JP2007103525A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1と、半導体基板1の表面に形成され溝部2で少なくとも2つに分離された誘電体層3と、分離された各誘電体層3上に形成された電極4と、を備えている。この簡易な構成により、入射光の強度、ガス濃度、温度及び湿度のいずれの変動に対しても電極4間で電気的特性の変化を得ることができ、低コストなセンサとして対応することができる。
【選択図】 図1
Description
従来の光センサでは、積層方式においては構造的に比較的単純であるが、電極を透過する光に応答するため効率が悪く、電極の構造的な制約から平面化が難しいという不都合があった。また、櫛形電極方式では、電極形状が複雑であり密着性や寸法精度等の制約があると共に小型化が難しいという不都合がある。また、FET方式、pn接合方式及び複合方式等では、不純物濃度制御、フォトリソグラフィ技術等を用いた高精度な半導体製造技術及び設備等を用いるため、製造工程が難しくコストがかかるという不都合があった。また、製造工程上、加熱温度等の制約が少なからずあるという不都合もある。
また、従来のガスセンサでは、比較的単純な構造でも動作するが、より簡便で低コストなセンサ構造が要望されている。
さらに、従来の光センサ及びガスセンサ等では、その電極構造において、半導体層と電極とをオーミック接合させることで電気的特性を検出しているが、接合状態や接合形状の制御、製造工程上の制約等がある。例えば、不純物の拡散等を考慮する必要があり、バリア層等を設ける対策を施したり、密着性の改善等を考慮する必要があり、バッファ層等を設ける対策が施される。このため、より簡便な素子構造及び製造技術が求められている。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層に溝部を形成して少なくとも2つに分離する工程と、前記分離された各誘電体層上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、光センサとして採用する場合には、裏面からの入射光にも応答感度があり、この場合、電極透過による損失を受けずに高効率な受光感度を得ることができる。さらに、自然酸化膜を透過する形でも応答感度がある。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁性基板上に半導体層を形成して前記半導体基板を作製することを特徴とする。
すなわち、これらの半導体装置及びその製造方法では、半導体基板が、絶縁性基板と半導体層とからなる積層構造とされるので、絶縁性基板として安価なガラス基板等を採用し、半導体層としてアモルファスシリコン等の堆積可能な半導体材料を採用することができ、より低コストに作製することができる。また、積層技術を用いているので、集積化が容易である。
すなわち、本発明に係る半導体装置及びその製造方法によれば、溝部で分離された誘電体層上に電極が形成されるので、入射光の強度、ガス濃度、温度及び湿度のいずれの変動に対しても電極間で電気的特性の変化を得ることができ、簡易な電極構造によって平面化・小型化が容易であると共に低コストに種々のセンサとして機能することができる。したがって、高度なかつ高価な製造装置によらずとも、小規模な設備で容易にかつ低コストで作製することができると共に、個別用途に対応した多品種少量生産に有利であり、中小企業やベンチャー企業等でも容易に本発明の製品開発を導入することが可能である。
上記半導体基板1は、p型又はn型のシリコン(Si)で形成されている。また、上記誘電体層3は、シリコンである半導体基板1上に形成した酸化シリコン膜(SiO2膜)であって絶縁層である。
また、上記電極4は、ワイヤーボンディング可能な白金(Pt)、アルミニウム又は銅等で形成されている。
なお、溝部2が酸化しても動作可能であり、高温耐性も高い白金電極を用いた場合、800℃以上に加熱することができるため、後から不純物をドープして抵抗制御も行うことが可能である。
次に、溝部2で分離された一対の誘電体層3上に、図4の(c)に示すように、メタルマスクによるスパッタリング等でそれぞれ電極4を形成することで、本実施形態の半導体装置が作製される。
半導体装置10の光に対する応答について確認した結果を、図6に示す。
この際、半導体装置10は暗所に設置した状態で、検出開始時から4分後に懐中電灯による光を半導体装置10に30秒間照射し、また検出開始時から6分後に赤外灯による光を半導体装置10に40秒間照射し、また検出開始時から8分後に赤色LED灯による光を30秒間照射し、さらに検出開始時から10分後に白色LED灯による点滅光を5分間照射した。なお、温度、湿度及び雰囲気ガスは一定の条件で検出を行った。
半導体装置10の雰囲気ガスに対する応答について確認した結果を、図7に示す。
