JP2007142389A - 三波長持ちｌｅｄの構造 - Google Patents

三波長持ちｌｅｄの構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2007142389A
JP2007142389A JP2006290703A JP2006290703A JP2007142389A JP 2007142389 A JP2007142389 A JP 2007142389A JP 2006290703 A JP2006290703 A JP 2006290703A JP 2006290703 A JP2006290703 A JP 2006290703A JP 2007142389 A JP2007142389 A JP 2007142389A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
led die
die
led
blue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006290703A
Other languages
English (en)
Inventor
Ko-Shin Lee
李克新
Tseng-Bao Sun
孫▲そう▼保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
iLED Photoelectronics Inc
Original Assignee
iLED Photoelectronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by iLED Photoelectronics Inc filed Critical iLED Photoelectronics Inc
Publication of JP2007142389A publication Critical patent/JP2007142389A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】異なる色暖かさを持つ白色に調整可能であり、マイグレーション顔色の光線を発生可能であり、且つ光線の顔色を一定範囲内に変調可能である三波長持ちLEDの構造を提供する。
【解決手段】一つの基板と、少なくとも一つのプリント回路層と、少なくとも一つの青色LEDダイと、少なくとも一つの緑色LEDダイと、赤色蛍光層とを含む三波長持ちLEDの構造において、前記プリント回路層は、前記基板の表面に設置され、前記青色LEDダイは、前記基板とプリント回路層との表面に設置され、前記プリント回路層と電気的に連接し、前記緑色LEDダイは、前記基板とプリント回路層との表面に設置され、前記青色LEDダイと接触しなく、前記プリント回路層と電気的に連接し、前記赤色蛍光層は、電磁波の波長を転換可能な化学物質を有し、前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとを覆って両者から射出した光線の波長を別の波長に転換する。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光ダイオードに係り、特に、三波長持ちLEDの構造に関するものである。
発光ダイオード電球は、広汎に使用される高能率発光素子であり、図１に示すのは従来の電球タイプ単色LEDのパッケージ構造であり、この構造において、リード支持枠１０の端部に成形されたダイコップ１０１内には単色LEDダイ１１が設けてあり、前記単色LEDダイ１１は一つのリードを介して他のリード支持枠１３と物理的且つ電気的に連接する。前記ダイコップ１０１内に光線透過可能な樹脂１４を充填することにより単色LEDダイ１１が前記樹脂１４に覆われて、パッケージ用ゲル１５により、それらをパッケージすると電球タイプ単色LEDが完成した。
上記の電球タイプ単色LEDは、ダイを光源とするので、LEDの物理特性の制限で単一波長の光線しか発光できなく、他の波長の光線を発光しようとする場合には複数のダイを使用することが必要になり、且つ複数の波長の光線の組合原理により、赤色と青色と緑色とのLEDを組合っても均一の白色光線が形成できないので、LEDの応用可能な範囲が限定された。
LEDダイの物理特性を基にしてLEDダイの上面を覆った樹脂を転換層とする構造は、前記樹脂の中に波長を転換する化学物質を添加することにより、LEDが樹脂内の化学物質との顔色混合または吸収転換によって顔色が転換され、だから、LEDは多種類の顔色の光線の光源として使用されるようになり、且つ製品が微細化になる現在では、表面粘着技術もLEDの製造プロセスに導入され、これにより、LEDのパッケージ構造は微細化になった。
図２に示すのは表面粘着技術によって作製された白色LEDのパッケージ構造である。この構造は、一つのベース体１６の周囲に互いに対応した導電層１７，１８が設置され、前記導電層１７の上で青色LEDダイ１９を設置して、２本の溶接用ワイヤ２０，２１により前記青色LEDダイ１９を二つの導電層１７，１８とそれぞれ物理的且つ電気的に連接する。黄色蛍光剤が混入された樹脂２２で前記青色LEDダイ１９の上面を覆って、パッケージ用ゲル２３により、それらをパッケージすると、白色LEDのパッケージ構造が完成された。
図２に示す白色LEDのパッケージ構造は青色LEDダイを光源とし、黄色蛍光剤が混入された樹脂２２により光線を青色に転換し、だから、このパッケージ構造は白色の光線を射出し、白色の光線の光源として使用することができ、且つその本来の顔色は青色であり、前記樹脂の蛍光層の隙間から若干の青色の光線が射出するので、純粋な白色の光線が形成され、これにより、LEDの適用可能な分野が更に拡大になった。
しかしながら、従来のLED技術は、視覚効果によって青色と黄色を混合して白色の光線に形成するだけであり、赤色の光線の成分がないので、製品を作製した後に光線の顔色を変更できなく、また、図５に示すように、従来の白色LEDのパッケージ構造の光線の暖かさの調整が不完全であり、特に、3500K以下の暖かい色にすることができず、だから、暮らしの白色の光源として使用することができない。
だから、この技術分野において、LEDが作製された後にLEDの色暖かさが微調整でき、且つ赤光と緑光と青光との使用により純粋な白光を形成可能なLEDが要求される。
本発明の主な目的は、異なる色暖かさを持つ白色に調整可能な三波長持ちLEDの構造を提供する。
本発明の次の目的は、マイグレーション顔色の光線を発生可能な三波長持ちLEDの構造を提供する。
本発明の別の目的は、光線の顔色を一定範囲内に変調可能な三波長持ちLEDの構造を提供する。
