JP2007095610A

JP2007095610A - Light emitting device and its manufacturing method

Info

Publication number: JP2007095610A
Application number: JP2005286408A
Authority: JP
Inventors: Kozo Shimokami; 耕造下神
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-09-30
Filing date: 2005-09-30
Publication date: 2007-04-12

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device and its manufacturing method which restrains unevenness of film thickness of light emitting elements when they are formed in blocks surrounded by banks and provides the light emitting device having good light emitting characteristics. <P>SOLUTION: Banks 14 composed of lyophilic banks 14a and liquid-repellent banks 14b formed on the lyophilic banks 14a are formed on positions opposite each other across a block 8. The upper layers T of the liquid-repellent banks 14b are planarized by means of chemical mechanical polishing method (CMP). <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device.

従来より、機能材料で基板上に所定のパターンを形成してディスプレイといった発光装置を製造する技術が開発されているが、近年においては、機能材料を所定の溶媒中に溶解または分散して形成された液状組成物を吐出ヘッドから吐出して、基板の所望の位置に塗布させることでパターンを形成する、所謂、液滴吐出法が注目されている。この液滴吐出法は、機能材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する機能材料が少なくて済むなどの利点がある。 Conventionally, a technique for manufacturing a light emitting device such as a display by forming a predetermined pattern on a substrate with a functional material has been developed. However, in recent years, a functional material is dissolved or dispersed in a predetermined solvent. A so-called droplet discharge method, in which a pattern is formed by discharging a liquid composition from a discharge head and applying it to a desired position on a substrate, has attracted attention. Since this droplet discharge method uses only the amount of functional material used for pattern formation, for example, it has the advantage that less functional material is used than the spin coating method in which the functional material is applied to the entire surface of the substrate. There is.

ところで、例えば有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、「有機ＥＬディスプレイ」という）の画素パターンを液滴吐出法で形成する場合、基板上に吐出した液状組成物が隣接する画素に流出するのを防ぐため、基板上にバンク（仕切部材）を設け、バンクにより囲まれた区画領域に液状組成物を吐出するようにしている。このとき、区画領域内に塗布された液状組成物は、その中央部分が盛り上った凸状態となり、溶媒を除去すると、バンクに向かうに連れて膜厚が厚くなって前記中央部分が凹んだ凹状形状となる。その結果、溶媒を除去した後、機能材料で構成された機能層（たとえば、発光層）は、その膜厚の分布が不均一なものとなることから、発光ムラ（色ムラ）が発生する問題が生じる。 By the way, for example, when forming a pixel pattern of an organic electroluminescence display (hereinafter referred to as “organic EL display”) by a droplet discharge method, in order to prevent the liquid composition discharged on the substrate from flowing out to adjacent pixels, A bank (partition member) is provided on the substrate, and the liquid composition is discharged to a partitioned region surrounded by the bank. At this time, the liquid composition applied in the partition region is in a convex state in which the central portion is raised, and when the solvent is removed, the thickness increases toward the bank and the central portion is recessed. It becomes a concave shape. As a result, after removing the solvent, the functional layer composed of the functional material (for example, the light emitting layer) has a non-uniform distribution of film thickness, which causes uneven light emission (color unevenness). Occurs.

そこで、バンクの側面と区画領域の底面に形成された画素電極との間に、バンクの側面から画素電極に向けて傾斜した連結面を設けることで、溶媒を除去して形成される機能層を連結面に接触させて、機能層を平坦化させる技術が開示されている（たとえば、特許文献１）。
特開２００４−１９８４８６号公報 Therefore, a functional layer formed by removing the solvent is provided by providing a connecting surface inclined from the side surface of the bank toward the pixel electrode between the side surface of the bank and the pixel electrode formed on the bottom surface of the partition region. A technique for flattening a functional layer in contact with a coupling surface is disclosed (for example, Patent Document 1).
JP 2004-198486 A

しかしながら、上記有機ＥＬディスプレイといった各種発光装置では、高効率な発光特性を得る等のために各種配線が複雑に引き回されている。そして、区画領域周辺にも、配線が引き回されている。このため、バンクの上層部の表面形状が、区画領域周辺のあるバンクの下方の下地の構造の影響を受けて凹凸形状を成す。従って、区画領域を挟んで互いに対向する位置に設けられたバンクの各上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称にならない場合がある。そのため、液滴吐出法を使用して区画領域内に塗布された液状組成物は、その周縁部がバンクの各上層部の表面上に塗布されるが、上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称でないことから、溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、バンクに引っ張られるので、膜厚が不均一な膜が形成されてしまうという問題が生ずる。 However, in various light emitting devices such as the organic EL display, various wirings are routed in a complicated manner in order to obtain highly efficient light emission characteristics. Wiring is also routed around the partition area. For this reason, the surface shape of the upper layer portion of the bank is uneven due to the influence of the underlying structure under the bank around the partition region. Therefore, the surface shape of each upper layer portion of the banks provided at positions facing each other across the partition region may not be symmetric with respect to the center of the partition region. Therefore, the liquid composition applied in the partition region using the droplet discharge method is applied on the surface of each upper layer portion of the bank, but the surface shape of the upper layer portion is the surface region of the partition region. Since it is not symmetrical with respect to the center, when the solvent is removed, the liquid composition applied to the partition region is pulled by the bank, which causes a problem that a film having a non-uniform film thickness is formed.

そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、バンクにより囲まれた区画領域に発光素子を形成する際、形成された発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光装置の製造方法及び発光装置を提供することである。 Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and one of its purposes is that when the light emitting element is formed in the partition region surrounded by the bank, the thickness of the formed light emitting element is not uniform. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device that are suppressed and have good light emission characteristics.

本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、一方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の第１の配線と、該複数の第１の配線の各々と交差するように互いに所定の間隔で配置された複数の第２の配線と、前記複数の第１の配線と前記複数の第２の配線とを覆うように形成して、前記第１の配線と前記第２の配線との交差部に対応して区画領域を形成するバンクと、前記バンクによって形成された前記各区画領域にそれぞれ形成された発光素子とを備えた発光装置の製造方法において、前記バンクを形成するバンク形成工程と、前記バンクの上層部を平坦化するバンク平坦化工程と、前記バンクによって形成された前記各区画領域に発光層を形成する発光層形成工程とを含んでいる。 The method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a plurality of first wirings arranged on a substrate at a predetermined interval along one direction, and the plurality of first wirings crossing each other. A plurality of second wirings arranged at predetermined intervals, the plurality of first wirings, and the plurality of second wirings are formed to cover the first wiring and the second wiring. In a method for manufacturing a light emitting device, comprising: a bank that forms a partition region corresponding to an intersection with a light emitting element; and a light emitting element that is formed in each partition region formed by the bank. A forming step, a bank flattening step of flattening an upper layer portion of the bank, and a light emitting layer forming step of forming a light emitting layer in each of the partition regions formed by the bank.

これによれば、バンクの上層部の表面形状は平坦になる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。 According to this, the surface shape of the upper layer portion of the bank becomes flat. Therefore, for example, when the light emitting element is an element having an electroluminescence element structure including a light emitting layer sandwiched between two electrode layers, and the light emitting layer is formed by a droplet discharge method. The liquid composition discharged into the partitioned area is applied at a position symmetrical to the center of the partitioned area. As a result, when the solvent in the liquid composition is removed, the liquid composition applied to the partition region is uniformly pulled by the banks provided at positions facing each other. Becomes uniform in the partition region. Therefore, variation in the thickness of the light emitting element can be suppressed, and a light emitting element having favorable light emission characteristics can be formed.

この発光装置の製造方法において、前記バンク平坦化工程は、化学的機械的研磨法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、バンクの上層部の表面形状は、確実に平坦化される。従って、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。 In the method for manufacturing the light emitting device, the bank flattening step may be performed by a chemical mechanical polishing method.
According to this, the surface shape of the upper layer portion of the bank is surely flattened. Therefore, the film thickness of the light emitting layer to be formed is uniform within the partition region.

