JP2007095608A - Electrooptical device, electronic apparatus and method of manufacturing electrooptical device - Google Patents

Electrooptical device, electronic apparatus and method of manufacturing electrooptical device Download PDF

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司 大田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptical device capable of further improving accuracy of a formation position of a thin film when the thin film is formed by applying and drying a liquid composition; to provide an electronic apparatus; and to provide a method of manufacturing the electrooptical device. <P>SOLUTION: In the method of manufacturing an electrooptical device, hole injection/transport layers and a luminescent layer of an light emitting element are formed by forming barrier ribs 112, thereafter applying a liquid composition to the insides of the barrier ribs 12 and drying it. In forming the barrier ribs 112, organic barrier ribs 112b are formed by a resin with liquid-repellent particles such as fluorine resin particles dispersed therein, thereafter minute uneven parts are formed by etching the surfaces thereof to partially expose the multiple liquid-repellent particles, and thereby a liquid-repellent property to the liquid composition is previously enhanced. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置、電子機器および電気光学装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device, an electronic apparatus, and a method for manufacturing the electro-optical device.

近年、有機蛍光材料等の発光材料を液状組成物とし、この液状組成物を基材上にインクジェット法により吐出することにより、発光材料のパターニングを行う方法を採用して、陽極および陰極の間に該発光材料からなる発光層が挟持された構造の有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置の開発が行われており、かかる有機EL装置は、例えば、複写機などの画像形成装置のラインヘッドや、表示装置などといった電気光学装置として用いられる。   In recent years, a light emitting material such as an organic fluorescent material is used as a liquid composition, and a method of patterning the light emitting material by ejecting the liquid composition onto a substrate by an ink jet method is employed between the anode and the cathode. An organic EL (electroluminescence) device having a structure in which a light emitting layer made of the light emitting material is sandwiched has been developed. Such an organic EL device is, for example, a line head of an image forming apparatus such as a copying machine or a display device. It is used as an electro-optical device.

また、液状組成物を吐出する際、所定領域から液状組成物がはみ出ないように、液状組成物の塗布領域をバンクと称せられる隔壁で囲むとともに、隔壁の少なくとも上部を有機物から構成することにより、隔壁に撥液性を付与する技術が提案されている(特許文献1参照)。
特開2003−249375号公報
Further, when the liquid composition is discharged, the liquid composition coating region is surrounded by a partition called a bank so that the liquid composition does not protrude from the predetermined region, and at least the upper part of the partition is made of an organic material, A technique for imparting liquid repellency to the partition walls has been proposed (see Patent Document 1).
JP 2003-249375 A

近年、表示装置などでは画素の微細化が進んでおり、かかる微細化に対応するには、液状組成物の塗布位置の精度をさらに向上する必要がある。しかしながら、特許文献1に記載の技術で隔壁に撥液性を付すだけでは、塗布領域が微細化した場合には、塗布した液状組成物が隔壁を乗り越えて隣接する領域にはみ出すのを確実に防止することができないという問題点がある。   In recent years, pixel miniaturization has progressed in display devices and the like, and in order to cope with such miniaturization, it is necessary to further improve the accuracy of the application position of the liquid composition. However, if the partition region is made finer by simply applying the liquid repellency to the partition wall by the technique described in Patent Document 1, it is possible to reliably prevent the applied liquid composition from overcoming the partition wall and protruding into the adjacent region. There is a problem that cannot be done.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、液状組成物を塗布、乾燥させて薄膜を形成するにあたって、薄膜の形成位置精度をさらに向上することのできる電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electro-optical device, an electronic apparatus, and an electric device capable of further improving the formation position accuracy of a thin film when a thin film is formed by applying and drying a liquid composition. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical device.

上記課題を解決するために、本発明では、複数の薄膜形成領域の全域にわたって薄膜が薄膜形成領域毎に独立して形成された電気光学装置において、前記複数の薄膜形成領域は、少なくとも上面で多数の撥液性粒子が露出している隔壁により囲まれていることを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, in the present invention, in the electro-optical device in which the thin film is formed independently for each thin film formation region over the entire area of the plurality of thin film formation regions, the plurality of thin film formation regions include a large number at least on the upper surface. The liquid repellent particles are surrounded by exposed partition walls.

本発明では、複数の薄膜形成領域の全域にわたって薄膜が当該薄膜形成領域毎に独立して形成された電気光学装置の製造方法において、少なくとも上部で多数の撥液性粒子が分散する隔壁により前記薄膜形成領域を囲む隔壁形成工程と、前記隔壁の表面をエッチングして前記隔壁の表面で前記多数の撥液性粒子の一部を露出させる撥液性粒子露出工程と、前記隔壁の内側に液状組成物を塗布した後、乾燥させて前記薄膜を形成する薄膜形成工程とを有することを特徴とする。   According to the present invention, in the method of manufacturing an electro-optical device in which a thin film is formed independently for each thin film formation region over the entire area of the plurality of thin film formation regions, the thin film is formed by a partition in which a large number of liquid repellent particles are dispersed at least in the upper part A partition forming step surrounding the formation region, a liquid repellent particle exposing step of etching the surface of the partition wall to expose a part of the liquid repellent particles on the surface of the partition wall, and a liquid composition inside the partition wall A thin film forming step of forming the thin film by applying an object and then drying.

本発明では、隔壁の少なくとも上面で多数の撥液性粒子が露出しているため、かかる隔壁の少なくとも上面は、薄膜を形成するための液状組成物に対して接触角が70°以上の撥液性を発揮する。このため、隔壁の内側に液状組成物を塗布した際、液状組成物が隔壁を乗り越えて隣接する領域にはみ出すことがない。従って、液状組成物の塗布位置の精度が高いので、隔壁により囲まれた領域が狭い場合でも、液状組成物を正確に塗布することができる。   In the present invention, since a large number of liquid repellent particles are exposed on at least the upper surface of the partition wall, at least the upper surface of the partition wall has a contact angle of 70 ° or more with respect to the liquid composition for forming a thin film. Demonstrate sex. For this reason, when the liquid composition is applied to the inside of the partition wall, the liquid composition does not get over into the adjacent region over the partition wall. Therefore, since the accuracy of the application position of the liquid composition is high, the liquid composition can be applied accurately even when the region surrounded by the partition walls is narrow.

本発明において、前記隔壁の少なくとも上面では、露出した前記撥液性粒子により微細な凹凸が多数、形成されていることが好ましい。このような電気光学装置の製造方法では、前記撥液性粒子露出工程において、露出した前記撥液性粒子により前記隔壁の表面に微細な凹凸を多数、形成する。このように構成すると、微細な凹凸では液状物との接触面積が狭いため、薄膜を形成するための液状組成物に対して接触角が70°以上の撥液性、さらには接触角が150°以上の超撥液性を実現できる。このため、隔壁の内側に液状組成物を塗布した際、液状組成物が隔壁を乗り越えて隣接する領域にはみ出すことがない。従って、液状組成物の塗布位置の精度が高いので、隔壁により囲まれた領域が狭い場合でも、液状組成物を正確に塗布することができる。   In the present invention, it is preferable that at least the upper surface of the partition wall has a large number of fine irregularities formed by the exposed liquid repellent particles. In such a method of manufacturing an electro-optical device, in the liquid repellent particle exposure step, a number of fine irregularities are formed on the surface of the partition wall by the exposed liquid repellent particles. With such a configuration, the contact area with the liquid material is narrow in the fine unevenness, so that the liquid repellent property having a contact angle of 70 ° or more with respect to the liquid composition for forming a thin film, and further the contact angle is 150 °. The above super liquid repellency can be realized. For this reason, when the liquid composition is applied to the inside of the partition wall, the liquid composition does not get over into the adjacent region over the partition wall. Therefore, since the accuracy of the application position of the liquid composition is high, the liquid composition can be applied accurately even when the region surrounded by the partition walls is narrow.

本発明において、前記隔壁の少なくとも上部は、多数の撥液性粒子が分散する撥液性粒子含有有機物隔壁で構成され、当該撥液性粒子含有有機物隔壁の少なくとも上面で前記多数の撥液性粒子の一部が露出している構成を採用することができる。このような電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記隔壁の少なくとも上部を前記多数の撥液性粒子が分散する撥液性粒子含有有機物隔壁で構成する。   In the present invention, at least the upper part of the partition wall is composed of a liquid-repellent particle-containing organic partition wall in which a large number of liquid-repellent particles are dispersed, and the liquid-repellent particle-containing organic partition wall is at least the upper surface of the liquid-repellent particle-containing organic material partition wall. It is possible to adopt a configuration in which a part of is exposed. In such an electro-optical device manufacturing method, in the partition forming step, at least an upper part of the partition is constituted by a liquid repellent particle-containing organic material partition in which the plurality of liquid repellent particles are dispersed.

本発明において、前記撥液性粒子露出工程では、プラズマ処理により前記隔壁の表面をエッチングすることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the surface of the partition wall is etched by plasma treatment in the liquid repellent particle exposure step.

本発明において、前記撥液性粒子は、フッ素樹脂粒子であることが好ましい。フッ素樹脂粒子は撥液性に優れ、かつ、耐熱性や耐薬品性にも優れている。   In the present invention, the liquid repellent particles are preferably fluororesin particles. The fluororesin particles are excellent in liquid repellency and excellent in heat resistance and chemical resistance.