上記目的を達成するためになされた本願の発明は、一つの基板と、少なくとも一つのプリント回路層と、少なくとも一つの青色LEDダイと、少なくとも一つの緑色LEDダイと、赤色蛍光層とを含む三波長持ちLEDの構造において、前記プリント回路層は、前記基板の表面に設置され、前記青色LEDダイは、前記基板とプリント回路層との表面に設置され、前記プリント回路層と電気的に連接し、前記緑色LEDダイは、前記基板とプリント回路層との表面に設置され、前記青色LEDダイと接触しなく、前記プリント回路層と電気的に連接し、前記赤色蛍光層は、電磁波の波長を転換可能な化学物質を有し、前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとを覆って両者から射出した光線の波長を別の波長に転換することを特徴とする三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記青色LEDダイの波長は420〜475nmであることを特徴とする請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記緑色LEDダイの波長は495〜550nmであることを特徴とする請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記赤色蛍光層の化学物質は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+又はユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）のうちの何れか一つを採用することを特徴とする請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩は、Ca2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などの化学物質であることを特徴とする請求項４に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、更に、光線透過可能なパッケージ用ゲルを含み、前記パッケージ用ゲルは、基板の上で位置し、前記青色LEDダイと緑色LEDダイと赤色蛍光層とを覆うことを特徴とする請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、二つのリード支持枠と、少なくとも一つの青色LEDダイと、少なくとも一つの緑色LEDダイと、複数の溶接用ワイヤと、赤色蛍光層とを含む三波長持ちLEDの構造において、前記青色LEDダイは、ダイコップ内に設置され、前記緑色LEDダイは、ダイコップ内に設置され、前記青色LEDダイと接触しなく、前記溶接用ワイヤは、前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとの上でそれぞれ設置され、第二リード支持枠と物理的且つ電気的に連接し、前記赤色蛍光層は、電磁波の波長を転換可能な化学物質を有し、ダイコップに充填されて前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとを覆って両者から射出した光線の波長を別の波長に転換することを特徴とする三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記青色LEDダイの波長は420〜475nmであることを特徴とする請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記緑色LEDダイの波長は495〜550nmであることを特徴とする請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記赤色蛍光層の化学物質は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+又はユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）のうちの何れか一つを採用することを特徴とする請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩は、Ca2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などの化学物質であることを特徴とする請求項１０に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、更に、光線透過可能なパッケージ用ゲルを含み、前記パッケージ用ゲルは、二つのリード支持枠と、ダイコップと、赤色蛍光層とを覆うことを特徴とする請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、一つの台座と、一つの導電手段と、少なくとも一つの青色LEDダイと、少なくとも一つの緑色LEDダイと、赤色蛍光層とを含む三波長持ちLEDの構造において、前記導電手段は、前記台座の上で設置され、前記青色LEDダイは、前記台座と導電手段との上で設置され、前記導電手段と電気的に連接し、前記緑色LEDダイは、前記台座と導電手段との上で設置され前記導電手段と電気的に連接し、前記青色LEDダイと接触しなく、前記赤色蛍光層は、電磁波の波長を転換可能な化学物質を有し、前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとを覆うことを特徴とする三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記青色LEDダイの波長は420〜475nmであることを特徴とする請求項１３に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記緑色LEDダイの波長は495〜550nmであることを特徴とする請求項１３に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記赤色蛍光層の化学物質は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+又はユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）のうちの何れか一つを採用することを特徴とする請求項１３に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩は、Ca2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などの化学物質であることを特徴とする請求項１６に記載の三波長持ちLEDの構造であることを要旨としている。
本発明に係る三波長持ちLEDの構造によれば、異なる色暖かさを持つ白色に調整可能であり、マイグレーション顔色の光線を発生可能であり、且つ光線の顔色を一定範囲内に変調可能である効果がある。
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
