JPH06301690A - 製造ライン及び該製造ラインにおける条件設定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理物に複数の処理を行なう際、処理条件
決定時の人為的なミスを防止し、該条件を自動的に最適
値に設定して製品特性向上、歩留り向上を図る。 【構成】 ホトリソグラフィ処理装置１４等の複数の製
造装置から製造ラインが構成される。このラインには半
導体ウェハ３０に記された識別コードＡを読み取る識別
コード判定部１５が接続される。コンピュータ１０は、
データベース２１から識別コードに基いて条件レシピー
情報Ｂを読出し、該情報に従って製造装置１４に処理を
行なわせ、該処理内容を来歴情報Ｃとしてデータベース
２２に記憶する。又、処理の結果たる状態量は現像寸法
検査装置１８等によって測定されて検査結果情報Ｄとし
てデータベース２３に記憶される。検査結果情報Ｄと来
歴情報Ｃの比較によって不良解析情報Ｅが得られる。上
記情報Ｂ〜Ｄは、製造処理、更にはその後の製造条件の
修正に用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、１つの被処理物に対し
て複数の処理を施す処理システムにおける処理条件の設
定方式に関し、例えば、半導体製造ラインに適用して特
に有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】被処理物に対して処理を行なう作業、例
えば、半導体製造プロセスにおいては、その製造時の各
種条件（例えばＬＳＩの品種毎に設定されるレジストの
膜厚，材料等の選定）の設定／管理は、半導体ウェハ
（被処理物）と共に送られてくる作業指示書類に従っ
て、人為的に行われていた。これは、半導体ウェハの製
造には、ホトリソグラフィ処理工程，ドライエッチング
処理工程，イオン打ち込み処理工程，酸化拡散処理工
程，絶縁膜形成工程，金属膜形成工程等、１００工程以
上に及ぶ処理工程が必要であり、何れのウェハに何れの
処理を実行させたか、或は、実行させるかを、作業者が
常に対応して管理しなければならないからである。そし
て、この指示書類にバーコードを記入して、製造条件の
設定／管理の効率化を図る技術が、例えば、特開平３ー
２３９３１６号によって提案されている。この提案で
は、被処理物のロット毎に添付される指示書類には、各
ロットを特定するためのバーコードが付けられ、このバ
ーコードに対応させて、予め所定の記憶部に当該被処理
物に対して行うべき処理内容を記憶させておき、実際に
作業が行われるときには、被処理物に添付される指示書
類のバーコードをバーコードリーダによって読込み、斯
く読み込んだ内容に対応する処理内容を記憶部から読み
出してこれを、表示器に自動的に表示させ、もって作業
者に誤りなくその処理を行わせるようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかにされた。即ち、実際に半導体ウェハに
対して行われる処理は、上記のように１００工程以上に
も及び、仮に、ウェハと、これに施すべき処理が正しく
一致したとしても、その情報量が多いため人為的なミス
が発生し易くなる。例えば、イオン打ち込み処理につい
て考えると、半導体ウェハの品種，工程に応じ、イオン
打ち込みするイオン種，ドーズ量，打ち込み深さ等を制
御する必要がある。これらのプロセス仕様達成するため
に、イオン打ち込み装置の処理条件として、イオン種の
加速電圧，イオン種のビーム電流，イオン種の打ち込み
角度等を設定／制御しなければならず、条件の設定／管
理が難しく、これらの条件がバーコードに対応して表示
器に表示されたとしても、処理条件の設定時に人為的な
ミスを誘発し、半導体ウェハ上の半導体素子の特性不
良、ひいては、半導体製品の歩留り低下を招来すること
となる。

