）はセル間配線実施後のスタンダードセルを示す図である。

図８（ａ）に示すセル間配線実施前のスタンダードセルＣは、第１配線層からなる固定電位配線であるセル内電源線Ｐ１，Ｐ２と、第２配線層からなるクロック端子ＴＣＫと、第２配線層からなるクロック以外の端子Ｔ１，Ｔ２と、第２配線層からなるクロック以外の信号配線Ｗを含む。クロック以外の端子Ｔ１，Ｔ２，ＴＣＫ及びクロック以外の信号配線Ｗは、一定幅かつ一定間隔で並ぶ縦方向配線トラックＲＶ１，ＲＶ３，ＲＶ４，ＲＶ５上に配置され、クロック端子ＴＣＫの両側の配線トラックＲＶ１，ＲＶ３，ＲＶ５には、端子Ｔ１，Ｔ２と信号配線Ｗとが配置されている構造である。

図８（ｂ）に示すように、セル間配線実施後は、クロック端子ＴＣＫにクロック配線ＷＣＫが同一縦方向配線トラックＲＶ４上で接続され、クロック以外の端子Ｔ２にクロック以外の信号配線Ｗ１が同一縦方向配線トラックＲＶ３上で接続される。

このようにクロック端子ＴＣＫの両側の縦方向配線トラックＲＶ３，ＲＶ５に端子Ｔ２と信号配線Ｗ１，Ｗ２とが存在することで、クロック端子ＴＣＫ及びクロック配線ＷＣＫに対してシールド配線を施すことができず、クロック端子ＴＣＫ及びクロック配線ＷＣＫにクロストークノイズが発生しやすい。なお、図８では縦方向配線トラック上に端子及び配線を配置する構造になっているが、横方向配線トラック上に端子及び配線を配置する構造においても同様の課題が発生する。
特開平５−４７９４３号公報 特開平６−７７４０３号公報 特開２００１−３５８２２０号公報

本発明では、クロック端子周辺の配線トラックをシールド配線が配置できるように、予めその周辺の配線トラックを空き領域として確保するようなセル構造にすることで、セル列形成後、セル間配線前にクロック端子周辺にシールド配線を施すことができ、スタンダードセル内でクロック端子やクロック配線に発生するクロストークノイズを低減させることを目的とする。

本発明に係るスタンダードセルは、一方向に延びかつ一定の配線間隔で並ぶ複数の配線トラックを備えたスタンダードセルにおいて、少なくとも１つの配線トラック上にクロック端子が配置され、かつ、この配線トラックから少なくとも１つ隣りもしくは両隣の配線トラックが空き領域とされていることを特徴とするものである。

上記「一方向」とは実施の形態の横方向、縦方向に限定する意味ではない。

本発明においては、クロック配線の隣りの配線トラックが空き領域とされているので、クロック端子の周辺の配線トラックである空き領域にシールド配線を配置することができ、その結果、スタンダードセル列を形成した後、セル間配線する前にクロック端子周辺にシールド配線を施して、スタンダードセル内でクロック端子やクロック配線に発生するクロストークノイズの発生を低減することができる。

本発明によれば、クロック配線が配置された配線トラックから１つ両隣の配線トラックが空き領域とされ、その空き領域にシールド配線を施すことができるので、スタンダードセル内でのクロストークノイズの発生を抑制することができる。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。

(実施形態１)
図１に実施形態１に係るスタンダードセル方式のＬＳＩにおけるスタンダードセルＣを模式的に示す。図１（ａ）はセル間配線実施前、図１（ｂ）はセル間配線実施後のスタンダードセルそれぞれの構成を示す。この構成図では、ポリシリコンや、Ｐ型、Ｎ型の拡散層や、この拡散層と後述する配線層との接続のためのビア、その他の図示は略している。また、縦方向や横方向の配線トラックはセル枠外にまではみ出されて同一セル列内のセル間配線、異なるセル列に属するセル間を結ぶセル列間配線に用いることができるようになっている。