図３に示すのは本発明に係る三波長持ちLEDの構造を電球タイプLEDのパッケージ構造に適用したことを示す概略図である。
図３と図６に示すように、本実施例は、一つのリード支持枠２４の端部に形成したダイコップ２４１内に、波長420〜475nmの青色LEDダイ２５と、波長495〜550nmの緑色LEDダイ２６とを設置し、溶接用ワイヤ２７，２８により前記二つのLED２５，２６が他のリード支持枠２９と電気的に連接する。
次に、赤色蛍光層３０をダイコップ２４１に注入して前記二つのLEDダイ２５，２６を覆い、前記赤色蛍光層３０は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+、又はCa2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などのユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）の混合ゲル（例えばエポキシ又は珪素樹脂など）で構成されたものであり、赤色蛍光層３０が前記二つのLEDダイ２５，２６の一部の波長を吸収し、すなわち、CaS:Eu2+が波長420〜570nmの光線を吸収して波長ピーク値が655 nmの赤光を射出し、SrS:Eu2+が波長400〜530nmの光線を吸収して波長ピーク値が625 nmの赤光を射出し、なお、ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩が波長300〜550nmの光線を吸収して波長ピーク値が600〜700 nmの赤光を射出する。次に、光線透過可能なパッケージ用ゲル３１によってパッケージを実施すると電球タイプLEDのパッケージ構造が完成した。
図４に示すのは本発明に係る三波長持ちLEDの構造を表面粘着タイプLEDのパッケージ構造に適用した実施例を示す概略図である。
本実施例は、プリント回路層３３が設けられた基板３２の上で波長420〜475nmの青色LEDダイ２５と、波長495〜550nmの緑色LEDダイ２６とを設置し、溶接用ワイヤ２７，２８により前記二つのLED２５，２６がプリント回路層３３とそれぞれ電気的に連接する。
次に、前記二つのLED２５，２６の上面に赤色蛍光層３０を塗布し、前記赤色蛍光層３０は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+、又はCa2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などのユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）の混合ゲル（例えばエポキシ又は珪素樹脂など）で構成されたものであり、赤色蛍光層３０が前記二つのLEDダイ２５，２６の一部の波長を吸収し、すなわち、CaS:Eu2+が波長420〜570nmの光線を吸収して波長ピーク値が655 nmの赤光を射出し、SrS:Eu2+が波長400〜530nmの光線を吸収して波長ピーク値が625 nmの赤光を射出し、なお、ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩が波長300〜550nmの光線を吸収して波長ピーク値が600〜700 nmの赤光を射出する。次に、光線透過可能なパッケージ用ゲル３４によってパッケージを実施すると表面粘着タイプLEDのパッケージ構造が完成した。
本発明に係る三波長持ちLEDの構造は、赤色蛍光層内の化学物質によって青色LEDダイと緑色LEDダイとから射出した青光および緑光を吸収し、前記化学物質が青光および緑光を吸収した後に波長600〜700 nmの赤光を射出し、前記赤光が青光および緑光と混合した後、白光が形成される。
青色LEDダイと緑色LEDダイの電気特性が一致であり、両者の順方向電圧（Vf）および電流もほぼ同じなので、一つの駆動回路により青色LEDダイと緑色LEDダイを制御することができ、本発明を白光LEDにしようとする場合には、本発明に係る三波長持ちLEDの構造における青色LEDダイと緑色LEDダイとの数量を調整し、例えば青色LEDダイ対緑色LEDダイの数量比例を、１対３、１対２、１対１、２対１、３対１などにして、赤色蛍光剤の化学物質の混入量に合わせて、色暖かさを2500K〜7000Kの範囲内に調整することができる。また、この構造で発生した白光が赤光と青光と緑光とから構成されるので、本発明の実用価値は更に向上する。
青色LEDダイと緑色LEDダイとの駆動回路を別々に設けて、各LEDダイの電流の大きさを別々に調整する場合には、操作電流の増加または減少がCIE座標（CIE coordinate）のフローティングの原因になり、LEDパッケージ構造が作製する時に赤色蛍光剤内の化学物質の含有量を微調整すると、青光と、緑光と、青光と緑光とで化学物質を励起して発生した光線は、やや赤色や青色や緑色に寄ってマイグレーション顔色の光線が発生可能になり、且つ青色LEDダイと緑色LEDダイとを通過する駆動電流のタイミングを変化すると、時間に従って変化するCIE座標フローティング現象が発生し、このCIE座標フローティング現象により、光線の顔色を一定範囲内に変調可能のLEDが作製できる。そのメリットは、異なる回路設計によって青色LEDダイと緑色LEDダイとの発光方式を制御することにより、本発明に係る三波長持ちLEDを作成した後にも、LEDは、異なる顔色の光線を発生し、又は発光タイミングを変更することができ、だから、本発明は高度の汎用性を持つ。
従来の電球タイプ単色LEDのパッケージ構造を示す概略図である。 従来の表面粘着タイプ白色LEDのパッケージ構造を示す概略図である。 本発明に係る三波長持ちLEDの構造を電球タイプLEDのパッケージ構造に適用したことを示す概略図である。 本発明に係る三波長持ちLEDの構造を表面粘着タイプLEDのパッケージ構造に適用したことを示す概略図である。 従来（日本アジア化学株式会社）の白色ＬＥＤにより発生する白色のスペクトルを示すグラフである。 本発明の三波長持ちＬＥＤにより発生する白色のスペクトルを示すグラフである。
符号の説明
１０ リード支持枠
１０１ ダイコップ
１１ 単色LEDダイ
１２ リード
１３ リード支持枠
１４ 光透過可能樹脂
１５ パッケージ用ゲル
１６ ベース体
１７，１８ 導電層
１９ 青色LEDダイ
２０，２１ 溶接用ワイヤ
２２ 黄色蛍光剤持ち樹脂
２３ パッケージ用ゲル
２４ リード支持枠
２４１ ダイコップ
２５ 青色LEDダイ
２６ 緑色LEDダイ
２７，２８ 溶接用ワイヤ
２９ リード支持枠
３０ 赤色蛍光層
３１ パッケージ用ゲル
３２ 基板
３３ プリント回路層
３４ パッケージ用ゲル

Claims (17)

  1. 一つの基板と、少なくとも一つのプリント回路層と、少なくとも一つの青色LEDダイと、少なくとも一つの緑色LEDダイと、赤色蛍光層とを含む三波長持ちLEDの構造において、
    前記プリント回路層は、前記基板の表面に設置され、
