JP2007128934A - ノイズフィルタ - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、高周波帯域での使用が可能で、かつ製品強度が劣化しないノイズフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】第1の導体11、第2の導体12と、前記第1の導体11の上部および前記第2の導体12の下部に設けられ、かつそれぞれ複数の磁性体層13からなる上部磁性層14および下部磁性層15とを備え、前記第1の導体11と第2の導体12との間、前記第1の導体11と前記上部磁性層14との間、および前記第2の導体12と前記下部磁性層15との間に0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層16を形成したものである。
【選択図】図1

Description

本発明は、デジタル機器やAV機器、情報通信端末等の各種電子機器に使用されるノイズフィルタに関するものである。
従来のこの種のノイズフィルタは、図5に示すように、第1、第2の磁性体層1,2と、前記第1の磁性体層1および第2の磁性体層2の間に設けられた第1〜第5の非磁性体層3a〜3eとを有し、前記第1〜第5の非磁性体層3a〜3eに第1、第2のコイル4,5を形成している。
また、前記第1のコイル4は第1の引出電極6と渦巻き状の第1のコイル導体7とにより構成され、第2のコイル5は渦巻き状の第2のコイル導体8と第2の引出電極9とにより構成されている。なお、前記第1の引出電極6は第1の非磁性体層3aの上面に、第1のコイル導体7は第2の非磁性体層3bの上面に、第2のコイル導体8は第3の非磁性体層3cの上面に、第2の引出電極9は第4の非磁性体層3dの上面にそれぞれ設けられている。
そして、このノイズフィルタは、第1のコイル導体7と第2のコイル導体8を、第3の非磁性体層3cを介して対向させることによって、第1のコイル4と第2のコイル5を磁気結合させてコモンモード成分のインピーダンスを高くし、これにより、コモンモードノイズを除去していた。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2001−60514号公報
上記した従来のノイズフィルタにおいては、第1のコイル導体7と第2のコイル導体8との間に浮遊容量が発生するため、高周波帯域では差動信号の挿入損失が増加し、これにより、高周波帯域での使用が困難になり、さらに、異種材料からなる第1、第2の磁性体層1,2と第1〜第5の非磁性体層3a〜3eとを接合させているため、その接合界面での接合強度が悪化し、これにより、製品強度が劣化するという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、高周波帯域での使用が可能で、かつ製品強度が劣化しないノイズフィルタを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、第1、第2の導体と、前記第1の導体の上部および前記第2の導体の下部に設けられ、かつそれぞれ複数の磁性体層からなる上部磁性層および下部磁性層とを備え、前記第1の導体と第2の導体との間、前記第1の導体と前記上部磁性層との間、および前記第2の導体と前記下部磁性層との間に0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層を形成したもので、この構成によれば、低誘電率層によって第1の導体と第2の導体との間およびその周囲の誘電率を低くすることができるため、第1の導体と第2の導体との間の浮遊容量を抑制でき、これにより、高周波帯域での差動信号の挿入損失を低減できるため、高周波帯域での使用が可能になる。さらに、低誘電率層に磁性体層と同種材料からなる磁性フェライトを含有させているため、その接合界面での接合強度が悪化するのを防止でき、これにより、製品強度が劣化しないという作用効果が得られるものである。
本発明の請求項2に記載の発明は、特に、低誘電率層を上部磁性層および下部磁性層における複数の磁性体層間に設けたもので、この構成によれば、低誘電率層を第1の導体と第2の導体との間だけでなく、第1の導体と第2の導体の外側にも形成することになるため、磁性体層と収縮率が異なる低誘電率層を製品全体に均等に設けることができ、これにより、焼成した際に変形したり割れたりするのを防止できる。さらに、磁性フェライトを磁性体層間に挟むようにしているため、上部磁性層および下部磁性層における透磁率が極端に低下するのを防止でき、これにより、第1、第2の導体のコモンモード成分のインピーダンスを十分確保できるという作用効果が得られるものである。
