CN109216534A - 一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器及其制造方法，该传感器，包括：衬底1；电路芯片2，其形成于所述衬底1的一个表面；刻蚀停止层5，其覆盖所述电路芯片2；叠层结构，其形成于所述刻蚀停止层5上，所述叠层结构包括第一热电偶条9、10，电隔离层11和第二热电偶条14a；钝化层18，其形成在所述第二热电偶条14a的表面；红外吸收层图形20，其形成在所述钝化层18的表面；空腔21，其至少形成在所述红外吸收层图形20下方；焊球29，其形成在所述第二电极7上。根据本申请，能够实现一种低成本、小型化、高便捷性的红外温度传感器。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器及其制造方法。
背景技术
温度探测一直以来是传感器行业热门的话题，其中红外探测技术由其非接触式测温更受广大设计、制造和使用者欢迎。热电堆温度传感器作为红外温度传感器的一种，以其制造工艺简单、成本低、使用方便、无1/f噪声等特点被广泛研究。
热电堆温度传感器的主要工作原理为塞贝克Seebeck效应。该效应可以简述为：两种具有不同塞贝克系数α1、α2的材料一端相连一端开路，若两端存在温度差ΔT＝T1-T2，则会在开路端会产生一开路电势ΔV，即赛贝克效应。该结构构成一个热电偶，若将N个热电偶串联起来就形成热电堆，与单个热电偶相比可以产生更大的热电势，即ΔV＝N*(α1-α2)*ΔT。
通常，红外温度传感器制造完成后需要进行真空或低压气体封装，以减少空气对传感器红外吸收层的热对流干扰，提高传感器的灵敏度和稳定性。传统的红外温度传感器封装形式大多为TO金属管壳封装，其封装结构见图1，其封装方法是将红外温度传感器放置并胶粘固定在封装TO管座底部中心，并且，在TO管座的边缘放置并胶粘固定一个测量传感器本征温度的热敏电阻。将传感器的两个引脚和热敏电阻通过金线连接，并与TO管座的引脚实现电连接。在TO管座上面通过储能焊的方法，密封一个带有红外滤波片的TO金属管帽，该红外滤波片负责过滤各种不需要的光学波段。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
本申请的发明人发现，在现有的TO金属管壳封装方法中，每颗热电堆红外温度传感器配备一个TO封装管壳使得在大批量生产过程中成本大大增加，并且封装后得器件体积较大。此外，这种封装的热电堆红外温度传感器仅仅是模拟输出，需配合外部复杂的数字电路芯片进行标定和计算，这很大方面限制了这种传感器的应用领域。
本申请提出一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法，通过微加工技术，且采用晶圆级封装方法，使得红外温度传感器直接和数字电路芯片形成单芯片集成，并且免除了TO管壳封装的额外封装步骤，大大降低了红外温度传感器的制造成本和尺寸，拓展了其应用领域，方便用户直接使用，从而可实现一种低成本、小型化、高便捷性的红外温度传感器。
根据本申请实施例的一个方面，提供一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法，包括：
在形成有电路芯片2的衬底1一个表面形成刻蚀停止层5，其中，所述电路芯片具有第一电极6和第二电极7，所述刻蚀停止层5覆盖所述电路芯片2，且所述第一电极6和所述第二电极7从所述刻蚀停止层5露出；
在所述刻蚀停止层5的表面形成层叠的第一热电偶条9、10，电隔离层11和第二热电偶条14a，其中，所述第一热电偶条9、10最靠近所述刻蚀停止层的表面，所述第二热电偶条14a和所述电路芯片2的所述第一电极6电连接，并且，所述第一热电偶条9、10和所述第二热电偶条14a经由所述电隔离层中的电连接接触孔12，13互相连接，以形成热电偶对30,31，所述热电偶对具有热端16和冷端17；
在所述第二热电偶条14a的表面形成钝化层18；
