JP2007099590A - 酸化物ガラスおよびこれを用いたディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】ディスプレイパネル等に好適に採用できる酸化物ガラスを提供する。
【解決手段】酸化物ガラスは、含まれる元素のうち、酸素を除く他の元素の比率で表して、Ｂが５５原子％以上８５原子％以下、Ｓｉが０原子％以上１５原子％以下、Ｚｎが０原子％以上１５原子％以下、Ｋが０原子％以上１０原子％以下、Ｎａが０原子％以上１０原子％以下、Ｂｉが１原子％以上１０原子％以下、ＳｉおよびＺｎの合計が５原子％以上３０原子％以下、ＫおよびＮａの合計が１原子％以上１０原子％以下、Ｋ、ＮａおよびＢｉの合計が８原子％以上１５原子％以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、酸化物ガラスおよびこれを用いたディスプレイパネルに関する。

プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、セラミック積層デバイス、混成集積回路等の表示装置や集積回路には、表面に電極または配線を有する基板が用いられている。基板表面の電極等は、絶縁性ガラス材料で被覆して保護することが行われている。ＰＤＰを例に挙げて具体的に説明する。

一般的なＰＤＰは、２枚の対向するガラス基板に、規則的に配列した一対の電極を設け、両電極間にＮｅ、Ｘｅ等の不活性ガスを含む放電ガスを封入した構造になっている。両電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を行なうことができる。例えば、ＡＣ型ＰＤＰの前面板となるガラス基板は、背面側の主面上に透明電極を形成し、その透明電極の上に金属電極を形成した構造を有する。さらに、透明電極と金属電極とによる複合電極を覆うように誘電体層を形成し、その誘電体層の上に保護層を形成する。

通常、金属電極の材料には、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌからなる低抵抗率金属群より選ばれる１種を使用する。金属電極を形成する方法としては、薄膜法および厚膜法がある。薄膜法では、ＣｕまたはＡｌを用い、下地の透明電極との密着性および耐酸化性を改善するために、Ｃｒ／Ｃｕ／ＣｒまたはＣｒ／Ａｌ／Ｃｒのように異種金属材料の積層構造で電極を構成するのが一般的である。

一方、厚膜法では、ＡｇまたはＣｕ、特に耐酸化性に優れたＡｇを含有する厚膜導体ペーストを用いて金属電極を形成する。印刷法によって厚膜導体ペーストを電極形状にパターニングした後、ガラス基板ごと厚膜導体ペーストを焼成することにより、所望の金属電極を形成することができる。このような方法によると、真空装置が不用、かつ最少１回の処理でパターン加工ができるので、低コストになるという特徴があり、広く検討されている。

金属電極を覆う誘電体層は、通常、低軟化温度のガラスで形成する。具体的には、ガラス粉末を含むペーストを印刷法またはダイコート法によって電極上に塗工した後、塗工したガラスペーストをガラス基板ごと焼成することによって誘電体層を形成する。

したがって、ガラス基板上に形成する誘電体層用ガラスには、次のような特性が要求される。
（１）絶縁性であること。
（２）ガラス基板の反り、誘電体層の剥離やクラックを防止するために、熱膨脹係数がガラス基板の熱膨張係数に近いこと（ガラス基板よりもある程度小さいことが望ましい）。
（３）ガラス基板がＰＤＰの前面板の場合、蛍光体から発生した光を効率よく表示光として利用するために、可視光透過率が高い非晶質ガラスであること。
（４）ガラス基板の耐熱性にあわせて軟化温度が低いこと。

上記のような要望を満足するガラスとして、ＰｂＯを主原料とするＰｂＯ−ＳｉＯ₂系ガラスが一般的である。近年は、環境問題への配慮から、Ｐｂを含まないガラスの検討も行われている。こうしたガラスとしては、例えば、ホウ酸亜鉛を主成分とし、Ｐｂの代わりにＢｉを添加することによって低軟化温度を実現したＢｉ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−ＳｉＯ₂系ガラスがある（特許文献１）。

一方、ＰＤＰの低消費電力のために、誘電体層用ガラスの低誘電率化が求められている。上記したＢｉ系ガラスは、Ｐｂ系ガラスと同様に、比誘電率が９〜１３と高い。これに対して、明瞭な差を持つガラスとして、比誘電率が８以下のものが要望されている。

そこで、低誘電率と低軟化温度を両立させるため、Ｐｂの代わりにアルカリ金属を添加することによって、比誘電率を７前後と低くしたホウ酸亜鉛系ガラスが提案されている（特許文献２）。また、比誘電率は低くないが、Ｂｉおよびアルカリ金属を同時に含むガラスも提案されている（特許文献３）。
特開２００１−１３９３４５号公報 特開平９−２７８４８２号公報 特開２００３−１２８４３０号公報

ところで、ＰＤＰの製造工程においては、保護層（ＭｇＯ保護層）のアニール工程や、前面板と背面板を接合する封着工程で、電極を覆う誘電体層に５００℃近い熱が加わる。誘電体層用ガラスの軟化温度が６００℃前後であれば、５００℃程度の温度が加わったとしても何ら問題ないように思えるが、実際にはそうはいかない。なぜなら、上記アニール工程や封着工程における加熱温度が誘電体層用ガラスのガラス転移温度を大幅に越えると、誘電体層の熱膨張係数が急激に増大するからである。

熱膨張係数の急激な増大は、誘電体層に、基板からの剥離やクラックの発生をもたらす。この結果、電極間の絶縁性が低下し、ひいては製品の信頼性が低下するおそれがある。このような問題は、大面積のＰＤＰで特に顕著となるが、ＰＤＰ以外の表示装置や回路基板においても生じる危険性がある。発明者らの検討によると、５００℃程度で再熱処理するためには、誘電体層用ガラスのガラス転移温度が最低でも４６５℃必要であり、より望ましくは、４８０℃以上必要である。

ところが、従来のアルカリホウ酸亜鉛系ガラスは、低軟化温度、適切な熱膨張係数（ガラス転移温度よりも低い温度域で）および低誘電率は満足していたとしても、高いガラス転移温度を同時に実現したものではなかった。また、アルカリ系ガラスにおいて低誘電率を達成するためには、Ｂ₂Ｏ₃の含有量を多くする必要があるが、Ｂを過剰に含有させるとガラス転移温度が低くなってしまう問題がある。

