JP2007107934A - Mems加速度センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】ピエゾ抵抗特性の不釣合いを誘引するような構造を改善し、残留応力の影響の小さいMEMS加速度センサを実現する。
【解決手段】MEMS加速度センサは、枠形状のフレーム部12と、上記フレーム部の枠内に配置される錘部11とを、複数の可撓性の梁部13にて接続する構成とする。梁部13におけるフレーム部12との接続側では、長さUのノッチ部12Aがフレーム部12において形成され、梁部13における錘部11との接続側では、長さUpのノッチ部11Aが錘部11において形成される。
【選択図】図1
【解決手段】MEMS加速度センサは、枠形状のフレーム部12と、上記フレーム部の枠内に配置される錘部11とを、複数の可撓性の梁部13にて接続する構成とする。梁部13におけるフレーム部12との接続側では、長さUのノッチ部12Aがフレーム部12において形成され、梁部13における錘部11との接続側では、長さUpのノッチ部11Aが錘部11において形成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン基板上に製造されるMEMS加速度計の構造、およびMEMS加速度計に形成されるピエゾ抵抗のマッチング特性を向上させる構造に関するものである。
微小電子機械システム(MEMS:Micro Electro-Mechanical System)をベースとするセンサは、半導体集積回路の処理、およびプロセススケーリングおよび大量生産によるコスト低減の可能性の両立のため、その応用分野が急速に成長している。
MEMSに基づく加速度センサは、静電センシングおよびピエゾ抵抗変化センシングに基づいて開発されている。一般に、MEMS加速度計は、復元ばねとして作用する弾性梁に支持された錘部によって構成される。上記加速度センサに力または加速度が加えられることにより、上記錘部は、加えられた力に比例して平衡位置から移動し、その移動が支持梁の撓みを発生させる。
図3は、非特許文献1に開示のある、静電センシングによるMEMS加速度計を示すものである。このデバイスは、固定部材101に対する錘部102の位置変化を容量変化として検知する。
図4は、特許文献1に開示のある、ピエゾ抵抗センシングによる3軸加速度計を示すものである。このデバイスは、錘部111を枠状フレーム112に対して長さLcの4本の弾性梁113にて支持して形成されている。また、錘部111はクローバー型に成形された5つの領域から構成されている。各弾性梁113の端部においては複数のピエゾ抵抗114が配されており、これらのピエゾ抵抗114は、抵抗(ΔR/R)の変化を引き起こす錘部111の偏りを、
ΔR/R=πp×σx
として検出するホイートストン回路を形成するように配置されている。具体的には、錘部111に対して反対側に設けられる2本の弾性梁112のそれぞれにおいて、2つずつのピエゾ抵抗を配置し、これら4個のピエゾ抵抗を1組としてホイートストン回路を構成している。ここで、πpおよびσxは、弾性梁113材料のピエゾ抵抗に関する係数であり、錘部111に加えられた加速度によって引き起こされる材料応力を示す。そして、σx〜axは、加えられた加速度axに比例した応力となる。図4のデバイスでは、さらに、z方向およびx方向に加えられた加速度を検出するために、2組のピエゾ抵抗によるホイートストン回路が同一の梁上に形成されている。
ΔR/R=πp×σx
として検出するホイートストン回路を形成するように配置されている。具体的には、錘部111に対して反対側に設けられる2本の弾性梁112のそれぞれにおいて、2つずつのピエゾ抵抗を配置し、これら4個のピエゾ抵抗を1組としてホイートストン回路を構成している。ここで、πpおよびσxは、弾性梁113材料のピエゾ抵抗に関する係数であり、錘部111に加えられた加速度によって引き起こされる材料応力を示す。そして、σx〜axは、加えられた加速度axに比例した応力となる。図4のデバイスでは、さらに、z方向およびx方向に加えられた加速度を検出するために、2組のピエゾ抵抗によるホイートストン回路が同一の梁上に形成されている。
このようなピエゾ型MEMS3軸加速度センサは、半導体プロセスを用いて製造可能であり、広く用いられている。
特開2002−296293号公報(公開日2002年10月9日)