図１（ａ）を参照してセル間配線実施前のスタンダードセルＣにおいて、ｒは横寸法が短く縦寸法が長い長方形とされたセル枠である。これにより、高さが同一の複数のスタンダードセルＣを列状に配置したセル列を構成することを容易にしている。ＲＶ１ないしＲＶ６は第１配線層からなる第１ないし第６縦方向配線トラックであり、一定の配線幅で縦方向に延びている。Ｐ１，Ｐ２は縦方向配線トラックＲＶ１ないしＲＶ６の縦方向一端側と他端側とのそれぞれに配置された、第１配線層からなるＶＤＤとＶＳＳのセル内配線された固定電位電源線であり、枠ｒ外にまではみ出して形成されている。ＴＣＫは第４縦方向配線トラックＲＶ４上に配置された第２配線層からなるクロック端子である。Ｔ１，Ｔ２は第１、第２縦方向配線トラックＲＶ１，ＲＶ２上に配置された、第２配線層からなるクロック以外の端子（非クロック端子）である。Ｗは第６縦方向配線トラックＲＶ６上に配置された、第２配線層からなるクロック以外の信号配線である。以上の実施形態１のスタンダードセルＣにおいて、クロック端子ＴＣＫの１つ両隣の第３、第５縦方向配線トラックＲＶ３，ＲＶ５が、空き領域とされていることを特徴とする。第１配線層、これより１層分、上層である第２配線層、および後述するこれらよりさらに１層分、上層である第３配線層はアルミニウム等の金属からなることが好ましい。

以上の構成を備えた図１（ａ）のセル間配線実施前のスタンダードセルＣに対してセル間配線を実施した後のスタンダードセルＣを図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）において、Ｓ１，Ｓ２は第２の配線層からなり、信号配線Ｗの信号電位とは異なるシールド電位を持ち併走する配線である第１、第２シールド配線（固定電位配線）である。ＷＣＫはクロック端子ＴＣＫに接続される第２配線層からなるクロック配線である。実施形態１のスタンダードセルＣは、セル間配線実施前においてはクロック端子ＴＣＫの１つ両隣の第３、第５配線トラックＲＶ３，ＲＶ５を一列、空き領域として設けていることにより、セル間配線実施後においてはその空き領域に第３、第５配線トラックＲＶ３，ＲＶ５に第１、第２シールド配線Ｓ１，Ｓ２を施すことが可能となり、クロック端子ＴＣＫとクロック配線ＷＣＫとに発生するクロストークノイズを低減させることができる。

(実施形態２)
図２は、本発明の実施形態２に係るスタンダードセルＣを示す。図２（ａ）はセル間配線実施前、図２（ｂ）はセル間配線実施後のスタンダードセルをそれぞれ示す。セル間配線実施前のスタンダードセルＣを説明すると、ｒはセル枠である。ＲＨ１ないしＲＨ８は第１ないし第８横方向配線トラックであり、縦方向一定間隔で一定の配線幅で横方向に延びている。Ｐ１，Ｐ２はスタンダードセルＣの縦方向両端側それぞれに配置された、第１配線層からなるＶＤＤとＶＳＳのセル内電源線（固定電位配線）である。第４横方向配線トラックＲＨ４上に第２配線層からなるクロック端子ＴＣＫが、第６横方向配線トラックＲＨ６上に第２配線層からなるクロック以外の端子（非クロック端子）Ｔが、第２、第６横方向配線トラックＲＨ２，ＲＨ６上にクロック以外の第１、第２信号配線Ｗ１，Ｗ２がそれぞれ配置されている。第３、第５横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ５はクロック端子ＴＣＫの１つ両隣の横方向配線トラックとして空き領域とされている。

以上のスタンダードセルＣの構造によれば、空き領域であるクロック端子ＴＣＫの１つ両隣の第３、第５横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ５に第１、第２シールド配線（固定電位配線）Ｓ１、Ｓ２を施すことが可能である。

セル間配線実施後のスタンダードセルＣにおいては、図２（ｂ）で示すように、上記空き領域に第１、第２シールド配線（固定電位配線）Ｓ１、Ｓ２が施されて、クロック端子ＴＣＫと、該クロック端子ＴＣＫに接続されるクロック配線ＷＣＫとに発生するクロストークノイズが低減することができたものとなっている。

