JP2007123608A - デバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、測定検査装置及び測定検査方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ネットワークの負荷を低減するとともに、データの管理を容易に行うことができるデバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、測定検査装置及び測定検査方法、並びにデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】各デバイス製造処理装置（露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ等）は、オプティカルチャネルボード２０を備えており、このオプティカルチャネルボード２０を介して高速通信ネットワークＮ２に接続されている。各オプティカルチャネルボード２０は、ＣＰＵ２２、共有メモリ２３、及び共有ディスク２４を備えており、各ＣＰＵ２２の制御によって共有メモリ２３及び共有ディスク２４の内容が各デバイス製造処理装置間で共有される。
【選択図】図２

Description

本発明は、デバイス製造に用いられるデバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、測定検査装置及び測定検査方法、並びにデバイス製造方法に関する。

半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）等）、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスは、デバイス製造処理装置を用いて基板に対して各種の処理を施すことにより製造される。デバイス製造処理装置が基板に対して施す処理は、例えば薄膜形成処理、フォトリソグラフィ処理、及び不純物の拡散処理等の処理があり、またこれらの処理を経た基板に形成されたパターンを測定・検査する処理がある。

上記の薄膜形成処理では、例えばデバイス製造処理装置の一種であるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）装置を用いて基板に薄膜を形成する成膜処理が行われる。上記のフォトリソグラフィ処理では、デバイス製造処理装置の一種である露光装置を用いて、所定のパターンを基板上に転写する露光処理が行われる。また、上記のパターンの測定検査処理では、例えばデバイス製造処理装置の一種である測定検査装置を用いて基板上に形成されたパターンの線幅を測定し、又は基板上に形成されたパターンの欠陥を測定検査する処理が行われる。

一般的に、デバイス製造工場内にはＬＡＮ（Local Area Network）等のネットワークが敷設されており、このネットワークによって上記の各種デバイス製造処理装置及びこれらを制御するホストコンピュータが相互に接続されている。ホストコンピュータが、ネットワークを介してデバイス製造処理装置に制御信号を送信してデバイス製造処理装置の動作を制御することにより、上述した基板に対する各種の処理が所定の順序で行われ、これによりデバイスが製造される。尚、以上の内容は公知・公用の技術であるため、記載すべき先行技術文献情報は特にない。

ところで、上記のネットワークを介したホストコンピュータと各種デバイス製造処理装置との間で送受信されるデータのデータ量、上記のネットワークを介した各種デバイス製造処理装置間で送受信されるデータのデータ量が増加している。例えば、近年においては、上記の露光装置に対して、露光処理を行う基板の表面状態を事前に測定検査する事前測定検査装置、及び露光処理を終えた基板に形成されたパターンを測定検査する事後測定検査装置が設けられており、これらの検査装置で得られた情報を用いて露光装置の露光条件を最適化する処理が行われている。

かかる処理においては、事前測定検査装置又は事後測定検査装置で各種の測定検査を行うときに、例えば、基板上に設定されたショット領域の配置等の基板レイアウトを示す情報が必要になるため、これらの情報がネットワークを介して事前測定検査装置又は事後測定検査装置に頻繁に送信される。また、事前測定検査装置又は事後測定検査装置で得られた各種情報を露光装置の露光条件に反映させるため、これらの各種情報がネットワークを介して露光装置に頻繁に送信される。

このため、近年においては、ネットワークの負荷が増加しており、また送信するデータが基板表面を撮像して得られる画像データ等の二次元データの場合には転送時間を要して露光処理が一時的に滞ってしまう虞が考えられる。また、これらのデータ量は膨大になるため、その管理の面でも負荷が増大していた。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ネットワークの負荷を低減するとともに、装置間のリアルタイムなフィードフォワード、フィードバックのためのデータ共有、及びデータの管理を容易に行うことができるデバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、測定検査装置及び測定検査方法、並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によるデバイス製造処理システムは、所定のデバイス製造処理動作を制御する第１制御部（ＭＣ）を備え、前記所定のデバイス制御処理動作を実行する第１デバイス製造処理装置（１３）と、前記第１デバイス製造処理装置の外部に配置されて、前記デバイス製造処理動作に関係する情報を記憶する第１記憶装置（２３、２４、６３、６４）と、前記第１制御部と前記第１デバイス製造処理装置外部の前記第１記憶装置との間を接続する高速通信ネットワーク（Ｎ２）とを含むことを特徴としている。
この発明によると、第１デバイス製造処理装置に設けられた第１制御部と、第１デバイス製造処理装置の外部に配置されて所定のデバイス製造処理動作に関する情報を記憶する第１記憶装置とが高速通信ネットワークによって接続されており、所定のデバイス製造処理動作に関する情報が第１制御部から高速通信ネットワークを介して第１記憶装置に送信されて記憶される。
上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、所定パターン（ＤＰ）を基板（Ｗ）上に露光する露光動作を制御する第１制御部（ＭＣ）を備え、前記露光動作を実行する露光装置で（１３）あって、前記露光装置の外部に配置されて前記露光動作に関係する情報を記憶する第１記憶装置（２３、２４、６３、６４）と前記第１制御部との間を接続する高速通信ネットワーク（Ｎ２）を接続可能な接続部（２０、５０）を備えることを特徴としている。
本発明の露光方法は、上記の露光装置を用いて、所定パターン（ＤＰ）を基板（Ｗ）上に露光することを特徴としている。
また、本発明のデバイス製造方法は、上記の露光方法を用いて基板（Ｗ）にデバイスパターン（ＤＰ）を露光する工程（Ｓ１３）を含むことを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の測定検査装置は、所定の測定処理及び所定の検査処理の少なくとも一方を制御する第１制御部（Ｃ１〜Ｃ３）を備え、基板（Ｗ）に対して前記所定の測定及び所定の検査の少なくとも一方を行う測定検査装置（１４ａ、１４ｂ、１６）において、前記測定検査装置の外部に配置されて前記測定処理又は検査処理に関係する情報を記憶する第１記憶装置（２３、２４、６３、６４）と前記第１制御部との間を接続する高速通信ネットワーク（Ｎ２）を接続可能な接続部（２０、５０）を備えることを特徴としている。
本発明の測定検査方法は、上記の測定検査装置を用いて、所定の測定処理、及び、所定の検査処理の少なくとも一方を実行することを特徴としている。
また、本発明のデバイス製造方法は、上記の測定検査方法を用いて所定の測定処理、及び、所定の検査処理の少なくとも一方を実行する工程（Ｓ１２、Ｓ１５）を含むことを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の第２の観点によるデバイス製造処理システムは、デバイス製造処理システム（１０）であって、基板（Ｗ）上に所定パターン（ＤＰ）を露光する前に、既に前記基板上に形成されているデバイスパターンの段差の測定検査を実行する事前測定検査装置（１４ａ）と、前記所定パターンを露光された基板上のパターン線幅を測定検査する事後測定検査装置（１４ｂ）とを備え、前記事後測定検査装置による測定検査結果から得られるパターン線幅に関する情報に基づいて、前記事前測定検査装置での段差の測定検査を制御することを特徴としている。
この発明によると、事後測定検査装置による測定検査結果から得られるパターン線幅に関する情報に基づいて事前測定検査装置での段差の測定検査が制御され、これにより事前測定検査装置での事前測定検査処理が行われる。即ち、実際に露光された基板に形成されたパターン線幅の測定検査結果が事前測定検査装置に反映された上で事前測定検査が行われる。これにより、例えば線幅異常が生じた場合には、それを防止べく事前測定検査が行われる。
上記課題を解決するために、本発明の第３の観点によるデバイス製造処理システムは、デバイス製造処理システム（１０）であって、基板（Ｗ）上の欠陥又は異物の有無を測定検査する測定検査装置（１４ａ）と、基板（Ｗ）上の所定位置を観察して所定パターン（ＤＰ）を露光する露光装置（１３）とを含み、前記測定検査装置によって欠陥又は異物の存在が確認された位置を、前記露光装置での観察対象から除外することを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の第４の観点によるデバイス製造処理システムは、デバイス製造処理システム（１０であって、基板（Ｗ）上に形成された第１パターンに第２パターンの像を重ね合わせて、前記第２パターン（ＤＰ）を基板上に露光する露光装置（１３）と、前記露光装置で露光された基板を測定検査し、前記露光装置で前記第１パターンと前記第２パターンとを重ね合わせた結果を測定検査する測定検査装置（１４ｂ）とを備え、前記露光装置は、前記測定検査の結果に関する情報に基づいて、前記第１パターンと前記第２パターンの像との重ね合わせを実行することを特徴としている。

