JP2005158584A - Pattern formation method and manufacturing method of display device - Google Patents

Pattern formation method and manufacturing method of display device Download PDF

Info

Publication number
JP2005158584A
JP2005158584A JP2003397398A JP2003397398A JP2005158584A JP 2005158584 A JP2005158584 A JP 2005158584A JP 2003397398 A JP2003397398 A JP 2003397398A JP 2003397398 A JP2003397398 A JP 2003397398A JP 2005158584 A JP2005158584 A JP 2005158584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern forming
pattern
pixel
heating condition
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003397398A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mina Takeda
美奈 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2003397398A priority Critical patent/JP2005158584A/en
Publication of JP2005158584A publication Critical patent/JP2005158584A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a pattern without breaking it by facilitating the separation of an original plate from a pattern formation material. <P>SOLUTION: A method for forming a predetermined pattern by pressing the original plate 3 having unevenness corresponding to a predetermined pattern against the pattern formation material 2 disposed on a base 1 to pattern the pattern formation material 2 comprises: a process for disposing a reversible film 4 having wettability changed depending on a first heating condition and a second heating condition on a pressing surface 3a of the original plate 3 to press the original plate 3 heated in the first heating condition against the pattern formation material 2; a process for heating the original plate 3 in the second heating condition with the original plate 3 pressed against the pattern formation material 2; and a process for separating the original plate 3 from the pattern formation material 2. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、パターン形成方法及び表示装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a pattern forming method and a display device manufacturing method.

従来から、有機EL装置等の表示装置における各画素を分離するための画素間隔壁の形成や半導体装置における配線パターンの形成には、レジスト材料に対して投影光を照射して露光した後、現像することによってパターンを形成するフォトリソグラフィ法が一般的に用いられている。ところが、このフォトリソグラフィ法は周知のように煩雑な複数の工程を有しており、パターン形成に時間及びコストがかかることが難点である。   Conventionally, for forming a pixel interval wall for separating each pixel in a display device such as an organic EL device or forming a wiring pattern in a semiconductor device, the resist material is exposed to projection light and then developed. A photolithography method for forming a pattern by doing so is generally used. However, this photolithography method has a plurality of complicated steps as is well known, and it is difficult to form a pattern with time and cost.

このため、近年、パターン形成のスループットを向上させる手法として、いわゆるナノインプリンティングと呼ばれる手法が提案されている。このナノインプリンティングは、土台上に配置されたパターン形成材料に対して、予めパターンに対応する凹凸を有する原版を押圧し、パターン形成材料をパターニングすることによって所定のパターンを形成する方法である。
特開平2002−100079号公報
For this reason, in recent years, a so-called nanoimprinting technique has been proposed as a technique for improving pattern formation throughput. This nano-imprinting is a method of forming a predetermined pattern by patterning the pattern forming material by pressing an original plate having irregularities corresponding to the pattern against the pattern forming material arranged on the base.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-100079

しかしながら、近年のパターンはますます微細化されてきており、これに伴いパターン幅が小さくなってきている。このような高アスペクト比(高さと幅の比)のパターンを上記ナノインプリンティング法によって形成しようとすると、原版の凹凸もパターンの微細化に伴って高アスペクト比となっているため、原版をパターン形成材料に押圧した後に解離する際にパターン形成材料と原版が剥離され難くなるという問題が生じる。このように原版とパターン形成材料とが剥離され難いと、原版を解離した際にパターン形成材料に転写されたパターンが崩れてしまう。   However, the pattern in recent years has been increasingly miniaturized, and the pattern width has been reduced accordingly. When trying to form a pattern with such a high aspect ratio (height / width ratio) by the nanoimprinting method, the unevenness of the original plate also has a high aspect ratio as the pattern becomes finer. There is a problem that the pattern forming material and the original plate are difficult to be peeled when dissociating after being pressed against the forming material. If the original and the pattern forming material are not easily separated in this way, the pattern transferred to the pattern forming material is broken when the original is dissociated.

本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、原版とパターン形成材料との剥離を容易にすることによってパターンを崩さず形成することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to form a pattern without breaking it by facilitating peeling between the original and the pattern forming material.

上記目的を達成するために、本発明に係るパターン形成方法は、土台上に配置されたパターン形成材料に対して所定のパターンに対応する凹凸を有する原版を押圧し、上記パターン形成材料をパターニングすることによって所定のパターンを形成する方法であって、 上記原版の押圧面に第1の加熱条件と第2の加熱条件とによって濡れ性が変化する可逆膜を配置し、上記第1の加熱条件において加熱した上記原版を上記パターン形成材料に対して押圧する工程と、上記原版を上記パターン形成材料に対して押圧した状態で上記第2の加熱条件において上記原版を加熱する工程と、上記原版を上記パターン形成材料から解離する工程とを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a pattern forming method according to the present invention presses an original plate having irregularities corresponding to a predetermined pattern against a pattern forming material disposed on a base, and patterns the pattern forming material. A reversible film whose wettability changes depending on the first heating condition and the second heating condition is disposed on the pressing surface of the original plate, and in the first heating condition, A step of pressing the heated original plate against the pattern forming material; a step of heating the original plate under the second heating condition in a state where the original plate is pressed against the pattern forming material; and And a step of dissociating from the pattern forming material.

このような特徴を有する本発明に係るパターン形成方法によれば、加熱条件を変化させることによって、原版の押圧面に配置された可逆膜の濡れ性が変化される。このため、例えば、可逆膜が、第1の加熱条件において加熱されることによって親液化され、第2の加熱条件において加熱されることによって撥液化される場合には、可逆膜が親液化された状態で原版がパターン形成材料に対して押圧されるため、原版に形成された凹凸にパターン形成材料が入り込みやすくなり、また、可逆膜が撥液化された状態で原版が解離されるため、原版とパターン形成材料とが剥離されやすくなる。したがって、原版とパターン形成材料との剥離を容易にすることによってパターンを崩さず形成することが可能となる。なお、上述のように、原版をパターン形成材料に対して押圧する際には、可逆膜が親液化されることによって、原版に形成された凹凸にパターン形成材料が入り込みやすくなっているため、原版とパターン形成材料との間に隙間を生じることを防止することができ、所定のプロファイルにパターン形成材料をパターニングすることができる。   According to the pattern forming method according to the present invention having such characteristics, the wettability of the reversible film disposed on the pressing surface of the original plate is changed by changing the heating condition. For this reason, for example, when the reversible membrane is lyophilic by being heated under the first heating condition and lyophobic by being heated under the second heating condition, the reversible membrane is lyophilic. Since the original is pressed against the pattern forming material in the state, the pattern forming material is likely to enter the irregularities formed on the original, and the original is dissociated in a state where the reversible film is lyophobic. The pattern forming material is easily peeled off. Therefore, the pattern can be formed without breaking by facilitating the peeling between the original and the pattern forming material. As described above, when the original is pressed against the pattern forming material, the reversible film is made lyophilic so that the pattern forming material can easily enter the irregularities formed on the original. And the pattern forming material can be prevented from forming a gap, and the pattern forming material can be patterned into a predetermined profile.