(実施形態３)
図３は、本発明の実施形態３に係るスタンダードセルＣを示す。図３（ａ）はセル間配線実施前、図３（ｂ）はセル間配線実施後のスタンダードセルをそれぞれ示す。図３（ａ）に示すセル間配線実施前のスタンダードセルＣを説明すると、ｒはセル枠である。ＲＨ１ないしＲＨ８は第１ないし第８横方向配線トラックであり、縦方向一定間隔で一定の配線幅で横方向に延びている。Ｐ１，Ｐ２はスタンダードセルＣの縦方向両端側それぞれに配置された、第１配線層からなるＶＤＤとＶＳＳのセル内電源線（固定電位配線）である。第４横方向配線トラックＲＨ４上に第２配線層からなるクロック端子ＴＣＫが配置されている。第４、第６横方向配線トラックＲＨ４，ＲＨ６上に第２配線層からなるクロック以外の端子（第１、第２非クロック端子）Ｔ１、Ｔ２が配置されている。第１、第３、第５横方向配線トラックＲＨ１，ＲＨ３，ＲＨ５上に第２配線層からなるクロック以外の第１、第２、第３信号配線Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３が配置されている。

以上の実施形態３のスタンダードセルＣにおいては、第１非クロック端子Ｔ１と、第２、第３信号配線Ｗ２、Ｗ３とが、クロック端子ＴＣＫが配置されている第４横方向配線トラックＲＨ４を中心とした３つの第３、第４、第５横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ４，ＲＨ５内に配置されているが、セルＣのどちらか一端からクロック端子ＴＣＫまでは３トラック内の領域で端子及び配線が存在しない構造を有する。

したがって、実施形態３のスタンダードセルＣの場合、セル間配線を実施した後の構造は、第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック端子ＴＣＫとそれに接続するクロック配線ＷＣＫに対して、第１、第２シールド配線Ｓ１，Ｓ２を施す場合、同一の第４横方向配線トラックＲＨ４上に第１非クロック端子Ｔ１が配置されているために、クロック配線ＷＣＫが第２、第３信号配線Ｗ２，Ｗ３間に配置されないようにできる。このため、クロック端子ＴＣＫおよびクロック配線ＷＣＫの両側に第１、第２シールド配線（固定電位配線）Ｓ１，Ｓ２を確実に施すことができ、クロック端子ＴＣＫとクロック配線ＷＣＫとに発生するクロストークノイズを低減させる効果が得られる。なお、図３では第２配線層からなる端子および配線が横方向配線トラック上に配置されるセル構造の場合を説明したが、縦方向配線トラック上に配置されるセル構造の場合でも同様の説明ができる。

(実施形態４)
図４は、本発明の実施形態４に係るスタンダードセルを示す。図４（ａ）はセル間配線実施前、図４（ｂ）はセル間配線実施後のスタンダードセルをそれぞれ示す。図４（ａ）に示すセル間配線実施前のスタンダードセルＣを説明すると、ｒはセル枠である。ＲＨ１ないしＲＨ８は第１ないし第８横方向配線トラックであり、縦方向一定間隔で一定の配線幅で横方向に延びている。

Ｐ１，Ｐ２はスタンダードセルＣの縦方向両端側それぞれに配置された、第１配線層からなるＶＤＤとＶＳＳのセル内電源線（固定電位配線）である。

第４横方向配線トラックＲＨ４上に第２配線層からなるクロック端子ＴＣＫが配置されている。

第４、第６横方向配線トラックＲＨ４，ＲＨ６上に第２配線層からなるクロック以外の端子（第１、第２非クロック端子）Ｔ１、Ｔ２が配置されている。

第２、第３、第５横方向配線トラックＲＨ２，ＲＨ３，ＲＨ５上に第２配線層からなるクロック以外の第１、第２、第３信号配線Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３が配置されている。

第３、第５横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ５上に第２配線層からなる第１、第２クロック配線ＷＣＫ１，ＷＣＫ２または第１、第２浮遊電位配線Ｆ１，Ｆ２または第１、第２固定電位配線（シールド配線）Ｓ１，Ｓ２が配置されている。