本発明において、前記撥液性粒子は、平均粒径が0.5から2.0μmであることが好ましい。このように構成すると、前記撥液性粒子を露出させると、撥液性の向上に優れた凹凸を形成することができる。   In the present invention, the liquid repellent particles preferably have an average particle size of 0.5 to 2.0 μm. If comprised in this way, when the said liquid repellent particle | grains are exposed, the unevenness | corrugation excellent in the liquid repellency improvement can be formed.

本発明において、前記薄膜は、発光素子の機能層であり、前記複数の薄膜形成領域の各々には、前記機能層の下層側に第1の電極が形成され、前記機能層の上層には第2の電極が形成されている。このような電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程の前に、前記複数の薄膜領域の各々に第1の電極を形成する第1の電極形成工程を行い、前記薄膜形成工程の後、前記薄膜の上層側に第2の電極を形成する第2の電極形成工程を行う。   In the present invention, the thin film is a functional layer of a light emitting element, and in each of the plurality of thin film formation regions, a first electrode is formed on a lower layer side of the functional layer, and a first layer is formed on an upper layer of the functional layer. Two electrodes are formed. In such a method of manufacturing an electro-optical device, a first electrode forming step of forming a first electrode in each of the plurality of thin film regions is performed before the partition forming step, and after the thin film forming step, A second electrode forming step of forming a second electrode on the upper layer side of the thin film is performed.

本発明に係る電気光学装置は、複写機などの画像形成装置のラインヘッドや、表示装置などといった電子機器に用いられる。   The electro-optical device according to the present invention is used in an electronic apparatus such as a line head of an image forming apparatus such as a copying machine or a display device.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。本発明は、複数の薄膜形成領域の全域にわたって薄膜が薄膜形成領域毎に独立して形成された電気光学装置に適用されるものであるが、以下の説明では、有機EL装置において、各画素毎に発光素子(有機EL素子の機能層(正孔注入・輸送層および発光層)を形成する場合に本発明を適用した例を説明する。なお、なお、参照する図面において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention is applied to an electro-optical device in which a thin film is formed independently for each thin film formation region over the entire area of the plurality of thin film formation regions. An example in which the present invention is applied in the case of forming a light emitting element (functional layer (hole injection / transport layer and light emitting layer) of an organic EL element) will be described. In order to make the size recognizable on the drawing, the scale of each layer and each member is different from the actual one.

[実施の形態1]
図1は、本発明が適用される電気光学装置の一例としてのアクティブマトリクス型の有機EL表示装置の電気的構成を示すブロック図である。図1に示す電気光学装置1は、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101および信号線102の各交点付近に、画素領域100が設けられている。信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路104が接続され、走査線101には、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路105が接続されている。画素領域100の各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ112と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量7と、保持容量7によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ123と、この駆動用薄膜トランジスタ123を介して電源線103に電気的に接続したときに当該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極111(陽極/第1の電極)と、この画素電極111と陰極12(第2の電極)との間に挟まれた機能層110とが設けられている。ここで、画素電極111、機能層110および陰極12は、有機EL素子からなる発光素子5を構成している。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an active matrix organic EL display device as an example of an electro-optical device to which the present invention is applied. The electro-optical device 1 illustrated in FIG. 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and a plurality of power supply lines 103 extending in parallel to the signal lines 102. In addition to having a wired configuration, a pixel region 100 is provided near each intersection of the scanning line 101 and the signal line 102. A data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102, and a scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101. Each pixel region 100 holds a switching thin film transistor 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101, and a pixel signal supplied from the signal line 102 via the switching thin film transistor 112. The storage capacitor 7 to be driven, the driving thin film transistor 123 to which the pixel signal held by the storage capacitor 7 is supplied to the gate electrode, and the power source when electrically connected to the power source line 103 through the driving thin film transistor 123 A pixel electrode 111 (anode / first electrode) through which a driving current flows from the line 103 and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode 12 (second electrode) are provided. Here, the pixel electrode 111, the functional layer 110, and the cathode 12 constitute a light emitting element 5 made of an organic EL element.

かかる構成によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ112がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量7に保持され、該保持容量7に状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ123のチャネルを介して、電源線103から画素電極111に電流が流れ、さらに機能層110を介して陰極12に電流が流れる。その結果、機能層110は、これを流れる電流量に応じて発光する。   According to this configuration, when the scanning line 101 is driven and the switching thin film transistor 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 7, and the holding capacitor 7 is driven according to the state. The on / off state of the thin film transistor 123 is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving thin film transistor 123, and further current flows to the cathode 12 through the functional layer 110. As a result, the functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.

[各画素領域の構成]
図2は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の断面図である。有機EL装置の基本的な構造は周知であるため、その詳細説明は省略するが、本形態の電気光学装置1の断面構造は概ね、図2に示すように表される。図2には、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色分の画素領域100が示されており、基板2上には、薄膜トランジスタなどにより画素駆動回路が形成された回路素子部14と、画素電極111と、機能層110を備えた発光素子部11と、陰極12とが順次積層された構成になっている。陰極層12の表面側には、封止樹脂、封止基板、封止缶などにより封止部が構成されるが、本発明と直接的な関係がないので、その図示を省略してある。
[Configuration of each pixel area]
FIG. 2 is a cross-sectional view of the electro-optical device according to Embodiment 1 of the present invention. Since the basic structure of the organic EL device is well known, detailed description thereof is omitted, but the cross-sectional structure of the electro-optical device 1 of this embodiment is generally represented as shown in FIG. FIG. 2 shows a pixel region 100 for three colors of red (R), green (G), and blue (B), and a circuit in which a pixel driving circuit is formed on the substrate 2 by a thin film transistor or the like. The light emitting element part 11 provided with the element part 14, the pixel electrode 111, the functional layer 110, and the cathode 12 are laminated | stacked one by one. On the surface side of the cathode layer 12, a sealing portion is constituted by a sealing resin, a sealing substrate, a sealing can, and the like.

本形態の電気光学装置1において、陰極12はAlなどの反射材料から構成されており、機能層110から基板2側に発した光は、回路素子部14および基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるとともに、機能層110から基板2の反対側に発した光は、陰極12により反射されて回路素子部14および基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されるようになっている。なお、陰極12として、ITO、Pt、Ir、Ni、Pdなどの透明な材料を用い、かつ、画素電極111の下層側に反射層を形成すれば、陰極12側から光を出射させることができる。   In the electro-optical device 1 of the present embodiment, the cathode 12 is made of a reflective material such as Al, and light emitted from the functional layer 110 toward the substrate 2 passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2 and passes through the substrate 2. Light emitted to the lower side (observer side) and emitted from the functional layer 110 to the opposite side of the substrate 2 is reflected by the cathode 12 and passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2 to be below the substrate 2. It is emitted to the (observer side). If a transparent material such as ITO, Pt, Ir, Ni, or Pd is used as the cathode 12 and a reflective layer is formed on the lower layer side of the pixel electrode 111, light can be emitted from the cathode 12 side. .

以下、各部分の構成を具体的に説明する。まず、回路素子部14では、基板2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。半導体膜141には、ソース領域141aおよびドレイン領域141bが高濃度P(リン)イオン打ち込みにより形成され、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。また、回路素子部14には、下地保護膜2cおよび半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線101)が形成され、ゲート電極143およびゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に形成されている。また、層間絶縁膜144a、144bには、これらの絶縁膜を貫通して半導体膜141のソース、ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されたコンタクトホール145、146が形成されている。   Hereinafter, the structure of each part is demonstrated concretely. First, in the circuit element portion 14, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 2, and an island-shaped semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed on the base protective film 2c. In the semiconductor film 141, a source region 141a and a drain region 141b are formed by high concentration P (phosphorus) ion implantation, and a portion where P is not introduced becomes a channel region 141c. Further, a transparent gate insulating film 142 covering the base protective film 2c and the semiconductor film 141 is formed in the circuit element portion 14, and a gate electrode made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like is formed on the gate insulating film 142. 143 (scanning line 101) is formed, and a transparent first interlayer insulating film 144a and a second interlayer insulating film 144b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142. The gate electrode 143 is formed at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141. In addition, contact holes 145 and 146 are formed in the interlayer insulating films 144a and 144b so as to penetrate through these insulating films and are connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141, respectively.

第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定形状にパターニング形成されており、一方のコンタクトホール145がこの画素電極111に接続され、他方のコンタクトホール146が電源線103に接続されている。このようにして、回路素子部14には、各画素電極111に接続された駆動用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量7およびスイッチング用の薄膜トランジスタ142も形成されているが、図2ではこれらの図示を省略してある。   A transparent pixel electrode 111 made of ITO or the like is patterned and formed in a predetermined shape on the second interlayer insulating film 144b. One contact hole 145 is connected to the pixel electrode 111, and the other contact hole 146 is a power source. Connected to line 103. In this way, the driving thin film transistor 123 connected to each pixel electrode 111 is formed in the circuit element unit 14. The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor 7 and the switching thin film transistor 142 described above, but these are not shown in FIG.

