JP2007094356A - レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007094356A JP2007094356A JP2006042690A JP2006042690A JP2007094356A JP 2007094356 A JP2007094356 A JP 2007094356A JP 2006042690 A JP2006042690 A JP 2006042690A JP 2006042690 A JP2006042690 A JP 2006042690A JP 2007094356 A JP2007094356 A JP 2007094356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acid
- resist composition
- resin
- examples
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。
しかしながら、上記酸発生剤には未だ不十分な点が多く、感度などを向上したレジスト組成物が望まれている。
また、特許文献4、特許文献5等において新たな酸発生剤が紹介されている。
(1)一般式(I)で表されるスルホニウム塩(A)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
一般式(I)中、
R1はアルキル基又はアリール基を表す。
R2〜R9は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。
Zは電子求引性の2価の連結基である。
Xn-は、n価のアニオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは電荷を中和するのに必要なアニオン数を示す。
(3)更に、アルカリ現像液に可溶な樹脂(D)及び酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤(E)を含有することを特徴とする上記(1)に記載のレジスト組成物。
(4)更に、X線、電子線又はEUVで露光することを特徴とすることを特徴とする上記(1)から(3)に記載のレジスト組成物。
(5)樹脂(B)が、ヒドロキシスチレン構造単位を有することを特徴とする上記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(6)樹脂(B)が単環または多環の環状炭化水素構造を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(7)樹脂(B)がアルコール性水酸基を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂であることを特徴とする上記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(8)樹脂(B)のアルコール性水酸基を有する繰り返し単位がモノヒドロキシアダマンタン構造、ジヒドロキシアダマンタン構造またはトリヒドロキシアダマンタン構造から選ばれる少なくとも1種を含有する繰り返し単位であることを特徴とすることを特徴とする上記(7)に記載のポジ型レジスト組成物。
(9)樹脂(B)がラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する樹脂である上記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(10)樹脂(B)が少なくとも1種のメタクリル酸エステル繰り返し単位と少なくとも1種のアクリル酸エステル繰り返し単位を含有する樹脂であることを特徴とする上記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(11)樹脂(B)が、主鎖あるいは側鎖にフッ素原子を有することを特徴とする上記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(12)樹脂(B)が、ヘキサフロロ−2−プロパノール構造を有することを特徴とする上記(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(13)更に、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(C)を含有することを特徴とする上記(5)〜(12)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
(14)更に、塩基性化合物(F)及び/又はフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤(G)を含有することを特徴とする上記(5)〜(13)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
(15)樹脂(B)が2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートまたはジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートから選ばれる繰り返し単位少なくとも1種、ラクトン構造を有する繰り返し単位少なくとも1種、および水酸基を2つ以上有する繰り返し単位少なくとも1種を含有することを特徴とする上記(6)に記載のポジ型レジスト組成物。
(16)樹脂(B)が更にカルボキシ基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記(15)に記載のレジスト組成物。
(17)樹脂(B)が2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートまたはジアルキル(1−アダマンチル)メチル(メタ)アクリレートから選ばれる繰り返し単位少なくとも1種、およびヒドロキシスチレン構造を有する繰り返し単位少なくとも1種を含有することを特徴とする上記(5)に記載のレジスト組成物。
(18)上記(1)〜(17)のいずれかに記載のレジスト組成物により、感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
(19)
一般式(II)で表されるスルホニウム塩化合物。
一般式(II)中、
R1aはアリール基を表す。
R2a〜R9aは、各々独立に水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。
Xn-は、n価のアニオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは電荷を中和するのに必要なアニオン数を示す。
(20)
一般式(III)で表されるスルホニウム塩化合物。
一般式(III)中、
R1bはアルキル基又はアリール基を表す。
R2b〜R9bは、各々独立に水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ただし、R2b〜R9bの少なくとも1つはアルコール性の水酸基を含む基である。
Zは電子求引性の2価の連結基である。
Xn-は、n価のアニオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは電荷を中和するのに必要なアニオン数を示す。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明のポジ型レジスト組成物は、一般式(I)で表されるスルホニウム塩(A)及び酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(B)を含有し、必要に応じて更に酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(C)を含有する。
