JP2007139669A - ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】特定ガスの濃度変化を良好に検出する上で、絶縁性の密着層を介したガス検知層と検出電極との電気的な接続を図り、製造の際の手間を軽減できるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガス検知層4と絶縁被膜層3またはその上部に形成した検出電極6との間に密着層7を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。この密着層7を絶縁性酸化物から構成することで、ガス検知層4の特性に対し影響が生じない。そして、この密着層7の一部を、ガス検知層4を構成する物質の一部が貫通することで(図中点線で囲った部分)、ガス検知層4と検出電極6とが電気的に接続され、特定ガスの濃度変化に応じて変化するガス検知層4の電気的特性が検出される。
【選択図】図5
【解決手段】ガス検知層4と絶縁被膜層3またはその上部に形成した検出電極6との間に密着層7を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。この密着層7を絶縁性酸化物から構成することで、ガス検知層4の特性に対し影響が生じない。そして、この密着層7の一部を、ガス検知層4を構成する物質の一部が貫通することで(図中点線で囲った部分)、ガス検知層4と検出電極6とが電気的に接続され、特定ガスの濃度変化に応じて変化するガス検知層4の電気的特性が検出される。
【選択図】図5
Description
本発明は、金属酸化物半導体を主成分とするガス検知層を有するガスセンサに関するものである。
従来、酸化スズ(SnO2)等の金属酸化物半導体に、例えばプラチナ等の貴金属を触媒として担持させ、被検知ガスによって電気的特性(例えば、抵抗値)が変化することを利用して、被検知ガスの濃度変化を検出するガスセンサが知られている。このようなガスセンサのガス検知層は、その製造工程において、貴金属元素を含む溶液中に金属酸化物半導体粉末を含浸させた後、焼成することにより、貴金属を金属酸化物半導体表面上に分散させた状態で担持させている(例えば特許文献1参照。)。
ところで、金属酸化物半導体に触媒として塩基性金属酸化物を担持させたガス検知層を用いると、硫化水素やメルカプタン類などに起因すると思われる各種の臭い(特に悪臭)に対して高い感度を示すことが知られている(例えば特許文献2参照。)。しかし、塩基性金属酸化物は電気抵抗値が高く、特許文献1のように金属酸化物半導体粉末個々に塩基性金属酸化物を触媒として担持させた場合、ガス検知層自体の電気抵抗値が高くなり、ガスセンサの回路設計は困難となる。そこで、金属酸化物半導体粉末よりなるガス検知層を焼結させた後にその焼結体(ガス検知層)の表面上に塩基性金属酸化物を担持すれば、ガス検知層の電気抵抗値の増加を抑制することができる(例えば特許文献3参照。)。
一方、このようなガスセンサのガス検知層は、常温では被検知ガスに反応せず、例えば200〜400℃に加熱されることで活性化されて被検知ガスに反応する。また、湿気等によってガス検知層の感度が低下する虞がある。このため、ガス検知層が形成される半導体基板等の基体内に発熱抵抗体が設けられ、ガス検知層を加熱することにより、ガス検知層の活性化やヒートクリーニングが行われている。この加熱に伴いガス検知層と基体との剥離が生ずる虞があるが、このような加熱に伴う剥離防止やガス検知層と基体との機械的な密着強度向上を図るため、ガス検知層と基体との間に絶縁性の密着層を形成し、基体に対するガス検知層の密着性を維持する提案がなされている(例えば特許文献4参照)。
特開昭63−279150号公報
特公平6−27719号公報
特公平5−51096号公報
特開2005−164570号公報
しかしながら、特許文献4のように、絶縁性の密着層をガス検知層と基体との間に形成した場合、ガス検知層の電気抵抗値の変化を検出するための検出電極を基体上に設け、その検出電極とガス検知層との電気的な接続を行うには、両者間をワイヤーなどにより別途配線する必要があり、製造工程における工程数が増え、作業の煩雑化を招く虞があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、特定ガスの濃度変化を良好に検出する上で、絶縁性の密着層を介したガス検知層と検出電極との電気的な接続を図り、製造の際の手間を軽減できるガスセンサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明のガスセンサは、基体上に形成されると共に、被検知ガス中の特定ガスの濃度変化に応じて電気的特性が変化する金属酸化物半導体を主成分とするガス検知層を有するガスセンサにおいて、前記ガス検知層と前記基体との間に形成され、絶縁性酸化物からなる密着層と、前記基体と前記密着層との間に介在され、前記ガス検知層における電気的特性の変化を検出するための検出電極とを備え、前記ガス検知層を構成する物質の一部が、前記密着層の一部を貫通し、前記ガス検知層と前記検出電極とが電気的に接続されていることを特徴とする。