また、本発明に係るパターン形成方法は、上記パターン形成材料をパターニングした後に、上記パターン形成材料間に残存する残渣を除去する工程を有することが好ましい。
土台及び原版の押圧面を完全な平面とすることは実質的に不可能であるため、パターン形成材料をパターニングした際に、原版に形成された凸部の先端と土台との間にわずかながらパターン形成材料が残存し、これがパターニングされたパターン形成材料間に残存する残渣となる。例えば、本発明に係るパターン形成方法によって画素間隔壁を形成し、この画素間隔壁の間、すなわち画素領域に残渣が残存している場合には、良好な発光特性が得られなくなる。このため、上記パターン形成材料間に残存する残渣を除去する工程を有することによって、良好な発光特性を有する表示装置とすることが可能となる。
Moreover, it is preferable that the pattern formation method which concerns on this invention has the process of removing the residue which remains between the said pattern formation materials, after patterning the said pattern formation material.
Since it is virtually impossible to make the pressing surface of the base and the original plate completely flat, when patterning the pattern forming material, there is a slight pattern between the tip of the convex portion formed on the original and the base. The forming material remains, and this becomes a residue remaining between the patterned pattern forming materials. For example, when a pixel interval wall is formed by the pattern forming method according to the present invention and a residue remains in the pixel interval wall, that is, in the pixel region, good light emission characteristics cannot be obtained. For this reason, it becomes possible to set it as the display apparatus which has a favorable light emission characteristic by having the process of removing the residue which remains between the said pattern formation materials.

また、本発明に係るパターン形成方法においては、上記第1の加熱条件が上記可逆膜と液体あるいは蒸気とが接触された状態であり、上記第2の加熱条件が上記可逆膜と液体あるいは蒸気とが非接触とされた状態であるとすることができる。このような加熱条件において濡れ性が変化する可逆膜は周知のものであり、容易に本発明における可逆膜に採用することができる。   In the pattern forming method according to the present invention, the first heating condition is a state where the reversible film is in contact with the liquid or vapor, and the second heating condition is the liquid reversible film and the liquid or vapor. Can be assumed to be in a non-contact state. Reversible membranes whose wettability changes under such heating conditions are well known and can be easily employed in the reversible membranes of the present invention.

また、本発明に係るパターン形成方法においては、上記パターン形成材料としてレジストを用いることができる。このように、パターン形成材料としてレジストを用いることによって、パターン形成後に、従来のフォトリソグラフィ法によって形成したパターンと同様の処理が行えるため、既存の処理装置においてパターン形成後の処理を行うことができる。   In the pattern forming method according to the present invention, a resist can be used as the pattern forming material. As described above, by using a resist as a pattern forming material, a process similar to a pattern formed by a conventional photolithography method can be performed after the pattern is formed, so that a process after the pattern formation can be performed in an existing processing apparatus. .

次に、本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の発光領域と各発光領域間に配置される画素間隔壁とを有する表示装置の製造方法であって、本発明に係るパターン形成方法を用いて上記画素間隔壁を形成する工程を有することを特徴とする。   Next, a manufacturing method of a display device according to the present invention is a manufacturing method of a display device having a plurality of light emitting regions and a pixel interval wall arranged between the light emitting regions, and the pattern forming method according to the present invention. Using the step of forming the pixel interval wall.

このような特徴を有する本発明に係る表示装置の製造方法によれば、画素間隔壁が本発明に係るパターン形成方法によって形成されるため、確実に画素間隔壁を形成することが可能となる。   According to the manufacturing method of the display device according to the present invention having such a feature, the pixel interval walls are formed by the pattern forming method according to the present invention, so that the pixel interval walls can be reliably formed.

次に、本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素領域と各画素領域間に配置される画素間隔壁とを有する表示装置の製造方法であって、基板の一面に上記画素間隔壁の材料を配置する工程と、本発明に係るパターン形成方法を用いて上記画素間隔壁の材料上にマスクを形成する工程と、上記マスクを介して上記画素間隔壁の材料を露光する工程と、露光された上記画素間隔壁の材料を現像する工程とによって上記画素間隔壁を形成することを特徴とする。
このように本発明に係るパターン形成方法は、フォトリソグラフィ法によって画素間隔壁を形成する際の1工程であるマスクの形成に応用することも可能である。
Next, a method for manufacturing a display device according to the present invention is a method for manufacturing a display device having a plurality of pixel regions and pixel interval walls arranged between the pixel regions, wherein the pixel interval walls are formed on one surface of a substrate. A step of disposing the material, a step of forming a mask on the material of the pixel interval wall using the pattern forming method according to the present invention, a step of exposing the material of the pixel interval wall through the mask, The pixel spacing wall is formed by developing the exposed material of the pixel spacing wall.
As described above, the pattern forming method according to the present invention can also be applied to the formation of a mask, which is one step in forming the pixel interval wall by photolithography.

以下、図面を参照して、本発明に係るパターン形成方法及び表示装置の製造方法の一実施形態について説明する。なお、以下の説明に用いる各図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。   Hereinafter, an embodiment of a pattern forming method and a display device manufacturing method according to the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.

(パターン形成方法)
図1は、所定のパターンが形成された基板1(土台)の断面図である。この図に示すように、基板1上には、パターニングされたレジスト2(パターン形成材料)が配置されており、このレジスト2によって所定のパターンが形成されている。
(Pattern formation method)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate 1 (base) on which a predetermined pattern is formed. As shown in this figure, a patterned resist 2 (pattern forming material) is disposed on the substrate 1, and a predetermined pattern is formed by the resist 2.

次に、図2を参照して本実施形態に係るパターンの形成方法について説明する。
まず、図2(a)に示すように、基板1上の全面に、例えばスピンコート法によってレジスト2を塗布する。続いて、図2(b)に示すように、原版3を基板1に対して対向配置する。この原版3における基板1との対向面3a(押圧面)には所定のパターンに対応する凹凸が形成されており、この対向面3aには可逆膜4が配置されている。
Next, a pattern forming method according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 2A, a resist 2 is applied to the entire surface of the substrate 1 by, eg, spin coating. Subsequently, as shown in FIG. 2B, the original plate 3 is disposed to face the substrate 1. Concavities and convexities corresponding to a predetermined pattern are formed on the surface 3a (pressing surface) of the original 3 facing the substrate 1, and a reversible film 4 is disposed on the surface 3a.

この可逆膜4は、液体あるいは蒸気と接触された状態(第1の加熱条件)で加熱されることによって親液化され、液体あるいは蒸気の非接触とされた状態(第2の加熱条件)で加熱されることによって撥液化されるものである。このように加熱条件に応じて濡れ性を変化させる物質は、例えば特開平5−305764号公報に開示されており、周知のものである。具体的には、疎水基が表面に配される有機化合物である。また、原版3の構成材料としては、ニッケル等を用いることができる。   The reversible membrane 4 is lyophilic by being heated in a state where it is in contact with the liquid or vapor (first heating condition), and is heated in a state where the liquid or vapor is not in contact (second heating condition). As a result, liquid repellency is achieved. Such substances that change the wettability according to the heating conditions are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-305764 and are well known. Specifically, it is an organic compound in which a hydrophobic group is arranged on the surface. Further, nickel or the like can be used as a constituent material of the original plate 3.

そして、可逆膜4は、図2(b)において、予め液体あるいは蒸気と接触された状態で加熱されており、親液化されている。
この液体としては、水はもちろんのこと、電解質を含む水溶液、エタノール、n−ブタノール等のアルコール、グリセリン、エチレングリコール等の多価アルコール、メチルエチルケトン等のケトン類のような有極性液体や、n−ノナン、n−オクタン等の直鎖状炭化水素、シクロヘキサン等の環式状炭化水素、m−キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素のような無極性液体を用いることができる。また、蒸気としては、水蒸気の外に、上記液体の蒸気であれば使用できるが、特にエタノール蒸気やm−キシレン 蒸気などの有機化合物の蒸気を用いることが好ましい。
Then, the reversible membrane 4 is heated in a state of being in contact with a liquid or vapor in advance in FIG.
Examples of the liquid include water, an aqueous solution containing an electrolyte, a polar liquid such as an alcohol such as ethanol and n-butanol, a polyhydric alcohol such as glycerin and ethylene glycol, and a ketone such as methyl ethyl ketone, and n- Nonpolar liquids such as linear hydrocarbons such as nonane and n-octane, cyclic hydrocarbons such as cyclohexane, and aromatic hydrocarbons such as m-xylene and benzene can be used. As the vapor, in addition to water vapor, any vapor of the above liquid can be used, but it is particularly preferable to use vapor of an organic compound such as ethanol vapor or m-xylene vapor.

