JP2007119886A - 凸条付軸状部材の誘導加熱方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】軸状部材10の誘導加熱に際し、加熱領域17の全長に及ぶ軸線方向通電誘導子21と移動加熱方式の周方向通電誘導子22とを併せて配置し、軸状部材10を軸心回転させながら誘導子21,22に高周波通電する。このような加熱手段の2系統化により、基底周面11に対する軸線方向通電誘導子21の調整と凸条12に対する周方向通電誘導子22の調整を独立に行えるので、コストを掛けずに良品を能率良く生産できる。
【選択図】 図1
Description
駆動端部13の直径と凸条12の外径との大小は軸径一定か軸部異径かには依らず区々であるが、凸条12の外径すなわち軸状部材外径Dは(図7,図8,図9参照)、軸径一定か軸部異径かには依らず、凸条12の形成範囲に亘ってほぼ一定である。
このような軸状部材10では、凸条12の形成範囲より少し広い範囲の表面に例えば自溶合金の溶射皮膜からなる多孔性の一次被覆層が形成され、それに溶融処理を施して緻密化するために、それを含む加熱領域17の誘導加熱が行われる(図7(e)参照)。
そこで、生産性に優れる一発加熱方式を踏襲したうえで、コストアップ回避のために通電周波数をIGBTの推奨レベルまで下げられるようにするとともに、やはりコストアップを抑制しながら軸部異径の凸条付軸状部材でも昇温均等化の調整が容易に行えるようにすることが、技術課題となる。
なお、凸条付軸状部材の軸部の基底周面に対する第1誘導子の誘導加熱作用と、凸条付軸状部材の凸条に対する第2誘導子の誘導加熱作用とについて、独立性を高めるには、第1誘導子の高周波通電と軸状部材の回転だけで軸部の基底周面の温度が一様になるよう第1誘導子の誘導作用部と軸部の基底周面との対向間隔を適切に調整するとともに、第1誘導子の軸線方向通電にて軸状部材の表層面に誘起される誘導電流が凸条へ大量には流れ込まないよう、浸透深さを凸条の幅の半分よりは深くする程度に、第1誘導子の通電周波数を低く設定することが、望ましい。
因に、この式は、誘導電流の浸透深さδ(=5.03√{ρ/(μf)})の円柱材外径Dに対する比率が、この被加熱物形状にあって誘導電流が効率良く発熱に寄与するための公知要件である[(δ/D)≦(1/2.5)]を満す周波数領域を示している。
因に、この式は、誘導電流の浸透深さδ(=5.03√{ρ/(μf)})の平板の厚さDに対する比率が、この被加熱物形状にあって誘導電流が効率良く発熱に寄与するための公知要件である[(δ/D)≦(1/3.5)]を満す周波数領域を示している。
因に、この式は、誘導電流の浸透深さδ(=5.03√{ρ/(μf)})の平板の厚さtに対する比率が、この被加熱物形状にあって誘導電流が効率良く発熱に寄与するための公知要件である[(δ/t)≦(1/3.5)]を満す周波数領域を示している。
これらの式を凸条付軸状部材10の誘導加熱に適用するため各誘導子の高周波通電に当てはめると(図2(c),図1(c)〜(f)を参照)、上記数式1は、誘導子32による本発明の周方向通電に適用され、基底周面11にも凸条12にも適用できる。上記数式2は、誘導子21による本発明の軸線方向通電に適用され、基底周面11には適用できるが、凸条12には適用できない。上記数式3は、誘導子21のみによる従来の軸線方向通電に適用され、基底周面11にも凸条12にも適用できる。
そして、誘導加熱装置30を用いた誘導加熱では、軸状部材10の軸部の基底周面11の加熱が、誘導子21による軸線方向誘導電流によって十分に賄われる一方、軸状部材10の凸条12の加熱は、凸条12における誘導電流の相殺の生じにくい誘導子32による周方向誘導電流によって十分に賄われ、それらが概ね独立に制御できることとなる。
誘導子走行機構53は、例えばボールネジ機構などからなり、高周波電源37を軸状部材10と平行な方向へ定速送りや可変速送りで走行させるようになっている。
また、誘導子52は、上述した周方向通電誘導子32を短く(狭巾に)した弧状の形をしており、その誘導作用部は、軸状部材10の一部区間の区間長さに相当する幅を以てその一部区間の周方向に沿って配置され該周方向に沿った方向に通電されるものとなっている。
軸線方向通電用の鞍型誘導子51は(図3(b),(c)参照)、その形態,作用共に誘導加熱装置30の第1誘導子21と同じである。