本発明のネガ型レジスト組成物は、一般式(I)で表されるスルホニウム塩(A)、アルカリ現像液に可溶な樹脂(D)及び酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤(E)を含有する。
本発明のレジスト組成物は、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物(酸発生剤)として一般式(I)で表されるスルホニウム化合物(以下、単にスルホニウム塩(A)ともいう)を含有する。
R1はアルキル基又はアリール基を表す。
R2〜R9は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。
Zは電子求引性の2価の連結基である。
Xn-は、n価のアニオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは電荷を中和するのに必要なアニオン数を示す。
非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン、などが挙げられる。
非求核性カルボン酸アニオンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル部位はアルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基及び炭素数3〜30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。
アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
アルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル部位としては、アルキルスルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。
アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
上記アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基はさらに置換基を有していても良く、有していても良いさらなる置換基としては、例えば、アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。
R1におけるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基である。
R1として好ましくはアリール基であり、無置換でも置換されていても良い。R1として更に好ましくは置換基を有するアリール基であり、特に好ましくは置換基を有するフェニル基である。
これらの置換基は更に置換基を有してもよく、置換基としては先に挙げたR1における置換基などが挙げられる。
R2〜R9として好ましくはアルコール性の水酸基を含有する。アルコール性の水酸基とはアルキル基に置換した水酸基である。
Zとして好ましくはカルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、-COO-,-CONH-,-SO2NH-,-CF2-,-CF2CF2-,-COCO-であり、特に好ましくはカルボニル基、スルホキシド基、スルホン基であり、更に好ましくはスルホン基である。
R1はアリール基を表す。
R2〜R9は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。
Zはスルホン基を表す。
Xn-は、n価のアニオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは電荷を中和するのに必要なアニオン数を示す。
R1はアルキル基又はアリール基を表す。
R2〜R9は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ただし、R2〜R9の少なくとも1つはアルコール性の水酸基を含む基である。
Zは電子求引性の2価の連結基である。
Xn-は、n価のアニオンを表す。
nは、1〜3の整数を表す。
mは電荷を中和するのに必要なアニオン数を示す。
本発明においては、化合物(A)以外に、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物(酸発生剤)を更に併用してもよい。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-は、非求核性アニオンを表す。
化合物(Z1−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R6c及びR7cは、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
また、併用してもよい活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物として、スルホン酸基を1つ有するスルホン酸を発生する化合物が好ましく、さらに好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、またはフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物であり、特に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸のスルホニウム塩である。
本発明のポジ型感光性組成物に用いられる酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(酸分解性樹脂)は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基である。
R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかはシクロアルキル基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
R11',R12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
R13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R17'、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。
ここで、R5は、アルキル基、シクロアルキル基又は下記の−Y基を表す。
Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又は−NHSO2NH−を表す。
A'は単結合又は2価の連結基を表す。
また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
R17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、アルコキシ基、−CO−NH−R6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を表す。
R6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。
Raは、上記式(pI)〜(pVI)のいずれかの基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
式中、R0 としては、t−ブチル基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3−オキソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−アダマンチル基、メバロニックラクトン残基等を挙げることができる。X1は、上記Xと同義である。
R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも1つは水酸基を表す。R2c〜R4cのうちの二つが水酸基であるものが好ましい。