なお、可逆膜4を加熱する手段としては、可逆膜4が加熱さえされれば良く、いずれの加熱手段を用いても良く、例えば、ヒータ、サーマルヘッド等の接触加熱手段であっても良いし、電磁波を用いる非接触加熱手段であっても良い。また、加熱温度は50〜250℃、加熱時間は0.1m秒〜1秒程度である。   As a means for heating the reversible film 4, any heating means may be used as long as the reversible film 4 is heated. For example, a contact heating means such as a heater or a thermal head may be used. Further, non-contact heating means using electromagnetic waves may be used. The heating temperature is 50 to 250 ° C., and the heating time is about 0.1 msec to 1 second.

次に、図2(c)に示すように、原版3をレジスト2に対して押圧する。この際、原版3の対向面3aの凸部3a1が基板1に対して接触するまで原版3を押圧する。なお、レジスト2は固体であるが流動性を有しているため、ここで、可逆膜4が親液化されていることによって、原版3の対向面3aの凹部3a2に均一に入り込む。   Next, as shown in FIG. 2C, the original 3 is pressed against the resist 2. At this time, the original 3 is pressed until the convex portion 3 a 1 of the facing surface 3 a of the original 3 contacts the substrate 1. Since the resist 2 is solid but has fluidity, the reversible film 4 is made lyophilic here, so that the resist 2 uniformly enters the concave portion 3a2 of the facing surface 3a of the original plate 3.

続いて、図2(c)に示した状態(原版3をレジスト2に対して押圧した状態)において、基板1全体、すなわち可逆膜4を加熱する。この状態において、可逆膜4は液体及び蒸気に対して非接触であるため加熱されることによって撥液化される。なお、この際の加熱温度は50〜300℃、加熱時間は0.1m秒〜10秒程度である。   Subsequently, in the state shown in FIG. 2C (the state in which the original plate 3 is pressed against the resist 2), the entire substrate 1, that is, the reversible film 4 is heated. In this state, since the reversible film 4 is not in contact with the liquid and vapor, it is made liquid repellent by heating. In this case, the heating temperature is 50 to 300 ° C., and the heating time is about 0.1 msec to 10 sec.

そして、図2(d)に示すように、原版3を解離することによってレジスト2がパターニングされる。この際、可逆膜4が撥液化されているため、原版3とレジスト2とが容易に剥離される。したがって、パターニングされたレジスト2の形状を崩すことなく原版3を解離することが可能となる。   Then, as shown in FIG. 2D, the resist 2 is patterned by dissociating the original 3. At this time, since the reversible film 4 is made liquid repellent, the original 3 and the resist 2 are easily peeled off. Therefore, it is possible to dissociate the original 3 without destroying the shape of the patterned resist 2.

このようにしてパターニングされたレジスト2,2間における基板1上には、図2(d)に示すように、原版3の対向面3aの凸部3a1と基板1との間に残ったレジストが残渣Xとして残存する。このため、ライトエッチング処理を行うことによって、レジスト2,2間における基板1上に残存する残渣Xを除去する。その後、基板1を焼成し、レジスト2を硬化させることによって図1に示すようなパターンが形成される。   On the substrate 1 between the resists 2 and 2 thus patterned, as shown in FIG. 2D, the resist remaining between the convex portion 3a1 of the opposing surface 3a of the original plate 3 and the substrate 1 is present. Residue X remains. For this reason, the residue X remaining on the substrate 1 between the resists 2 and 2 is removed by performing a light etching process. Thereafter, the substrate 1 is baked and the resist 2 is cured to form a pattern as shown in FIG.

このような本実施形態に係るパターン形成方法によれば、可逆膜4が、液体あるいは蒸気と接触状態で加熱されることによって親液性を示し、液体あるいは蒸気と非接触状態で加熱されることによって撥液性を示すため、原版とパターン形成材料との剥離が容易となり、パターン形状を崩さず形成することが可能となる。   According to such a pattern forming method according to the present embodiment, the reversible film 4 exhibits lyophilicity by being heated in contact with the liquid or vapor, and is heated in a non-contact state with the liquid or vapor. Since the liquid repellency is exhibited, the original and the pattern forming material can be easily separated, and the pattern shape can be formed without breaking.

(表示装置)
図3は、本実施形態に係る表示装置であるアクティブマトリクス型の有機EL装置100の模式図である。なお、図示する有機EL装置100は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
(Display device)
FIG. 3 is a schematic diagram of an active matrix organic EL device 100 which is a display device according to the present embodiment. The illustrated organic EL device 100 employs an active driving method using thin film transistors.

有機EL装置100は、基板20の上に回路素子として薄膜トランジスタを含む回路素子部14、画素電極(陽極)111、有機EL層(発光層)を含む有機機能層110、対向電極(陰極)12及び封止部3等を順次積層した構造からなる有機EL素子10をマトリクス状に複数配置したものである。   The organic EL device 100 includes a circuit element unit 14 including a thin film transistor as a circuit element on a substrate 20, a pixel electrode (anode) 111, an organic functional layer 110 including an organic EL layer (light emitting layer), a counter electrode (cathode) 12, and A plurality of organic EL elements 10 having a structure in which the sealing portions 3 and the like are sequentially laminated are arranged in a matrix.

基板20としては、本実施形態ではガラス基板が用いられている。基板20は、ガラス基板の他にもシリコン基板、石英基板、セラミックス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電機光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。この基板20の表面(図1における下面)は、外光の反射を抑制する減反射処理が施してあることが好ましい。基板20の表面に減反射処理を施すことによって外光の反射を抑制できるので本有機EL装置100のコントラストを向上させることが可能となる。基板20内には、発光領域としての複数の画素領域Aがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で配置されている。各画素領域Aには、画素電極111が配置され、その近傍には信号線132、電源線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Aの平面形状は、図示するような矩形の他に円形、長円形など任意の形状が適用される。   As the substrate 20, a glass substrate is used in the present embodiment. As the substrate 20, various known substrates used for electro-optical devices and circuit substrates such as a silicon substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, a plastic substrate, and a plastic film substrate can be used in addition to a glass substrate. The surface of the substrate 20 (the lower surface in FIG. 1) is preferably subjected to a dereflection treatment that suppresses reflection of external light. Since the reflection of external light can be suppressed by subjecting the surface of the substrate 20 to the anti-reflection treatment, the contrast of the organic EL device 100 can be improved. In the substrate 20, a plurality of pixel areas A as light emitting areas are arranged in a matrix. When color display is performed, for example, each of red (R), green (G), and blue (B) colors is supported. Pixel areas A to be arranged are arranged in a predetermined arrangement. In each pixel region A, a pixel electrode 111 is arranged, and in the vicinity thereof, a signal line 132, a power supply line 133, a scanning line 131, scanning lines for other pixel electrodes (not shown), and the like are arranged. As the planar shape of the pixel region A, an arbitrary shape such as a circle or an oval is applied in addition to a rectangle as illustrated.

また、封止部30は、水や酸素の浸入を防ぐことによって陰極12あるいは有機機能層110の酸化を防止するものであり、基板20に塗布される封止樹脂及び基板20に貼り合わされる封止基板30b(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の一種であるエポシキ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板20の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等によって塗布される。封止基板30bは、ガラスや金属等からなり、基板20と封止基板30bとは封止樹脂を介して貼り合わされる。   The sealing portion 30 prevents the cathode 12 or the organic functional layer 110 from being oxidized by preventing water and oxygen from entering, and the sealing resin applied to the substrate 20 and the sealing bonded to the substrate 20. A stop substrate 30b (sealing can) and the like are included. As the material of the sealing resin, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is used, and in particular, an epoxy resin which is a kind of thermosetting resin is preferably used. The sealing resin is circularly applied to the periphery of the substrate 20, and is applied by, for example, a microdispenser. The sealing substrate 30b is made of glass, metal, or the like, and the substrate 20 and the sealing substrate 30b are bonded together via a sealing resin.