【０００４】又、半導体ウェハに対して、ＬＳＩの製造
に必要な処理を行うに当たっては、ＬＳＩの品種毎に決
定される上記処理内容に加えて、それまでに行われた処
理に関する素子特性検査（例えば、電気特性値の測定結
果，膜厚測定結果，寸法検査結果，パターン外観検査結
果，ウェハ付着異物測定結果）を勘案することが望まし
い。これは、半導体ウェハに対して１つの処理を行なう
場合であっても、その処理の結果は、それ以前に行われ
た他の製造処理の結果に左右されることがあるからであ
る。例えば、ＬＳＩ回路パターンにおける電気抵抗値の
精度を高めようとした場合、仮にイオン打ち込み装置に
おける処理条件が正しく設定され、且つ、精度良く処理
されても、その前工程のホトリソグラフィー処理工程の
加工寸法精度が、イオン打ち込み処理を行うべき範囲を
実質的に決定するので、その精度が許容寸法精度になっ
ていないと、もはや所望の電気抵抗値を得ることができ
ない。然るに、上述した、特開平３ー２３９３１６号の
半導体ウェハの製造条件設定の手法では、例えばイオン
打ち込み処理実行時に、その前工程にあたるホトリソグ
ラフィー処理による処理結果（例えばイオン打込みが行
われる開口パターン寸法値の情報）を、当該イオン打込
みの処理条件に利用することができず、半導体ウェハ上
の素子の特性のバラツキ量を高精度に制御することがで
きなかった。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、被処理物に対して複数の処理を行なうに当たって、
該被処理物に応じた処理条件を決定する際に、人為的な
作業ミスが発生しないようにし、且つ、処理条件の最適
化を図って、製品特性の向上、歩留り向上を達成するこ
とができる処理条件設定システムを提供することをその
主たる目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、本発明では、被処理物自身に識別コ
ードを付しておくと共に、複数の製造装置を具えた製造
ラインに、上記識別コードを読み取るコード読取手段
と、読み取った識別コードに基いて当該被処理物に対す
る処理条件を設定し該処理条件に従った処理を、上記複
数の処理装置に行なわせる処理実行手段とを具えるよう
にした。

【０００６】

【作用】処理実行手段が、処理条件を自動的に決定し該
条件に従って処理装置に処理を行なわせるので、処理に
人的作業が介在せず、処理条件設定ミスが発生しなくな
る。

【０００７】

【実施例】本発明の処理条件設定システムの一実施例を
添付図面を参照して説明する。図１は、本発明が適用さ
れる半導体ウェハの製造ラインを示すブロック図であ
る。この図に示すように、製造条件設定システムは、ホ
ストコンピュータ１０、該ホストコンピュータ１０から
送られてくる、製造条件（処理条件）を表す信号に基い
て半導体ウェハに所定の製造工程（処理）を施す複数の
製造装置（図にはホトリソグラフィ処理装置１４が示さ
れている）、複数の検査装置（図には現像寸法検査装置
１８が示されている）、各々の製造装置（１４）とホス
トコンピュータ１０との間に設けられた工程管理コンピ
ュータ１１，１２、及び、ホストコンピュータ１０に接
続された複数のデータベース（記憶手段）２１〜２４を
具えてなる。尚、本実施例では、上記ホストコンピュー
タ１０及び工程管理コンピュータ１１，…が処理実行手
段を構成している。又、半導体ウェハの製造に用いられ
る製造装置としては、上記ホトリソグラフィ処理装置１
４以外に、ドライエッチング処理装置、イオン打ち込み
処理装置、酸化拡散処理装置、ＣＶＤ膜形成装置、金属
膜形成（スパッタ）装置等がある。以下、製造装置とホ
ストコンピュータとの間の製造条件に係る情報の遣り取
り、及び、これらの情報に基く製造条件の設定の手法に
ついて、複数の製造装置のうち、ホトリソグラフィに係
る一連の処理（レジスト塗布、パターン縮小投影、レジ
スト現像）を行なうホトリソグラフィ処理装置１４を例
にあげて説明する。

【０００８】図１に示すように、製造条件管理システム
を総括して制御する製造条件設定管理コンピュータ１０
がホストコンピュータとして設けられている。そして、
イーサネット等を用いたネットワーク情報管理システム
により、該条件設定管理コンピュータ１０に、ホトリソ
グラフィ処理装置１４を管理するホトリソグラフィ工程
管理コンピュータ１１、更には、他の製造工程に係わる
工程管理コンピュータ（例えば、ドライエッチング処理
装置（図示省略）を管理するドライエッチング工程管理
コンピュータ１２）が接続されている。

【０００９】又、上記ホトリソグラフィ工程管理コンピ
ュータ１１には、ホトリソグラフィ処理コントローラ１
３を介して、ホトリソグラフィ処理装置１４、コンソー
ル１６、ウェハ識別コード判定部１５が接続されてい
る。尚、ここで云う「ホトリソグラフィ処理装置」は、
レジスト塗布装置，縮小投影露光装置，現像処理装置等
の複数の装置からなるものを終括したものである。

