JP2007105721A - ツインワイヤーアークスプレーコーティングの施用のための方法及び装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 125
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 37
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 19
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 12
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007655 standard test method Methods 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010964 304L stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001094 6061 aluminium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003090 exacerbative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/06—Metallic material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/131—Wire arc spraying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/134—Plasma spraying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12472—Microscopic interfacial wave or roughness
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
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- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
【解決手段】堆積チャンバ部品の基板にツインワイヤーアークスプレーコーティング装置56を用いて複合コーティングを行う。部品のコーティング、ノズル流及び基板の組成を調節することで、コーティング表面は、第一の接着コーティングよりも粗い第二のトップコーティング層を形成する。
【選択図】図4
Description
本発明は、一般に、コーティング堆積の分野に関する。より具体的には、本発明は、改変されたツインワイヤーアークスプレーの方法論を用いて、基板上にコーティングを堆積させるための方法及び装置に向けられている。
加工チャンバーの堆積の分野において、チャンバー部品及び表面は、コーティングされる被加工物の最適な生産が容易になるように改変されることが多い。堆積プロセスは、被加工物表面を、厳密な品質管理を必要とする条件及びコーティングに供することを必然的に伴う。例えば半導体のような多くの被加工物についてコーティング厚さは極めて薄く、1インチの数千分の1又はそれ未満もの薄さであることも多い。様々なプラズマコーティング技術では、堆積チャンバー中に副生物を生じ、それらはコーティングが行われている間又はその後のチャンバー雰囲気から排出される。しかしながら、プラズマ副生物の一部は、チャンバーの内部表面又は壁、ならびに、内部チャンバー環境に晒された他のチャンバー部品に付着したままである。副生物が所定量(通常、操作時間に基づく)に増加すると、増加した副生物を除去するために、その生産物をラインから引き出し、チャンバー表面を交換するか、又はクリーニングしなければならない。このような定期的な保守が行なわれないと、副生物がチャンバー壁と他の晒された部品から分離し、コーティングされる被加工物を汚染する可能性がある。このような汚染は、被加工物の破損又は故障を引き起こすことが多い。結果として、コーティング産業において、チャンバーの内部表面と内部チャンバーに晒されたチャンバー部品は、プラズマ及びその他のコーティングプロセス副生物の付着が増加するように設計された改変された表面を有する。このような、チャンバー壁とチャンバー部品への副生物の付着を強化することにより、チャンバーのクリーニングとクリーニングとの間に達成される加工時間が長くなり、それによってプロセスがより長く「オンライン」のままになるため、全体のシステム生産性を高め、全体の生産高をより高める。加えて、副生物が特に価値があるか、又は再利用可能である場合、チャンバー壁及び部品への副生物の付着も望ましい。
一実施形態において、本発明は、堆積チャンバー部品の基板をコーティングする方法に向けられる。基板表面を有する堆積チャンバー部品の基板が、コーティングを施用するためのツインワイヤーアークスプレーコーティング装置と共に提供される。複合コーティングが塗布される。この複合コーティングは、基板表面上に施用される第一のツインワイヤーアークスプレーコーティング、それに続いて、第一のツインワイヤーアークスプレーコーティング上に施用される第二のツインワイヤーアークスプレーコーティングを含む。部品のコーティング、ノズル流及び基板の組成を調節することによって、そのコーティング表面は、予想可能な予め選択された特徴、特に、化学種の接着に望ましい粗さを示す。最も望ましくは、第二のコーティングの表面粗さは、第一のコーティングの表面粗さより大きい。
図1は、既知のTWAS技術を用いてコーティングされた金属基板(従来技術)の拡大断面写真である。
図3a〜3bは、本発明の方法の一実施形態に従ってコーティングされた石英サンプルの写真である。