また、請求項2に係る発明のガスセンサは、請求項1に記載の発明の構成に加え、前記基体は、板厚方向に開口部が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記開口部に対応する部位に隔壁部を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記隔壁部上に形成される発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層とを備え、前記検出電極、前記密着層および前記ガス検知層は、前記基体の前記保護層上に形成されていることを特徴とする。
また、請求項3に係る発明のガスセンサは、請求項1または2に記載の発明の構成に加え、前記ガス検知層は、金属酸化物半導体に塩基性金属酸化物を添加して構成され、前記塩基性金属酸化物は、前記金属酸化物半導体中にて局在化されていることを特徴とする。
また、請求項4に係る発明のガスセンサ1は、請求項3に記載の発明の構成に加え、前記塩基性金属酸化物が、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類のうち、少なくとも1種の元素から構成されていることを特徴とする。
請求項1に係る発明のガスセンサでは、基体とガス検知層との間に密着層を形成することで、基体に対するガス検知層の密着性を高め、剥離を防止することができる。そして、密着層の一部にガス検知層を構成する物質の一部を貫通させることで、ガス検知層と、密着層と基体との間に介在される検出電極とを電気的に接続させることができる。こうした構成とすれば、ガス検知層の電気的特性に影響を及ぼさない絶縁性物質(絶縁性酸化物)を用いて密着層を形成しながら、検出電極との電気的な接続を容易にかつ良好に図ることができる。
また、請求項2に係る発明のガスセンサでは、ガス検知層を発熱抵抗体と対向するように保護層上に形成しており、この発熱体は、半導体基板に形成された開口部に対応する位置に形成されるため、ガス検知層を効率よく加熱して活性化することができれば、より良好に特定ガスの濃度変化を検出することができる。
また、請求項3に係る発明のガスセンサにおいて、ガス検知層は、金属酸化物半導体に塩基性金属酸化物が添加されて構成されているが、その金属酸化物半導体中にて塩基性金属酸化物が局在化されているので、金属酸化物半導体粉末個々に塩基性金属酸化物を担持させた場合と比べ、ガス検知層は、塩基性金属酸化物による触媒効果を有したまま、全体の電気抵抗値を低下させることができる。これにより、ガス検知層は、特定ガスの濃度変化に応じて変化する電気的特性の変化の範囲を大きくすることができるので、ガス検知層の特定ガスに対する感度を大きくすることができる。また、ガス検知層に流れる電流ないし印加される電圧の大きさを小さくしても十分に特定ガスの濃度変化を検出できるので、ガスセンサの回路設計を容易なものとすることができる。
また、請求項4に係る発明のガスセンサでは、ガス検知層に添加される塩基性金属酸化物が、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類のうち、少なくとも1種の元素から構成されているので、家畜臭、肥料臭などのいわゆる農業臭に対する感度を高めることができ、このような臭気の検出を良好に行うことができる。
以下、本発明を具体化したガスセンサの一実施の形態について、図面を参照して説明する。まず、図1〜図4を参照して、ガスセンサ1の構造について説明する。図1は、ガスセンサ1の部分断面図である。図2は、ガスセンサ1の発熱抵抗体コンタクト部9付近の部分断面図である。図3は、ガス検知層4付近の部分拡大断面図である。また、図4は、ガスセンサ1をガス検知層4が形成された側から平面視した平面図である。
ガスセンサ1は、図4に示すように、平面視矩形状のセンサで、図1,図2に示すように、シリコン基板2の表裏両面上に絶縁被膜層3が形成され、一方の面の絶縁被膜層3上に密着層7およびガス検知層4が形成された構造を有する。ガスセンサ1は、被検知ガス中の特定ガスによって自身の電気的特性が変化することで、ガス検知を行う。ここで被検知ガスは家畜臭、肥料臭などのいわゆる農業臭であり、一例としてアンモニアをはじめとし、硫化水素、二硫化メチル、メチルメルカプタン、トリメチルアミンなど、検知対象となる特定ガスが含まれる臭気である。なお、シリコン基板2が、本発明における「半導体基板」に相当し、シリコン基板2および絶縁被膜層3が、本発明における「基体」に相当する。
絶縁被膜層3はシリコン基板2の一方の面上に形成された絶縁層31,32,33および保護層34と、他方の面上に形成された絶縁層35,36とから構成される。絶縁層31,35は酸化ケイ素(SiO2)からなり、シリコン基板2を挟むように、その厚み方向両側の面上にそれぞれ形成されている。この絶縁層31,35のそれぞれの外側の面上には、窒化ケイ素(Si3N4)からなる絶縁層32,36がそれぞれ形成されている。また、絶縁層32の外側の面上には酸化ケイ素からなる絶縁層33が形成され、さらにその外側の面上に、窒化ケイ素からなる保護層34が形成されている。
絶縁層33内には、発熱抵抗体5が埋設されている。また絶縁層33には、発熱抵抗体5に接続され発熱抵抗体5に通電するためのリード部12が埋設されており、図2に示すように、このリード部12の末端にて、外部回路と接続するための発熱抵抗体コンタクト部9が形成されている。発熱抵抗体5およびリード部12は、白金(Pt)層とタンタル(Ta)層から構成された2層構造を有する。また、発熱抵抗体コンタクト部9は、タンタル層および白金層から構成された引き出し電極91の表面上に、金(Au)からなるコンタクトパッド92が形成された構造を有する。なお、発熱抵抗体コンタクト部9は、ガスセンサ1に一対設けられている(図4参照)。
