JP4978543B2

JP4978543B2 - Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP4978543B2
Application number: JP2008111023A
Authority: JP
Inventors: 徹二村; 司大田; 耕造下神
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-04-22
Filing date: 2008-04-22
Publication date: 2012-07-18
Anticipated expiration: 2028-04-22
Also published as: JP2009266858A

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence device and a manufacturing method thereof.

従来から、カラーフィルタ基板の着色層、有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の有機機能層及び微細な配線パターン等を液滴吐出法を用いて形成する方法が提案されている。この液滴吐出法によれば、材料を必要な箇所に必要なだけ配置することができるため、材料使用量の削減や形成時間の短縮化を図ることができる。 Conventionally, a method of forming a colored layer of a color filter substrate, an organic functional layer of an organic electroluminescence device (organic EL device), a fine wiring pattern, and the like using a droplet discharge method has been proposed. According to this droplet discharge method, as much material can be disposed as necessary at a necessary location, the amount of material used can be reduced and the formation time can be shortened.

このような液滴吐出法では、液状の材料、或いは、材料を液体に含有させた液状体を吐出するため、材料を基板上に配置する場合には、液滴吐出法によって吐出した液体が流れ出さないよう、基板上に予めバンクと呼ばれるバンクを形成し、このバンク間に液体を吐出配置している。そして、バンク間に配置された液体が乾燥或いは焼成されることによって、最終的に、バンク間に着色層、有機機能層或いは配線パターンが形成される。 In such a droplet discharge method, a liquid material or a liquid material containing the material in the liquid is discharged. Therefore, when the material is disposed on the substrate, the liquid discharged by the droplet discharge method flows. A bank called a bank is formed on the substrate in advance so that the liquid is not discharged, and a liquid is ejected between the banks. And the liquid arrange | positioned between banks is dried or baked, and finally a colored layer, an organic functional layer, or a wiring pattern is formed between banks.

ところで、液滴吐出法において液体を所定領域、即ちバンク間に配置する際には、バンク間において液滴吐出法によって吐出された液体を濡れ広がらせる必要がある。ここで、液体が濡れ広がらない場合には、液体の液滴の膜厚等にムラが生じ、均一な機能を発揮することができなくなる。又、バンク間から液体が食み出した場合には、混色等の不良原因となる場合もある。そこで、例えば、プラズマ処理によって、バンク間の親液性を高めたり、バンクに撥液性を与えたりすることによって、液体が確実にバンク間においてのみ濡れ広がらせる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。又、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置においては素子配線の高密度化による配線間容量の低減や絶縁耐圧確保のためのアクリル樹脂等の有機平坦化層を画素下層に配置する構造が一般的である。 By the way, when the liquid is disposed in a predetermined region, that is, between banks in the droplet discharge method, it is necessary to wet and spread the liquid discharged by the droplet discharge method between the banks. Here, when the liquid does not spread and spread, unevenness occurs in the film thickness of the liquid droplets and the uniform function cannot be exhibited. Further, when liquid oozes out between the banks, it may cause a defect such as color mixing. Therefore, for example, a technique has been proposed in which the liquid can be wetted and spread only between the banks by increasing the lyophilicity between the banks or imparting liquid repellency to the banks by plasma treatment (for example, Patent Document 1). In an active matrix organic EL device, an organic flattening layer such as an acrylic resin is generally disposed under the pixel in order to reduce inter-wire capacitance by increasing the density of element wiring and to ensure withstand voltage. .

特開２０００−３２３２７６号公報JP 2000-323276 A

しかしながら、上記のような基板構造においては平坦化層及び撥液性バンク材としてアクリル等の有機樹脂膜が使用されるが、これらはレジスト材に比べると材料費が高いうえ、数μｍの厚膜で使用するため加工生産性が低い問題があり、工程としては削減したいものである。 However, in the substrate structure as described above, an organic resin film such as acrylic is used as the planarizing layer and the liquid repellent bank material. However, these have higher material costs than the resist material, and are thick films of several μm. Therefore, there is a problem that the processing productivity is low, and the process is to be reduced.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］基板と、前記基板の表面に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層の表面に形成された複数の画素電極と、少なくとも１つの開口部を有し、前記開口部内に前記画素電極の一部が配置され、前記画素電極の周縁部を覆うように、前記画素電極と前記有機平坦化層との表面に形成された複数の絶縁膜と、を含み、隣り合う２つの前記絶縁膜の間の領域には、前記画素電極の下層の前記有機平坦化層が露出していることを特徴とする有機ＥＬ装置。 Application Example 1 A substrate, an organic planarization layer formed on the surface of the substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the surface of the organic planarization layer, and at least one opening, the opening A plurality of insulating films formed on the surface of the pixel electrode and the organic planarization layer so as to cover a peripheral portion of the pixel electrode, and a part of the pixel electrode is disposed in the portion, and adjacent to each other The organic EL device, wherein the organic planarizing layer under the pixel electrode is exposed in a region between the two insulating films.

これによれば、素子基板上の画素電極の下層に形成された有機平坦化層を基板最表面に露出させ、自己整合的な選択塗布を可能とするため、撥液性バンクの形成なしに選択塗布を可能とする画素構造が得られ、画素電極上に撥液性バンク構造を設けることなく選択塗布塗り分けを可能とする。又、上記構造において、画素電極の周縁部からのリーク防止のため画素電極の周縁部を絶縁膜でカバーしているので、画素電極と共通電極との間でのリーク・ショートを防止する。これにより、撥液性バンク材を使用せずに選択塗布を可能とする画素構造を提供する。 According to this, the organic flattening layer formed under the pixel electrode on the element substrate is exposed on the outermost surface of the substrate, and can be selected without forming a liquid repellent bank to enable self-aligned selective coating. A pixel structure that enables application can be obtained, and selective application and coating can be performed without providing a liquid repellent bank structure on the pixel electrode. Further, in the above structure, since the peripheral edge of the pixel electrode is covered with an insulating film in order to prevent leakage from the peripheral edge of the pixel electrode, leakage / short-circuit between the pixel electrode and the common electrode is prevented. This provides a pixel structure that enables selective application without using a liquid repellent bank material.

［適用例２］上記有機ＥＬ装置であって、前記有機平坦化層の前記領域の表面は、撥液性を有しており、前記領域に囲まれた、前記絶縁膜及び前記開口部内の前記画素電極の表面は、前記有機平坦化層の前記領域の表面よりも弱い撥液性を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。 Application Example 2 In the above organic EL device, the surface of the region of the organic planarization layer has liquid repellency, and the insulating film and the opening in the opening surrounded by the region The surface of the pixel electrode has a liquid repellency weaker than the surface of the region of the organic planarization layer.

これによれば、素子基板上の画素電極の下層に形成された有機平坦化層を基板最表面に露出させ、撥液性を有することにより、より精度の高い自己整合的な選択塗布を可能とするため、撥液性バンクの形成なしに選択塗布を可能とする画素構造が得られ、画素電極上に撥液性バンク構造を設けることなく選択塗布塗り分けを可能とする。又、上記構造において、画素電極の周縁部からのリーク防止のため画素電極の周縁部を絶縁膜でカバーしているので、画素電極と共通電極との間でのリーク・ショートを防止する。これにより、撥液性バンク材を使用せずに選択塗布を可能とする画素構造を提供する。 According to this, the organic flattening layer formed in the lower layer of the pixel electrode on the element substrate is exposed on the outermost surface of the substrate, and has liquid repellency, thereby enabling more accurate self-aligned selective coating. Therefore, a pixel structure that enables selective application without forming a liquid repellent bank is obtained, and selective application coating can be performed without providing a liquid repellent bank structure on the pixel electrode. Further, in the above structure, since the peripheral edge of the pixel electrode is covered with an insulating film in order to prevent leakage from the peripheral edge of the pixel electrode, leakage / short-circuit between the pixel electrode and the common electrode is prevented. This provides a pixel structure that enables selective application without using a liquid repellent bank material.

［適用例３］上記有機ＥＬ装置であって、前記絶縁膜及び前記開口部内の前記画素電極の表面に形成された有機発光層を含み、前記有機発光層は、インクジェット塗布により形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。 Application Example 3 In the organic EL device, the organic EL device includes an organic light emitting layer formed on the surface of the pixel electrode in the insulating film and the opening, and the organic light emitting layer is formed by inkjet coating. An organic EL device characterized by the above.

これによれば、より精度の高い塗り分けができる。 According to this, it is possible to perform painting with higher accuracy.

［適用例４］上記有機ＥＬ装置であって、前記有機平坦化層の前記領域の形状は、凸形状であることを特徴とする有機ＥＬ装置。 Application Example 4 In the organic EL device described above, the shape of the region of the organic planarization layer is a convex shape.

これによれば、隣り合う塗布領域のインクの混合が起きないように規制する。 According to this, it controls so that the mixing of the ink of an adjacent application | coating area | region may not occur.

［適用例５］上記有機ＥＬ装置であって、前記絶縁膜は、複数の前記開口部を有していることを特徴とする有機ＥＬ装置。 Application Example 5 In the organic EL device, the insulating film has a plurality of the openings.

これによれば、精度の低い吐出装置での塗布にも対応できる。高精細発光画素にも対応できる。 According to this, it can respond also to application | coating with a low precision discharge device. It can also handle high-definition light-emitting pixels.

［適用例６］画素電極と共通電極との間に有機発光層が形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、有機平坦化層を形成する工程と、前記有機平坦化層の表面の所定の位置に前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極の表面の所定の位置に絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記有機平坦化層の表面に第１の表面処理を行う工程と、前記有機平坦化層によって囲まれた領域に前記有機発光層を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 Application Example 6 A manufacturing method of an organic EL device having an organic electroluminescence element in which an organic light emitting layer is formed between a pixel electrode and a common electrode, the step of forming an organic planarization layer, and the organic Forming the pixel electrode at a predetermined position on the surface of the planarizing layer; forming an insulating film at a predetermined position on the surface of the pixel electrode; and a first surface at least on the surface of the organic planarizing layer. A method for manufacturing an organic EL device, comprising: a step of performing a process; and a step of forming the organic light emitting layer in a region surrounded by the organic planarization layer.