次に、発光素子部11には、複数の画素電極111の上層に積層された機能層110と、隣接する機能層110の間に形成されて各機能層110の周りを囲むバンク状の隔壁11とが構成されている。本形態では、機能層110が本発明における薄膜に相当し、隔壁11で囲まれた領域が本発明における薄膜形成領域に相当する。   Next, in the light emitting element portion 11, a bank-like partition wall 11 formed between the functional layer 110 stacked on the upper layer of the plurality of pixel electrodes 111 and the adjacent functional layer 110 and surrounding each functional layer 110. And are configured. In this embodiment, the functional layer 110 corresponds to the thin film in the present invention, and the region surrounded by the partition walls 11 corresponds to the thin film formation region in the present invention.

機能層110上には陰極12が形成されており、画素電極111、機能層110および陰極12によって発光素子5が構成されている。   A cathode 12 is formed on the functional layer 110, and the light emitting element 5 is configured by the pixel electrode 111, the functional layer 110, and the cathode 12.

機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入・輸送層110aと、正孔注入・輸送層110a上に積層された発光層110bとから構成されている。なお、発光層110bに隣接してその他の機能を有する他の機能層、例えば、電子輸送層を形成することもある。正孔注入・輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入・輸送層110a内部において輸送する機能を有する。また、発光層110bでは、正孔注入・輸送層110aから注入された正孔と、陰極12から注入される電子が発光層で再結合し、発光が行われる。ここで、発光層110bは、各画素が対応する色毎に、赤色(R)に発光する赤色発光層、緑色(G)に発光する緑色発光層、および青色(B)に発光する青色発光層として形成されている。   The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a stacked on the pixel electrode 111 and a light emitting layer 110b stacked on the hole injection / transport layer 110a. Note that another functional layer having other functions, for example, an electron transport layer may be formed adjacent to the light emitting layer 110b. The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the light emitting layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. In the light emitting layer 110b, the holes injected from the hole injecting / transporting layer 110a and the electrons injected from the cathode 12 are recombined in the light emitting layer to emit light. Here, the light emitting layer 110b includes, for each color corresponding to each pixel, a red light emitting layer that emits red (R), a green light emitting layer that emits green (G), and a blue light emitting layer that emits blue (B). It is formed as.

正孔注入・輸送層110aは、後述するように、正孔注入・輸送層形成材料および極性溶媒を含む液状組成物を隔壁112の内側に吐出してから極性溶媒を除去して形成されたものである。発光層110bも、発光層形成材料および非極性溶媒を含む液状組成物を隔壁112の内側に吐出してから非極性溶媒を除去して形成されたものである。   The hole injecting / transporting layer 110a is formed by discharging a liquid composition containing a hole injecting / transporting layer forming material and a polar solvent into the partition 112 and removing the polar solvent, as will be described later. It is. The light emitting layer 110b is also formed by discharging the liquid composition containing the light emitting layer forming material and the nonpolar solvent into the partition 112 and then removing the nonpolar solvent.

陰極12は、発光素子部11の全面に形成されており、画素電極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。陰極12は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層110bに直接に接して発光層110bに電子を注入する役割を果たす。なお、発光層112bの材料によっては発光効率を高めることを目的に、発光層110と陰極12との間にLiFを形成する場合もある。ここで、陰極12を形成するアルミニウムは、発光層110bから発した光を基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等を用いることができる。   The cathode 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11 and plays a role of flowing a current through the functional layer 110 in a pair with the pixel electrode 111. For example, the cathode 12 is formed by laminating a calcium layer and an aluminum layer. At this time, it is preferable to provide a cathode having a low work function on the cathode near the light emitting layer, and in this embodiment, in particular, it plays a role of injecting electrons into the light emitting layer 110b in direct contact with the light emitting layer 110b. Depending on the material of the light emitting layer 112b, LiF may be formed between the light emitting layer 110 and the cathode 12 for the purpose of increasing the light emission efficiency. Here, the aluminum that forms the cathode 12 reflects light emitted from the light emitting layer 110b toward the substrate 2, and an Ag film, a laminated film of Al and Ag, or the like can be used in addition to the Al film.

(隔壁の構成)
図3(a)、(b)は、本発明を適用した電気工学装置に形成した有機物隔壁において、表面で多数の撥液性粒子が露出して多数の凹凸を形成している様子を示す説明図である。
(Structure of the partition wall)
3 (a) and 3 (b) illustrate how a large number of liquid-repellent particles are exposed on the surface to form a large number of irregularities in an organic partition formed in an electrical engineering device to which the present invention is applied. FIG.

図2に示す電気光学装置1において、隔壁112は、正孔注入・輸送層110aや発光層110bを形成するための液状組成物を塗布する範囲を規定するものであり、本形態では、下層側(基板2側)に位置する無機物隔壁112aと、この無機物隔壁112aの上層に積層された有機物隔壁112bとから構成されている。ここで、無機物隔壁112aは、有機物隔壁112bの下端部よりも画素電極111の中央側に向けてはみ出している。なお、無機物隔壁112aおよび有機物隔壁112は、一部が画素電極111の周縁部上に乗上げるように形成されているが、画素電極111の外周縁からわずかに離れた位置に隔壁112が形成されることもある。   In the electro-optical device 1 shown in FIG. 2, the partition 112 defines a range in which a liquid composition for forming the hole injection / transport layer 110a and the light emitting layer 110b is applied. It is comprised from the inorganic partition 112a located in the (substrate 2 side), and the organic partition 112b laminated | stacked on the upper layer of this inorganic partition 112a. Here, the inorganic partition 112a protrudes toward the center of the pixel electrode 111 from the lower end of the organic partition 112b. Note that the inorganic partition 112a and the organic partition 112 are formed so that part of them rises on the peripheral edge of the pixel electrode 111, but the partition 112 is formed at a position slightly away from the outer periphery of the pixel electrode 111. Sometimes.

このような構成の隔壁112において、無機物隔壁112aは、例えば、SiO、SiO2、TiO2等の無機材料からなり、その膜厚は、例えば50〜200nmの範囲である。有機物隔壁112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストから形成され、その厚さは、例えば0.1〜3.5μmの範囲である。 In the partition 112 having such a configuration, the inorganic partition 112a is made of, for example, an inorganic material such as SiO, SiO 2 , TiO 2 , and the thickness thereof is, for example, in the range of 50 to 200 nm. The organic partition 112b is formed from a resist having excellent heat resistance and solvent resistance, such as acrylic resin and polyimide resin, and has a thickness in the range of, for example, 0.1 to 3.5 μm.

このような隔壁112において、無機物隔壁112aは、正孔注入・輸送層110aや発光層110bを形成するための液状組成物に対して親液性を備えている。また、画素電極111の無機物隔壁112aからの露出部分も、正孔注入・輸送層110aや発光層110bを形成するための液状組成物に対して親液性を備えている。このような親液性は、後述する製造方法で説明するように、無機物隔壁112a、および画素電極111の無機物隔壁112aからの露出部分に対するプラズマ処理によって実現できる。   In such a partition 112, the inorganic partition 112a is lyophilic with respect to the liquid composition for forming the hole injection / transport layer 110a and the light emitting layer 110b. Further, the exposed portion of the pixel electrode 111 from the inorganic partition 112a is also lyophilic with respect to the liquid composition for forming the hole injection / transport layer 110a and the light emitting layer 110b. Such lyophilicity can be realized by plasma treatment on the inorganic partition 112a and the exposed portion of the pixel electrode 111 from the inorganic partition 112a, as will be described later in the manufacturing method.

これに対して、有機物隔壁112bは、図3(b)に示すように、多数の撥液性粒子9が分散する撥液性粒子含有有機物隔壁として構成されている。また、有機物隔壁112bでは、その上面112fも含めて表面全体で多数の撥液性粒子9の一部が露出し、かつ、露出した撥液性粒子9によって表面には微細な凹凸が形成されている。このため、有機物隔壁112bは、上面112fを含めた表面全体が、正孔注入・輸送層110aや発光層110bを形成するための液状組成物に対して接触角が70°以上の撥液性を備えており、さらには、接触角が150°以上の超撥液性を備えている。このような撥液性を実現するにあたって、本形態では、詳しくは後述するように、図3(a)に示すように、多数の撥液性粒子9が分散した樹脂により有機物隔壁112bを形成した後、有機物隔壁112bの表面を例えば0.2〜1.0μmの深さまでエッチングし、多数の撥液性粒子9の一部を露出させて微細な凹凸を形成する。このような撥液性粒子9としては、フッ素樹脂粒子を用いることが好ましく、その平均粒径は0.5から2.0μmであることが好ましい。フッ素樹脂粒子は撥液性に優れ、かつ、耐熱性や耐薬品性にも優れているからである。また、撥液性粒子9の平均粒径が0.5から2.0μmである場合、撥液性粒子9を露出させた際、撥液性の向上に優れた凹凸を形成することができる。   On the other hand, as shown in FIG. 3B, the organic partition 112b is configured as a liquid repellent particle-containing organic partition in which a large number of liquid repellent particles 9 are dispersed. Further, in the organic partition 112b, a part of the many liquid repellent particles 9 is exposed on the entire surface including the upper surface 112f, and fine irregularities are formed on the surface by the exposed liquid repellent particles 9. Yes. For this reason, the entire surface of the organic partition 112b including the upper surface 112f has liquid repellency with a contact angle of 70 ° or more with respect to the liquid composition for forming the hole injection / transport layer 110a and the light emitting layer 110b. Furthermore, it has super liquid repellency with a contact angle of 150 ° or more. In realizing this liquid repellency, in this embodiment, as will be described in detail later, as shown in FIG. 3A, an organic partition 112b is formed of a resin in which a large number of liquid repellant particles 9 are dispersed. Then, the surface of the organic partition 112b is etched to a depth of, for example, 0.2 to 1.0 μm to expose a part of the many liquid repellent particles 9 to form fine irregularities. As such liquid repellent particles 9, it is preferable to use fluororesin particles, and the average particle size is preferably 0.5 to 2.0 μm. This is because the fluororesin particles are excellent in liquid repellency and excellent in heat resistance and chemical resistance. Moreover, when the average particle diameter of the liquid repellent particles 9 is 0.5 to 2.0 μm, when the liquid repellent particles 9 are exposed, irregularities excellent in improving the liquid repellency can be formed.