但し、(2)においては例えば、更に以下のものが挙げられる。(3) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体及び(メタ)アクリレート構造を有するもの(ハイブリッド型)
脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ましく、より好ましくは20〜50モル%、更に好ましくは25〜40モル%である。
シリコン原子を有する樹脂としてはトリアルキルシリル構造、単環または多環の環状シロキサン構造を有する樹脂が好ましく、下記一般式(SS−1)〜(SS−4)で表される構造を有する繰り返しを有する樹脂がより好ましく、一般式(SS−1)〜(SS−4)で表される構造を有する(メタ)アクリル酸エステル系繰り返し単位、ビニル系繰り返し単位またはアリル系繰り返し単位がより好ましい。
R100-R103はそれぞれ水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基を表す。
R104およびR106はそれぞれ水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、R104およびR106の少なくとも1方がフッ素原子またはフルオロアルキル基である。R104およびR106は好ましくは両方トリフルオロメチル基である。
R105は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基または酸の作用により分解する基である。
A1は単結合、2価の連結基、例えば直鎖、分岐、環状アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−OCO−、−COO−、または−CON(R24)−、およびこれらのうちの複数を含有する連結基である。R24は水素原子またはアルキル基である。
R107,R108はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基または酸の作用により分解する基である。
R109は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、酸の作用により分解する基である。
bは、0、1又は2である。
また、一般式(FA)及び(FC)におけるR100とR101は、フッ素で置換されていてよいアルキレン基(炭素数1〜5)を介して環を形成していてもよい。
1)前記一般式(pI)〜(pVI)及び(II−AB)に示す脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位。具体的には前記1〜23の繰り返し単位および[II−1]〜[II−32]の繰り返し単位。好ましくは上記具体例1〜23のうちRxがCF3のものである。
R42は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキル基を表す。
A5は単結合、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基もしくはアリーレン基、又は−O−CO−R22−、−CO−O−R23−、−CO−N(R24)−R25−を表す。
R22、R23、R25は同じでも異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有してもよい、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。
R24は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
ここで、各置換基の例は、前記一般式(FA)〜(FG)の置換基と同様のものがあげられる。
酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、10〜70モル%が好ましく、より好ましくは20〜60モル%、更に好ましくは30〜60モル%である。
(C)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE,2724,355(1996) に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、上記脂環炭化水素系酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して20A/秒以上が好ましい。特に好ましくは200A/秒以上である(Aはオングストローム)。
本発明のネガ型感光性組成物には、架橋剤が使用される。
架橋剤は、感光性組成物の固形分中、通常3〜70質量%、好ましくは5〜50質量%の添加量で用いられる。
〔6〕(F)塩基性化合物
本発明の感光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、(F)塩基性化合物を含有することが好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
本発明の感光性組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
本発明の感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記(G)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
本発明の感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
当該感光性膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像、リンスを行う。これにより良好なパターンを得ることができる。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
チオキサンテン-9-オン10gをトリフルオロ酢酸40ml中で攪拌し、氷冷下、30%過酸化水素水5.4mlとトリフルオロ酢酸10.8mlを混合した溶液をゆっくり添加した。その後、氷冷下30分攪拌後、室温で1時間攪拌を行った。さらに、反応液を水にあけ、析出した結晶をろ取した。得られた結晶をアセトニトリルで再結晶し、スルホキシド体4.6gを得た。スルホキシド体3gをトルエン20ml中で攪拌し、氷冷下、トリフルオロ酢酸無水物3.7mlとノナフルオロブタンスルホン酸2.2mlを添加した。反応液を徐々に室温まで昇温し、1時間攪拌した。反応液にジイソプロピルエーテルを添加し結晶を析出させ、酢酸エチルとジイソプロピルエーテルの混合溶媒で再結晶することにより、10-トリル-9-オキソチオキサンテニウム ノナフルオロブタンスルホン酸塩(A1)を3.9g得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ2.38(s,3H),7.34(d,2H),7.72(m,2H),7.95(m,4H),8.28(m,2H),8.63(d,2H)
合成例1で得られた10-トリル-9-オキソチオキサンテニウム ノナフルオロブタンスルホン酸塩(A1) 1.5gに、10-トリル-9-オキソチオキサンテニウム ノナフルオロブタンスルホン酸塩1.5gをメタノール/水=1/1溶液に溶解し、イオン交換樹脂(アンバーライトIRA402ClをNaOH水でアニオンをOHに置換したもの)に通し、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸1gを加え、クロロホルムで抽出することで対塩が変更した10-トリル-9-オキソチオキサンテニウム 3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸塩(A2)1.7gを得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ2.37(s,3H),7.34(d,2H),7.79(m,3H),7.93(m,4H),8.34(m,4H),8.62(d,2H)