これらは図４では第３横方向配線トラックＲＨ３上は（Ｆ１，Ｓ１，ＷＣＫ１）で、第５横方向配線トラックＲＨ５上は（Ｆ２，Ｓ２，ＷＣＫ２）で示している。

以上の実施形態４のスタンダードセルＣにおいては、セル間配線実施後は、図４図（ｂ）に示すように、クロック端子ＴＣＫに対向する部分に第１、第２クロック配線ＷＣＫ１，ＷＣＫ２が配置されている場合、第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック端子ＴＣＫには、同第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック配線ＷＣＫが接続され、また第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック端子ＴＣＫに対向して配置された第３、第５横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ５上のクロック配線ＷＣＫ１，ＷＣＫ２にも同配線層のクロック配線ＷＣＫ１１，ＷＣＫ１２が接続される。このとき、前者のクロック配線ＷＣＫと後者のクロック配線ＷＣＫ１１，ＷＣＫ１２は同配線層であり、且つ同電位であり、同タイミングで電位が変化する。よって、後者のクロック配線ＷＣＫ１１，１２がシールド配線と同等の役割を果たし、前者の第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック配線ＷＣＫとクロック端子ＴＣＫに発生するクロストークノイズを低減させることができる。また、第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック端子ＴＣＫに対向する配線に浮遊電位配線Ｆ１，Ｆ２や固定電位配線（シールド配線）Ｓ１，Ｓ２が配置されている場合についても、第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック端子ＴＣＫと同タイミングで電位が変化しないが、第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック端子ＴＣＫとそれに接続するクロック配線ＷＣＫに発生するクロストークノイズを低減させることができる。なお、図４では第２配線層からなる端子および配線が横方向配線トラック上に配置されるセル構造の場合を説明したが、縦方向配線トラック上に配置されるセル構造の場合でも同様の説明ができる。

(実施形態５)
図５は、本発明の実施形態５に係るスタンダードセルを示す。図５（ａ）はセル間配線実施前、図５（ｂ）はセル間配線実施後それぞれのスタンダードセルＣを示す。図５（ａ）に示すセル間配線実施前のスタンダードセルＣを説明すると、ｒはセル枠である。

ＲＨ１ないしＲＨ８は第１ないし第８横方向配線トラックであり、縦方向一定間隔で一定の配線幅で横方向に延びている。

Ｐ１，Ｐ２はスタンダードセルＣの縦方向両端側それぞれに配置された、第１配線層からなるＶＤＤとＶＳＳのセル内電源線（固定電位配線）である。

第４横方向配線トラックＲＨ４上に第２配線層からなるクロック端子ＴＣＫが配置されている。

第３、第５横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ５上に第２配線層からなるクロック以外の端子（第１、第２スキャン信号／スキャン切替信号端子）ＴＳＣ１，ＴＳＣ２がクロック端子ＴＣＫと対向配置されている。

第２横方向配線トラックＲＨ２上に第２配線層からなるクロック以外の信号配線Ｗが配置されている。

スキャン信号／スキャン切替信号端子ＴＳＣ１，ＴＳＣ２には、スキャンテスト時以外は、常時、Ｈレベル（高値）もしくはＬレベル（低値）に固定されるスキャン切替用の入力端子か、またはスキャンテスト時以外Ｈレベル、Ｌレベルどちらの電位を入力しても回路動作に影響のないスキャン入力端子を用いる。

以上の構成を備えた実施形態５のスタンダードセルＣにおいては、セル間配線を実施した後の構造を示す図５（ｂ）で示すように、第１、第２スキャン信号／スキャン切替信号端子ＴＳＣ１，ＴＳＣ２にそれらの第１、第２信号配線ＷＳＣ１，ＷＳＣ２が接続されることにより、第４横方向配線トラックＲＨ４上のクロック端子ＴＣＫとそのクロック配線ＷＣＫとに対してシールド配線の役割を果たし、クロック端子ＴＣＫとクロック配線ＷＣＫに発生するクロストークノイズを低減させることができる。

第１、第２スキャン信号／スキャン切替信号端子ＴＳＣ１，ＴＳＣ２およびそれらの第１、第２信号配線ＷＳＣ１，ＷＳＣ２については、スキャン切替用の入力端子やスキャン入力端子に限らず、回路の通常動作時に電位がＨレベル、Ｌレベルどちらかに固定しても回路動作上、影響がないような入力端子または配線であれば、上記と同様、クロストークノイズ低減の効果が得られる。なお、実施形態５は、縦方向配線トラックＲＶ上に配置されるセル構造の場合でも同様の説明ができる。

(実施形態６)
図６は、本発明の実施形態６に係るスタンダードセルを示す。図６（ａ）はセル間配線実施前、図６（ｂ）はセル間配線実施後それぞれのスタンダードセルＣを示す。