また、図1に示すように、シリコン基板2の絶縁層36が形成されている側の面にはシリコン基板2、絶縁層35および絶縁層36の一部が開口状に除去され、絶縁層31の一部が隔壁部39として露出された開口部21が形成されている。開口部21は、隔壁部39の位置が、平面視、絶縁層33内に埋設された発熱抵抗体5が配置される位置となるように形成されている。
次に図1に示すように、保護層34の表面上には、発熱抵抗体5上に位置するように検出電極6と、検出電極6に通電するためのリード部10(図2参照)とが形成されている。検出電極6およびリード部10は、発熱抵抗体コンタクト部9の引き出し電極91と同様に、保護層34上に形成されるタンタル層と、その表面上に形成された白金層とから構成されている。また図2に示すように、リード部10の末端には、その表面上に金からなるコンタクトパッド11が形成され、外部回路と接続するための酸化物半導体コンタクト部8として構成されている。なお、酸化物半導体コンタクト部8は、ガスセンサ1に一対設けられている(図4参照)。
次に、図1に示すように、隔壁部39に対応する位置の保護層34側の表面上には、検出電極6を覆うようにガス検知層4が形成されている。そして図3に示すように、このガス検知層4と保護層34との間には、密着層7が形成されている。
ガス検知層4は、本実施の形態では金属酸化物半導体としての酸化スズ(SnO2)を主成分とし、農業臭を良好に検知するための触媒として、塩基性金属酸化物としての酸化カルシウム(CaO)が添加された酸化物半導体ペーストをスクリーン印刷法やディップ法などにより塗布し焼成することにより得られる。このとき添加される塩基性金属酸化物は、本実施の形態では酸化カルシウムを用いているが、これに限定されることなく、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類のうち少なくとも1種の元素から構成されていればよく、その含有率は、0.01重量%以上0.5重量%以下の範囲内であることが望ましい。含有率が0.01重量%未満では、良好な農業臭の検知が難しい。一方、塩基性金属酸化物は絶縁性を有するため、含有率が0.5重量%より多いと、ガス検知層4自身の電気抵抗値が大きくなる傾向がある。
なお、この酸化物半導体ペーストは、焼成後のガス検知層4の膜厚が1μm以上500μm以下の厚膜状となるように塗布される。膜厚を1μm以上とするのは、ガス検知層4を、いわゆる厚膜として形成するためである。また、膜厚を500μm以下とするのは、ガス検知層4の熱容量の極端な増加を抑制し、発熱抵抗体5による加熱効果を高めるためである。
また、密着層7は、アルミナ等の絶縁性酸化物を主成分とするゾル溶液をスピンコーティング法やディップ法などにより塗布し、焼成して固化させることにより得られる。焼成前のゾル溶液の性状は、平均粒径が10nm以上20nm以下の範囲内の粒子を分散させたものが好ましい。粒径が10nm未満では、密着層7が非常に薄くなり、その形状が保護層34の表面形状に類似してしまうため密着効果を得られないことがある。一方、粒径が20nmより大きくなると、より平滑な表面構造を有する保護層34に対し、十分な密着効果を得られないことがある。またゾル溶液は、焼成後の密着層7の膜厚がガス検知層4の膜厚の0.05%以上となるように形成されている。0.05%未満であると、密着層7はガス検知層4と保護層34との間で十分な密着性が得られにくい。さらにゾル溶液は、その粘度が低くなるように希釈されている。具体的には、製造の際に、密着層7となるゾル溶液上に塗布されるガス検知層4となる酸化物半導体ペーストの一部がゾル溶液の一部を貫通して、保護層34や保護層34上に形成された検出電極6に接触することができる粘度となるように調製されている。
このような構成のガスセンサ1を製造するにあたり、焼成後にガス検知層4となる酸化物半導体ペーストは、焼成後に密着層7となるゾル溶液上に塗布される。この密着層7は、焼成前において上記したように希釈され、粘度が低くなるように調製されている。このため酸化物半導体ペーストとゾル溶液とが接触した状態では、酸化物半導体ペースト層の重みによりゾル溶液層が圧迫され、粒径の小さいゾル溶液が酸化物半導体ペーストの粒子間に入り込み、表面の凹凸を埋めるように接触面全体に広がる。このとき、酸化物半導体ペーストの一部、すなわちその表面において厚み方向に突出している複数の粒子が、粘度の低いゾル溶液を押し退け貫通し、ゾル溶液が塗布された保護層34の表面や検出電極6の表面に接触する。これにより、ガス検知層4と検出電極6とは、両者間に絶縁性の密着層7を介在させた状態で電気的に接続されることとなる。なお、上記ゾル溶液上に酸化物半導体ペーストを塗布した後に行われる焼成は500℃以上の温度で行われることが望ましい。500℃未満の温度で焼成が行われると、密着層7によるガス検知層4とシリコン基板2との間の密着性が十分に得られず、両者間で剥離が生ずる虞があるからである。
また本実施の形態において、ガス検知層4は、金属酸化物半導体に絶縁性を有する塩基性金属酸化物を添加して粉砕し、粘度を調製することにより酸化物半導体ペーストを作製し、この酸化物半導体ペーストを焼成することにより形成される。こうした工程により形成されるガス検知層4では、図9に示すように、塩基性金属酸化物(例えば酸化カルシウム)の粒子が金属酸化物半導体(例えば酸化スズ)の粒子間に局在化された状態となる。このような構造を有することにより、ガス検知層4は、塩基性金属酸化物による触媒効果を有したまま、金属酸化物半導体に塩基性金属酸化物を担持させた場合と比べガス検知層全体の電気抵抗値を低下させ、感度を向上させることができる。