(電気光学装置1の製造方法)
図4〜図7を参照して本形態の電気光学装置1の製造方法を説明する。図4は、本形態の電気光学装置1の製造工程を示す工程図である。図5〜図7は、本形態の電気光学装置1の製造工程を示す工程断面図である。
(Method of manufacturing electro-optical device 1)
A method for manufacturing the electro-optical device 1 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a process diagram showing a manufacturing process of the electro-optical device 1 of the present embodiment. 5 to 7 are process cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the electro-optical device 1 according to this embodiment.

図4に示すように、本形態の電気光学装置1を製造するにあたっては、素子回路部14を形成した後、以下の工程
ST11:隔壁形成工程
ST12:撥液性粒子露出工程
ST13:正孔注入・輸送層形成液塗布工程
ST14:正孔注入・輸送層定着工程
ST15:発光層形成液塗布工程
ST16:発光層定着工程
を行う。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
As shown in FIG. 4, in manufacturing the electro-optical device 1 of the present embodiment, after forming the element circuit portion 14, the following steps ST11: partition formation step ST12: liquid repellent particle exposure step ST13: hole injection -Transport layer forming liquid application process ST14: Hole injection / transport layer fixing process ST15: Light emitting layer forming liquid application process ST16: Light emitting layer fixing process. In addition, a manufacturing method is not restricted to this, When other processes are removed as needed, it may be added.

以下、図5〜図7も参照して、上記の各工程を説明する。図5(a)に示す隔壁形成工程ST11では、まず、無機物隔壁形成工程ST111として、基板2上の所定の位置(機能層110の形成領域(薄膜形成領域)を囲む位置)に無機物隔壁112aを形成する。このような無機物隔壁112aは、例えば、SiO2、TiO2等の無機材料をCVD法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって、例えば50〜200nmの厚さに成膜した後、フォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより形成される。 Hereinafter, each process will be described with reference to FIGS. In the partition formation step ST11 shown in FIG. 5A, first, as the inorganic partition formation step ST111, the inorganic partition 112a is formed at a predetermined position on the substrate 2 (position surrounding the formation region (thin film formation region) of the functional layer 110). Form. Such an inorganic partition 112a is formed by, for example, depositing an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2 to a thickness of, for example, 50 to 200 nm by a CVD method, a coating method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. It is formed by patterning with the above.

次に、図5(b)に示す有機物隔壁形成工程ST112では、無機物隔壁112a上に有機物隔壁112bを形成する。このような有機物隔壁112bは、アクリル樹脂等の樹脂材料に撥液性微粒子9を分散させたものを全面に形成した後、フォトリソグラフィ技術等によりパターニングすることにより形成される。ここで、撥液性粒子9としては、例えば、粒径が0.3から2.0μmで平均粒径が1.0μmのフッ素樹脂粒子を用いる。また、有機物隔壁112bの厚さは、0.1〜3.5μmの範囲が好ましく、特に2μm程度がよい。厚さが0.1μm未満では、後述する正孔注入・輸送層および発光層の合計厚より有機物隔壁112bが薄く、発光層110bが溢れてしまうので好ましくない。また、厚さが3.5μmを越えると、陰極12のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物隔壁112bの厚さを2μm以上にすれば、陰極12と駆動用の薄膜トランジスタ123との絶縁を高めることができる。   Next, in the organic partition wall formation step ST112 shown in FIG. 5B, the organic partition wall 112b is formed on the inorganic partition wall 112a. The organic partition 112b is formed by forming a resin material such as an acrylic resin in which the liquid-repellent fine particles 9 are dispersed on the entire surface, and then patterning with a photolithography technique or the like. Here, as the liquid repellent particles 9, for example, fluororesin particles having a particle diameter of 0.3 to 2.0 μm and an average particle diameter of 1.0 μm are used. The thickness of the organic partition 112b is preferably in the range of 0.1 to 3.5 μm, and particularly preferably about 2 μm. If the thickness is less than 0.1 μm, the organic partition 112b is thinner than the total thickness of the hole injection / transport layer and the light emitting layer, which will be described later, and the light emitting layer 110b overflows. On the other hand, when the thickness exceeds 3.5 μm, step coverage of the cathode 12 cannot be secured, which is not preferable. Further, when the thickness of the organic partition 112b is 2 μm or more, the insulation between the cathode 12 and the driving thin film transistor 123 can be enhanced.

次に、図5(c)に示す撥液性粒子露出工程ST12として、本形態では、アルゴン含有雰囲気中で有機物隔壁112b表面にスパッタリング効果を有する条件でプラズマ処理を行う。それには、プラズマに対する投入パワーと、自己バイアスとを別々に制御可能なプラズマ処理装置において、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスを用い、かつ、比較的低い圧力で高いバイアスパワーを印加して、有機物隔壁112bの上面112fも含めて、表面全体にプラズマ処理を行う。このような条件ではスパッタリング効果が高いため、そのスパッタリング効果により、図3(a)に示す有機物隔壁112bの表面では、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂マトリクス部分がエッチングされる一方、撥液性微粒子9はほとんどエッチングされない。従って、有機物隔壁112bの表面では、図3(b)に示すように、多数の撥液性粒子9の一部が露出して微細な凹凸を形成する。ここで、撥液性粒子9の平均粒径は比較的大きい方が、高い撥液性を得るのに適した凹凸を形成することができ、撥液性粒子9の平均粒径は0.5から2.0μmが好ましい。撥液性粒子9として用いたフッ素樹脂粒子は、撥液性に優れ、かつ、耐熱性や耐薬品性にも優れているので、有機物隔壁112bに用いるのに適している。   Next, as the liquid repellent particle exposure step ST12 shown in FIG. 5C, in this embodiment, plasma treatment is performed under a condition having a sputtering effect on the surface of the organic partition 112b in an argon-containing atmosphere. For this purpose, in a plasma processing apparatus in which the input power to the plasma and the self-bias can be controlled separately, a mixed gas of argon gas and oxygen gas is used, and a high bias power is applied at a relatively low pressure. Plasma treatment is performed on the entire surface including the upper surface 112f of the partition 112b. Since the sputtering effect is high under such conditions, the sputtering effect causes the resin matrix portion such as acrylic resin or polyimide resin to be etched on the surface of the organic partition 112b shown in FIG. 9 is hardly etched. Accordingly, on the surface of the organic partition 112b, as shown in FIG. 3B, a part of the large number of liquid repellent particles 9 is exposed to form fine irregularities. Here, when the average particle diameter of the liquid repellent particles 9 is relatively large, irregularities suitable for obtaining high liquid repellency can be formed, and the average particle diameter of the liquid repellent particles 9 is 0.5. To 2.0 μm is preferable. The fluororesin particles used as the liquid repellent particles 9 are excellent in liquid repellency and excellent in heat resistance and chemical resistance, and are therefore suitable for use in the organic partition 112b.

このようにして形成した有機物隔壁112bの表面は、有機物隔壁112bがアクリル樹脂樹脂等から撥液性粒子9が露出していることに起因して高い撥液性を備え、かつ、凹凸の形成によりさらに高い撥液性を備えている。たとえば、有機物隔壁112bの表面は、正孔注入・輸送層110aや発光層110bを形成するための液状組成物に対する接触角が70°以上の撥液性を備えており、さらには、接触角が150°以上の超撥液性を備えている。   The surface of the organic partition 112b thus formed has high liquid repellency due to the organic partition 112b being exposed to the liquid-repellent particles 9 from an acrylic resin resin, etc. Furthermore, it has high liquid repellency. For example, the surface of the organic partition 112b has a liquid repellency with a contact angle of 70 ° or more with respect to the liquid composition for forming the hole injection / transport layer 110a and the light emitting layer 110b. Super liquid repellency of 150 ° or more.

なお、このプラズマ処理ST121では、ラジカルによる反応も副次的に起こるので、無機物隔壁112a、および画素電極111の無機物隔壁112aからの露出部分にもプラズマ処理が施され、その表面では、正孔注入・輸送層110aや発光層110bを形成するための液状組成物に対する親液性が向上する。また、画素電極111は、プラズマ処理により、洗浄、仕事関数の調整も同時に行われる。   In this plasma treatment ST121, since a reaction due to radicals also occurs secondarily, the plasma treatment is also performed on the exposed portion of the inorganic partition 112a and the pixel partition 111 from the inorganic partition 112a, and hole injection is performed on the surface. -The lyophilicity with respect to the liquid composition for forming the transport layer 110a and the light emitting layer 110b improves. Further, the pixel electrode 111 is simultaneously cleaned and adjusted in work function by plasma processing.