図６（ａ）に示すセル間配線実施前のスタンダードセルＣを説明すると、ｒはセル枠である。

ＲＨ１ないしＲＨ８は第１ないし第８横方向配線トラックであり、縦方向一定間隔で一定の配線幅で横方向に延びている。Ｐ１，Ｐ２はスタンダードセルＣの縦方向両端側それぞれに配置された、第１配線層からなるＶＤＤとＶＳＳのセル内電源線（固定電位配線）である。

第１横方向配線トラックＲＨ１上に第２配線層からなるクロック端子ＴＣＫが配置されている。

第４横方向配線トラックＲＨ４上に第２配線層からなるクロック以外の端子(非クロック端子)Ｔが配置されている。

第３、第５横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ５上に第２配線層からなるクロック以外の第１、第２信号配線Ｗ１，Ｗ２が配置されている。

以上の構成を備えた実施形態６のスタンダードセルＣは、クロック端子ＴＣＫは電源線Ｐ１の１つ隣の横方向配線トラックＲＨ１上に配置され、かつ、クロック端子ＴＣＫのもう片方の横配線トラックＲＨ３を空き領域として設ける構造である。

実施形態６のスタンダードセルＣは、セル間配線実施後は、図６（ｂ）に示すように、クロック端子ＴＣＫの片側に電源線Ｐ１がすでに配置されているため、もう一方の片側にシールド配線Ｓを施すことができれば、クロック端子ＴＣＫの両側の配線トラックに対してシールド配線を施したことと同様の効果が得られ、クロック端子ＴＣＫと、クロック端子ＴＣＫに接続されたクロック配線ＷＣＫに発生するクロストークノイズを低減させることができる。

(実施形態７)
図７は、本発明の実施形態７に係るスタンダードセルを示す。図７（ａ）はセル間配線実施前、図７（ｂ）はセル間配線実施後それぞれのスタンダードセルＣを示す。

図７（ａ）に示すセル間配線実施前のスタンダードセルＣを説明すると、ｒはセル枠である。

ＲＶ１ないしＲＶ６は第１ないし第６縦方向配線トラック、ＲＨ１ないしＲＨ８は第１ないし第８横方向配線トラックである。

Ｐ１，Ｐ２はスタンダードセルＣの縦方向両端側それぞれに配置された、第１配線層からなるＶＤＤとＶＳＳのセル内電源線（固定電位配線）である。

第４横方向配線トラックＲＨ４上に第２配線層からなるクロック端子ＴＣＫが配置されている。

第２横方向配線トラックＲＨ２上に第２配線層からなるクロック以外の端子Ｔが配置されている。

第３、第６横方向配線トラックＲＨ３，ＲＨ６上に第２配線層からなるクロック以外の第１、第２信号配線Ｗ１，Ｗ２が配置されている。

以上の構成を備えた実施形態７のスタンダードセルＣは、セル間配線実施後を図７（ｂ）に示す。図７（ｂ）のスタンダードセルＣでは、クロック配線ＷＣＫは、クロック端子ＴＣＫと接続される第３配線層からなり第３縦方向配線トラックＲＶ３上に配置される。第３配線層は縦方向配線トラックＲＶ１ないしＲＶ６上に配置される。第３配線層であるクロック配線ＷＣＫと第２配線層である信号配線Ｗ１，Ｗ２とはビアＶ１，Ｖ２を介して接続される。ビアＶ１，Ｖ２は、横方向配線トラックＲＨ２，ＲＨ４と縦方向配線トラックＲＶ３，ＲＶ５とが交わった箇所に配置される。クロック端子ＴＣＫと非クロック端子Ｔとは十分に離れている。

実施形態７のスタンダードセルＣにおいては、第２配線層のクロック端子ＴＣＫに接続される第３配線層のクロック配線ＷＣＫの１つ両隣の第２、第４縦方向配線トラックＲＶ２，ＲＶ４を空き領域として確保でき、その空き領域に第３配線層からなる第１、第２シールド配線Ｓ１，Ｓ２を施すことが可能となり、クロック配線ＷＣＫに発生するクロストークノイズを低減させることができる。

なお、第２配線層からなる配線が縦方向配線トラック上に配置され、第３配線層からなる端子および配線が横方向配線トラック上に配置されるセル構造の場合でも同様の説明ができる。

本発明は、半導体集積回路内に発生するクロストークノイズがスタンダードセルに与える影響を低減することができ、半導体集積回路の誤動作の防止や設計マージンの削減に効果がある。