【００１０】更に、上記ホトリソグラフィ工程管理コン
ピュータ１１には、現像寸法検査コントローラ１７を介
して現像寸法検査装置１８、ウェハ識別コード判定部１
９、コンソール２０が接続されている。また、図示して
いないが、上記ホトリソグラフィ工程管理コンピュータ
１１には、他の検査装置（例えば、レジスト膜厚検査装
置、ウェハ外観検査装置、ウェハ異物検査装置等）が各
々のコントローラを介して接続され、これらの検査装置
にもウェハ識別コード判定部、コンソールが夫々接続さ
れている。

【００１１】又、上述した条件設定管理コンピュータ１
０には、ウェハ識別コード対応処理条件レシピーデータ
ベース２１、ウェハ識別コード対応処理来歴データベー
ス２２、ウェハ識別コード対応検査結果データベース２
３、ウェハ識別コード対応処理来歴・検査結果情報突合
せ不良解析データベース２４が接続されている。このう
ちウェハ識別コード対応処理条件レシピーデータベース
２１は、ウェハ識別コード（Ａ）に対応して、予め設定
されている各種処理条件レシピー情報Ｂ（例えばホトリ
ソグラフィ処理装置用のレシピー情報）を記憶するもの
である。又、ウェハ識別コード対応処理来歴データベー
ス２２は、上記ウェハ識別コード（Ａ）に対応した来歴
情報Ｃ（例えばホトリソグラフィ処理装置用の来歴情
報）を記憶するものである。又、ウェハ識別コード対応
検査結果データベース２３は、ウェハに対して行った検
査に係る検査結果情報Ｄ（例えばホトリソグラフィ処理
終了時に行われる現像寸法検査の結果）をウェハ識別コ
ードＡに対応して格納記憶しておくものである。更に、
ウェハ識別コード対応処理来歴・検査結果情報突合せ不
良解析データベース２４は、ウェハ識別コードＡに対応
して格納されている来歴情報Ｃと、実際に行われた処理
の結果得られた検査結果情報Ｄを突合せてこれを解析
し、斯く求めたウェハ識別コード対応処理来歴・検査結
果突合せ不良解析情報Ｅを、当該識別コードＡに対応し
て格納するものである。

【００１２】図２は、この実施例で被処理物として用い
られる半導体ウェハ３０への識別コードの記入例を示す
説明図である。この図に示す半導体ウェハ３０では、そ
のオリエンテーションフラット部３１の近傍にウェハ識
別コードが記入される。ウェハ識別コードとしては、製
造された半導体装置の品種名，ロット名、ウェハ番号等
の識別コードを英数字にて表記する手法が考えられ、こ
れらの文字は当該ウェハの表面にマスクを用いたエッチ
ングによって食刻される。

【００１３】次に、上記した処理管理システムを用いて
ホトリソグラフィ工程を実際に行なう場合の制御の流れ
について説明する。品種名，ロット名等のウェハ識別コ
ード（４）が記入された半導体ウェハ３０にホトリソグ
ラフィ工程を施すに当たっては、先ず、ホトリソグラフ
ィ処理装置１４のローダ部（図示省略）に当該ウェハ３
０を搭載し、この状態で、コンソール１６を用いたキー
操作によってホトリソグラフィ処理コントローラ１３に
“処理スタート”を入力する。この“スタート”を示す
信号がホトリソグラフィ処理コントローラ１３に入力さ
れると、これを受けたコントローラ１３が、ウェハ３０
をウェハ識別コード識別判定部１５に搬送し、該判別部
１５にウェハ３０に記入されたウェハ識別コードを解読
させ、その識別コード情報Ａを該ホトリソグラフィ処理
コントローラ１３に入力させる。

【００１４】入力された識別コード情報Ａは、ホトリソ
グラフィ処理コントローラ１３、ホトリソグラフィ工程
管理コンピュータ１１を介して、条件設定管理コンピュ
ータ１０に送られる。