チオサリチル酸15gと4-ブロモアセトフェノン20gを炭酸ナトリウム12gと銅触媒0.2gの存在下、ジメチルホルムアミド200ml中、170度で6時間攪拌した後、反応液を塩酸水溶液にあけ、ろ取した。得られた結晶をアセトニトリルで再結晶を行い、16gのスルフィドを得た。得られたスルフィド10gをポリリン酸100g中、60度で5時間攪拌後、氷水にあけた。結晶をろ取し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で結晶を洗い、エタノールで再結晶を行うことで2-アセチル-9H-チオキサン-9-オン5gを得た。更に得られた2-アセチル-9H-チオキサン-9-オン3gをトリフルオロ酢酸12ml中で氷冷下攪拌し、30%過酸化水素水1.4mlとトリフルオロ酢酸2.7mlの混合溶液をゆっくり加えた。添加後、氷冷下30分攪拌し、続いて室温で1時間攪拌し反応を終結させた。反応液を水にあけ、酢酸エチルと水酸化ナトリウム水溶液で分液し、有機層を減圧留去することでスルホキシド体3.6gを得た。それをトルエン15g中で攪拌し、氷冷下、トリフルオロ酢酸無水物3.3ml、ノナフルオロブタンスルホン酸1.9mlを添加し、氷冷下30分、室温で1時間攪拌した。反応液にジイソプロピルエーテルを加え結晶化させ、得られた結晶を酢酸エチルとジイソプロピルエーテルの混合溶媒で再結晶することにより2-アセチル-10-トリル-9-オキソチオキサンテニウム ノナフルオロブタンスルホン酸塩(A8)1gを得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ2.39(s,3H),2.74(s,3H),7.37(d,2H),7.72(m,2H),7.97(m,2H),8.19(m,1H),8.39(m,2H),8.67(d,1H),9.09(s,1H)
他のスルホニウム塩(A)も同様に合成した。
チアンスレン20gを酢酸300ml中で還流させ、そこに希硝酸を36mlゆっくり滴下した。5時間反応させた後、反応液を水1.2lに注ぎ、結晶を析出させた。結晶をろ過後、アセトニトリルで再結晶を行い、チアンスレン-S-オキシド12gを得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ7.42(t,2H),7.56(t,2H),7.63(d,2H),7.93(d,2H)
チアンスレン-S-オキシド2gをトルエン10mlに溶解し、氷冷した。そこにトリフルオロ酢酸無水物を2.8mlとノナフルオロブタンスルホン酸1.2mlを加え、1時間攪拌した。ジイソプロピルエーテルを加え、上澄みを除去後、シリカゲルカラム(クロロホルム/メタノール=19/1)で精製を行い、4.4gの5-(p-トリル)チアンスレニウムノナフルオロブタンスルホン酸塩を得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ2.34(s,3H),7.08(d,2H),7.22(d,2H),7.78(m,6H),8.65(d,2H)
5-(p-トリル)チアンスレニウムノナフルオロブタンスルホン酸塩2gをトリフルオロ酢酸6mlに懸濁し、室温で30%過酸化水素水0.75mlを滴下した。その後、80℃で1時間攪拌し、水とクロロホルムを加え、分液を行った。クロロホルム層を減圧留去後、シリカゲルカラム(クロロホルム/メタノール=19/1)で精製を行い、(A40)を1.2g得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ2.47(s,3H),7.47(d,2H),7.66(d,2H),7.98(t,2H),8.04(t,2H),8.40(d,2H),8.43(d,2H)
チアンスレン-S-オキシド1gをエトキシベンゼン1.1mlと混合し、氷冷した。そこにトリフルオロ酢酸無水物を1.2mlとノナフルオロブタンスルホン酸0.71mlを加え、15分攪拌した。ジイソプロピルエーテルを加え、上澄みを除去後、クロロホルム、水を加え分液を行った。クロロホルム層を減圧留去して、2.5gの5-(p-エトキシベンゼン)チアンスレニウムノナフルオロブタンスルホン酸塩を得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ1.38(t,3H),4.00(q,2H),6.92(d,2H),7.29(d,2H),7.75(m,6H),8.56(d,2H)
2.5gの5-(p-エトキシベンゼン)チアンスレニウムノナフルオロブタンスルホン酸塩をトリフルオロ酢酸10mlに懸濁し、氷冷した。そこに30%過酸化水素水を0.89ml滴下し、1時間攪拌した。反応後、反応液を水にあけ、更にクロロホルムを加えて分液を行った。クロロホルム層を減圧留去し、ジイソプロピルエーテル、酢酸エチルの混合溶媒で再結晶を行い、(A73)を1.3g得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ1.47(t,3H),4.20(q,2H),7.26(d,2H),7.91(m,6H),7.98(m,2H),8.39(d,2H)
実施例に用いた、樹脂(B)の構造及び重量平均分子量を以下に示す。
下記表1に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度12質量%の溶液を調製し、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターまたはポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価し、結果を表1に示した。
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜DUV−42を600オングストローム均一に塗布し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、各ポジ型レジスト溶液をスピンコーターで塗布し120℃で90秒乾燥を行い0.30μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜に対し、マスクを通してArFエキシマレーザーステッパー(ISI社製 NA=0.6)で露光し、露光後直ぐに120℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを得た。(感度)線幅130nmのラインアンドスペース1:1のパターンを再現する露光量によって感度を表した。
PAG−A:トリフェニルスルホニウムノナフロロブタンスルホネート
TPI:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
TPSA:トリフェニルスルホニウムアセテート
HEP:N−ヒドロキシエチルピペリジン
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
DCMA:ジシクロヘキシルメチルアミン
TPA:トリペンチルアミン
HAP:ヒドロキシアンチピリン
TBAH:テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
TMEA:トリス(メトキシエトキシエチル)アミン
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
B1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
B2:2−ヘプタノン
B3:シクロヘキサノン
B4:γ−ブチロラクトン
B5:2−メトキシプロピオン酸エチル
C1:プロピレングリコールメチルエーテル
C2:乳酸エチル
(1)下層レジスト層の形成