この際、検出開始時から5分後にH2(水素)ガスを半導体装置10に吹きつけ、また検出開始時から10分後にC2H2(エチレン)ガスを半導体装置10に吹きつけ、また検出開始時から15分後にトルエンガスを半導体装置10に吹きつけ、また検出開始時から20分後にエタノールガスを半導体装置10に吹きつけ、さらに検出開始時から25分後にホルムアルデヒドガスを半導体装置10に吹きつけた。なお、温度、湿度、入射光量は一定の条件で検出を行った。
これらの結果から、ホルムアルデヒド、C2H2ガス、H2ガスの各ガス導入に応じて抵抗値が上昇して応答していることがわかる。また、真空引きにより低下したガス濃度にも応答していることがわかる。
半導体装置10の温度に対する応答については、半導体装置10に熱くなった半田ゴテの先端を近づけたり、ドライヤーにより熱風を吹き付けたりすることで、電圧値及び抵抗値が大きく変動することを確認している。
また、半導体基板1表面がシリコンであると共に誘電体層3が酸化シリコン膜であるので、安価で安定した材料であるシリコン及び酸化シリコン膜で構成することができ、より低コストで安定性の高いセンサ装置を得ることができる。
すなわち、第3実施形態の半導体装置30では、例えば赤外光や可視光等の特定波長の光に対して透過率の高い光透過膜(SiO2やSi3N4等の多層薄膜、キトサン等の有機膜等)を光機能性膜31として溝部2内にパターン成膜することで、特定波長に対する高感度な光センサを得ることができる。なお、本実施形態の上記透過性制御は、光機能性膜31による光の散乱性に基づいた透過性制御も含むものである。
すなわち、第3実施形態の半導体装置40では、例えば特定のガス種(有機系ガス等)に対して透過性の高いガス機能性膜41を溝部2内にパターン成膜することで、特定ガスに対する高感度なガスセンサを得ることができる。なお、本実施形態の上記透過性制御は、ガス機能性膜41によるガスの吸着性、吸収性及び拡散性に基づいた透過性制御も含むものである。
すなわち、第6実施形態の半導体装置60では、電極4aが電極4bよりも小さく形成されており、溝部2が中央から電極4a側に寄って形成されている。
例えば、上記各実施形態では、センサ機能のみを有する半導体装置としているが、増幅回路等の回路を一体に作り込んだセンサ部と回路部との複合型半導体装置としても構わない。また、抵抗発熱を利用したヒータ機能を備えた複合化も容易である。
また、上記各実施形態では、誘電体層として酸化シリコン膜を採用しているが、他の誘電体層を用いても構わない。例えば、他の酸化物、窒化物等の無機誘電体膜やポリイミド膜等の有機誘電体膜等を採用してもよい。
Claims (9)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成され溝部で少なくとも2つに分離された誘電体層と、
前記分離された各誘電体層上に形成された電極と、を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体基板の表面が、シリコンで形成されており、
前記誘電体層が、酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記半導体基板が、絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成された半導体層と、で構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記溝部内に入射光の透過性制御を行う光機能性膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記溝部内に雰囲気ガスの透過性制御を行うガス機能性膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置において、
互いに対向した前記電極が、前記溝部を挟んで非対称に形成されていることを特徴とすることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記電極上に実装用のバンプが形成されていることを特徴とすることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の表面に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層に溝部を形成して少なくとも2つに分離する工程と、
前記分離された各誘電体層上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
絶縁性基板上に半導体層を形成して前記半導体基板を作製することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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