M. Lemkin and B.E.Boser, "A three-axis micromachined accelerometer with a CMOS position-sense interface and digital offset-trim electronics", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.34, No.4, pp.456-468, April 1999
しかしながら、特許文献1における従来のMEMS加速度計は、5つの領域から構成されたクローバー型の錘部111を用いることで、錘部111の重量を大きくしながら、弾性梁113の長さを長くでき、検出感度を向上させることができるものの、センサの特性を安定化することが困難であるといった問題を生じる。この問題を詳細に説明すると以下の通りである。
すなわち、特許文献1に開示のあるようなホイートストンブリッジを基とするセンサにおいては、錘部に加速度等の入力が加えられない場合の出力信号のオフセットが注目すべきパラメータとなる。このオフセットは、弾性梁に生じる残留応力により、ホイートストン回路抵抗の特性の不釣合いが生じることによって発生する。
つまり、上述のようなMEMS加速度計では、錘部の変位を受けて弾性梁が変形することにより、該弾性梁において残留歪(残留応力)が生じる。この残留歪は、錘部に加速度等の入力が加えられない場合にも残存する。この残留歪は、ピエゾ抵抗が配置される弾性梁の両端において、理想的に等しい状態で発生すればその影響は互いに打ち消され、MEMS加速度計の出力においてオフセットは発生しない。
しかしながら、上記特許文献1の構成では、弾性梁の両端における残留応力は、理想的に等しい状態での発生とはならない。これは、弾性梁113とフレーム112との接合部と、弾性梁113と錘部111との接合部との形状の違いによる。つまり、弾性梁113とフレーム112との接合部においては、図5(a)に示すように、弾性梁113の端部がフレーム112における直線状の縁部に接合されている。これに対し、弾性梁113と錘部111との接合部においては、図5(b)に示すように、弾性梁113の端部が錘部111におけるU字型ノッチ部の底部に接合されている。そして、接合部のこのような形状の違いにより、弾性梁の両端において発生する残留歪に僅かながらも相違が生じる。その残留歪の相違によってピエゾ抵抗値が弾性梁内で一定とならずオフセットが生じ、センサの特性を安定化することが困難となる。
尚、上記オフセット電圧は、メモリ修正及び検出信号に対する後処理によって部分的に補正することが可能であるが、その場合は、コストおよび消費電力の増加した複雑な補正回路が必要となる。従って、上記回路抵抗の不釣合いの原因をできる限り排除できるようなセンサデバイス構造とすることが価値をもつ。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ピエゾ抵抗特性の不釣合いを誘引するような構造を改善し、残留応力の影響の小さいMEMS加速度センサを実現することにある。
本発明に係るMEMS加速度センサは、上記課題を解決するために、枠形状のフレーム部と、上記フレーム部の枠内に配置される錘部と、一方の端部を上記フレーム部に接続され、他方の端部を上記錘部に接続されて、上記錘部を上記フレーム部の枠内にて吊り下げ支持する複数の可撓性の梁部と、上記梁部上に、それぞれの梁部の両端に配置される複数のピエゾ抵抗を有し、上記梁部における上記フレーム部との接続側では、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUの第1のノッチ部が、該フレーム部において形成されており、上記梁部における上記錘部との接続側では、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUpの第2のノッチ部が、該錘部において形成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、上記フレーム部と上記錘部とを接続する上記梁部のそれぞれにおいて、その両端にノッチ部が設けられる。これらのノッチ部は、梁部のそれぞれにおいて、フレーム部に接続される側の端部と錘部に接続される側の端部とで、同様の近接効果を生じさせ、梁部の両端で同一の残留応力が生じるため、この残留応力による出力信号のオフセットを構造的に抑制することが可能となる。したがって、それぞれの梁部の両端に配置される複数のピエゾ抵抗において、ピエゾ抵抗特性の不釣合いを誘引するような構造を改善し、残留応力の影響の小さいMEMS加速度センサを実現することができる。