    前記青色LEDダイは、前記基板とプリント回路層との表面に設置され、前記プリント回路層と電気的に連接し、
    前記緑色LEDダイは、前記基板とプリント回路層との表面に設置され、前記青色LEDダイと接触しなく、前記プリント回路層と電気的に連接し、
    前記赤色蛍光層は、電磁波の波長を転換可能な化学物質を有し、前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとを覆って両者から射出した光線の波長を別の波長に転換することを特徴とする、
    三波長持ちLEDの構造。
  2. 前記青色LEDダイの波長は420〜475nmであることを特徴とする、請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造。
  3. 前記緑色LEDダイの波長は495〜550nmであることを特徴とする、請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造。
  4. 前記赤色蛍光層の化学物質は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+又はユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）のうちの何れか一つを採用することを特徴とする、請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造。
  5. 前記ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩は、Ca2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などの化学物質であることを特徴とする、請求項４に記載の三波長持ちLEDの構造。
  6. 更に、光線透過可能なパッケージ用ゲルを含み、前記パッケージ用ゲルは、基板の上で位置し、前記青色LEDダイと緑色LEDダイと赤色蛍光層とを覆うことを特徴とする、請求項１に記載の三波長持ちLEDの構造。
  7. 二つのリード支持枠と、少なくとも一つの青色LEDダイと、少なくとも一つの緑色LEDダイと、複数の溶接用ワイヤと、赤色蛍光層とを含む三波長持ちLEDの構造において、
    前記青色LEDダイは、ダイコップ内に設置され、
    前記緑色LEDダイは、ダイコップ内に設置され、前記青色LEDダイと接触しなく、
    前記溶接用ワイヤは、前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとの上でそれぞれ設置され、第二リード支持枠と物理的且つ電気的に連接し、
    前記赤色蛍光層は、電磁波の波長を転換可能な化学物質を有し、ダイコップに充填されて前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとを覆って両者から射出した光線の波長を別の波長に転換することを特徴とする、三波長持ちLEDの構造。
  8. 前記青色LEDダイの波長は420〜475nmであることを特徴とする、請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造。
  9. 前記緑色LEDダイの波長は495〜550nmであることを特徴とする、請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造。
  10. 前記赤色蛍光層の化学物質は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+又はユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）のうちの何れか一つを採用することを特徴とする、請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造。
  11. 前記ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩は、Ca2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などの化学物質であることを特徴とする、請求項１０に記載の三波長持ちLEDの構造。
  12. 更に、光線透過可能なパッケージ用ゲルを含み、前記パッケージ用ゲルは、二つのリード支持枠と、ダイコップと、赤色蛍光層とを覆うことを特徴とする、請求項７に記載の三波長持ちLEDの構造。
  13. 一つの台座と、一つの導電手段と、少なくとも一つの青色LEDダイと、少なくとも一つの緑色LEDダイと、赤色蛍光層とを含む三波長持ちLEDの構造において、
    前記導電手段は、前記台座の上で設置され、
    前記青色LEDダイは、前記台座と導電手段との上で設置され、前記導電手段と電気的に連接し、
    前記緑色LEDダイは、前記台座と導電手段との上で設置され前記導電手段と電気的に連接し、前記青色LEDダイと接触しなく、
    前記赤色蛍光層は、電磁波の波長を転換可能な化学物質を有し、前記青色LEDダイと前記緑色LEDダイとを覆うことを特徴とする、三波長持ちLEDの構造。
  14. 前記青色LEDダイの波長は420〜475nmであることを特徴とする、請求項１３に記載の三波長持ちLEDの構造。
  15. 前記緑色LEDダイの波長は495〜550nmであることを特徴とする、請求項１３に記載の三波長持ちLEDの構造。
  16. 前記赤色蛍光層の化学物質は、CaS:Eu2+、SrS:Eu2+又はユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩（Nitridosilicates）のうちの何れか一つを採用することを特徴とする、請求項１３に記載の三波長持ちLEDの構造。
  17. 前記ユーロピウムで励起されたニトリド珪酸塩は、Ca2Si5N7:Eu、Ca2Si5N8:Eu2+などの化学物質であることを特徴とする、請求項１６に記載の三波長持ちLEDの構造。
JP2006290703A 2005-11-16 2006-10-26 三波長持ちｌｅｄの構造 Pending JP2007142389A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094140351A TW200721526A (en) 2005-11-16 2005-11-16 LED structure with three wavelength

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007142389A true JP2007142389A (ja) 2007-06-07

Family