[実施例1]
上記構造を有するガスセンサ1を、以下の製造工程に従って作製した。なお、作製途中のガスセンサ1の中間体を、基板と称する。
上記構造を有するガスセンサ1を、以下の製造工程に従って作製した。なお、作製途中のガスセンサ1の中間体を、基板と称する。
(1) シリコン基板2の洗浄
まず、厚みが400μmのシリコン基板2を洗浄液中に浸し、洗浄処理を行った。
まず、厚みが400μmのシリコン基板2を洗浄液中に浸し、洗浄処理を行った。
(2) 絶縁層31,35の形成
上記シリコン基板2を熱処理炉に入れ、熱酸化処理にて厚さが100nmの酸化ケイ素層(絶縁層31,35)をシリコン基板2の全面に形成した。
上記シリコン基板2を熱処理炉に入れ、熱酸化処理にて厚さが100nmの酸化ケイ素層(絶縁層31,35)をシリコン基板2の全面に形成した。
(3) 絶縁層32,36の形成
次に、LP−CVDにてSiH2Cl2、NH3をソースガスとし、シリコン基板2の一方の面側に、厚さが200nmの窒化ケイ素層(絶縁層32)を形成した。同様に、シリコン基板2の他方の面側には、厚さが200nmの窒化ケイ素層(絶縁層36)を形成した。
次に、LP−CVDにてSiH2Cl2、NH3をソースガスとし、シリコン基板2の一方の面側に、厚さが200nmの窒化ケイ素層(絶縁層32)を形成した。同様に、シリコン基板2の他方の面側には、厚さが200nmの窒化ケイ素層(絶縁層36)を形成した。
(4) 絶縁層33の一部(下層)の形成
次に、プラズマCVDにてTEOS、O2をソースガスとし、絶縁層32の表面上に厚さが100nmの酸化ケイ素層(絶縁層33の一部)を形成した。
次に、プラズマCVDにてTEOS、O2をソースガスとし、絶縁層32の表面上に厚さが100nmの酸化ケイ素層(絶縁層33の一部)を形成した。
(5) 発熱抵抗体5およびリード部12の形成
その後、DCスパッタ装置を用い、絶縁層33の表面上に厚さ20nmのタンタル層を形成し、その層上に厚さ220nmの白金層を形成した。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理で発熱抵抗体5およびリード部12のパターンを形成した。
その後、DCスパッタ装置を用い、絶縁層33の表面上に厚さ20nmのタンタル層を形成し、その層上に厚さ220nmの白金層を形成した。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理で発熱抵抗体5およびリード部12のパターンを形成した。
(6) 絶縁層33(上層)の形成
そして、(4)と同様に、プラズマCVDにてTEOS、O2をソースガスとし、絶縁層33(下層)、発熱抵抗体5およびリード部12の表面上に厚さが100nmの酸化ケイ素層(絶縁層33(上層))を形成した。このようにして、厚さ200nmの絶縁層33内に発熱抵抗体5およびリード部12を埋設した。
そして、(4)と同様に、プラズマCVDにてTEOS、O2をソースガスとし、絶縁層33(下層)、発熱抵抗体5およびリード部12の表面上に厚さが100nmの酸化ケイ素層(絶縁層33(上層))を形成した。このようにして、厚さ200nmの絶縁層33内に発熱抵抗体5およびリード部12を埋設した。
(7) 保護層34の形成
さらに、(3)と同様に、LP−CVDにてSiH2Cl2、NH3をソースガスとし、絶縁層33の表面上に厚さが200nmの窒化ケイ素層(保護層34)を形成した。
さらに、(3)と同様に、LP−CVDにてSiH2Cl2、NH3をソースガスとし、絶縁層33の表面上に厚さが200nmの窒化ケイ素層(保護層34)を形成した。
(8) 発熱抵抗体コンタクト部9の開口の形成
次いで、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ドライエッチング法で絶縁層33および保護層34のエッチングを行い、発熱抵抗体コンタクト部9を形成する部分に穴をあけ、リード部12の末端の一部を露出させた。
次いで、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ドライエッチング法で絶縁層33および保護層34のエッチングを行い、発熱抵抗体コンタクト部9を形成する部分に穴をあけ、リード部12の末端の一部を露出させた。
(9) 検出電極6、リード部10および引き出し電極91の形成
次に、DCスパッタ装置を用い、保護層34の表面上に厚さ20nmのタンタル層を形成し、さらにその表面上に厚さ40nmの白金層を形成した。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理で検出電極6、リード部10および引き出し電極91のパターンを形成した。
次に、DCスパッタ装置を用い、保護層34の表面上に厚さ20nmのタンタル層を形成し、さらにその表面上に厚さ40nmの白金層を形成した。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理で検出電極6、リード部10および引き出し電極91のパターンを形成した。
(10) コンタクトパッド11,92の形成