本発明によれば、所定のデバイス製造処理動作に関する情報が第１制御部から高速通信ネットワークを介して第１記憶装置に送信されて記憶されるため、高速通信ネットワーク以外のネットワークの負荷を低減することができるという効果がある。また、デバイス製造処理動作に関係する情報は、高速通信ネットワークを介して第１記憶装置に記憶されるため、装置間のリアルタイムなフィードフォワード、フィードバックのためのデータ共有、及びデータの管理を容易に行うことができるという効果がある。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、測定検査装置及び測定検査方法、並びにデバイス製造方法について詳細に説明する。

〔デバイス製造処理システム〕
図１は、本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システムの概略構成を示すブロック図である。図１に示す通り、本実施形態のデバイス製造処理システム１０は、ホストコンピュータ又は通信制御装置としての工場内生産管理ホストシステム１１、露光工程管理コントローラ１２、露光装置１３、インライン測定検査装置１４、トラック１５、オフライン測定検査装置１６、解析システム１７、及び基板処理装置１８を含んで構成される。このデバイス製造処理システム１０はデバイス製造工場内に設けられる。

工場内生産管理ホストシステム１１〜基板処理装置１８は、デバイス製造工場内に敷設されたＬＡＮ（Local Area Network）等のネットワークＮ１（第２ネットワーク：図２参照）を介して相互に接続されている。また、上記のデバイス製造処理システム１０をなすデバイス製造処理装置としての露光装置１３、インライン測定検査装置１４、トラック１５、オフライン測定検査装置１６、解析システム１７、及び基板処理装置１８は、高速通信ネットワークＮ２に接続されている。ここで、ネットワークＮ１は、例えばイーサネット（登録商標）であり、理論的な情報伝送速度は、ほぼ１００Ｍｂｐｓである。また、高速通信ネットワークＮ２は、例えば光ファイバケーブルで構成されており、理論的な情報伝送速度は、ほぼ１０Ｇｂｐｓである。

工場内生産管理ホストシステム１１は、デバイス製造工場内に敷設されたネットワークＮ１を介してデバイス製造工場内に設けられた各種デバイス製造処理装置（露光装置１３、インライン測定検査装置１４、トラック１５、オフライン測定検査装置１６、解析システム１７、及び基板処理装置１８）を統括的に制御する。露光工程管理コントローラ１２は、工場内生産管理ホストシステム１１の管理の下で露光装置１３を制御する。また、工場内生産管理ホストシステム１１は、ネットワークＮ１（図２参照）のトラフィック量を監視するトラフィック監視装置１１ａを備えており、このトラフィック監視装置１１ａの監視結果を用いて各デバイス製造処理装置との間の通信を制御する。

具体的には、工場内生産管理ホストシステム１１は、トラフィック監視装置１１ａの監視結果に応じて、工場内生産管理ホストシステム１１とデバイス製造処理装置との間における情報の送受信、又は、デバイス製造処理装置間における情報の送受信を、ネットワークＮ１を介して行うか、又は高速通信ネットワークＮ２を介して行うかを選択する。何れのネットワークを選択するかは、例えばトラフィック監視装置１１ａで監視される情報の通信量に応じて決定し、又は通信する情報の種類及び大きさに応じて決定する。尚、図１においては簡略化して図示しているが、デバイス製造工場内には露光装置１３が複数設けられており、露光工程管理コントローラ１２は、これら露光装置１３の各々を制御する。

露光装置１３は、所定のパターンをフォトレジスト等の感光剤が塗布されたウェハ又はガラス基板等の基板上に露光転写する装置である。この露光装置１３としては、例えば所定のパターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと基板を保持する基板ステージとを所定の位置関係に位置決めした状態で露光を行うステッパー等の一括露光型の投影露光装置（静止型露光装置）、又はマスクステージと基板ステージとを相対的に同期移動（走査）させながら露光を行うスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）等が挙げられる。尚、露光装置１３の詳細については後述する。

インライン測定検査装置１４及びトラック１５は、露光装置１３の各々に対してインライン化された装置である。インライン測定検査装置１４は、インライン事前測定検査装置１４ａとインライン事後測定検査装置１４ｂとを備えている。インライン事前測定検査装置１４ａは、露光装置１３で露光処理を行う前に、露光すべき基板の表面状態（例えば、基板に既に形成されているパターンの段差）等を測定検査し、又は基板に形成されたアライメントマークの計測（アライメント計測）を事前に行う装置である。このインライン事前測定検査装置１４ａの測定検査結果は他のデバイス製造処理装置（露光装置１３、インライン事後測定検査装置１４ｂ、トラック１５、オフライン測定検査装置１６、解析システム１７、及び基板処理装置１８）間で共有され、例えば露光すべき基板に対する露光条件を最適化するために用いられる。即ち、インライン事前測定検査装置１４ａの測定検査結果は露光装置１３にフィードフォワードされ、露光装置１３の露光条件を最適化するために用いられる。

また、インライン事後測定検査装置１４ｂは、例えば露光装置１３の露光処理によって基板上に形成されたパターンの重ね合わせや線幅等を測定検査する装置である。このインライン事後測定検査装置１４ｂの測定検査結果も他のデバイス製造処理装置（露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、トラック１５、オフライン測定検査装置１６、解析システム１７、及び基板処理装置１８）間で共有され、例えば以後露光すべき基板に対する露光条件を最適化するために用いられる。即ち、インライン事後測定検査装置１４ｂの測定検査結果は露光装置１３にフィードバックされ、露光装置１３の露光条件を最適化するために用いられる。

トラック１５は、露光装置１３に対して基板の搬入・搬出処理を行う装置である。本実施形態では、このトラックに１５にコータ・デベロッパ１５ａが設けられている。コータ・デベロッパ１５ａは、露光装置１３で露光処理すべき基板に対してフォトレジスト等の感光剤を塗布するとともに、露光装置１３で露光処理が行われた基板の現像を行う。つまり、露光処理すべき基板は、まずコータ・デベロッパ１５ａで感光剤が塗布された後でトラック１５により露光装置１３に搬入される。露光処理がされた基板はトラック１５によって露光装置１３から搬出されてコータ・デベロッパ１５ａで現像処理が行われる。

オフライン測定検査装置１６は、露光装置１３とは別に設けられたオフラインの装置であり、例えば露光装置１３の露光処理で形成されたパターンの重ね合わせ精度若しくは線幅の測定、又はこれらの検査を行う。尚、このオフライン測定検査装置１６においては、各種測定のみ、又は各種検査のみが行われる場合もあれば、各種測定と各種検査とが共に行われる場合もある。以下、本明細書では測定及び検査を総称して「測定検査」という。本明細書で「測定検査」という場合には、測定のみが行われる場合、又は検査のみが行われる場合が含まれる。解析システム１７は、露光装置１３から得られる各種データ、又はオフライン測定検査装置１６から得られる各種測定検査結果を用いて各種解析又はシミュレーションを行う装置である。例えば、露光装置１３から得られる露光条件を示す各種データを用いて基板上に形成されているであろうパターンの線幅をシミュレーションにより求める。

基板処理装置１８は、基板に対して所定の処理を行う装置である。図１に示す例では、基板処理装置１８の一例として、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）装置１８ａ、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）装置１８ｂ、エッチング装置１８ｃ、及び酸化・イオン注入装置１８ｄを図示している。ＣＶＤ装置１８ａは基板上に薄膜を形成する成膜装置であり、ＣＭＰ装置１８ｂは化学機械研磨によって基板の表面を平坦化する研磨装置である。また、エッチング装置１８ｃは基板のエッチングを行う装置であり、酸化・イオン注入装置１８ｄは基板表面に酸化膜を形成し、又は基板上の所定位置に不純物を注入するための装置である。

前述の通り、本実施形態では、各種デバイス製造処理装置（露光装置１３、インライン測定検査装置１４、トラック１５、オフライン測定検査装置１６、解析システム１７、及び基板処理装置１８）が、ネットワークＮ１及び高速通信ネットワークＮ２を介して相互に接続されており、これらのネットワークを介して各々のデバイス製造処理装置で用いられる情報又は各々のデバイス製造処理装置で得られる情報が共有される。ここで、情報の共有は、主として高速通信ネットワークＮ２を介して行われる。これは、高速通信ネットワークＮ２がネットワークＮ１よりも高速であるからである。また、各デバイス製造処理装置で扱うデータのデータ量が膨大になってきており、このデータの通信をネットワークＮ１のみを介して行おうとすると、ネットワークＮ１の負荷が大きくなって、デバイス製造処理が滞る虞が考えられるからである。