さらに、Ｂの含有量が多いアルカリ系ガラスでは、熱処理を行うと、その成分が昇華しやすいという問題点もある。Ｂ₂Ｏ₃の蒸発と推測される昇華現象は、主にガラス転移温度から軟化温度にかけて顕著に発生する。ＰＤＰでは、蒸発成分が基板の他の箇所に付着して絶縁性を低下させたり、誘電体層上に形成したＭｇＯ保護膜中に侵入して、保護膜の特性を劣化させたりする場合がある。

このように、従来提案されている電極被覆用ガラス（誘電体層用ガラス）は、ガラス転移温度についての検討が不十分であり、ＰＤＰ等の製造に必ずしも好適なものとなっていない。そのため、低軟化温度、低誘電率および適度な熱膨張係数とともに、高いガラス転移温度を有するガラスの開発が期待されている。

上記事情に鑑み、本発明は、軟化温度および誘電率が低く、かつ基板との熱膨張係数のマッチングがよいうえに、ガラス転移温度が十分高い酸化物ガラス、特に、ディスプレイパネル等に好適に採用できる酸化物ガラスを提供することを目的とする。また、本発明は、その酸化物ガラスを用いたディスプレイパネルを提供することを目的とする。

本発明は、含まれる元素のうち、酸素を除く他の元素の比率で表して、
Ｂが５５原子％以上８５原子％以下、
Ｓｉが０原子％以上１５原子％以下、
Ｚｎが０原子％以上１５原子％以下、
Ｋが０原子％以上１０原子％以下、
Ｎａが０原子％以上１０原子％以下、
Ｂｉが１原子％以上１０原子％以下、
ＳｉおよびＺｎの合計が５原子％以上３０原子％以下、
ＫおよびＮａの合計が１原子％以上１０原子％以下、
Ｋ、ＮａおよびＢｉの合計が８原子％以上１５原子％以下、
である酸化物ガラスを提供する。

また、本発明は、上記酸化物ガラスを電極被覆用ガラスとして用いたディスプレイパネルを提供する。

また、本発明は、
基板と、
基板上に形成された、Ａｇを主成分とする電極と、
電極を直接被覆する、実質的にアルカリ金属を含有しない第１誘電体層と、
電極との間に第１誘電体層が位置するように第１誘電体層の上に配置された第２誘電体層と、を備え、
第２誘電体層が、上記酸化物ガラスからなる、ディスプレイパネルを提供する。

また、本発明は、
基板と、
基板上に形成された、Ａｇを主成分とする電極と、
電極を直接被覆する第１誘電体層と、
電極との間に第１誘電体層が位置するように第１誘電体層の上に配置された第２誘電体層と、を備え、
第１誘電体層が、上記酸化物ガラスからなり、
第２誘電体層が、上記酸化物ガラスよりも低誘電率のガラスからなる、ディスプレイパネルを提供する。

本発明者らは詳細な検討の結果、Ｂｉと、ＫまたはＮａと、を併用することによって、（ｉ）それらを単独で含有させる場合に比べ、少量にて軟化温度を低くすることができること、（ｉｉ）Ｂが５５原子％以上と多い組成においてもガラス転移温度を十分高くできるとともに、熱処理時の成分蒸発量を少なくできること、を見出し、上記本発明を完成させた。Ｂｉ量（含有量）を少量に留めつつ、Ｂ量を多くできるので、低誘電率化を図ることも可能である。このように、本発明の組成を持つ酸化物ガラスは、低軟化温度、基板とマッチングする適切な熱膨張係数、低誘電率および高いガラス転移温度をバランスさせることができる。このような酸化物ガラスで電極等を被覆する誘電体層を形成すれば、信頼性の高い製品、例えばディスプレイパネルを作製することが可能となる。

本発明の酸化物ガラスについて詳しく説明する。
本発明の酸化物ガラスは、Ｂ₂Ｏ₃と、Ｋ₂ＯまたはＮａ₂Ｏと、Ｂｉ₂Ｏ₃とを必須成分とし、これにＳｉＯ₂、ＺｎＯ、その他の成分を加えることによって、その特性を調整したものである。なお、本明細書においては、酸化物ガラスに含まれる元素のうち、酸素を除く他の元素の比率（含有率）の合計を１００原子％と考えて、各元素の比率を表示する。

Ｂ₂Ｏ₃は、本発明の酸化物ガラスの主成分である。Ｂの比率が小さすぎると誘電率が高くなり、大きすぎるとガラス転移温度が低くなる。したがって、Ｂの比率は、５５原子％以上８５原子％以下とするのがよい。

ＳｉＯ₂は、ガラスを安定化させる効果を奏する。ただし、Ｓｉの比率が大きすぎると、ガラス転移温度が低くなりすぎる、あるいは軟化温度が高くなりすぎる。したがって、Ｓｉの比率は、０原子％以上１５原子％以下とするのがよい。

ＳｉＯ₂と同様に、ＺｎＯもガラスを安定化させる効果を奏する。ただし、Ｚｎの比率が大きすぎると、誘電率が高くなりすぎる。したがって、Ｚｎの比率は、０原子％以上１５原子％以下とするのがよい。

なお、ガラス転移温度が低くなりすぎることを防ぐために、Ｓｉの比率とＺｎの比率との合計は、５原子％以上３０原子％以下とするのがよい。

Ｋ₂ＯまたはＮａ₂Ｏは、本発明の酸化物ガラスの必須成分であり、軟化温度を下げる効果を奏する。Ｋの比率とＮａの比率との合計が小さすぎると均一な組織のガラスを得にくくなる一方、大きすぎると黄変を生じやすくなる。したがって、Ｋの比率とＮａの比率との合計は、１原子％以上１０原子％以下とするのがよい。

なお、黄変とは次のような現象のことをいう。本発明の酸化物ガラスのようにアルカリ金属を含有するガラスは、成分にアルカリ金属を含むため、ＡｇやＣｕを含む電極等を保護する誘電体材料として用いた場合、焼成条件等によっては、ＡｇやＣｕが酸化されてイオン化し、これらイオンがガラス中を拡散することがある。ＡｇやＣｕのイオンは、再度還元されてコロイド状金属として析出し、誘電体層やガラス基板が黄色く着色して見える、いわゆる黄変を生じさせる。黄変が生じると、特にＰＤＰの前面板用誘電体層として用いた場合には表示性能が劣化する。本発明の酸化物ガラスによれば、アルカリ金属の量が少ないので、電極材料との反応による黄変現象も生じにくい。