この発光装置の製造方法において、前記発光層形成工程は、液滴吐出法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の材料で均一な膜厚を有した発光層を有する発光素子を形成することができる。 In this method for manufacturing a light emitting device, the light emitting layer forming step may be performed by a droplet discharge method.
According to this, since only the amount of the light emitting material used for pattern formation is used, for example, the amount of the light emitting material to be used can be reduced as compared with the spin coating method in which the functional material is applied to the entire surface of the substrate. In addition, a light-emitting element having a light-emitting layer with a uniform thickness can be formed using a small amount of material without using a large-sized device such as a vacuum device.

本発明の発光装置は、上記記載の発光装置の製造方法によって製造されている。
これによれば、バンクの上層部の表面形状は平坦になる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。 The light emitting device of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a light emitting device described above.
According to this, the surface shape of the upper layer portion of the bank becomes flat. Therefore, for example, when the light emitting element is an element having an electroluminescence element structure including a light emitting layer sandwiched between two electrode layers, and the light emitting layer is formed by a droplet discharge method. The liquid composition discharged into the partitioned area is applied at a position symmetrical to the center of the partitioned area. As a result, when the solvent in the liquid composition is removed, the liquid composition applied to the partition region is uniformly pulled by the banks provided at positions facing each other. Becomes uniform in the partition region. Therefore, variation in the thickness of the light emitting element can be suppressed, and a light emitting element having favorable light emission characteristics can be formed.

（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態として、発光装置を有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬ装置）に適用した場合について図面に従って説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの正面図である。 (First embodiment)
Hereinafter, as an embodiment of the present invention, a case where a light emitting device is applied to an organic EL display (organic EL device) will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view of an organic EL display.

図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１は、ディスプレイ部２と、該ディスプレイ部２の下側部（図１中Ｙ矢印方向）に接続されたフレキシブル回路基板３とから構成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display 1 includes a display unit 2 and a flexible circuit board 3 connected to the lower side of the display unit 2 (in the direction of arrow Y in FIG. 1).

ディスプレイ部２は、基板４を備えている。基板４は、本実施形態では、ガラス板で構成されている。基板４は、その中央に略四角形状の表示領域５を備えている。基板４上であって、表示領域５以外の領域（以下、「非表示領域」という）６には、一対の走査線駆動回路７等が形成されている。 The display unit 2 includes a substrate 4. The board | substrate 4 is comprised with the glass plate in this embodiment. The substrate 4 includes a substantially rectangular display area 5 at the center thereof. A pair of scanning line driving circuits 7 and the like are formed on the substrate 4 in an area 6 (hereinafter referred to as “non-display area”) other than the display area 5.

表示領域５には、列方向（図１中Ｙ矢印方向）にｎ個、行方向（図１中Ｘ矢印方向）にｍ個の区画領域８が、それぞれ等ピッチで形成されている。そして、ｍ×ｎ個の各区画領域８に対応して、赤用画素９Ｒ、緑用画素９Ｇ、青用画素９Ｂがマトリクス状に形成されている。そして、行方向に沿っては、赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂ→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→…→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂの順に繰り返して形成されている。また、Ｙ矢印方向（列方向）に沿っては、同色の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂが形成されている。 In the display area 5, n partition areas 8 are formed at equal pitches in the column direction (Y arrow direction in FIG. 1) and m in the row direction (X arrow direction in FIG. 1). The red pixels 9R, the green pixels 9G, and the blue pixels 9B are formed in a matrix corresponding to each of the m × n partition regions 8. Along the row direction, red pixel 9R → green pixel 9G → blue pixel 9B → red pixel 9R → green pixel 9G →... → red pixel 9R → green pixel 9G → blue pixel 9B It is formed by repeating in this order. In addition, pixels 9R, 9G, and 9B of the same color are formed along the Y arrow direction (column direction).

また、非表示領域６には、一対の走査線駆動回路７が形成されている。各走査線駆動回路７は、協働してｎ行ある画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群を順次走査して一行の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを選択するための走査信号（電圧信号）を順次出力する。 A pair of scanning line driving circuits 7 is formed in the non-display area 6. Each scanning line driving circuit 7 cooperates to sequentially scan the n rows of pixels 9R, 9G, and 9B, and sequentially outputs scanning signals (voltage signals) for selecting one row of pixels 9R, 9G, and 9B. .

一方、フレキシブル回路基板３上には、データ線駆動回路１０と制御回路１１とが形成されている。データ線駆動回路１０は、前記走査線駆動回路７が出力した走査信号によって選択された行の各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群に対して、その各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂから出射される光の輝度（発光輝度）を決定する電気信号としての画像信号を出力する。制御回路１１は、各走査線駆動回路７及びデータ線駆動回路１０の駆動を制御するための各種制御信号を生成し、その生成した制御信号を各駆動回路７，１０にそれぞれ出力する。 On the other hand, a data line driving circuit 10 and a control circuit 11 are formed on the flexible circuit board 3. The data line driving circuit 10 applies the light emitted from the pixels 9R, 9G, and 9B to the pixels 9R, 9G, and 9B in the row selected by the scanning signal output from the scanning line driving circuit 7. An image signal is output as an electrical signal for determining luminance (light emission luminance). The control circuit 11 generates various control signals for controlling the driving of each scanning line driving circuit 7 and the data line driving circuit 10, and outputs the generated control signals to the respective driving circuits 7 and 10.

また、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂには、画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを駆動させるための駆動電力が供給されるようになっている。そして、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを順次走査してその選択された各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群における発光輝度をデータ線駆動回路１０によって制御することにより、任意の画像が表示領域５上に表示される。 In addition, driving power for driving the pixels 9R, 9G, and 9B is supplied to the pixels 9R, 9G, and 9B. Then, the pixels 9R, 9G, and 9B are sequentially scanned, and the light emission luminance in each of the selected pixels 9R, 9G, and 9B is controlled by the data line driving circuit 10, whereby an arbitrary image is displayed on the display area 5. Is displayed.

図２（ａ）に、ｍ×ｎ個ある区画領域８のうちの一つの区画領域８及びその周辺の配線パターンを説明する平面図を示し、図２（ｂ）に、図２（ａ）中ａ−ａ線断面図を示す。
図２（ａ）に示すように、Ｘ矢印方向に沿って形成された走査信号を供給する第２の配線としての走査線ＬＸと、Ｙ矢印方向に沿って形成された画像信号を供給するデータ線ＬＹと、前記データ線ＬＹに平行になるように形成された駆動電力を供給する第１の配線としての給電線ＬＺに挟まれる領域に、前記区画領域８が形成されている。そして、この区画領域８には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するための周辺回路が総て配置されている。 FIG. 2A shows a plan view for explaining one of the m × n partition regions 8 and a wiring pattern around the partition region 8, and FIG. 2B shows a plan view in FIG. Aa line sectional drawing is shown.
As shown in FIG. 2A, the scanning line LX as the second wiring for supplying the scanning signal formed along the X arrow direction and the data for supplying the image signal formed along the Y arrow direction. The partition region 8 is formed in a region between the line LY and a power supply line LZ as a first wiring that supplies driving power formed so as to be parallel to the data line LY. In the partition region 8, all the organic EL elements OLED and peripheral circuits for driving the organic EL elements OLED are arranged.

詳しくは、周辺回路は、スイッチングトランジスタＱsw、保持容量Ｃp及び駆動トラン
ジスタＱdを備えている。
スイッチングトランジスタＱswは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、走査線ＬＸからの走査信号がゲートに供給される。そして、走査線ＬＸから走査信号が供給されると、スイッチングトランジスタＱswはオンになり、その結果、データ線ＬＹから画像信号がスイッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給される。 Specifically, the peripheral circuit includes a switching transistor Qsw, a holding capacitor Cp, and a driving transistor Qd.
The switching transistor Qsw is, for example, a thin film transistor (TFT) having an N-channel MOS structure, and a scanning signal from the scanning line LX is supplied to the gate. When the scanning signal is supplied from the scanning line LX, the switching transistor Qsw is turned on. As a result, the image signal is supplied from the data line LY to the drain / source of the switching transistor Qsw.