6インチシリコンウエハにFHi−028DDレジスト(富士フィルムオーリン社製i線用レジスト)を東京エレクトロン社製スピンコーターMark8を用い塗布し、90℃、90秒間ベークし、膜厚0.55μmの均一膜を得た。
これを更に200℃、3分間加熱し、膜厚0.40μmの下層レジスト層を形成させた。
(2)上層レジスト層の形成
下記表2に示す成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度11質量%の溶液を調製し、口径0.1μmのメンブレンフィルターで精密ろ過して上層レジスト組成物を調製した。
下層レジスト層の上に上層レジスト組成物を同様に塗布し、130℃、90秒間加熱して、膜厚0.20μmの上層レジスト層を形成させた。
こうして得られたウェハーに、ISI社製ArFエキシマステッパー9300に解像力マスクを装填して露光量を変化させながら露光した。
次いで、120℃、90秒間加熱した後、テトラヒドロアンモニウムヒドロキシド現像液(2.38質量%)で60秒間現像し、蒸留水でリンスし、乾燥して上層パターンを得た。(感度)線幅130nmのラインアンドスペース1:1のパターンを再現する露光量によって感度を表した。
<レジスト調製>
下記表4に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度14質量%のポジ型レジスト溶液を調製した。
調製したポジ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表4に示した。
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.4μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜に対し、KrFエキシマレーザーステッパー(NA=0.63)を用いラインアンドスペース用マスクを使用してパターン露光し、露光後すぐに110℃で90秒間ホットプレート上て加熱した。更に2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で23℃下60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインパターンを形成し、これらについてパターン倒れ、ラインエッジラフネスを評価した。
感度:線幅150nmのラインアンドスペース1:1のパターンを再現する露光量によって感度を表した。
<レジスト調製>
下記表5に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度14質量%のネガ型レジスト溶液を調製した。
調製したネガ型レジスト溶液につき実施例KrP−1〜KrP−13等におけるのと同様の方法で評価を行い、結果を表5に示した。
<レジスト調製>
上記表4に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度12質量%のポジ型レジスト溶液を調製した。
調製したポジ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表6に示した。
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.3μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜を、ニコン社製電子線プロジェクションリソグラフィー装置(加速電圧100keV)で照射し、照射後直ぐに110℃で90秒間ホットプレート上て加熱した。更に濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインアンドスペースパターンを形成した。感度:マスクパターン100nmのラインアンドスペース1:1を再現する照射量によって感度を表した。
アウトガス:10μC/cm2で照射し、照射前の膜厚に対する照射後の膜厚を測定し、アウトガスの量として評価した。
<レジスト調製>
上記表5に示した成分を溶剤に溶解させ、これを0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して固形分濃度12質量%のネガ型レジスト溶液を調製した。
調製したネガ型レジスト溶液につき下記の方法で評価を行い、結果を表7に示した。
調製したネガ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.3μmのレジスト膜を形成させた。
このレジスト膜を、ニコン社製電子線プロジェクションリソグラフィー装置(加速電圧100keV)で照射し、照射後直ぐに110℃で90秒間ホットプレート上て加熱した。更に濃度2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインアンドスペースパターンを形成した。
感度:マスクパターン100nmライン/150nmスペースを再現する照射量によって感度を表した。
アウトガス:10μC/cm2で照射し、照射前と比較した時の照射後の膜厚を測定し、アウトガスの量として評価した。
表4に示した成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度が5.0質量%の溶液を調製した。この溶液を0.1μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、ポジ型レジスト液を得た。但し、レジスト膜厚は0.15μmとした。得られたレジスト膜にEUV光(波長13nm)を用いて、露光量を0〜10.0mJの範囲で0.5mJづつ変えながら面露光を行い、さらに100℃、90秒ベークした。その後2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて、各露光量での溶解速度を測定し、感度曲線を得た。この感度曲線において、レジストの溶解速度が飽和するときの露光量を感度とした。また、別に膜厚0.3μmのレジストを調製し、5mJ/cm2露光前の膜厚に対する露光後の膜厚を測定し、アウトガスの量として評価した。これらの結果を表8に示す。
表8の結果から、本発明のレジスト組成物は、EUV光の露光による特性評価において、比較例の組成物に比べて、高感度で低アウトガスであり、優れていることが分かる。
表5に示した成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度が5.0質量%の溶液を調製した。この溶液を0.1μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、ネガ型レジスト液を得た。但し、レジスト膜厚は0.15μmとした。得られたレジスト膜にEUV光(波長13nm)を用いて、露光量を0〜10.0mJの範囲で0.5mJづつ変えながら面露光を行い、さらに100℃、90秒ベークした。その後2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて、各露光量での溶解速度を測定し、感度曲線を得た。この感度曲線において、レジストの溶解速度が飽和するときの露光量を感度とした。また、別途、膜厚0.3μmのレジストを調製し、5mJ/cm2露光前の膜厚に対する露光後の膜厚を測定し、アウトガスの量として評価した。これらの結果を表9に示す。
表9の結果から、本発明のレジスト組成物は、EUV光の露光による特性評価において、比較例の組成物に比べて、高感度で低アウトガスであり、優れていることが分かる。
<レジスト調製>
表1に示す実施例Ar1〜Ar22の成分を溶剤に溶解させ固形分濃度7質量%の溶液を調製し、これを0.1μmのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調製した。調製したポジ型レジスト溶液を下記の方法で評価した。