以上、本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システムの全体構成について説明したが、次に各デバイス製造処理装置を接続する高速通信ネットワークＮ２について詳細に説明する。図２は、本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システムに含まれる高速通信ネットワークＮ２の要部を示すブロック図である。尚、図１に示す通り、露光装置１３、インライン測定検査装置１４、トラック１５、オフライン測定検査装置１６、解析システム１７、及び基板処理装置１８が高速通信ネットワークＮ２を介して相互に接続されているが、図２においては、簡略化して露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６のみを図示している。以下の説明では、簡単のために、他のデバイス製造処理システム（トラック１５、解析システム１７、及び基板処理装置１８）についての説明は省略する。

図２に示す通り、工場内生産管理ホストシステム１１、露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６は、それぞれネットワークＮ１に接続されており、このネットワークＮ１介して相互に接続されている。尚、図２においては、露光装置１３を管理する露光工程管理コントローラ１２の図示を省略している。また、露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６は、光ファイバケーブルで構成される高速通信ネットワークＮ２に接続されている。

露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６は、高速通信ネットワークＮ２を実現するためのオプティカルチャネルボード２０をそれぞれ備える。このオプティカルチャネルボード２０は、通信部２１、記憶制御装置としてのＣＰＵ（中央処理装置）２２、共有メモリ２３、及び共有ディスク２４を含んで構成される。通信部２１は、光ファイバケーブルが接続されるコネクタ（図示省略）を備えており、送信すべき情報を光信号に変換して高速通信ネットワークＮ２に送信するとともに、高速通信ネットワークＮ２を介して送信されてくる光信号を受信して電気信号に変換する。

ＣＰＵ２２は、高速通信ネットワークＮ２を介した通信の通信制御を行う。また、共有メモリ２３及び共有ディスク２４に対する情報の書き込み制御、及び情報の読み出し制御を行って他のデバイス製造処理装置との間の情報の共有を実現するための制御を行う。具体的には、高速通信ネットワークＮ２を介して接続されたオプティカルチャネルボード２０の各々に設けられた共有メモリ２３に記憶される内容を同一にする制御を行う。

より具体的には、高速通信ネットワークＮ２に接続されたデバイス製造処理装置の何れか（例えば、露光装置１３）で行われた処理（例えば、露光処理）によって新たな情報が得られた場合には、ＣＰＵ２２は、この情報を共有メモリ２３に書き込むとともに、この情報とともに新たな情報が得られた旨を示す制御情報を、高速通信ネットワークＮ２を介して他のデバイス製造処理装置（例えば、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６）に送信する。一方、高速通信ネットワークＮ２を介して送信されてきた上記の情報を受信した場合には、ＣＰＵ２２は、制御情報に従って送信されてきた情報を共有メモリ２３に書き込む。

また、高速通信ネットワークＮ２に接続されたデバイス製造処理装置の何れか（例えば、露光装置１３）において、ＣＰＵ２２が共有メモリ２３の内容を削除した場合には、ＣＰＵ２０は、その旨を示す制御情報を高速通信ネットワークＮ２を介して他のデバイス製造処理装置（例えば、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６）に送信する。一方、高速通信ネットワークＮ２を介して送信されてきた上記の制御情報を受信した場合には、ＣＰＵ２２は、送信されてきた制御情報に従って共有メモリ２３の内容を削除する。以上の処理を各デバイス製造処理装置に設けられたオプティカルチャネルボード２０のＣＰＵ２２の各々が行うことにより、高速通信ネットワークＮ２に接続されたデバイス製造処理装置間で共有メモリ２３の内容が同一に保たれる。

更に、ＣＰＵ２２は、高速通信ネットワークＮ２に接続された各デバイス製造処理装置が備える共有ディスク２４の各々１つの共有ディスクに統合する制御を行う。図３は、統合された共有ディスクを説明するための図である。図３に示す通り、各デバイス製造処理装置に設けられるＣＰＵ２２は、各々に設けられた共有ディスク２４を互いにマウントすることにより、共有ディスク２４の各々を仮想的に１つの共有ディスクＵＤに統合する。

図３に示す例においては、露光装置１３の共有ディスク２４は共有ディスクＵＤの第１領域Ｒ１として扱われ、インライン事前測定検査装置１４ａの共有ディスク２４は共有ディスクＵＤの第２領域Ｒ２として扱われる、また、インライン事後測定検査装置１４ｂの共有ディスク２４は共有ディスクＵＤの第３領域Ｒ３として扱われ、オフライン測定検査装置１６の共有ディスク２４は共有ディスクＵＤの第４領域Ｒ４として扱われる。

但し、ＣＰＵ２２は、情報を共有ディスク２４に書き込む場合には、自身が管理している共有ディスク２４に対してのみ書き込む。例えば、露光装置１３に設けられるＣＰＵ２２は露光装置１３に設けられる共有ディスク２４にのみ情報の書き込みを行い、インライン事前測定検査装置１４ａに設けられるＣＰＵ２２はインライン事前測定検査装置１４ａに設けられる共有ディスク２４にのみ情報の書き込みを行う。これは、インライン事後測定検査装置１４ｂ及びオフライン測定検査装置１６についても同様である。即ち、各デバイス製造処理装置でのデバイス処理動作に関係する情報は、専らそのデバイス製造処理装置に設けられた共有ディスク２４に書き込まれ、他のデバイス製造処理装置に設けられた共有ディスクに書き込まれることはない。

これに対し、各デバイス製造処理装置のＣＰＵ２２は、情報の読み出しを行う場合には、統合された共有ディスクＵＤを用いる。例えば、露光装置１３に設けられたＣＰＵ２２が、自身が管理している共有ディスク２４から情報を読み出す場合には、統合された共有ディスクＵＤの第１領域Ｒ１から読み出し、インライン事前測定検査装置１４ａに設けられた共有ディスク２４から情報を読み出す場合には、統合された共有ディスクＵＤの第２領域Ｒ２から読み出す。

同様に、インライン事後測定検査装置１４ｂに設けられた共有ディスク２４から情報を読み出す場合には統合された共有ディスクＵＤの第３領域Ｒ３からの読み出しを行い、オフライン測定検査装置１６に設けられた共有ディスク２４から情報を読み出す場合には統合された共有ディスクＵＤの第４領域Ｒ４からの読み出しを行う。即ち、各デバイス製造処理装置の共有ディスク２４に書き込まれた情報は、他のデバイス製造処理装置から読み出して参照することが可能である。以上の処理によって、各デバイス製造処理装置が備えるそれぞれの共有ディスク２４に書き込まれた情報も各デバイス製造処理装置間で共有される。

また更に、各デバイス製造処理装置のＣＰＵ２２は、必要であれば共有メモリ２３の内容を共有ディスクＵＤに待避（スワップ）するとともに、新たな情報を共有ディスクＵＤに読み込んでその内容を入れ替え、共有メモリ２３が有効に活用されるよう制御する。後述する通り、共有メモリ２３は共有ディスク２４よりも高速で情報の書き込み及び読み出しが可能であり、共有ディスク２４は共有メモリ２３よりも多くの情報を記録可能である。高速通信ネットワークＮ２を介して複数のデバイス製造処理装置間で情報の共有を行う場合には、情報の書き込み及び読み出しが高速な方が有利である。このため、ＣＰＵ２２は、必要であれば共有メモリ２３の内容を、より容量の大きな共有ディスク２４に待避（スワップ）する制御を行う。

オプティカルチャネルボード２０に設けられる共有メモリ２３は、共有ディスク２４よりも高速で情報の書き込み及び読み出しが可能なＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等のメモリを用いることができる。この共有メモリ２３の容量は、コスト面を考慮すると、例えば１Ｇバイト程度が好ましいが、この容量に制限される訳ではない。また、オプティカルチャネルボード２０に設けられる共有ディスク２４は、共有メモリ２３よりも多くの情報を記録可能なハードディスク等の情報記録媒体を用いることができる。この共有ディスク２４の容量は、コスト面を考慮すると、例えば１００Ｇバイト程度が好ましいが、この容量に制限される訳ではない。

露光装置１３に設けられるオプティカルチャネルボード２０は、露光装置１３の内部バス（内部接続部）Ｂ１を介して露光装置１３の動作を統括的に制御する主制御系ＭＣに接続されている。この内部バスＢ１の理論的な情報伝送速度は、高速通信ネットワークＮ２と同程度のほぼ１０Ｇｂｐｓである。また、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６に設けられるオプティカルチャネルボード２０は、各々の内部バスＢ１１〜Ｂ１３を介して各々の動作を統括的に制御する制御装置Ｃ１〜Ｃ３にそれぞれ接続されている。インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６の各々に設けられる内部バスＢ１１〜Ｂ１３の理論的な情報伝送速度も、高速通信ネットワークＮ２と同程度のほぼ１０Ｇｂｐｓである。