本発明の請求項3に記載の発明は、第1、第2の導体と、前記第1の導体の上部および前記第2の導体の下部に設けられ、かつそれぞれ複数の磁性体層からなる上部磁性層および下部磁性層とを備え、前記第1の導体と第2の導体との間にガラスからなるセラミック層を形成し、かつ0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層を、前記上部磁性層および下部磁性層における複数の磁性体層間、前記第1の導体と前記上部磁性層との間、および前記第2の導体と前記下部磁性層との間に設けたもので、この構成によれば、ガラスを含有するセラミック層によって第1の導体と第2の導体との間およびその周囲の誘電率を低くすることができるため、第1の導体と第2の導体との間の浮遊容量を抑制でき、これにより、高周波帯域での差動信号の挿入損失を低減できるため、高周波帯域での使用が可能になる。また、低誘電率層を第1の導体と第2の導体の外側にも形成しているため、磁性体層と収縮率が異なる低誘電率層を均等に設けられることができ、これにより、焼成した際に変形したり割れたりするのを防止できる。さらに、磁性フェライトを磁性体層間に挟むようにしているため、上部磁性層および下部磁性層における透磁率が極端に低下するのを防止でき、これにより、第1、第2の導体のコモンモード成分のインピーダンスを十分確保できるという作用効果が得られるものである。
以上のように本発明のコモンモードノイズフィルタは、第1、第2の導体と、前記第1の導体の上部および前記第2の導体の下部に設けられ、かつそれぞれ複数の磁性体層からなる上部磁性層および下部磁性層とを備え、前記第1の導体と第2の導体との間、前記第1の導体と前記上部磁性層との間、および前記第2の導体と前記下部磁性層との間に0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層を形成しているため、この低誘電率層によって第1の導体と第2の導体との間およびその周囲の誘電率を低くすることができ、これにより、第1の導体と第2の導体との間の浮遊容量を抑制できるため、高周波帯域での差動信号の挿入損失を低減でき、この結果、高周波帯域での使用が可能になり、さらに、低誘電率層に磁性体層と同種材料からなる磁性フェライトを含有させているため、その接合界面での接合強度が悪化するのを防止でき、これにより、製品強度が劣化しないという優れた効果を奏するものである。
(実施の形態1)
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1に記載の発明について説明する。
図1は本発明の実施の形態1におけるノイズフィルタの分解斜視図、図2は同ノイズフィルタの斜視図である。
本発明の実施の形態1におけるノイズフィルタは、図1、図2に示すように、第1の導体11、第2の導体12と、前記第1の導体11の上部および前記第2の導体12の下部に設けられ、かつ、それぞれ複数の磁性体層13からなる上部磁性層14および下部磁性層15とを備え、前記第1の導体11と第2の導体12との間、前記第1の導体11と前記上部磁性層14との間、および前記第2の導体12と前記下部磁性層15との間に0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層16を形成したものである。
上記構成において、前記第1の導体11は、低誘電率層16の上面に渦巻き状に銀などの導電材料をめっきすることにより形成されている。
前記第2の導体12は、第1の導体11の下部において、他の低誘電率層16の上面に渦巻き状に銀などの導電材料をめっきすることにより形成されている。また、前記第1の導体11と第2の導体12とは、低誘電率層16を介して対向するように形成されている。
なお、前記第1の導体11の上部には第1の引出導体17が形成され、かつこの第1の引出導体17はバイア電極19を介して前記第1の導体11と接続されている。また、前記第2の導体12の下部には第2の引出導体18が形成され、かつこの第2の引出導体18はバイア電極19を介して前記第2の導体12と接続されている。