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したレジスト組成物を塗布し、120℃で、60秒間ベークを行い150nmのレジスト膜を形成した。こうして得られたウエハーを液浸液としては純水を使用し、2光束干渉露光を行った(ウェット露光)。尚、2光束干渉露光(ウエット)では、図1に示すように、レーザー1、絞り2、シャッター3、3枚の反射ミラー4,5、6、集光レンズ7を使用し、プリズム8、液浸液(純水)9を介して反射防止膜及びレジスト膜を有するウエハー10に露光を行った。レーザー1の波長は、193nmを用い、65nmのラインアンドスペースパターンを形成するプリズム8を使用した。露光直後に120℃で、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で60秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得たレジストパターンについて走査型電子顕微鏡(日立製S−9260)を用い、観察したところ65nmのラインアンドスペースパターンが解像した。
このように、本願の組成物は液浸液を介した露光方法においても良好な画像形成能を有する。
2 絞り
3 シャッター
4、5、6 反射ミラー
7 集光レンズ
8 プリズム
9 液浸液
10 反射防止膜及びレジスト膜を有するウエハー
11 ウエハーステージ
Claims (7)
- 更に、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(B)を含有することを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。
- 更に、アルカリ現像液に可溶な樹脂(D)及び酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤(E)を含有することを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。
- 更に、X線、電子線又はEUVで露光することを特徴とする、請求項1から請求項3に記載のレジスト組成物。
- 請求項1に記載のレジスト組成物により、感光性膜を形成し、該感光性膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006042690A JP4677353B2 (ja) | 2005-02-18 | 2006-02-20 | レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005042328 | 2005-02-18 | ||
JP2005252611 | 2005-08-31 | ||
JP2006042690A JP4677353B2 (ja) | 2005-02-18 | 2006-02-20 | レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007094356A true JP2007094356A (ja) | 2007-04-12 |
JP4677353B2 JP4677353B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=37980094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006042690A Active JP4677353B2 (ja) | 2005-02-18 | 2006-02-20 | レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4677353B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007210904A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Fujifilm Corp | 新規なスルホニウム化合物、該化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2009037057A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Fujifilm Corp | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2009053665A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2009058949A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-03-19 | Fujifilm Corp | 新規なスルホニウム化合物を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び新規なスルホニウム化合物 |
KR20090087822A (ko) * | 2008-02-13 | 2009-08-18 | 후지필름 가부시키가이샤 | 전자선, x선 또는 euv용 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
JP2009244352A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2010061087A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7718344B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-05-18 | Fujifilm Corporation | Resist composition and pattern forming method using the same |
JP2010139662A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 |
JP2010191297A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン |
JP2011016746A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2014067030A (ja) * | 2012-09-15 | 2014-04-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 複数の酸発生剤化合物を含むフォトレジスト |
US8962233B2 (en) | 2010-01-29 | 2015-02-24 | Fujifilm Corporation | Actinic-ray—or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition |
JP2017134418A (ja) * | 2008-11-19 | 2017-08-03 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 組成物およびフォトリソグラフィー方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1039500A (ja) * | 1996-01-24 | 1998-02-13 | Shipley Co Llc | 多価アリールスルホニウム光活性化合物を含む光画像化可能な組成物 |
JPH10274844A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP2001226420A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-21 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 重合性組成物 |
JP2001233911A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 重合性組成物 |