在所述钝化层18的表面形成红外吸收层图形20；
从所述衬底的与所述一个表面相对的另一个表面腐蚀所述衬底，以至少在所述红外吸收层图形20下方形成空腔21；以及
在所述第二电极7上形成焊球29。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，在所述刻蚀停止层5的表面形成层叠的第一热电偶条9、10，电隔离层11和第二热电偶条14a，包括：
在所述刻蚀停止层5的表面形成第一热电偶薄膜层8；
图形化所述第一热电偶薄膜层8，形成所述第一热电偶条9，10，其中，所述第二电极7从所述第一热电偶条9，10露出；
在所述刻蚀停止层5的表面形成覆盖所述第一热电偶条9，10的所述电隔离层11，所述电隔离层11中形成有所述电连接接触孔12，13，并且，所述第二电极7从所述电隔离层11露出；
在所述电隔离层11表面形成第二热电偶薄膜层14；
图形化所述第二热电偶薄膜层14，形成所述第二热电偶条14a，其中，所述第二电极7从所述第二热电偶条14a露出。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，在所述钝化层18的表面形成红外吸收层图形20，包括：
在所述钝化层18的表面形成红外吸收层19；
图形化所述红外吸收层19，以形成所述红外吸收层图形20，其中，所述红外吸收层图形20覆盖所述热端16所处的区域。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述冷端17位于所述空腔21之外的区域。
根据本申请实施例的另一个方面，其中，在所述第一电极6上形成焊球29，包括：
在所述第二电极7上依次形成种子层23，金属电连接层24，金属过渡层26；
在所述金属过渡层26上形成焊锡柱28；
通过回流焊，将所述焊锡柱28转变成焊球29。
根据本申请实施例的又一个方面，提供一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器，包括：
衬底1；
电路芯片2，其形成于所述衬底1的一个表面，所述电路芯片具有第一电极6和第二电极7；
刻蚀停止层5，其覆盖所述电路芯片2，并且，所述第一电极6和所述第二电极7从所述刻蚀停止层5露出；
叠层结构，其形成于所述刻蚀停止层6上，所述叠层结构包括第一热电偶条9、10，电隔离层11和第二热电偶条14a，其中，所述第一热电偶条9、10最靠近所述刻蚀停止层的表面，所述第二热电偶条14a和所述电路芯片2的所述第一电极6电连接，并且，所述第一热电偶条9、10和所述第二热电偶条14a经由所述电隔离层中的电连接接触孔12，13互相连接以形成热电偶对，所述热电偶对具有热端16和冷端17；
钝化层18，其形成在所述第二热电偶条14a的表面；
红外吸收层图形20，其形成在所述钝化层18的表面；
空腔21，其至少形成在所述红外吸收层图形20下方；以及
焊球29，其形成在所述第二电极7上。
本申请的有益效果在于：通过微加工技术，且采用晶圆级封装方法，使得红外温度传感器直接和数字电路芯片形成单芯片集成，并且免除了TO管壳封装的额外封装步骤，从而可实现一种低成本、小型化、高便捷性的红外温度传感器。
参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是现有技术中对红外温度传感器进行TO金属管壳封装后的器件结构示意图；
图2A是本申请实施例的晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法的一个流程示意图；
图2B是本申请实施例的晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的一个结构示意图；
图3-图30是该晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法的每一步对应的器件结构的纵剖面示意图。