〔露光装置〕
図４は、本発明の一実施形態によるデバイス製造処理装置の一種である露光装置の概略構成を示す側面図である。図４においては、半導体素子を製造するための露光装置であって、マスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを同期移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンＤＰを逐次ウェハＷ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置を例に挙げる。尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。このＸＹＺ直交座標系は、ＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、露光時におけるレチクルＲ及びウェハＷの同期移動方向（走査方向）はＹ方向に設定されているものとする。

図４に示す露光装置１３は、レチクルＲ上のＸ方向に延びるスリット状（矩形状又は円弧状）の照明領域を均一な照度を有する露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンＤＰの像をフォトレジストが塗布されたウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、ウェハＷを保持するウェハステージＷＳＴと、これらを制御する主制御系ＭＣとを含んで構成されている。

照明光学系ＩＬＳは、光源ユニット、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等（何れも不図示）を含んで構成されている。この照明光学系の構成等については、例えば特開平９−３２０９５６に開示されている。ここで、上記の光源ユニットとしては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、若しくはＦ_２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ_２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ_２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）等の紫外レーザ光源、銅蒸気レーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等を使用することができる。

レチクルステージＲＳＴは、真空吸着又は静電吸着等によりレチクルＲを保持するものであり、照明光学系の下方（−Ｚ方向）に水平に配置されたレチクル支持台（定盤）３１の上面上で走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能に構成されている。また、このレチクルステージＲＳＴは、レチクル支持台３１に対してＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）にそれぞれ微小駆動可能に構成されている。

レチクルステージＲＳＴ上の一端には移動鏡３２が設けられており、レチクル支持台３１上にはレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）３３が配置されている。レチクル干渉計３３は、移動鏡３２の鏡面にレーザ光を照射してその反射光を受光することにより、レチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）の位置を検出する。レチクル干渉計３３により検出されたレチクルステージＲＳＴの位置情報は、装置全体の動作を統轄制御する主制御系ＭＣに供給される。主制御系ＭＣは、レチクルステージＲＳＴを駆動するレチクル駆動装置３４を介してレチクルステージＲＳＴの動作を制御する。

上述した投影光学系ＰＬは、複数の屈折光学素子（レンズ素子）を含んで構成され、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウェハＷ）側との両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β（βは例えば１／４，１／５等）を有する屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向は、ＸＹ平面に直交するＺ方向に設定されている。尚、投影光学系ＰＬが備える複数のレンズ素子の硝材は、露光光ＥＬの波長に応じて、例えば石英又は蛍石が用いられる。また、本実施形態では、レチクルＲに形成されたパターンＤＰの倒立像をウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを例に挙げて説明するが、勿論パターンＤＰの正立像を投影するものであっても良い。

投影光学系ＰＬには、温度や気圧を計測するとともに、温度、気圧等の環境変化に応じて投影光学系ＰＬの結像特性等の光学特性を一定に制御するレンズコントローラ部３５が設けられている。このレンズコントローラ部３５の温度や気圧の計測結果は主制御系ＭＣに出力され、主制御系ＭＣはレンズコントローラ部３５から出力された温度や気圧の測定結果に基づいて、レンズコントローラ部３５を介して投影光学系ＰＬの結像特性等の光学特性を制御する。

ウェハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方（−Ｚ方向）に配置されており、真空吸着又は静電吸着等によりウェハＷを保持する。このウェハステージＷＳＴは、ウェハ支持台（定盤）３６の上面上で走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能に構成されているとともに、Ｘ方向及びＹ方向にステップ移動可能に構成されており、更にＺ方向へ微動（Ｘ軸回りの回転及びＹ軸回りの回転を含む）可能に構成されている。このウェハステージＷＳＴによって、ウェハＷをＸ方向及びＹ方向へ移動させることができ、またウェハＷのＺ方向の位置及び姿勢（Ｘ軸周りの回転及びＹ軸周りの回転）を調整することができる。

ウェハステージＷＳＴ上の一端には移動鏡３７が設けられており、ウェハステージＷＳＴの外部にはレーザ光を移動鏡３７の鏡面（反射面）に照射するレーザ干渉計（以下、ウェハ干渉計という）３８が設けられている。このウェハ干渉計３８は、移動鏡３７の鏡面にレーザ光を照射してその反射光を受光することによりウェハステージＷＳＴのＸ方向及びＹ方向の位置、並びに姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転θＸ，θＹ，θＺ）を検出する。ウェハ干渉計３８の検出結果は主制御系ＭＣに供給される。主制御系ＭＣは、ウェハ干渉計３８の検出結果に基づいてウェハ駆動装置３９を介してウェハステージＷＳＴの位置及び姿勢を制御する。

また、本実施形態の露光装置１３は、送光系４０ａ及び受光系４０ｂから構成され、投影光学系ＰＬに関してレチクルＲ上の照明領域と共役なウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点でそれぞれウェハＷの表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出する多点ＡＦセンサ４０を投影光学系ＰＬの側方に備える。多点ＡＦセンサ４０は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置及び姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸周りの回転θＸ，θＹ：レベリング）を検出するものである。

この多点ＡＦセンサ４０の検出結果は主制御系ＭＣに供給される。主制御系ＭＣは、多点ＡＦセンサ４０の検出結果に基づいてウェハ駆動装置３９を介してウェハステージＷＳＴの位置及び姿勢を制御する。具体的には、主制御系ＭＣには予めウェハＷの表面を合わせ込む基準となる基準面（以下、ＡＦ面という）が設定されており、主制御系ＭＣは多点ＡＦセンサ４０の検出結果に基づいてウェハＷの表面がＡＦ面に一致するようウェハステージＷＳＴの位置及び姿勢を制御する。

更に、本実施形態の露光装置１３は、投影光学系ＰＬのＹ方向の側面に、ウェハＷ上に設定されたショット領域に付設されたアライメントマークを観察するための画像処理方式のオフ・アクシス方式のアライメントセンサ４１が配置されている。アライメントセンサ４１の観察結果（計測結果）は、主制御系ＭＣに供給される。アライメントセンサ４１の光学系の光軸は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行とされている。かかるアライメントセンサ４１の詳細な構成は、例えば特開平９−２１９３５４号公報及びこれに対応する米国特許第５，８５９，７０７号等に開示されている。主制御系ＭＣは、アライメントセンサ４１の計測結果を用いてＥＧＡ計測を行う。ここで、ＥＧＡ計測とは、ウェハＷに形成された代表的な数個のアライメントマークの計測結果を用いて所定の統計演算（ＥＧＡ演算）を行い、ウェハＷ上に設定された全てのショット領域の配列を求める計測方法である。

また、主制御系ＭＣは、ネットワークＮ１を介して図１に示す露光工程管理コントローラ１２に接続されており、露光工程管理コントローラ１２からネットワークＮ１を介して送信される露光レシピ（露光制御情報）に従った露光処理を実行する。また、主制御系ＭＣは、内部バスＢ１を介して前述のオプティカルチャネルボード２０に接続されており、これにより高速通信ネットワークＮ２を介してインライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、オフライン測定検査装置１６等と通信を行う。具体的には、例えばインライン事前測定検査装置１４ａ又はインライン事後測定検査装置１４ｂの検査結果が高速通信ネットワークＮ２を介して送信されてきた場合には、この測定検査結果を用いて露光条件を最適化する制御を行う。

〔デバイス製造方法〕
図５は、本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システムを用いたデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。ここで、図５に示すデバイス製造方法は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等を製造する場合の何れにも適用することができるが、ここでは半導体チップを製造する場合を例に挙げて説明する。尚、図５において、白抜き矢印はウェハＷに対して行われる処理の遷移を表しており、実線矢印は各処理間における情報の流れを表している。以下のデバイス製造処理は、複数枚（例えば、２５枚）のウェハＷを単位としたロット単位で行われるとする。

処理が開始されると、まず、図１に示すＣＶＤ装置１８ａに、１ロット分のウェハＷが搬送されてウェハＷ上に半導体薄膜を形成する成膜処理が行われる。この処理では、１ロット分のウェハＷの全てに対して同一の半導体膜が成膜される（工程Ｓ１１）。成膜処理が終了すると、１ロット分のウェハＷはトラック１５内に設けられたコータ・デベロッパ１５ａに搬送される。そして、コータ・デベロッパ１５ａによってウェハＷ上にフォトレジストが順次塗布される。フォトレジストが塗布されたウェハＷは、インライン事前測定検査装置１４ａに搬送されて事前測定検査処理が行われる（工程Ｓ１２）。