Ｂｉ₂Ｏ₃は、本発明の酸化物ガラスの必須成分であり、軟化温度を下げるとともに、ガラスを安定化する効果を奏する。Ｂｉの比率が小さすぎると熱処理時のＢの蒸発量が多くなるとともに、軟化温度を下げるためにアルカリ金属を多量に使用する必要性が生じ、黄変を生じ易くなる。また、Ｂｉの比率が大きすぎると誘電率が高くなりすぎるとともに、ガラスの着色が強くなる。したがって、Ｂｉの比率は、１原子％以上１０原子％以下とするのがよい。

さらに、Ｋの比率と、Ｎａの比率と、Ｂｉの比率の合計を８原子％以上１５原子％以下とするのがよい。Ｋの比率と、Ｎａの比率と、Ｂｉの比率の合計が小さすぎると軟化温度が高くなりすぎるためであり、大きすぎるとガラス転移温度が低くなりすぎるからである。

以上のように、本発明の酸化物ガラスは、Ｂと、ＳｉおよびＺｎの少なくとも一方と、ＫおよびＮａの少なくとも一方と、Ｂｉとを必須元素とする。

以下、本発明の酸化物ガラスに添加することができる任意成分について説明する。添加することができる任意成分としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＭｏおよびＷを例示することができる。

Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａは必須成分ではないが、これらのアルカリ土類金属を加えると、軟化温度を大きく変化させることなくガラス転移温度を高くすることができる。ただし、これらアルカリ土類金属の比率が大きすぎると誘電率、軟化温度、ともに高くなりすぎる。したがって、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａより選ばれる少なくとも１種を、０原子％を超え、５原子％以下の範囲で含有させることが好ましい。また、同一量では、ガラス転移温度を高くする効果はＣａが最も大きく、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇの順で小さくなる。誘電率は、Ｂａが最も高くなり、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇの順で小さくなる。したがって、これらの中では、Ｃａが最も好ましい。

また、ＭｏおよびＷは必須成分ではないが、これらを加えると、本発明の酸化物ガラスをＡｇ等の電極を被覆する誘電体材料として用いた場合に生じることのある黄変を、より低減させることができる。ただし、これらを加えることによる着色が濃くなり過ぎないように、ＭｏおよびＷより選ばれる少なくとも一方を、０原子％を超え、５原子％未満、好ましくは３原子％以下の範囲で含有させるとよい。

Ｍｏ、Ｗを加えることによる黄変低減のメカニズムは、現段階では必ずしも明らかではない。しかし、おそらく、これらの金属は、ガラス中でＭｏＯ₄ ^2-やＷＯ₄ ^2-となり、加熱によって生成してガラス中を拡散するＡｇ⁺やＣｕ²⁺と結合してこれら金属イオンを安定化し、これらＡｇ⁺やＣｕ²⁺が還元されて金属コロイドとして析出することを妨げる、すなわちＡｇイオンやＣｕイオンの安定化剤として作用している、と考えられる。

本発明のガラスは上記成分を含み、典型的には、実質的に上記成分のみからなる（換言すれば上記した成分以外は実質的に含まない）が、本発明の効果が得られる限り、他の成分を含有してもよい。そのような他の成分の比率の合計は、５原子％以下、より好ましくは３原子％、さらに好ましくは１原子％以下である。

他の成分の具体例としては、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＳｂまたはＰが挙げられる。

これらのうち、Ｃｕ、ＣｏまたはＴｉは、ガラスを青く着色する効果を奏するとともに、Ｂｉの存在による着色や、黄変による着色をキャンセルする効果を奏する。ただし、多量に用いると、ガラスの透明性が低下する。

Ｖ、ＳｂまたはＰは、ガラス転移温度を１０〜２０℃程度低下させるが、軟化温度も同程度に低下させる。したがって、基本組成のガラス転移温度および軟化温度が十分高い場合に、これらを低下させるために使用するとよい。ただし、多量に用いると、ガラスが着色したり、誘電率が高くなったりする。

また、上記以外にも、熱膨張係数の調整、ガラスの安定化および化学的耐久性の向上等のために、Ｌｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｅ、ＡｇおよびＳｎから選ばれる少なくとも１種を、少量であれば添加してもよい。

また、本発明の酸化物ガラスは、実質的にＰｂを含まない非鉛系ガラスとすることができる。

本明細書において、“実質的に含まない”とは、酸素を除く他の元素の比率において、除去することが工業的に困難かつ特性に影響を及ぼさないごく微量の当該成分を許容する主旨である。具体的には、当該成分の比率が０．１原子％未満、望ましくは０．０５原子％未満、より望ましくは０．０１原子％未満、であることをいう。

なお、本明細書においては、元素の比率を陽イオンのみの比率で表記しているが、本発明は酸化物ガラスであるので、ガラス中には当然、陰イオンとして酸素が存在する。本発明の酸化物ガラスに含まれる陽イオンを、通常行われるように単位酸化物で表現すると、それぞれ、Ｂ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、Ｋ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＭｏＯ₃、ＷＯ₃となる。ただし、こうした表記は、それぞれの陽イオンのガラス中における価数を限定している訳ではない。例えば、Ｂｉは３価以外の価数でもガラス中に存在しうる。

本発明の酸化物ガラスは、以上に説明した範囲内で組成を調整することにより、適切な熱膨張係数と低軟化温度とを併せ持つものとなる。一般に、ＰＤＰに使用されるガラス基板としては、フロート法で作製され、一般に入手が容易な窓板ガラスであるソーダライムガラスや、ＰＤＰ用に開発された高歪点ガラスがある。それらは通常、６００℃までの耐熱性、７５×１０^-7〜８５×１０^-7／℃の熱膨脹係数を持っている。このため、本発明の酸化物ガラスの熱膨脹係数は、６０×１０^-7〜８５×１０^-7／℃が望ましく、さらに６５×１０^-7〜８５×１０^-7／℃がより望ましい。また、本発明の酸化物ガラスの軟化温度は、ガラスペーストの焼成をガラス基板の歪点である６００℃以下で行う必要があることから、６００℃以下の温度で焼成しても充分軟化するように、少なくとも５９５℃以下、より望ましくは５９０℃以下であることが望ましい。