図１（ａ）はセル間配線実施前の本発明の実施形態１に係るスタンダードセルの構成図、図１（ｂ）はセル間配線実施後の実施形態１に係るスタンダードセルの構成図である。 図２（ａ）はセル間配線実施前の本発明の実施形態２に係るスタンダードセルの構成図、図２（ｂ）はセル間配線実施後の実施形態２に係るスタンダードセルの構成図である。 図３（ａ）はセル間配線実施前の本発明の実施形態３に係るスタンダードセルの構成図、図３（ｂ）はセル間配線実施後の実施形態３に係るスタンダードセルの構成図である。 図４（ａ）はセル間配線実施前の本発明の実施形態４に係るスタンダードセルの構成図、図４（ｂ）はセル間配線実施後の実施形態４に係るスタンダードセルの構成図である。 図５（ａ）はセル間配線実施前の本発明の実施形態５に係るスタンダードセルの構成図、図５（ｂ）はセル間配線実施後の実施形態５に係るスタンダードセルの構成図である。 図６（ａ）はセル間配線実施前の本発明の実施形態６に係るスタンダードセルの構成図、図６（ｂ）はセル間配線実施後の実施形態６に係るスタンダードセルの構成図である。 図７（ａ）はセル間配線実施前の本発明の実施形態７に係るスタンダードセルの構成図、図７（ｂ）はセル間配線実施後の実施形態７に係るスタンダードセルの構成図である。 図８（ａ）はセル間配線実施前の従来技術に係るスタンダードセルの構成図、図８（ｂ）はセル間配線実施後の従来技術に係るスタンダードセルの構成図である。

符号の説明

ＲＶ１ないしＲＶ６ 縦方向配線トラック
ＲＨ１ないしＲＨ８ 横方向配線トラック
Ｔ１，Ｔ２ クロック以外の端子
ＴＣＫ クロック端子
ＷＣＫ クロック配線
Ｗ１，Ｗ２ クロック以外の信号配線
Ｓ１，Ｓ２ シールド配線

Claims (14)

1. 一方向に延びかつ一定の配線間隔で並ぶ複数の配線トラックを備えたスタンダードセルにおいて、少なくとも１つの配線トラック上にクロック端子が配置され、かつ、この配線トラックから少なくとも１つ隣りの配線トラックが空き領域とされている、ことを特徴とするスタンダードセル。
2. 一方向に延びかつ一定の配線間隔で並ぶ複数の配線トラックを備えたスタンダードセルにおいて、少なくとも１つの配線トラック上にクロック端子が配置され、かつ、この配線トラックから１つ両隣りの配線トラックが空き領域とされている、ことを特徴とするスタンダードセル。
3. 上記空き領域に対して、シールド配線がクロック端子とこれのクロック配線と併走配線されている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のスタンダードセル。
4. 上記シールド配線には信号配線とは異なる電位が印加可能になっている、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のスタンダードセル。
5. 上記シールド配線は当該スタンダードセルの上記一方向両端にまで存在することを特徴とする請求項１ないし４いずれかに記載のスタンダードセル。
6. 上記シールド配線とクロック端子とクロック配線と信号配線は、セル内配線で主に使用される第１配線層より一つ上層の第２配線層からなる、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のスタンダードセル。
7. 上記シールド配線とクロック配線は、セル内配線で主に使用される配線層より二つ上層の第３配線層からなる、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のスタンダードセル。
8. 第２配線層と第３配線層は方向が異なる配線トラック上に配置され、これらはビアを介して接続される、ことを特徴とする請求項７に記載のスタンダードセル。
9. 上記シールド配線は固定電位配線であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のスタンダードセル。
10. 上記シールド配線は浮遊電位配線であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のスタンダードセル。
11. 上記シールド配線はクロック配線と同電位であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載のスタンダードセル。
12. 上記クロック配線の存在する配線トラック上に信号配線が存在することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のスタンダードセル。
13. 上記信号配線は当該スタンダードセルのスキャン切替信号配線かまたはスキャン入力信号配線であって、上記クロック配線の１つ隣の配線トラックに配置されていることを特徴とする請求項１２に記載のスタンダードセル。
14. 複数のスタンダードセルを有する半導体集積回路において、上記スタンダードセルを請求項１ないし１３のいずれかに記載のスタンダードセルで構成した、ことを特徴とする半導体集積回路。

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