そして、DCスパッタ装置を用い、上記電極部分の作製された基板の電極側の表面上に、厚さ400nmの金層を形成した。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理でコンタクトパッド11,92を形成した。
そして、DCスパッタ装置を用い、上記電極部分の作製された基板の電極側の表面上に、厚さ400nmの金層を形成した。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理でコンタクトパッド11,92を形成した。
(11) 開口部21の形成
次いで、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、マスクとなる絶縁膜をドライエッチング処理により形成した。そしてTMAH溶液中に基板を浸し、シリコン基板2の異方性エッチングを行うことで、絶縁層35,36が形成された側の面が開口され、発熱抵抗体5の配置位置に対応する部分の絶縁層31の隔壁部39となる部分が露出されるように、開口部21を形成した。
次いで、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、マスクとなる絶縁膜をドライエッチング処理により形成した。そしてTMAH溶液中に基板を浸し、シリコン基板2の異方性エッチングを行うことで、絶縁層35,36が形成された側の面が開口され、発熱抵抗体5の配置位置に対応する部分の絶縁層31の隔壁部39となる部分が露出されるように、開口部21を形成した。
(12) 密着層7の形成
次に、発熱抵抗体5および開口部21に対応する保護層34の表面上の位置に、アルミナを主成分とするゾル溶液をスピンコーティング法により塗布し、厚さ100nmのゾル溶液層を形成した。ゾル溶液は粘度12.5mPa・sのアルミナゾル溶液を希釈して25℃にて粘度5mPa・sとし、前述したように、粒径が10nm以上20nm以下の粒子が溶液中に分散されるように調製した。なお、ゾル溶液層を形成しない保護層34の表面上の部分にはマスキング処理を行った。
次に、発熱抵抗体5および開口部21に対応する保護層34の表面上の位置に、アルミナを主成分とするゾル溶液をスピンコーティング法により塗布し、厚さ100nmのゾル溶液層を形成した。ゾル溶液は粘度12.5mPa・sのアルミナゾル溶液を希釈して25℃にて粘度5mPa・sとし、前述したように、粒径が10nm以上20nm以下の粒子が溶液中に分散されるように調製した。なお、ゾル溶液層を形成しない保護層34の表面上の部分にはマスキング処理を行った。
(13) ガス検知層4の形成
さらにゾル溶液層の表面上に、酸化スズを主成分とし酸化カルシウムを添加した酸化物半導体ペーストを厚膜印刷により塗布し、厚さ30μmのペースト層を形成した。なお、酸化物半導体ペーストは以下の手順により作製した。酸化スズに酸化カルシウム0.2重量%を混合した粉末5gをらいかい機で1時間粉砕後、有機溶剤を混合し、らいかい機(もしくはポットミルでもよい。)で4時間粉砕した。さらにバインダーおよび粘度調製剤を添加して4時間粉砕を行い、25℃にて粘度140Pa・sのペーストに調製した。
さらにゾル溶液層の表面上に、酸化スズを主成分とし酸化カルシウムを添加した酸化物半導体ペーストを厚膜印刷により塗布し、厚さ30μmのペースト層を形成した。なお、酸化物半導体ペーストは以下の手順により作製した。酸化スズに酸化カルシウム0.2重量%を混合した粉末5gをらいかい機で1時間粉砕後、有機溶剤を混合し、らいかい機(もしくはポットミルでもよい。)で4時間粉砕した。さらにバインダーおよび粘度調製剤を添加して4時間粉砕を行い、25℃にて粘度140Pa・sのペーストに調製した。
(14) 基板の焼成
基板を熱処理炉に挿入し、所定の焼成条件(例えば、650℃で1時間)にて焼成した。
基板を熱処理炉に挿入し、所定の焼成条件(例えば、650℃で1時間)にて焼成した。
(15) 基板の切断
ダイシングソーを用いて基板を切断し、平面視、2.6mm×2mmの大きさのガスセンサ1を得た。
ダイシングソーを用いて基板を切断し、平面視、2.6mm×2mmの大きさのガスセンサ1を得た。
次に、上記製造工程に従ってガスセンサ1を作製したことによる本発明の効果を確認するため、以下に示す評価および検証を行った。
[評価1]
まず、ガスセンサ1のサンプルをシリコン基板2の厚み方向にガス検知層4を含むようにして切断し、その断面のうち密着層7の近傍をSEMにより5万倍の倍率で撮影した。図5の断面写真に示すように、写真下部より発熱抵抗体5、絶縁被膜層3(絶縁層33および保護層34)、検出電極6が形成されており、その上部は密着層7を介し、ガス検知層4が形成されている。そしてガス検知層4の一部が密着層7を貫通し、検出電極6に接触している様子が確認できる(図5の点線で囲った部分)。前述したように、密着層7は絶縁性のアルミナを主成分として構成されており、この密着層7をガス検知層4の一部が貫通することでガス検知層4と検出電極6とが電気的に接続されている様子が観察できる。これにより、絶縁性の密着層7を介しても、検出電極6からガス検知層4に対し電気抵抗値の変化を検出するための電流を流すことができることがわかった。