これによれば、有機平坦化層の表面に施された第１の表面処理によって、インクジェットプロセスによる有機発光層を画素毎のばらつきを抑えて形成することができる。 According to this, by the first surface treatment applied to the surface of the organic planarization layer, it is possible to form an organic light emitting layer by an inkjet process while suppressing variation for each pixel.

［適用例７］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の表面処理を行う工程の前に、少なくとも前記画素電極と前記絶縁膜との表面に第２の表面処理を行う工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 Application Example 7 In the method of manufacturing the organic EL device, a step of performing a second surface treatment on at least the surface of the pixel electrode and the insulating film before the step of performing the first surface treatment. A method for producing an organic EL device, comprising:

これによれば、有機平坦化層の表面に施された第１の表面処理と、画素電極と絶縁膜との表面に施された第２の表面処理とによって、インクジェットプロセスによる有機発光層を画素毎のばらつきを抑えて形成することができる。 According to this, the organic light emitting layer by the inkjet process is formed into a pixel by the first surface treatment applied to the surface of the organic planarization layer and the second surface treatment applied to the surface of the pixel electrode and the insulating film. It can be formed with reduced variation.

［適用例８］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の表面処理する工程は、前記有機平坦化層の表面に対してＣＦ₄プラズマ処理を行うことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 Application Example 8 In the above organic EL device manufacturing method, the first surface treatment step includes performing CF ₄ plasma treatment on the surface of the organic planarization layer. Manufacturing method.

これによれば、第１の表面処理する工程では、有機平坦化層の表面に対してＣＦ₄プラズマ処理が行われる結果、有機平坦化層表面が弗素化され、液体をよくはじくようになる。 According to this, in the first surface treatment step, the surface of the organic flattening layer is subjected to CF ₄ plasma treatment. As a result, the surface of the organic flattening layer is fluorinated and repels the liquid well.

［適用例９］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２の表面処理する工程は、前記画素電極と前記絶縁膜との表面に対して酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、オゾン含有ガスへの暴露処理のうちいずれか１つ以上の処理を行うことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 Application Example 9 In the method of manufacturing the organic EL device, the second surface treatment step includes oxygen plasma treatment, UV irradiation treatment, ozone-containing gas on the surface of the pixel electrode and the insulating film. A method for manufacturing an organic EL device, comprising performing any one or more of exposure processes.

これによれば、第２の表面処理する工程では、画素電極と絶縁膜との表面に対して酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、オゾン含有ガスへの暴露処理のうちいずれか１つ以上の処理が行われ、画素電極と絶縁膜との表面が液体となじむようになる。 According to this, in the second surface treatment step, at least one of oxygen plasma treatment, UV irradiation treatment, and ozone-containing gas exposure treatment is performed on the surface of the pixel electrode and the insulating film. As a result, the surfaces of the pixel electrode and the insulating film become compatible with the liquid.

［適用例１０］上記有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機発光層は、インクジェット法により形成されることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 Application Example 10 A method for manufacturing an organic EL device according to the above-described method, wherein the organic light emitting layer is formed by an ink jet method.

これによれば、有機発光層を含む有機薄膜がインクジェット法により形成される結果、絶縁膜に囲まれたそれぞれの素子形成領域に、滴下される有機薄膜を構成するインク化された組成物の量のばらつきを抑えることができる。又スピンコート法、スプレー法等と比べて、高価な有機ＥＬ材料を無駄にせず、追加のプロセスを増やすことなくＲＧＢの発光材料を塗り分けることができる。 According to this, as a result of the organic thin film including the organic light emitting layer being formed by the inkjet method, the amount of the inkized composition constituting the organic thin film that is dropped onto each element formation region surrounded by the insulating film The variation of can be suppressed. Compared with a spin coating method, a spray method, and the like, it is possible to separate RGB light emitting materials without wasting an expensive organic EL material and without increasing an additional process.

以下、図面を参照し、有機エレクトロルミネッセンス装置の一実施形態である有機エレクトロルミネッセンス発光装置（有機ＥＬ発光装置）について説明する。尚、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。 Hereinafter, an organic electroluminescence light emitting device (organic EL light emitting device) which is an embodiment of an organic electroluminescence device will be described with reference to the drawings. In the drawings referred to in each embodiment, each layer and each member are displayed in different scales so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ発光装置２を構成するマトリクス状に形成された複数の画素領域の回路構成図であり、図２は、同装置の画素１０の平面構造を示す図であって、主にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の画素駆動部分を示す。図３は、同装置の画素１０の平面構造を示す図であって、画素間を区画する絶縁膜等を示す。図４は、図３のIV−IV線に沿う断面構成図である。尚、図３では図面を見易くするために対向基板の図示を省略している。 (First embodiment)
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a plurality of pixel regions formed in a matrix that constitutes the organic EL light emitting device 2 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a diagram illustrating a planar structure of a pixel 10 of the device. Therefore, a pixel driving portion such as a TFT (Thin Film Transistor) is mainly shown. FIG. 3 is a diagram showing a planar structure of the pixel 10 of the device, and shows an insulating film or the like that partitions the pixels. 4 is a cross-sectional configuration diagram taken along the line IV-IV in FIG. In FIG. 3, the counter substrate is not shown for easy understanding of the drawing.

本実施形態に係る有機ＥＬ発光装置２は、図１に示すように、複数の走査線１２と、これら走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１４と、これら信号線１４に並列に延びる複数の共通給電線１６と、がそれぞれ配線されたもので、走査線１２及び信号線１４の各交点に、画素１０が設けられて構成されたものである。 As shown in FIG. 1, the organic EL light emitting device 2 according to this embodiment includes a plurality of scanning lines 12, a plurality of signal lines 14 extending in a direction intersecting with the scanning lines 12, and the signal lines 14. A plurality of common power supply lines 16 extending in parallel are respectively wired, and each pixel 10 is provided at each intersection of the scanning line 12 and the signal line 14.

信号線１４に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１８が設けられている。一方、走査線１２に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路２０が設けられている。画素１０の各々には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ２２と、このスイッチング用ＴＦＴ２２を介して信号線１４から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２４と、この駆動用ＴＦＴ２４を介して共通給電線１６に電気的に接続したときに共通給電線１６から駆動電流が流れ込む画素電極２６と、この画素電極２６と共通電極２８との間に挟み込まれる有機発光層３０と、が設けられている。画素電極２６と共通電極２８と有機発光層３０とによって構成される素子が有機ＥＬ素子（有機発光素子）である。 For the signal line 14, a data side driving circuit 18 including a shift register, a level shifter, a video line, an analog switch, and the like is provided. On the other hand, a scanning side drive circuit 20 including a shift register, a level shifter, and the like is provided for the scanning line 12. Each of the pixels 10 includes a switching TFT 22 in which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 12, and a holding capacitor Cap that holds an image signal supplied from the signal line 14 via the switching TFT 22. When the image signal held by the holding capacitor Cap is electrically connected to the common power supply line 16 via the drive TFT 24 supplied to the gate electrode and the drive TFT 24, the drive current flows from the common power supply line 16. A pixel electrode 26 and an organic light emitting layer 30 sandwiched between the pixel electrode 26 and the common electrode 28 are provided. An element constituted by the pixel electrode 26, the common electrode 28, and the organic light emitting layer 30 is an organic EL element (organic light emitting element).

このような構成のもとに、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２２がオンとなると、そのときの信号線１４の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２４のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２４のチャネルを介して共通給電線１６から画素電極２６に電流が流れ、更に有機発光層３０を通じて共通電極２８に電流が流れることにより、有機発光層３０は、これを流れる電流量に応じて発光する。 Under such a configuration, when the scanning line 12 is driven and the switching TFT 22 is turned on, the potential of the signal line 14 at that time is held in the holding capacitor Cap, and is driven according to the state of the holding capacitor Cap. The on / off state of the TFT 24 is determined. Then, current flows from the common power supply line 16 to the pixel electrode 26 through the channel of the driving TFT 24, and further current flows to the common electrode 28 through the organic light emitting layer 30. Emits light in response to.

次に、図２に示す画素１０の平面構造をみると、画素１０は、画素電極２６の四辺が、信号線１４、共通給電線１６、走査線１２、及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素電極２６の近傍には、スイッチング用ＴＦＴ２２と駆動用ＴＦＴ２４とが設けられている。 Next, looking at the planar structure of the pixel 10 shown in FIG. 2, the pixel 10 has four sides of the pixel electrode 26, the signal line 14, the common power supply line 16, the scanning line 12, and scanning for other pixel electrodes (not shown). The arrangement is surrounded by lines. In the vicinity of the pixel electrode 26, a switching TFT 22 and a driving TFT 24 are provided.

スイッチング用ＴＦＴ２２は、矩形の島状の半導体層３２を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、半導体層３２と交差する走査線１２が、当該交差部分でスイッチング用ＴＦＴ２２のゲート電極となっている。又、半導体層３２には、図示上下方向に延在する信号線１４から走査線１２に沿う方向に延びた分岐配線１４ａがコンタクトホールｃ１を介して電気的に接続されている。更に、半導体層３２には、画素電極２６の図示右側に配された平面視矩形状の中継電極３４が、コンタクトホールｃ２を介して電気的に接続されている。 The switching TFT 22 is a top-gate thin film transistor mainly composed of a rectangular island-shaped semiconductor layer 32, and the scanning line 12 that intersects the semiconductor layer 32 serves as the gate electrode of the switching TFT 22 at the intersection. . Further, the branch wiring 14a extending in the direction along the scanning line 12 from the signal line 14 extending in the vertical direction in the figure is electrically connected to the semiconductor layer 32 via the contact hole c1. Furthermore, a relay electrode 34 having a rectangular shape in plan view disposed on the right side of the pixel electrode 26 in the figure is electrically connected to the semiconductor layer 32 via a contact hole c2.