この事前測定検査処理では、ウェハＷ上に形成されているアライメントマークの計測、ウェハＷ表面の段差計測、ウェハＷ上の欠陥・異物検査等が行われる。そして、これらの計測・検査結果から、露光装置１３で露光時に行われるアライメント処理（位置合わせ処理）のパラメータの最適化、露光装置１３で露光時に行われるオートフォーカス制御に用いるパラメータの最適化が行われる。

つまり、前述した通り、露光装置１３ではウェハＷに形成された代表的な数個のアライメントマークの計測結果からウェハＷ上に設定された全てのショット領域の配列を求めるＥＧＡ計測が行われる。ここで、露光装置１３でＥＧＡ計測を行う際に、計測すべきアライメントマークが変形し、又は異物が付着していると、ショット領域の配列を精確に求めることはできず、その結果として露光時の位置合わせ誤差が生ずる。これを防止するため、予めインライン事前測定検査装置１４ａでアライメントマークの計測及びウェハＷ上の欠陥・異物検査を行って、ＥＧＡ計測で使用すべきアライメントマークの選定、アライメントセンサ４１でアライメントマークを計測する際に使用すべき計測アルゴリズムの決定等のアライメント処理のパラメータの最適化を行っている。具体的には、例えば、異物が付着しているアライメントマークが確認された場合には、そのアライメントマークをＥＧＡ計測で計測すべきアライメントマークの候補から除外する処理を行ってアライメント処理のパラメータの最適化を行っている。

また、露光装置１３が図４に示すステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置である場合には、ウェハＷを移動させつつ露光処理が行われる。露光時には、多点ＡＦセンサ４０の検出結果に基づいて、Ｚ方向におけるウェハＷの位置及びウェハＷの姿勢を制御することにより、ウェハＷの表面を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込むオートフォーカス制御が行われるが、ウェハＷの表面状態に応じて最適な制御方法が異なる。このため、予めインライン事前測定検査装置１４ａでウェハＷ表面の段差計測を行い、フォーカス制御に用いるパラメータの最適化を行っている。また、事前測定検査処理で異物の付着又は欠陥が確認された場合には、その異物の付着又は欠陥が確認された位置を多点ＡＦセンサ４０の検出点から除外することにより、オートフォーカス制御に用いるパラメータの最適化を行っている。

インライン事前測定検査装置１４ａで事前測定検査処理が行われる場合には、まずウェハＷ上におけるアライメントマークの形成位置、露光装置１３のＥＧＡ計測で用いる各種パラメータ等が露光装置１３からネットワークＮ１又は高速通信ネットワークＮ２を介してインライン事前測定検査装置１４ａに送信される。ここで、これらのネットワークＮ１又は高速通信ネットワークＮ２の何れを介して送信するかは、例えば工場内生産管理ホストシステム１１のトラフィック監視装置１１ａの監視結果に基づいて決定される。或いは、これら各種パラメータのデータ量はさほど大きくないため、予め何れのネットワークを介して送信するかを決定しておいても良い。

また、インライン事前測定検査装置１４ａの事前測定検査処理によって得られた各種計測結果及び露光装置１３の露光条件を最適化するための各種パラメータは、例えばインライン事前測定検査装置１４ａの共有ディスク２４に記録される。尚、これらのデータ量が小さい場合には、インライン事前測定検査装置１４ａの共有メモリ２３に記憶しても良い。共有メモリ２３に記憶された場合には、上記の各種計測結果等は、他のデバイス製造処理装置（露光装置１３、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６）に送信されて（ステップＳＣ１）共有メモリ２３にも記録される。これによりデバイス製造処理装置の各々に設けられた共有メモリ２３の内容が同一に保たれる。この処理により、露光装置１３の露光条件を最適化するための各種パラメータが露光装置１３に対してフィードフォワードされる。

以上の処理が終了すると、露光装置１３でウェハＷの露光処理が行われる（工程Ｓ１３）。上記のインライン事前測定検査装置１４ａで得られた各種計測結果及び露光装置１３の露光条件を最適化するための各種パラメータがインライン事前測定検査装置１４ａの共有ディスク２４に記録された場合には、露光装置１３の主制御系ＭＣは、まずこの各種計測結果及び各種パラメータを読み出す（ステップＳＣ１）。ここで、各デバイス製造処理装置が備える共有ディスク２４は統合されているため、主制御系ＭＣは共有ディスクＵＤの第１領域Ｒ１（図３参照）から上記の各種計測結果及び各種パラメータを読み出す。この処理によっても露光装置１３の露光条件を最適化するための各種パラメータが露光装置１３に対してフィードフォワードされる。尚、インライン事前測定検査装置１４ａで得られた各種計測結果及び露光装置１３の露光条件を最適化するための各種パラメータがインライン事前測定検査装置１４ａの共有メモリ２３に記憶された場合には、上述した通り、露光装置１３の共有メモリ２３にも記憶されているため、この読み出し処理は省略される。

露光処理が開始されると、露光レシピに従ったレチクルＲがレチクルステージＲＳＴ上に保持されるとともに、インライン事前測定検査装置１４ａで事前測定検査処理が行われたウェハＷが露光装置１３に搬送されてウェハステージＷＳＴ上に保持される。次に、露光装置１３の主制御系ＭＣは、ウェハステージＷＳＴをＸＹ平面内で移動させてインライン事前測定検査装置１４ａから送信されたパラメータで指示されるアライメントマークをアライメントセンサ４１の計測視野内に配置し、そのアライメントマークを計測する。ここで、前述の事前測定検査処理によって、異物の付着等があるアライメントマークは計測対象から除外されているため、かかるアライメントマークに対する計測は行われない。上記のパラメータで指示されるアライメントマークの計測が終了すると、主制御系ＭＣは、ＥＧＡ演算を行ってウェハＷ上の全ショット領域の配列を求める。

ＥＧＡ計測が終了すると、ウェハＷ上に設定された各ショット領域に対する露光が行われる。ショット領域を露光する場合には、主制御系ＭＣはウェハ駆動装置３９を駆動して、最初に露光すべきショット領域が移動開始位置に配置されるようウェハステージＷＳＴをＸＹ面内で移動させる。これと同時に主制御系ＭＣによってレチクル駆動装置３４が駆動されて、レチクルステージＲＳＴも移動開始に配置される。以上の配置が完了すると、主制御系ＭＣはレチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの移動を開始させ、レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴが所定の速度に達してから整定時間（レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの加速により生じた振動を収めるために設けられる時間）経過後に照明光学系ＩＬＳに制御信号を出力して露光光ＥＬを射出させる。これにより、露光光ＥＬがレチクルＲに照射されてショット領域の露光が開始される。

主制御系ＭＣは、ショット領域の露光の最中は、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとを一定速度でＹ方向に移動させる。また、ショット領域を露光している最中において、主制御系ＭＣは、インライン事前測定検査装置１４ａから送信されたパラメータと、多点ＡＦセンサ４０の検出結果とに応じたオートフォーカス制御を行い、ウェハＷの表面を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込む。ここで、前述した事前測定検査装置で異物の付着又は欠陥が観察された位置においては、その位置を多点ＡＦセンサ４０の検出点から除外することにより、オートフォーカス制御に用いるパラメータの最適化を行っている。１つのショット領域の露光を終えると、主制御系ＭＣはウェハステージＷＳＴをＸＹ面内で移動させて次に露光すべきショット領域を移動開始位置に配置する。以下、同様にしてウェハＷ上のショット領域の全てに対する露光が行われる。

ウェハＷ上の全ショット領域の露光が終了すると、ウェハステージＷＳＴ上に保持されているウェハＷが搬出されるとともに、インライン事前測定検査装置１４ａの事前測定検査処理を終えた新たなウェハＷが露光装置１３に搬送されてウェハステージＷＳＴ上に保持される。尚、主制御系ＭＣは、ショット領域毎の露光、ウェハＷ毎の露光処理、又はロット毎の露光処理を終えたときに、露光処理を行う際に用いた実行パラメータ、アライメント計測結果等の各種計測結果、及び露光結果を示す各種トレースデータを露光装置１３の共有ディスク２４に記録する。

尚、露光処理で得られるデータのデータ量は膨大であるため、共有ディスク２４に記録されることが多いが、共有メモリ２３の容量に余裕がある場合には共有メモリ２３に記録しても良い。尚、共有メモリ２３に記録した場合には、高速通信ネットワークＮ２を介して他のデバイス製造処理装置の共有メモリ２３にも記録される。ここで、トレースデータには、例えば露光時におけるウェハステージＷＳＴとレチクルステージＲＳＴとの同期精度を示す同期精度トレースデータ、露光時における投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷの表面位置及び姿勢の制御誤差をウェハＷの位置毎に示すフォーカストレースデータ等がある。