（本発明の酸化物ガラスを好適に採用できるディスプレイパネルについて）
次に、本発明の酸化物ガラスを用いたディスプレイとして、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を例に挙げて説明する。図１は、ＰＤＰの主要部の断面斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ断面図である。本実施形態に示すＰＤＰ１００は、ＡＣ面放電型である。

ＰＤＰ１００は、互いに貼り合わされた前面板１と背面板８とを備えている。前面板１は、前面ガラス基板２と、その内側面（放電空間１４側の面）に形成された表示電極５と、表示電極５を覆う誘電体層６と、誘電体層６を覆う保護層７とを含む。表示電極５は、透明電極３上に細いバス電極４を積層した構造を持つ。透明電極３は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）または酸化スズを主体として構成されている。バス電極４は、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌから選ばれる１種を主体として構成されている。中でもＡｇは、耐酸化性に優れるので推奨される。表示電極５を覆う誘電体層６に、本発明の酸化物ガラスを用いることができる。

背面板８は、背面ガラス基板９と、その片面に形成したアドレス電極１０と、アドレス電極１０を覆う誘電体層１１と、誘電体層１１の上面に設けられた隔壁１２と、隔壁１２，１２同士の間に形成された蛍光体層１３とを含む。蛍光体層１３は、順番に配列した赤色蛍光体層１３（Ｒ）、緑色蛍光体層１３（Ｇ）および青色蛍光体層１３（Ｂ）を含む。背面板８の誘電体層１１も、本発明の酸化物ガラスで形成することができる。

蛍光体層１３を構成する蛍光体としては、例えば、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ、緑色蛍光体としてＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ、赤色蛍光体としてＹ₂Ｏ₃：Ｅｕを用いることができる。

前面板１と背面板８とは、表示電極５の長手方向とアドレス電極１０の長手方向とが互いに直交する配置で、封着部材（図示せず）を用いて互いに接合されている。

放電空間１４には、Ｈｅ、ＸｅおよびＮｅから選ばれる少なくとも１種の希ガス成分からなる放電ガスが６６．５ｋＰａ〜７９．８ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒ）程度の圧力で封入されている。

表示電極５とアドレス電極１０は、それぞれ外部の駆動回路（図示せず）と接続され、駆動回路から印加される電圧によって放電空間１４で放電を発生させる。放電に伴って発生する短波長（波長１４７ｎｍ）の紫外線で蛍光体層１３に含まれる蛍光体が励起されて可視光の発光が生ずる。

誘電体層６は、次のようにして形成することができる。まず、本発明の酸化物ガラスが得られるように調製した原料粉末に、適量のバインダおよび溶剤を添加することによってガラスペーストとする。このガラスペーストを、前面ガラス基板２上に形成された表示電極５の上から均一の厚さに塗工する。塗工したガラスペーストを前面ガラス基板２および表示電極５とともに焼成（同時焼成）する。このようにして、誘電体層６を形成することができる。なお、焼成は、同時焼成ではなく、表示電極５の焼成後、ガラスペーストを塗布して焼成する、個別焼成でもかまわない。

また、ガラスペーストは、原料粉末、溶剤および樹脂（バインダ）の他に添加剤を含んでいてもよい。例えば、界面活性剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤または顔料染料など、種々の目的に応じた添加剤を使用することができる。

ガラスペーストに含まれる樹脂（バインダ）の種類は、原料粉末との反応性が低いものであれば、特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性などの観点から、例えばニトロセルロース、メチルセルロース、エチルセルロースおよびカルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリエチレンｆグリコール、カーボネート系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂およびメラミン系樹脂から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。

ガラスペーストに含まれる溶剤の種類は、原料粉末との反応性が低いものであれば、特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性などの観点、ならびに、バインダとの相溶性の観点から、例えば、酢酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等の乳酸のエステル類、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸ヘキシル、酢酸２−エチルヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、ブタン酸メチル（酪酸メチル）、ブタン酸エチル（酪酸エチル）、ブタン酸プロピル（酪酸プロピル）、ブタン酸イソプロピル（酪酸イソプロピル）等の脂肪族カルボン酸のエステル類；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；テルピネオール、ベンジルアルコール等のアルコール類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレートアセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、安息香酸エチル、酢酸ベンジル等のエステル類；Ｎ−メチルピロリドン、ＮＮ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の有機溶剤を使用することができる。

ガラスペーストを塗工する方法としては、スクリーン法、バーコーター法、ロールコーター法、ダイコーター法およびドクターブレード法を例示できる。塗工したガラスペーストは、得るべきガラス（誘電体層６）の軟化温度よりも高く、かつ前面ガラス基板２の歪み点よりも低い雰囲気温度に調節した焼成炉内で焼成する。本発明の酸化物ガラスで形成するべき誘電体層６の軟化温度と、前面ガラス基板２の歪み点とが非常に近接している場合、焼成が困難となる。したがって、前面ガラス基板２の歪み点と誘電体層６の軟化温度の差が、例えば５℃以上（より好ましくは１０℃以上）であることが望ましい。なお、上記ガラスペーストを用いて自立性を有するグリーンシートを作製し、そのグリーンシートを前面ガラス基板２に貼り付けて焼成するようにしてもよい。

また、誘電体層６の厚さは、絶縁性と光透過性を両立させるために、１０μｍ〜５０μｍ程度とすることが好ましい。

次に、前面ガラス基板に設けた誘電体層が２層構造であるＰＤＰについて説明する。図３に示すＰＤＰ１０１は、前面ガラス基板２上の誘電体層１５，１６の部分が第１誘電体層１５と第２誘電体層１６との２層構造になっている。その他の点は、図１および図２に示したＰＤＰと同様の構成である。

図３に示すように、第１誘電体層１５は表示電極５（透明電極３およびバス電極４）を直接被覆している。第２誘電体層１６は、前面ガラス基板２および／または表示電極５との間に第１誘電体層１５が位置するように前記第１誘電体層１５の上に配置されている。したがって、前面ガラス基板２、第１誘電体層１５および第２誘電体層１６が厚さ方向にこの順番で並ぶ。

２層構造の誘電体層とする場合、表示電極５に直接接する第１誘電体層１５を、アルカリ金属を実質的に含まないガラスで形成し、第２誘電体層１６を、本発明の酸化物ガラスで形成することができる。表示電極５に直接接触している第１誘電体層１５はアルカリ金属を含まないので、ＡｇまたはＣｕのコロイド析出による黄変および耐圧低下の問題が生じない。さらに、第１誘電体層１５は、ＡｇまたはＣｕのイオンが第２誘電体層１６に拡散することを阻止する。したがって、アルカリ金属を少量含む本発明の酸化物ガラスで第２誘電体層１６を形成した場合でも、黄変や耐圧低下といった問題が第２誘電体層１６に生じない。

また、従来のＰｂ系ガラスやＢｉ系ガラスは比誘電率９〜１３と大きいが、本発明の酸化物ガラスによれば、比誘電率を７前後に容易に調整することができる。比誘電率を７前後と小さくした本発明の酸化物ガラスにて第２誘電体層１６を形成すれば、第１誘電体層１５に多少比誘電率が大きいガラスを使用したとしても、全体として低誘電率の誘電体層を形成でき、消費電力を低減できる。

逆に、第１誘電体層１５を本発明の酸化物ガラスで形成することも可能である。本発明の酸化物ガラスによれば、アルカリ金属の含有量が少量であるため、黄変の問題が顕著とならないからである。そしてこの場合、第２誘電体層１６を、第１誘電体層１５（本発明の酸化物ガラス）よりも低誘電率のガラスにて形成することができる。このようにした場合、表示電極５を被覆する誘電体層全体として一層の低誘電率化を図ることができ、ひいてはより一層の低消費電力化を図ることが可能となる。なお、第２誘電体層１６に用いる低誘電率のガラスとしては、Ｂｉを実質的に含まず、アルカリ金属をより多く含むガラス、例えば、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｋ−Ｏ系ガラスを例示することができる。

図３に示す２層構造の誘電体層１５，１６は、第１誘電体層１５を形成した後に、第２誘電体層１６用のガラスペーストを塗工および焼成することによって形成することができる。このような手順を採用するためには、第１誘電体層１５の軟化温度が、第２誘電体層１６の軟化温度よりも高いことが必要である。

また、表示電極５（透明電極３およびバス電極４）と第２誘電体層１６との絶縁、および界面反応防止を確保するため、第１誘電体層１５の厚さは１μｍ以上とすることが好ましい。さらに、高い絶縁性と高い可視光透過率を両立させるために、第１誘電体層１５の厚さと第２誘電体層１６の厚さとの合計が１０μｍ〜５０μｍであることが好ましい。

なお、本発明の酸化物ガラスを好適に採用できるＰＤＰとしては、図１〜図３に示すような面放電型のものが代表的であるが、これに限定されるものではなく、対向放電型にも適用できる。また、ＡＣ型に限定されるものではなく、ＤＣ型のＰＤＰであっても誘電体層を備えたものに対して本発明の酸化物ガラスを適用することができる。

［実施例１］
本発明の酸化物ガラスの出発原料として、試薬特級以上の金属酸化物粉末または炭酸塩粉末を準備した。これらの原料粉末を、各元素の原子比が表１に示す通りとなるように秤量および混合した。その後、混合した原料粉末を白金坩堝に入れ、１１００℃〜１２００℃の電気炉中で１時間溶融した。得られた融液を、真鍮板にてプレスすることにより急冷し、ガラスカレットを作製した。このガラスカレットを粉砕し、マクロ型示差熱分析計を用いて、軟化温度Ｔｓを測定した。また、熱重量分析により、３００℃〜６００℃間の重量減少ΔＷを測定した。

次に、作製したガラスカレットを再溶融して４ｍｍ×４ｍｍ×２０ｍｍのロッドを作製し、熱機械分析計を用いて、ガラス転移温度Ｔｇと、３０〜３００℃における熱膨張係数αを測定した。さらに、ガラスカレットを再溶融して２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ１ｍｍのガラス板を作製し、そのガラス板の表裏にＡｕを蒸着して電極を形成した。そして、電極にＬＣＲメータを接続し、周波数１ｋＨｚ、２５℃にて比誘電率εを測定した。結果を表１に示す。なお、表中において、ガラス転移温度Ｔｇと軟化温度Ｔｓの単位は℃、熱膨張係数αの単位は×１０^-7／℃、加熱重量減少ΔＷの単位は質量％である。

表１に示すように、Ｋ量とＢｉ量を５原子％に固定し、Ｂ量を増加、Ｚｎ＋Ｓｉ量を減少させていった試料Ｎｏ．１〜８，１０では、Ｂ量の増加に伴い比誘電率εが低下した。ただし、同時にガラス転移温度Ｔｇも低下し、Ｂ＝９０原子％となるＮｏ．１０では４６５℃未満となった。一方、Ｚｎ量が多くＢ量が比較的少ないＮｏ．１〜４は、比誘電率εが８を超える程大きかった。Ｎｏ．１〜４，６，７では、Ｚｎ量のみ減少させ、Ｓｉ量一定としている。Ｓｉ量とＺｎ量を入れ替えたＮｏ．４とＮｏ．５とを比較すれば明らかなように、Ｓｉ量が多いと比誘電率εが低くなるが、軟化温度Ｔｓが高くなった。Ｚｎ量が１５原子％以下となるＮｏ．６，７，８では、比誘電率εは８以下、軟化温度Ｔｓも５８０℃以下で、かつガラス転移温度Ｔｇも４６５℃を越え、熱膨張係数αも適切であった。しかし、Ｓｉ＋Ｚｎ量がゼロのＮｏ．９では、ガラス転移温度Ｔｇが４６５℃未満となった。Ｂ量が５５原子％で、Ｓｉ、Ｚｎともに１５原子％のＮｏ．１１，１２は、良好な特性が得られた。

以上を総合的に判断すると、Ｂ量としては、５５原子％以上８５原子％以下である必要性があり、より望ましくは６０原子％以上８５原子％以下、さらには７０原子％以上８５原子％以下が望ましい。

また、Ｂ量を７０原子％、Ｋ量とＢｉ量を５原子％に固定し、Ｚｎ量とＳｉ量を変化させたＮｏ．６とＮｏ．１３〜１６において、Ｓｉ量が２０原子％のＮｏ．１３は軟化温度Ｔｓが６００℃と高かった。また、Ｚｎ量が２０原子％のＮｏ．１６では、比誘電率が８を越えた。同様に、Ｓｉ＋Ｚｎ量が３０原子％を超えるＮｏ．１〜３は、比誘電率が８を超えた。

また、Ｂ量を７５原子％に固定し、Ｋ量とＢｉ量を同量としながら増加させ、その分Ｚｎ量とＳｉ量を減少させたＮｏ．１７〜２１において、Ｋ＋Ｂｉ量がゼロとなるＮｏ．１７は均一なガラスが得られず、Ｋ＋Ｂｉ量の少ないＮｏ．１８は、軟化温度Ｔｓが６０１℃と高かった。また、Ｋ＋Ｂｉ量の多いＮｏ．２１はガラス転移温度Ｔｇが４５９℃と低かった。これに対し、Ｋ＋Ｂｉ量が８〜１５原子％となる、Ｎｏ．１９，２０では、良好な特性が得られた。

また、Ｓｉ量とＺｎ量を５原子％に固定し、Ｂｉ量をゼロとし、Ｋ量を変化させたＮｏ．２２〜２４では、ガラス転移温度Ｔｇがいずれも低く、しかも加熱時の重量減少ΔＷが大きかった。

また、Ｓｉ量とＺｎ量を５原子％に固定し、Ｋ量をゼロとし、Ｂｉ量を変化させたＮｏ．２７〜２９では、均一なガラスが得られなかった。

また、Ｂ量、Ｓｉ量およびＺｎ量を固定し、ＫとＢｉの比率を変化させた、Ｎｏ．７，２４〜２７を比較すると、ＫとＢｉを共存させたＮｏ．７，２５，２６において、均一なガラスが得られるとともに、加熱による重量減少ΔＷも小さくなり、他の特性も良好なものが得られた。

次に、Ｎｏ．７のＫをＮａに全量置き換えたＮｏ．３０、および半量置き換えたＮｏ．３１では、Ｎｏ．７に比べてやや熱膨張係数αが低下し、比誘電率εが増加し、軟化温度が低下したが、その変化は大きなものではなく、Ｋの代用として使用可能であった。しかしながら、ＫとＮａのいずれか一方を選択するとした場合、ＮａはＫに比べて熱膨張係数αが小さくなりやすく、黄変を生じやすい傾向があるため、Ｋの使用が望ましい。

以上の全試料を勘案すると、軟化温度Ｔｓおよび誘電率εが十分に低く、かつ熱膨張係数αが最も適当なのは、Ｂ量が７５〜８５原子％付近であった。アルカリ量が少ない方が黄変に対して有利であることを考慮すると、試料Ｎｏ．７，８が最も良いと考えられるが、これらの試料のガラス転移温度は、４６５℃は越えているものの、４８０℃には達していなかった。

なお、表１に示す以外にも、種々の組成の組み合わせを検討したが、いずれの場合にも、Ｂ＝５５〜８５原子％、Ｓｉ＝０〜１５原子％、Ｚｎ＝０〜１５原子％、Ｓｉ＋Ｚｎ＝５〜３０原子％、Ｋ＋Ｎａ＝１〜１０原子％、Ｂｉ＝１〜１０原子％、Ｋ＋Ｎａ＋Ｂｉ＝８〜１５原子％の範囲で組成を調整することによって、８．０以下の比誘電率ε、４６５℃以上のガラス転移温度Ｔｇ、５９５℃以下の軟化温度Ｔｓ、６０〜９０×１０^-7／℃の熱膨張係数α、０．１質量％以下の重量減少ΔＷを併せ持つ、良好な特性のガラスが得られた。

［実施例２］
実施例１と同様の方法で、各元素の原子比が、表２に示す通りとなるガラスカレットおよびガラスロッドを作製し、実施例１と同様の方法で、ガラス転移温度Ｔｇ、軟化点Ｔｓ、熱膨張係数α、比誘電率εを測定した。結果を表２に示す。

表２より明らかなように、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａを加えることによって、軟化温度Ｔｓをあまり上昇させることなく、ガラス転移温度Ｔｇを上昇させることができ、４８０℃以上とすることができた。しかしながら、それらの添加に伴い、比誘電率εと軟化温度Ｔｓも上昇するので、添加量は５原子％以下に抑えるとよいことが分かる。また、添加したアルカリ土類金属の種類で比較すると、ガラス転移温度Ｔｇを４８０℃以上とするのに必要な添加量はＣａが最も少なく済むことが分かる。また、Ｃａを添加する場合には比誘電率εの増加も小さい。したがって、アルカリ土類金属を添加する場合にはＣａの使用が望ましい。

なお、表２に示す以外のＢ：Ｓｉ：Ｚｎ：Ｂｉ：Ｋ比においても、同様のアルカリ土類金属の添加効果を検討したが、いずれも同様の効果が得られた。また、複数種類のアルカリ土類金属の同時添加を検討したところ、平均的な効果が示された。アルカリ土類金属を複数種類添加する場合でも、合計量を０．５原子％以上５原子％以下とすると良好な結果が得られた。

［実施例３］
実施例１と同様の方法で、各元素の原子比が、Ｓｉ：Ｚｎ：Ｂｉ：Ｋ：Ｃａ＝２：５：５．５：５．５：２となり、さらにＢ、Ｍｏ、Ｗが表３に示す比率となるガラスカレットおよびガラスロッドを作製し、実施例１と同様の方法で、ガラス転移温度Ｔｇ、軟化温度Ｔｓ、熱膨張係数α、比誘電率εを測定した。また、比較のため、Ｂ：Ｓｉ：Ｚｎ：Ｋ：Ｃａ＝８０：２：５：１１：２となるガラスカレットおよびガラスロッドを作製し、同様の測定を行った。測定後、ガラスカレットを乾式ボールミルによって粉砕し、ガラス粉末とした。なお、表３では成分の合計が１００％とならないが、これは、残部が上記原子比で添加されたＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、ＫおよびＣａで占められるためである。

次に、上記ガラス粉末に、樹脂であるエチルセルロースと溶剤であるα−テルピネオールとを、３本ロールで混合および分散させてガラスペーストを得た。

次に、厚さ２．８ｍｍの平坦なソーダライムガラス（耐熱温度：６００℃、熱膨張係数：８２．７×１０^-7／℃（３０℃〜３００℃））からなるガラス基板の主面上に、ＩＴＯの材料をＰＤＰの前面ガラス基板の所定パターンで塗工して乾燥炉内で乾燥させた。これにより、ＩＴＯ膜付きガラス基板を得た。このＩＴＯ膜付きガラス基板に対し、Ａｇ粉末と有機ビヒクルとの混合物であるＡｇペーストを、ＩＴＯ膜に重なるようにスクリーン印刷法でライン状に塗工した。そして、ガラス基板全体を加熱して、Ａｇペーストを焼成し、電極付きガラス基板とした。

この電極付きガラス基板に対し、予め調製しておいたガラスペーストをブレードコーター法にて塗工した。その後、電極付きガラス基板を雰囲気温度９０℃の焼成炉内に３０分間保持してガラスペーストを乾燥させ、軟化温度＋１０℃の雰囲気温度で１０分間焼成することにより誘電体層を形成した。そして、作製した電極付きガラス基板の裏面側（電極のない側）において、色彩色差計を用いて反射色を測定した。なお、測定には自然光を用い、基準となる白色板により補正した。結果を表３に示す。

表３中に示すａ^*およびｂ^*は、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系に基づく。ａ^*値は、プラス方向に大きくなると赤色が強まり、マイナス方向に大きくなると緑色が強まることを示す。ｂ^*値は、プラス方向に大きくなると黄色が強まり、マイナス方向に大きくなると青色が強まることを示す。一般に、ａ^*値が−５〜＋５の範囲であり、かつｂ^*値が−５〜＋５の範囲であれば、問題となるほどのパネルの着色は観測されない。また、ｂ^*値が＋５を越えていても、この色をキャンセルするために、添加により青色を呈するＣｕ、Ｃｏ、Ｔｉ等をガラスに加えたり、あるいはカラーフィルターを用いたりすることにより、正常な色目に戻すことが可能である。しかしながら、ｂ^*値が１０を越えると、より色の濃い着色剤やフィルターを用いる必要が生じ、その結果、トータルとしてのガラスの透過率を低下させることになり、好ましくない。したがって、ｂ^*は＋５以下であれば問題ないが、＋５を越えていたとしても、少しでも低いことが望ましい。

上記知見に基づき、表３に示す結果を検討する。
まず、ＭｏとＷとのいずれも添加していないＮｏ．２０１と、他の成分は同量であるがＫを多量に含みＢｉを含まない比較例とを比べると、比較例の方が誘電率が若干低いという特徴はあるものの、ｂ^*の値は明らかにＮｏ．２０１が小さかった。つまり、Ｎｏ．２０１の組成では、Ｂｉを含まずアルカリ金属のみを含む従来材料に比較して、実施例１で述べたように、ガラス転移温度が高く、加熱時の重量減少が少ないとともに、黄変が生じにくい（あるいはその程度が低い）という特徴があった。

次に、ＭｏまたはＷを添加したＮｏ．２０２〜２１８では、添加量が増加していくにつれてｂ^*値が低下し、０．１原子％以上で５．０以下となって、黄変が抑制された。しかしながら、さらに添加量を増加させると、ｂ^*値も再度上昇しはじめ、添加量５原子％に達すると無添加の場合を越えた。これは、Ａｇコロイドの析出による黄変現象自体は生じにくくなるが、ＭｏやＷ自体がガラスを着色してしまうためと考えられる。したがって、Ｍｏおよび／またはＷの添加量としては、０．１原子％以上５原子％未満、好ましくは０．１原子％以上３原子％以下とすることが望ましい。

なお、本発明の組成範囲内において、母ガラスの主組成比の異なるものや、これにＭｏＯ₃やＷＯ₃を添加したものについて、同様の評価を行ったが、いずれの母組成でもｂ^*値は比較的小さく、さらにＭｏＯ₃やＷＯ₃の添加によりｂ^*値を容易に５以下とすることができた。

［実施例４］
実施例１と同様の方法で、Ｂ：Ｓｉ：Ｚｎ：Ｂｉ：Ｋ：Ｃａ：Ｍｏ＝７８．８：３：５：５：６：２：０．２の原子比となるように各種原料粉末を混合して白金坩堝に入れ、電気炉中１１００℃で２時間溶融した後、ツインローラー法によってガラスカレットを作製した。このガラスカレットを乾式ボールミルによって粉砕してガラス粉末を作製した。得られたガラス粉末の平均粒径は５μｍ程度であった。本ガラスの比誘電率は６．８、ガラス転移温度は４８０℃、軟化温度は５７８℃、熱膨張係数は７５×１０^-7／℃であった。

次に、上記ガラス粉末に、バインダとしてのエチルセルロースと、溶剤としてのα−テルピネオールとを加え、３本ロールで混合してガラスペーストを得た。

次に、厚さ２．８ｍｍの平坦なソーダライムガラス（耐熱温度：６００℃、熱膨張係数：８２．７×１０^-7／℃（３０℃〜３００℃））からなる前面ガラス基板の主面上に、ＩＴＯの材料を図２に示すような所定パターンで塗工して乾燥炉内で乾燥させた。これにより、ＩＴＯ膜付きガラス基板を得た。このＩＴＯ膜付きガラス基板に対し、Ａｇ粉末と有機ビヒクルとの混合物であるＡｇペーストを、ＩＴＯ膜に重なるようにスクリーン印刷法でライン状に塗工した。そして、ガラス基板全体を加熱して、Ａｇペーストを焼成し、電極付き前面ガラス基板とした。

次に、表示電極を形成した前面ガラス基板に対し、予め調製しておいたガラスペーストをブレードコーター法にて塗工した。その後、前面ガラス基板を雰囲気温度９０℃の焼成炉内に３０分間保持してガラスペーストを乾燥させ、さらに雰囲気温度を５８３℃に昇温して１０分間焼成することにより厚さ２０μｍの誘電体層を形成した。

さらに、上記誘電体層上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を電子ビーム蒸着法によって蒸着したのち、５００℃で焼成することによってＭｇＯ保護層を形成した。このようにして、図２に示すＰＤＰ１００の前面板１を得た。

他方、以下の公知方法により背面板を作製した。まず、ソーダライムガラスからなる背面ガラス基板上にスクリーン印刷法によってＡｇを主体とするアドレス電極をストライプ状に形成した。続いて、前面板と同様の方法で、アドレス電極を覆う誘電体層を形成した。次に、隣り合うアドレス電極間に位置するように、誘電体層上に隔壁を形成した。隔壁は、スクリーン印刷法によってＢｉ系ガラスペーストを所定パターンに印刷する工程と、印刷したパターンを焼成する工程とを繰り返すことによって形成した。次に、隣り合う隔壁間に露出している誘電体層の表面に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体ペーストを塗工し、乾燥および焼成して蛍光体層を形成した。このようにして、図２に示すＰＤＰ１００の背面板８を得た。

上記のようにして作製した前面板１と背面板８とを、Ｂｉ−Ｚｎ−Ｂ−Ｓｉ−Ｏ系封着ガラスを用いて５００℃で貼り合わせた。そして、放電空間の内部を高真空（約１×１０^-4Ｐａ）に排気したのち、所定の圧力（６６．５ｋＰａ〜７９．８ｋＰａ）となるようにＮｅ−Ｘｅ系放電ガスを封入した。このようにして、ＰＤＰ１００を作製した。

作製したＰＤＰにコントローラを接続して動作確認を行った。作製したＰＤＰは、誘電体層に欠陥を生ずるようなこともなく、問題なく動作することを確認した。

［実施例５］
実施例４と同じ方法および同一組成で、ＰＤＰの前面ガラス基板の第１誘電体層用に、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｂｉ−Ｋ−Ｃａ−Ｍｏ−Ｏ系ガラスペーストを準備した。その一方で、実施例４と同様の方法で、第２誘電体層用に、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｋ−Ｃａ−Ｏ系ガラスペーストを準備した。第２誘電体層用ガラスペーストに含まれるガラスの誘電率は６．２、ガラス転移温度は４８０℃、軟化温度は５７５℃、熱膨張係数は７８×１０^-7／℃であった。

これらのガラスペーストを用いて、実施例３と同様の方法で、前面ガラス基板の誘電体層が、表示電極を直接覆う第１誘電体層と、この第１誘電体層の上に形成される第２誘電体層との、二層構造となるＰＤＰパネルを作製した。なお、第１誘電体層は、５８３℃で焼成して厚さ約２０μｍ、第２誘電体層は、５７８℃で焼成して厚さ約２０μｍとした。

作製したＰＤＰにコントローラを接続して動作確認を行った。作製したＰＤＰは、誘電体層に欠陥を生ずるようなこともなく、問題なく動作することを確認した。

［実施例６］
実施例４と同じ方法で、Ｂ：Ｓｉ：Ｚｎ：Ｂｉ：Ｋ：Ｃａ＝８０：３：５：５：６：２の原子比のＢ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｂｉ−Ｋ−Ｃａ−Ｏ系ガラスペーストを、第２誘電体層用に準備した。また別途、第１誘電体層用に、Ｂｉを含み、比誘電率が１１の、Ｂｉ−Ｚｎ−Ｂ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｏ系ガラスペーストを準備した。

これらのペーストを用いて、実施例５と同様に、前面板の誘電体層が、電極を直接覆う第１誘電体層と、この第１誘電体層の上に形成される第２誘電体層の、二層構造となるＰＤＰパネルを作製した。なお、第１誘電体層は、５９０℃で焼成して厚さ約２０μｍ、第二誘電体層は、５８３℃で焼成して厚さ約２０μｍとした。

作製したＰＤＰにコントローラを接続して動作確認を行った。作製したＰＤＰは、誘電体層に欠陥を生ずるようなこともなく、問題なく動作することを確認した。

本発明の酸化物ガラスは、電極用絶縁被覆ガラス、特にプラズマディスプレイパネルの表示電極やアドレス電極を被覆するための誘電体層の形成に好適に採用できる。

ＰＤＰの主要部の断面斜視図。 図１のＰＤＰのＩＩ−ＩＩ断面図。 ＰＤＰの他の実施形態の断面図。

符号の説明

１ 前面板
２ 前面ガラス基板
３ 透明電極
４ バス電極
５ 表示電極
６ 誘電体層
７ 誘電体保護層
８ 背面板
９ 背面ガラス基板
１０ アドレス電極
１１ 誘電体層
１２ 隔壁
１５ 第１誘電体層
１６ 第２誘電体層
１００，１０１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）

Claims (6)

1. 含まれる元素のうち、酸素を除く他の元素の比率で表して、
   Ｂが５５原子％以上８５原子％以下、
   Ｓｉが０原子％以上１５原子％以下、
   Ｚｎが０原子％以上１５原子％以下、
   Ｋが０原子％以上１０原子％以下、
   Ｎａが０原子％以上１０原子％以下、
   Ｂｉが１原子％以上１０原子％以下、
   ＳｉおよびＺｎの合計が５原子％以上３０原子％以下、
   ＫおよびＮａの合計が１原子％以上１０原子％以下、
   Ｋ、ＮａおよびＢｉの合計が８原子％以上１５原子％以下、
   である酸化物ガラス。
2. Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａより選ばれる少なくとも１種を、０原子％を超え、５原子％以下の範囲で含有する、請求項１記載の酸化物ガラス。
3. ＭｏおよびＷより選ばれる少なくとも一方を、０原子％を超え、５原子％未満の範囲で含有する、請求項１または請求項２記載の酸化物ガラス。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の酸化物ガラスを電極被覆用ガラスとして用いた、ディスプレイパネル。
5. 基板と、
   前記基板上に形成された、Ａｇを主成分とする電極と、
   前記電極を直接被覆する、実質的にアルカリ金属を含有しない第１誘電体層と、
   前記電極との間に前記第１誘電体層が位置するように前記第１誘電体層の上に配置された第２誘電体層と、を備え、
   前記第２誘電体層が、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の酸化物ガラスからなる、ディスプレイパネル。
6. 基板と、
   前記基板上に形成された、Ａｇを主成分とする電極と、
   前記電極を直接被覆する第１誘電体層と、
   前記電極との間に前記第１誘電体層が位置するように前記第１誘電体層の上に配置された第２誘電体層と、を備え、
   前記第１誘電体層が、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の酸化物ガラスからなり、
   前記第２誘電体層が、前記酸化物ガラスよりも低誘電率のガラスからなる、ディスプレイパネル。