駆動用ＴＦＴ２４は、矩形の島状の半導体層３６を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、ゲート電極３８とソース電極４０（共通給電線１６の一部）とドレイン電極４２とを備えている。ドレイン電極４２は、図示しないコンタクトホールを介して画素電極２６と電気的に接続されている。ゲート電極３８は、半導体層３６と重なる位置から図示下側へ延びて保持容量Ｃａｐの電極４４と一体に形成されている。更に、電極４４は、図示下側へ延びており、それと平面的に重なって配置された中継電極３４とコンタクトホールｃ３を介して電気的に接続されている。従って、中継電極３４を介して駆動用ＴＦＴ２４のゲートと、スイッチング用ＴＦＴ２２のドレインと、が電気的に接続されている。 The driving TFT 24 is a top-gate thin film transistor mainly composed of a rectangular island-shaped semiconductor layer 36, and includes a gate electrode 38, a source electrode 40 (a part of the common power supply line 16), and a drain electrode 42. . The drain electrode 42 is electrically connected to the pixel electrode 26 through a contact hole (not shown). The gate electrode 38 extends downward from the position overlapping the semiconductor layer 36 and is formed integrally with the electrode 44 of the storage capacitor Cap. Furthermore, the electrode 44 extends downward in the figure, and is electrically connected to the relay electrode 34 disposed so as to overlap with the electrode 44 via a contact hole c3. Therefore, the gate of the driving TFT 24 and the drain of the switching TFT 22 are electrically connected via the relay electrode 34.

次に、図３に示す画素１０の平面構造をみると、複数の絶縁膜４６は、画素電極２６の形成領域に対応した開口部４８を有しており、この開口部４８に先の有機発光層３０及び共通電極２８が形成されるようになっている。絶縁膜４６は、１つの開口部４８を有している。開口部４８内に画素電極２６の一部が配置されている。絶縁膜４６は、画素電極２６の周縁部５０を覆うように、画素電極２６と有機平坦化層５２との上に跨って形成されている。絶縁膜４６の外周においては画素電極２６の下層の有機平坦化層５２が露出している。隣り合う２つの絶縁膜４６の間の領域には、画素電極２６の下層の有機平坦化層５２が露出している。この有機平坦化層５２には、素子基板（基板）５４（図４参照）に形成された駆動用ＴＦＴ２４と、有機平坦化層５２上に形成される有機ＥＬ素子５６（図４参照）とを電気的に接続するためのコンタクトホール５８が形成されている。 Next, looking at the planar structure of the pixel 10 shown in FIG. 3, the plurality of insulating films 46 have openings 48 corresponding to the formation regions of the pixel electrodes 26. A layer 30 and a common electrode 28 are formed. The insulating film 46 has one opening 48. A part of the pixel electrode 26 is disposed in the opening 48. The insulating film 46 is formed over the pixel electrode 26 and the organic planarization layer 52 so as to cover the peripheral edge 50 of the pixel electrode 26. On the outer periphery of the insulating film 46, the organic planarization layer 52 under the pixel electrode 26 is exposed. The organic planarization layer 52 under the pixel electrode 26 is exposed in a region between two adjacent insulating films 46. The organic planarizing layer 52 includes a driving TFT 24 formed on an element substrate (substrate) 54 (see FIG. 4) and an organic EL element 56 (see FIG. 4) formed on the organic planarizing layer 52. A contact hole 58 for electrical connection is formed.

又、図４に示す画素１０の断面構造をみると、素子基板５４には、駆動用ＴＦＴ２４が設けられており、駆動用ＴＦＴ２４を覆って形成された複数の絶縁膜を介した素子基板５４には、有機ＥＬ素子５６が形成されている。 Further, in the cross-sectional structure of the pixel 10 shown in FIG. 4, the element substrate 54 is provided with a driving TFT 24, and the element substrate 54 is provided with a plurality of insulating films formed so as to cover the driving TFT 24. The organic EL element 56 is formed.

本実施形態では、開口率を低下させることのないアクティブマトリックス方式で駆動させる有機ＥＬ素子の構造として、図４に示されるトップエミッション型構造を採用している。即ち有機ＥＬ素子５６から発した光は、図４中下側の素子基板５４側からではなく、図４中上側の有機ＥＬ素子５６の表面から射出される構造となっている。これにより、素子基板５４側から光を取り出していた従来の有機ＥＬ素子とは異なり、ＴＦＴや配線の存在しない有機ＥＬ素子５６側から光を取り出すので、開口率の低下を招くことなく、有機発光層３０からの光を取り出すことが可能になる。有機ＥＬ素子５６は、素子基板５４上に形成された有機平坦化層５２及び絶縁膜４６に囲まれる領域内に設けられた有機発光層３０を主体として構成され、この有機発光層３０を、画素電極２６と共通電極２８との間に挟持した構成を備えている。 In this embodiment, the top emission type structure shown in FIG. 4 is adopted as the structure of the organic EL element driven by the active matrix method without reducing the aperture ratio. That is, the light emitted from the organic EL element 56 is emitted from the surface of the upper organic EL element 56 in FIG. 4 rather than from the lower element substrate 54 in FIG. As a result, unlike conventional organic EL elements in which light is extracted from the element substrate 54 side, light is extracted from the organic EL element 56 side where there is no TFT or wiring. Light from the layer 30 can be extracted. The organic EL element 56 is mainly composed of the organic light emitting layer 30 provided in a region surrounded by the organic planarization layer 52 and the insulating film 46 formed on the element substrate 54. It has a configuration sandwiched between the electrode 26 and the common electrode 28.

素子基板５４は、従来のボトムエミッション型の有機ＥＬ素子と同様に、石英ガラス、硼酸塩ガラス、燐酸塩ガラス、燐珪酸ガラス、珪酸塩ガラス等の各種ガラス材料や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート等の各種樹脂材料の他に、単結晶を含む各種セラミックス材料や各種金属材料等を用いることができる。素子基板５４を覆う下地層６０が形成されており、この下地層６０には、アクティブマトリックス方式で有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用ＴＦＴ２４や配線が所定の位置に形成されている。この図４に示される駆動用ＴＦＴ２４は、以下に示されるようにして形成される。 The element substrate 54 is made of various glass materials such as quartz glass, borate glass, phosphate glass, phosphosilicate glass, silicate glass, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyether, as in the case of conventional bottom emission type organic EL elements. In addition to various resin materials such as sulfone, polyacrylate, and polymethacrylate, various ceramic materials including single crystals, various metal materials, and the like can be used. A base layer 60 covering the element substrate 54 is formed, and in this base layer 60, driving TFTs 24 and wirings for driving the organic EL element by an active matrix method are formed at predetermined positions. The driving TFT 24 shown in FIG. 4 is formed as follows.

駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層３６に形成されたソース領域３６ａ、ドレイン領域３６ｂ、及びチャネル領域３６ｃと、半導体層３６表面に形成されたゲート絶縁膜６２を介してチャネル領域３６ｃに対向するゲート電極３８と、を主体として構成されている。ゲート絶縁膜６２及びゲート電極３８を覆う第１層間絶縁膜６４が形成されており、この第１層間絶縁膜６４及びゲート絶縁膜６２を貫通して半導体層３６に達するコンタクトホール６６，６８内に、それぞれドレイン電極４２、ソース電極４０が埋設され、各々の電極はドレイン領域３６ｂ及びソース領域３６ａに導電接続されている。第１層間絶縁膜６４上には、ドレイン電極４２及びソース電極４０を覆う第２層間絶縁膜７０が形成されており、この第２層間絶縁膜７０には、有機平坦化層５２が形成されている。 The driving TFT 24 includes a source region 36a, a drain region 36b and a channel region 36c formed in the semiconductor layer 36, and a gate electrode 38 facing the channel region 36c via a gate insulating film 62 formed on the surface of the semiconductor layer 36. And the main constituent. A first interlayer insulating film 64 that covers the gate insulating film 62 and the gate electrode 38 is formed, and in the contact holes 66 and 68 that penetrate the first interlayer insulating film 64 and the gate insulating film 62 and reach the semiconductor layer 36. The drain electrode 42 and the source electrode 40 are buried, and each electrode is conductively connected to the drain region 36b and the source region 36a. A second interlayer insulating film 70 that covers the drain electrode 42 and the source electrode 40 is formed on the first interlayer insulating film 64, and an organic planarization layer 52 is formed on the second interlayer insulating film 70. Yes.

有機平坦化層５２は、素子基板５４に形成された駆動用ＴＦＴ２４や配線等の上に絶縁性材料によって形成されている。有機平坦化層５２の厚さは少なくとも２μｍは必要で、望ましくは３〜５μｍである。この絶縁性材料としては、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の有機材料を例として挙げることができる。この有機平坦化層５２及び第２層間絶縁膜７０には、素子基板５４に形成された駆動用ＴＦＴ２４と、有機平坦化層５２上に形成される有機ＥＬ素子５６の画素電極２６とを電気的に接続するためのコンタクトホール５８が形成されている。この有機平坦化層５２及び第２層間絶縁膜７０に貫設されたコンタクトホール５８に画素電極２６の一部が埋設されている。そして画素電極２６とドレイン電極４２とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ２４と画素電極２６（有機ＥＬ素子５６）とが電気的に接続されている。有機平坦化層５２が露出した領域は、撥液性を有している。 The organic planarization layer 52 is formed of an insulating material on the driving TFT 24 and the wiring formed on the element substrate 54. The thickness of the organic planarization layer 52 is required to be at least 2 μm, and preferably 3 to 5 μm. Examples of the insulating material include organic materials such as polyimide resin and acrylic resin. The organic planarization layer 52 and the second interlayer insulating film 70 are electrically connected to the driving TFT 24 formed on the element substrate 54 and the pixel electrode 26 of the organic EL element 56 formed on the organic planarization layer 52. A contact hole 58 is formed for connection to. A part of the pixel electrode 26 is embedded in the contact hole 58 penetrating the organic planarization layer 52 and the second interlayer insulating film 70. The pixel electrode 26 and the drain electrode 42 are conductively connected, so that the driving TFT 24 and the pixel electrode 26 (organic EL element 56) are electrically connected. The region where the organic planarization layer 52 is exposed has liquid repellency.