【００１５】条件設定管理コンピュータ１０は、送られ
てきた識別コード情報Ａを、ウェハ識別コード対応処理
条件レシピーデータベース２１の記憶内容と突合せて処
理する。即ち、上記レシピーデータベース２１には、夫
々の識別コード情報に対応した処理を行うために必要な
各種情報が格納されており、条件設定管理コンピュータ
１０は、今回認識した識別コード情報Ａに対応するホト
リソグラフィ処理条件レシピー情報Ｂを当該データベー
ス２１から読み出すようになっている。このように読み
出された情報Ｂは、更に、条件設定管理コンピュータ１
０からホトリソグラフィ処理コントローラ１３に転送さ
れ、しかして、ウェハ識別コード情報Ａに対応したホト
リソグラフィ処理装置１４の処理条件レシピー情報Ｂ
が、該装置１４に自動的に設定される。この結果、半導
体ウェハ３０上に記入されたウェハ識別コード情報Ａに
対応したホトリソグラフィ処理装置１４の処理条件が、
人手を介さずに自動設定されることとなる。

【００１６】このように自動的に設定される処理条件の
具体例としては、 塗布処理条件（塗布カップ内雰囲気温度，塗布カップ
内雰囲気湿度，レジスト温度，ウェハ回転数，塗布膜形
成時間，塗布カップ内排気風量等）、 プリベーク処理条件（処理温度，処理時間等）、 露光処理条件（使用レチクル仕様，露光照度，露光時
間等）、 露光後ベーク処理条件（処理温度，処理時間等）、 現像処理条件（現像液液量，現像液温度，現像処理時
間，リンス液温度，リンス処理時間等）、 ポストベーク処理条件（処理温度，処理時間等）、 があげられる。このように、ウェハ３０に記された識別
コード情報Ａに基いて処理条件が自動的に設定される
と、この条件下で、ホトリソグラフィ処理装置１４によ
って当該ウェハ３０に対して、塗布処理，露光処理，現
像処理等が施される。

【００１７】上記のように識別コードに応じて決定され
た条件に基く処理が実際に行われると、その処理内容
が、半導体ウェハ３０の来歴情報Ｃとして、上記したウ
ェハ識別コード対応処理来歴データベース２２に格納さ
れる。即ち、上記条件下でウェハ３０に処理が施された
ときに、当該ホトリソグラフィ処理装置１４を構成する
各処理部の処理条件（状態量）に係わる情報、例えば、
ホトリソグラフィ処理装置の塗布処理部（図示省略）
に関しては、雰囲気温湿度、レジスト温度、ウェハ回転
数、塗布カップ内排気風量、ベーク処理部に関して
は、ベーク処理温度、パージガス量、ベーク処理時間、
露光処理部に関しては、露光量、ベストフォーカス
値、現像処理部に関しては、現像液温度、現像時間と
云うように、各種の情報が、ホトリソグラフィ処理の来
歴情報Ｃとして、ホトリソグラフィ処理コントローラ１
３、ホトリソグラフィ工程管理コンピュータ１１、条件
設定管理コンピュータ１０を介して、ウェハ識別コード
対応処理来歴データベース２２に送られ、当該データベ
ースに識別コード情報Ａに対応されて格納されるように
なっている。

【００１８】上記のようにウェハ識別コード情報Ａに対
応して処理条件が設定され、この条件に従ってウェハに
処理が施されると、更に、この処理の結果得られた半導
体ウェハ３０の、処理状態量の検査が各種検査装置（現
像寸法検査装置１８、ホトレジスト膜厚検査装置、パタ
ーン合わせ精度検査装置、パターン外観検査装置、ウェ
ハ付着異物数検査装置）によって行われ、その検査結果
Ｄが、上記したウェハ識別コード対応検査結果データベ
ース２３に格納される。