また、上記MEMS加速度センサは、上記第1のノッチ部は、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUであり、上記第2のノッチ部は、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUpであり、U<Upである構成とすることが好ましい。上記の構成によれば、錘部に形成される第2のノッチ部の長さをフレーム部に形成される第1のノッチ部の長さよりも大きくすることで、センサの大型化を招くことなく、センサ感度を向上させることができる。
また、上記MEMS加速度センサは、上記第1のノッチ部は、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUであり、上記第1のノッチ部における上記梁部と上記フレーム部とのギャップ幅と、上記第2のノッチ部における上記梁部と上記錘部とのギャップ幅とが共にaであり、U>1.5×aである構成とすることにより、梁部の両端における残留応力がおおよそ等しくなる。
また、上記MEMS加速度センサは、上記フレーム部、上記錘部、および上記梁部が、半導体材料にて形成されていることが好ましい。
本発明に係るMEMS加速度センサは、以上のように、枠形状のフレーム部と、上記フレーム部の枠内に配置される錘部と、一方の端部を上記フレーム部に接続され、他方の端部を上記錘部に接続されて、上記錘部を上記フレーム部の枠内にて吊り下げ支持する複数の可撓性の梁部と、上記梁部上に、それぞれの梁部の両端に配置される複数のピエゾ抵抗を有し、上記梁部における上記フレーム部との接続側では、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUの第1のノッチ部が、該フレーム部において形成されており、上記梁部における上記錘部との接続側では、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUpの第2のノッチ部が、該錘部において形成されている構成である。
それゆえ、上記梁部の両端にノッチ部が設けられることにより、梁部のそれぞれにおいて、フレーム部に接続される側の端部と錘部に接続される側の端部とで、同様の近接効果を生じさせ、梁部の両端で同一の残留応力が生じる。このため、それぞれの梁部の両端に配置される複数のピエゾ抵抗において、ピエゾ抵抗特性の不釣合いを誘引するような構造を改善し、残留応力による出力信号のオフセットを構造的に抑制することが可能となるといった効果を奏する。
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すると以下の通りである。ここでは、新規なMEMS加速度センサの構造について説明する。尚、以下の説明では、図2のセンサ構造をアレンジしたものとして、本実施の形態に係る新しいセンサ構造を説明するが、本発明は、他のどのような種類のピエゾ抵抗センサにも拡張して適用可能である。
本実施の形態に係るMEMS加速度センサの概略構成を図1および図2に示す。図1および図2に示すセンサ構造は、SOI(Silicon On Insulator)基板において、錘部11と、フレーム部12と、該錘部11をフレーム部12に対して吊り下げ支持する4本の可撓性の梁部13とを形成してなる。このため、錘部11、フレーム部12、および梁部13は、SOI基板と同材料からなる。
上記SOI基板は、上部Si層21、埋め込み酸化物層22、および下部Si層23より構成される。SOI層の一般的な厚さは、上部Si層21で2〜10μm、埋め込み酸化物層22で0.5〜1μm、下部Si層23で500〜600μmである。
フレーム部12の高さはSOI基板厚さに等しい。また、錘部11は角柱形状をしており、その高さTは一般的にはSOI基板厚さに等しく、300〜650μmである。梁部12は埋め込み酸化物層22において形成されており、その厚さtは錘部11の厚さTよりも十分に薄い。梁部13は、その一端をフレーム部12に支持され、他端にて錘部11を支持している。この構成では、錘部11の質量中心は、錘部11の荷重作用を除いても梁部13を含む面から外れている。