有機平坦化層５２には、画素電極２６が形成されている。画素電極２６は、素子基板５４の有機平坦化層５２上の有機ＥＬ素子５６を配置する箇所に、導電性材料をパターニングすることによって形成されている。画素電極２６に用いられる導電性材料は、主に金属であり、Ａｌ，Ｍｇ，Ｍｇ−Ａｇ合金等を用いることができる。尚、画素電極２６は、有機平坦化層５２に形成されたコンタクトホール５８を通じて、素子基板５４の駆動用ＴＦＴ２４と電気的に接続される。 A pixel electrode 26 is formed on the organic planarization layer 52. The pixel electrode 26 is formed by patterning a conductive material at a location where the organic EL element 56 is disposed on the organic planarization layer 52 of the element substrate 54. The conductive material used for the pixel electrode 26 is mainly metal, and Al, Mg, Mg—Ag alloy, or the like can be used. The pixel electrode 26 is electrically connected to the driving TFT 24 of the element substrate 54 through a contact hole 58 formed in the organic planarization layer 52.

有機平坦化層５２には、無機絶縁材料からなる複数の絶縁膜４６が形成されている。絶縁膜４６は、画素電極２６の周縁部を覆うように配置されている。絶縁膜４６は、画素電極２６の周縁部に一部乗り上げるように配置されている。絶縁膜４６は、少なくとも１つの開口部４８を有している。開口部４８内に画素電極２６の一部が配置されている。絶縁膜４６は、ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂等の無機材料から構成され、画素形成領域の周囲を囲むように形成されている。この絶縁膜４６は、画素電極２６の境界部において、有機発光層３０又は電子注入層７２の成膜不良が発生した場合に、共通電極２８と画素電極２６とがショートしないようにする機能を持っている。将来、画素電極２６と共通電極２８とがショートしないプロセスが確立されれば、絶縁膜４６は形成する必要は無い。隣り合う２つの絶縁膜４６の間には、画素電極２６の下層の有機平坦化層５２が露出している。画素電極２６と絶縁膜４６との露出した領域は、親液性を有している。絶縁膜４６の外周においては画素電極２６の下層の有機平坦化層５２が露出した構造となっている。絶縁膜４６及び開口部４８内の画素電極２６の表面は、親液性を有している。或いは、有機平坦化層５２の領域の表面よりも弱い撥液性を有している。 A plurality of insulating films 46 made of an inorganic insulating material are formed on the organic planarizing layer 52. The insulating film 46 is disposed so as to cover the peripheral edge of the pixel electrode 26. The insulating film 46 is disposed so as to partially ride on the peripheral edge of the pixel electrode 26. The insulating film 46 has at least one opening 48. A part of the pixel electrode 26 is disposed in the opening 48. Insulating film 46 is composed of an inorganic material such as SiO ₂ and TiO _2, it is formed so as to surround the pixel forming region. The insulating film 46 has a function of preventing the common electrode 28 and the pixel electrode 26 from short-circuiting when a film formation failure of the organic light emitting layer 30 or the electron injection layer 72 occurs at the boundary portion of the pixel electrode 26. ing. If a process in which the pixel electrode 26 and the common electrode 28 are not short-circuited is established in the future, the insulating film 46 need not be formed. Between the two adjacent insulating films 46, the organic planarization layer 52 under the pixel electrode 26 is exposed. The exposed regions of the pixel electrode 26 and the insulating film 46 are lyophilic. In the outer periphery of the insulating film 46, the organic planarizing layer 52 under the pixel electrode 26 is exposed. The surface of the pixel electrode 26 in the insulating film 46 and the opening 48 is lyophilic. Alternatively, it has a liquid repellency that is weaker than the surface of the region of the organic planarization layer 52.

有機ＥＬ素子５６は、画素電極２６上に、正孔注入輸送層７４と有機発光層３０と電子注入層７２とを積層し、この電子注入層７２を覆う共通電極２８を形成することにより構成されている。 The organic EL element 56 is configured by stacking a hole injection transport layer 74, an organic light emitting layer 30, and an electron injection layer 72 on the pixel electrode 26, and forming a common electrode 28 that covers the electron injection layer 72. ing.

正孔注入輸送層７４は、画素電極２６及び絶縁膜４６上に形成され、有機発光層３０に正孔を注入する層である。正孔注入輸送層７４は撥液性を有している領域を避けて選択的に形成されている。つまり、有機平坦化層５２の領域の表面よりも弱い撥液性を有している画素電極２６及び画素電極２６周辺をカバーする絶縁膜４６の上にのみ正孔注入輸送層７４が形成され、正孔注入輸送層７４の画素分離、ＲＧＢ塗り分けが可能となる。正孔注入輸送層７４は、画素電極２６の表面を覆って形成されており、その周縁部は、画素電極２６中央側に延出された絶縁膜４６の端縁部を覆っている。この正孔注入輸送層７４を構成する材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物や、芳香族アミン誘導体（ＴＰＤ、α−ＴＰＤ等）、ＭＴＤＡＴＡ、銅フタロシアニン、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フェニルアミン誘導体等を例として挙げることができる。例えば正孔注入輸送層７４の材料は、バイトロンＰ等のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを使用している。 The hole injection transport layer 74 is a layer that is formed on the pixel electrode 26 and the insulating film 46 and injects holes into the organic light emitting layer 30. The hole injecting and transporting layer 74 is selectively formed avoiding the region having liquid repellency. That is, the hole injection transport layer 74 is formed only on the pixel electrode 26 having a liquid repellency weaker than the surface of the region of the organic planarization layer 52 and the insulating film 46 covering the periphery of the pixel electrode 26. Pixel separation and RGB coating of the hole injection / transport layer 74 are possible. The hole injecting and transporting layer 74 is formed so as to cover the surface of the pixel electrode 26, and the peripheral edge thereof covers the edge of the insulating film 46 extending to the center side of the pixel electrode 26. As a material constituting the hole injecting and transporting layer 74, a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid, an aromatic amine derivative (TPD, α-TPD, etc.), MTDATA, copper phthalocyanine, a polyaniline derivative Examples thereof include polythiophene derivatives and phenylamine derivatives. For example, the material of the hole injection transport layer 74 uses PEDOT / PSS such as Vitron P.

有機発光層３０は、正孔注入輸送層７４上に形成され、画素電極２６からの正孔と後述する電子注入層７２からの電子とが、この有機発光層３０で再結合するときのエネルギによって、光を発する。有機発光層３０は撥液性を有している領域を避けて選択的に形成されている。つまり、有機平坦化層５２の領域の表面よりも弱い撥液性を有している正孔注入輸送層７４の上にのみ有機発光層３０が形成され、有機発光層３０の画素分離、ＲＧＢ塗り分けが可能となる。有機発光層３０は、インクジェット塗布により形成されている。この有機発光層３０を構成する材料として、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体を例として挙げることができる。有機発光層３０の材料は、ＡＤＳ１０６ＲＥ（アメリカンダイソース）等の高分子ポリマーを使用している。又、有機発光層３０を赤色に発光させるには、ローダミン、ＤＣＭの誘導体、ナイルレッド等を上記の有機発光層３０を構成する材料に添加し、有機発光層３０を緑色に発光させるには、キナクリドン、クマリン６等を上記の有機発光層３０を構成する材料に添加し、そして、有機発光層３０を青色に発光させるには、ペリレン、テトラフェニルブタジエン等を上記の有機発光層３０を構成する材料に添加する。 The organic light emitting layer 30 is formed on the hole injecting and transporting layer 74, and depends on the energy when the holes from the pixel electrode 26 and the electrons from the electron injecting layer 72 described later are recombined in the organic light emitting layer 30. , Emit light. The organic light emitting layer 30 is selectively formed avoiding a region having liquid repellency. That is, the organic light emitting layer 30 is formed only on the hole injecting and transporting layer 74 having liquid repellency weaker than the surface of the organic planarizing layer 52, and pixel separation and RGB coating of the organic light emitting layer 30 are performed. Dividing is possible. The organic light emitting layer 30 is formed by inkjet coating. Examples of the material constituting the organic light emitting layer 30 include polyfluorene polymer derivatives, (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole, and polythiophene derivatives. As the material of the organic light emitting layer 30, a high molecular polymer such as ADS106RE (American Dice Source) is used. In order to cause the organic light emitting layer 30 to emit red light, rhodamine, a derivative of DCM, Nile red or the like is added to the material constituting the organic light emitting layer 30, and the organic light emitting layer 30 emits green light. In order to add quinacridone, coumarin 6 or the like to the material constituting the organic light emitting layer 30, and to make the organic light emitting layer 30 emit blue light, perylene, tetraphenylbutadiene, or the like constitutes the organic light emitting layer 30. Add to material.

電子注入層７２は、有機発光層３０を通過してきた正孔が共通電極２８に到達しないようにブロックすると共に、共通電極２８と有機発光層３０との界面で共通電極２８の電子注入機能を調整する役割を有し、有機発光層３０上に形成されている。この電子注入層７２の厚さは、１〜３ｎｍであることが望ましい。電子注入層７２は撥液性を有している領域を避けて選択的に形成されている。つまり、有機平坦化層５２の領域の表面よりも弱い撥液性を有している有機発光層３０の上にのみ電子注入層７２が形成され、電子注入層７２の画素分離、ＲＧＢ塗り分けが可能となる。この電子注入層７２を構成する材料として、金属弗化物又は金属酸化物を用いることができる。金属弗化物としては、ＬｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＣｓＦ，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂，ＳｒＦ₂，ＢａＦ₂，又はＬｉＦとＮａＦとの混合物等を例として挙げることができる。又、金属酸化物としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｔｈ，Ｖ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｏの酸化物等を例として挙げることができる。特に、電子注入層７２として、有機ＥＬ素子の特性を向上させる効果が大きいＬｉＦを用いることが望ましい。 The electron injection layer 72 blocks holes that have passed through the organic light emitting layer 30 from reaching the common electrode 28 and adjusts the electron injection function of the common electrode 28 at the interface between the common electrode 28 and the organic light emitting layer 30. And is formed on the organic light emitting layer 30. The thickness of the electron injection layer 72 is preferably 1 to 3 nm. The electron injection layer 72 is selectively formed avoiding a region having liquid repellency. That is, the electron injection layer 72 is formed only on the organic light emitting layer 30 having a liquid repellency weaker than the surface of the region of the organic planarization layer 52, and pixel separation and RGB coating of the electron injection layer 72 are performed. It becomes possible. As a material constituting the electron injection layer 72, metal fluoride or metal oxide can be used. The metal fluorides may be mentioned LiF, NaF, KF, CsF, and _{_{_{MgF 2, CaF 2, SrF 2}}} , BaF 2, or a mixture of LiF and NaF, etc. as an example. As the metal oxide, Al, Si, Cu, Ag, In, Th, V, Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Fe, Cr, Ta, W, Mo, An example is Co oxide. In particular, as the electron injection layer 72, it is desirable to use LiF that has a large effect of improving the characteristics of the organic EL element.