また、移動する周方向通電誘導子52の加熱範囲が狭いので、周方向通電用高周波電源37が空冷で間に合う程度の小電力のもので足りることもある。
さらに、周方向通電誘導子52が移動加熱方式であっても、軸線方向通電誘導子51の一発加熱方式が併用されており、誘導子51で加熱された軸部からの伝熱等にて磁気変態点まで昇温された凸条12に対し、その磁気変態点から所望温度まで昇温させるのに誘導子52での加熱が用いられるので、所用時間は従来の移動加熱方式より短い。
以下、上述した近似式に則って、すなわち結合係数Kの近似式と到達温度uの近似式とに則って、加熱対象物の典型例である軸部異径の軸状部材10について(図4(a)参照)、本発明による均等な誘導加熱のための要件の探索と検証を行ってみる。
数値例を用いて分り易く説明するため、駆動端部13の外径D1は50φ、小径軸部14の基底周面径D2は35φ、中径軸部15の基底周面径D3は勾配部なので平均を採って40φ、大径軸部16の基底周面径D4は45φとする。軸線方向通電誘導子51の誘導作用部幅Fは15mmとする。
最小空隙を駆動端部13の対向間隔g1=5mmとすると、この場合、誘導子51が真っ直ぐ水平なので、小径軸部14の対向間隔g2=12.5mm、中径軸部15の対向間隔g3=10mm、大径軸部16の対向間隔g4=7.5mmとなる。
D2=35φ、g2=12.5mmの小径軸部14では、K=0.344となる。
D3=40φ、g3=10mmの中径軸部15では、 K=0.410となる。
D4=45φ、g4=7.5mmの大径軸部16では、 K=0.5となる。
また、D2=35φ、g2=12.5mm、K=0.344の小径軸部14では、到達温度u3 =929(℃)となる。
ちなみに、駆動端部13の到達温度u1 を計算で求めると、D1=50φ、g1=5mm、K=0.626なので、到達温度u1 =1183(℃)となる。もっとも、駆動端部13の熱容量は軸方向に大きく、誘導子51と対向しない部分へ逃げる熱量が多いので、実際には、上記の計算値ほど昇温することはない。
g=F{1−√(1+tan2(π(K−1)))}/{2tan(π(K−1))}
K=0.5 ならば
g=0.5F
K<0.5 ならば
g=F{1+√(1+tan2(πK))}/{2tan(πK))}
中径軸部15では、D3=40φなので結合係数K=βD=0.393が望ましく、対向間隔g3=15{1+√(1+tan2(π・0.393))}/{2tan(π・0.393))}=10.6mmが望ましい。もっとも、10.6mmのように半端な寸法は管理しにくいので中径軸部15の対向間隔g3は10.5mmとする。このg3=10.5mmで結合係数Kを再計算すると、K=0.395となる。
同様にして、D4=45φの大径軸部16については、結合係数K=0.442、対向間隔g4=9.0mmとなる。
D2=35φ、g2=12.5mmの小径軸部14の到達温度u2 を1050℃にする比例定数αは、α=uD/K=1050×35/0.344=106831となる。
このαを用いて、D3=40φ、g3=10.5mmの中径軸部15の位置では、到達温度u3 =αK/D=106831×0.395/40=1055.0℃となる。
また、D4=45φ、g4=0.0mmの大径軸部16では、到達温度u4 =αK/D=106831×0.442/45=1049.3℃となる。
この計算は、あくまでも凸条12のない場合のものであり、凸条12の熱容量や放熱板としての働きを無視しているので、厳密に正確なものとは言えないが、目安としては可成りのものであり、基本設計の指針としては十分に使えるものである。実用に際しては、試作品の加熱テストの結果等も加味して、最終的な対向間隔g1,g2,g3,g4が決められる。
材質 : SCM410
体積固有抵抗ρ=80(μΩ−cm)
比透磁率μ=1 (ρ,μは、磁気変態点を超える温度領域で)
一次皮膜層材質 : Ni自溶合金(JIS SNFi2)
一次皮膜厚さ : 0.4〜0.6mm
溶融処理温度 : 1050±25℃
寸法 : 全長 L0=1380mm 凸条幅t=6.5mm
駆動端部 L1=380mm D1=50φ
(最小径部)小径軸部 L2=500mm D2=35φ
(勾配部)中径軸部 L3=310mm D3=40φ(平均)
(従動端)大径軸部 L4=190mm D4=45φ
すなわち、f1 ≧310ρ/μD2≧310×80/(1×3.52)=2024となるので、切りのよい通電周波数f1 =2400Hzを選定した。これは、IGBTの推奨レベルに入っている。