まず、ガスセンサ1のサンプルをシリコン基板2の厚み方向にガス検知層4を含むようにして切断し、その断面のうち密着層7の近傍をSEMにより5万倍の倍率で撮影した。図5の断面写真に示すように、写真下部より発熱抵抗体5、絶縁被膜層3(絶縁層33および保護層34)、検出電極6が形成されており、その上部は密着層7を介し、ガス検知層4が形成されている。そしてガス検知層4の一部が密着層7を貫通し、検出電極6に接触している様子が確認できる(図5の点線で囲った部分)。前述したように、密着層7は絶縁性のアルミナを主成分として構成されており、この密着層7をガス検知層4の一部が貫通することでガス検知層4と検出電極6とが電気的に接続されている様子が観察できる。これにより、絶縁性の密着層7を介しても、検出電極6からガス検知層4に対し電気抵抗値の変化を検出するための電流を流すことができることがわかった。
[評価2]
次に、密着層7を形成する際に調製するゾル溶液の粘度と、ガスセンサ1のベースガス抵抗値(検出対象となる特定ガスが存在しない場合におけるガス検知層4の電気抵抗値)との関係について評価試験を行った。上記したように、ガス検知層4の一部が密着層7の一部を貫通することでガス検知層4と検出電極6との電気的な接続が行われるが、両者の接触面積が大きいほどガス検知層4に流す検出電流を大きくすることができる。すなわち、ガスセンサ1のベースガス抵抗値は、密着層7に対するガス検知層4の貫通の度合いに依存するといえる。その貫通の度合いは密着層7となるゾル溶液の粘度に依存することとなるため、上記した実施例1の(12)の密着層7の形成工程において、希釈後のゾル溶液の粘度を25℃にて1.25,5,12.5(mPa・s)に調製し、その他の工程は同一に作製した3種のガスセンサ1のサンプルを用意して、ゾル溶液の粘度とベースガス抵抗値との関係について評価試験を行った。
次に、密着層7を形成する際に調製するゾル溶液の粘度と、ガスセンサ1のベースガス抵抗値(検出対象となる特定ガスが存在しない場合におけるガス検知層4の電気抵抗値)との関係について評価試験を行った。上記したように、ガス検知層4の一部が密着層7の一部を貫通することでガス検知層4と検出電極6との電気的な接続が行われるが、両者の接触面積が大きいほどガス検知層4に流す検出電流を大きくすることができる。すなわち、ガスセンサ1のベースガス抵抗値は、密着層7に対するガス検知層4の貫通の度合いに依存するといえる。その貫通の度合いは密着層7となるゾル溶液の粘度に依存することとなるため、上記した実施例1の(12)の密着層7の形成工程において、希釈後のゾル溶液の粘度を25℃にて1.25,5,12.5(mPa・s)に調製し、その他の工程は同一に作製した3種のガスセンサ1のサンプルを用意して、ゾル溶液の粘度とベースガス抵抗値との関係について評価試験を行った。
評価試験は、温度25℃、相対湿度40%RHで、酸素(O2)の分量を20.9Vol%とした酸素と窒素(N2)との混合ガスをベースガスとし、ベースガス雰囲気中で各ガスセンサ1のサンプルのベースガス抵抗値(Rair)を測定することで行った。なお、測定時に発熱抵抗体5の温度が350℃となるように制御した。
図6に示すように、密着層7となるゾル溶液の粘度を高くするほど、ベースガス雰囲気中で測定したガスセンサ1の電気抵抗値は上昇した(図6において丸印で示す折れ線グラフ参照)。すなわちゾル溶液の粘度が高いほど、酸化物半導体ペーストがゾル溶液を貫通しにくくなり、ガス検知層4と検出電極6との電気的な接続が行われる部位(接触面積)が減少するため、ベースガス抵抗値が増加することが確認できた。
また、上記評価試験の際に、ベースガス雰囲気中に配置した上記3種のサンプルに対し、ガスセンサ1の周囲の雰囲気を、ベースガスに検出対象となる特定ガスとしてのアンモニア(NH3)を5ppm混合した雰囲気とし、5秒後に各サンプルの電気抵抗値(Rgas)を測定した。そしてベースガス抵抗値と測定した抵抗値との比(Rgas/Rair)を求め、これを感度(NH3感度)として評価を行ったところ、3種いずれのサンプルにおいても実用上問題がないとされる0.95未満の値が示された。
[評価3]
一方、粘度の低いゾル溶液を用いて密着層7を形成したことにより、密着層7によるガス検知層4と検出電極6および絶縁被膜層3との密着性が失われていないか、ガス検知層4の剥離性について評価試験を行った。この評価試験では、実施例1に示した製造工程に基づいて、密着層7およびガス検知層4の形成されたガスセンサ1のサンプルを10個作製した。そして、各サンプルを175cmの高さからコンクリート床に落下させ、それぞれガス検知層4に剥離が生じたか否かについて確認を行った。
一方、粘度の低いゾル溶液を用いて密着層7を形成したことにより、密着層7によるガス検知層4と検出電極6および絶縁被膜層3との密着性が失われていないか、ガス検知層4の剥離性について評価試験を行った。この評価試験では、実施例1に示した製造工程に基づいて、密着層7およびガス検知層4の形成されたガスセンサ1のサンプルを10個作製した。そして、各サンプルを175cmの高さからコンクリート床に落下させ、それぞれガス検知層4に剥離が生じたか否かについて確認を行った。
その結果、10個全てのサンプルにおいてガス検知層4に剥離が生ずることはなかった。このことからガス検知層4と絶縁被膜層3および検出電極6との間に形成する密着層7を、希釈して粘度を低下させたゾル溶液から形成しても、両者の密着性を十分に維持することができることが確認できた。
なお、図5の断面写真において密着層7の界面部分の観察を行ったところ、検出電極6と密着層7との界面部分では、平滑な表面を有する検出電極6に対し、焼成前には粘性の低いゾル溶液の形態を有した密着層7が密に接触しており、両者が密着されている様子を観察することができた。一方、密着層7とガス検知層4との界面部分でも、ガス検知層4を構成する粒子の間に密着層7を構成する粒子が入り込み、両者が三次元的に結合されている様子を観察することができた。