共通電極２８は、電子注入層７２上に形成される。この共通電極２８は透明な導電性材料から構成され、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等を用いることができる。共通電極２８には、保護層が形成されていてもよい。 The common electrode 28 is formed on the electron injection layer 72. The common electrode 28 is made of a transparent conductive material. For example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), or the like can be used. A protective layer may be formed on the common electrode 28.

このような構成を有する有機ＥＬ素子が、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）毎に作製され、更にはこのＲＧＢからなる有機ＥＬ素子を１つの単位として、この単位を基板上に複数配列することによって有機ＥＬ装置が作製される。 An organic EL element having such a configuration is produced for each of red (R), green (G), and blue (B), and further, the organic EL element composed of RGB is defined as one unit, and this unit is formed on the substrate. An organic EL device is manufactured by arranging a plurality of them in a row.

ここで、このようなトップエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
図５は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の処理工程を示すフローチャートであり、図７〜図９は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程を示す図であり、有機ＥＬ装置が製造されていく過程の断面図が示されている。 Here, a manufacturing method of such a top emission type organic EL device will be described.
FIG. 5 is a flowchart showing the processing steps of the manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment, and FIGS. 7 to 9 are diagrams showing the steps of the manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment. A cross-sectional view of the process of manufacturing the organic EL device is shown.

先ず、有機平坦化層形成工程では、図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子駆動用のドライバや配線、画素毎のスイッチング素子である駆動用ＴＦＴ２４等を形成した素子基板５４上に、有機平坦化層５２を形成する（ステップＳ１００）。有機平坦化層５２は、例えばアクリルを２〜３μｍの厚さでスピンコート塗布等により成膜して、プリベーク、露光、現像後にキュア（焼成（２００〜２３０℃））することにより作成される。この有機平坦化層５２は、駆動用ＴＦＴ２４等が形成されている部分とその他の部分で、表面の凹凸がなくなる程度の厚さを有することが望ましい。そのためには、駆動用ＴＦＴ２４や配線がなされていない素子基板５４の表面から少なくとも２μｍの厚さ、望ましくは３〜５μｍの厚さの有機平坦化層５２を形成する必要がある。その後、有機平坦化層５２に、素子基板５４に形成された駆動用ＴＦＴ２４や配線と接続するためのコンタクトホール５８を形成する。 First, in the organic planarization layer forming step, as shown in FIGS. 7A and 7B, an element substrate on which drivers and wirings for driving an organic EL element, a driving TFT 24 as a switching element for each pixel, and the like are formed. An organic planarization layer 52 is formed on the surface 54 (step S100). The organic planarization layer 52 is formed by, for example, forming an acrylic film with a thickness of 2 to 3 μm by spin coating or the like, and curing (baking (200 to 230 ° C.)) after pre-baking, exposure and development. It is desirable that the organic planarization layer 52 has such a thickness that the surface unevenness is eliminated between the portion where the driving TFT 24 and the like are formed and other portions. For this purpose, it is necessary to form the organic planarization layer 52 having a thickness of at least 2 μm, preferably 3 to 5 μm from the surface of the driving TFT 24 or the element substrate 54 where no wiring is provided. Thereafter, a contact hole 58 for connecting to the driving TFT 24 and the wiring formed on the element substrate 54 is formed in the organic planarization layer 52.

次に、画素電極形成工程では、図７（Ｃ）に示すように、有機平坦化層５２上に画素電極２６となる導電性材料をスパッタや蒸着又はその他の成膜手段によって形成した後、フォト・エッチングプロセスを用いて、形成した導電性材料の薄膜を所定の画素形成位置に、画素電極形状にパターニングする（ステップＳ１１０）。例えば、画素電極形成工程では、先ず、有機平坦化層５２の上面に電極層となるＩＴＯ膜をスパッタ法、蒸着法等の公知の手法を用いて有機平坦化層５２の全面にわたって３００ｎｍの厚みに形成する。次に、基板に形成したＩＴＯ膜の表面全体にレジストを２０００〜３０００ｒｐｍのスピンコーティングで１．７μｍの厚さに塗布する。その後、フォトマスクを用いての露光、現像を行って、レジストマスクを形成する。次に、レジストマスクをマスクとしてＳｉＯ₂／ＩＴＯ膜にエッチング（王水や弗酸等のウェットエッチング等）を行って、画素電極２６をパターニング形成した後、アルカリ液でレジストマスクを剥離、除去する。次に、所定温度、例えば２００〜２３０℃で脱水工程（ベーク工程）を行い、画素電極２６を形成する。このとき、有機平坦化層５２に形成されたコンタクトホール５８内にも画素電極２６が成膜されるので、有機ＥＬ素子５６の画素電極２６と駆動用ＴＦＴ２４の端子とが、コンタクトホール５８を介して接続されるようになる。 Next, in the pixel electrode formation step, as shown in FIG. 7C, a conductive material to be the pixel electrode 26 is formed on the organic planarization layer 52 by sputtering, vapor deposition, or other film forming means, and then photo Using an etching process, the formed thin film of the conductive material is patterned into a pixel electrode shape at a predetermined pixel formation position (step S110). For example, in the pixel electrode forming step, first, an ITO film serving as an electrode layer is formed on the upper surface of the organic planarizing layer 52 to a thickness of 300 nm over the entire surface of the organic planarizing layer 52 by using a known method such as sputtering or vapor deposition. Form. Next, a resist is applied to the entire surface of the ITO film formed on the substrate to a thickness of 1.7 μm by spin coating at 2000 to 3000 rpm. Thereafter, exposure and development using a photomask are performed to form a resist mask. Next, etching (wet etching such as aqua regia or hydrofluoric acid) is performed on the SiO ₂ / ITO film using the resist mask as a mask to pattern the pixel electrode 26, and then the resist mask is peeled off and removed with an alkaline solution. . Next, a dehydration process (baking process) is performed at a predetermined temperature, for example, 200 to 230 ° C., and the pixel electrode 26 is formed. At this time, since the pixel electrode 26 is also formed in the contact hole 58 formed in the organic planarization layer 52, the pixel electrode 26 of the organic EL element 56 and the terminal of the driving TFT 24 are connected via the contact hole 58. Connected.

尚、スパッタや蒸着等の成膜手段における真空プロセスにおいて、画素電極２６を構成する導電性材料の表面を、アルゴンガス等の不活性ガスによって逆スパッタすることが望ましい。画素電極である画素電極２６は、フォト・エッチングプロセスによってパターン形成されるので、画素電極２６表面が酸化された状態にあると共に、フォト・エッチングプロセスで使用された有機物が残留している状態にある。そこで、アルゴンガス等の不活性ガスによって逆スパッタを行うことによって、表面の酸化膜が除去されると共に、残留している有機物が分解、除去され、画素電極２６表面がクリーニングされ、活性化される。 In the vacuum process in the film forming means such as sputtering or vapor deposition, it is desirable to reverse-sputter the surface of the conductive material constituting the pixel electrode 26 with an inert gas such as argon gas. Since the pixel electrode 26 which is a pixel electrode is patterned by a photo-etching process, the surface of the pixel electrode 26 is in an oxidized state and an organic substance used in the photo-etching process remains. . Therefore, by performing reverse sputtering with an inert gas such as argon gas, the oxide film on the surface is removed and the remaining organic substances are decomposed and removed, and the surface of the pixel electrode 26 is cleaned and activated. .