ID=38039823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006290703A Pending JP2007142389A (ja) 2005-11-16 2006-10-26 三波長持ちｌｅｄの構造

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070108455A1 (ja)
JP (1) JP2007142389A (ja)
TW (1) TW200721526A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158296A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Samsung Electronics Co Ltd 白色発光ダイオード
JP2010034183A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
KR20100132968A (ko) * 2008-03-07 2010-12-20 인터매틱스 코포레이션 백색광 방출 다이오드들（ｌｅｄｓ）을 위한 멀티플-칩 여기 시스템들
JP2012069572A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Panasonic Corp 発光モジュール、バックライト装置および表示装置
KR101376456B1 (ko) 2012-11-23 2014-03-19 유니티 옵토 테크노로지 주식회사 백색 ｌｅｄ 모듈
US8740400B2 (en) 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
JP2016063208A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 背面光源に適用できるｌｅｄ発光構造
US9708531B2 (en) 2009-02-26 2017-07-18 Nichia Corporation Fluorescent substance, method of manufacturing the fluorescent substance, and light emitting device using the fluorescent substance
US10529695B2 (en) 2015-08-04 2020-01-07 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight including light-emitting device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090013230A (ko) * 2006-06-02 2009-02-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
KR100771772B1 (ko) * 2006-08-25 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ 모듈
TWI396302B (zh) * 2008-10-29 2013-05-11 Wade Lee Wang 一種製作高演色性及高色飽和度白光二極體光源之方法
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8476844B2 (en) * 2008-11-21 2013-07-02 B/E Aerospace, Inc. Light emitting diode (LED) lighting system providing precise color control
WO2013150891A1 (ja) * 2012-04-03 2013-10-10 スタンレー電気株式会社 ストロボ発光装置
CN102856473B (zh) * 2012-08-17 2015-04-29 上舜照明（中国）有限公司 一种led光源封装调整方法
TWM462822U (zh) * 2013-04-09 2013-10-01 Unity Opto Technology Co Ltd 雙晶片發光二極體
KR102145207B1 (ko) * 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
CN106356368B (zh) * 2016-11-08 2019-05-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点led背光光源结构及显示装置
CN107123642A (zh) * 2017-07-04 2017-09-01 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种红色荧光粉搭配蓝绿芯片串联高色域led灯珠及其背光源
CN109830474B (zh) * 2018-12-17 2023-07-11 江西省晶能半导体有限公司 彩光led芯片制备方法及彩光led灯珠制备方法
CN115119355B (zh) * 2022-08-29 2022-12-27 南昌硅基半导体科技有限公司 一种兼顾定位和照明的高速led器件及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294834A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2001077427A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2005303320A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Genesys Photonics Inc 赤、青および緑の波長の３つの発光スペクトルを有するワンチップｌｅｄ。
JP2005317873A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Sharp Corp 発光ダイオード、照明装置、液晶表示装置および発光ダイオードの駆動方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294834A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2001077427A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2005303320A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Genesys Photonics Inc 赤、青および緑の波長の３つの発光スペクトルを有するワンチップｌｅｄ。