図4は、上記有機EL装置100の回路構造を示している。この図4において、基板20上には複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の各交点毎に上記画素領域Aが形成されている。信号線132には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路104が接続されている。   FIG. 4 shows a circuit structure of the organic EL device 100. In FIG. 4, a plurality of scanning lines 131, a plurality of signal lines 132 extending in a direction intersecting the scanning lines 131, and a plurality of power supply lines 133 extending in parallel with the signal lines are wired on the substrate 20. ing. Further, the pixel region A is formed at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132. For example, the data line driving circuit 103 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 132. Further, the scanning line drive circuit 104 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 131.

画素領域Aには走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ123と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ124と、この駆動用の薄膜トランジスタ124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む画素電極(陽極)111と、画素電極111と陰極12との間に挟み込まれる有機機能層110とが設けられている。有機機能層110は、有機EL素子としての発光層を含む。   In the pixel region A, a switching thin film transistor 123 in which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 131 and a storage capacitor for holding an image signal supplied from the signal line 132 through the switching thin film transistor 123. 135, a driving thin film transistor 124 to which an image signal held by the storage capacitor 135 is supplied to the gate electrode, and the power line 133 when electrically connected to the power line 133 through the driving thin film transistor 124 A pixel electrode (anode) 111 into which a driving current flows and an organic functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode 12 are provided. The organic functional layer 110 includes a light emitting layer as an organic EL element.

画素領域Aでは走査線131が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ123がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ124の導通状態が決まる。また、駆動用の薄膜トランジスタ124のチャネルを介して電源線133から画素電極111に電流が流れ、さらに有機機能層110を通じて陰極12に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層110が発光する。   In the pixel region A, when the scanning line 131 is driven and the switching thin film transistor 123 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor 135, and the driving thin film transistor according to the state of the holding capacitor 135. The conduction state of 124 is determined. In addition, a current flows from the power supply line 133 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving thin film transistor 124, and further a current flows to the cathode 12 through the organic functional layer 110. The organic functional layer 110 emits light according to the amount of current at this time.

図5は、上記有機EL装置100における表示領域の断面構造を拡大した図である。この図5には赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する3つの画素領域の断面構造が示されている。上述のように有機EL装置100は、基板20上にTFTなどの回路等が形成された回路素子部14と、画素電極111及び有機機能層110が形成された発光素子部11と、陰極12とが順次積層されて構成されている。この有機EL装置100では有機機能層110から基板20側に発した光が回路素子部14及び基板20を透過して基板20の下側(観測者側)に放出されると共に、有機機能層110から基板20の反対側に発した光が陰極12によって反射されて回路素子部14及び基板20を透過して基板20の下側(観測者側)に放出されるようになっている。   FIG. 5 is an enlarged view of the cross-sectional structure of the display region in the organic EL device 100. FIG. FIG. 5 shows a cross-sectional structure of three pixel regions corresponding to each color of red (R), green (G), and blue (B). As described above, the organic EL device 100 includes the circuit element unit 14 in which a circuit such as a TFT is formed on the substrate 20, the light emitting element unit 11 in which the pixel electrode 111 and the organic functional layer 110 are formed, the cathode 12, and the like. Are sequentially stacked. In the organic EL device 100, light emitted from the organic functional layer 110 to the substrate 20 side is transmitted through the circuit element unit 14 and the substrate 20 and emitted to the lower side (observer side) of the substrate 20, and the organic functional layer 110. Then, the light emitted from the opposite side of the substrate 20 is reflected by the cathode 12, passes through the circuit element portion 14 and the substrate 20, and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 20.

回路素子部14には基板20上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護層2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141にはソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みによって形成されている。なお、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。さらに回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線)が形成され、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a,144bを貫通して半導体膜141のソース、ドレイン領域141a,141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145,146が形成されている。   In the circuit element portion 14, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 20, and an island-like semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed on the base protective layer 2c. Note that a source region 141a and a drain region 141b are formed in the semiconductor film 141 by high concentration P ion implantation. A portion where P is not introduced is a channel region 141c. Further, a transparent gate insulating film 142 covering the base protective film 2c and the semiconductor film 141 is formed in the circuit element portion 14, and a gate electrode 143 made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like is formed on the gate insulating film 142. (Scanning lines) are formed, and a transparent first interlayer insulating film 144 a and a second interlayer insulating film 144 b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142. The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141. Also, contact holes 145 and 146 are formed through the first and second interlayer insulating films 144a and 144b and connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141, respectively.

そして、第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール145がこの画素電極111に接続されている。このようにして、回路素子部14には各画素電極111に接続された駆動用のスイッチング用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には上述した保持容量135及び駆動用の薄膜トランジスタ124も形成されているが、図5ではこれらの図示を省略している。   On the second interlayer insulating film 144b, a transparent pixel electrode 111 made of ITO or the like is formed by patterning into a predetermined shape, and one contact hole 145 is connected to the pixel electrode 111. In this manner, the driving switching thin film transistor 123 connected to each pixel electrode 111 is formed in the circuit element portion 14. The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor 135 and the driving thin film transistor 124 described above, but these are not shown in FIG.

発光素子部11は、複数の画素電極111上の各々に積層された有機機能層110と、有機機能層110同士の間に配されて各有機機能層110を区画するバンク部112とを主体として構成されている。有機機能層110上には陰極12が配置されている。発光素子である有機EL素子10は、画素電極111、陰極12及び有機機能層110等を含んで構成される。ここで、画素電極111は、ITOにより形成されてなり、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極111の厚さは、50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nm程度が良い。   The light emitting element unit 11 mainly includes an organic functional layer 110 stacked on each of the plurality of pixel electrodes 111 and a bank unit 112 disposed between the organic functional layers 110 to partition each organic functional layer 110. It is configured. A cathode 12 is disposed on the organic functional layer 110. The organic EL element 10 that is a light emitting element includes a pixel electrode 111, a cathode 12, an organic functional layer 110, and the like. Here, the pixel electrode 111 is made of ITO, and is formed by patterning into a substantially rectangular shape in plan view. The thickness of the pixel electrode 111 is preferably in the range of 50 to 200 nm, particularly about 150 nm.

バンク部112は、図5に示すように基板20側に位置する無機物バンク層112aと基板20から離れて位置する有機物バンク層112b(画素間隔壁)とが積層されて構成されている。無機物バンク層112aは、例えば、SiO、TiO等の無機材料からなる。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。なお、この有機物バンク層112bが上述したパターン形成方法によって形成されている。 As shown in FIG. 5, the bank unit 112 is configured by laminating an inorganic bank layer 112 a positioned on the substrate 20 side and an organic bank layer 112 b (pixel interval wall) positioned away from the substrate 20. The inorganic bank layer 112a is made of an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2 , for example. The organic bank layer 112b is formed of a resist having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin. The organic bank layer 112b is formed by the pattern forming method described above.