次に、絶縁膜形成工程では、図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、絶縁膜４６を、パターニングした画素電極２６上及び有機平坦化層５２上に形成し、フォト・エッチングプロセスを用いて、画素電極２６の開口部４８及び撥液性領域９２が所定形状に開口するようにパターニングする（ステップＳ１２０）。例えば、絶縁膜形成工程では、先ず、画素電極２６及び有機平坦化層５２の上面に絶縁膜４６となるＳｉＯ₂、ＳｉＮ膜等をＣＶＤ等の公知の手法を用いて画素電極２６及び有機平坦化層５２の全面にわたって３００ｎｍの厚みに形成する。次に、基板に形成したＳｉＯ₂、ＳｉＮ膜等の表面全体にレジストを２０００〜３０００ｒｐｍのスピンコーティングで１．７μｍの厚さに塗布する。その後、フォトマスクを用いての露光、現像を行って、レジストマスク９０を形成する。次に、レジストマスク９０をマスクとしてＳｉＯ₂、ＳｉＮ膜等にエッチング（弗酸或いはドライ）を行って、絶縁膜４６をパターニング形成した後、アルカリ液でレジストマスクを剥離、除去する。次に、所定温度、例えば２００〜２３０℃で脱水工程（ベーク工程）を行い、絶縁膜４６を形成する。このとき画素電極２６の周縁部５０（図３参照）は絶縁膜４６によって覆われるように絶縁膜４６がレイアウトされていなければならない。これは画素電極２６の周縁部５０を絶縁カバーすることによって共通電極２８とのリーク、ショートを防止するためである。絶縁膜４６は、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって有機平坦化層５２及び画素電極２６の全面にＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＳｉＮ等の無機物膜を形成し、次にこの無機物膜をエッチング等によりパターニングして形成し、画素電極２６上の画素領域に開口部４８を設けることにより形成する。この結果、絶縁膜４６は、画素電極２６の周縁部５０上に乗り上げるように形成される。尚、絶縁膜４６の開口部４８の形状としては、図４に示されるように、画素電極２６に対応してそれぞれ形成してもよいが、図６に示されるように、絶縁膜４６は複数の開口部４８を有していてもよい。図６に示すように、ＲＧＢの各色の発光部を同じ列（又は同じ行）に形成する場合には、その各色の列（又はその各色の行）の画素電極２６をまとめて囲むように絶縁膜４６の開口部４８を形成してもよい。上記の構造を取ることにより別紙図のように絶縁膜４６の外周においては画素電極２６の下層の有機平坦化層５２が露出した構造となる。 Next, in the insulating film forming step, as shown in FIGS. 8A and 8B, an insulating film 46 is formed on the patterned pixel electrode 26 and the organic planarization layer 52, and a photo-etching process is performed. Then, patterning is performed so that the opening 48 and the liquid repellent region 92 of the pixel electrode 26 are opened in a predetermined shape (step S120). For example, in the insulating film forming step, first, the pixel electrode 26 and the organic planarization are formed by using a known method such as CVD with an SiO ₂ film, an SiN film, or the like that becomes the insulating film 46 on the upper surfaces of the pixel electrode 26 and the organic planarization layer 52. The entire surface of the layer 52 is formed to a thickness of 300 nm. Next, a resist is applied to the entire surface of the SiO ₂ or SiN film formed on the substrate to a thickness of 1.7 μm by spin coating at 2000 to 3000 rpm. Thereafter, exposure and development using a photomask are performed to form a resist mask 90. Next, etching (hydrofluoric acid or dry) is performed on the SiO ₂ , SiN film or the like using the resist mask 90 as a mask to pattern the insulating film 46, and then the resist mask is peeled off and removed with an alkaline solution. Next, a dehydration process (baking process) is performed at a predetermined temperature, for example, 200 to 230 ° C., and the insulating film 46 is formed. At this time, the insulating film 46 must be laid out so that the peripheral portion 50 (see FIG. 3) of the pixel electrode 26 is covered with the insulating film 46. This is to prevent leakage and short circuit with the common electrode 28 by insulatingly covering the peripheral edge 50 of the pixel electrode 26. The insulating film 46 is formed by forming an inorganic film such as SiO ₂ , TiO ₂ , or SiN on the entire surface of the organic planarization layer 52 and the pixel electrode 26 by, for example, CVD, sputtering, or vapor deposition, and then etching the inorganic film. It is formed by patterning, for example, by providing an opening 48 in the pixel region on the pixel electrode 26. As a result, the insulating film 46 is formed on the peripheral edge 50 of the pixel electrode 26. As shown in FIG. 4, the shape of the opening 48 of the insulating film 46 may be formed corresponding to the pixel electrode 26. However, as shown in FIG. The opening 48 may be provided. As shown in FIG. 6, when the light emitting portions for each color of RGB are formed in the same column (or the same row), insulation is performed so as to collectively surround the pixel electrodes 26 of the respective color columns (or the respective color rows). An opening 48 of the film 46 may be formed. With the above structure, the organic planarization layer 52 under the pixel electrode 26 is exposed on the outer periphery of the insulating film 46 as shown in the attached sheet.

次に、親液性処理工程では、図８（Ｃ）に示すように、画素電極２６及び絶縁膜４６の表面に対して酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、オゾン含有ガスへの暴露処理等を１つ以上行う（ステップＳ１３０）。この処理によって、画素電極２６及び絶縁膜４６表面に残留している有機物の異物を分解除去することができ、画素電極２６及び絶縁膜４６表面を活性化させることができる。更に、画素電極２６及び絶縁膜４６表面の組成物に対する接触角が小さくなり、表面が親液性となるので、後述するインクジェットプロセスで打ち込まれる組成物とのなじみがよくなるという効果を有する。 Next, in the lyophilic treatment step, as shown in FIG. 8C, the surface of the pixel electrode 26 and the insulating film 46 is subjected to oxygen plasma treatment, UV irradiation treatment, exposure treatment to ozone-containing gas, and the like. One or more are performed (step S130). By this treatment, organic foreign matters remaining on the surfaces of the pixel electrode 26 and the insulating film 46 can be decomposed and removed, and the surfaces of the pixel electrode 26 and the insulating film 46 can be activated. Furthermore, since the contact angle with respect to the composition of the surface of the pixel electrode 26 and the insulating film 46 is reduced and the surface becomes lyophilic, there is an effect that the compatibility with the composition driven in an ink jet process described later is improved.

次に、撥液性処理工程では、有機平坦化層５２の表面の撥液性領域９２に対してＣＦ₄プラズマ処理を行う（ステップＳ１４０）。このＣＦ₄プラズマ処理によって、有機平坦化層５２の撥液性領域９２表面が弗素化され、撥液性を示すようになる。これによって、後述するインクジェットプロセスで打ち込まれる組成物のパターニングが良好になるという効果を有する。 Next, in the liquid repellency treatment step, CF ₄ plasma treatment is performed on the liquid repellency region 92 on the surface of the organic planarization layer 52 (step S140). By this CF ₄ plasma treatment, the surface of the liquid repellent region 92 of the organic flattening layer 52 is fluorinated and exhibits liquid repellency. This has the effect that the patterning of the composition driven in by an ink jet process described later becomes good.

次に、正孔輸送層形成工程では、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、インクジェットプロセスによって、正孔注入材料を溶解させた組成物を各画素形成領域７６（図９（Ｃ）参照）に打ち込んで、所定温度で減圧（〜１０−４Ｐａ）する脱水工程（ベーク工程）を行う。その結果、正孔注入輸送層７４が含有していた水分を放出することで正孔注入輸送層７４を形成する（ステップＳ１５０）。
このインクジェットプロセスによって吐出されるインク化された組成物の液滴が、基板に到達する時の位置精度は±５〜１５μｍの範囲である。インクジェットヘッド７８から吐出されるインク化された組成物の液滴８０が、画素形成領域７６から外れて有機平坦化層５２側にずれてしまった場合でも、上述した工程によって、有機平坦化層５２の表面は撥液性処理がなされ、画素電極２６と絶縁膜４６とは上述した工程によって親液性処理がなされているので、組成物の液滴８０は有機平坦化層５２と接触している部分では有機平坦化層５２の表面からはじかれ、最終的に画素形成領域７６内におさまるように移動する。この状態で、組成物の液滴８０を乾燥させると、所定の画素形成領域７６内に正孔注入輸送層７４が形成される。このとき、表面が撥液性処理された有機平坦化層５２が存在するので、画素形成領域７６から組成物の流出を防止することができる。このように、インクジェットヘッド７８から吐出される組成物の液滴８０の位置精度が多少ずれても、画素形成領域７６内に組成物の液滴８０を高精度に入れることができる。尚、１つの画素形成領域７６には、組成物を乾燥させたときに所定の厚さとなるように、複数滴の組成物を滴下してもよい。 Next, in the hole transport layer forming step, as shown in FIGS. 9A to 9C, a composition in which the hole injection material is dissolved by an ink jet process is applied to each pixel formation region 76 (FIG. 9C). )), And a dehydration step (baking step) in which pressure is reduced (-10-4 Pa) at a predetermined temperature is performed. As a result, the hole injection / transport layer 74 is formed by releasing the water contained in the hole injection / transport layer 74 (step S150).
The positional accuracy when the ink droplets of the composition ejected by this inkjet process reach the substrate is in the range of ± 5 to 15 μm. Even when the droplet 80 of the ink composition discharged from the inkjet head 78 is displaced from the pixel formation region 76 to the organic planarization layer 52 side, the organic planarization layer 52 is subjected to the above-described process. The surface of the liquid crystal layer is subjected to a liquid repellent treatment, and the pixel electrode 26 and the insulating film 46 are subjected to a lyophilic treatment by the above-described process, so that the droplet 80 of the composition is in contact with the organic planarization layer 52. The portion is repelled from the surface of the organic planarization layer 52 and finally moves so as to fall within the pixel formation region 76. When the composition droplet 80 is dried in this state, a hole injection transport layer 74 is formed in a predetermined pixel formation region 76. At this time, since the organic planarization layer 52 whose surface has been subjected to liquid repellency treatment is present, the outflow of the composition from the pixel formation region 76 can be prevented. As described above, even if the positional accuracy of the composition droplet 80 discharged from the inkjet head 78 is slightly shifted, the composition droplet 80 can be placed in the pixel formation region 76 with high accuracy. Note that a plurality of drops of the composition may be dropped on one pixel formation region 76 so as to have a predetermined thickness when the composition is dried.

次に、有機発光層形成工程では、乾燥して所定の厚さに形成された電子注入層７２上にインクジェットプロセスによって、赤色、緑色又は青色の高分子材料をそれぞれ溶解させた有機発光層３０を構成する材料の組成物を、対応する画素形成領域７６内に打ち込んで、所定温度で減圧（〜１０−４Ｐａ）する脱水工程（ベーク工程）を行う。その結果、組成物が含有していた水分を放出することで有機発光層３０を形成する（ステップＳ１６０）。この有機発光層形成工程の形成も、上述したステップＳ１５０の正孔注入輸送層形成工程で用いたインクジェットプロセスと同様にして行われる（図省略）。インクジェットヘッド７８から吐出される組成物の液滴８０は、例えばＡＤＳ１０６ＲＥ（アメリカンダイソース）等の高分子ポリマーをキシレン等の有機溶剤に溶解させたものを用い、真空乾燥、アニールによりポリマー固形分を残すことで薄膜形成する。 Next, in the organic light emitting layer forming step, the organic light emitting layer 30 in which the red, green, or blue polymer material is respectively dissolved by the ink jet process on the electron injection layer 72 formed to have a predetermined thickness by drying. The composition of the constituent material is driven into the corresponding pixel formation region 76, and a dehydration process (baking process) is performed in which the pressure is reduced (-10-4 Pa) at a predetermined temperature. As a result, the organic light emitting layer 30 is formed by releasing the moisture contained in the composition (step S160). The formation of the organic light emitting layer forming step is also performed in the same manner as the ink jet process used in the hole injecting and transporting layer forming step of Step S150 described above (not shown). As the droplet 80 of the composition discharged from the inkjet head 78, for example, a polymer polymer such as ADS106RE (American Dye Source) dissolved in an organic solvent such as xylene is used, and the polymer solid content is removed by vacuum drying and annealing. A thin film is formed by leaving.