保持容量Ｃpは、給電線ＬＺに沿って形成された第１電極用配線１２Ａと、絶縁層（図
２（ｂ）参照）Ｍを挟んでその下方（基板４側）に形成された第２電極用配線１２Ｂとから構成されている。第１電極用配線１２Ａは、コンタクトホールＨを介して給電線ＬＺと電気的に接続されている。第２電極用配線１２Ｂは、第１電極用配線１２Ａと平行になる
ように形成され、その一端がスイッチングトランジスタＱswのソースに接続されている。そして、保持容量Ｃpは、スイッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給さ
れた画像信号に応じた電荷量を蓄積する。 The storage capacitor Cp includes a first electrode wiring 12A formed along the power supply line LZ and a second electrode formed below (substrate 4 side) with an insulating layer (see FIG. 2B) M interposed therebetween. And wiring for wiring 12B. The first electrode wiring 12A is electrically connected to the power supply line LZ through the contact hole H. The second electrode wiring 12B is formed in parallel with the first electrode wiring 12A, and one end thereof is connected to the source of the switching transistor Qsw. The storage capacitor Cp accumulates a charge amount corresponding to the image signal supplied between the drain / source of the switching transistor Qsw.

駆動トランジスタＱdは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）である。駆動トランジスタＱdのゲートには、スイッチングトランジスタＱswの
ドレイン／ソース間に供給された画像信号が供給されるようになっている。そして、ゲートに供給された画像信号の電圧値に応じて、即ち、保持容量Ｃpに蓄積された電荷量に対
応した電圧値に応じて、ドレイン／ソース間の導電率が制御され、同電圧値に応じた電流が駆動電流として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給されるようになっている。 The drive transistor Qd is, for example, a thin film transistor having an N-channel MOS structure (
TFT). An image signal supplied between the drain and source of the switching transistor Qsw is supplied to the gate of the driving transistor Qd. Then, the conductivity between the drain and the source is controlled according to the voltage value of the image signal supplied to the gate, that is, according to the voltage value corresponding to the charge amount accumulated in the storage capacitor Cp. Is supplied to the organic EL element OLED as a drive current.

図２（ｂ）に示すように、基板４の上方には区画領域８を区画形成するバンク１４が形成されている。詳しくは、基板４上に、Ｙ矢印方向に所定長さだけ延設されるようにして前記第２電極用配線１２Ｂが形成されている。また、基板４上全面には、第２電極用配線１２Ｂ上に渡って絶縁層Ｍが形成されている。従って、第２電極用配線１２Ｂが形成された領域に対応した絶縁層Ｍの表面は、その周囲の絶縁層Ｍに比べて凸状に盛り上った形状になる。 As shown in FIG. 2 (b), a bank 14 is formed above the substrate 4 to partition the partition region 8. Specifically, the second electrode wiring 12B is formed on the substrate 4 so as to extend by a predetermined length in the Y arrow direction. An insulating layer M is formed on the entire surface of the substrate 4 over the second electrode wiring 12B. Therefore, the surface of the insulating layer M corresponding to the region where the second electrode wiring 12B is formed has a shape that is raised in a convex shape as compared with the surrounding insulating layer M.

そして、その盛り上った絶縁層Ｍ上には、第２電極用配線１２Ｂと平行になるようにして第１電極用配線１２Ａが形成されている。つまり、第１電極用配線１２Ａと第２電極用配線１２Ｂとは絶縁層Ｍを挟んで対向する位置に形成されている。また、絶縁層Ｍ上には、第１電極用配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹが延設されている。 A first electrode wiring 12A is formed on the raised insulating layer M so as to be parallel to the second electrode wiring 12B. That is, the first electrode wiring 12A and the second electrode wiring 12B are formed at positions facing each other with the insulating layer M interposed therebetween. On the insulating layer M, a data line LY extends so as to be arranged adjacent to the first electrode wiring 12A.

さらに、絶縁層Ｍ上全面には、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って第１の層間絶縁層Ｓ１が形成されている。従って、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１の表面は、その周囲の第１の層間絶縁層Ｓ１に比べて凸状に盛り上った形状になる。 Further, a first interlayer insulating layer S1 is formed on the entire surface of the insulating layer M over the first electrode wiring 12A and the data line LY. Therefore, the surface of the first interlayer insulating layer S1 corresponding to the region where the first electrode wiring 12A and the data line LY are formed is raised more convexly than the surrounding first interlayer insulating layer S1. Shape.

そして、第１電極用配線１２Ａによって盛り上った第１の層間絶縁層Ｓ１上には、Ｙ矢印方向に延設された給電線ＬＺが形成されている。また、第１の層間絶縁層Ｓ１上全面には、給電線ＬＺ上に渡って第２の層間絶縁層Ｓ２が形成されている。従って、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域に対応した位置は、その周囲に比べて凸形状に盛り上っている。また、第２の層間絶縁層Ｓ２のデータ線ＬＹが形成された領域に対応した位置は、その周囲に比べて凸形状に盛り上っている。 A power supply line LZ extending in the Y arrow direction is formed on the first interlayer insulating layer S1 raised by the first electrode wiring 12A. A second interlayer insulating layer S2 is formed on the entire surface of the first interlayer insulating layer S1 over the power supply line LZ. Accordingly, the position of the second interlayer insulating layer S2 corresponding to the region where the power supply line LZ is formed is raised in a convex shape as compared with the surrounding area. Further, the position corresponding to the region where the data line LY of the second interlayer insulating layer S2 is formed is raised in a convex shape as compared with the surrounding area.

尚、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域は、その下層に、前記したように、第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂが積層されている一方、第２の層間絶縁層Ｓ２のデータ線ＬＹが形成された領域は、その下層に、前記したように、データ線ＬＹのみが積層されている。このため、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域が第２の層間絶縁層Ｓ２において最も高く盛り上っている。 Note that the region where the power supply line LZ of the second interlayer insulating layer S2 is formed has the first and second electrode wirings 12A and 12B laminated on the lower layer, as described above, while the second In the region where the data line LY of the interlayer insulating layer S2 is formed, only the data line LY is laminated in the lower layer as described above. For this reason, the region where the power supply line LZ of the second interlayer insulating layer S2 is formed is the highest in the second interlayer insulating layer S2.

そして、その給電線ＬＺによって最も盛り上った部分を除いた第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域には、略長方形状を成す陽極としての画素電極１３が形成されている。 Then, on the second interlayer insulating layer S2 excluding the most raised portion by the power supply line LZ, the scanning line LX (see FIG. 2A), the data line LY, the power supply line LZ, A pixel electrode 13 as an anode having a substantially rectangular shape is formed in a region sandwiched between the electrodes.

また、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、画素電極１３の外周縁を取り囲む位置には、バンク１４が形成されている。そして、このバンク１４によって前記区画領域８が形成されている。 A bank 14 is formed on the second interlayer insulating layer S2 and at a position surrounding the outer peripheral edge of the pixel electrode 13. The partition area 8 is formed by the bank 14.

バンク１４は、基板４側に形成された第１のバンクとしての親液性バンク１４ａと、該
親液性バンク１４ａ上に形成された第２のバンクとしての撥液性バンク１４ｂとから構成されている。そして、親液性バンク１４ａは、第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂ、及びデータ線ＬＹが形成された領域を被覆するように第２の層間絶縁層Ｓ２上に形成されている。従って、親液性バンク１４ａの上端面は、凸状に盛り上った形状になる。 The bank 14 includes a lyophilic bank 14a as a first bank formed on the substrate 4 side, and a lyophobic bank 14b as a second bank formed on the lyophilic bank 14a. ing. The lyophilic bank 14a is formed on the second interlayer insulating layer S2 so as to cover the region where the first and second electrode wirings 12A and 12B and the data line LY are formed. Accordingly, the upper end surface of the lyophilic bank 14a has a convex shape.