【００１９】以下、上記検査装置のうち、現像寸法検査
装置１８を例にあげて説明する。先ず、自動設定された
処理条件でホトリソグラフィ処理が実際に施された半導
体ウェハ３０が現像寸法検査装置１８のローダ部（図示
省略）にセットされる。この状態で、コンソール２０の
キー操作によって“スタート”が指示されると、現像寸
法検査コントローラ１７の働きによって、ウェハ３０が
ローダ部からウェハ識別コード判定部１９にセットされ
る。ウェハ識別コード判定部１９は、半導体ウェハ３０
に記された識別コード情報を解読し、その情報Ａを現像
寸法検査コントローラ１７に送る。この識別コード情報
Ａの解読が行われると、今度は、ホトリソグラフィ工程
によって形成された半導体ウェハ３０上のレジスト上の
パターンの現像寸法に係る情報が、現像寸法検査装置１
８によって検出される。検出された情報は、現像寸法検
査コントローラ１７、ホトリソグラフィ工程管理コンピ
ュータ１１、設定管理コンピュータ１０を介して、ウェ
ハ識別コード対応検査結果データベース２３に送られ、
現像寸法検査結果情報Ｄとして、当該識別コード情報Ａ
に対応して該データベース２３に格納される。

【００２０】ところでホトリソグラフィ処理工程管理コ
ンピュータ１１には、他の各種検査装置（図示省略のホ
トレジスト膜厚検査装置、パターン合わせ精度検査装
置、パターン外観検査装置、ウェハ付着異物数検査装置
等）が接続され、ホトリソグラフィ工程中に適宜、これ
らの検査装置を用いて検査すべき項目を検査させるよう
になっている。そして、これら各検査装置による検査結
果は、検査結果情報Ｊ1，Ｊ2，…として、上記した現像
寸法検査結果情報Ｄと同様に、識別コード対応検査結果
データベース２３に、当該ウェハの識別コード情報Ａに
対応して格納されるようになっている。

【００２１】条件設定管理コンピュータ１０は、更に、
上記処理来歴データベース２２に格納されている来歴情
報Ｃと、検査結果データベース２３に格納されている検
査結果情報Ｄとに基いて不良解析を行なう。即ち、設定
管理コンピュータ１０は来歴情報Ｃが表す処理がなされ
たならば得られたであろう当該ウェハ３０の処理状態量
と、実際の検査によって得られた検査結果情報Ｄが表す
処理状態量とを突き合わせて、不良解析を行い、その解
析結果を、来歴・検査結果突合せ不良解析情報Ｅとし
て、来歴・検査結果情報突合せ不良解析データベース２
４に、当該識別コード情報Ａに対応させて格納する。

【００２２】設定管理コンピュータ１０は、このように
格納された来歴・検査結果情報突合せ不良解析情報Ｅに
基いて、即ち、現像寸法検査結果情報Ｄが、設定された
処理条件に適した値となるように、上述した処理条件レ
シピーデータベース２１に格納されている記憶内容を補
正するための情報（処理条件補正レシピー情報Ｆ）を決
定し、これを用いて当該識別コード情報Ａに対応するホ
トリソグラフィ処理条件レシピー情報Ｂを補正して、更
新する。

【００２３】尚、設定管理コンピュータ１０は、新たに
得られた来歴・検査結果情報突合せ不良解析情報Ｅを、
処理来歴・検査結果情報突合せ不良解析データベース２
４の記憶内容と、常時、突合せ解析し、現像寸法検査結
果情報Ｄが所望の値となるように、来歴・検査結果情報
突合せ不良解析データベース２４の内容を随時、更新す
るようになっている。

【００２４】又、上記した来歴・検査結果情報突合せ不
良解析情報Ｅは、当該ホトリソグラフィ工程の後に行わ
れる処理工程（例えば、ドライエッチング処理工程）で
用いられるドライエッチング処理用の処理条件レシピー
Ｂを補正する際の、ドライエッチング処理条件補正レシ
ピー情報Ｇの設定にも用いられる。この補正レシピー情
報Ｇで補正された後の処理条件レシピー情報Ｂは、新た
な情報としてデータベース２１に格納される。