露光処理を終えて露光装置１３から搬出されたウェハＷは、トラック１５内に設けられたコータ・デベロッパ１５ａに搬送されて現像処理が行われる（工程Ｓ１４）。現像処理が行われたウェハＷは、インライン事後測定検査装置１４ｂに搬送されて事後測定検査処理が行われる（工程Ｓ１５）。この事後測定検査処理では、重ね合わせ計測、線幅計測等が行われる。尚、この事後測定処理は、必要に応じて後述のエッチング処理の後に行っても良い。

インライン事後測定検査装置１４ｂは、露光装置１３又はインライン事前測定検査装置１４ａに対してアライメント計測に用いたパラメータ、アライメント計測結果、並びにオートフォーカス、同期精度、露光量等の各種制御データの送出要求を送信して、例えば高速通信ネットワークＮ２を介してこれらのデータを取得する（ステップＳＣ２）。尚、露光装置１３の主制御系ＭＣは、インライン事後測定検査装置１４ｂに対して上記のデータを送信した場合には、一時的に記録しているこれらのデータを速やかに削除してもよい。

インライン事後測定検査装置１４ｂは、露光装置１３等から取得したデータを用いて上記の重ね合わせ計測、線幅計測等により得られた計測結果を解析する。この解析の結果、重ね合わせ又は線幅が異常である場合には、例えば高速通信ネットワークＮ２を介して露光装置１３又はインライン事前測定検査装置１４ａの処理パラメータの変更を通知する（ステップＳＣ３）。尚、この処理では、インライン事後測定検査装置１４ｂに設けられた共有メモリ２３に上記の計測結果を記憶するだけで、その内容が他のデバイス製造処理装置の共有メモリ２３にも記憶される。これにより、露光装置１３の露光条件を最適化するための各種パラメータが露光装置１３に対してフィードバックされる。

ここで、インライン事後測定検査装置１４ｂからインライン事前測定検査装置１４ａにフィードバックされる各種パラメータに基づいてインライン事前測定検査装置１４ａの動作を制御するのが好適である。例えば、インライン事後測定検査装置１４ｂで得られる線幅計測結果に基づいてインライン事前測定検査装置１４ａにおけるウェハＷ表面の段差計測を制御するのが好ましい。例えば、インライン事後測定検査装置１４ｂで得られたパターン線幅の計測結果に基づいて、ウェハＷの特定位置での段差計測の計測精度を、他の位置での段差計測の測定精度よりも高める制御を行うことが望ましい。かかる制御を行うことで、例えばパターン線幅の計測結果が悪い部位の段差計測精度が高められる。これにより、次に露光処理を行うときに、パターン線幅の計測結果が悪い部位に関してより表面形状に適合したオートフォーカス制御を行うことができ、パターン線幅を所望の線幅に近づけることが可能となる。

また、インライン事後測定検査装置１４ｂから露光装置１３にフィードバックされる各種パラメータに基づいて、露光装置１３の露光条件を変更した上で露光処理を行うのが望ましい。例えば、インライン事後測定検査装置１４ｂで得られたパターン線幅が設計値よりも太ければ、例えば露光光ＥＬの照射量を低減し、又は露光光ＥＬの照明条件（σ値等）を変更する等の制御を行うことが望ましい。或いは、主制御系ＭＣがレンズコントローラ部３５を介して投影光学系ＰＬの結像特性等の光学特性を制御しても良い。

以上のフォトレジストの塗布処理Ｓ１１、事前測定検査処理Ｓ１２、露光処理Ｓ１３、現像処理Ｓ１４、及び事後測定検査処理Ｓ１５は１ロット分のウェハＷを単位として順次行われる訳ではなく、ウェハＷを単位として順次行われる。１ロット分のウェハＷに対する上記の各処理が終了すると、そのロットは図１に示す基板処理装置１８に搬送され、エッチング装置１８ｃによりエッチング処理が行われ、酸化・イオン注入装置１８ｄにより不純物拡散処理が行われ、更に不図示の蒸着装置によりアルミ蒸着配線処理が行われる（工程Ｓ１６）。尚、この工程では、必要に応じてＣＭＰ装置１８ｂを用いた化学機械研磨処理が行われる。

以上説明した工程Ｓ１１〜工程Ｓ１６の処理を行うことにより、ウェハＷ上には１層（１レイヤ）のパターンが形成される。即ち、工程Ｓ１１〜工程Ｓ１６は、まとめてレイヤ形成工程Ｓ１であるということができる。上記の工程Ｓ１６を終えたロットは、再度ＣＶＤ装置１８ａ又はコータ・デベロッパ１５ｂに搬送される。そして、ウェハＷ上に形成すべきレイヤの数の分だけ上記のレイヤ形成工程Ｓ１が繰り返される。

その後、以上の工程を経たロットは、不図示のプロービング装置に搬送されてプロービング（検査）処理が行われる（工程Ｓ１７）。このとき、予め工程Ｓ１５で行われた事後測定検査処理によって重ね合わせ又は線幅の異常箇所が分かっているため、この異常箇所があるチップの検査を省略するのがデバイスの製造効率を向上させる上で好ましい。インライン事後測定検査装置１４ｂで得られる異常箇所を示す情報をプロービング装置で用いるために、プロービング装置を高速通信ネットワークＮ２等に接続し、インライン事後測定検査装置１４ｂで得られる異常箇所の情報を高速通信ネットワークＮ２等を介してプロービング装置に送信するのが望ましい（ステップＳＣ４）。

プロービング処理を終えると、リペア処理が行われる（工程Ｓ１８)。リペア処理とは、基板に回路を形成するときに本来の素子部分に対して並列させて冗長部分を形成しておき、本来の素子部分に欠陥がある場合には、レーザリペア装置等を用いてその素子部分をレーザ光により焼き切り、欠陥のある素子部分に代えて冗長部分を用いることにより回路を修復する処理をいう。ここで、予め工程Ｓ１５で行われた事後測定検査処理によって重ね合わせ又は線幅の異常箇所が分かっているため、この異常箇所があるチップのリペア処理を省略するのがデバイスの製造効率を向上させる上で好ましい（ステップＳＣ４）。

かかるリペア処理を実現するために、不図示のリペア装置を高速通信ネットワークＮ２等に接続し、インライン事後測定検査装置１４ｂで得られる異常箇所の情報を高速通信ネットワークＮ２等を介してリペア装置に送信するのが望ましい。次いで、ウェハＷに対するダイシング処理が行われ（工程Ｓ１９）、ダイシングにより分離された各チップに対してパッケージング処理が行われ、またボンディング処理が行われる（工程Ｓ２０）。以上の工程を経てデバイスが製造される。

以上説明した通り、本実施形態では、高速通信ネットワークＮ２等を介して露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、及びインライン事後測定検査装置１４ｂの間で各種情報が送受信され、露光装置１３の露光条件を最適化するための各種パラメータが露光装置１３に対してフィードフォワードされ、又はフィードバックされる。このため、各デバイス製造処理装置で得られる情報を、デバイス製造処理装置間で効果的に利用することができる。

また、本実施形態では、ネットワークＮ１以外に高速通信ネットワークＮ２によって各デバイス製造処理装置を相互に接続し、デバイス製造処理装置で用いる情報又はデバイス製造処理装置で得られた情報を、デバイス製造処理装置間で共有している。また、情報の送受信経路はネットワークＮ１のトラフィック量に応じて制御でき、また、送受信するデータの種類や大きさに応じて制御できるため、ネットワークの負荷を低減することができる。また、本実施形態では、共有メモリ２３の内容が各デバイス製造処理装置間で同一とされるため、データの管理を容易に行うことができる。

尚、上記実施形態では、主として露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、及びインライン事後測定検査装置１４ｂ間で各種情報の送受信が行われる場合を例に挙げて説明したが、高速通信ネットワークＮ２に接続される他のデバイス製造処理装置（トラック１５、解析システム１７、及び基板処理装置１８）との間での情報の送受信も可能である。従って、これらの間でも情報を効果的に利用することができる。例えば、露光装置１３で得られるアライメント結果等を高速通信ネットワークＮ２を介して解析システム１７に送信することにより、ウェハＷ上に形成されるであろうパターンの重ね合わせ結果がシミュレーションによって求められる。そして、このシミュレーション結果を、高速通信ネットワークＮ２を介して露光装置１３に送信することにより、露光装置１３の主制御系ＭＣはアライメント時に計測すべきアライメントマークの選択を最適化する、といった運用を行うことも可能である。