また、撥液性バンク１４ｂは、親液性バンク１４ａ上に形成されている。そして、親液性バンク１４ａの周縁部は、撥液性バンク１４ｂより画素電極１３側に張り出すようにして形成されている。各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦になっている。従って、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心線Ｌｏ（図２（ａ）参照）に対して対称になっている。 The liquid repellent bank 14b is formed on the lyophilic bank 14a. The peripheral portion of the lyophilic bank 14a is formed so as to protrude from the liquid repellent bank 14b to the pixel electrode 13 side. The surface shape of the upper layer portion T of each liquid repellent bank 14b is flat. Therefore, the surface shape of the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b provided at positions facing each other across the partition region 8 is symmetric with respect to the center line Lo (see FIG. 2A) of the partition region 8. It has become.

画素電極１３上には、正孔輸送層１６、発光層１７の順に積層されてなる機能層１８が形成されている。発光層１７は、有機材料で構成されている。撥液性バンク１４ｂ及び発光層１７上全面に渡って陰極１９が形成されている。そして、画素電極１３と、該画素電極１３と相対して形成した陰極１９と、画素電極１３と陰極１９との間に機能層１８とを備えたエレクトロルミネッセンス素子としての有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが構成されている。 A functional layer 18 is formed on the pixel electrode 13 by laminating a hole transport layer 16 and a light emitting layer 17 in this order. The light emitting layer 17 is made of an organic material. A cathode 19 is formed over the entire surface of the liquid repellent bank 14 b and the light emitting layer 17. Then, an organic EL element OLED as an electroluminescence element having a pixel electrode 13, a cathode 19 formed opposite to the pixel electrode 13, and a functional layer 18 between the pixel electrode 13 and the cathode 19 is configured. ing.

このような構成を有する有機ＥＬディスプレイ１は、図２（ｂ）に示すように、正孔輸送層１６の膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。また、各正孔輸送層１６上に形成される発光層１７も、正孔輸送層１６と同様に、その膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。 In the organic EL display 1 having such a configuration, the film thickness of the hole transport layer 16 is uniform over the partition region 8 as shown in FIG. Further, the light emitting layer 17 formed on each hole transport layer 16 has a uniform film thickness over the partition region 8, similarly to the hole transport layer 16.

次に、前記のような構造を有する有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について図３〜図７に従って説明する。
先ず、ガラス板である基板４を洗浄した後に、プラズマＣＶＤ法によって珪素層を成膜し、その後、レーザアニールすることで成膜した珪素層を多結晶化する。この多結晶化された層は、駆動トランジスタＱｄやスイッチングトランジスタＱｓｗといった各種薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャンネルを形成する層と同じ層であり、配線として使用する領域には不純物ドーピングして低抵抗化する。更に、図３（ａ）示すように、基板４上の所定に位置に、フォトリソグラフィー法等を使用することで第２電極用配線１２Ｂをパターニング形成する。その後、図３（ｂ）示すように、基板４上全面に、第２電極用配線１２Ｂ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ_２）を、例えば、プラズマ法によって成膜して絶縁層Ｍを形成する。 Next, a method for manufacturing the organic EL display 1 having the above structure will be described with reference to FIGS.
First, after cleaning the substrate 4 which is a glass plate, a silicon layer is formed by a plasma CVD method, and then the formed silicon layer is polycrystallized by laser annealing. This polycrystallized layer is the same layer that forms channels of various thin film transistors (TFTs) such as the drive transistor Qd and the switching transistor Qsw, and the region used as the wiring is doped with impurities to reduce the resistance. Further, as shown in FIG. 3A, the second electrode wiring 12B is patterned and formed at a predetermined position on the substrate 4 by using a photolithography method or the like. Thereafter, as shown in FIG. 3B, an insulating layer M is formed on the entire surface of the substrate 4 by depositing silicon oxide (SiO ₂ ) over the second electrode wiring 12B by, for example, a plasma method. .

続いて、第２電極用配線１２Ｂと重なるように絶縁層Ｍ上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層をフォトリソグラフィー法等を使用することで、第１電極用配線１２Ａをパターニング形成する。また、このとき、同時に、絶縁層Ｍ上に第１電極用配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹを形成する。このとき、データ線ＬＹは、第２電極用配線１２Ｂ上に形成された絶縁層Ｍ上には形成せず、基板４上に形成された絶縁層Ｍ上に形成する（図３（ｃ）参照）。 Subsequently, the first electrode wiring 12A is patterned by using, for example, a photolithography method or the like on the insulating layer M so as to overlap with the second electrode wiring 12B by using a photolithography method or the like. At the same time, the data line LY is formed on the insulating layer M so as to be arranged adjacent to the first electrode wiring 12A. At this time, the data line LY is not formed on the insulating layer M formed on the second electrode wiring 12B, but is formed on the insulating layer M formed on the substrate 4 (see FIG. 3C). ).

その後、図３（ｄ）示すように、絶縁層Ｍ上全面に、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ_２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜して第１の層間絶縁層Ｓ１を形成する。従って、第１電極用配線１２Ａが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べて第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。また、データ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べてデータ線ＬＹの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。 Thereafter, as shown in FIG. 3D, a silicon oxide (SiO ₂ ) film is formed on the entire surface of the insulating layer M over the first electrode wiring 12A and the data line LY by, for example, a plasma CVD method. One interlayer insulating layer S1 is formed. Accordingly, the first interlayer insulating layer S1 corresponding to the region where the first electrode wiring 12A is formed is convex by the thickness of the first and second electrode wirings 12A and 12B as compared to the surrounding region. It is rising in shape. In addition, the first interlayer insulating layer S1 corresponding to the region where the data line LY is formed is raised in a convex shape by the thickness of the data line LY as compared with the surrounding region.

続いて、第１電極用配線１２Ａが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層を、フォトリソグラフィー法等を使用することで、給電線ＬＺをパターニング形成する。更に、第１の層間絶縁層Ｓ１上、及び、給電線ＬＺ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ_２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜することで第２の層間絶縁層Ｓ２を形成する（図４（ａ）参照）。 Subsequently, an aluminum layer formed by sputtering, for example, on the first interlayer insulating layer S1 corresponding to the region where the first electrode wiring 12A is formed, by using a photolithography method or the like, thereby supplying the power supply line LZ. Is formed by patterning. Further, a second interlayer insulating layer S2 is formed by depositing silicon oxide (SiO ₂ ) over the first interlayer insulating layer S1 and the power supply line LZ by, for example, a plasma CVD method (FIG. 4 (a)).

従って、給電線ＬＺが形成された領域に対応した第２の層間絶縁層Ｓ２は、その周囲の領域に比べて第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂ、及び給電線ＬＺの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。また、データ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べてデータ線ＬＹの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。 Accordingly, the second interlayer insulating layer S2 corresponding to the region where the power supply line LZ is formed has a thickness distribution of the first and second electrode wirings 12A and 12B and the power supply line LZ as compared with the surrounding region. Only raised in a convex shape. In addition, the first interlayer insulating layer S1 corresponding to the region where the data line LY is formed is raised in a convex shape by the thickness of the data line LY as compared with the surrounding region.

そして、図４（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域に、例えば、スパッタ法で形成したインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）といった光透過性を有する導電材料を成膜する。そして、その後に、フォトリソグラフィー法等を使用することで、パターニングして画素電極１３を形成する。 As shown in FIG. 4B, the region on the second interlayer insulating layer S2 and sandwiched between the scanning line LX (see FIG. 2A), the data line LY, and the power supply line LZ. For example, a light-transmitting conductive material such as indium-tin oxide (ITO) formed by a sputtering method is formed. Then, the pixel electrode 13 is formed by patterning by using a photolithography method or the like.