具体实施方式
参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。
在本申请中，为了说明方便，将衬底的设置电路芯片的表面称为“上表面”，将衬底的与该“上表面”相对的面称为“下表面”，由此，“上”方向是指从“下表面”指向“上表面”的方向，“下”方向与“上”方向相反，并且，将“上”方向与“下”方向统称为“纵向”，将与“上表面”平行的方向称为“横向”。需要说明的是，在本申请中，“上”和“下”的设定是相对而言，仅是为了说明方便，并不代表具体使用或制造该红外温度传感器的方位。
实施例1
本申请实施例1提供一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法。图2A是该晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法的一个流程示意图，图2B是该晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的一个结构示意图，图3-图30是该晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法的每一步对应的器件结构的纵剖面示意图。
下面，结合图2A、图2B和图3-图30，对本实施例的单片集成红外温度传感器的制造方法进行说明。
如图2A所示，该方法可以包括步骤S101-步骤S106。
步骤S101：在形成有电路芯片2的衬底1一个表面形成刻蚀停止层5，如图3-图5所示。
在本实施例中，该衬底可以是半导体制造领域中常用的晶圆，例如硅晶圆、绝缘体上的硅Silicon-On-Insulator，SOI晶圆、锗硅晶圆、锗晶圆或氮化镓Gallium Nitride，GaN晶圆等，本实施例对此并不限制。
在本实施例中，如图3所示，电路芯片2可以具有第一电极6和第二电极7。该电路芯片2例如可以是数字电路芯片。在本实施例中，可以通过对衬底1进行光刻、离子注入等集成电路制造工艺在衬底1中制造形成该电路芯片2，也可以是将预先制备完成的电路芯片2通过键合等方式设置在衬底1的上表面。
如图4所示，刻蚀停止层5可以覆盖电路芯片2的表面和衬底1露出的上表面。如图5所示，通过图形化刻蚀停止层5，可以使电路芯片2的第一电极6和第二电极7从刻蚀停止层5露出。
步骤S102：在刻蚀停止层5的表面形成层叠的第一热电偶条9、10，电隔离层11和第二热电偶条14a，如图6-图11所示。
在本实施例中，如图11所示，第一热电偶条9、10最靠近刻蚀停止层的表面，第二热电偶条14a和电路芯片2的第一电极6电连接，并且，第一热电偶条9、10和第二热电偶条14a经由电隔离层中11的电连接接触孔12，13互相连接，以形成热电偶对30,31，该热电偶对30，31具有热端16和冷端17。
在本实施例中，第一热电偶条和第二热电偶条可以是两种具有不同塞贝克系数α1、α2的材料，例如，可以分别是掺杂多晶硅、锑(Sb)及其化合物、铋(Bi)及其化合物、钛(Ti)及其化合物、钽(Ta)及其化合物、铝(Al)和金(Au)等材料中的一种。
在本实施例中，该步骤S102可以包括以下步骤：
S1、在刻蚀停止层5的表面形成第一热电偶薄膜层8，如图6所示；
S2、图形化第一热电偶薄膜层8，形成第一热电偶条9，10，其中，第二电极7从第一热电偶条9，10露出，如图7所示；
S3、在刻蚀停止层5的表面形成覆盖第一热电偶条9，10的电隔离层11，该电隔离层11中形成有电连接接触孔12，13，并且，第二电极7从电隔离层11露出，如图8，图9所示；
S4、在电隔离层11表面形成第二热电偶薄膜层14，如图10所示；
S5、图形化第二热电偶薄膜层14，形成第二热电偶条14a，其中，第二电极7从第二热电偶条14a露出，如图11所示。
步骤S103：在第二热电偶条14a的表面形成钝化层18，如图12所示。
步骤S104：在钝化层18的表面形成红外吸收层图形20，如图13-图15所示。
在本实施例中，步骤S104可以通过下述步骤实现：
S1、在钝化层18的表面形成红外吸收层19，如图14所示；
S2、图形化红外吸收层19，以形成红外吸收层图形20，如图15所示，其中，红外吸收层图形20覆盖热端16所处的区域，由此，红外吸收层图形20所吸收的热量可以传递给热端16，如图15所示。
步骤105、从衬底1的与该一个表面(即，上表面)相对的另一个表面(即，下表面)腐蚀该衬底1，以至少在红外吸收层图形20下方形成空腔21，如图16所示。
在本实施例中，由于存在空腔21，使得红外吸收层图形20所吸收的热量不容易被导走，从而能有效地将该热量传递给热端16。
在本实施例中，冷端17可以位于空腔21之外的区域，由此，冷端16的热量可以及时通过衬底1导走，从而使冷端16与衬底1的温度保持一致。
在本实施例中，步骤104和步骤105的顺序可以互换。
步骤106、在第二电极7上形成焊球29，如图17-图30所示。
在本实施例中，步骤S106可以通过下述步骤实现：
S1、在第二电极7上依次形成种子层23，金属电连接层24，以及金属过渡层26，如图16-图26所示；
S2、在金属过渡层26上形成焊锡柱28，如图28所示；
S3、通过回流焊，将焊锡柱28转变成焊球29，如图30所示。
根据本实施例的步骤S101-步骤S106，能够形成如图2B所示的晶圆级封装的单片集成红外温度传感器200，如图2B所示，该晶圆级封装的单片集成红外温度传感器200包括：
衬底1；
电路芯片2，其形成于所述衬底1的一个表面，所述电路芯片具有第一电极6和第二电极7；
刻蚀停止层5，其覆盖所述电路芯片2，并且，所述第一电极6和所述第二电极7从所述刻蚀停止层5露出；
叠层结构，其形成于所述刻蚀停止层6上，所述叠层结构包括第一热电偶条9、10，电隔离层11和第二热电偶条14a，其中，所述第一热电偶条9、10最靠近所述刻蚀停止层的表面，所述第二热电偶条14a和所述电路芯片2的所述第一电极6电连接，并且，所述第一热电偶条9、10和所述第二热电偶条14a经由所述电隔离层中的电连接接触孔12，13互相连接以形成热电偶对，所述热电偶对具有热端16和冷端17；
钝化层18，其形成在所述第二热电偶条14a的表面；
红外吸收层图形20，其形成在所述钝化层18的表面；
空腔21，其至少形成在所述红外吸收层图形20下方；
焊球29，其形成在所述第二电极7上，该焊球29可以使该单片集成红外温度传感器200被焊接在PCB板上。
在图2B中，电路芯片2可以负责处理由热电堆对与数字电路芯片的电连接柱15传递过来的电信号，其主要处理内容为信号放大、ADC模数转换、DSP数据算法和处理以及I2C/SPI数字化信号通讯等。
单片集成红外温度传感器200的工作方式可以是：由红外吸收层图形20负责吸收探区域内的红外辐射并转换成热量，空腔21负责避免该热量快速损失，该热量被受电隔离层11和钝化层18保护的热电偶对30、31通过塞贝克效应转换成电压信号；最终电压信号由电连接柱15转递给电路芯片2进行信号处理和输出；焊球29保证了再被直接焊接到PCB板上后，温度传感器200探测到的温度信号被便捷地读出。
根据本申请的实施例，能够通过微加工技术，且采用晶圆级封装方法，使得红外温度传感器直接和数字电路芯片形成单芯片集成，并且免除了TO管壳封装的额外封装步骤，从而可实现一种低成本、小型化、高便捷性的红外温度传感器。
下面，结合具体实例和图3-图30，详细说明本实施例的制造方法的一个具体实施方式，在本具体实施方式中，该衬底1可以是硅晶圆，电路芯片2可以是数字电路芯片。
具体步骤如下：
1)在已制备带有输入电极6第一电极和输出电极7第二电极的电路芯片2的硅晶圆1基础上通过PECVD或LPCVD的方法沉积一层SiO2，即SiO2刻蚀停止层5。见图3、图4。
2)通过掩模版光刻SiO2刻蚀停止层5，用RIE或湿法刻蚀该图形，露出电连接接触孔6、7。见图5。
3)通过PECVD或LPCVD的方法沉积一层α-Si或poly-Si，形成第一热电偶薄膜层8。见图6。
4)通过掩模版光刻第一热电偶薄膜层8，用RIE或湿法刻蚀该图形，形成第一热电偶条9、10。见图7。
5)通过PECVD或LPCVD的方法沉积一层SiO2，形成电隔离层11。见图8。
6)通过掩模版光刻电隔离层11，用RIE或湿法刻蚀该图形，形成第一热电偶条9、10的电连接接触孔12、13。见图9。
7)通过溅射或蒸发的方法沉积一层Al或Au，形成第二热电偶薄膜层14，第二热电偶薄膜层14也具有电连接的功能。见图10。
8)通过掩模版光刻第二热电偶薄膜层14，用RIE或湿法刻蚀该图形，形成第二热电偶条，第一热电偶条和第二热电偶条经由孔12、13电连接，同时形成热电偶对与电路芯片2的电连接柱15。见图11。
9)通过PECVD或LPCVD的方法沉积一层SiO2或Si3N4，形成第一钝化层18。见图12。
10)通过掩模版光刻第一钝化层18，用RIE或湿法刻蚀该图形，露出输出电极7。见图13。
11)通过溅射或蒸发的方法沉积一层金黑或者碳黑，形成红外吸收层19。见图14。
12)通过掩模版光刻红外吸收层19，用RIE或湿法刻蚀该图形，形成红外吸收层图形20。见图15。
13)通过掩模版光刻硅晶圆衬底1，用深RIE刻蚀该图形，在刻蚀停止层5停止，形成空腔结构21。见图16。
14)通过喷胶旋涂的方法沉积一层聚酰亚胺薄膜并加热固化，形成第二钝化层22。见图17。
15)通过掩模版光刻第二钝化层22，用RIE或湿法刻蚀该图形，露出输出电极电连接接触孔7和红外吸收层图形20。见图18。
16)通过溅射或蒸发的方法沉积一层Ti或者Ta，形成种子层23。见图19。
17)通过掩模版光刻种子层23，用RIE刻蚀该图形，露出输出电极电连接接触孔7和红外吸收层图形20。见图20。
18)通过溅射或蒸发或电镀的方法沉积一层Cu或者Al或者Au，形成金属电连接层24。见图21。
19)通过掩模版光刻金属电连接层24，用RIE或湿法刻蚀该图形，露出输出电极电连接接触孔7和红外吸收层图形20。见图22。
20)通过喷胶旋涂的方法沉积一层光刻胶，形成牺牲层25。见图23。
21)通过掩模版光刻牺牲层25，用显影形成图形，露出输出电极7。见图24。
22)通过溅射或蒸发或电镀的方法沉积一层Cu或者Al或者Au，形成金属过渡层26。见图25。
23)通过掩模版光刻金属过渡层26，用RIE或湿法刻蚀该图形，露出输出电极7。见图26。
24)通过蒸发或电镀或印刷或针孔沉积的方法沉积锡铅合金或者金锡合金或者锡银合金，形成焊锡层27。见图27。
25)通过掩模版光刻焊锡层27，用湿法刻蚀该图形，形成焊锡柱28。见图28。
26)通过氧等离子或有机去胶方式，除去牺牲层25，形成晶圆级封装结构。见图29。
27)通过回流焊，使得焊锡柱28变成焊球29。见图30。
28)通过切割划片，将晶圆切割成分立的晶圆级封装的单片集成红外温度传感器。
以上结合具体的实施方式对本申请进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本申请保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本申请的精神和原理对本申请做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本申请的范围内。
Claims (8)
1.一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器的制造方法，包括：
在形成有电路芯片(2)的衬底(1)一个表面形成刻蚀停止层(5)，其中，所述电路芯片具有第一电极(6)和第二电极(7)，所述刻蚀停止层(5)覆盖所述电路芯片(2)，且所述第一电极(6)和所述第二电极(7)从所述刻蚀停止层(5)露出；
在所述刻蚀停止层(5)的表面形成层叠的第一热电偶条(9、10)，电隔离层(11)和第二热电偶条(14a)，其中，所述第一热电偶条(9、10)最靠近所述刻蚀停止层的表面，所述第二热电偶条(14a)和所述电路芯片(2)的所述第一电极(6)电连接，并且，所述第一热电偶条(9、10)和所述第二热电偶条(14a)经由所述电隔离层中的电连接接触孔(12，13)互相连接，以形成热电偶对(30,31)，所述热电偶对具有热端(16)和冷端(17)；
在所述第二热电偶条(14a)的表面形成钝化层(18)；
在所述钝化层(18)的表面形成红外吸收层图形(20)；
从所述衬底的与所述一个表面相对的另一个表面腐蚀所述衬底，以至少在所述红外吸收层图形(20)下方形成空腔(21)；以及
在所述第二电极(7)上形成焊球(29)。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中，在所述刻蚀停止层(5)的表面形成层叠的第一热电偶条(9、10)，电隔离层(11)和第二热电偶条(14a)，包括：
在所述刻蚀停止层(5)的表面形成第一热电偶薄膜层(8)；
图形化所述第一热电偶薄膜层(8)，形成所述第一热电偶条(9，10)，其中，所述第二电极(7)从所述第一热电偶条(9，10)露出；
在所述刻蚀停止层(5)的表面形成覆盖所述第一热电偶条(9，10)的所述电隔离层(11)，所述电隔离层(11)中形成有所述电连接接触孔(12，13)，并且，所述第二电极(7)从所述电隔离层(11)露出；
在所述电隔离层(11)表面形成第二热电偶薄膜层(14)；
图形化所述第二热电偶薄膜层(14)，形成所述第二热电偶条(14a)，其中，所述第二电极(7)从所述第二热电偶条(14a)露出。
3.如权利要求1所述的制造方法，其中，在所述钝化层(18)的表面形成红外吸收层图形(20)，包括：
在所述钝化层(18)的表面形成红外吸收层(19)；
图形化所述红外吸收层(19)，以形成所述红外吸收层图形(20)，
其中，所述红外吸收层图形(20)覆盖所述热端(16)所处的区域。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中，
所述冷端(17)位于所述空腔(21)之外的区域。
5.如权利要求1所述的制造方法，其中，在所述第一电极(6)上形成焊球(29)，包括：
在所述第二电极(7)上依次形成种子层(23)，金属电连接层(24)，金属过渡层(26)；
在所述金属过渡层(26)上形成焊锡柱(28)；
通过回流焊，将所述焊锡柱(28)转变成焊球(29)。
6.一种晶圆级封装的单片集成红外温度传感器，包括：
衬底(1)；
电路芯片(2)，其形成于所述衬底(1)的一个表面，所述电路芯片具有第一电极(6)和第二电极(7)；
刻蚀停止层(5)，其覆盖所述电路芯片(2)，并且，所述第一电极(6)和所述第二电极(7)从所述刻蚀停止层(5)露出；
叠层结构，其形成于所述刻蚀停止层(6)上，所述叠层结构包括第一热电偶条(9、10)，电隔离层(11)和第二热电偶条(14a)，其中，所述第一热电偶条(9、10)最靠近所述刻蚀停止层的表面，所述第二热电偶条(14a)和所述电路芯片(2)的所述第一电极(6)电连接，并且，所述第一热电偶条(9、10)和所述第二热电偶条(14a)经由所述电隔离层中的电连接接触孔(12，13)互相连接以形成热电偶对，所述热电偶对具有热端(16)和冷端(17)；
钝化层(18)，其形成在所述第二热电偶条(14a)的表面；
红外吸收层图形(20)，其形成在所述钝化层(18)的表面；
空腔(21)，其至少形成在所述红外吸收层图形(20)下方；以及
焊球(29)，其形成在所述第二电极(7)上。
7.如权利要求6所述的传感器，其中，
所述红外吸收层(19)覆盖所述热端(16)所处的区域。
8.如权利要求6所述的传感器，其中，
所述冷端(17)位于所述空腔(21)之外的区域。
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