次に、電子注入層形成工程では、乾燥して所定の厚さに形成された有機発光層３０上にインクジェットプロセスによって、正孔注入材料を溶解させた組成物を各画素形成領域７６に打ち込んで、所定温度で減圧（〜１０−４Ｐａ）する脱水工程（ベーク工程）を行う。その結果、組成物が含有していた水分を放出することで電子注入層７２を形成する（ステップＳ１７０）。この電子注入層７２の形成も、上述したステップＳ１５０の正孔注入輸送層形成工程で用いたインクジェットプロセスと同様にして行われる（図省略）。インクジェットヘッド７８から吐出される組成物の液滴８０は、例えばバイトロンＰ等のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを水系溶媒に溶解させたものを用い、真空乾燥、アニールによりポリマー固形分を残すことで薄膜形成する。 Next, in the electron injection layer forming step, a composition in which a hole injection material is dissolved is injected into each pixel formation region 76 by an inkjet process on the organic light emitting layer 30 which is dried and formed to a predetermined thickness. Then, a dehydration step (baking step) in which pressure is reduced (-10-4 Pa) at a predetermined temperature is performed. As a result, the electron injection layer 72 is formed by releasing the moisture contained in the composition (step S170). The formation of the electron injection layer 72 is also performed in the same manner as the ink jet process used in the hole injection / transport layer forming step of Step S150 described above (not shown). The composition droplets 80 ejected from the inkjet head 78 are formed, for example, by using PEDOT / PSS such as Vitron P dissolved in an aqueous solvent and leaving a polymer solid content by vacuum drying and annealing.

次に、共通電極形成工程では、電子注入層７２の上に、スパッタや蒸着又はその他の成膜手段によって透明な共通電極２８を形成する（ステップＳ１８０）。 Next, in the common electrode forming step, the transparent common electrode 28 is formed on the electron injection layer 72 by sputtering, vapor deposition, or other film forming means (step S180).

そして、封止工程では、上述した工程によって有機ＥＬ素子５６が形成された素子基板５４を封止することによって（ステップＳ１９０）、有機ＥＬ発光装置２が製造される。素子基板５４の封止方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下で、形成された有機ＥＬ素子５６の側から素子基板５４を透明な対向基板８２によって封止する。対向基板８２としては、例えば、石英ガラス、硼酸塩ガラス、燐酸塩ガラス、燐珪酸ガラス、珪酸塩ガラス等の各種透明なガラス材料や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート等の各種樹脂材料を用いることができる。このように、有機ＥＬ素子５６上を不活性ガス雰囲気下で封止することによって、大気中の水分や酸素が有機ＥＬ素子５６を形成する共通電極２８や有機発光層３０等に対する影響を抑制するためのガスバリア構造が形成される。 In the sealing step, the organic EL light emitting device 2 is manufactured by sealing the element substrate 54 on which the organic EL element 56 is formed by the above-described steps (step S190). As a method for sealing the element substrate 54, for example, the element substrate 54 is sealed with a transparent counter substrate 82 from the side of the formed organic EL element 56 in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. Examples of the counter substrate 82 include various transparent glass materials such as quartz glass, borate glass, phosphate glass, phosphosilicate glass, and silicate glass, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethersulfone, polyacrylate, polymethacrylate, and the like. Various resin materials can be used. In this way, by sealing the organic EL element 56 in an inert gas atmosphere, the influence of moisture and oxygen in the atmosphere on the common electrode 28 and the organic light emitting layer 30 forming the organic EL element 56 is suppressed. A gas barrier structure is formed.

尚、上述したステップＳ１５０〜Ｓ１７０のインクジェットプロセスは、蒸着等の成膜手段によって代替することも可能である。 The ink jet process in steps S150 to S170 described above can be replaced by a film forming means such as vapor deposition.

この実施形態によれば、親液性処理工程によって画素電極２６及び絶縁膜４６の表面を親液性処理し、撥液性処理工程によって有機平坦化層５２の表面を撥液性処理することによって、有機平坦化層５２の表面と、画素電極２６及び絶縁膜４６の表面との濡れ性が大きく異なるようにしたので、インクジェットプロセスでの組成物の滴下位置が多少ずれても、滴下した組成物を確実に画素形成領域７６に導くことができ、インクジェットプロセスで滴下する組成物の位置精度のばらつきを抑制することができる。これによって、各画素形成領域７６内に打ち込まれるインク量のばらつきが抑制されるので、正孔注入輸送層７４、有機発光層３０及び電子注入層７２の膜厚のばらつきも抑制され、歩留り向上や表示品質の改善が達成される。 According to this embodiment, the surface of the pixel electrode 26 and the insulating film 46 is lyophilically treated by a lyophilic treatment step, and the surface of the organic planarization layer 52 is lyophobically treated by a liquid repellency treatment step. Since the wettability between the surface of the organic planarization layer 52 and the surface of the pixel electrode 26 and the insulating film 46 is greatly different, the dropped composition even if the dropping position of the composition in the ink jet process is slightly shifted. Can be reliably guided to the pixel formation region 76, and variation in positional accuracy of the composition dropped by the inkjet process can be suppressed. This suppresses variations in the amount of ink that is driven into each pixel formation region 76, thereby suppressing variations in film thickness of the hole injection transport layer 74, the organic light emitting layer 30, and the electron injection layer 72, thereby improving yield. Improved display quality is achieved.

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について図面を参照して説明する。
図１０は、本実施形態に係る有機ＥＬ発光装置４の平面構成図（図１０（Ａ））及び断面構成図（図１０（Ｂ））であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面構成図である。有機ＥＬ発光装置４の基本構成は第１の実施形態の有機ＥＬ発光装置２と同じである。異なるのは、有機平坦化層５２の露出面が凸形状である。従って、第１の実施形態と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described with reference to the drawings.
FIG. 10 is a plan configuration diagram (FIG. 10A) and a cross-sectional configuration diagram (FIG. 10B) of the organic EL light emitting device 4 according to the present embodiment, and FIG. It is a cross-sectional block diagram which follows the XX line. The basic configuration of the organic EL light emitting device 4 is the same as that of the organic EL light emitting device 2 of the first embodiment. The difference is that the exposed surface of the organic planarization layer 52 has a convex shape. Therefore, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態の有機ＥＬ発光装置４は、図１０に示すように、有機平坦化層５２の露出している領域が凸形状８４に形成されている。有機平坦化層５２を素子配線基板表面露出させた領域は凸形状８４となるように下層に配線８６又は配線８６と同時に形成される島状のパターン８８が配置されている。 In the organic EL light emitting device 4 of the present embodiment, the exposed region of the organic planarization layer 52 is formed in a convex shape 84 as shown in FIG. A wiring 86 or an island-shaped pattern 88 formed simultaneously with the wiring 86 is arranged in the lower layer so that the region where the organic planarization layer 52 is exposed on the surface of the element wiring board has a convex shape 84.

（光書き込みヘッド）
次に、他の実施形態として、有機ＥＬ発光装置を用いた光書き込みヘッドについて図１１及び図１２を参照して説明する。
図１１は、本実施形態に係る光書き込みヘッド用途に好適な構成を具備した有機ＥＬ発光装置６の平面構成図である。 (Optical writing head)
Next, as another embodiment, an optical writing head using an organic EL light emitting device will be described with reference to FIGS.
FIG. 11 is a plan configuration diagram of the organic EL light emitting device 6 having a configuration suitable for the optical writing head application according to the present embodiment.

図１１に示すように、有機ＥＬ発光装置６を構成する素子基板５４上には、図示しない有機ＥＬ素子が配列形成された発光素子領域１００が素子基板５４の長さ方向に沿って長手に設けられており、発光素子領域１００に沿って複数の駆動素子１０２が配列されている。詳細は省略しているが、発光素子領域１００に設けられた各有機ＥＬ素子は、各駆動素子１０２から延びる接続配線１０４と電気的に接続され、駆動素子１０２から供給される電気信号により駆動されるようになっている。 As shown in FIG. 11, on the element substrate 54 constituting the organic EL light emitting device 6, a light emitting element region 100 in which organic EL elements (not shown) are arrayed is provided in the longitudinal direction along the length direction of the element substrate 54. A plurality of driving elements 102 are arranged along the light emitting element region 100. Although details are omitted, each organic EL element provided in the light emitting element region 100 is electrically connected to a connection wiring 104 extending from each driving element 102 and driven by an electric signal supplied from the driving element 102. It has become so.

本実施形態の有機ＥＬ発光装置６も、先の実施形態の有機ＥＬ発光装置２，４と同様の封止構造を具備したものとなっている。即ち発光素子領域１００に設けられた有機ＥＬ素子の表面には図示しない保護層が形成され、発光素子領域１００を覆って封止部１０６が形成されている。そして、発光素子領域１００及び封止部１０６を覆うようにして対向基板８２が被着されている。 The organic EL light emitting device 6 of the present embodiment also has a sealing structure similar to that of the organic EL light emitting devices 2 and 4 of the previous embodiment. That is, a protective layer (not shown) is formed on the surface of the organic EL element provided in the light emitting element region 100, and the sealing portion 106 is formed to cover the light emitting element region 100. A counter substrate 82 is attached so as to cover the light emitting element region 100 and the sealing portion 106.