ちなみに、凸条幅tまで能率良く加熱するための通電周波数f3 を上記数式3にて求めてみると、f3 ≧158ρ/μt2≧158×80/(1×0.652)=29920Hzである。これは、本発明の通電周波数f1 の下限値より桁違いに高く、IGBTの推奨レベルを超えている。
全円弧長θ=80゜、 幅F=10mm、 対向間隔g0=5mm にした。
一方、基底周面11を一発加熱する鞍形の軸線方向通電誘導子51の誘導作用部の寸法は(図4(b)参照)、全長m0=1130mm、駆動端被せ量=80mm、従動端被せ量=50mm、誘導作用部幅F=15mmとし、上述の第3形態と同様の計算を行って、
D1=50φ g1=5mm
m1=580mm D2=35φ g2=12.5mm u2 =1050℃
m2=310mm D3=40φ(平均) g3=10.5mm u3 =1055℃
m3=240mm D4=45φ g4=9.0mm u4 =1049.6℃にした。
鞍形の軸線方向通電誘導子51による加熱条件を、通電周波数f1 =2400Hz、加熱電力P1=130kW、加熱時間=3分にした。
また、軸状部材10の軸部のうち対向間隔選定の基準位置である小径軸部14の基底周面11の温度を例えば放射温度計で測定しながら、その到達温度u2 が所望温度1050℃になるよう、高周波電源36から誘導子51への投入電力P1を増減調整した。
その結果、軸状部材10の軸部の基底周面11の到達温度は、加熱領域17の全長に亘って1050±10℃に収まり、均等に昇温した。
また、軸状部材10の凸条12の温度を測定しながら、その到達温度が所望温度1050℃になるよう、高周波電源37から誘導子52への投入電力P2を増減調整した。
さらに、所望温度1050℃に到達した凸条12の環状領域の軸線方向幅を計測して、その幅と処理温度保持時間とから、移動速度を加減調整した。
その結果、軸状部材10の凸条12の到達温度も、加熱領域17の全長に亘って1050±10℃に収まり、均等に昇温した。
m1=580mm D2=35φ g2=12.5mm u2 =929℃
m2=310mm D3=40φ(平均) g3=10mm u3 =969℃
m3=240mm D4=45φ g4=7.5mm u4 =1050℃であり、この場合は均等に昇温していない。
材質 : SCM410
体積固有抵抗ρ=80(μΩ−cm)
比透磁率μ=1 (ρ,μは、磁気変態点を超える温度領域で)
一次皮膜層材質 : Ni自溶合金(JIS SNFi2)
一次皮膜厚さ : 0.4〜0.6mm
溶融処理温度 : 1050±25℃
寸法 : 全長 L0=1120mm 凸条幅t=5.0mm
駆動端部 L1=300mm D1=40φ
(最小径部)小径軸部 L2=420mm D2=27φ
(勾配部)中径軸部 L3=250mm D3=31.5φ(平均)
(従動端)大径軸部 L4=150mm D4=36φ
すなわち、f1 ≧310ρ/μD2≧310×80/(1×2.72)=3401となるので、切りのよい通電周波数f1 =3600Hzを選定した。これは、IGBTの推奨レベルに入っている。
ちなみに、軸線方向通電のみで凸条幅tまで能率良く加熱するための通電周波数f3 を上記数式3にて求めてみると、f3 ≧158ρ/μt2≧158×80/(1×0.52)=50560Hzであり、これはIGBTの推奨レベルを超えている。
全円弧長θ=80゜、 幅F=10mm、 対向間隔g0=4mm にした。
一方、基底周面11を一発加熱する鞍形の軸線方向通電誘導子51の誘導作用部の寸法は(図4(b)参照)、全長m0=940mm、駆動端被せ量=70mm、従動端被せ量=50mm、誘導作用部幅F=15mmとし、上述の第3形態と同様の計算を行って、
D1=40φ g1=4mm
m1=490mm D2=27φ g2=10.5mm u2 =1050℃
m2=250mm D3=31.5φ(平均) g3=8.5mm u3 =1048℃
m3=200mm D4=36φ g4=7.0mm u4 =1040.7℃にした。
鞍形の軸線方向通電誘導子51による加熱条件を、通電周波数f1 =3600Hz、加熱電力P1=95kW、加熱時間=2分にしたところ、軸状部材10の軸部の基底周面11の到達温度は加熱領域17の全長に亘り1050±10℃に収まり均等に昇温した。
それから、弧状の周方向通電誘導子52による加熱条件を、通電周波数f1 =3600Hz、加熱電力P2=6〜20kW、移動速度=10mm/sにしたところ、軸状部材10の凸条12の到達温度も加熱領域17の全長に亘って1050±10℃に収まり均等に昇温した。