次に、図6(a)に示す正孔注入・輸送層形成液塗布工程ST13では、例えば、インクジェットヘッドH1と基板2とを相対的に移動させながら、インクジェットヘッドH1の複数のノズルH2から正孔注入・輸送層形成材料を含む液状組成物を画素電極111上に吐出する。こで、画素電極111の周囲には隔壁112が形成されており、インクジェットヘッドH1のノズルH2から吐出された液滴110cは、隔壁112で囲まれた領域に着弾し、画素電極111上で広がる。その際、液滴110cが所定の吐出位置からはずれて隔壁112の上面112f上に吐出されたとしても、上面112fは撥液性を備えているため、液滴110cで濡れることがなく、はじかれた液滴110cが隔壁112内に転がり込む。ここで、液状組成物としては、ポリオレフィン誘導体である3、4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)や、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1、1−ビス−(4−N、N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の正孔注入・輸送層形成材料を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、1、3−ジメチル−2−イミダゾリジノンおよびその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正孔注入・輸送層形成材料は、赤(R)、緑(G)、青(B)の各画素で同じ材料を用いても良く、各画素で組成を変えても良い。   Next, in the hole injecting / transporting layer forming liquid coating step ST13 shown in FIG. 6A, for example, while the inkjet head H1 and the substrate 2 are relatively moved, the positive injection is performed from the plurality of nozzles H2 of the inkjet head H1. A liquid composition containing the hole injection / transport layer forming material is discharged onto the pixel electrode 111. Here, a partition 112 is formed around the pixel electrode 111, and the droplet 110 c discharged from the nozzle H 2 of the inkjet head H 1 lands on the region surrounded by the partition 112 and spreads on the pixel electrode 111. . At that time, even if the droplet 110c is deviated from the predetermined discharge position and discharged onto the upper surface 112f of the partition wall 112, the upper surface 112f has liquid repellency, so that the droplet 110c does not get wet and is repelled. The dropped droplet 110c rolls into the partition 112. Here, as the liquid composition, 3,4-polyethylenediosithiophene / polystyrenesulfonic acid (PEDOT / PSS) which is a polyolefin derivative, polyphenylene vinylene whose polymer precursor is polytetrahydrothiophenylphenylene, 1,1- A composition in which a hole injection / transport layer forming material such as bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane or the like is dissolved in a polar solvent can be used. Examples of the polar solvent include glycol ethers such as isopropyl alcohol, normal butanol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and derivatives thereof, carbitol acetate, and butyl carbitol acetate. And the like. The hole injection / transport layer forming material may be the same material for each pixel of red (R), green (G), and blue (B), and the composition may be changed for each pixel.

次に、図6(b)に示す正孔注入・輸送層定着工程ST14を行う。それには、吐出後の液状組成物を加熱、乾燥処理し、液状組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入・輸送層110aを定着させる。なお、上記の定着処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば133.3Pa(1Torr)程度にして行う。圧力が低すぎると液滴110cが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で200℃で10分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入・輸送層110a内に残存する極性溶媒や水を完全に除去することが好ましい。   Next, a hole injection / transport layer fixing step ST14 shown in FIG. 6B is performed. For this purpose, the discharged liquid composition is heated and dried, the polar solvent contained in the liquid composition is evaporated, and the hole injection / transport layer 110a is fixed. The fixing process is performed, for example, in a nitrogen atmosphere at room temperature and a pressure of, for example, about 133.3 Pa (1 Torr). If the pressure is too low, the droplet 110c will boil, which is not preferable. On the other hand, if the temperature is higher than room temperature, the evaporation rate of the polar solvent increases and a flat film cannot be formed. After the drying treatment, it is preferable to completely remove the polar solvent and water remaining in the hole injecting / transporting layer 110a by performing a heat treatment in nitrogen, preferably in vacuum, at 200 ° C. for about 10 minutes. .

次に、発光層110bを形成するが、その前に正孔注入・輸送層110aに対する表面改質工程を行うことがある。発光層形成工程ST15では、正孔注入・輸送層110aの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる液状組成物の溶媒として、正孔注入・輸送層110aに対して不溶な非極性溶媒を用いる。しかしその一方で正孔注入・輸送層110aは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む液状組成物を正孔注入・輸送層110a上に吐出しても、正孔注入・輸送層110aと発光層110bとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層110bを均一に塗布できないおそれがある。そこで、発光層形成工程ST15の前に、発光層110bを形成する際に用いる液状組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒からなる表面改質材、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、トルエン、キシレン、あるいはそれらの混合物等をインクジェット法(液滴吐出法)、スピンコート法またはディップ法により正孔注入・輸送層110a上に塗布した後に乾燥させる。このような表面改質工程を行うことで、正孔注入・輸送層110aの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む液状組成物を正孔注入・輸送層110aに均一に塗布することができる。なお、上記の表面改質材に、正孔輸送性材料を溶解した組成物をインクジェット法により正孔注入・輸送層110a上に塗布して乾燥させても良い。   Next, the light emitting layer 110b is formed, but before that, a surface modification step may be performed on the hole injection / transport layer 110a. In the light emitting layer forming step ST15, in order to prevent re-dissolution of the hole injecting / transporting layer 110a, as a solvent for the liquid composition used for forming the light emitting layer, a non-soluble insoluble in the hole injecting / transporting layer 110a. A polar solvent is used. On the other hand, since the hole injection / transport layer 110a has low affinity for the nonpolar solvent, the hole injection / transport layer 110a can be ejected onto the hole injection / transport layer 110a even if a liquid composition containing the nonpolar solvent is discharged onto the hole injection / transport layer 110a. There is a possibility that the transport layer 110a and the light emitting layer 110b cannot be adhered to each other or the light emitting layer 110b cannot be uniformly applied. Therefore, before the light emitting layer forming step ST15, a surface modifier made of the same solvent as the non-polar solvent of the liquid composition used when forming the light emitting layer 110b or a similar solvent, such as cyclohexylbenzene, Hydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, toluene, xylene, or a mixture thereof is applied onto the hole injecting / transporting layer 110a by the ink jet method (droplet discharge method), spin coating method, or dipping method, and then dried. . By performing such a surface modification step, the surface of the hole injection / transport layer 110a is easily adapted to the nonpolar solvent. In the subsequent step, the liquid composition containing the light emitting layer forming material is injected with the hole injection / transport layer 110a. It can be uniformly applied to the transport layer 110a. Note that a composition in which a hole transporting material is dissolved in the surface modifying material may be applied onto the hole injection / transport layer 110a by an inkjet method and dried.

次に、図7(a)に示す発光層形成工程ST15では、例えば、インクジェットヘッドH5と基板2とを相対的に移動させながら、インクジェットヘッドH5の複数のノズルH6から発光層形成材料を含む液状組成物を正孔注入・輸送層110a上に吐出する。その際、発光層形成用の液状組成物は、各画素が対応する色に応じた組成の液状組成物が吐出される。ここで、正孔注入・輸送層110aの周囲には隔壁112が形成されており、インクジェットヘッドH5のノズルH6から吐出された液滴110eは、隔壁112で囲まれた領域に着弾し、正孔注入・輸送層110a上で広がる。その際、液滴110eが所定の吐出位置からはずれて隔壁112の上面112f上に吐出されたとしても、上面112fは撥液性を備えているため、液滴110eで濡れることがなく、はじかれた液滴110eが隔壁112内に転がり込む。   Next, in the light emitting layer forming step ST15 shown in FIG. 7A, for example, a liquid containing the light emitting layer forming material from the plurality of nozzles H6 of the ink jet head H5 while relatively moving the ink jet head H5 and the substrate 2. The composition is discharged onto the hole injection / transport layer 110a. At that time, as the liquid composition for forming the light emitting layer, a liquid composition having a composition corresponding to the color corresponding to each pixel is discharged. Here, a partition 112 is formed around the hole injecting / transporting layer 110a, and the droplet 110e discharged from the nozzle H6 of the inkjet head H5 lands on the region surrounded by the partition 112, and the hole Spreads on the injection / transport layer 110a. At this time, even if the droplet 110e is deviated from the predetermined ejection position and ejected onto the upper surface 112f of the partition wall 112, the upper surface 112f has liquid repellency, so that the droplet 110e is not wetted and repelled. The dropped droplet 110e rolls into the partition 112.

このような液状組成物としては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、9、10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープした発光層形成材料を非極性溶媒に配合したものを用いる。発光層形成材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、例えば特開平11−40358号公報に示される有機EL素子用組成物、すなわち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも1種の蛍光色素とを含んでなる有機EL素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。また、非極性溶媒としては、正孔注入・輸送層110aに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような非極性溶媒を発光層形成用の液状組成物に用いることにより、正孔注入・輸送層110aを再溶解させることなく発光層形成用の液状組成物を塗布できる。   Examples of such a liquid composition include polyfluorene derivatives, polyphenylene derivatives, polyvinyl carbazole, polythiophene derivatives, or polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes such as rubrene, perylene, 9, 10 and the like. -The thing which mix | blended the light emitting layer forming material doped with diphenylanthracene, tetraphenyl butadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone etc. in the nonpolar solvent is used. As a light-emitting layer forming material, a π-conjugated polymer material in which double-bonded π electrons are non-polarized on a polymer chain is also a conductive polymer, so that it has excellent light-emitting performance and is therefore preferably used. . In particular, a compound having a fluorene skeleton in the molecule, that is, a polyfluorene compound is more preferably used. In addition to such materials, for example, a composition for an organic EL device disclosed in JP-A-11-40358, that is, a precursor of a conjugated polymer organic compound, and at least one kind for changing light emission characteristics A composition for an organic EL device comprising the above fluorescent dye can also be used as a light emitting layer forming material. The nonpolar solvent is preferably insoluble in the hole injecting / transporting layer 110a. For example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, or the like can be used. By using such a nonpolar solvent for the liquid composition for forming the light emitting layer, the liquid composition for forming the light emitting layer can be applied without re-dissolving the hole injection / transport layer 110a.