次に、図４（ｃ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、給電線ＬＺの上方に対応する領域及び画素電極１３の周縁部を含む領域を開口部ＫｏとするマスクＫを設け、該マスクＫ越しに、酸化珪素（ＳｉＯ_２）を蒸着法によって成膜する。その後、マスクＫを除去すると、図４（ｄ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の凸形状に盛り上った位置に親液性バンク１４ａが形成される。従って、その上層部が凸状に盛り上った親液性バンク１４ａが形成される。 Next, as shown in FIG. 4C, a mask K having an opening Ko in a region corresponding to the upper side of the power supply line LZ and the peripheral portion of the pixel electrode 13 on the second interlayer insulating layer S2. A silicon oxide (SiO ₂ ) film is formed over the mask K by a vapor deposition method. Thereafter, when the mask K is removed, as shown in FIG. 4D, the lyophilic bank 14a is formed at a raised position on the second interlayer insulating layer S2. Therefore, the lyophilic bank 14a whose upper layer portion is raised in a convex shape is formed.

続いて、図５（ａ）に示すように、撥液性バンク１４ｂとなる層を形成する。（バンク形成工程）撥液性バンク１４ｂを形成するには、まず、溶媒に溶かした感光性のアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をスピンコート或いはスリットコート法等を用いて親液性バンク１４ａ及び画素電極１３上の全面に渡って塗布する。更に、１００〜１５０℃程度の温度で熱処理を行い、塗布した有機樹脂から溶媒を除去し、膜化して有機樹脂層１５を形成する。この熱処理の温度は、樹脂の感光性を用いてパターン形成ができる範囲で高くした方が膜の強度が高くなるため望ましい。また、後の工程で研磨することを考慮して、形成する撥液性バンク１４ｂの膜厚よりも１〜２μｍ程度厚い膜厚で形成することが望ましい。 Subsequently, as shown in FIG. 5A, a layer to be a liquid repellent bank 14b is formed. (Bank Forming Step) In order to form the liquid repellent bank 14b, first, an organic resin such as a photosensitive acrylic resin or polyimide resin dissolved in a solvent is used by spin coating or slit coating or the like. Application is performed over the entire surface of the pixel electrode 13. Further, heat treatment is performed at a temperature of about 100 to 150 ° C., the solvent is removed from the applied organic resin, and the film is formed to form the organic resin layer 15. It is desirable to increase the temperature of this heat treatment within the range where the pattern can be formed using the photosensitivity of the resin because the strength of the film increases. Further, in consideration of polishing in a later step, it is desirable to form the film with a thickness about 1 to 2 μm thicker than the film thickness of the liquid repellent bank 14b to be formed.

次に、図５（ｂ）に示すように、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、形成した有機樹脂層１５の表面を平坦化する。つまり、所定のスラリーＳｐを塗布しながらパッドＰｇを回転させて有機樹脂層１５の上層部を研磨する（バンク平坦化工程）。 Next, as shown in FIG. 5B, the surface of the formed organic resin layer 15 is flattened using a chemical mechanical polishing method (CMP). That is, the pad Pg is rotated while applying the predetermined slurry Sp to polish the upper layer portion of the organic resin layer 15 (bank flattening step).

スラリーＳｐには有機材料の化学的機械的研磨に好適なものを使用する。例えば、砥粒と酸化剤を混合したものを好適に使用することができる。更にｐH調整剤を加えたもので
あっても良い。酸化剤としては、過酸化水素水、硝酸第２鉄、ヨウ素酸カリウム等の酸性酸化剤や、水酸化カリウム、塩酸ヒドロキシアミン、モノエタノールアミン等の強アルカリ性アミン塩、ペルオキソ系化合物等を用いることができる。砥粒としては、アルミナの粒子、酸化ジルコニウムの粒子を使用することができる。特に砥粒としてアルミナを、酸化剤として過酸化水素水を用い、アルカリ性に調整したスラリーＳｐを用いることで良好な研磨を行うことができる。この結果、有機樹脂層１５の上層部Ｔをほぼ平坦にすることができる。 As the slurry Sp, a material suitable for chemical mechanical polishing of an organic material is used. For example, a mixture of abrasive grains and an oxidizing agent can be suitably used. Further, a pH adjusting agent may be added. As the oxidizing agent, use an acidic oxidizing agent such as hydrogen peroxide, ferric nitrate, potassium iodate, strong alkaline amine salts such as potassium hydroxide, hydroxyamine hydrochloride, monoethanolamine, peroxo compounds, etc. Can do. As the abrasive grains, alumina particles and zirconium oxide particles can be used. In particular, good polishing can be performed by using alumina as the abrasive grains, hydrogen peroxide water as the oxidizing agent, and using the slurry Sp adjusted to be alkaline. As a result, the upper layer portion T of the organic resin layer 15 can be made substantially flat.

洗浄を行い、スラリーＳｐを除去した後、所定のパターンで露光及び現像を行い、有機樹脂層１５をパターニングして撥液性バンク１４ｂを形成する（図５（ｃ）参照）。撥液
性バンク１４ｂは親液性バンク１４ａ上に画素電極１３を取り囲む様に配置される。更に１５０℃以上の温度で熱処理を行い、形成した撥液性バンク１４ｂの膜の特性を安定化させる。 After washing and removing the slurry Sp, exposure and development are performed in a predetermined pattern, and the organic resin layer 15 is patterned to form the liquid repellent bank 14b (see FIG. 5C). The liquid repellent bank 14b is disposed on the lyophilic bank 14a so as to surround the pixel electrode 13. Further, heat treatment is performed at a temperature of 150 ° C. or higher to stabilize the characteristics of the formed liquid repellent bank 14b.

４フッ化メタン等の含フッ素ガスを用いたプラズマ処理を行い、撥液性バンク１４ｂの表面を撥液化する。この時、画素電極１３の表面はフッ素との反応性が低いため、撥液化されることは無い。 Plasma treatment using a fluorine-containing gas such as tetrafluoromethane is performed to make the surface of the liquid repellent bank 14b liquid repellent. At this time, since the surface of the pixel electrode 13 has low reactivity with fluorine, it does not become liquid repellent.

続いて、画素電極１３上に正孔輸送層１６を形成する。本実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌを吐出可能とする液滴吐出ヘッド２０を選択する。この液滴吐出ヘッド２０は、Ｘ矢印方向に沿って延設された案内レール２１に支持されてＸ矢印方向または反Ｘ矢印方向（走査方向）に移動可能である。 Subsequently, the hole transport layer 16 is formed on the pixel electrode 13. In this embodiment, the hole transport layer 16 is formed using a droplet discharge method. Specifically, as shown in FIG. 6A, a droplet discharge head 20 that can discharge a liquid composition L in which a hole transport layer material is dissolved or dispersed in a solvent is selected. The droplet discharge head 20 is supported by a guide rail 21 extending along the X arrow direction and is movable in the X arrow direction or the counter X arrow direction (scanning direction).

そして、液滴吐出ヘッド２０の位置を案内レール２１に沿って調整して、液滴吐出ヘッド２０に形成されたノズルＮが、所定の画素電極１３（例えば、１行目の画素電極１３）と対向する位置に合わせる。この状態で、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して区画領域８内に塗布する。すると、親液性バンク１４ａに接触することによって画素電極１３上全面に液状組成物Ｌが濡れ広がる。また、撥液性バンク１４ｂによって隣接した他の画素電極１３上には液状組成物Ｌが濡れ広がることはない。さらに、このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌは、区画領域８の中心線Ｌｏに対して対称の位置に塗布される。 Then, the position of the droplet discharge head 20 is adjusted along the guide rail 21, and the nozzle N formed in the droplet discharge head 20 is connected to a predetermined pixel electrode 13 (for example, the pixel electrode 13 in the first row). Adjust to the opposite position. In this state, the liquid composition L formed into droplets from the nozzle N is discharged and applied to the partition region 8. Then, the liquid composition L wets and spreads over the entire surface of the pixel electrode 13 by contacting the lyophilic bank 14a. Further, the liquid composition L does not spread on the other pixel electrode 13 adjacent to the liquid repellent bank 14b. Further, at this time, since the surface shape of the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is flattened, the liquid composition L that has contacted the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is separated from the center line Lo of the partition region 8. Are applied at symmetrical positions.