また、錘部11には、梁部12の数に対応して4箇所のノッチ部11Aが形成されており、梁部12はそれぞれのノッチ部11Aの奥にて錘部11と接続されている。すなわち、上記ノッチ部11Aは、錘部11において、Z方向に延びるように形成された溝形状の切り欠き部であり、そのX−Y平面内の溝断面は、錘部11の外縁から長さがUpであり、その溝幅は梁部13の両側に幅aのギャップを有する幅に形成されている。この形状は、センサの大型化を招来することなく、錘部11の重量を増し、同時に梁部13の長さを長く取ることができるため、センサ感度を向上させることができる。
フレーム部12は、移動可能な錘部11を横方向に囲んでおり、梁部13の錨としても作用する。梁部13は、一般的には、3〜10μmの厚さt、および20〜100μmの幅を有している。梁部13の長さLは、要求される機能特性、すなわちセンサの感度に従って設計されるが、一般的には100〜1000μmの範囲である。
本実施の形態に係るMEMS加速度センサでは、加速度を検出するためのピエゾ抵抗は、各梁部13の端部において形成されている。具体的には、Y方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗R1y〜R4yが、錘部11のY方向に配置された2本の梁部13のそれぞれの端部に図示のように配置されている。また、X方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗R1x〜R4x、およびZ方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗R1z〜R4zが、錘部11のX方向に配置された2本の梁部13のそれぞれの端部に図示のように配置されている。上記全てのピエゾ抵抗は、等しい呼称値を有する。
これらのピエゾ抵抗は、ピエゾ抵抗R1y〜R4y、ピエゾ抵抗R1x〜R4x、およびピエゾ抵抗R1z〜R4zのそれぞれの組が、加速度が引き起こす変位および機械的応力を電気信号に変換するホイートストンブリッジを形成するように接続される。これらのピエゾ抵抗は、公知の技術を用いて、梁部13の半導体材料の表面に形成される。また、ホイートストンブリッジによる加速度の検出方法自体も公知であるため、個々では詳細な説明を省略する。
また、従来から知られるように、半導体基板としてSiを用いる場合は、梁部13およびp型導電性のピエゾ抵抗は、上部Si層21の面内方向に配置される。そして、ピエゾ抵抗を流れる電流も上部Si層21の面内方向に存在し、該ピエゾ抵抗の効果を最大限にする。特に、上部Si層21は、(100)面内に結晶学的な配置を有し、1015〜1016at/cm3のドーピング密度でn型導電性を有する。ピエゾ抵抗は、p型拡散抵抗を形成するために、1017〜1019at/cm3の不純物ドーピング密度でボロンイオンの注入によって形成される、
梁部13は、その両端をフレーム部12および錘部11によってクランプされる(挟み込まれる)ように取り付けられる。両端をクランプされた梁部13の両端においては、例えば、垂直方向(Z方向)の力が理想的に等しい状態で錘部11に加わった場合は、梁部13はその両端において同じ大きさであり、かつ逆符号の圧縮応力および引張り応力が補足しあって作用する。その結果、Z軸センシング抵抗は、その抵抗値の平衡が保たれるように変化する。
梁部13は、その両端をフレーム部12および錘部11によってクランプされる(挟み込まれる)ように取り付けられる。両端をクランプされた梁部13の両端においては、例えば、垂直方向(Z方向)の力が理想的に等しい状態で錘部11に加わった場合は、梁部13はその両端において同じ大きさであり、かつ逆符号の圧縮応力および引張り応力が補足しあって作用する。その結果、Z軸センシング抵抗は、その抵抗値の平衡が保たれるように変化する。
しかしながら実際には、図4における従来構成では、梁部113において、フレーム112に接続される側の端部と錘部111に接続される側の端部とでは、錘部111に接続される側の端部での近接効果により僅かに異なる機械的歪が生じる。すなわち、このように、梁部の両端で異なる機械的歪が生じることによって、異なる残留応力が生じ、この残留応力が加速度センサオフセットにおける出力信号のオフセットの要因となる。