また、上記実施形態では、デバイス製造処理装置の各々に共有メモリ６３及び共有ディスク６４が設けられている態様を例に挙げて説明したが、共有メモリ６３及び共有ディスク６４を備えるサーバ装置を高速通信ネットワークＮ２に接続した構成であっても良い。図６は、デバイス製造処理システムの他の構成例を示すブロック図である。尚、図６においては、図２に示す構成と同一の構成については同一の符号を付してある。

図６に示す通り、露光装置１３、インライン事前測定検査装置１４ａ、インライン事後測定検査装置１４ｂ、及びオフライン測定検査装置１６には、図２に示すオプティカルチャネルボード２０に代えてオプティカルチャネルボード５０が設けられている。このオプティカルチャネルボード５０は、図２に示すオプティカルチャネルボード２０から共有メモリ６３及び共有ディスク６４を省いたものであり、高速通信ネットワークＮ２を介した通信を制御するものである。

また、図６に示すデバイス製造処理システムは、高速通信ネットワークＮ２に接続されたサーバ装置６０を備えている。このサーバ装置６０は、通信部６１、ＣＰＵ６２、共有メモリ６３、及び共有ディスク６４を含んで構成される。通信部６１は、図２に示すオプティカルチャネルボード２０に設けられる通信部２１と同様に、高速通信ネットワークＮ２を介した通信を制御する。ＣＰＵ６２は、高速通信ネットワークＮ２に接続された各デバイス製造処理装置に対して、共有メモリ６３及び共有ディスク６４が共用される環境を提供する制御を行う。即ち、高速通信ネットワークＮ２に接続された各デバイス製造処理装置が共有メモリ６３及び共有ディスク６４に対してデータを書き込むことができ、又は共有メモリ６３及び共有ディスク６４からデータを読み出すことができる環境を提供する。

共有メモリ６３は、オプティカルチャネルボード２０に設けられる共有メモリ２３と同様に、高速で情報の書き込み及び読み出しが可能なＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等のメモリを用いることができる。この共有メモリ６３の容量は、コスト面を考慮すると、例えば１Ｇバイト程度が好ましいが、この容量に制限される訳ではない。また、共有ディスク６４は、オプティカルチャネルボード２０に設けられる共有ディスク２４と同様に、多くの情報を記録可能なハードディスク等の情報記録媒体を用いることができる。この共有メモリ６４の容量は、コスト面を考慮すると、例えば１００Ｇバイト程度が好ましいが、この容量に制限される訳ではない。

かかる構成において、高速通信ネットワークＮ２に接続された各デバイス製造処理装置は、共有メモリ６３からのデータの読み出し、及び共有メモリ６４に対するデータの書き込みを、高速通信ネットワークＮ２を介して自在に行うことが可能である。これにより、共有メモリ６３は、高速通信ネットワークＮ２に接続された各デバイス製造処理装置によって共有される。同様に、共有ディスク６４も高速通信ネットワークＮ２に接続された各デバイス製造処理装置によって共有される。

但し、この共有ディスク６４を、高速通信ネットワークＮ２に接続された各デバイス製造処理装置に対応させて複数の領域に分割し、データの書き込みだけはデバイス製造処理装置に対応する領域にのみ可能とし、データの読み出しは共有ディスク６４の全領域から可能としても良い。更に、上記の実施形態と同様に、必要であれば共有メモリ６３の内容を共有ディスク６４に待避（スワップ）するとともに、新たな情報を共有ディスク６４に読み込んでその内容を入れ替え、共有メモリ６３の有効活用を図っても良い。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、高速通信ネットワークＮ２を光ファイバケーブルで構成した場合を例に挙げて説明したが、必要な情報伝送速度が得られるのであれば同軸ケーブル（メタルケーブル）で構成しても良い。また、上記実施形態では、各デバイス製造処理装置間で共有メモリと共有ディスクとを共有していたが、何れか一方のみを共有しても良い。

また、上記実施形態における露光装置１３は、国際公開第９９／４９５０４号公報に開示されているような液浸法を用いる露光装置であってもよく、液浸法を用いない露光装置であってもよい。液浸法を用いる露光装置は、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置の何れの露光装置であっても良い。

また、上記の露光装置１３は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体ウェハ上へ転写する露光装置、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等の何れであっても良い。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハ等に回路パターンを転写する露光装置であっても良い。更に、レチクル又はマスクに形成されたパターンを転写する露光装置ではなく、マスクレスで所定のパターンを転写する露光装置であっても良い。

本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システムの概略構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システムに含まれる高速通信ネットワークＮ２の要部を示すブロック図である。 統合された共有ディスクを説明するための図である。 本発明の一実施形態によるデバイス製造処理装置の一種である露光装置の概略構成を示す側面図である。 本発明の一実施形態によるデバイス製造処理システムを用いたデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。 デバイス製造処理システムの他の構成例を示すブロック図である。

符号の説明

１１ 工場内生産管理ホストシステム
１３ 露光装置
１４ インライン測定検査装置
１４ａ インライン事前測定検査装置
１４ｂ インライン事後測定検査装置
１５ トラック
１５ａ コータ・デベロッパ
１６ 測定検査装置
１７ 解析システム
１８ 基板処理装置
２０ オプティカルチャネルボード
２２ ＣＰＵ
２３ 共有メモリ
２４ 共有ディスク
５０ オプティカルチャネルボード
６３ 共有メモリ
６４ 共有ディスク
ＡＸ 光軸
Ｂ１ 内部バス
Ｂ１１〜Ｂ１３ 内部バス
ＤＰ パターン
ＭＣ 主制御系
Ｎ１ ネットワーク
Ｎ２ 高速通信ネットワーク
Ｒ１ 第１領域
Ｒ２ 第２領域
Ｒ３ 第３領域
Ｒ４ 第４領域
Ｗ ウェハ

Claims (40)