以降、液滴吐出ヘッド２０をＸ矢印方向に沿って各画素ピッチずつ移動させながら、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して、１行分のｍ個の区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。その後、他の行の区画領域８内にも前記と同様にして、液状組成物Ｌを順次塗布することで全ての区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。 Thereafter, while the droplet discharge head 20 is moved along the direction of the arrow X by each pixel pitch, the liquid composition L formed into droplets is discharged from the nozzle N to enter the m divided regions 8 for one row. The liquid composition L is applied. Thereafter, the liquid composition L is applied to all of the partition regions 8 by sequentially applying the liquid composition L to the partition regions 8 of other rows in the same manner as described above.

その後、液状組成物Ｌが塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。この結果、図６（ｂ）に示すように、各画素電極１３上に正孔輸送層１６が形成される。このとき、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される正孔輸送層１６の膜厚は、各区画領域８内において均一となる。 Thereafter, the substrate 4 coated with the liquid composition L is placed in, for example, a closed container (not shown), and the inside of the container is decompressed to evaporate and remove the solvent in the coated liquid composition. . As a result, the hole transport layer 16 is formed on each pixel electrode 13 as shown in FIG. At this time, since the irregularities on the surface of the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b surrounding the partition region 8 are substantially symmetrical with respect to the partition region 8, the liquid composition applied to the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b. L is pulled uniformly by the liquid repellent banks 14b provided at positions facing each other. As a result, the film thickness of the formed hole transport layer 16 is uniform in each partition region 8.

その後、赤用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌｒを吐出する液滴吐出ヘッド３０を順次選択する。そして、前記と同様にして、図７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０のノズルＮｒから液滴化した液状組成物Ｌｒを区画領域８に吐出して先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する（発光層形成工程）。 Thereafter, the droplet discharge heads 30 for discharging the liquid composition Lr in which the red light emitting layer material is dissolved or dispersed in the solvent are sequentially selected. Then, in the same manner as described above, as shown in FIG. 7A, each hole formed previously by discharging the liquid composition Lr formed into droplets from the nozzle Nr of the droplet discharge head 30 to the partition region 8. It coats on the transport layer 16 (light emitting layer forming step).

このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌｒは、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。 At this time, since the surface shape of the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14 b is flattened, the liquid composition Lr in contact with the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14 b is symmetrical with respect to the center of the partition region 8. It is applied to the position.

以降、同様に、緑用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッド、青用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッドを順次選択する（図示略）。そして、各液滴吐出ヘッドのノズルから液滴化し
た液状組成物を区画領域８内に吐出して先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する。このときも、前記と同様に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物は、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。 Thereafter, similarly, a droplet discharge head that discharges a liquid composition in which a green light emitting layer material is dissolved or dispersed in a solvent, and a droplet that discharges a liquid composition in which a blue light emitting layer material is dissolved or dispersed in a solvent. The ejection heads are sequentially selected (not shown). Then, the liquid composition formed into droplets from the nozzles of each droplet discharge head is discharged into the partition region 8 and applied onto each hole transport layer 16 previously formed. At this time, as described above, the surface shape of the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is flattened, so that the liquid composition in contact with the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is It is applied at a symmetrical position with respect to the center.

その後、再び、各液状組成物が塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。 Thereafter, the substrate 4 coated with each liquid composition is again placed in, for example, a sealed container (not shown), and the inside of the container is decompressed to evaporate the solvent in the coated liquid composition. Remove.

この結果、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される発光層１７の膜厚は、図７（ｂ）に示すように、各区画領域８内において均一となる。 As a result, the unevenness on the surface of the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b surrounding the partition region 8 is substantially symmetric with respect to the partition region 8, so that the liquid composition applied to the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b. Are uniformly pulled by the respective liquid repellent banks 14b provided at positions facing each other. As a result, the film thickness of the light emitting layer 17 to be formed is uniform in each partition region 8 as shown in FIG.

その後、撥液性バンク１４ｂ及び各発光層１７上に、ＬｉＦ層、Ｃａ層、Ａｌ層等を蒸着方法等により積層し、陰極１９を形成する。さらに、ディスプレイ部２と、別途製造されたフレキシブル回路基板３とを接続して、有機ＥＬディスプレイ１が製造される。 Thereafter, a LiF layer, a Ca layer, an Al layer, and the like are laminated on the liquid repellent bank 14b and each light emitting layer 17 by a vapor deposition method or the like to form the cathode 19. Furthermore, the organic EL display 1 is manufactured by connecting the display unit 2 and a separately manufactured flexible circuit board 3.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に親液性バンク１４ａと該親液性バンク１４ａ上に形成された撥液性バンク１４ｂとで構成されるバンク１４を形成した。そして、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化した。その結果、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心に対してほぼ対称にすることができる。 As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1) According to the present embodiment, the bank 14 composed of the lyophilic bank 14a and the lyophobic bank 14b formed on the lyophilic bank 14a at positions facing each other across the partition region 8. Formed. Then, the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b was flattened. As a result, the surface shape of the upper layer portion T of each liquid repellent bank 14 b can be made substantially symmetrical with respect to the center of the partition region 8.

従って、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する際、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌが、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物Ｌ中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、正孔輸送層１６の膜厚を均一にすることができる。
（２）本実施形態によれば、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを研磨して撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化するようにした。従って、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを確実に平坦化することができる。
（３）本実施形態によれば、発光層１７も正孔輸送層１６と同様に液滴吐出法を用いて形成したので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物が、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、発光層１７の膜厚を均一にすることができる。
（４）本実施形態によれば、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの膜厚のばらつきを抑えることができるので、良好な発光特性を有する有機ＥＬディスプレイ１を実現することができる。
（５）本実施形態によれば、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたので、正孔輸送層材料及び発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板４全面に正孔輸送層材料及び発光材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する正孔輸送層材料及び発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の正孔輸送層材料で均一な膜厚を有した正孔輸送層１６、及び少量の発光材料で均一な膜厚を有した発光層１７を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成することができる。
（６）有機膜は容易に厚い膜を形成することが可能であり、平坦化の為に研磨する膜厚を含めて成膜を行っても成膜工程への影響が少なく効率的に生産することが可能である。例えば、駆動回路と配線との間の層間絶縁膜等の無機膜にＣＭＰを行い平坦化を行おうとした場合、研磨する膜厚を含めて成膜すると、成膜時間が長くなり生産性が低下する。また、成膜のために真空装置が必要であり、成膜の能力を向上するためのコストも高い。
（第２実施形態）
次に、有機ＥＬディスプレイ１の他の製造方法について図８に従って説明する。この第２実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法は、撥液性バンク１４ｂの形成工程が異なっている他は、上記第１実施形態と同じである。従って、上記第１実施形態と異なる撥液性バンク１４ｂの形成工程のみについて説明する。 Therefore, when forming the hole transport layer 16 using the droplet discharge method, the liquid composition L in which the hole transport layer material in contact with the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is dissolved or dispersed in the solvent, It is applied at a position symmetrical to the center of the partition area 8. As a result, when the solvent in the liquid composition L is removed, the liquid composition L applied to the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is uniformly distributed by the liquid repellent banks 14b provided at positions facing each other. Therefore, the thickness of the hole transport layer 16 can be made uniform in the partition region 8.
(2) According to the present embodiment, the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is polished and flattened by using a chemical mechanical polishing method (CMP). I did it. Therefore, the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b can be reliably flattened.
(3) According to the present embodiment, since the light emitting layer 17 is also formed using the droplet discharge method similarly to the hole transport layer 16, the liquid composition in contact with the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is It is applied at a position symmetrical to the center of the partition area 8. As a result, when the solvent in the liquid composition is removed, the liquid composition applied to the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b is uniformly pulled by the liquid repellent banks 14b provided at positions facing each other. Therefore, the thickness of the light emitting layer 17 can be made uniform in the partition region 8.
(4) According to this embodiment, since the variation in the film thickness of each organic EL element OLED can be suppressed, the organic EL display 1 having good light emission characteristics can be realized.
(5) According to the present embodiment, since the hole transport layer 16 and the light emitting layer 17 are formed using the droplet discharge method, the amount of the hole transport layer material and the light emitting material used for pattern formation. Therefore, the amount of the hole transport layer material and the light emitting material to be used can be reduced as compared with the spin coating method in which the hole transport layer material and the light emitting material are applied to the entire surface of the substrate 4. Further, without using a large device such as a vacuum device, the hole transport layer 16 having a uniform film thickness with a small amount of the hole transport layer material and the light emission having a uniform film thickness with a small amount of the light emitting material. An organic EL element OLED having the layer 17 can be formed.
(6) The organic film can be easily formed as a thick film, and even if film formation including the film thickness to be polished for flattening is performed, the film is produced efficiently with little influence on the film formation process. It is possible. For example, when flattening is performed by performing CMP on an inorganic film such as an interlayer insulating film between the drive circuit and the wiring, if the film including the film thickness to be polished is formed, the film formation time becomes longer and the productivity is lowered. To do. In addition, a vacuum apparatus is necessary for film formation, and the cost for improving the film formation capability is high.
(Second Embodiment)
Next, another manufacturing method of the organic EL display 1 will be described with reference to FIG. The manufacturing method of the organic EL display 1 according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that the liquid repellent bank 14b is formed differently. Therefore, only the formation process of the liquid repellent bank 14b different from the first embodiment will be described.