有機機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された発光層(有機EL層)110bと、発光層110b及びバンク部112上かつ全面に亘って形成された電子注入/輸送層110cとから構成されている。正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。電子注入/輸送層110cは、電子を発光層110bに注入する機能を有すると共に、電子を電子注入/輸送層110c内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110a、を画素電極111と発光層110aの間に設け、電子注入/輸送層110cを陰極12と発光層110bの間に設けることによって発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、電子注入/輸送層110cから注入される電子が発光層110bで再結合し、発光が得られる。   The organic functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a laminated on the pixel electrode 111, a light emitting layer (organic EL layer) 110b formed adjacent to the hole injection / transport layer 110a, and a light emitting layer. 110b and an electron injection / transport layer 110c formed on the bank 112 and over the entire surface. The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the light emitting layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. The electron injection / transport layer 110c has a function of injecting electrons into the light emitting layer 110b and a function of transporting electrons inside the electron injection / transport layer 110c. By providing such a hole injection / transport layer 110a between the pixel electrode 111 and the light emitting layer 110a and providing an electron injection / transport layer 110c between the cathode 12 and the light emitting layer 110b, the luminous efficiency of the light emitting layer 110b, The device characteristics such as lifetime are improved. In the light emitting layer 110b, the holes injected from the hole injection / transport layer 110a and the electrons injected from the electron injection / transport layer 110c are recombined in the light emitting layer 110b to obtain light emission.

発光層110bは、赤色(R)に発光する赤色発光層110b、緑色(G)に発光する緑色発光層110b及び青色(B)に発光する青色発光層110bの発光する波長帯域が互いに異なる3種類からなり、各発光層110b〜110bが所定の配列(例えばストライプ状)で配置されている。 In the light emitting layer 110b, the red light emitting layer 110b 1 that emits red (R), the green light emitting layer 110b 2 that emits green (G), and the blue light emitting layer 110b 3 that emits blue (B) have different wavelength bands. It consists three different types, each emitting layer 110b 1 ~110b 3 are arranged in a predetermined array (e.g., stripes).

次に、陰極12は、発光素子部11の全面に形成されており、電子注入/輸送層110cに電子を注入する役割を果たす。この陰極12は、カルシウム層12aとアルミニウム層12bとが積層されて構成されている。カルシウム層の層厚は例えば2〜50nmの範囲が好ましい。また、アルミニウム層12bは、発光層110b〜110bから発せられた光を基板20側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば100〜1000nmの範囲が好ましい。 Next, the cathode 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11, and plays a role of injecting electrons into the electron injection / transport layer 110c. The cathode 12 is configured by laminating a calcium layer 12a and an aluminum layer 12b. The layer thickness of the calcium layer is preferably in the range of 2 to 50 nm, for example. The aluminum layer 12b reflects the light emitted from the light emitting layers 110b 1 to 110b 3 to the substrate 20 side, and is preferably made of an Ag film, an Al / Ag laminated film, or the like in addition to the Al film. The thickness is preferably in the range of 100 to 1000 nm, for example.

次に、上記有機EL装置100を製造する方法について図6〜図10を参照して説明する。なお、基板20上には、それぞれ先の図5に示した、スイッチング用及び駆動用の薄膜トランジスタ123,124を含む回路素子部14、無機物バンク層112a及び画素電極111がすでに形成されているものとする。   Next, a method for manufacturing the organic EL device 100 will be described with reference to FIGS. On the substrate 20, the circuit element portion 14 including the switching and driving thin film transistors 123 and 124, the inorganic bank layer 112 a, and the pixel electrode 111 shown in FIG. 5 are already formed. To do.

本実施形態の製造方法は、(1)有機物バンク層形成工程、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程、(4)電子注入/輸送層形成工程、(5)陰極形成工程及び(6)封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。なお、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法(インクジェット法)を用いて行った。   The manufacturing method of this embodiment includes (1) an organic bank layer forming step, (2) a hole injection / transport layer forming step, (3) a light emitting layer forming step, (4) an electron injection / transport layer forming step, (5 ) A cathode forming step and (6) a sealing step. In addition, the manufacturing method demonstrated here is an example, Comprising: Another process is added as needed, A part of said process is removed. The (2) hole injection / transport layer forming step and (3) light emitting layer forming step were performed using a liquid discharge method (inkjet method) using a droplet discharge device.

(1)有機物バンク層形成工程
この有機物バンク層形成工程は、上述のパターン形成方法によって、有機物バンク層112bを形成する工程であり、まず、図6(a)に示すように、画素電極111及び無機物バンク層112aが形成された基板20上の全面に有機物バンク層112bの形成材料であるレジスト40を、例えばスピンコート法によって塗布する。続いて、図6(b)に示すように、液体あるいは蒸気と接触状態で加熱されることによって親液性を示す可逆膜4を有する原版50をレジスト40に対して押圧する。なお、原版50の押圧面には、各画素領域に対応した凹凸部が形成されている。そして、基板20を加熱、すなわち可逆膜4と液体あるいは蒸気が非接触状態で加熱することによって、可逆膜4を撥液化した後、原版50を基板20から解離する。これによって、図6(c)に示すように、レジスト40が各画素領域に対応するようにパターニングされる。そして、レジスト40,40間に残存する残渣をライトエッチング処理等によって除去した後、基板20を焼成することによってレジスト4が硬化され、有機物バンク層112bが形成される。
(1) Organic Bank Layer Forming Step This organic bank layer forming step is a step of forming the organic bank layer 112b by the above pattern forming method. First, as shown in FIG. A resist 40, which is a material for forming the organic bank layer 112b, is applied to the entire surface of the substrate 20 on which the inorganic bank layer 112a is formed by, for example, spin coating. Subsequently, as shown in FIG. 6B, the original 50 having the reversible film 4 that exhibits lyophilicity is pressed against the resist 40 by being heated in contact with a liquid or vapor. In addition, an uneven portion corresponding to each pixel region is formed on the pressing surface of the original 50. Then, the substrate 20 is heated, that is, the reversible film 4 and the liquid or vapor are heated in a non-contact state to make the reversible film 4 liquid repellent, and then the original 50 is dissociated from the substrate 20. As a result, as shown in FIG. 6C, the resist 40 is patterned so as to correspond to each pixel region. Then, after the residue remaining between the resists 40 and 40 is removed by a light etching process or the like, the resist 4 is cured by baking the substrate 20, and the organic bank layer 112b is formed.

(2)正孔注入/輸送層形成工程
図7に示すように、画素電極111が形成された基板20上に、正孔注入/輸送層110aを形成する。正孔注入/輸送層形成工程では、例えば、液体吐出法を用いることにより、正孔注入/輸送層形成材料を含む組成物を画素電極111上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極111上に正孔注入/輸送層110aを形成する。なお、この正孔注入/輸送層形成工程を含め、以降の工程は、例えば窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
(2) Hole Injection / Transport Layer Formation Step As shown in FIG. 7, a hole injection / transport layer 110a is formed on the substrate 20 on which the pixel electrode 111 is formed. In the hole injection / transport layer forming step, for example, a composition containing a hole injection / transport layer forming material is discharged onto the pixel electrode 111 by using a liquid discharge method. Thereafter, a drying process and a heat treatment are performed to form the hole injection / transport layer 110 a on the pixel electrode 111. The subsequent steps including the hole injection / transport layer forming step are preferably performed in an inert gas atmosphere such as a nitrogen atmosphere or an argon atmosphere.

液体吐出法による正孔注入/輸送層の形成手順としては、液体を吐出するための吐出ヘッド(図示略)に、正孔注入/輸送層の材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを、バンク部112の開口部内に位置する画素電極111に対向させ、吐出ヘッドと基板20とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御されたインク滴を吐出する。その後、吐出後のインク滴を乾燥処理して組成物インクに含まれる極性溶媒(液体材料)を蒸発させることにより、正孔注入/輸送層が形成される。   As a procedure for forming a hole injection / transport layer by a liquid discharge method, a discharge head (not shown) for discharging a liquid is filled with a composition ink containing a material for the hole injection / transport layer, and then the discharge head is used. The discharge nozzle is opposed to the pixel electrode 111 located in the opening of the bank portion 112, and the discharge head and the substrate 20 are moved relative to each other, and an ink droplet with a controlled liquid amount is discharged from the discharge nozzle. To do. Thereafter, the ejected ink droplets are dried to evaporate the polar solvent (liquid material) contained in the composition ink, thereby forming the hole injection / transport layer.