上記構成を具備した有機ＥＬ発光装置６は、先の実施形態に係る有機ＥＬ発光装置２，４と同様に、各画素形成領域７６内に打ち込まれるインク量のばらつきが抑制されるので、正孔注入輸送層７４、有機発光層３０及び電子注入層７２の膜厚のばらつきも抑制され、歩留り向上や表示品質の改善が達成されるものとなっている。 Since the organic EL light-emitting device 6 having the above-described configuration suppresses variations in the amount of ink driven into each pixel formation region 76 as in the organic EL light-emitting devices 2 and 4 according to the previous embodiment, Variations in the film thickness of the injection transport layer 74, the organic light emitting layer 30, and the electron injection layer 72 are also suppressed, thereby improving yield and improving display quality.

図１２は、上述の有機ＥＬ発光装置６を電子写真方式プリンタの光書き込みヘッド（プリンタヘッド）に適用した場合の一例を示す図である。図１２において、有機ＥＬ発光装置６の光射出方向（図示上方）には光学系１０８が設けられており、光学系１０８の上方には感光ドラム（感光体）１１０が設けられている。有機ＥＬ発光装置６は、光学系１０８に対して光を射出し、光学系１０８に入射した光は光学系１０８により集光されて感光ドラム１１０に入射する。本実施形態では、発光素子領域１００（図１１参照）に対する歩留り向上や表示品質の改善を実現することが可能であり、電子写真方式プリンタ全体の信頼性を向上することができる。 FIG. 12 is a diagram showing an example in which the above-described organic EL light-emitting device 6 is applied to an optical writing head (printer head) of an electrophotographic printer. In FIG. 12, an optical system 108 is provided in the light emission direction (upward in the drawing) of the organic EL light emitting device 6, and a photosensitive drum (photoconductor) 110 is provided above the optical system 108. The organic EL light emitting device 6 emits light to the optical system 108, and the light incident on the optical system 108 is collected by the optical system 108 and enters the photosensitive drum 110. In the present embodiment, it is possible to improve the yield and display quality for the light emitting element region 100 (see FIG. 11), and improve the reliability of the entire electrophotographic printer.

（電子機器）
図１３は、本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１３に示す携帯電話２００は、上記実施形態の有機ＥＬ発光装置を小サイズの表示部２０２として備え、複数の操作ボタン２０４、受話口２０６、及び送話口２０８を備えて構成されている。
上記実施形態に係る有機ＥＬ発光装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、有機ＥＬテレビ、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、及びタッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示が可能である。 (Electronics)
FIG. 13 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus according to the present embodiment. A mobile phone 200 shown in FIG. 13 includes the organic EL light emitting device of the above-described embodiment as a small-sized display unit 202, and includes a plurality of operation buttons 204, an earpiece 206, and a mouthpiece 208.
The organic EL light emitting device according to the embodiment is not limited to the mobile phone, but is an electronic book, a personal computer, a digital still camera, an organic EL television, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, It can be suitably used as an image display means for devices such as electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, and touch panels. In any electronic device, high brightness, high contrast, wide field of view Transparent display of corners is possible.

第１の実施形態に係る有機ＥＬ発光装置を構成するマトリクス状に形成された複数の画素領域の回路構成図。FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a plurality of pixel regions formed in a matrix that constitutes the organic EL light emitting device according to the first embodiment. 同装置の画素の平面構造図。FIG. 3 is a plan view of a pixel of the device. 同装置の画素の平面構造図。FIG. 3 is a plan view of a pixel of the device. 図３のIV−IV線に沿う断面構成図。FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram taken along line IV-IV in FIG. 3. 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の処理工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the process process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る有機ＥＬ発光装置の平面構成図。1 is a plan configuration diagram of an organic EL light emitting device according to a first embodiment. 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程を示す図。The figure which shows the process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程を示す図。The figure which shows the process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程を示す図。The figure which shows the process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施形態に係る有機ＥＬ発光装置の平面構成図及び断面構成図。The plane block diagram and cross-sectional block diagram of the organic electroluminescent light-emitting device concerning 2nd Embodiment. 本実施形態に係る光書き込みヘッド用途に好適な構成を具備した有機ＥＬ発光装置の平面構成図。1 is a plan configuration diagram of an organic EL light emitting device having a configuration suitable for an optical writing head application according to the present embodiment. 本実施形態に係る有機ＥＬ発光装置を電子写真方式プリンタの光書き込みヘッド（プリンタヘッド）に適用した場合の一例を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating an example when the organic EL light emitting device according to the embodiment is applied to an optical writing head (printer head) of an electrophotographic printer. 本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図。FIG. 11 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus according to the embodiment.

Explanation of symbols

２，４，６…有機エレクトロルミネッセンス発光装置（有機ＥＬ発光装置）１０…画素１２…走査線１４…信号線１４ａ…分岐配線１６…共通給電線１８…データ側駆動回路２０…走査側駆動回路２２…スイッチング用ＴＦＴ２４…駆動用ＴＦＴ２６…画素電極２８…共通電極３０…有機発光層３２…半導体層３４…中継電極３６…半導体層３６ａ…ソース領域３６ｂ…ドレイン領域３６ｃ…チャネル領域３８…ゲート電極４０…ソース電極４２…ドレイン電極４４…電極４６…絶縁膜４８…開口部５０…周縁部５２…有機平坦化層５４…素子基板（基板）５６…有機ＥＬ素子５８…コンタクトホール６０…下地層６２…ゲート絶縁膜６４…第１層間絶縁膜６６，６８…コンタクトホール７０…第２層間絶縁膜７２…電子注入層７４…正孔注入輸送層７６…画素形成領域７８…インクジェットヘッド８０…液滴８２…対向基板８４…凸形状８６…配線８８…パターン９０…レジストマスク９２…撥液性領域１００…発光素子領域１０２…駆動素子１０４…接続配線１０６…封止部１０８…光学系１１０…感光ドラム（感光体）２００…携帯電話２０２…表示部２０４…操作ボタン２０６…受話口２０８…送話口。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 2,4,6 ... Organic electroluminescent light-emitting device (organic EL light-emitting device) 10 ... Pixel 12 ... Scanning line 14 ... Signal line 14a ... Branch wiring 16 ... Common feed line 18 ... Data side drive circuit 20 ... Scanning side drive circuit 22 ... Switching TFT 24 ... Drive TFT 26 ... Pixel electrode 28 ... Common electrode 30 ... Organic light emitting layer 32 ... Semiconductor layer 34 ... Relay electrode 36 ... Semiconductor layer 36a ... Source region 36b ... Drain region 36c ... Channel region 38 ... Gate electrode DESCRIPTION OF SYMBOLS 40 ... Source electrode 42 ... Drain electrode 44 ... Electrode 46 ... Insulating film 48 ... Opening part 50 ... Peripheral part 52 ... Organic planarization layer 54 ... Element board | substrate (board | substrate) 56 ... Organic EL element 58 ... Contact hole 60 ... Underlayer 62 ... Gate insulating film 64 ... First interlayer insulating film 66, 68 ... Contact hole 7 ... second interlayer insulating film 72 ... electron injection layer 74 ... hole injection transport layer 76 ... pixel formation region 78 ... inkjet head 80 ... droplet 82 ... counter substrate 84 ... convex shape 86 ... wiring 88 ... pattern 90 ... resist mask 92 ... Liquid-repellent area 100 ... Light-emitting element area 102 ... Drive element 104 ... Connection wiring 106 ... Sealing part 108 ... Optical system 110 ... Photosensitive drum (photoconductor) 200 ... Mobile phone 202 ... Display part 204 ... Operation button 206 ... Reception Mouth 208 ... Mouthpiece.

Claims

A substrate,
An organic planarization layer formed on the surface of the substrate;
A plurality of pixel electrodes formed on the surface of the organic planarization layer;
The pixel electrode has at least one opening, a part of the pixel electrode is disposed in the opening, and is formed on a surface of the pixel electrode and the organic planarization layer so as to cover a peripheral edge of the pixel electrode A plurality of insulating films;
Including
2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the organic planarization layer under the pixel electrode is exposed in a region between two adjacent insulating films.

The organic electroluminescence device according to claim 1,
The surface of the region of the organic planarization layer has liquid repellency,
The organic electroluminescence device characterized in that the surface of the pixel electrode in the insulating film and the opening surrounded by the region has weaker liquid repellency than the surface of the region of the organic planarization layer.

The organic electroluminescence device according to claim 1 or 2,
An organic light emitting layer formed on the surface of the pixel electrode in the insulating film and the opening,
The organic electroluminescent device, wherein the organic light emitting layer is formed by inkjet coating.

In the organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3,
The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the shape of the region of the organic planarization layer is a convex shape.

In the organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 4,
The organic electroluminescence device, wherein the insulating film has a plurality of the openings.

A method of manufacturing an organic electroluminescence device having an organic electroluminescence element in which an organic light emitting layer is formed between a pixel electrode and a common electrode,
Forming an organic planarization layer;
Forming the pixel electrode at a predetermined position on the surface of the organic planarization layer;
Forming an insulating film at a predetermined position on the surface of the pixel electrode;
Performing a first surface treatment on at least the surface of the organic planarization layer;
Forming the organic light emitting layer in a region surrounded by the organic planarization layer;
The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus characterized by including.

In the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of Claim 6,
A method of manufacturing an organic electroluminescence device, comprising a step of performing a second surface treatment on at least the surface of the pixel electrode and the insulating film before the step of performing the first surface treatment.

In the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus of Claim 6 or 7,
In the method of manufacturing an organic electroluminescence device, the first surface treatment step includes performing CF ₄ plasma treatment on the surface of the organic planarization layer.

In the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus as described in any one of Claims 6-8,
In the second surface treatment step, at least one of oxygen plasma treatment, UV irradiation treatment, and exposure treatment to an ozone-containing gas is performed on the surface of the pixel electrode and the insulating film. A manufacturing method of an organic electroluminescence device characterized by the above.

In the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus as described in any one of Claims 6-9,
The organic light-emitting layer is formed by an ink jet method.