図８（ａ）に示すように、上記第１実施形態と同様にして、親液性バンク１４ａを形成した後、溶媒に溶かしたアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をスピンコート或いはスリットコート法等を用いて親液性バンク１４ａ及び画素電極１３上の全面に渡って塗布する。その後、更に熱処理を行い、塗布した有機樹脂から溶媒を除去し、膜化して有機樹脂層１５を形成する。この熱処理は、有機樹脂から十分に溶媒が除去され、膜の特性が安定する様な条件で行うことが望ましい。例えばアクリル樹脂の場合１８０〜２００℃の温度で３０分程度行う。また、ポリイミド樹脂では２００〜４００℃の温度で２時間以上行うと良い。 As shown in FIG. 8A, after the lyophilic bank 14a is formed in the same manner as in the first embodiment, an organic resin such as an acrylic resin or a polyimide resin dissolved in a solvent is spin-coated or slit-coated. Etc. is applied over the entire surface of the lyophilic bank 14a and the pixel electrode 13. Thereafter, further heat treatment is performed, the solvent is removed from the applied organic resin, and a film is formed to form the organic resin layer 15. This heat treatment is desirably performed under conditions such that the solvent is sufficiently removed from the organic resin and the film characteristics are stabilized. For example, in the case of acrylic resin, it is performed at a temperature of 180 to 200 ° C. for about 30 minutes. Moreover, it is good to carry out for 2 hours or more at the temperature of 200-400 degreeC with a polyimide resin.

次に、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、形成した有機樹脂層の表面を平坦化する。この化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）処理は、上記第１実施形態とほぼ同様である。
有機樹脂層１５の表面を平坦化した後、図８（ｂ）に示すように、感光性のレジスト等をスピンコート或いはスリットコート法を用いて塗布する。続いて、熱処理によりレジストを膜化してレジスト膜ＲＡを形成する。その後、図８（ｃ）に示すようにその後、所定のパターンで露光し現像することによりレジスト膜ＲＡをパターニングしてレジストパターンＲＢを形成する。 Next, the surface of the formed organic resin layer is planarized using chemical mechanical polishing (CMP). This chemical mechanical polishing (CMP) process is substantially the same as in the first embodiment.
After the surface of the organic resin layer 15 is flattened, as shown in FIG. 8B, a photosensitive resist or the like is applied by using a spin coat method or a slit coat method. Subsequently, a resist film is formed by heat treatment to form a resist film RA. Thereafter, as shown in FIG. 8C, the resist film RA is patterned by exposure and development with a predetermined pattern to form a resist pattern RB.

次に、プラズマにより、レジストパターンＲＢ及び有機樹脂層１５をエッチングする。レジスト膜と有機樹脂層のエッチングレートが適当な選択比を有する様にエッチング条件を選ぶことで、レジストパターンＲＢを有機樹脂層１５に転写することができる。この様なエッチングは、エッチングガスとして酸素を用いた減圧雰囲気でのプラズマにより容易に行うことができる。この様な工程を用いて撥液性バンク１４ｂを形成する。 Next, the resist pattern RB and the organic resin layer 15 are etched by plasma. The resist pattern RB can be transferred to the organic resin layer 15 by selecting the etching conditions so that the etching rate of the resist film and the organic resin layer has an appropriate selection ratio. Such etching can be easily performed by plasma in a reduced pressure atmosphere using oxygen as an etching gas. The liquid repellent bank 14b is formed using such a process.

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を行う前に有機樹脂層を十分に安定化させることができる。この結果、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）時の膜剥がれや局所的なエッチングを防ぎ、高い平坦性を有する撥液性バンク１４ｂを安定して形成することができる。
（第３実施形態）
次に、第１及び第２実施形態で説明した発光装置としての有機ＥＬディスプレイ１の電子機器の適用について図９に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。 As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1) According to the present embodiment, the organic resin layer can be sufficiently stabilized before performing chemical mechanical polishing (CMP). As a result, film peeling and local etching during chemical mechanical polishing (CMP) can be prevented, and the liquid repellent bank 14b having high flatness can be stably formed.
(Third embodiment)
Next, application of the electronic device of the organic EL display 1 as the light emitting device described in the first and second embodiments will be described with reference to FIG. The organic EL display 1 can be applied to various electronic devices such as a mobile personal computer, a mobile phone, and a digital camera.

図９は、大型テレビ７０の斜視図である。この大型テレビ７０は、有機ＥＬディスプレイ１を搭載した大型テレビ用の表示ユニット７１と、スピーカー７２と、複数の操作ボタン７３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１を用いた表示ユニット７１は、その各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの正孔輸送層１６及び発光層１７は、その形状や膜厚のばらつきが無いので、輝度ムラのない表示品位の優れた画像を表示する大型テレビを提供することができる。 FIG. 9 is a perspective view of the large TV 70. The large TV 70 includes a display unit 71 for large TV on which the organic EL display 1 is mounted, a speaker 72, and a plurality of operation buttons 73. Even in this case, in the display unit 71 using the organic EL display 1, the hole transport layer 16 and the light emitting layer 17 of each organic EL element OLED have no variation in shape and film thickness, so that there is no luminance unevenness display. It is possible to provide a large television that displays an image with excellent quality.

尚、発明の実施形態は、上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第１及び第２実施形態では、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用することで平坦化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の方法を使用することによって撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化するようにしてもよい。本実施形態のように、撥液性バンク１４ｂがアクリル樹脂やポリイミド樹脂等といった低融点材料で形成されている場合では、たとえば、リフロー等が挙げられる。 In addition, embodiment of invention is not limited to said each embodiment, You may implement as follows.
In the first and second embodiments, the upper layer T of the liquid repellent bank 14b is planarized by using chemical mechanical polishing (CMP), but the present invention is not limited to this. Alternatively, the upper layer portion T of the liquid repellent bank 14b may be flattened by using another method. In the case where the liquid repellent bank 14b is formed of a low melting point material such as an acrylic resin or a polyimide resin as in the present embodiment, for example, reflow or the like can be mentioned.