ここで用いる組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン(NMP)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。より具体的な組成物の組成としては、PEDOT:PSS混合物(PEDOT/PSS=1:20):12.52重量%、PSS:1.44重量%、IPA:10重量%、NMP:27.48重量%、DMI:50重量%のものを例示できる。なお、組成物の粘度は2〜20Ps程度が好ましく、特に4〜15cPs程度が良い。   As the composition used here, for example, a composition obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS) in a polar solvent can be used. Examples of the polar solvent include isopropyl alcohol (IPA), normal butanol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and its derivatives, carbitol acetate And glycol ethers such as butyl carbitol acetate. More specifically, the composition of the PEDOT: PSS mixture (PEDOT / PSS = 1: 20): 12.52 wt%, PSS: 1.44 wt%, IPA: 10 wt%, NMP: 27.48 A weight%, DMI: 50 weight% can be illustrated. The viscosity of the composition is preferably about 2 to 20 Ps, particularly about 4 to 15 cPs.

(3)発光層形成工程
次に、図8に示すように、正孔注入/輸送層110aが積層された画素電極111上に発光層110bを形成する。図5では、青色発光層110bを形成し、続いて図6のように赤色発光層110b、緑色発光層110bを順次形成する。ここでは液体吐出法により、発光層用材料を含む組成物インクを正孔注入/輸送層110a上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理して、バンク部112に形成された開口部内に各色発光層110b〜110bを形成する。
(3) Light-Emitting Layer Formation Step Next, as shown in FIG. 8, the light-emitting layer 110b is formed on the pixel electrode 111 on which the hole injection / transport layer 110a is stacked. In FIG. 5, the blue light emitting layer 110b 3 is formed, and then the red light emitting layer 110b 1 and the green light emitting layer 110b 2 are sequentially formed as shown in FIG. Here, the composition ink containing the light emitting layer material is discharged onto the hole injection / transport layer 110a by a liquid discharge method, and then dried and heat-treated to emit light of each color in the opening formed in the bank portion 112. forming a layer 110b 1 ~110b 3.

発光層形成工程では、正孔注入/輸送層110aの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる組成物インクの溶媒として、正孔注入/輸送層110aに対して不溶な無極性溶媒を用いる。この場合、無極性溶媒に対する正孔注入/輸送層110aの表面の濡れ性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うのが好ましい。表面改質工程は、例えば上記無極性溶媒と同一溶媒又はこれに類する溶媒を液体吐出法、スピンコート法又はディップ法等により正孔注入/輸送層110a上に塗布した後に乾燥することにより行う。なお、ここで用いる表面改質用溶媒は、組成物インクの無極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、組成物インクの無極性溶媒に類するものとしては、例えばトルエン、キシレン等を例示することができる。   In the light emitting layer forming step, non-polarity that is insoluble in the hole injecting / transporting layer 110a is used as a solvent for the composition ink used in forming the light emitting layer in order to prevent re-dissolution of the hole injecting / transporting layer 110a. Use solvent. In this case, in order to improve the wettability of the surface of the hole injection / transport layer 110a with respect to the nonpolar solvent, it is preferable to perform a surface modification step before forming the light emitting layer. The surface modification step is performed, for example, by applying the same solvent as the nonpolar solvent or a similar solvent on the hole injection / transport layer 110a by a liquid discharge method, a spin coating method, a dip method, or the like and then drying. Examples of the surface modifying solvent used here are cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like as the nonpolar solvent of the composition ink. Examples of the solvent are toluene, xylene and the like.

液体吐出法による発光層の形成手順としては、まず青色発光層の形成に際しては、吐出ヘッド(図示略)に青色発光層110bを形成する材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを、バンク部112の開口部内に位置する青色(B)用の正孔注入/輸送層110aに対向させ、吐出ヘッドと基板20とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御されたインク滴を吐出する。吐出されたインク滴は、正孔注入/輸送層110a上に広がってバンク部112の開口部内に満たされる。続いて、吐出後のインク滴を乾燥処理することにより組成物インクに含まれる無極性溶媒が蒸発し、青色発光層110bが形成される。 As procedure of forming the light emitting layer by the liquid discharge method, the time of formation of the blue light-emitting layer First, filled with the composition ink containing the material for forming the blue light emitting layer 110b 3 to the ejection head (not shown), the ejection head The discharge nozzle is opposed to the blue (B) hole injection / transport layer 110a located in the opening of the bank 112, and the liquid per droplet is discharged from the discharge nozzle while relatively moving the discharge head and the substrate 20. An ink droplet whose amount is controlled is ejected. The ejected ink droplet spreads on the hole injection / transport layer 110a and fills the opening of the bank 112. Subsequently, the non-polar solvent contained in the composition ink is evaporated by drying the ejected ink droplets, and the blue light emitting layer 110b 3 is formed.

青色発光層110bを形成する発光材料としては、例えばジスチリルビフェニルおよびその誘導体、クマリンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。一方、無極性溶媒としては、正孔注入/輸送層に対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。 As the light emitting material for forming the blue light emitting layer 110b 3, it can be used, for example distyryl biphenyl and its derivatives, coumarin and its derivatives, those made of an organic EL material such as tetraphenylbutadiene and its derivatives. On the other hand, as the nonpolar solvent, those insoluble in the hole injection / transport layer are preferable. For example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, and the like can be used.

続いて、正孔注入/輸送層110aが積層された赤色(R)及び緑色(G)用の画素電極111の上に、赤色発光層110b及び緑色発光層110bをそれぞれ形成する。この赤色及び緑色発光層形成工程は、前述した青色発光層形成工程と同様の手順で行われる。すなわち、液体吐出法により、緑色発光層110bを形成する材料を含む組成物インクを緑色(G)用の正孔注入/輸送層110a上に吐出した後に乾燥処理及び熱処理して、バンク部112に形成された開口部内に緑色発光層110bを形成する。また、液体吐出法により、赤色発光層110bを形成する材料を含む組成物インクを赤色(R)用の正孔注入/輸送層110a上に吐出した後に乾燥処理及び熱処理して、バンク部112に形成された開口部内に赤色発光層110bを形成する。なお、緑色発光層110bを形成する発光材料としては、例えばキナクリドンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができ、赤色発光層110bを形成する発光材料としては、例えばローダミンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。 Subsequently, on the hole injection / transport layer 110a are stacked red (R) and green (G) for the pixel electrode 111, to form a red light-emitting layer 110b 1 and the green light emitting layer 110b 2, respectively. The red and green light emitting layer forming steps are performed in the same procedure as the blue light emitting layer forming step described above. That is, the liquid discharging method, dried and heat treated after discharging a composition ink containing the material for forming the green light-emitting layer 110b 2 green (G) hole injection / transport layer 110a for the bank portion 112 forming the green light-emitting layer 110b 2 in the opening formed in. Further, the bank portion 112 is subjected to a drying process and a heat treatment after discharging a composition ink containing a material for forming the red light emitting layer 110b 1 onto the red (R) hole injection / transport layer 110a by a liquid discharge method. forming the red light-emitting layer 110b 1 in the opening formed in. Note that the light-emitting material for forming the green light-emitting layer 110b 2, for example, there can be used those made of organic EL material such as quinacridone and its derivatives, as a luminescent material for forming the red light-emitting layer 110b 1, for example, rhodamine and What consists of organic electroluminescent materials, such as the derivative | guide_body, can be used.