【００２５】ところで、条件設定管理コンピュータ１０
には、ドライエッチング工程管理コンピュータ１２を介
して、ドライエッチングに係わる処理に用いられてい
る、各種処理装置（例えば、ドライエッチング処理装
置、レジスト除去処理装置、洗浄処理装置）、更には、
エッチング後に行われる検査のための装置（例えば、寸
法検査装置、パターン外観検査装置、ウェハ付着異物検
査装置）が接続され、これらの装置による処理条件の設
定・管理、更には被処理物の検査を行うようになってい
る。そして、条件設定管理コンピュータ１０は、上記と
同様に、ドライエッチング工程でも、ウェハ３０に記さ
れた識別コード情報Ａに基いて、処理条件レシピー情報
Ｂをレシピーデータベース２１から読出し、この情報Ｂ
に基いてドライエッチングを行なうと共に、当該設定さ
れたエッチング条件を来歴情報Ｃとして、処理来歴デー
タベース２２に識別コードに対応させて格納する。更
に、当該処理を行った後のウェハ状態を、上記した各種
検査装置によって検査し、その結果を識別コードに対応
させて、検査結果データベース２３に格納する。そし
て、条件設定管理コンピュータ１０は、上記来歴情報Ｃ
と検査結果情報Ｄとを突き合わせて情報処理し、ドライ
エッチング処理に関しても、その不良解析を行い、その
解析結果を、ホトリソグラフィ処理の場合と同様に、各
データベースの記憶内容の補正処理などにフィードバッ
クしている。

【００２６】この条件設定管理コンピュータ１０には、
上記ホトリソグラフィ処理装置１４、ドライエッチング
処理装置の他に、イオン打ち込み処理工程に係わる装
置、酸化拡散処理工程に係わる装置、ＣＶＤ膜形成工程
に係わる装置、金属膜形成（スパッタ）工程に係わる装
置等、半導体製造時の各種プロセスに対応した多数の製
造装置が接続されている。又、コンピュータ１０には、
これらの製造装置によって行われた処理の結果を検査す
るための各種評価検査装置が接続されている。しかし
て、コンピュータ１０は、処理される半導体ウェハ３０
に記された識別コード情報Ａを、上記各処理を行なう場
合にも読込み、処理条件レシピーデータベース２１か
ら、夫々の処理内容と識別コード情報Ａとに対応したレ
シピー情報Ｂを読み出し、この情報に基いて、当該処理
に於ける製造条件を設定する。そして、このときの処理
内容を各プロセスでの来歴情報Ｃとして、識別コード情
報Ａに対応させて来歴データベース２２に格納する。更
に、上記各種処理が行われる毎に、当該ウェハ３０に対
して実行される検査の結果情報Ｄを、識別コード情報Ａ
に対応させて検査結果データベース２３に格納する。こ
こで、来歴情報Ｃと検査結果情報Ｄとを突合わせて不良
解析情報Ｅを得るようにしている。このように、条件設
定管理コンピュータ１０は、イオン打ち込み処理、酸化
拡散処理、ＣＶＤ膜形成工程、金属膜形成（スパッタ）
工程等の各種処理が実行させる毎に、来歴情報Ｃ、検査
結果情報Ｄ、処理来歴・検査結果突合せ不良解析情報Ｅ
等を統計情報解析処理しており、この結果、半導体製造
に於ける各種処理工程で、相互に関連する処理の各種情
報がフィードバックされ、各処理が最適な条件で行われ
るようになる。

【００２７】以上詳述したように上記実施例では、識別
コード情報Ａに応じて、来歴情報Ｃが自動的に更新され
るため、半導体製造に係わる多数の情報の管理を容易に
行うことができるようになる。更に、ウェハに記された
識別コードＡに対応して、検査結果情報Ｄが自動的に記
憶処理され、しかも、この結果をその後の処理にフィー
ドバックすることができる。又、来歴情報より想定され
る半導体ウェハの処理状態量と、検査によって得られた
情報により想定される処理状態量の突合せ解析が自動的
にできるので、常に、これらの解析結果を、処理条件の
設定にフィードバックさせることができ、精度の高い製
造処理が実行できる。又、半導体ウェハ製造システムと
して構成される全製造装置（プロセス処理装置、評価検
査装置等）を統合的に管理することが可能となり、半導
体ウェハ１枚毎の情報管理システム（ウェハ毎の処理来
歴情報、ウェハ検査結果情報、ウェハ物流情報）が構築
できる。又、上記の相乗効果として、半導体ウェハに関
する自動統計不良解析、複数の製造装置間及び工程間の
プロセスフィードフォワード自動制御が可能となり、半
導体ウェハ及び半導体素子品質向上、歩留り向上が図ら
れる。又、別の相乗効果として、製造に係る時期的条件
を把握することができるため、半導体ウェハ単位の物流
スケジューリングが可能となり、大幅な製造時間の短縮
ができる。更なる相乗効果として、半導体ウェハ１枚毎
に、半導体ウェハ処理装置への最適処理条件設定が自動
的にでき、多品種少量製品にも充分対応可能な、設計自
由度の高い半導体ウェハ製造システムが構築できる。