図5は、本発明のTWASシステムを用いてコーティングされた金属基板の断面写真である。
溶射は、様々な先端技術産業で用いられている既知の材料加工技術である。特に有用な溶射法は、ツインワイヤーアークスプレー(TWAS)法である。TWAS法において、2つのワイヤーが、それぞれワイヤーに電流を通すコンタクトチップに供給される。これらのチップは、ワイヤーが互いに交差部分に向かって伸長するような方向に向けられる。ワイヤーを渡って高い電流が印可されることにより、ワイヤーのチップを渡って電気アークが形成される。次に、この電流により、アーク区域に供給されたワイヤー部が融解する。ノズル装置は、コンタクトチップ近傍のコンタクトチップ間に位置し、さらに、ガス流がアーク区域に向かって放出されるような方向を向いている。このガス流により、加工表面に溶融金属が噴霧され、コーティングが形成される。
本発明のさらなる特徴、利点及び詳細は、以下の本発明の典型的な実施形態の説明に示され、これらの説明は、添付の図面と共に扱うものとする。
引張試験(張力)は、溶射コーティングの付着又は粘着強度のためのASTM C633−01の標準的な試験方法に従って行われた。サンプルは、下記の表で定義されたような、アルミニウム(Al)、ステンレス鋼(SST)、又は、アルミナセラミックの切り取り試片であった。
引張試験(張力)は、溶射コーティングの付着又は粘着強度のためのASTM C633−01の標準的な試験方法に従って行われた。サンプルは、下記の表で定義されたような、アルミニウム(Al)、ステンレス鋼(SST)、又は、アルミナセラミックの切り取り試片であった。
引張試験(張力)は、溶射コーティングの付着又は粘着強度のためのASTM C633−01の標準的な試験方法に従って行われた。サンプルは、下記の表で定義されたような、アルミニウム(Al)、ステンレス鋼(SST)、又は、アルミナセラミックの切り取り試片であった。
アルミナセラミックへのアルミニウムTWAS付着を測定する試験を行った。これは、プラズマ噴霧プロセスによって塗布された接着コート(基板は、約700°F〜約900°Fの範囲の温度に予備加熱された)を用いて達成された。
Claims (20)
- 加工チャンバー部品の基板表面をコーティングするための方法であって、次の各工程:
基板表面を有する加工チャンバー部品の基板を提供し;
コーティングを施用するためのツインワイヤーアークスプレーコーティング装置を提供し;そして、
複合のツインワイヤーアークスプレーコーティングを該基板表面に施用する工程を含み、ここで、前記複合コーティングは、該基板表面上に第一の接着コーティング(前記第一のコーティングは、第一のコーティングの粗さ値を有する)と、該第一の接着コーティング上に第二のトップコーティング(前記第二のトップコーティングは、該第一の接着コーティングの粗さ値より大きい第二のトップコーティングの粗さ値を有する)とを含む、前記方法。 - 第一の接着コーティングは、約10〜約20ミクロンの粗さ値を有し、第二のトップコーティングは、該第二のトップコーティングが該第一の接着コートの粗さ値より大きい粗さ値を有するように約15〜約30ミクロンの粗さ値を有する、請求項1に記載の方法。
- 基板表面は、金属基板を含む材料で作製されている、請求項1に記載の方法。
- 基板表面は、非金属基板を含む材料で作製されている、請求項1に記載の方法。
- 金属基板は、ステンレス鋼を含有する合金、アルミニウム、及び、アルミニウムを含有する合金からなる群より選択される金属を含む、請求項3に記載の方法。
- 複合コーティングは、アルミニウム、ニッケル、アルミニウム合金、及び、モリブデンからなる群より選択される金属を含む、請求項1に記載の方法。
- 非金属基板は、セラミック含有化合物を含む、請求項4に記載の方法。
- 複合コーティングは、実質的に連続したコーティングを基板表面に提供する、請求項1に記載の方法。
- 複合コーティングは、約40mPa〜約77mPaの接着強度を有する、請求項1に記載の方法。
- タンタル堆積プロセスからタンタル含有化合物を固定するための方法であって、次の各工程:
加工チャンバーを提供し、ここで、前記チャンバーは、チャンバー部品と、チャンバーの内部表面とを含み、前記チャンバー部品とチャンバーの内部表面は複合コーティングを含み、前記複合コーティングは、第一の層と第二の層とを含み、前記第一の層と第二の層とは、異なる表面粗さ値を有し;
タンタル含有化合物をプラズマコーティングプロセスに提供し、ここで、前記プロセスは該タンタル含有化合物からタンタル種を放出し;
該加工チャンバーにおいて加工すべき被加工物を提供し;
所定量の該タンタル種を該被加工物上に堆積させ、そして、所定量のタンタル種を該複合コーティング上に接着させる工程
を含む、前記方法。 - 複合コーティングを処理して、該複合コーティングからタンタル種を放出させ;そして、
該複合コーティングから所定量の該タンタル種を再生する工程
をさらに含む、請求項10に記載の方法。 - 基板表面上に堆積された複合コーティングであって:
第一の粗さ値を有する第一のコーティング層;
該第一の粗さ値より大きい第二の粗さ値を有する第二のコーティング層
を含み、ここで、前記第一及び第二のコーティング層は金属を含む、前記コーティング。 - 第一及び第二の層は、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、及び、モリブデンからなる群より選択される金属を含む、請求項12に記載のコーティング。
- 基板表面は、アルミニウム及びステンレス鋼からなる群より選択される材料で作製されている、請求項12に記載のコーティング。
- コーティングは、約254〜約356ミクロンの厚さで基板表面上に堆積される、請求項12に記載のコーティング。
- コーティングは、約12〜約30ミクロンの表面粗さを有する、請求項12に記載のコーティング。