次に、図7(b)に示す発光層定着工程を行う。それには、吐出後の液状組成物を加熱、乾燥処理し、液状組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させ、発光層110bを定着させる。なお、上記の定着処理は、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を133.3Pa(1Torr)程度として5〜10分行う。圧力が低すぎると液状組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が隔壁112の壁面に多く付着してしまうので好ましくない。なお、その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。   Next, the light emitting layer fixing step shown in FIG. For this purpose, the discharged liquid composition is heated and dried to evaporate the nonpolar solvent contained in the liquid composition, thereby fixing the light emitting layer 110b. The fixing process is performed, for example, in a nitrogen atmosphere at room temperature at a pressure of about 133.3 Pa (1 Torr) for 5 to 10 minutes. If the pressure is too low, the liquid composition will be bumped, which is not preferable. Further, when the temperature is set to room temperature or higher, the evaporation rate of the nonpolar solvent is increased, and a large amount of the light emitting layer forming material adheres to the wall surface of the partition 112, which is not preferable. Examples of other drying means include a far-infrared irradiation method and a high-temperature nitrogen gas spraying method.

このようにして、画素電極111上に正孔注入・輸送層110aおよび発光層110bを形成した後は、図示を省略するが、対向電極形成工程において、発光層110bおよび有機物隔壁112bの全面に陰極12(対向電極)を形成した後、封止樹脂、封止基板、封止缶などで陰極12の表面を覆う。   After the hole injection / transport layer 110a and the light emitting layer 110b are formed on the pixel electrode 111 in this manner, the illustration is omitted, but in the counter electrode forming step, the cathode is formed on the entire surface of the light emitting layer 110b and the organic partition 112b. After forming 12 (counter electrode), the surface of the cathode 12 is covered with a sealing resin, a sealing substrate, a sealing can, or the like.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、有機物隔壁112bの表面では、撥液性粒子9が露出し、かつ、露出した撥液性粒子9によって微細な凹凸が多数、形成されている。このため、有機物隔壁112bの表面は、正孔注入・輸送層110aや発光層110bを形成するための液状組成物に対して接触角が70°以上の撥液性を備えており、さらには、接触角が150°以上の超撥液性を備えている。よって、正孔注入・輸送層形成用の液状組成物および発光層形成用の液状組成物を隔壁112の内側に塗布した際、液状組成物が隔壁112を乗り越えて隣接する領域にはみ出すことがないので、隔壁112で囲まれた領域が狭い場合でも、液状組成物を正確に塗布することができる。
(Main effects of this form)
As described above, in the present embodiment, the liquid repellent particles 9 are exposed on the surface of the organic partition 112 b, and many fine irregularities are formed by the exposed liquid repellent particles 9. For this reason, the surface of the organic partition 112b has liquid repellency with a contact angle of 70 ° or more with respect to the liquid composition for forming the hole injection / transport layer 110a and the light emitting layer 110b. Super liquid repellency with a contact angle of 150 ° or more. Therefore, when the liquid composition for forming the hole injecting / transporting layer and the liquid composition for forming the light emitting layer are applied to the inside of the partition 112, the liquid composition does not get over the partition 112 and protrude into the adjacent region. Therefore, even when the region surrounded by the partition 112 is narrow, the liquid composition can be applied accurately.

また、有機物隔壁112bの撥液性を高めた分、隔壁112を低くできるので、陰極12のカバレッジ性を向上することができる。   Further, since the partition wall 112 can be lowered by the amount of the improved liquid repellency of the organic partition wall 112b, the coverage of the cathode 12 can be improved.

さらに、有機物隔壁112bの撥液性を高めるにあたって、プラズマ処理を利用しているので、同時に画素電極111の親液性を高めることができる。   Furthermore, since the plasma treatment is used to increase the liquid repellency of the organic partition 112b, the lyophilicity of the pixel electrode 111 can be increased at the same time.

[実施の形態2]
図8は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置1の製造方法を示す工程図である。図9は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置1の断面図である。なお、本形態および後述する形態はいずれも、基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図8に示すように、本形態でも、実施の形態1と同様、電気光学装置1を製造するにあたっては、素子回路部14を形成した後、以下の工程
ST11:隔壁形成工程
ST12:撥液性粒子露出工程
ST13:正孔注入・輸送層形成液塗布工程
ST14:正孔注入・輸送層定着工程
ST15:発光層形成液塗布工程
ST16:発光層定着工程
を行う。但し、実施の形態1では、隔壁形成工程ST11において無機物隔壁形成工程ST111と有機物隔壁形成工程ST112とを行ったが、本形態では、隔壁形成工程ST11において、撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bを形成する有機物隔壁形成工程ST112のみを行い、無機物隔壁形成工程を行わない。従って、本形態では、図11に示すように、隔壁112の全体が有機物隔壁112bによって構成されている。
[Embodiment 2]
FIG. 8 is a process diagram showing a method for manufacturing the electro-optical device 1 according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional view of the electro-optical device 1 according to Embodiment 2 of the present invention. In addition, since the basic configuration is the same as that of the first embodiment in both the present embodiment and the later-described embodiment, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. As shown in FIG. 8, in the present embodiment as well as in the first embodiment, when the electro-optical device 1 is manufactured, after the element circuit portion 14 is formed, the following steps are performed: ST11: partition formation step ST12: liquid repellency Particle exposure step ST13: Hole injection / transport layer forming solution coating step ST14: Hole injection / transport layer fixing step ST15: Light emitting layer forming solution applying step ST16: Light emitting layer fixing step. However, in Embodiment 1, the inorganic partition wall formation step ST111 and the organic partition wall formation step ST112 are performed in the partition wall formation step ST11. However, in this embodiment, the organic partition wall containing the liquid repellent particles 9 is performed in the partition wall formation step ST11. Only the organic partition wall formation step ST112 for forming 112b is performed, and the inorganic partition wall formation step is not performed. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 11, the whole partition 112 is constituted by the organic partition 112b.

このような構成であっても、隔壁112を形成した後、撥液性粒子露出工程ST12でプラズマ処理を行えば、隔壁112の表面全体(有機物隔壁112bの表面全体)で多数の撥液性粒子9の一部が露出して微細な凹凸が形成される。それ故、正孔注入・輸送層形成用の液状組成物および発光層形成用の液状組成物を隔壁112の内側に塗布した際、液状組成物が隔壁112を乗り越えて隣接する領域にはみ出すことがないので、隔壁112で囲まれた領域が狭い場合でも、液状組成物を正確に塗布することができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。その他の構成は実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。   Even in such a configuration, if the plasma treatment is performed in the liquid repellent particle exposure step ST12 after forming the partition 112, a large number of liquid repellent particles are formed on the entire surface of the partition 112 (the entire surface of the organic partition 112b). Part of 9 is exposed to form fine irregularities. Therefore, when the liquid composition for forming the hole injection / transport layer and the liquid composition for forming the light emitting layer are applied to the inside of the partition 112, the liquid composition may get over the partition 112 and protrude into the adjacent region. Therefore, even when the region surrounded by the partition 112 is narrow, the liquid composition can be applied accurately, and the same effects as in the first embodiment can be obtained. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

[実施の形態3]
図10は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置1の製造方法を示す工程図である。図11は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置1の断面図である。図10に示すように、本形態でも、実施の形態1と同様、電気光学装置1を製造するにあたっては、素子回路部14を形成した後、以下の工程
ST11:隔壁形成工程
ST12:撥液性粒子露出工程
ST13:正孔注入・輸送層形成液塗布工程
ST14:正孔注入・輸送層定着工程
ST15:発光層形成液塗布工程
ST16:発光層定着工程
を行う。但し、実施の形態1では、隔壁形成工程ST11において無機物隔壁形成工程ST111と、撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bを形成する有機物隔壁形成工程ST112とを行ったが、本形態では、図10および図11に示すように、隔壁形成工程ST11において、無機物隔壁112aを形成する無機物隔壁形成工程ST111と、撥液性粒子9を含有しないアクリル樹脂などの有機物隔壁112cを形成する有機物隔壁形成工程ST110と、撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bを形成する有機物隔壁形成工程ST112とを行う。従って、本形態では、図11に示すように、隔壁112では、無機物隔壁112a、撥液性粒子9を含有しない有機物隔壁112c、および撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bが積層された構造になっている。
[Embodiment 3]
FIG. 10 is a process diagram illustrating a method for manufacturing the electro-optical device 1 according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view of the electro-optical device 1 according to Embodiment 3 of the present invention. As shown in FIG. 10, in the present embodiment as well, in manufacturing the electro-optical device 1, after the element circuit portion 14 is formed, the following steps are performed: ST11: partition formation step ST12: liquid repellency Particle exposure step ST13: Hole injection / transport layer forming solution coating step ST14: Hole injection / transport layer fixing step ST15: Light emitting layer forming solution applying step ST16: Light emitting layer fixing step. However, in the first embodiment, the inorganic partition wall formation step ST111 and the organic partition wall formation step ST112 for forming the organic partition wall 112b containing the liquid repellent particles 9 are performed in the partition wall formation step ST11. 10 and FIG. 11, in the partition forming step ST11, an inorganic partition forming step ST111 for forming the inorganic partition 112a and an organic partition forming step for forming an organic partition 112c such as an acrylic resin that does not contain the liquid repellent particles 9. ST110 and an organic partition wall forming step ST112 for forming an organic partition wall 112b containing the liquid repellent particles 9 are performed. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 11, in the partition 112, the inorganic partition 112a, the organic partition 112c not containing the liquid repellent particles 9, and the organic partition 112b containing the liquid repellent particles 9 are stacked. It has become.