【００２８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上
記実施例では、半導体製造プロセスのうち、ホトリソグ
ラフィ工程を例にあげて詳細に説明したが、他の製造プ
ロセスにも適用可能である。又、本実施例では、条件設
定管理コンピュータ１０が、全ての製造プロセスを管理
するようにしているが、いくつかのプロセス毎にホスト
コンピュータを設け、これらを互いに接続して１つのシ
ステムを構築してもよい。又、システムの構成は、図１
のブロック図に示すパターンに限られることなく、これ
と同等の機能を達成できる他の組合せパターンとしても
よい。又、本実施例では、不良解析を行うに当たって、
来歴情報と検査結果情報とを突き合わせたが、例えば処
理条件レシピー情報と検査結果情報を突き合わせてその
不良解析を行うようにしてもよい。

【００２９】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
製造技術に適用した場合について説明したが、この発明
はそれに限定されるものでなく、特定の被処理物に対し
て複数の処理が順次行われる製造技術一般に利用するこ
とができる。

【００３０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、本発明では、被処理物に対
して行われる処理の条件が、当該識別コードに基いて、
自動的に設定され、しかも、その設定された条件に応じ
て実際の処理が行われるので、処理条件の人的設定ミス
がなくなり、製品の特性向上、歩留向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用される半導体ウェハの製造ライン
を示すブロック図である。

【図２】識別コードが記入された半導体ウェハを示す平
面図である。

【符号の説明】

１０ 製造条件設定管理コンピュータ（ホストコンピュ
ータ） １１ ホトリソグラフィ工程管理コンピュータ １２ ドライエッチング工程管理コンピュータ １３ ホトリソグラフィ処理コントローラ１３ １４ ホトリソグラフィ処理装置 １５ ウェハ識別コード判定部 １６ コンソール １７ 現像寸法検査コントローラ １８ 現像寸法検査装置 １９ ウェハ識別コード判定部 ２０ コンソール ２１ ウェハ識別コード対応処理条件レシピーデータベ
ース ２２ ウェハ識別コード対応処理来歴データベース ２３ ウェハ識別コード対応検査結果データベース ２４ ウェハ識別コード対応処理来歴・検査結果情報突
合せ不良解析データベース ３０ 半導体ウェハ ３１ オリエンテーションフラット部 Ａ ウェハ識別コード Ｂ 処理条件レシピー情報 Ｃ 来歴情報 Ｄ 検査結果情報 Ｅ ウェハ識別コード対応処理来歴・検査結果突合せ不
良解析情報 Ｆ 処理条件補正レシピー情報 Ｇ ドライエッチング処理条件補正レシピー情報 Ｊ 検査結果情報

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の処理装置と、被処理物に記された
   識別コードを読み取るコード読取手段と、読み取った識
   別コードに基いて当該被処理物に対する処理条件を設定
   し該処理条件に従った処理を、上記処理装置に行なわせ
   る処理実行手段とを具えてなる製造ライン。
2. 【請求項２】 請求項１の製造ラインにおいて、上記コ
   ード読取手段を上記各処理装置に夫々設け、被処理物に
   記された識別コードに基いて決定された処理条件に従っ
   て被処理物に対して第１の処理を施し、該第１の処理が
   施された被処理物の処理状態量を測定し、当該測定結果
   に応じてそれ以降に行われる第２の処理の、識別コード
   に応じて設定される条件を修正することを特徴とする製
   造ラインにおける条件設定方法。
3. 【請求項３】 被処理物に対して複数の処理を行うに当
   たり、該被処理物に記された識別コードに基いて決定さ
   れた処理条件に従って被処理物に対して所定の処理を施
   し、該所定の処理の内容を当該被処理物の来歴データと
   して記憶し、該処理が施された被処理物の処理状態量を
   測定し、上記来歴データと該測定結果とを比較し、これ
   らの比較結果が目標値となるように処理条件を修正する
   ことを特徴とする製造ラインにおける条件設定方法。