○上記第１及び第２実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７及び陰極１９で構成した。これを、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７及び陰極１９以外に、例えば、発光層１７と陰極１９との間に電子輸送層を備えた構成の有機ＥＬ素子に適応してもよい。この場合においても、液滴吐出法によって電子輸送層を形成することで、電子輸送層の各膜厚を均一にすることができる。 In the first and second embodiments, the organic EL element OLED is composed of the pixel electrode 13, the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, and the cathode 19. In addition to the pixel electrode 13, the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, and the cathode 19, this can be applied to, for example, an organic EL element having a configuration in which an electron transport layer is provided between the light emitting layer 17 and the cathode 19. Good. Even in this case, each film thickness of the electron transport layer can be made uniform by forming the electron transport layer by a droplet discharge method.

○上記第１及び第２実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、発光材料を含んだ液状組成物Ｌをディスペンサーを用いて凹状領域８内全面に塗布するようにしてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。 In the first and second embodiments, the hole transport layer 16 and the light emitting layer 17 are formed using the droplet discharge method. However, the present invention is not limited to this. For example, the liquid composition L containing the light emitting material may be applied to the entire surface of the concave region 8 using a dispenser. By doing in this way, the effect similar to the said embodiment can be acquired.

○上記第１及び第２実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを使用したが、これに限定されるものではない。要は、少なくとも一部の層が液状組成物によって形成される発光素子であればどんな発光素子であってもよい。 In the first and second embodiments, the organic EL element OLED is used as the light emitting element. However, the present invention is not limited to this. In short, any light emitting element may be used as long as at least a part of the layers is formed of a liquid composition.

○上記第１及び第２実施形態では、発光装置として有機ＥＬディスプレイ１に適用したが、本発明は、これに限定されない。発光装置として、たとえば、光プリンタの光書き込みヘッドにも適用可能である。 In the first and second embodiments, the present invention is applied to the organic EL display 1 as a light emitting device, but the present invention is not limited to this. As the light emitting device, for example, it can be applied to an optical writing head of an optical printer.

図１０（ａ）に、光プリンタの光書き込みヘッドに使用される素子基板の上面図を示し、図１０（ｂ）に、その拡大図を示す。
図１０（ａ）に示すように、光書き込みヘッド８０は、ＥＬ素子部８１、走査線駆動回路８２、素子基板８３及び図示しない各種駆動素子を備えている。 FIG. 10A shows a top view of an element substrate used in the optical writing head of the optical printer, and FIG. 10B shows an enlarged view thereof.
As shown in FIG. 10A, the optical writing head 80 includes an EL element unit 81, a scanning line driving circuit 82, an element substrate 83, and various driving elements (not shown).

図１０（ｂ）に示すように、ＥＬ素子部８１は、素子基板８３上に形成されている。詳しくは、素子基板８３上に、横方向に複数個の有機ＥＬ素子８５が直線上に連なって形成された有機ＥＬ素子８５群が、縦方向に半ピッチずれて３列並んで配置されている。つまり、千鳥格子状に有機ＥＬ素子８５が配置されている。 As shown in FIG. 10B, the EL element portion 81 is formed on the element substrate 83. Specifically, on the element substrate 83, a group of organic EL elements 85 in which a plurality of organic EL elements 85 are formed in a row in a horizontal direction are arranged in three rows with a half pitch shift in the vertical direction. . That is, the organic EL elements 85 are arranged in a staggered pattern.

走査線駆動回路８２は、素子基板８３上のＥＬ素子部８１に隣接して形成され、図示しない走査線を介して各有機ＥＬ素子８５に電気的に接続されている。また、走査線駆動回路８２は、その両端側に外部接続端子８７が接続され、各走査線に走査信号を出力するタイミングを制御する制御信号等を出力する図示しない外部制御回路に電気的に接続されるようになっている。また、各種駆動素子は、上記第１実施形態と同様な周辺回路である。そして、素子基板８３上にはＥＬ素子部８１及び走査線駆動回路８２を封止する封止基板８８が設けられている。 The scanning line driving circuit 82 is formed adjacent to the EL element portion 81 on the element substrate 83 and is electrically connected to each organic EL element 85 via a scanning line (not shown). Further, the scanning line driving circuit 82 has external connection terminals 87 connected to both ends thereof, and is electrically connected to an external control circuit (not shown) that outputs a control signal for controlling the timing of outputting the scanning signal to each scanning line. It has come to be. The various drive elements are peripheral circuits similar to those in the first embodiment. A sealing substrate 88 that seals the EL element portion 81 and the scanning line driving circuit 82 is provided on the element substrate 83.

そして、各有機ＥＬ素子８５の間には、上記第１及び第２実施形態と同様なバンクＢが形成されている。このような構成をした光書き込みヘッド８０においても、上記第１及び第２実施形態と同様に、バンクＢの上層部が化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用することで平坦化されている。従って、上記各実施形態と同様な効果を得ることができる。 And between each organic EL element 85, the bank B similar to the said 1st and 2nd embodiment is formed. Also in the optical writing head 80 having such a configuration, the upper layer portion of the bank B is flattened by using a chemical mechanical polishing method (CMP) as in the first and second embodiments. . Therefore, the same effects as those in the above embodiments can be obtained.

有機ＥＬディスプレイの正面図。The front view of an organic electroluminescent display. （ａ）は、区画領域及びその周辺の配線パターンを説明するための平面図、（ｂ）は、（ａ）中ａ−ａ線断面図。(A) is a top view for demonstrating a division area | region and its surrounding wiring pattern, (b) is the sectional view on the aa line in (a). （ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。(A)-(d) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on 1st Embodiment, respectively. 同じく、（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a)-(d) is a figure for demonstrating the manufacturing method of an organic electroluminescent display, respectively. 同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on 1st Embodiment, respectively. 同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a) and (b) are views for explaining a method of manufacturing the organic EL display according to the first embodiment. 同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。Similarly, (a) and (b) are views for explaining a method of manufacturing the organic EL display according to the first embodiment. （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第２実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。(A)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display which concerns on 2nd Embodiment, respectively. 第３実施形態に係る電子機器としての大型テレビの斜視図。The perspective view of the large sized television as an electronic device which concerns on 3rd Embodiment. （ａ），（ｂ）は、それぞれ、別例を説明するための図。(A), (b) is a figure for demonstrating another example, respectively.

Explanation of symbols

ＯＬＥＤ…発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、Ｔ…上層部、１…発光装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、２…基板、８…区画領域、１３…陽極としての画素電極、１４…バンク、１４ａ…第１のバンクとしての親液性バンク、１４ｂ…第２のバンクとしての撥液性バンク、１７…発光層、１９…陰極。 OLED: organic electroluminescence element as light emitting element, T: upper layer part, 1 ... organic electroluminescence display as light emitting device, 2 ... substrate, 8 ... partition region, 13 ... pixel electrode as anode, 14 ... bank, 14a ... A lyophilic bank as the first bank, 14b ... a liquid repellent bank as the second bank, 17 ... a light emitting layer, 19 ... a cathode.

Claims

A plurality of first wirings arranged at predetermined intervals along one direction on the substrate, and a plurality of first wirings arranged at predetermined intervals so as to intersect each of the plurality of first wirings. 2 wires,
A light emitting layer formed so as to cover the plurality of first wirings and the plurality of second wirings and provided corresponding to an intersection of the first wirings and the second wirings; In a method for manufacturing a light emitting device including a partition wall arranged to partition a light emitting layer,
A partition formation step of forming the partition;
A partition planarization step of planarizing the upper layer of the partition;
And a light emitting layer forming step of forming a light emitting layer in a region partitioned by the partition wall.

In the manufacturing method of the light-emitting device according to claim 1,
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the partition planarization step is performed by a chemical mechanical polishing method.

In the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 1 or 2,
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the partition wall is formed of an organic resin.

In the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 1 or 2,
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the light emitting layer forming step is performed by a droplet discharge method.

A light emitting device manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to claim 1.