1. 所定のデバイス製造処理動作を制御する第１制御部を備え、前記所定のデバイス制御処理動作を実行する第１デバイス製造処理装置と、
   前記第１デバイス製造処理装置の外部に配置されて、前記デバイス製造処理動作に関係する情報を記憶する第１記憶装置と、
   前記第１制御部と前記第１デバイス製造処理装置外部の前記第１記憶装置との間を接続する高速通信ネットワークと
   を含むことを特徴とするデバイス製造処理システム。
2. 前記第１デバイス製造処理装置の内部に内蔵される第２記憶装置と、
   前記第１デバイス製造処理装置の内部で、前記第１制御部と前記第２記憶装置とを接続する内部接続部とを含み、
   前記第１デバイス製造処理装置外部の前記第１記憶装置と前記第１制御部とを接続する前記高速通信ネットワークは、前記第１制御部と前記内部接続によって提供される接続環境と同程度の接続環境を提供することを特徴とする請求項１記載のデバイス製造処理システム。
3. 前記第１デバイス製造処理装置外部の前記第１記憶装置は、前記第１デバイス製造処理装置とは異なる第２デバイス製造処理装置に内蔵された内蔵記憶装置であり、
   前記第２デバイス製造処理装置は、更に、
   前記第２デバイス製造処理装置でのデバイス製造処理動作を制御する第２制御部と、
   前記第２デバイス製造処理装置内で、前記第２制御部と前記第１記憶装置とを接続する内部接続部とを備え、
   前記第１記憶装置に記憶された情報が、前記第１制御部と前記第２制御部とによって共有されることを特徴とする請求項１記載のデバイス製造処理システム。
4. 前記第１デバイス製造処理装置は、前記第１デバイス製造処理装置の内部に配置された第２記憶装置と、
   前記第１デバイス製造処理装置内で、前記第２記憶装置と前記第１制御部とを接続する内部接続部とを含み、
   前記第１及び第２記憶装置に記憶された情報が、前記第１及び第２制御部によって共有されることを特徴とする請求項３記載のデバイス製造処理システム。
5. 前記第１デバイス製造処理装置とは別の第２デバイス製造処理装置と、
   前記第２デバイス製造処理装置でのデバイス製造処理動作を制御する第２制御部と前記第１記憶装置との間を接続する高速通信ネットワークとを含み、
   前記第１記憶装置に記憶された情報が、前記第１制御部と前記第２制御部とによって共有されることを特徴とする請求項１記載のデバイス製造処理システム。
6. 前記高速通信ネットワークは、光ファイバケーブルで構成されることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のデバイス製造処理システム。
7. 前記高速通信ネットワークは、ほぼ１０Ｇｂｐｓの情報伝送速度を有することを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のデバイス製造処理システム。
8. 前記第１記憶装置は、専ら前記第１デバイス製造処理装置でのデバイス処理動作に関係する情報が記録される第１領域と、
   専ら前記第２デバイス製造処理装置でのデバイス製造処理動作に関係する情報が記録される第２領域と
   を含むことを特徴とする請求項３から請求項５の何れか一項に記載のデバイス製造処理システム。
9. 前記第１記憶装置は、第１記憶部と第２記憶部とを含み、
   前記第１記憶部は、前記第２記憶部よりも高速で情報の書き込み及び読み出しが可能であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のデバイス製造処理システム。
10. 前記第１記憶装置は、第１記憶部と第２記憶部とを含み、
    前記第２記憶部は、前記第１記憶部よりも多くの情報を記憶可能であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のデバイス製造処理システム。
11. 前記第１デバイス製造処理装置を含む複数のデバイス製造処理装置を統括的に制御するホストコンピュータと、
    前記ホストコンピュータと前記複数のデバイス製造処理装置との間を接続する、前記高速通信ネットワークとは異なる第２ネットワークと
    を含むことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のデバイス製造処理システム。
12. 前記高速通信ネットワークによる情報の伝送速度は、ほぼ１０Ｇｂｐｓであり、
    前記第２ネットワークによる情報の伝送速度は、ほぼ１００Ｍｂｐｓである
    ことを特徴とする請求項１１記載のデバイス製造処理システム。
13. 前記ホストコンピュータと前記複数のデバイス製造処理装置の何れかとの間、又は前記複数のデバイス製造処理装置間で通信される情報に応じて、通信経路を、前記高速通信ネットワークと前記第２ネットワークとの何れかから選択する通信制御装置を有することを特徴とする請求項１１又は請求項１２記載のデバイス製造処理システム。
14. 情報の通信量に応じて、通信経路を前記高速通信ネットワークと前記第２ネットワークとの何れかから選択することを特徴とする請求項１３記載のデバイス製造処理システム。
15. 情報の種類及び大きさに応じて、通信経路を前記高速通信ネットワークと前記第２ネットワークとの何れかから選択することを特徴とする請求項１３記載のデバイス製造処理システム。
16. 前記第１記憶装置に記憶される情報と前記第２記憶装置に記憶される情報とを同一にする記憶制御装置を備えることを特徴とする請求項２記載のデバイス製造処理システム。
17. 前記第１記憶装置に記憶される情報と前記第２記憶装置に記憶される情報とを同一にする記憶制御装置を備えることを特徴とする請求項４記載のデバイス製造処理システム。
18. 前記第１記憶部の記憶内容と前記第２記憶部の記憶内容とを入れ替える記憶制御装置を備えることを特徴とする請求項９記載のデバイス製造処理システム。
19. 所定パターンを基板上に露光する露光動作を制御する第１制御部を備え、前記露光動作を実行する露光装置であって、
    前記露光装置の外部に配置されて前記露光動作に関係する情報を記憶する第１記憶装置と前記第１制御部との間を接続する高速通信ネットワークを接続可能な接続部を備えることを特徴とする露光装置。
20. 装置内部に内蔵される第２記憶装置と、
    装置内部で、前記第１制御部と前記第２記憶装置とを接続する内部接続部と
    を備えることを特徴とする請求項１９記載の露光装置。
21. 前記接続部は、光ファイバケーブルを接続可能であることを特徴とする請求項１９又は請求項２０記載の露光装置。
22. 前記接続部は、ほぼ１０Ｇｂｐｓの情報伝送速度を有するネットワークを接続可能であることを特徴とする請求項１９から請求項２１の何れか一項に記載の露光装置。
23. 請求項１９から請求項２２の何れか一項に記載の露光装置を用いて、所定パターンを基板上に露光することを特徴とする露光方法。
24. 請求項２３記載の露光方法を用いて基板にデバイスパターンを露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
25. 所定の測定処理及び所定の検査処理の少なくとも一方を制御する第１制御部を備え、基板に対して前記所定の測定及び所定の検査の少なくとも一方を行う測定検査装置において、
    前記測定検査装置の外部に配置されて前記測定処理又は検査処理に関係する情報を記憶する第１記憶装置と前記第１制御部との間を接続する高速通信ネットワークを接続可能な接続部を備えることを特徴とする測定検査装置。
26. 装置内部に内蔵される第２記憶装置と、
    前記装置内部で、前記第１制御部と前記第２記憶装置とを接続する内部接続部と
    を備えることを特徴とする請求項２５記載の測定検査装置。
27. 前記接続部は、光ファイバケーブルを接続可能であることを特徴とする請求項２５又は請求項２６記載の測定検査装置。
28. 前記接続部は、ほぼ１０Ｇｂｐｓの情報伝送速度を有するネットワークを接続可能であることを特徴とする請求項２５から請求項２７の何れか一項に記載の測定検査装置。
29. 請求項２５から請求項２８の何れか一項に記載の測定検査装置を用いて、所定の測定処理、及び、所定の検査処理の少なくとも一方を実行することを特徴とする測定検査方法。
30. 請求項２９記載の測定検査方法を用いて所定の測定処理、及び、所定の検査処理の少なくとも一方を実行する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
31. デバイス製造処理システムであって、
    基板上に所定パターンを露光する前に、既に前記基板上に形成されているデバイスパターンの段差の測定検査を実行する事前測定検査装置と、
    前記所定パターンを露光された基板上のパターン線幅を測定検査する事後測定検査装置とを備え、
    前記事後測定検査装置による測定検査結果から得られるパターン線幅に関する情報に基づいて、前記事前測定検査装置での段差の測定検査を制御することを特徴とするデバイス製造処理システム。
32. 前記事前測定検査装置は、前記事後測定検査装置で測定検査されたパターン線幅の情報に基づいて、基板上の特定位置に対する前記段差の測定検査の精度を、基板上での他の位置に対する段差の測定検査の精度よりも高めることを特徴とする請求項３１記載のデバイス製造処理システム。
33. 前記基板上の特定位置に対する段差の測定検査の精度が前記基板上の他の位置に対する段差の測定検査の精度よりも高められた前記事前測定検査装置による測定検査の結果に基づいて、前記基板に所定パターンを露光する露光装置を含むことを特徴とする請求項３２記載のデバイス製造処理システム。
34. 前記事前測定検査装置、前記露光装置、及び前記事後測定検査装置は、それぞれ、各々でのデバイス製造処理に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    更に、前記事前測定検査装置、前記露光装置、及び前記事後測定検査装置の記憶装置に接続される高速通信ネットワークを有することを特徴とする請求項３３記載のデバイス製造処理システム。
35. デバイス製造処理システムであって、
    基板上の欠陥又は異物の有無を測定検査する測定検査装置と、
    基板上の所定位置を観察して所定パターンを露光する露光装置とを含み、
    前記測定検査装置によって欠陥又は異物の存在が確認された位置を、前記露光装置での観察対象から除外することを特徴とするデバイス製造処理システム。
36. 前記露光装置は、基板上の所定位置を観察して前記基板の露光光の光軸方向での前記基板の位置又は前記光軸に対する前記基板の傾きを制御可能であり、更に、前記測定検査によって欠陥又は異物が確認された位置を、前記露光装置での観察対象から除外して、前記基板の位置又は傾きを制御することを特徴とする請求項３５記載のデバイス製造処理システム。
37. 前記露光装置は、基板上の所定位置を観察して前記基板の露光光の光軸に垂直な方向の基板の位置を制御可能であり、更に、前記測定検査によって欠陥又は異物が確認された位置を、前記露光装置での観察対象から除外して、前記基板の位置を制御することを特徴とする請求項３５又は請求項３６記載のデバイス製造処理システム。
38. 前記測定検査装置及び前記露光装置は、それぞれ、各々でのデバイス製造処理に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    更に、前記測定検査装置及び前記露光装置の記憶装置に接続される高速通信ネットワークを有することを特徴とする請求項３５から請求項３７の何れか一項に記載のデバイス製造処理システム。
39. デバイス製造処理システムであって、
    基板上に形成された第１パターンに第２パターンの像を重ね合わせて、前記第２パターンを基板上に露光する露光装置と、
    前記露光装置で露光された基板を測定検査し、前記露光装置で前記第１パターンと前記第２パターンとを重ね合わせた結果を測定検査する測定検査装置とを備え、
    前記露光装置は、前記測定検査の結果に関する情報に基づいて、前記第１パターンと前記第２パターンの像との重ね合わせを実行することを特徴とするデバイス製造処理システム。
40. 前記測定検査装置及び前記露光装置は、それぞれ、各々でのデバイス製造処理に関する情報を記憶する記憶装置を備え、
    更に、前記測定検査装置及び前記露光装置の記憶装置に接続される高速通信ネットワークを有することを特徴とする請求項３９記載のデバイス製造処理システム。

Images