JP2001242625A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線またはx線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
JP2001255647A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Daikin Ind Ltd | エネルギー線照射によりカチオンまたは酸を発生するフルオロアルキルオニウム塩型のカチオンまたは酸発生剤 |
JP2002131897A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
WO2003072567A1 (en) * | 2002-02-26 | 2003-09-04 | Sun Chemical Corporation | Novel fused ring compounds, and their use as cationic photoinitiators |
JP2004333925A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2005501040A (ja) * | 2001-07-19 | 2005-01-13 | ランベルティ ソシエタ ペル アチオニ | スルホニウム塩、これらの製造方法および放射線硬化性系のための光開始剤としてのこれらの使用 |
JP2005187799A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-07-14 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | スルホニウム塩光反応開始剤とその使用 |
-
2006
- 2006-02-20 JP JP2006042690A patent/JP4677353B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1039500A (ja) * | 1996-01-24 | 1998-02-13 | Shipley Co Llc | 多価アリールスルホニウム光活性化合物を含む光画像化可能な組成物 |
JPH10274844A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP2001226420A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-21 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 重合性組成物 |
JP2001233911A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 重合性組成物 |
JP2001242625A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線またはx線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
JP2001255647A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Daikin Ind Ltd | エネルギー線照射によりカチオンまたは酸を発生するフルオロアルキルオニウム塩型のカチオンまたは酸発生剤 |
JP2002131897A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2005501040A (ja) * | 2001-07-19 | 2005-01-13 | ランベルティ ソシエタ ペル アチオニ | スルホニウム塩、これらの製造方法および放射線硬化性系のための光開始剤としてのこれらの使用 |
WO2003072567A1 (en) * | 2002-02-26 | 2003-09-04 | Sun Chemical Corporation | Novel fused ring compounds, and their use as cationic photoinitiators |
JP2004333925A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2005187799A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-07-14 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | スルホニウム塩光反応開始剤とその使用 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8021819B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-09-20 | Fujifilm Corporation | Sulfonium compound, photosensitive composition containing the compound and pattern-forming method using the photosensitive composition |
JP2007210904A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Fujifilm Corp | 新規なスルホニウム化合物、該化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
US7718344B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-05-18 | Fujifilm Corporation | Resist composition and pattern forming method using the same |
JP2009037057A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Fujifilm Corp | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2009053665A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
EP2020616A3 (en) * | 2007-08-02 | 2009-04-29 | FUJIFILM Corporation | Resist composition for electron beam, x-ray, or euv, and pattern-forming method using the same |
TWI470355B (zh) * | 2007-08-02 | 2015-01-21 | Fujifilm Corp | 電子束、x射線或euv用光阻組成物、光阻膜及使用其之圖案形成方法 |
US8084183B2 (en) | 2007-08-02 | 2011-12-27 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, X-ray, or EUV, and pattern-forming method using the same |
JP2009058949A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-03-19 | Fujifilm Corp | 新規なスルホニウム化合物を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び新規なスルホニウム化合物 |