ここで、有機物隔壁112c、112bについては、各樹脂材料を2層、塗布、成膜した後、フォトリソグラフィ技術等により一括してパターニングすることが好ましい。また、パターニング後、熱処理で膜を安定させる際、有機物隔壁112c、112bをある程度、軟化させて、有機物隔壁112c、112bの側面のテーパ角については60°位にすることが好ましい。   Here, with respect to the organic partition walls 112c and 112b, it is preferable to perform patterning by a photolithography technique or the like after two layers of each resin material are applied and formed. Further, when the film is stabilized by heat treatment after patterning, it is preferable that the organic partition walls 112c and 112b are softened to some extent, and the taper angle of the side surfaces of the organic partition walls 112c and 112b is set to about 60 °.

このような構成であっても、隔壁112を形成した後、撥液性粒子露出工程ST12でプラズマ処理を行えば、有機物隔壁112bの表面全体で、多数の撥液性粒子9の一部が露出して微細な凹凸が形成される。また、撥液性粒子9を含有しないアクリル樹脂などの有機物隔壁112cはプラズマ処理によって親液性を備えることになる。それ故、正孔注入・輸送層形成用の液状組成物および発光層形成用の液状組成物を隔壁112の内側に塗布した際、液状組成物が隔壁112を乗り越えて隣接する領域にはみ出すことがないので、隔壁112で囲まれた領域が狭い場合でも、液状組成物を正確に塗布することができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。その他の構成は実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。   Even in such a configuration, if the plasma treatment is performed in the liquid repellent particle exposure step ST12 after the partition 112 is formed, a part of the many liquid repellent particles 9 is exposed on the entire surface of the organic partition 112b. As a result, fine irregularities are formed. Further, the organic partition 112c such as an acrylic resin that does not contain the liquid repellent particles 9 is made lyophilic by plasma treatment. Therefore, when the liquid composition for forming the hole injection / transport layer and the liquid composition for forming the light emitting layer are applied to the inside of the partition 112, the liquid composition may get over the partition 112 and protrude into the adjacent region. Therefore, even when the region surrounded by the partition 112 is narrow, the liquid composition can be applied accurately, and the same effects as in the first embodiment can be obtained. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

[実施の形態4]
図12は、本発明の実施の形態4に係る電気光学装置1の製造方法を示す工程図である。図13は、本発明の実施の形態4に係る電気光学装置1の断面図である。図12に示すように、本形態でも、実施の形態1と同様、電気光学装置1を製造するにあたっては、素子回路部14を形成した後、以下の工程
ST11:隔壁形成工程
ST12:撥液性粒子露出工程
ST13:正孔注入・輸送層形成液塗布工程
ST14:正孔注入・輸送層定着工程
ST15:発光層形成液塗布工程
ST16:発光層定着工程
を行う。但し、実施の形態1では、隔壁形成工程ST11において、無機物隔壁形成工程ST111と、撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bを形成する有機物隔壁形成工程ST112とを行い、実施の形態3では、隔壁形成工程ST11において、無機物隔壁112aを形成する無機物隔壁形成工程ST111と、撥液性粒子9を含有しないアクリル樹脂などの有機物隔壁112cを形成する有機物隔壁形成工程ST110と、撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bを形成する有機物隔壁形成工程ST112とを行ったが、本形態では、図12および図13に示すように、隔壁形成工程ST11において、撥液性粒子9を含有しない有機物隔壁112cを形成する有機物隔壁形成工程ST110と、撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bを形成する有機物隔壁形成工程ST112とを行い、無機物隔壁形成工程ST111を行わない。従って、本形態では、図13に示すように、隔壁112では、撥液性粒子9を含有しない有機物隔壁112c、および撥液性粒子9を含有した有機物隔壁112bが積層された構造になっている。ここで、有機物隔壁112c、112bについては、実施の形態3と同様、各樹脂材料を2層、塗布、成膜した後、フォトリソグラフィ技術等により一括してパターニングすることが好ましい。また、パターニング後、熱処理で膜を安定させる際、有機物隔壁112c、112bをある程度、軟化させて、有機物隔壁112c、112bの側面のテーパ角については60°位にすることが好ましい。
[Embodiment 4]
FIG. 12 is a process diagram showing a method for manufacturing the electro-optical device 1 according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 13 is a cross-sectional view of the electro-optical device 1 according to Embodiment 4 of the present invention. As shown in FIG. 12, in the present embodiment as well, in the production of the electro-optical device 1, after the element circuit portion 14 is formed, the following steps are performed: ST11: partition formation step ST12: liquid repellency Particle exposure step ST13: Hole injection / transport layer forming solution coating step ST14: Hole injection / transport layer fixing step ST15: Light emitting layer forming solution applying step ST16: Light emitting layer fixing step. However, in the first embodiment, in the partition formation step ST11, the inorganic partition formation step ST111 and the organic partition formation step ST112 for forming the organic partition 112b containing the liquid repellent particles 9 are performed. In the third embodiment, In the partition formation step ST11, an inorganic partition formation step ST111 for forming the inorganic partition 112a, an organic partition formation step ST110 for forming an organic partition 112c such as an acrylic resin that does not contain the liquid repellent particles 9, and the liquid repellent particles 9 In this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, the organic partition wall 112c that does not contain the liquid repellent particles 9 is formed in the partition wall formation step ST11. Organic partition wall forming step ST110 for forming a liquid crystal and organic partition wall containing liquid repellent particles 9 Performed and the organic partition wall formation step ST112 of forming a 12b, does not perform the inorganic partition wall formation step ST111. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 13, the partition 112 has a structure in which an organic partition 112 c not containing the liquid repellent particles 9 and an organic partition 112 b containing the liquid repellent particles 9 are stacked. . Here, as with the third embodiment, the organic partition walls 112c and 112b are preferably patterned in a lump using a photolithography technique or the like after two layers of each resin material are applied and deposited. Further, when the film is stabilized by heat treatment after patterning, it is preferable that the organic partition walls 112c and 112b are softened to some extent, and the taper angle of the side surfaces of the organic partition walls 112c and 112b is set to about 60 °.

このような構成であっても、隔壁112を形成した後、撥液性粒子露出工程ST12でプラズマ処理を行えば、有機物隔壁112bの表面全体で、多数の撥液性粒子9の一部が露出して微細な凹凸が形成される。また、撥液性粒子9を含有しないアクリル樹脂などの有機物隔壁112cはプラズマ処理によって親液性を備えることになる。それ故、正孔注入・輸送層形成用の液状組成物および発光層形成用の液状組成物を隔壁112の内側に塗布した際、液状組成物が隔壁112を乗り越えて隣接する領域にはみ出すことがないので、隔壁112で囲まれた領域が狭い場合でも、液状組成物を正確に塗布することができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。その他の構成は実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。   Even in such a configuration, if the plasma treatment is performed in the liquid repellent particle exposure step ST12 after the partition 112 is formed, a part of the many liquid repellent particles 9 is exposed on the entire surface of the organic partition 112b. As a result, fine irregularities are formed. Further, the organic partition 112c such as an acrylic resin that does not contain the liquid repellent particles 9 is made lyophilic by plasma treatment. Therefore, when the liquid composition for forming the hole injection / transport layer and the liquid composition for forming the light emitting layer are applied to the inside of the partition 112, the liquid composition may get over the partition 112 and protrude into the adjacent region. Therefore, even when the region surrounded by the partition 112 is narrow, the liquid composition can be applied accurately, and the same effects as in the first embodiment can be obtained. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

[その他の実施の形態]
本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記形態では、有機EL装置において、発光素子5を形成するのに本発明を適用したが、薄膜が隔壁により囲まれた領域内の全域にわたって形成されている場合であれば、カラーフィルタを形成するのに適用してもよい。このようなカラーフィルタは、例えば、有機EL装置において、白色光を出射する発光素子5を形成し、この白色光をカラーフィルタに通すことによりカラー画像を表示するのに利用される。また、カラーフィルタは、例えば、電気光学装置のうち、液晶装置において、カラー画像を表示するのに利用される。さらに、液状組成物の塗布、乾燥により薄膜を配線や電極として形成する場合に本発明を適用してもよい。
[Other embodiments]
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the present invention is applied to form the light emitting element 5 in the organic EL device. However, if the thin film is formed over the entire region surrounded by the partition wall, the color filter is used. It may be applied to form. Such a color filter is used for forming a light emitting element 5 that emits white light and displaying a color image by passing the white light through the color filter in an organic EL device, for example. The color filter is used to display a color image in a liquid crystal device among electro-optical devices, for example. Furthermore, the present invention may be applied when a thin film is formed as a wiring or an electrode by applying and drying a liquid composition.