- 内部表面を有するチャンバーを含む加工チャンバーであって:
前記チャンバーの内部表面は、第一の粗さ値を有する第一の層と、該第一の粗さ値より大きい第二の粗さ値を有する第二の層とを有する複合コーティングを含み、前記複合コーティングは、該チャンバーの内部表面上に実質的に連続して堆積される、前記加工チャンバー。 - チャンバー内で方向が固定され、かつ内部表面の近傍に位置している、少なくとも1つの加工チャンバー部品をさらに含み、ここで、前記部品は外部表面を有し、複合層が該チャンバーの内部表面と該部品の外部表面の上に実質的に連続して堆積されている、請求項17に記載の加工チャンバー。
- タンタル堆積のための装置であって:
加工チャンバー、ここで、前記チャンバーは、チャンバー部品と、チャンバーの内部表面とを含み、前記チャンバー部品とチャンバーの内部表面は、複合コーティングを含み、前記複合コーティングは、第一の接着コート層と、第二のトップコート層とを含み、前記第二のトップコート層は、該第一の接着コートの表面粗さ値より大きい表面粗さ値を有する;
少なくとも部分的に、チャンバーの内部か又はチャンバーと連絡している予め決められた位置に置かれたプラズマコーティング装置、ここで、前記装置は、タンタルを含有する種を生成させるためのタンタル供給源を含む;及び、
該加工チャンバーにおいて加工すべき被加工物
を含む、前記装置。 - 第二のトップコート層は、約17〜約23ミクロンの表面粗さ値を有し、第一の接着コート層は、約10〜約18ミクロンの表面粗さ値を有する、請求項19に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/192,600 | 2005-07-29 | ||
US11/192,600 US7554052B2 (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Method and apparatus for the application of twin wire arc spray coatings |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007105721A true JP2007105721A (ja) | 2007-04-26 |
JP5197935B2 JP5197935B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=37307244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006206196A Active JP5197935B2 (ja) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | ツインワイヤーアークスプレーコーティングの施用のための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7554052B2 (ja) |
EP (1) | EP1749899B1 (ja) |
JP (1) | JP5197935B2 (ja) |
KR (1) | KR101497985B1 (ja) |
CN (1) | CN1904124B (ja) |
SG (1) | SG129408A1 (ja) |
TW (1) | TWI402374B (ja) |
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2005
- 2005-07-29 US US11/192,600 patent/US7554052B2/en active Active
-
2006
- 2006-07-14 EP EP06253692.5A patent/EP1749899B1/en active Active
- 2006-07-20 SG SG200604845A patent/SG129408A1/en unknown
- 2006-07-27 KR KR1020060070930A patent/KR101497985B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-28 CN CN2006101086166A patent/CN1904124B/zh active Active
- 2006-07-28 TW TW095127610A patent/TWI402374B/zh active
- 2006-07-28 JP JP2006206196A patent/JP5197935B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070026159A1 (en) | 2007-02-01 |
JP5197935B2 (ja) | 2013-05-15 |
EP1749899B1 (en) | 2019-09-04 |
KR101497985B1 (ko) | 2015-03-03 |
EP1749899A1 (en) | 2007-02-07 |
TWI402374B (zh) | 2013-07-21 |
TW200716785A (en) | 2007-05-01 |
CN1904124A (zh) | 2007-01-31 |
US7554052B2 (en) | 2009-06-30 |
SG129408A1 (en) | 2007-02-26 |
KR20070015037A (ko) | 2007-02-01 |
CN1904124B (zh) | 2012-08-15 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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