m1=490mm D2=27φ g2=10.5mm u2 =970℃
m2=250mm D3=31.5φ(平均) g3=8.25mm u3 =989℃
m3=200mm D4=36φ g4=6.0mm u4 =1050℃であり、均等昇温は望めない。
ちなみに、駆動端部13の到達温度u1 も計算してみると、D1=40φ、g1=4mmの位置では、u1=αK/D=63158×0.688/40=1140℃となる。しかし、駆動端部13は、大部分が誘導子51から外れているので、それほど昇温しない。
なお、上記実施形態では、軸状部材10を水平に支持していたが、軸状部材10の支持は、垂直でも、斜めでも、良い。
また、上記実施例では、周方向通電誘導子52の移動速度が一定であったが、可変でも良い。
11…基底周面(軸部表面)、12…凸条(ネジ山部)、13…駆動端部、
14…小径軸部(平行部)、15…中径軸部(勾配部、テーパ部)、
16…大径軸部(平行部)、17…加熱領域、
21…軸線方向通電誘導子(周方向磁束発生誘導子,第1誘導子)、
22…周方向通電誘導子、
30…誘導加熱装置、
32…周方向通電誘導子(軸線方向磁束発生誘導子,第2誘導子)、
33…従動端支持機構、34…駆動端支持機構、35…電動モータ(回転機構)、
36…軸線方向通電用高周波電源、37…周方向通電用高周波電源、
50…誘導加熱装置、
51…軸線方向通電誘導子(第1誘導子)、52…周方向通電誘導子(第2誘導子)、
Claims (7)
- 自身の軸線を横切る方位に沿って延びた凸条を自身の外周面に有する軸状部材に誘導子を近接配置し該誘導子に高周波通電することで前記軸状部材の表層部に誘導電流を生じさせて該軸状部材を誘導加熱する、凸条付軸状部材の誘導加熱方法において、前記誘導子として、前記軸状部材の加熱すべき領域の全長に亘り前記軸線に沿って配置され該軸線に沿った方向に通電される誘導作用部を有し、該軸状部材内に軸線と直交する面内に径路を取る磁束を生じさせる第1誘導子と、前記軸状部材の周方向に沿った方向に通電される誘導作用部を有し、該軸状部材内に前記第1誘導子による磁束と直交する前記軸線に沿った方向の磁束を生じさせる第2誘導子とを併せて配置し、前記軸状部材を軸心回転させながら該第1誘導子と第2誘導子に高周波通電して前記誘導加熱を行う、ことを特徴とする凸条付軸状部材の誘導加熱方法。
- 前記第2誘導子として、前記軸状部材の軸線方向の一部区間を誘導加熱できる誘導子を配備し、該誘導子を前記軸線方向に走行させながら該誘導子に高周波通電して、前記軸状部材をその加熱すべき領域の全長に亘って誘導加熱する、ことを特徴とする請求項1記載の凸条付軸状部材の誘導加熱方法。
- 前記第1誘導子の誘導作用部と、前記軸状部材にあって前記凸条の谷底を占める基底周面の対向間隔を、該基底周面の昇温が前記軸線方向に関して均等となるように設定して前記誘導加熱を行う、ことを特徴とする請求項1又は2記載の凸条付軸状部材の誘導加熱方法。
- 前記軸状部材にあって前記凸条の谷底を占める基底周面の昇温の調整を前記第1誘導子への投入電力を調整して行い、前記凸条の昇温の調整については、前記第2誘導子として前記軸状部材の軸線方向の短区間を誘導加熱できる誘導子を配備した上で、該誘導子への投入電力と該誘導子に係る前記軸線方向走行の速度との少なくとも一方を調整して行う、ことを特徴とする請求項2乃至4記載の凸条付軸状部材の誘導加熱方法。
- 前記誘導加熱を、前記軸状部材の表面に形成した金属系の一次被覆層に溶融処理を施すために行う、ことを特徴とする請求項1乃至5記載の凸条付軸状部材の誘導加熱方法。
- 外周面に凸条を有する軸状部材を支持し且つ軸心回転させる軸状部材支持回転装置と、この装置に支持された前記軸状部材の加熱すべき領域の全長に亘り前記軸状部材の軸線に沿って配備され該軸線に沿った方向に通電される誘導作用部を有する第1誘導子と、前記軸状部材の軸線方向の一部区間の区間長さに相当する幅を以て該一部区間の周方向に沿って配置され該周方向に沿った方向に通電される誘導作用部を有する第2誘導子と、該第2誘導子を前記軸状部材の軸線方向に走行させるための誘導子走行機構と、前記第1誘導子と第2誘導子の夫々に高周波通電を行うための2系統の高周波電源と、を備えて成る凸条付軸状部材の誘導加熱装置。
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