[電子機器への搭載例]
本発明を適用した電気光学装置を備えた電子機器の具体例について説明する。図14(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図14(a)において、符号600は携帯電話本体を示し、符号601は前記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図14(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図14(b)において、符号700は情報処理装置、符号701はキーボードなどの入力部、符号703は情報処理装置本体、符号702は前記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図14(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図14(c)において、符号800は時計本体を示し、符号801は前記の電気光学装置を用いた表示部を示している。
[Example of mounting on electronic devices]
A specific example of an electronic apparatus including the electro-optical device to which the invention is applied will be described. FIG. 14A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 14A, reference numeral 600 denotes a mobile phone body, and reference numeral 601 denotes a display unit using the electro-optical device. FIG. 14B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. 14B, reference numeral 700 denotes an information processing apparatus, reference numeral 701 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 703 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 702 denotes a display unit using the electro-optical device. FIG. 14C is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. In FIG. 14C, reference numeral 800 denotes a watch body, and reference numeral 801 denotes a display unit using the electro-optical device.

本発明が適用される電気光学装置の一例としてのアクティブマトリクス型の有機EL表示装置の電気的構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of an active matrix organic EL display device as an example of an electro-optical device to which the present invention is applied. FIG. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明を適用した電気工学装置に形成した有機物隔壁において、表面で多数の撥液性粒子が露出して多数の凹凸を形成している様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that many liquid-repellent particles are exposed in the surface in the organic substance partition formed in the electrical engineering apparatus to which this invention is applied, and many unevenness | corrugations are formed. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の製造工程を示す工程図である。FIG. 6 is a process diagram illustrating a manufacturing process of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の製造工程を示す工程断面図である。FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の製造工程を示す工程断面図である。FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の製造工程を示す工程断面図である。FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態2に係る電気光学装置の製造工程を示す工程図である。FIG. 10 is a process diagram illustrating a manufacturing process of the electro-optical device according to the second embodiment of the invention. 本発明の実施の形態2に係る電気光学装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施の形態3に係る電気光学装置の製造工程を示す工程図である。FIG. 10 is a process diagram illustrating a manufacturing process of the electro-optical device according to the third embodiment of the invention. 本発明の実施の形態3に係る電気光学装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to a third embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態4に係る電気光学装置の製造工程を示す工程図である。FIG. 10 is a process diagram illustrating a manufacturing process of an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention. 本発明の実施の形態4に係る電気光学装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of an electro-optical device according to Embodiment 4 of the present invention. 本発明に係る電気光学装置が搭載される電子機器の説明図である。It is explanatory drawing of the electronic device by which the electro-optical apparatus which concerns on this invention is mounted.

符号の説明Explanation of symbols

1・・電気光学装置、2・・基板、5・・発光素子、9・・撥液性粒子、12・・陰極(第2の電極)、100・・画素領域、110・・機能層、110a・・正孔注入・輸送層(機能層)、110b・・発光層(機能層)、111・・画素電極(第1の電極)、112・・隔壁、112a・・無機物隔壁、112b・・撥液性粒子含有の有機物隔壁、112c・・撥液性粒子を含有しない有機物隔壁 1 .... Electro-optical device 2 .... Substrate 5 .... Light emitting element 9 .... Liquid repellent particles 12 .... Cathode (second electrode) 100 ... Pixel region 110 ... Functional layer 110a ..Hole injection / transport layer (functional layer), 110b..Light emitting layer (functional layer), 111..Pixel electrode (first electrode), 112..Partition, 112a..Inorganic partition, 112b..Repellent Organic partition wall containing liquid particles, 112c..Organic partition wall containing no liquid repellent particles

Claims (13)

複数の薄膜形成領域の全域にわたって薄膜が薄膜形成領域毎に独立して形成された電気光学装置において、
前記複数の薄膜形成領域は、少なくとも上面で多数の撥液性粒子が露出している隔壁により囲まれていることを特徴とする電気光学装置。
In the electro-optical device in which the thin film is independently formed for each thin film formation region over the entire area of the plurality of thin film formation regions
The electro-optical device is characterized in that the plurality of thin film forming regions are surrounded by a partition wall in which a large number of liquid repellent particles are exposed at least on the upper surface.
請求項1において、前記隔壁の少なくとも上面では、露出した前記撥液性粒子により微細な凹凸が多数、形成されていることを特徴とする電気光学装置。   2. The electro-optical device according to claim 1, wherein at least an upper surface of the partition wall has a large number of fine irregularities formed by the exposed liquid repellent particles. 請求項1または2において、前記隔壁の少なくとも上部は、多数の撥液性粒子が分散する撥液性粒子含有有機物隔壁で構成され、
当該撥液性粒子含有有機物隔壁の少なくとも上面で当該多数の撥液性粒子の一部が露出していることを特徴とする電気光学装置。
In Claim 1 or 2, at least the upper part of the partition is composed of a liquid repellent particle-containing organic material partition in which a large number of liquid repellent particles are dispersed,
An electro-optical device, wherein a part of the liquid repellent particles is exposed on at least the upper surface of the liquid repellent particle-containing organic material partition wall.
請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記撥液性粒子は、フッ素樹脂粒子であることを特徴とする電気光学装置。   4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the liquid repellent particles are fluororesin particles. 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記撥液性粒子は、平均粒径が0.5から2.0μmであることを特徴とする電気光学装置。   5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the liquid repellent particles have an average particle diameter of 0.5 to 2.0 μm. 請求項1ないし5のいずれかにおいて、前記薄膜は、発光素子の機能層であり、
前記複数の薄膜形成領域の各々には、前記機能層の下層側に第1の電極が形成され、前記機能層の上層には第2の電極が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
In any one of Claims 1 thru | or 5, The said thin film is a functional layer of a light emitting element,
In each of the plurality of thin film formation regions, a first electrode is formed on a lower layer side of the functional layer, and a second electrode is formed on an upper layer of the functional layer. .
請求項1ないし6のいずれかに規定する電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device defined in any one of claims 1 to 6. 複数の薄膜形成領域の全域にわたって薄膜が当該薄膜形成領域毎に独立して形成された電気光学装置の製造方法において、
少なくとも上部で多数の撥液性粒子が分散する隔壁により前記薄膜形成領域を囲む隔壁形成工程と、
前記隔壁の表面をエッチングし、前記隔壁の表面で前記多数の撥液性粒子の一部を露出させる撥液性粒子露出工程と、
前記隔壁の内側に液状組成物を塗布した後、乾燥させて前記薄膜を形成する薄膜形成工程と
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
In the method of manufacturing an electro-optical device in which a thin film is formed independently for each thin film formation region over the entire area of the plurality of thin film formation regions,
A partition wall forming step that surrounds the thin film forming region by a partition wall in which a large number of liquid repellent particles are dispersed at least at the top,
Etching the surface of the partition wall, and exposing the liquid-repellent particle to expose a part of the liquid-repellent particles on the surface of the partition wall;
And a thin film forming step of forming the thin film by applying a liquid composition to the inside of the partition wall and then drying the composition.
請求項8において、前記撥液性粒子露出工程では、露出した前記撥液性粒子により前記隔壁の表面に微細な凹凸を多数、形成することを特徴とする電気光学装置。   9. The electro-optical device according to claim 8, wherein in the liquid repellent particle exposing step, a number of fine irregularities are formed on the surface of the partition wall by the exposed liquid repellent particles. 請求項8または9において、前記隔壁形成工程では、前記隔壁の少なくとも上部を前記多数の撥液性粒子が分散する撥液性粒子含有有機物隔壁で構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。   10. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 8, wherein, in the partition formation step, at least an upper portion of the partition is constituted by a liquid repellent particle-containing organic partition wall in which the plurality of liquid repellent particles are dispersed. . 請求項10において、前記撥液性粒子露出工程では、プラズマ処理により前記隔壁の表面をエッチングすることを特徴とすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。   11. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 10, wherein in the liquid repellent particle exposure step, the surface of the partition wall is etched by plasma treatment. 請求項8ないし11のいずれかにおいて、前記薄膜は、発光素子の機能層であり、
前記隔壁形成工程の前に、前記複数の薄膜領域の各々に第1の電極を形成する第1の電極形成工程を有し、
前記薄膜形成工程の後、前記薄膜の上層側に第2の電極を形成する第2の電極形成工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
In any one of Claims 8 thru | or 11, the said thin film is a functional layer of a light emitting element,
A first electrode forming step of forming a first electrode in each of the plurality of thin film regions before the partition forming step;
A method of manufacturing an electro-optical device, comprising a second electrode forming step of forming a second electrode on an upper layer side of the thin film after the thin film forming step.
請求項9ないし12のいずれかにおいて、前記隔壁の少なくとも上面の前記液状組成物に対する接触角が70°以上であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。   13. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 9, wherein a contact angle of at least an upper surface of the partition wall with respect to the liquid composition is 70 ° or more.
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