これに対し、本実施の形態に係るMEMS加速度センサでは、梁部13の両端での残留応力を等しくするために、フレーム部12に接続される側の端部において、端部ノッチ12Aが該フレーム部12に形成される。この端部ノッチ12Aは、梁部13の数に対応して4ヶ所設けられており、梁部12はそれぞれの端部ノッチ12Aの奥にてフレーム12と接続されている。すなわち、端部ノッチ12Aは、フレーム部12において、Z方向に延びるように形成された溝形状の切り欠き部であり、そのX−Y平面内の溝断面は、フレーム部12の内縁からの長さがUであり、その溝幅は梁部13の両側に幅aのギャップを有する幅に形成されている。
上述のように、梁部13と錘部11との間、および梁部11とフレーム部12との間には、幅aのギャップが設けられている。このギャップ幅aは10〜100μmの範囲で形成されることが好ましく、一般的には30μmである。また、錘部11に形成されるノッチ部11Aは、センサの感度を向上させるために設けられるものであり、その長さは長く取られる必要がある。一方で、フレーム11に設けられる端部ノッチ12Aは、梁部13の両端に生じる残留応力を均一化するために設けられるものであるため、その長さは最小限の長さを有していれば良い。したがって、ノッチ部11Aの長さUpに対して、端部ノッチ12Aの長さUは、U<Upとなる。
また、端部ノッチ12Aの長さUは、理想的には梁部13の長さLに比較されるべきである。しかしながら、実験的には、U>1.5×aとなる場合に、梁部13の両端における残留応力がおおよそ等しくなることが発見された。したがって、ここでの設計は、L=500μm、a=30μm、U=50μmが適用された。
このように、本実施の形態に係るMEMS加速度センサでは、梁部13のそれぞれにおけるフレーム部12との接続側において、該フレーム部12に端部ノッチ12Aを設けている。これにより、梁部13は、該梁部13と錘部11との間、および該梁部11とフレーム部12との間に幅aのギャップが設けられた状態で、錘部11およびフレーム部12と接続されることになる。
つまり、本実施の形態における上記構成では、梁部13において、フレーム部12に接続される側の端部と錘部11に接続される側の端部とでは、同様の近接効果が生じ、梁部の両端で同一の残留応力が生じるため、この残留応力による出力信号のオフセットを構造的に抑制することが可能となる。
本発明は、加速度センサおよび方向検出センサ等の用途に適用できる。
11 錘部
12 フレーム部
13 梁部
11A ノッチ部(第2のノッチ部)
12A 端部ノッチ(第1のノッチ部)
R1x〜R4x,R1y〜R4y,R1z〜R4z ピエゾ抵抗
12 フレーム部
13 梁部
11A ノッチ部(第2のノッチ部)
12A 端部ノッチ(第1のノッチ部)
R1x〜R4x,R1y〜R4y,R1z〜R4z ピエゾ抵抗
Claims (4)
- 枠形状のフレーム部と、
上記フレーム部の枠内に配置される錘部と、
一方の端部を上記フレーム部に接続され、他方の端部を上記錘部に接続されて、上記錘部を上記フレーム部の枠内にて吊り下げ支持する複数の可撓性の梁部と、
上記梁部上に、それぞれの梁部の両端に配置される複数のピエゾ抵抗とを有し。
上記梁部における上記フレーム部との接続側では、第1のノッチ部が該フレーム部において形成されており、
上記梁部における上記錘部との接続側では、第2のノッチ部が該錘部において形成されていることを特徴とするMEMS加速度センサ。 - 上記第1のノッチ部は、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUであり、上記第2のノッチ部は、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUpであり、
U<Up
であることを特徴とする請求項1に記載のMEMS加速度センサ。 - 上記第1のノッチ部は、上記梁部の長手方向と平行な方向における長さがUであり、
上記第1のノッチ部における上記梁部と上記フレーム部とのギャップ幅と、上記第2のノッチ部における上記梁部と上記錘部とのギャップ幅とが共にaであり、
U>1.5×a
であることを特徴とする請求項1に記載のMEMS加速度センサ。 - 上記フレーム部、上記錘部、および上記梁部が、半導体材料にて形成されていることを特徴とする請求項1に記載のMEMS加速度センサ。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110719 |