JP2005317873A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Sharp Corp 発光ダイオード、照明装置、液晶表示装置および発光ダイオードの駆動方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158296A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Samsung Electronics Co Ltd 白色発光ダイオード
US9324923B2 (en) 2008-03-07 2016-04-26 Intermatix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
KR20100132968A (ko) * 2008-03-07 2010-12-20 인터매틱스 코포레이션 백색광 방출 다이오드들（ｌｅｄｓ）을 위한 멀티플-칩 여기 시스템들
JP2011513996A (ja) * 2008-03-07 2011-04-28 インテマティックス・コーポレーション 白色光放出ダイオード（ｌｅｄ）の為の複数チップ励起システム
US8567973B2 (en) 2008-03-07 2013-10-29 Intematix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
US8740400B2 (en) 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
US9476568B2 (en) 2008-03-07 2016-10-25 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
KR101641377B1 (ko) 2008-03-07 2016-07-20 인터매틱스 코포레이션 백색광 방출 다이오드들（ｌｅｄｓ）을 위한 멀티플-칩 여기 시스템들
JP2010034183A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
US9708531B2 (en) 2009-02-26 2017-07-18 Nichia Corporation Fluorescent substance, method of manufacturing the fluorescent substance, and light emitting device using the fluorescent substance
JP2012069572A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Panasonic Corp 発光モジュール、バックライト装置および表示装置
JP2014107534A (ja) * 2012-11-23 2014-06-09 Tobai Koden Kagi Kofun Yugenkoshi 白色ｌｅｄモジュール
KR101376456B1 (ko) 2012-11-23 2014-03-19 유니티 옵토 테크노로지 주식회사 백색 ｌｅｄ 모듈
JP2016063208A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 背面光源に適用できるｌｅｄ発光構造
US10529695B2 (en) 2015-08-04 2020-01-07 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight including light-emitting device
US10971481B2 (en) 2015-08-04 2021-04-06 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight including light-emitting device
US11398460B2 (en) 2015-08-04 2022-07-26 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight including light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TW200721526A (en) 2007-06-01
US20070108455A1 (en) 2007-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007142389A (ja) 三波長持ちｌｅｄの構造
JP5274009B2 (ja) 発光装置
US7781783B2 (en) White light LED device
US9209162B2 (en) Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
CN102403429B (zh) 发光装置
JP4350183B2 (ja) 半導体発光装置
US20060097245A1 (en) Light emitting diode component
US20150034980A1 (en) Phosphor led
JP2010034184A (ja) 発光装置
CN102687294A (zh) 包括多个发光器的固态发光器封装
JP2008103709A (ja) 白色発光ダイオード
JP2005136420A (ja) 発光効率が高い発光デバイス
JP2011192738A (ja) 発光装置
JP2010034183A (ja) 発光装置
JP2008071806A (ja) 発光装置
JP2010087267A (ja) Ｌｅｄ発光装置
JP2016523443A (ja) 固体発光体パッケージ、発光デバイス、可撓性ｌｅｄストリップ及び照明器具
EP1850383A1 (en) Three wavelength light emitting diode
JP2005136006A (ja) 発光装置及びそれを用いた演出装置
JP2007005549A (ja) 白色発光ｌｅｄランプ
JP2004327518A (ja) 白色発光装置
JP6405738B2 (ja) 発光装置
KR101493708B1 (ko) 백색 발광 장치
US20050236958A1 (en) White light-emitting device
TWM380580U (en) White LED device

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091026

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100329