TWI470345B (zh) * | 2007-08-03 | 2015-01-21 | Fujifilm Corp | 含新穎化合物之光阻組成物、使用該光阻組成物之圖案形成方法、及新穎化合物 |
US8426103B2 (en) | 2008-02-13 | 2013-04-23 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition for use with electron beam, X-ray or EUV and pattern forming method using the same |
JP2009192735A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
KR20090087822A (ko) * | 2008-02-13 | 2009-08-18 | 후지필름 가부시키가이샤 | 전자선, x선 또는 euv용 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
KR101602742B1 (ko) * | 2008-02-13 | 2016-03-11 | 후지필름 가부시키가이샤 | 전자선, x선 또는 euv용 포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
JP2009244352A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2010061087A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Fujifilm Corp | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2017134418A (ja) * | 2008-11-19 | 2017-08-03 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 組成物およびフォトリソグラフィー方法 |
JP2010139662A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤 |
JP2010191297A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン |
JP2011016746A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US8962233B2 (en) | 2010-01-29 | 2015-02-24 | Fujifilm Corporation | Actinic-ray—or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition |
KR101728747B1 (ko) | 2010-01-29 | 2017-04-20 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 |
JP2014067030A (ja) * | 2012-09-15 | 2014-04-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 複数の酸発生剤化合物を含むフォトレジスト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4677353B2 (ja) | 2011-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4677353B2 (ja) | レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4505357B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4866606B2 (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4448705B2 (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4562537B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4452632B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4491335B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4533639B2 (ja) | 感刺激性組成物、化合物及び該感刺激性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4792299B2 (ja) | 新規なスルホニウム化合物、該化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP5066405B2 (ja) | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP5140354B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4448730B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4469692B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2006258925A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4677293B2 (ja) | ポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2006162735A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2007065353A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2007003619A (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いる化合物 | |
JP4742001B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2004361577A (ja) | 感光性組成物 | |
JP2006330099A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4695996B2 (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4460912B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4474248B2 (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2009053665A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071109 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071126 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080711 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110131 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4677353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |