JP2007099700A - 日焼け止め化粧料 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の紫外線吸収剤の紫外線吸収能を相乗的に向上させることが可能な日焼け止め化粧料を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体と、アルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体とを含有することを特徴とする日焼け止め化粧料。一般式（Ｉ）
（式中、Ｒ’、Ｒ”＝Ｃ１〜Ｃ６の直鎖のアルキル基である。）
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体と、アルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体とを含有することを特徴とする日焼け止め化粧料。一般式（Ｉ）
（式中、Ｒ’、Ｒ”＝Ｃ１〜Ｃ６の直鎖のアルキル基である。）
【選択図】なし
Description
本発明は日焼け止め化粧料に関するものである。さらに詳しくは、ＵＶ−Ａ領域とＵＶ−Ｂ領域の吸収能を相乗的に増大させた日焼け止め化粧料に関する。
日焼け止め化粧料による重要な紫外線吸収波長領域は、ＵＶ−Ａ領域（３２０〜４００ｎｍ）とＵＶ−Ｂ領域（２９０〜３２０ｎｍ）である。そして、ＵＶ−Ａ領域（３２０〜４００ｎｍ）の紫外線は皮膚を黒く侵すが、ＵＶ−Ｂ領域（２９０〜３２０ｎｍ）の紫外線のようにサンバーンを起こし、皮膚の老化を促進させるものではないと考えられていた。ところが近年になってＵＶ−Ｂ領域の紫外線が比較的、皮膚の表面部分にとどまるのに対してＵＶ−Ａ領域の紫外線が、皮膚の深部にまで達し、皮膚の老化はもとより皮膚癌を誘発する原因となることがわかってきた。
今日までに使用されてきた化粧料用紫外線吸収剤は、構造面から分類すると、（１）安息香酸誘導体、（２）ケイ皮酸誘導体、（３）ベンゾフェノン誘導体、（４）ジベンゾイルメタン誘導体、（５）サリチル酸誘導体等がある。そして近年は、（２）と（４）の紫外線吸収剤が多用されている。
しかしながら、上記にあげた紫外線吸収剤は、実用面から見るとそれぞれに問題がある。例えば、（１）の安息香酸誘導体では、例えばｐ−ジメチルアミノ安息香酸−２−エチルヘキシルは、液状、透明であり、扱いやすい長所はあるが、これらの誘導体を含めて安全性の疑いがあり、近年は使用されていない。また、極大吸収波長が２９０ｎｍ付近にあり、ＵＶ−Ｂ領域のみの紫外線を吸収する。
（２）のケイ皮酸誘導体では、現在市販されているサンケア化粧品に最もよく使用されている紫外線吸収剤として、ｐ−メトキシケイ皮酸−２−エチルヘキシルエステルがある。極大吸収波長は３１０ｎｍ付近にあり、吸収域がＵＶ−Ａ領域には及ばない。また、日光により変質して着色性や紫外線防御効果の持続性に問題がある。
（３）のベンゾフェノン誘導体では、例えば２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノンがＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ領域にわたって吸収があり、比較的皮膚外用剤基剤への溶解性も良いが、極大吸収波長がややＵＶ−Ｂ領域に近いところにあり、吸光度もあまり大きくない。また近年では基本骨格の構造物（ベンゾフェノン）が環境ホルモンとして指摘されていて、その使用が敬遠されている。
（４）のジベンゾイルメタン誘導体では、４−ｔｅｒｔ−ブトキシ−４−メトキシジベンゾイルメタンがよく皮膚外用剤に使用されている。極大吸収が３６０ｎｍ付近にあり、吸光度も大きく、ＵＶ−Ａ領域の紫外線吸収剤として優れている。しかしながら、光安定性に問題があり、皮膚外用剤用の油分に対しての相溶性が悪く、少量しか混合できない。
（５）のサリチル酸誘導体では、サリチル酸オクチルが使われている。ＵＶ−Ｂ領域に極大吸収波長をもち、オイル状であり、パラフィンオイル等の相溶性に優れるが吸光度が低いため、あまり実用化されていない。
このため、ＵＶ−Ｂ領域においては、（２）のｐ−メトキシケイ皮酸−２−エチルヘキシルが、ＵＶ−Ａ領域に関しては（４）の４−ｔｅｒｔ−ブトキシ−４−メトキシジベンゾイルメタンが使用されることが多い。特に近年では、ＵＶ−Ａ領域の紫外線吸収に対する要求が高まっている。
これに対して、一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体を紫外線吸収剤として配合し、各種皮膚外用剤基剤の油分との相溶性に優れ、ＵＶ−Ａ領域において優れた紫外線吸収を有し、かつ紫外線吸収剤自体の光安定性に優れ、長期にわたって紫外線吸収効果を持続可能な皮膚外用剤が開発されている（特許文献１）。
一方、一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体を紫外線吸収剤として配合した皮膚外用剤は、特許文献２や特許文献３にて開示されている。
日焼け止め化粧料においては、上記の如く、ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂに至る幅広い領域にて高い紫外線吸収能を維持することが極めて重要である。そして、これを達成するために、ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ領域に吸収能を有する紫外線吸収剤を組み合わせて配合することが行われる。しかしながら、単に２つの紫外線吸収剤を組み合わせて配合するだけでは、それぞれの吸収能を上回る効果は発揮し得ない。また、日焼け止め化粧料には、少ない紫外線吸収剤の配合量で最大の効果を発揮する組み合わせが求められている。
本発明者らは、上記観点から鋭意研究を重ねた結果、特定構造のベンゾトリアゾール誘導体と特定のアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体とを組み合わせて配合すると、ＵＶ−Ａ、Ｂ領域における紫外線吸収能が相乗的に向上し、上記課題を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体と、下記一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体とを含有することを特徴とする日焼け止め化粧料を提供するものである。
一般式（Ｉ）
（式中、Ｒ’＝Ｃ１〜Ｃ６の直鎖のアルキル基、Ｒ”＝Ｃ１〜Ｃ３の直鎖のアルキル基である。）
一般式（ＩＩ）
（但し、Ｒ1は水酸基、炭素数１〜８のアルキル基、又は炭素数１〜８のアルコキシ基、Ｒ2は炭素数１〜７のアルキル基、Ｒ3は炭素数２〜１０の二価のアルキレン基、又はオキシアルキレン基、Ｒ4は同一、又は異なってもよく、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基又はトリメチルシロキシ基、ｍ、ｎは０〜３の整数、ｐは０又は１を表わす。）
一般式（Ｉ）
一般式（ＩＩ）
また、本発明は、前記ベンゾトリアゾール誘導体が、２−［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−４−イソブトキシフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾールから選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする上記の日焼け止め化粧料を提供するものである。
さらに、本発明は、前記アルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体が、下記式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表される化合物であることを特徴とする上記の日焼け止め化粧料を提供するものである。
式（ＩＩＩ）
式（ＩＶ）
式（ＩＩＩ）
式（ＩＶ）
本発明の日焼け止め化粧料は、従来の紫外線吸収剤の紫外線吸収能を相乗的に向上させることが可能である。その結果、ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂに至る幅広い領域にて高い紫外線吸収能を発揮する日焼け止め化粧料を提供できる。すなわち、本発明の日焼け止め化粧料においては、少ない配合量で最大の吸収効果を発揮できる紫外線吸収剤の組み合わせを利用したものである。なお、本発明の日焼け止め化粧料は、一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体を配合する日焼け止め化粧料の使用感（べたついた使用感）を向上させる効果も有する。
以下、本発明について詳述する。
「一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体」
一般式（Ｉ）のベンゾトリアゾール誘導体は公知の化合物であり、以下のようにして合成する。すなわち、o−ニトロアニリンを亜硝酸ソーダ等でジアゾニウム塩とし、フェノールとカップリングしてモノアゾ化合物を合成した後、還元してベンゾトリアゾールとする方法が一般的である。
（Ａ法）
第１工程
第２工程
第３工程
第４工程
（式中、２，３−ＤＣＮは２，３−ジクロロ−１，４−ナフトキノンを表す。）
第５工程
（式中、Ｒ＝ＨもしくはＣＨ３、Ｒ’＝Ｃ１〜Ｃ６の直鎖のアルキル基、Ｒ”＝Ｃ１〜Ｃ３の直鎖のアルキル基である。）
（Ｂ法）
第１工程
第２工程
第３工程
第４工程
第５工程
（式中、Ｒ’＝Ｃ１〜Ｃ６の直鎖のアルキル基、Ｒ”＝Ｃ１〜Ｃ３の直鎖のアルキル基である。なお、２，３−ＤＣＮは２，３−ジクロロ−１，４−ナフトキノンを表す。）
一般式（Ｉ）のベンゾトリアゾール誘導体は公知の化合物であり、以下のようにして合成する。すなわち、o−ニトロアニリンを亜硝酸ソーダ等でジアゾニウム塩とし、フェノールとカップリングしてモノアゾ化合物を合成した後、還元してベンゾトリアゾールとする方法が一般的である。
（Ａ法）
第１工程
第５工程
（Ｂ法）
第１工程
また、対応するベンゾトリアゾールと、ハロゲン化アルキルとをメチルイソブチルケトンとジメチルホルムアミドとの混合溶媒中にて還流すると、特に高い収率で一般式（Ｉ）の化合物が製造できる。
より具体的に説明すれば、６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）レゾルシノールを、温度計と還流冷却器を備えた四つ口フラスコに入れ、メチルイソブチルケトンとジメチルホルムアミドとを加えて撹拌する。この中に炭酸ソーダと２−エチルヘキシルブロマイドとを加えて撹拌しながら還流温度まで加熱する。還流温度を保持しながら所定時間撹拌した後、メチルイソブチルケトンを常圧で回収して残留したオイルを水洗にて過剰の炭酸ソーダと生成した無機物を除去し、液状の２−［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾールが高い収率で得られる。
より具体的に説明すれば、６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）レゾルシノールを、温度計と還流冷却器を備えた四つ口フラスコに入れ、メチルイソブチルケトンとジメチルホルムアミドとを加えて撹拌する。この中に炭酸ソーダと２−エチルヘキシルブロマイドとを加えて撹拌しながら還流温度まで加熱する。還流温度を保持しながら所定時間撹拌した後、メチルイソブチルケトンを常圧で回収して残留したオイルを水洗にて過剰の炭酸ソーダと生成した無機物を除去し、液状の２−［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾールが高い収率で得られる。
「一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体」
一般式（ＩＩ）のアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体は公知化合物である（特許第３２２９３８３号公報参照）。
Ｒ1の例として水酸基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル基、イソアミル基、n−ヘキシル基、２−エチルブチル基、n−オクチル基、２−エチルヘキシル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−アミロキシ基、イソアミロキシ基、ｎ−ヘキシロキシ基、２−エチルブトキシ基、ｎ−ペンチロキシ基、ｎ−オクチロキシ基、２−エチルヘキシロキシ基等のアルコキシ基が挙げられる。
Ｒ2は炭素数が１〜７のアルキル基であればいずれでもよいが、カルボキシル基との結合炭素原子が二級又は三級のものが好ましい。特に好適なＲ2の例として、イソプロピル基、tert−ブチル基、エチルプロピル基又はエチルペンチル基等が挙げられる。
Ｒ3は炭素数２〜１０のアルキル基であればいずれでもよく、Ｒ3の例としては、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、ヘキシレン、シクロヘキシレン、デシレン基等が挙げられるが、特に、炭素数２〜４のアルキレン基が好ましい。Ｒ4の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、トリメチルシロキシ基等が挙げられるが、原料の入手のしやすさ等の理由からメチル基又はその一部がフェニル基であること又はトリメチルシロキシ基であることが好ましい。
一般式（ＩＩ）のアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体は公知化合物である（特許第３２２９３８３号公報参照）。
Ｒ1の例として水酸基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−アミル基、イソアミル基、n−ヘキシル基、２−エチルブチル基、n−オクチル基、２−エチルヘキシル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−アミロキシ基、イソアミロキシ基、ｎ−ヘキシロキシ基、２−エチルブトキシ基、ｎ−ペンチロキシ基、ｎ−オクチロキシ基、２−エチルヘキシロキシ基等のアルコキシ基が挙げられる。
Ｒ2は炭素数が１〜７のアルキル基であればいずれでもよいが、カルボキシル基との結合炭素原子が二級又は三級のものが好ましい。特に好適なＲ2の例として、イソプロピル基、tert−ブチル基、エチルプロピル基又はエチルペンチル基等が挙げられる。
Ｒ3は炭素数２〜１０のアルキル基であればいずれでもよく、Ｒ3の例としては、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、ヘキシレン、シクロヘキシレン、デシレン基等が挙げられるが、特に、炭素数２〜４のアルキレン基が好ましい。Ｒ4の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、トリメチルシロキシ基等が挙げられるが、原料の入手のしやすさ等の理由からメチル基又はその一部がフェニル基であること又はトリメチルシロキシ基であることが好ましい。
また、ｍは置換基の数を表わし０〜３の整数である。ｎはシロキサンの繰り返し単位数を表し、０〜３の整数である。ｐは０又は１である。
Ｒ4は同一、又は異なってもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、トリメチルシロキシ基等が挙げられるが、メチル基又はその一部がフェニル基であること、あるいはトリメチルシロキシ基であることが好ましい。
Ｒ4は同一、又は異なってもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、トリメチルシロキシ基等が挙げられるが、メチル基又はその一部がフェニル基であること、あるいはトリメチルシロキシ基であることが好ましい。
本発明に用いるアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体は、分子量により室温で液体ないし樹脂状の固体のものがあり、いずれもＵＶ−Ａ吸収剤として利用することができる。本発明のアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体は、下記第一段階のクライゼン縮合反応及び第二段階のヒドロシリル化反応の二段階反応により合成することができる。
第一段階
又は、
第二段階
｛上記丸数字３の化合物｝＋｛分子内に一つのＳｉ−Ｈ基を含有する繰り返し単位数２〜５のシロキサン｝→ 一般式（ＩＩ）
第一段階
｛上記丸数字３の化合物｝＋｛分子内に一つのＳｉ−Ｈ基を含有する繰り返し単位数２〜５のシロキサン｝→ 一般式（ＩＩ）
なお、前記反応式において、Ｒ1、Ｒ2、ｍ、ｎ、ｐは前記化２により定義されたものであり、Ａは炭素数１〜５のアルキル基、Ｂは炭素数２〜１０のアルケニル基又はオキシアルケニル基である。第一段階のクライゼン縮合反応は、Ｒ．Ｈａｕｅｒらの「Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ」８巻、ｐ５９，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １９５４に記載されており、本発明ではこれに準じた。
すなわち、メチルアルキルケトン（丸数字１）又は置換アセトフェノン（丸数字５）と、脂肪酸又は置換安息香酸のアルキルフェニル（丸数字４）又は丸数字２の化合物を塩基の存在下で、例えばアルカリアルコレート、水酸化物又はアミド化合物、水素化ナトリウムの存在下で、トルエン、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、ジメチルスルホキシド又はジメチルホルムアミドのような溶媒中、室温から沸点の間で反応を行ない、アルキル−アリール１，３−プロパンジオン誘導体（丸数字３）を得ることができる。第二段階反応はヒドロシリル化反応である。この反応は通常白金族金属、白金族金属の化合物、或いは該金属の錯化合物により促進されることが知られている（特開昭６０−１０８４３１、特開昭６０−２１０６３２、特開平１−５０７１１等参照）
アルキルアリール１，３−プロパンジオン誘導体（丸数字３）と、一つのＳｉＨ基を含有する繰り返し単位数２〜５のシロキサンとの反応も、通常の触媒、例えば炭素に担持された白金、塩化白金酸、アセチルアセトン白金錯体、不飽和化合物類との白金錯体、不飽和シロキサン類白金錯体、ロジウム化合物及び白金化合物の錯体で反応が促進される。
アルキルアリール１，３−プロパンジオン誘導体（丸数字３）と、一つのＳｉＨ基を含有する繰り返し単位数２〜５のシロキサンとの反応も、通常の触媒、例えば炭素に担持された白金、塩化白金酸、アセチルアセトン白金錯体、不飽和化合物類との白金錯体、不飽和シロキサン類白金錯体、ロジウム化合物及び白金化合物の錯体で反応が促進される。
一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体の配合量は、目的の製品に応じて適宜決定されるが、日焼け止め化粧料全量に対して０．５〜７質量％が好ましく、１〜５質量％がさらに好ましい。
また、一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体の配合量は、目的の製品に応じて適宜決定されるが、日焼け止め化粧料全量に対して０．５〜１０質量％が好ましく、１〜７質量％がさらに好ましい。
また、一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体の配合量は、目的の製品に応じて適宜決定されるが、日焼け止め化粧料全量に対して０．５〜１０質量％が好ましく、１〜７質量％がさらに好ましい。
本発明の日焼け止め化粧料には、上記必須成分以外に、通常化粧品や医薬品等の皮膚外用剤に用いられる成分、例えば、美白剤、保湿剤、酸化防止剤、油性成分、その他の紫外線吸収剤、界面活性剤、増粘剤、アルコール類、粉末成分、色剤、水性成分、水、各種皮膚栄養剤等を必要に応じて適宜配合して常法により製造することができる。例えば配合成分としては次のようなものが挙げられる。
アボカド油、マカデミアナッツ油、トウモロコシ油、オリーブ油、ナタネ油、月見草油、ヒマシ油、ヒマワリ油、茶実油、コメヌカ油、ホホバ油、カカオ脂、ヤシ油、スクワレン、牛脂、モクロウ、ミツロウ、キャンデリラロウ、カルナバロウ、鯨ロウ、ラノリン、流動パラフィン、ポリオキシエチレン（８モル）オレイルアルコールエーテル、モノオレイン酸グリセリル、シクロメチコン、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサンなどの油分。
カプリルアルコール、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアルコール、コレステロール、フィトステロールなどの高級アルコール。
カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸、ラノリン脂肪酸、リノール酸、リノレン酸などの高級脂肪酸。
ポリエチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、キシリトール、マルチトール、ムコ多糖、ヒアルロン酸、コンドロイチン硫酸、キトサンなどの保湿剤。
メチルセルロース、エチルセルロース、アラビアガム、ポリビニルアルコールなどの増粘剤。
エタノール、１，３−ブチレングリコールなどの有機溶剤。
ブチルヒドロキシトルエン、トコフェロール、フィチン酸などの酸化防止剤。
安息香酸、サリチル酸、ソルビン酸、パラオキシ安息香酸エステル（エチルパラベン、ブチルパラベンなど）、ヘキサクロロフェンなどの抗菌防腐剤。
グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、セリン、トレオニン、フェニルアラニン、チロシン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン、タウリン、アルギニン、ヒスチジンなどのアミノ酸と塩酸塩。
アシルサルコシン酸（例えばラウロイルサルコシンナトリウム）、グルタチオン、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸などの有機酸。
ビタミンＡ及びその誘導体、ビタミンＢ６塩酸塩、ビタミンＢ６トリパルミテート、ビタミンＢ６ジオクタノエート、ビタミンＢ２及びその誘導体、ビタミンＢ１２、ビタミンＢ１５及びその誘導体などのビタミンＢ類、アスコルビン酸、アスコルビン酸リン酸エステル（塩）、アスコルビン酸ジパルミテートなどのビタミンＣ類、α−トコフェロール、β−トコフェロール、γ−トコフェロール、ビタミンＥアセテート、ビタミンＥニコチネートなどのビタミンＥ類、ビタミンＤ類、ビタミンＨ、パントテン酸、パンテチンなどのビタミン類。
ニコチン酸アミド、ニコチン酸ベンジル、γ−オリザノール、アラントイン、グリチルリチン酸（塩）、グリチルレチン酸及びその誘導体、ヒノキチオール、ムシジン、ビサボロール、ユーカリプトール、チモール、イノシトール、サポニン類（サイコサポニン、ニンジンサポニン、ヘチマサポニン、ムクロジサポニンなど）、パントテニルエチルエーテル、エチニルエストラジオール、トラネキサム酸、セファランチン、プラセンタエキスなどの各種薬剤。
ギシギシ、クララ、コウホネ、オレンジ、セージ、タイム、ノコギリソウ、ゼニアオイ、センキュウ、センブリ、トウキ、トウヒ、バーチ、スギナ、ヘチマ、マロニエ、ユキノシタ、アルニカ、ユリ、ヨモギ、シャクヤク、アロエ、クチナシ、サワラなどの有機溶剤、アルコール、多価アルコール、水、水性アルコールなどで抽出した天然エキス。
ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、塩化ベンザルコニウム、ラウリルアミンオキサイドなどのカチオン界面活性剤。
エデト酸二ナトリウム、エデト酸三ナトリウム、クエン酸ナトリウム、ポリリン酸ナトリウム、メタリン酸ナトリウム、グルコン酸等の金属封鎖剤。
香料、スクラブ剤、精製水など。
カプリルアルコール、ラウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアルコール、コレステロール、フィトステロールなどの高級アルコール。
カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸、ラノリン脂肪酸、リノール酸、リノレン酸などの高級脂肪酸。
ポリエチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、キシリトール、マルチトール、ムコ多糖、ヒアルロン酸、コンドロイチン硫酸、キトサンなどの保湿剤。
メチルセルロース、エチルセルロース、アラビアガム、ポリビニルアルコールなどの増粘剤。
エタノール、１，３−ブチレングリコールなどの有機溶剤。
ブチルヒドロキシトルエン、トコフェロール、フィチン酸などの酸化防止剤。
安息香酸、サリチル酸、ソルビン酸、パラオキシ安息香酸エステル（エチルパラベン、ブチルパラベンなど）、ヘキサクロロフェンなどの抗菌防腐剤。
グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、セリン、トレオニン、フェニルアラニン、チロシン、アスパラギン酸、アスパラギン、グルタミン、タウリン、アルギニン、ヒスチジンなどのアミノ酸と塩酸塩。
アシルサルコシン酸（例えばラウロイルサルコシンナトリウム）、グルタチオン、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸などの有機酸。
ビタミンＡ及びその誘導体、ビタミンＢ６塩酸塩、ビタミンＢ６トリパルミテート、ビタミンＢ６ジオクタノエート、ビタミンＢ２及びその誘導体、ビタミンＢ１２、ビタミンＢ１５及びその誘導体などのビタミンＢ類、アスコルビン酸、アスコルビン酸リン酸エステル（塩）、アスコルビン酸ジパルミテートなどのビタミンＣ類、α−トコフェロール、β−トコフェロール、γ−トコフェロール、ビタミンＥアセテート、ビタミンＥニコチネートなどのビタミンＥ類、ビタミンＤ類、ビタミンＨ、パントテン酸、パンテチンなどのビタミン類。
ニコチン酸アミド、ニコチン酸ベンジル、γ−オリザノール、アラントイン、グリチルリチン酸（塩）、グリチルレチン酸及びその誘導体、ヒノキチオール、ムシジン、ビサボロール、ユーカリプトール、チモール、イノシトール、サポニン類（サイコサポニン、ニンジンサポニン、ヘチマサポニン、ムクロジサポニンなど）、パントテニルエチルエーテル、エチニルエストラジオール、トラネキサム酸、セファランチン、プラセンタエキスなどの各種薬剤。
ギシギシ、クララ、コウホネ、オレンジ、セージ、タイム、ノコギリソウ、ゼニアオイ、センキュウ、センブリ、トウキ、トウヒ、バーチ、スギナ、ヘチマ、マロニエ、ユキノシタ、アルニカ、ユリ、ヨモギ、シャクヤク、アロエ、クチナシ、サワラなどの有機溶剤、アルコール、多価アルコール、水、水性アルコールなどで抽出した天然エキス。
ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、塩化ベンザルコニウム、ラウリルアミンオキサイドなどのカチオン界面活性剤。
エデト酸二ナトリウム、エデト酸三ナトリウム、クエン酸ナトリウム、ポリリン酸ナトリウム、メタリン酸ナトリウム、グルコン酸等の金属封鎖剤。
香料、スクラブ剤、精製水など。
本発明の日焼け止め化粧料の特に好ましい基剤は、デカメチルシクロペンタシロキサン、イソノナン酸イソノニル、ジメチルポリシロキサン、ヘプタメチルオクチルトリシロキサン、トリメチルシロキシケイ酸、流動パラフィン、スクワラン、イソオクタン酸セチル、イソオクタン酸トリグリセライド、コハク酸ジ２−エチルヘキシルの油分である。本発明は特にデカメチルシクロペンタシロキサンを主成分基剤とする日焼け止め化粧料に好ましく利用される。
本発明の日焼け止め化粧料は、例えば、軟膏、クリーム、乳液、ローション、パック等、その製品形態は問わない。またその剤型も特に問わない。
以下に実施例により本発明を具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されない。
＜一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体の合成例＞
「合成例１：２−［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾールの合成」
常法により合成した６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）レゾルシノール４５．４ｇ（０．２０モル）を温度計、還流冷却器を備えた５００ｍｌ四つ口フラスコに入れ、メチルイソブチルケトン５０ｍｌ、ジメチルホルムアミド４．０ｇを加えて撹拌した。この中に炭酸ソーダ２５．４ｇ（０．２４モル）、および２−エチルヘキシルブロマイド７７．2g（０．４０モル）を加えて撹拌しながら還流温度まで加熱した。還流温度を保持しながら１５時間撹拌した後、メチルイソブチルケトンを常圧で回収して残留したオイルを水洗にて、過剰の炭酸ソーダと生成した無機物を除去した。このオイルから減圧蒸留して２２０〜２２５℃／０．２〜０．３ｍｍＨｇの黄色透明の留分５２．1gを得た。この化合物は、常温域で液状であり、収率は、７６．７％、ＨＰＬＣ純度９９．０％であった。
「合成例１：２−［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾールの合成」
常法により合成した６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）レゾルシノール４５．４ｇ（０．２０モル）を温度計、還流冷却器を備えた５００ｍｌ四つ口フラスコに入れ、メチルイソブチルケトン５０ｍｌ、ジメチルホルムアミド４．０ｇを加えて撹拌した。この中に炭酸ソーダ２５．４ｇ（０．２４モル）、および２−エチルヘキシルブロマイド７７．2g（０．４０モル）を加えて撹拌しながら還流温度まで加熱した。還流温度を保持しながら１５時間撹拌した後、メチルイソブチルケトンを常圧で回収して残留したオイルを水洗にて、過剰の炭酸ソーダと生成した無機物を除去した。このオイルから減圧蒸留して２２０〜２２５℃／０．２〜０．３ｍｍＨｇの黄色透明の留分５２．1gを得た。この化合物は、常温域で液状であり、収率は、７６．７％、ＨＰＬＣ純度９９．０％であった。
「合成例２：２−（２−ヒドロキシ−４−イソブトキシフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾールの合成」
２−エチルヘキシルブロマイドの替わりに臭化イソブチルを同モル量使用して合成例１と同様に行った。微黄灰白色の粉末状結晶を収率７２．５％で得た。ｍ．ｐ．１２０．０から１２０．８℃、λｍａｘ＝３４５．６ｎｍ、ε＝２１７５０であった。
２−エチルヘキシルブロマイドの替わりに臭化イソブチルを同モル量使用して合成例１と同様に行った。微黄灰白色の粉末状結晶を収率７２．５％で得た。ｍ．ｐ．１２０．０から１２０．８℃、λｍａｘ＝３４５．６ｎｍ、ε＝２１７５０であった。
＜一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体
の合成例＞
好ましい具体的化合物として下記化合物１〜９が挙げられるが、そのうち化合物１、化合物２、化合物５、化合物７、化合物８、化合物９の製造例を示す。
「化合物１」
「化合物２」
「化合物３」
「化合物４」
「化合物５」
「化合物６」
「化合物７」
「化合物８」
「化合物９」
なお、前記化合物１〜９中、Ｓｉ2、Ｓｉ3、Ｓｉ5はそれぞれ次の化学式で示される。
「Ｓｉ2」
「Ｓｉ3」
「Ｓｉ5」
の合成例＞
好ましい具体的化合物として下記化合物１〜９が挙げられるが、そのうち化合物１、化合物２、化合物５、化合物７、化合物８、化合物９の製造例を示す。
「化合物１」
「化合物２」
「化合物３」
「化合物４」
「化合物６」
「化合物７」
「化合物８」
「化合物９」
なお、前記化合物１〜９中、Ｓｉ2、Ｓｉ3、Ｓｉ5はそれぞれ次の化学式で示される。
「Ｓｉ2」
「Ｓｉ3」
「Ｓｉ5」
「化合物１の製造例」
１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−tert−ブチル１，３−プロパンジオン２．５ｇ、１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン１．７ｇ、トルエン２０mlの混液にヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物０．５mgを添加し、攪拌下に１００〜１０５℃で６時間反応させた。反応終了後トルエンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２v/v％酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出）で分離精製して無色の油状物２．６ｇを得た。収率は６８．４％であった。λmax：３３５nm（ε＝２４０９０）、マススペクトルＭ+m/e ４３８
１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−tert−ブチル１，３−プロパンジオン２．５ｇ、１，１，１，３，３−ペンタメチルジシロキサン１．７ｇ、トルエン２０mlの混液にヘキサクロロ白金（IV）酸六水和物０．５mgを添加し、攪拌下に１００〜１０５℃で６時間反応させた。反応終了後トルエンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２v/v％酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出）で分離精製して無色の油状物２．６ｇを得た。収率は６８．４％であった。λmax：３３５nm（ε＝２４０９０）、マススペクトルＭ+m/e ４３８
「化合物２の製造例」
１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−tert−ブチル１，３−プロパンジオン１３．０ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン１１．０ｇ、トルエン３０mlの溶液にテトラメチルジビニルジシロキサン白金錯体トルエン溶液（白金含量４w/w％含有）０．０３ｇを添加し、５時間攪拌下に還流した。反応終了後トルエンを減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（２v/v％酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出）で分離精製して１０．２ｇの目的物を得た。収率は４７．１％であった。λmax：３３４nm（ε＝２３５５０）、マススペクトルＭ+m/e ５１２
１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−tert−ブチル１，３−プロパンジオン１３．０ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン１１．０ｇ、トルエン３０mlの溶液にテトラメチルジビニルジシロキサン白金錯体トルエン溶液（白金含量４w/w％含有）０．０３ｇを添加し、５時間攪拌下に還流した。反応終了後トルエンを減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（２v/v％酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出）で分離精製して１０．２ｇの目的物を得た。収率は４７．１％であった。λmax：３３４nm（ε＝２３５５０）、マススペクトルＭ+m/e ５１２
「化合物５の製造例」
１−（３−アリル−４，５−ジメトキシフェニル）−３−（１−エチルペンチル）−１，３−プロパンジオン３．４ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン２．４ｇ、トルエン２０mlの溶液に、テトラメチルビニルジシロキサン白金錯体トルエン溶液（白金含量４w/w％含有）０．０１ｇを添加し、還流下に６時間反応させた。反応終了後トルエンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムに付した。１v/v酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出して目的物４．１ｇが得られた。収率は７３．２％であった。
無色油状λmax：３３４nm（ε＝２３５００）、マススペクトルＭ+m/e ５６８
１−（３−アリル−４，５−ジメトキシフェニル）−３−（１−エチルペンチル）−１，３−プロパンジオン３．４ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン２．４ｇ、トルエン２０mlの溶液に、テトラメチルビニルジシロキサン白金錯体トルエン溶液（白金含量４w/w％含有）０．０１ｇを添加し、還流下に６時間反応させた。反応終了後トルエンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムに付した。１v/v酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出して目的物４．１ｇが得られた。収率は７３．２％であった。
無色油状λmax：３３４nm（ε＝２３５００）、マススペクトルＭ+m/e ５６８
「化合物７の製造例」
１−｛３−メトキシ−４−（２−メチル−２−プロペノキシ）フェニル｝−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオン２５．１ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン２０．２ｇ、トルエン５０mlの溶液に実施例２に記載の白金触媒０．０５ｇを添加し、１００℃〜１１０℃で１８時間反応を行った。反応終了後、トルエンを留去し、残渣を減圧蒸留することにより目的物を分離精製した。収量２８．８ｇ、淡黄色油状、沸点ｂｐ１８２〜１８４℃／２mmHg、λmax：３３４nm（ε＝２７３５０）、マススペクトルＭ+m/e ５２６
１−｛３−メトキシ−４−（２−メチル−２−プロペノキシ）フェニル｝−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオン２５．１ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン２０．２ｇ、トルエン５０mlの溶液に実施例２に記載の白金触媒０．０５ｇを添加し、１００℃〜１１０℃で１８時間反応を行った。反応終了後、トルエンを留去し、残渣を減圧蒸留することにより目的物を分離精製した。収量２８．８ｇ、淡黄色油状、沸点ｂｐ１８２〜１８４℃／２mmHg、λmax：３３４nm（ε＝２７３５０）、マススペクトルＭ+m/e ５２６
「化合物８の製造例」
１−｛３−メトキシ−４−（４−ペンテノキシ）フェニル｝−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオン３８．７ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン２９．７ｇ、実施例２に記載の白金触媒０．０２ｇをトルエン７０mlに溶かし、９５℃〜１００℃で４時間反応を行った。反応終了後、トルエンを留去し、残渣を減圧下に蒸留して目的とする化合物３９．７ｇを得た。淡黄色油状、沸点ｂｐ２１５〜２２５℃（バス温）／２mmHgλmax：３３４nm（ε＝２３２２０）、マススペクトルＭ+m/e ５４０
１−｛３−メトキシ−４−（４−ペンテノキシ）フェニル｝−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオン３８．７ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン２９．７ｇ、実施例２に記載の白金触媒０．０２ｇをトルエン７０mlに溶かし、９５℃〜１００℃で４時間反応を行った。反応終了後、トルエンを留去し、残渣を減圧下に蒸留して目的とする化合物３９．７ｇを得た。淡黄色油状、沸点ｂｐ２１５〜２２５℃（バス温）／２mmHgλmax：３３４nm（ε＝２３２２０）、マススペクトルＭ+m/e ５４０
「化合物９の製造例」
１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオンのクライゼン転移反応により得た１−（３−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−アリルフェニル）−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオン（淡黄色結晶、融点１１５〜１１６℃）１８．４ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン１５．５ｇ、実施例２記載の白金触媒０．０２ｇをトルエン５０mlに溶かし、１００℃〜１１０℃で６時間反応を行った。反応終了後、トルエンを留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（７ｖ／ｖ％酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出）により分離精製して、目的物２１．７ｇを得た。淡黄色固体、融点３８〜３９℃λmax：３４２nm（ε＝２４０００）、マススペクトルＭ+m/e ５１２
１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオンのクライゼン転移反応により得た１−（３−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−アリルフェニル）−３−tert−ブチル−１，３−プロパンジオン（淡黄色結晶、融点１１５〜１１６℃）１８．４ｇ、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン１５．５ｇ、実施例２記載の白金触媒０．０２ｇをトルエン５０mlに溶かし、１００℃〜１１０℃で６時間反応を行った。反応終了後、トルエンを留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（７ｖ／ｖ％酢酸エチル−ヘキサン混液で溶出）により分離精製して、目的物２１．７ｇを得た。淡黄色固体、融点３８〜３９℃λmax：３４２nm（ε＝２４０００）、マススペクトルＭ+m/e ５１２
下記「表１」に示す紫外線吸収剤について、紫外線吸収特性を調べた。その結果を、図１〜図５の紫外線吸収スペクトルに示す。
「測定方法及び条件」
各紫外線吸収剤を表１に示した割合で、トリ２−エチルヘキサン酸グリセリルに７０℃で加熱溶解した。室温まで冷却後、５×５ｃｍのナイロン製の薄膜に溶解したサンプルを５０μＬ塗布し均一に広げた。１５分経過後、分光光度計にて吸光度を測定した。
紫外線吸収剤Ａ：２−［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール
｛一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体｝
Ｒ'：ブチル基（Ｃ４の直鎖のアルキル基）、Ｒ''：エチル基（Ｃ２の直鎖のアルキル基）
紫外線吸収剤Ｂ：２，４−ビス｛［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシ］−フェニル｝−６−（４−メトキシフェニル）−１，３、５−トリアジン
紫外線吸収剤Ｃ：２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリル酸エチルヘキシル
紫外線吸収剤Ｄ：ジエチルアミノヒドロキシベンゾイル安息香酸ヘキシル
紫外線吸収剤Ｅ：２，４，６−トリス［ｐ−（（２’−エチルヘキシル）オキシカルボニル）アニリノ］−１，３，５−トリアジン
紫外線吸収剤Ｆ：１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−ｔｅｒｔ−ブチル１，３−プロパンジオン
｛一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体｝
「測定方法及び条件」
各紫外線吸収剤を表１に示した割合で、トリ２−エチルヘキサン酸グリセリルに７０℃で加熱溶解した。室温まで冷却後、５×５ｃｍのナイロン製の薄膜に溶解したサンプルを５０μＬ塗布し均一に広げた。１５分経過後、分光光度計にて吸光度を測定した。
｛一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体｝
紫外線吸収剤Ｂ：２，４−ビス｛［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシ］−フェニル｝−６−（４−メトキシフェニル）−１，３、５−トリアジン
紫外線吸収剤Ｃ：２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリル酸エチルヘキシル
紫外線吸収剤Ｄ：ジエチルアミノヒドロキシベンゾイル安息香酸ヘキシル
紫外線吸収剤Ｅ：２，４，６−トリス［ｐ−（（２’−エチルヘキシル）オキシカルボニル）アニリノ］−１，３，５−トリアジン
紫外線吸収剤Ｆ：１−（３−メトキシ−４−アリロキシフェニル）−３−ｔｅｒｔ−ブチル１，３−プロパンジオン
｛一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体｝
図１は、一般式（Ｉ）のベンゾトリアゾール誘導体と一般式（ＩＩ）のアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体との組み合わせと、それぞれ単独の吸収特性を比較した紫外光吸収スペクトル（吸光度）である。
図２〜５は、他のジメベンゾイルメタン誘導体の紫外線吸収剤の組み合わせと、それぞれ単独の紫外線吸収特性を比較した吸収スペクトル（吸光度）である。
図１〜５から、ジメベンゾイルメタン誘導体の紫外線吸収剤の組み合わせにおいて、一般式（Ｉ）のベンゾトリアゾール誘導体と、一般式（ＩＩ）のアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体との組み合わせると、２８０〜４００ｎｍのＵＶ−Ａ及びＵＶ−Ｂ領域において、それぞれ単独の吸収と比較して、相乗的に顕著な紫外線吸収特性を有することが分かる。
図２〜５は、他のジメベンゾイルメタン誘導体の紫外線吸収剤の組み合わせと、それぞれ単独の紫外線吸収特性を比較した吸収スペクトル（吸光度）である。
図１〜５から、ジメベンゾイルメタン誘導体の紫外線吸収剤の組み合わせにおいて、一般式（Ｉ）のベンゾトリアゾール誘導体と、一般式（ＩＩ）のアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体との組み合わせると、２８０〜４００ｎｍのＵＶ−Ａ及びＵＶ−Ｂ領域において、それぞれ単独の吸収と比較して、相乗的に顕著な紫外線吸収特性を有することが分かる。
以下に本願発明の日焼け止め化粧料の処方例を挙げる。
「実施例２：日焼け止め化粧料 Ｗ／Ｏ乳液」
質量％
１．ジメチルポリシロキサン １
２．デカメチルシクロペンタシロキサン ２５
３．トリメチルシロキシケイ酸 ５
４．ポリオキシエチレン・メチルポリシロキサン共重合体 １
５．ラウリルＰＥＧ−９ポリジメチルシロキシエチルジメチコン １
６．イソノナン酸イソノニル ５
７．ジプロピレングリコール ５
８．グリチルリチン酸ジカリウム ０．０２
９．グルタチオン １
１０．チオタウリン ０．０５
１１．クララエキス １
１２．パラベン 適量
１３．フェノキシエタノール 適量
１４．パラメトキシ桂皮酸２−エチルヘキシル ７．５
１５．ジメチルジステアリルアンモニウムヘクトライト ０．５
１６．球状ポリアクリル酸アルキル粉体 ５
１７．ブチルエチルプロパンジオール ０．５
１８．合成例２のベンゾトリアゾール誘導体 ３
１９．式（ＩＶ）のアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体
３
２０．疎水化処理酸化亜鉛または疎水処理酸化チタン １５
２１．精製水 残余
製造方法
油相に水相を徐々に添加し添加終了後、攪拌機を用いて乳化粒子が均一になるように調製した。
「実施例２：日焼け止め化粧料 Ｗ／Ｏ乳液」
質量％
１．ジメチルポリシロキサン １
２．デカメチルシクロペンタシロキサン ２５
３．トリメチルシロキシケイ酸 ５
４．ポリオキシエチレン・メチルポリシロキサン共重合体 １
５．ラウリルＰＥＧ−９ポリジメチルシロキシエチルジメチコン １
６．イソノナン酸イソノニル ５
７．ジプロピレングリコール ５
８．グリチルリチン酸ジカリウム ０．０２
９．グルタチオン １
１０．チオタウリン ０．０５
１１．クララエキス １
１２．パラベン 適量
１３．フェノキシエタノール 適量
１４．パラメトキシ桂皮酸２−エチルヘキシル ７．５
１５．ジメチルジステアリルアンモニウムヘクトライト ０．５
１６．球状ポリアクリル酸アルキル粉体 ５
１７．ブチルエチルプロパンジオール ０．５
１８．合成例２のベンゾトリアゾール誘導体 ３
１９．式（ＩＶ）のアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体
３
２０．疎水化処理酸化亜鉛または疎水処理酸化チタン １５
２１．精製水 残余
製造方法
油相に水相を徐々に添加し添加終了後、攪拌機を用いて乳化粒子が均一になるように調製した。
「実施例３：日焼け止め化粧料 Ｏ／Ｗ乳液」
質量％
１．ポリオキシエチレン硬化ひまし油 １
２．ジメチコンコポリオール ０．５
３．デカメチルシクロペンタシロキサン １５
４．イソステアリン酸 ０．５
５．フェニルトリメチコン １
６．疎水化処理酸化チタン ５
７．パラメトキシ桂皮酸２−エチルヘキシル ３
８．合成例１のベンゾトリアゾール誘導体 ２
９．式（ＩＩＩ）のアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体
５
１０．シリカ １
１１．クエン酸 ０．０１
１２．クエン酸ナトリウム ０．０９
１３．パラベン 適量
１４．フェノキシエタノール 適量
１５．アルコール ５
１６．ダイナマイトグリセリン １
１７．サクシノグルカン ０．２
１８．セルロースガム １
１９．イオン交換水 残余
製造方法
９〜１９の水相を調製後、１〜８の油相に徐々に添加し、最後にホモミキサーを用いて攪拌した。
質量％
１．ポリオキシエチレン硬化ひまし油 １
２．ジメチコンコポリオール ０．５
３．デカメチルシクロペンタシロキサン １５
４．イソステアリン酸 ０．５
５．フェニルトリメチコン １
６．疎水化処理酸化チタン ５
７．パラメトキシ桂皮酸２−エチルヘキシル ３
８．合成例１のベンゾトリアゾール誘導体 ２
９．式（ＩＩＩ）のアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体
５
１０．シリカ １
１１．クエン酸 ０．０１
１２．クエン酸ナトリウム ０．０９
１３．パラベン 適量
１４．フェノキシエタノール 適量
１５．アルコール ５
１６．ダイナマイトグリセリン １
１７．サクシノグルカン ０．２
１８．セルロースガム １
１９．イオン交換水 残余
製造方法
９〜１９の水相を調製後、１〜８の油相に徐々に添加し、最後にホモミキサーを用いて攪拌した。
「実施例４：日焼け止め化粧料 Ｏ／Ｗ／Ｏ乳液」
質量％
１．ポリオキシエチレン硬化ひまし油 ０．５
２．イソステアリン酸 ０．２
３．パラメトキシ桂皮酸２−エチルヘキシル ７．５
４．式（ＩＶ）のアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体
３．０
５．合成例２のベンゾトリアゾール誘導体 ５．０
６．デカメチルシクロペンタシロキサン ３５
７．ポリオキシブチレンポリオキシプロピレングリコール ２．０
８．ジメチルジステアリルアンモニウムヘクトライト ０．５
９．疎水化処理酸化チタン １２．０
１０．クエン酸 ０．０４
１１．クエン酸ナトリウム ０．０６
１２．ジプロピレングリコール ２．０
１３．メチルグルコース １．０
１４．ダイナマイトグリセリン １．０
１５．食塩 ０．１
１６．メチルパラベン 適量
１７．フェノキシエタノール 適量
１８．イオン交換水 残余
製造方法
１〜５の油相を１０〜１８の水相に徐々に添加してＯ／Ｗ製剤を得た。この製剤を６〜９の油相中に徐々に添加後、ホモミキサーで攪拌を行い目的のサンプルを得た。
質量％
１．ポリオキシエチレン硬化ひまし油 ０．５
２．イソステアリン酸 ０．２
３．パラメトキシ桂皮酸２−エチルヘキシル ７．５
４．式（ＩＶ）のアルキル−アリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体
３．０
５．合成例２のベンゾトリアゾール誘導体 ５．０
６．デカメチルシクロペンタシロキサン ３５
７．ポリオキシブチレンポリオキシプロピレングリコール ２．０
８．ジメチルジステアリルアンモニウムヘクトライト ０．５
９．疎水化処理酸化チタン １２．０
１０．クエン酸 ０．０４
１１．クエン酸ナトリウム ０．０６
１２．ジプロピレングリコール ２．０
１３．メチルグルコース １．０
１４．ダイナマイトグリセリン １．０
１５．食塩 ０．１
１６．メチルパラベン 適量
１７．フェノキシエタノール 適量
１８．イオン交換水 残余
製造方法
１〜５の油相を１０〜１８の水相に徐々に添加してＯ／Ｗ製剤を得た。この製剤を６〜９の油相中に徐々に添加後、ホモミキサーで攪拌を行い目的のサンプルを得た。
本発明の日焼け止め化粧料は、従来の紫外線吸収剤の紫外線吸収能を相乗的に向上させることが可能である。その結果、ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂに至る幅広い領域にて高い紫外線吸収能を発揮する日焼け止め化粧料を提供できる。
Claims (3)
- 下記一般式（Ｉ）で示されるベンゾトリアゾール誘導体と、下記一般式（ＩＩ）で示されるアルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体とを含有することを特徴とする日焼け止め化粧料。
一般式（Ｉ）
一般式（ＩＩ）
- 前記ベンゾトリアゾール誘導体が、２−［４−（２−エチルヘキシルオキシ）−２−ヒドロキシフェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−４−イソブトキシフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾールから選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする請求項１記載の日焼け止め化粧料。
- 前記アルキルアリール１，３−プロパンジオンシリコーン誘導体が、下記式（ＩＩＩ）または(ＩＶ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の日焼け止め化粧料。
式（ＩＩＩ）
式（ＩＶ）
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005292494A JP2007099700A (ja) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 日焼け止め化粧料 |
| US11/991,350 US20090169494A1 (en) | 2005-10-05 | 2006-09-29 | Sunscreen cosmetic composition |
| KR1020077030070A KR20080056114A (ko) | 2005-10-05 | 2006-09-29 | 자외선 차단 화장료 |
| PCT/JP2006/319447 WO2007040171A1 (ja) | 2005-10-05 | 2006-09-29 | 日焼け止め化粧料 |
| EP06810853A EP1944012A1 (en) | 2005-10-05 | 2006-09-29 | Sunscreen cosmetic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005292494A JP2007099700A (ja) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 日焼け止め化粧料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007099700A true JP2007099700A (ja) | 2007-04-19 |
Family
ID=38026982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005292494A Withdrawn JP2007099700A (ja) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 日焼け止め化粧料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007099700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007131612A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Shiseido Co Ltd | 日焼け止め化粧料 |
-
2005
- 2005-10-05 JP JP2005292494A patent/JP2007099700A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007131612A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Shiseido Co Ltd | 日焼け止め化粧料 |
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