[評価4]
次に、ガス検知層4に添加される塩基性金属酸化物の含有率と、NH3感度との関係について評価試験を行った。この評価試験では、上記した実施例1の(13)のガス検知層4の形成工程において、酸化スズに混合する酸化カルシウムの分量を0.1,0.2,0.5(重量%)とし、その他の工程は同一に作製した3種のガスセンサ1のサンプルを用意して、評価2において行った評価試験と同様の条件でNH3感度を求めた。
次に、ガス検知層4に添加される塩基性金属酸化物の含有率と、NH3感度との関係について評価試験を行った。この評価試験では、上記した実施例1の(13)のガス検知層4の形成工程において、酸化スズに混合する酸化カルシウムの分量を0.1,0.2,0.5(重量%)とし、その他の工程は同一に作製した3種のガスセンサ1のサンプルを用意して、評価2において行った評価試験と同様の条件でNH3感度を求めた。
図7に示すように、酸化スズ中の酸化カルシウムの含有率が増加するにつれ、ベースガス抵抗値が増加することが確認できた(図7において丸印で示す折れ線グラフ参照)。酸化カルシウムは絶縁性を有するため、酸化スズに混合される酸化カルシウムの含有率が増加するほど、ガス検知層4として電気抵抗値が増加するためである。このため、酸化カルシウムの含有率を0.2重量%とした場合に比べ、0.5重量%とした場合には、アンモニアガス存在下におけるガス検知層4の電気抵抗値(Rgas)と、非存在下におけるガス検知層4の電気抵抗値(Rair)との比の値が小さくなる。従って、酸化カルシウムの含有率が多くなるほどNH3感度が低下傾向にある(図7において菱形の印で示す折れ線グラフ参照)。一方、酸化カルシウムの含有率を0.2重量%とした場合に比べ、0.1重量%とした場合にもNH3感度が低下している。これにより、ガス検知層4における酸化カルシウムの含有率が少なくなれば、触媒効果が薄れ、ガス検知層4自体のNH3ガスに対する感度が低下することがわかる。このグラフに基づくと、金属酸化物半導体としての酸化スズに添加する塩基性金属酸化物としての酸化カルシウムの含有率を0.01重量%以上0.5重量%以下の範囲内とすれば、特定ガスに対する感度としては、実用上問題がないとされる0.95未満の値をとることがわかった。
[評価5]
次に、ガス検知層4の構造として、酸化スズに酸化カルシウムを局在化させたことによる効果を確認するため、評価試験を行った。この評価試験では、実施例1に示した製造工程に従って作製したガスセンサ1のサンプルと、実施例1の(13)および(14)の工程において、酸化スズを焼結し、この焼結体を硝酸カルシウム溶液中に浸し、乾燥後に焼結することで、酸化スズに酸化カルシウムが担持された状態となるようにガス検知層4を作製したガスセンサ1のサンプルとを用いた。そして評価2において行った評価試験と同様の条件で、それぞれのサンプルのベースガス抵抗値を求めたところ、図8に示すように、酸化スズに酸化カルシウムを局在化させたサンプルでは、酸化スズに酸化カルシウムを担持させたサンプルと比べ、ベースガス抵抗値が低下することが確認できた。上記評価4に示した評価試験の結果を鑑みると酸化スズの粒子間に酸化カルシウムの粒子を局在的に配置させても酸化カルシウムの触媒効果は失われることがなく、局在化によりベースガス抵抗値を向上させた感度のよいガス検知層4を作製できることがわかった。
次に、ガス検知層4の構造として、酸化スズに酸化カルシウムを局在化させたことによる効果を確認するため、評価試験を行った。この評価試験では、実施例1に示した製造工程に従って作製したガスセンサ1のサンプルと、実施例1の(13)および(14)の工程において、酸化スズを焼結し、この焼結体を硝酸カルシウム溶液中に浸し、乾燥後に焼結することで、酸化スズに酸化カルシウムが担持された状態となるようにガス検知層4を作製したガスセンサ1のサンプルとを用いた。そして評価2において行った評価試験と同様の条件で、それぞれのサンプルのベースガス抵抗値を求めたところ、図8に示すように、酸化スズに酸化カルシウムを局在化させたサンプルでは、酸化スズに酸化カルシウムを担持させたサンプルと比べ、ベースガス抵抗値が低下することが確認できた。上記評価4に示した評価試験の結果を鑑みると酸化スズの粒子間に酸化カルシウムの粒子を局在的に配置させても酸化カルシウムの触媒効果は失われることがなく、局在化によりベースガス抵抗値を向上させた感度のよいガス検知層4を作製できることがわかった。
なお、本発明は上記実施の形態に限られず、各種の変更が可能である。例えば、基体をなすシリコン基板2はシリコンより作製したが、アルミナや半導体材料から作製してもよい。また、作製されたガスセンサ1の平面形状は矩形に限らず、多角形や円形であってもよく、その大きさ、厚みも限定されるものではない。さらに、上記実施の形態では、密着層7をスピンコーティング法により形成したが、ディップ法、電気泳動法、液膜転送法、ミスト輸送法、スクリーン印刷法など、その他の方法により形成してもよい。
また、絶縁被膜層3は酸化ケイ素および窒化ケイ素からなる複層構造としたが、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる単層構造としてもよい。また、本実施の形態では絶縁層33の形成を上層および下層に分け、絶縁層33内に発熱抵抗体5を埋設させたが、絶縁層33上に発熱抵抗体5を形成し、保護層34にて発熱抵抗体5の保護を行うように構成してもよい。