そして、前記第1、第2の導体11,12の形状は、渦巻き状に限られるものではなく、螺旋状、蛇行状等の他の形状であっても構わない。また、第1、第2の導体11,12は、めっきで形成するのではなく、その他の印刷や蒸着等の方法で形成してもよい。
前記複数の磁性体層13は、第1の引出導体17の上部と第2の引出導体18の下部にそれぞれ設けられ、Fe23をベースとしたフェライトなどの磁性材料により構成されている。そしてこれらの磁性体層13のうち、上部の複数の磁性体層13によって上部磁性層14が構成され、かつ下部の複数の磁性体層13によって下部磁性層15が構成されている。前記上部磁性層14、下部磁性層15を構成する磁性体層13の枚数は、図1に示された枚数に限定されるものではない。
前記低誘電率層16は、第1の導体11と第2の導体12との間、第1の導体11と上部磁性層14との間、および第2の導体12と下部磁性層15との間に設けられるもので、0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスにより構成されている。
ここで、前記低誘電率層16は磁性フェライトの含有率を0.1%以上としているため、焼成時の低誘電率層16と磁性体層13との収縮率の違いによる応力を緩和でき、これにより、製品強度が低下するのを防止できる。また、磁性フェライトの含有率を10%以下としているため、低誘電率層16の誘電率を低くすることができ、これにより、第1の導体11と第2の導体12との間の浮遊容量を抑制できるものである。
なお、低誘電率層16に含有させるフェライトの種類は、磁性体層13と同じものを用いるのが好ましい。
そして、上記した構成部品により、図2に示すようなノイズフィルタの本体部21が形成され、かつこの本体部21の両側部には第1〜第4の外部電極22〜25が設けられている。この第1〜第4の外部電極22〜25は、前記第1、第2の導体11,12、第1、第2の引出導体17,18の各一端部とそれぞれ接続されるように銀を印刷することによって形成されている。また、この第1〜第4の外部電極22〜25の表面には、ニッケルめっき層、すずめっき層が順次施されている。
次に、本発明の実施の形態1におけるノイズフィルタの製造方法について説明する。
図1、図2において、まず、それぞれの原材料である磁性材料やガラス、非磁性材料の粉体および樹脂からなる混合物により、方形の磁性体層13、磁性フェライト入りガラスからなる低誘電率層16をそれぞれ所定枚数作製する。このとき、低誘電率層16の所定箇所に、レーザ、パンチングなどで孔あけ加工をし、この孔に銀を充填して、バイア電極19を形成する。
次に、所定枚数の磁性体層13の上面に、第2の引出導体18をめっきによって形成する。
次に、第2の引出導体18の上面に、バイア電極19が設けられた他の低誘電率層16を配置する。このとき、第2の引出導体18とバイア電極19とを接続する。
次に、この低誘電率層16の上面に、第2の導体12をめっきによって形成する。このとき、第2の導体12とバイア電極19とを接続する。その後、第2の導体12の上面に、低誘電率層16を配置する。
次に、低誘電率層16の上面に第1の導体11をめっきによって形成する。
次に、第1の導体11の上面に、他のバイア電極19が設けられた低誘電率層16を配置する。このとき、第1の導体11とバイア電極19とを接続する。
次に、この低誘電率層16の上面に、第1の引出導体17をめっきによって形成する。このとき、第1の引出導体17とバイア電極19とを接続する。
なお、前記第1の導体11、第2の導体12、第1の引出導体17、第2の引出導体18の形成方法は、別途用意したベース板(図示せず)に所定のパターン形状の導体をめっきによって形成し、その後、この導体を各絶縁体層に転写することにより形成する。
次に、第1の引出導体17の上面に、所定枚数の磁性体層13を配置してノイズフィルタの本体部21を形成する。
次に、本体部21を所定の温度、時間で焼成する。
次に、本体部21の両側面に、第1、第2の導体11,12、第1、第2の引出導体17,18の各一端部とそれぞれ接続されるように銀を印刷して、第1〜第4の外部電極22〜25を形成する。
最後に、第1〜第4の外部電極22〜25の表面に、めっきによってニッケルめっき層、すずめっき層を順次形成する。
上記した本発明の実施の形態1においては、第1の導体11と第2の導体12との間、第1の導体11と上部磁性層14との間、および第2の導体12と下部磁性層15との間に0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層16を形成しているため、この低誘電率層16によって第1の導体11と第2の導体12との間およびその周囲の誘電率を低くすることができ、これにより、第1の導体11と第2の導体12との間の浮遊容量を抑制できるため、高周波帯域での差動信号の挿入損失を低減でき、この結果、高周波帯域での使用が可能になるという効果が得られるものである。
また、前記低誘電率層16は磁性体層13と同種材料からなる磁性フェライトを含有させているため、その接合界面での接合強度が悪化するのを防止でき、これにより、製品強度が劣化しないという効果も得られるものである。
なお、前記低誘電率層16は第1の導体11と第2の導体12との間のみに形成しても、第1の導体11と第2の導体12との間の浮遊容量を抑制できるが、さらに、第1の導体11と上部磁性層14との間、および第2の導体12と下部磁性層15との間にも低誘電率層16を形成することにより、磁性体層13と低誘電率層16との焼成時の収縮率の違いによる製品の割れ等の発生も防止できるものである。
(実施の形態2)
以下、実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項2,3に記載の発明について説明する。
図3は本発明の実施の形態2におけるノイズフィルタの分解斜視図である。なお、この本発明の実施の形態2においては、上記した本発明の実施の形態1と同様の構成を有するものについては、同一符号を付し、その説明は省略する。
図3において、本発明の実施の形態2が上記した本発明の実施の形態1と相違する点は、低誘電率層16を上部磁性層14および下部磁性層15における複数の磁性体層13間にも設けるようにした点である。
この構成により、低誘電率層16は第1の導体11と第2の導体12との間だけでなく、第1、第2の導体11,12の外側にも形成されることになるため、焼成時の磁性体層13の収縮率と異なる収縮率の低誘電率層16を製品全体に均等に設けることができ、これにより、焼成した際に変形したり割れたりするのを防止できる。すなわち、収縮率が異なる低誘電率層16が製品の中心部のみに偏って形成されているときは、焼成した際に製品が変形する可能性があるが、収縮率が異なる低誘電率層16を製品の一部分に偏ることなく均等に設けているため、焼成した際に変形したり割れたりするということはなくなるものである。また、上部磁性層14および下部磁性層15に設けられた低誘電率層16と、第1の導体11と第2の導体12の間に設けられた低誘電率層16の材料を同一にすればコストの低減を図ることができるものである。
図4は低誘電率層16を構成するガラスに含有される磁性フェライトの含有率と特性との関係を示す図である。
ここで、Zccは1GHzでのコモンモード成分のインピーダンス、Fcは信号が3dB減衰するときのカットオフ周波数である。また、Zccの値が300Ω以上、Fcの値が2.0GHz以上、抗析強度が4.0kg以上を良品とした。なお、Fcの値が高いほど、高周波の差動信号が減衰することはないため、高周波帯域での使用が可能になる。
図4から明らかなように、低誘電率層16を構成するガラスへの磁性フェライトの含有量は、磁性フェライトを0.1%〜10%含有させれば良いことがわかる。また、磁性フェライトを含有させないときは、抗析強度が低く、一方、磁性フェライトを15%含有させたときは、Zccの値、Fcの値がともに低下するものである。
この理由は、磁性フェライトを含有させない場合(ガラス100%の場合)は、焼成時に低誘電率層16の収縮率と磁性体層13の収縮率の違いによる応力が発生して、製品強度が低下するからである。一方、磁性フェライトの含有率が15%の場合は、低誘電率層16の誘電率を低くすることができないため、第1の導体11と第2の導体12との間の浮遊容量を抑制できないからである。また、Zccが低下しているのは、浮遊容量が増えることで、インピーダンスを減少させる容量成分が低い周波数から作用するためである。1GHzでは周波数曲線のピークを過ぎて下降する領域であるため、浮遊容量の増加とともにコモンモードインピーダンスは低い値を示すようになる。
なお、低誘電率層16に磁性フェライトを0.1%〜10%含有させれば、低誘電率層16に含有される磁性フェライトが磁性体層13間に挟まれるようになるため、上部磁性層14および下部磁性層15における透磁率が極端に低下するのを防止でき、これにより、第1、第2の導体11,12のコモンモード成分のインピーダンスをある程度確保できるため、第1、第2の導体11,12のコモンモード成分のインピーダンスを十分確保しながら、高周波帯域で使用できるという効果も得られるものである。
ここで、上部磁性層14および下部磁性層15に設けられた各低誘電率層16の、第1の導体11と第2の導体12の間に設けられた低誘電率層16からの距離をそれぞれ同じにすれば、低誘電率層16をより均一に形成することができる。また、上部磁性層14および下部磁性層15に複数の低誘電率層16を設ける場合、上部磁性層14、下部磁性層15にそれぞれ設けられた低誘電率層16と第1の導体11と第2の導体12の間に設けられた低誘電率層16との距離を全て同じにすることによって、低誘電率層16を均一に形成することができるものである。
また、第1の導体11と第2の導体12との間に低誘電率層16の代わりに、第1の導体11と第2の導体12との間にガラスを含有するセラミック層を形成すれば、第1の導体11と第2の導体12との間に誘電率をより低くすることができるため、第1の導体11と第2の導体12との間の浮遊容量を抑制でき、これにより、高周波帯域での差動信号の挿入損失を低減できるため、より高周波帯域での使用が可能になるものである。この場合、0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層16を上部磁性層14および下部磁性層15における複数の磁性体層13間に設けることにより、第1、第2の導体11,12のコモンモード成分のインピーダンスを十分確保でき、かつ、焼成時に割れたり、変形したりするのも防止できるものである。なお、複数の磁性体層13間にガラスのみを有するセラミック層を形成した場合、ガラスと磁性体層13との収縮率の相違により、焼成時に割れたり、変形したりしてしまうものである。
なお、上記本発明の実施の形態1,2においては、第1の導体11と第2の導体12をそれぞれ1個設けたものについて説明したが、第1の導体11と第2の導体12を複数形成し、アレイタイプとしてもよいものである。
また、上記本発明の実施の形態1,2においては、コモンモードノイズフィルタについて説明したが、ディファレンシャルモードおよびコモンモードのノイズの除去が可能な2モードノイズフィルタについても適用できるものである。
本発明にかかるノイズフィルタは、高周波帯域での使用が可能であるという効果を有し、デジタル機器やAV機器、情報通信端末等の各種電子機器のノイズ対策として使用されるノイズフィルタなどにおいて有用となるものである。
本発明の実施の形態1におけるノイズフィルタの分解斜視図 同ノイズフィルタの斜視図 本発明の実施の形態2におけるノイズフィルタの分解斜視図 同ノイズフィルタにおける低誘電率層を構成するガラスに含有される磁性フェライトの含有率と特性との関係を示す図 従来のノイズフィルタの分解斜視図
符号の説明
11 第1の導体
12 第2の導体
13 磁性体層
14 上部磁性層
15 下部磁性層
16 低誘電率層

Claims (3)

  1. 第1、第2の導体と、前記第1の導体の上部および前記第2の導体の下部に設けられ、かつそれぞれ複数の磁性体層からなる上部磁性層および下部磁性層とを備え、前記第1の導体と第2の導体との間、前記第1の導体と前記上部磁性層との間、および前記第2の導体と前記下部磁性層との間に0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層を形成したノイズフィルタ。
  2. 低誘電率層を上部磁性層および下部磁性層における複数の磁性体層間に設けた請求項1記載のノイズフィルタ。
  3. 第1、第2の導体と、前記第1の導体の上部および前記第2の導体の下部に設けられ、かつそれぞれ複数の磁性体層からなる上部磁性層および下部磁性層とを備え、前記第1の導体と第2の導体との間にガラスからなるセラミック層を形成し、かつ0.1%〜10%の磁性フェライトを含有するガラスからなる低誘電率層を、前記上部磁性層および下部磁性層における複数の磁性体層間、前記第1の導体と前記上部磁性層との間、および前記第2の導体と前記下部磁性層との間に設けたノイズフィルタ。
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