(4)電子注入/輸送層形成工程
次に、図9に示すように、発光層110b及びバンク層112の全面に電子注入/輸送層110cを形成する。電子注入/輸送層110cは、蒸着法、スパッタ法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層110bの損傷を防止できる点で好ましい。
(4) Electron Injection / Transport Layer Formation Step Next, as shown in FIG. 9, the electron injection / transport layer 110c is formed on the entire surface of the light emitting layer 110b and the bank layer 112. The electron injecting / transporting layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like. In particular, the electron injection / transport layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method from the viewpoint of preventing damage to the light emitting layer 110b due to heat.

(5)陰極形成工程
次に、図10に示すように、画素電極(陽極)111と対をなす陰極12を形成する。即ち、各色発光層110b〜110b及びバンク部112を含む基板20上の領域全面に、カルシウム層12aとアルミニウム層12bとを順次積層して陰極12を形成する。これにより、各色発光層110b〜110bの形成領域全体に、陰極12が積層され、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する有機EL素子10〜10がそれぞれ形成される。
(5) Cathode Formation Step Next, as shown in FIG. 10, the cathode 12 that forms a pair with the pixel electrode (anode) 111 is formed. That is, the entire region of the substrate 20 including the color light emitting layers 110b 1 ~110b 3 and bank portions 112 are sequentially laminated a calcium layer 12a and the aluminum layer 12b to form the cathode 12. Thus, the entire formation region of each color light emitting layer 110b 1 ~110b 3, the cathode 12 is laminated, red (R), green (G), the organic EL elements 10 1 to 10 3 corresponding to the respective colors of blue (B) Are formed respectively.

陰極12は、例えば蒸着法、スパッタ法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層110b〜110bの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極12上に、酸化防止のためにSiO、SiN等の保護層を設けても良い。 The cathode 12 is preferably formed by, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like, and particularly preferably formed by a vapor deposition method in terms of preventing damage to the light emitting layers 110b 1 to 110b 3 due to heat. Further, a protective layer such as SiO 2 or SiN may be provided on the cathode 12 to prevent oxidation.

(6)封止工程
最後に、有機EL素子(発光素子)が形成された基板20と封止基板30b(図3参照)とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板20の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板30bを配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極12にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極12に侵入して陰極12が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
(6) Sealing process Finally, the substrate 20 on which the organic EL element (light emitting element) is formed and the sealing substrate 30b (see FIG. 3) are sealed with a sealing resin. For example, a sealing resin made of a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is applied to the peripheral portion of the substrate 20, and the sealing substrate 30b is disposed on the sealing resin. The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. If it is carried out in the air, when a defect such as a pinhole has occurred in the cathode 12, water or oxygen may enter the cathode 12 from the defective portion and the cathode 12 may be oxidized, which is not preferable.

この後、基板20の配線に陰極12を接続するとともに、基板20上あるいは外部に設けられる駆動IC(駆動回路)に回路素子部14(図3参照)の配線を接続することにより、本実施形態の有機EL装置100が完成する。   Thereafter, the cathode 12 is connected to the wiring of the substrate 20, and the wiring of the circuit element unit 14 (see FIG. 3) is connected to a driving IC (driving circuit) provided on or outside the substrate 20. The organic EL device 100 is completed.

このような本実施形態に係る有機EL装置100の製造方法によれば、上述したパターン形成方法によって、有機物バンク層112bが形成されるため、所望の形状にパターニングされた有機物バンク層112bを形成することができる。
また、ライトエッチング処理によって、パターニングされたレジスト40,40間に残存する残渣が除去されるため、より優れた発光特性を有する表示装置とすることが可能となる。
According to the method of manufacturing the organic EL device 100 according to this embodiment, the organic bank layer 112b is formed by the pattern forming method described above, and thus the organic bank layer 112b patterned into a desired shape is formed. be able to.
Further, since the residue remaining between the patterned resists 40 and 40 is removed by the light etching process, a display device having more excellent light emission characteristics can be obtained.

次に、図11を参照して、上述の有機物バンク層形成工程とは異なる有機物バンク層形成工程(第2有機物バンク形成工程)について説明する。
この第2有機物バンク形成工程では、有機物バンク112bが、上述のパターン形成方法によってパターンニングされたマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって形成される。
まず、図11(a)に示すように、レジスト40上に当該レジスト40とは異なる性質を有する第2レジスト60を塗布する。続いて、図11(b)に示すように、液体あるいは蒸気と接触状態で加熱されることによって親液性を示す可逆膜4を有する原版70を第2レジスト60に対して押圧する。なお、原版70の押圧面には、各画素領域に対応した凹凸部が形成されている。そして、基板20を加熱、すなわち可逆膜4と液体あるいは蒸気が非接触状態で加熱することによって、可逆膜4を撥液化した後、原版70を基板20から解離する。これによって、図11(c)に示すように、マスクMが形成される。その後、このマスクMを介してレジスト40を露光し、さらに現像し、硬化させることによって有機物バンク層112bが形成される。
このように、上述のパターン形成方法は、このようなレジスト40を露光するためのマスクMを形成する場合に用いることもできる。
Next, an organic bank layer forming step (second organic bank forming step) different from the above-described organic bank layer forming step will be described with reference to FIG.
In the second organic bank forming step, the organic bank 112b is formed by a photolithography method using a mask patterned by the pattern forming method described above.
First, as shown in FIG. 11A, a second resist 60 having a property different from that of the resist 40 is applied on the resist 40. Subsequently, as shown in FIG. 11B, the original plate 70 having the reversible film 4 showing lyophilicity is pressed against the second resist 60 by being heated in contact with the liquid or vapor. In addition, an uneven portion corresponding to each pixel region is formed on the pressing surface of the original plate 70. Then, the substrate 20 is heated, that is, the reversible film 4 and the liquid or vapor are heated in a non-contact state to make the reversible film 4 liquid repellent, and then the original plate 70 is dissociated from the substrate 20. As a result, a mask M is formed as shown in FIG. Thereafter, the resist 40 is exposed through the mask M, further developed, and cured to form the organic bank layer 112b.
As described above, the pattern forming method described above can also be used in the case of forming a mask M for exposing such a resist 40.

本発明の一実施形態に係るパターンが形成された基板1の断面図である。It is sectional drawing of the board | substrate 1 with which the pattern which concerns on one Embodiment of this invention was formed. 同、パターンの形成方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation method of a pattern similarly. 本発明の一実施形態に係る有機EL装置の構成を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the structure of the organic electroluminescent apparatus concerning one Embodiment of this invention. アクティブマトリクス型有機EL装置の回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit of an active matrix type organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の表示領域の断面構造を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the cross-section of the display area of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus. 有機EL装置の製造方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of an organic electroluminescent apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1,20……基板(土台)、2,40……レジスト(パターン形成材料)、3,50,70……原版、4……可逆膜


1, 20 ... Substrate (base), 2, 40 ... Resist (pattern forming material), 3, 50, 70 ... Original plate, 4 ... Reversible film


Claims (7)