また、ガス検知層4は、主成分として金属酸化物半導体である酸化スズを用いたが、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)、酸化チタン(TiO2)、酸化バナジウム(VO2)など、その他の金属酸化物半導体を用いてもよい。また、金属酸化物半導体に添加する塩基性金属酸化物としては、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、ベリリウム(Be)などのアルカリ土類金属の酸化物、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)などのアルカリ金属の酸化物、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、その他ランタノイド系元素などの希土類の酸化物を用いてもよい。
本発明は、半導体式ガスセンサに適用することができる。
1 ガスセンサ
2 シリコン基板
3 絶縁被膜層
4 ガス検知層
5 発熱抵抗体
6 検出電極
7 密着層
21 開口部
31,32,33 絶縁層
34 保護層
39 隔壁部
2 シリコン基板
3 絶縁被膜層
4 ガス検知層
5 発熱抵抗体
6 検出電極
7 密着層
21 開口部
31,32,33 絶縁層
34 保護層
39 隔壁部
Claims (4)
- 基体上に形成されると共に、被検知ガス中の特定ガスの濃度変化に応じて電気的特性が変化する金属酸化物半導体を主成分とするガス検知層を有するガスセンサにおいて、
前記ガス検知層と前記基体との間に形成され、絶縁性酸化物からなる密着層と、
前記基体と前記密着層との間に介在され、前記ガス検知層における電気的特性の変化を検出するための検出電極と
を備え、
前記ガス検知層を構成する物質の一部が、前記密着層の一部を貫通し、前記ガス検知層と前記検出電極とが電気的に接続されていることを特徴とするガスセンサ。 - 前記基体は、
板厚方向に開口部が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記開口部に対応する部位に隔壁部を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記隔壁部上に形成される発熱抵抗体と、
前記発熱抵抗体を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層と
を備え、
前記検出電極、前記密着層および前記ガス検知層は、前記基体の前記保護層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。 - 前記ガス検知層は、金属酸化物半導体に塩基性金属酸化物を添加して構成され、
前記塩基性金属酸化物は、前記金属酸化物半導体中にて局在化されていることを特徴とする請求項1または2に記載のガスセンサ。 - 前記塩基性金属酸化物が、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類のうち、少なくとも1種の元素から構成されていることを特徴とする請求項3に記載のガスセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005336350A JP2007139669A (ja) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
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Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009078370A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | ガスセンサ |
JP2010091501A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
JP2018155749A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 太平洋セメント株式会社 | アンモニアガスセンサ用酸化物半導体及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-11-21 JP JP2005336350A patent/JP2007139669A/ja active Pending
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US8393196B2 (en) | 2007-12-14 | 2013-03-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
JP5161210B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2013-03-13 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20080219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |