JP2007097116A - センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このセンサ(マイクロホン30)は、電極板部8aと、電極板部8aと対向するように設けられ、中央部に配置された振動部5aと、振動部5aの周辺部に配置され、振動部5aよりも弾性率の低い材料からなる振動部4cとを含むダイアフラム6とを備えている。
【選択図】図1
Description
C2=εS/d2 ・・・(2)
そして、各キャパシタのダイアフラムと固定電極板との間の平均距離が、音により平均変位δdだけ小さくなった場合の各キャパシタの静電容量C1aおよびC2aは、以下の式(3)および式(4)で表すことができる。
C2a=εS/(d2−δd) ・・・(4)
したがって、各キャパシタの変化量δC1およびδC2は、以下の式(5)および式(6)で表すことができる。
δC2=C2−C2a= εSδd/d2(d2−δd) ・・・(6)
また、仮定よりd1>d2なので、δC1<δC2となる。
図1および図2は、本発明の第1実施形態によるマイクロホンの構造を示した断面図である。図3および図4は、図1に示したマイクロホンの平面図である。なお、図1は、図3の100−100線に沿った断面を示している。また、図2は、図3の150−150線に沿った断面を示している。まず、図1〜図4を参照して、本発明の第1実施形態によるマイクロホン30の構造について説明する。なお、第1実施形態では、センサの一例であるマイクロホン(音響センサ)に本発明を適用した場合について説明する。
/(tSiOC1+tSiOC2) ・・・(7)
この式(7)に、δStSiOC1=50MPa、tSiOC1=1μm、δStSiOC2=−400MPa、tSiOC2=0.125μmを代入すると、δSt=0となり、SiOC層4の全体の残留応力は、「0」Paになる。また、SiOC層4の開口部3の上方に位置する部分およびその外周部には、円板状の振動部4c(図3および図4参照)が形成されている。なお、振動部4cは、本発明の「第2弾性膜」の一例である。
図25は、本発明の第2実施形態による圧力センサの構造を示した断面図である。図25を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、本発明を圧力センサ50に適用した場合について説明する。まず、図25を参照して、本発明の第2実施形態による圧力センサ50の構造について説明する。
4a、53a 非改質SiOC層
4b、53b 改質SiOC層
4c、31a、32a、53c 振動部(第2弾性膜)
5、54 ポリシリコン層
5a、54a 振動部(第1弾性膜)
6、6a、6b、58 ダイアフラム
8a 電極板部(電極板)
30、30a、30b マイクロホン(センサ)
50 圧力センサ(センサ)
56 固定電極(電極板)
Claims (4)
- 電極板と、
前記電極板と対向するように設けられ、中央部に配置された第1弾性膜と、少なくとも前記第1弾性膜の周辺部に配置され、前記第1弾性膜よりも弾性率の低い材料からなる第2弾性膜とを含むダイアフラムとを備えた、センサ。 - 前記第2弾性膜の一部は、残留応力が低減するように改質されている、請求項1に記載のセンサ。
- 前記第2弾性膜は、前記第1弾性膜の外周部を囲むように形成されている、請求項1または2に記載のセンサ。
- 前記第2弾性膜と前記第1弾性膜とは、積層されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のセンサ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010001550A1 (ja) | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 三井化学株式会社 | ポリチオウレタン系光学材料用重合性組成物、該重合性組成物より得られるポリチオウレタン系光学材料及びポリチオウレタン系光学材料用重合触媒 |
JP2010155306A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Panasonic Corp | Memsデバイス及びその製造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5092462B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-12-05 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
JP2009033698A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | ダイアフラム構造及び音響センサ |
US8300858B2 (en) * | 2007-09-27 | 2012-10-30 | Yamaha Corporation | Electrostatic speaker |
JP5262288B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-08-14 | ヤマハ株式会社 | 静電型スピーカ |
GB2461847A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-20 | Vodafone Plc | Detection of car crash by detection of sound pressure wave associated with air bag deployment, pressure wave transducer and emergency communication method |
CN102143906A (zh) * | 2008-09-10 | 2011-08-03 | 松下电器产业株式会社 | 微机电系统器件及其制造方法 |
JP2011031385A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-02-17 | Rohm Co Ltd | Memsセンサ |
EP2320678B1 (en) * | 2009-10-23 | 2013-08-14 | Nxp B.V. | Microphone device with accelerometer for vibration compensation |
TWI372570B (en) * | 2009-12-25 | 2012-09-11 | Ind Tech Res Inst | Capacitive sensor and manufacturing method thereof |
JP5501064B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 圧力計測用弾性材料、及び、圧力計測装置 |
JP5454345B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-03-26 | オムロン株式会社 | 音響センサ及びその製造方法 |
JP2012047725A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-03-08 | Canon Anelva Corp | 静電容量圧力センサ |
US9016133B2 (en) * | 2011-01-05 | 2015-04-28 | Nxp, B.V. | Pressure sensor with pressure-actuated switch |
JP6264969B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-01-24 | オムロン株式会社 | 音響トランスデューサ |
CN106904566B (zh) * | 2015-12-22 | 2018-09-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
US10470674B2 (en) * | 2016-03-17 | 2019-11-12 | Intel Corporation | Technologies for a fabric acoustic sensor |
KR102352809B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4558184A (en) | 1983-02-24 | 1985-12-10 | At&T Bell Laboratories | Integrated capacitive transducer |
JPS60500841A (ja) | 1983-02-24 | 1985-05-30 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 集積化された容量性トランスジユ−サ |
US4523474A (en) * | 1983-08-12 | 1985-06-18 | Borg-Warner Corporation | Capacitive pressure sensor |
US5146435A (en) | 1989-12-04 | 1992-09-08 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Acoustic transducer |
US5094109A (en) * | 1990-12-06 | 1992-03-10 | Rosemount Inc. | Pressure transmitter with stress isolation depression |
AT2171U1 (de) * | 1997-03-07 | 1998-05-25 | Avl List Gmbh | Sensor zur messung mechanischer grössen an rohren |
JP3867393B2 (ja) * | 1998-03-20 | 2007-01-10 | 株式会社デンソー | マイクロヒータおよびその製造方法ならびにエアフローセンサ |
JP2001255225A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Anelva Corp | 静電容量型真空センサ |
US7082834B2 (en) * | 2003-06-18 | 2006-08-01 | New Jersey Institute Of Technology | Flexible thin film pressure sensor |
US7181975B1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-02-27 | Honeywell International | Wireless capacitance pressure sensor |
-
2006
- 2006-03-15 JP JP2006071671A patent/JP2007097116A/ja active Pending
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010001550A1 (ja) | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 三井化学株式会社 | ポリチオウレタン系光学材料用重合性組成物、該重合性組成物より得られるポリチオウレタン系光学材料及びポリチオウレタン系光学材料用重合触媒 |
EP2407498A2 (en) | 2008-06-30 | 2012-01-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polymerizable composition for polythiourethane optical material, polythiourethane optical material obtained from the polymerizable composition, and polymerization catalyst for polythiourethane optical material |
JP2010155306A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Panasonic Corp | Memsデバイス及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20070056377A1 (en) | 2007-03-15 |
US7377175B2 (en) | 2008-05-27 |
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