土台上に配置されたパターン形成材料に対して所定のパターンに対応する凹凸を有する原版を押圧し、前記パターン形成材料をパターニングすることによって所定のパターンを形成する方法であって、
前記原版の押圧面に第1の加熱条件と第2の加熱条件とによって濡れ性が変化する可逆膜を配置し、
前記第1の加熱条件において加熱した前記原版を前記パターン形成材料に対して押圧する工程と、
前記原版を前記パターン形成材料に対して押圧した状態で前記第2の加熱条件において前記原版を加熱する工程と、
前記原版を前記パターン形成材料から解離する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
A method of forming a predetermined pattern by pressing an original plate having irregularities corresponding to a predetermined pattern against a pattern forming material disposed on a base, and patterning the pattern forming material,
A reversible film whose wettability changes depending on the first heating condition and the second heating condition is disposed on the pressing surface of the original plate,
Pressing the original heated under the first heating condition against the pattern forming material;
Heating the original plate in the second heating condition with the original plate pressed against the pattern forming material;
A step of dissociating the original from the pattern forming material.
前記可逆膜は、前記第1の加熱条件において加熱されることによって親液化され、前記第2の加熱条件において加熱されることによって撥液化されることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to claim 1, wherein the reversible film is made lyophilic by being heated under the first heating condition, and is made lyophobic by being heated under the second heating condition. . 前記パターン形成材料をパターンニングした後に、前記パターン形成材料間に残存する残渣を除去する工程を有することを特徴とする請求項1または2記載のパターン形成方法。 3. The pattern forming method according to claim 1, further comprising a step of removing a residue remaining between the pattern forming materials after patterning the pattern forming material. 前記第1の加熱条件は、前記可逆膜と液体あるいは蒸気とが接触された状態であり、前記第2の加熱条件は、前記可逆膜と液体あるいは蒸気が非接触とされた状態であることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載のパターン形成方法。 The first heating condition is a state where the reversible membrane is in contact with the liquid or vapor, and the second heating condition is a state where the reversible membrane is not in contact with the liquid or vapor. The pattern formation method according to any one of claims 1 to 3. 前記パターン形成材料は、レジストであることを特徴とする請求項1〜4いずれかに記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to claim 1, wherein the pattern forming material is a resist. 複数の発光領域と各発光領域間に配置される画素間隔壁とを有する表示装置の製造方法であって、
請求項1〜5いずれかに記載のパターン形成方法を用いて前記画素間隔壁を形成する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
A method of manufacturing a display device having a plurality of light emitting regions and a pixel interval wall disposed between the light emitting regions,
A method for manufacturing a display device, comprising the step of forming the pixel interval wall using the pattern forming method according to claim 1.
複数の画素領域と各画素領域間に配置される画素間隔壁とを有する表示装置の製造方法であって、
基板の一面に前記画素間隔壁の材料を配置する工程と、
請求項1〜5いずれかに記載のパターン形成方法を用いて前記画素間隔壁の材料上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを介して前記画素間隔壁の材料を露光する工程と、
露光された前記画素間隔壁の材料を現像する工程と
によって前記画素間隔壁を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。

A method of manufacturing a display device having a plurality of pixel regions and a pixel interval wall disposed between the pixel regions,
Disposing the pixel spacing wall material on one surface of the substrate;
Forming a mask on the material of the pixel interval wall using the pattern forming method according to claim 1;
Exposing the material of the pixel spacing walls through the mask;
And developing the exposed material of the pixel spacing wall to form the pixel spacing wall.

JP2003397398A 2003-11-27 2003-11-27 Pattern formation method and manufacturing method of display device Withdrawn JP2005158584A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003397398A JP2005158584A (en) 2003-11-27 2003-11-27 Pattern formation method and manufacturing method of display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003397398A JP2005158584A (en) 2003-11-27 2003-11-27 Pattern formation method and manufacturing method of display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005158584A true JP2005158584A (en) 2005-06-16

Family

ID=34722565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003397398A Withdrawn JP2005158584A (en) 2003-11-27 2003-11-27 Pattern formation method and manufacturing method of display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005158584A (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005799A (en) * 2005-06-21 2007-01-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing electronic apparatus by microembossing work
JP2007243192A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp Method for manufacturing electronic device and embossing tool
WO2007142163A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2007145103A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2008016444A (en) * 2006-06-09 2008-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device
WO2008091017A1 (en) * 2007-01-24 2008-07-31 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Method of patterning color conversion layer and method of manufacturing organic el display using the patterning method
JP2008198574A (en) * 2007-02-15 2008-08-28 Fuji Electric Holdings Co Ltd Patterning method of color conversion layer, and manufacturing method of organic el-display
JP2010040392A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Fuji Xerox Co Ltd Patterning method, organic electric element, organic electroluminescence element, and organic semiconductor transistor
JP2010538419A (en) * 2007-08-28 2010-12-09 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ Manufacturing method of organic electronic device or optoelectronic device
WO2013008336A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 パイオニア株式会社 Method for manufacturing organic semiconductor element
WO2013164881A1 (en) * 2012-05-01 2013-11-07 信越エンジニアリング株式会社 Manufacturing method for display device and manufacturing apparatus therefor

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005799A (en) * 2005-06-21 2007-01-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing electronic apparatus by microembossing work
JP2007243192A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp Method for manufacturing electronic device and embossing tool
US8372731B2 (en) 2006-03-10 2013-02-12 Seiko Epson Corporation Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures, and embossing tool
WO2007142163A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2008016444A (en) * 2006-06-09 2008-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device
US8313355B2 (en) 2006-06-09 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI472261B (en) * 2006-06-09 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
WO2007145103A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9064827B2 (en) 2006-06-14 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8710731B2 (en) 2007-01-24 2014-04-29 Sharp Kabushiki Kaisha Method of patterning color conversion layer and method of manufacturing organic EL display using the patterning method
WO2008091017A1 (en) * 2007-01-24 2008-07-31 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Method of patterning color conversion layer and method of manufacturing organic el display using the patterning method
JP2008198574A (en) * 2007-02-15 2008-08-28 Fuji Electric Holdings Co Ltd Patterning method of color conversion layer, and manufacturing method of organic el-display
JP2010538419A (en) * 2007-08-28 2010-12-09 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ Manufacturing method of organic electronic device or optoelectronic device
JP2010040392A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Fuji Xerox Co Ltd Patterning method, organic electric element, organic electroluminescence element, and organic semiconductor transistor
WO2013008336A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 パイオニア株式会社 Method for manufacturing organic semiconductor element
WO2013164881A1 (en) * 2012-05-01 2013-11-07 信越エンジニアリング株式会社 Manufacturing method for display device and manufacturing apparatus therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8029850B2 (en) Method of manufacturing organic electroluminescent device and method of manufacturing device
JP4211804B2 (en) Device, film forming method and device manufacturing method
JP4682651B2 (en) Electroluminescence equipment, electronic equipment
JP2008243406A (en) Electro-optical device and manufacturing method of electro-optical device
JP2003282244A (en) Thin film, manufacturing method of thin film, thin film manufacturing device, organic el device, manufacturing method and manufacturing device thereof, and electronic apparatus
JP4715226B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ELECTRONIC DEVICE
JP2003249376A (en) Display device and electronic equipment
JP2007311235A (en) Device, film forming method, and manufacturing method of device
JP2007095608A (en) Electrooptical device, electronic apparatus and method of manufacturing electrooptical device
JP2004355913A (en) Process for manufacturing organic electroluminescence device
JP2007311236A (en) Device, film forming method, and manufacturing method of device
JP4432358B2 (en) Manufacturing method of electro-optical device
KR100553858B1 (en) Electro-optical apparatus, method of manufacturing the same, and electronic equipment
KR100548689B1 (en) Method of manufacturing electroluminescence device and electroluminescence device, and electronic apparatus
JP2005158584A (en) Pattern formation method and manufacturing method of display device
JP2006241309A (en) Coating liquid composition, method for forming thin film and organic thin film
JP4760037B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP2006222195A (en) Organic el apparatus, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2006261026A (en) Manufacturing method of electro-optical device and electro-optical device
JP2003249378A (en) Display device and electronic equipment
JP2005334781A (en) Liquid-drop discharge device, liquid drop-discharge method, manufacturing method for color filter substrate, manufacturing method for electro-optical device, electro-optical device and electronic apparatus
JP4957318B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP4830941B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP2007311238A (en) Method of manufacturing light-emitting device
JP2005063870A (en) Organic el device, its manufacturing method, and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070206