JP2007090821A

JP2007090821A - Manufacturing method of liquid ejecting head

Info

Publication number: JP2007090821A
Application number: JP2005286612A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Matsumoto; 泰幸松本
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-09-30
Filing date: 2005-09-30
Publication date: 2007-04-12

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enable it to perform highly precise positioning by a low cost easily. <P>SOLUTION: A manufacturing method of a liquid ejecting head includes a step of forming an alignment mark 92 on one surface of a conduit formation substrate 110 which consists of a silicon single crystal substrate, a step of joining a protection substrate 130 to the above-mentioned one surface side of the above-mentioned conduit formation substrate 110, and steps of making the conduit formation substrate 110 permeate according to an infrared ray and checking it using an optical system 210 formed in the above-mentioned conduit formation substrate 110 side, and confirming the positions of the above-mentioned alignment mark 92 of the above-mentioned conduit formation substrate 110 using an optical system 210 formed in the above-mentioned conduit formation substrate 110 side, confirming the positions of the above-mentioned mask mark 201 of the exposure mask 200 using the above-mentioned optical system 210 and moving relatively the above-mentioned conduit formation substrate 110 and the above-mentioned exposure mask 200, and positioning the above-mentioned alignment mark 92 and the above-mentioned mask mark 201. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特にインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid ejecting head that ejects liquid, and more particularly, to a method for manufacturing an ink jet recording head that ejects ink.

インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。そして、たわみ振動モードのアクチュエータを使用したものとしては、例えば、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。 A part of the pressure generation chamber communicating with the nozzle opening for discharging ink droplets is constituted by a vibration plate, and the vibration plate is deformed by a piezoelectric element to pressurize the ink in the pressure generation chamber to discharge ink droplets from the nozzle opening. Two types of ink jet recording heads have been put into practical use: those using a longitudinal vibration mode piezoelectric actuator that extends and contracts in the axial direction of the piezoelectric element, and those using a flexural vibration mode piezoelectric actuator. As an example of using an actuator in a flexural vibration mode, for example, a uniform piezoelectric material layer is formed over the entire surface of the diaphragm by a film forming technique, and this piezoelectric material layer is formed into a pressure generating chamber by a lithography method. A device in which a piezoelectric element is formed so as to be cut into a corresponding shape and independent for each pressure generating chamber is known.

また、このような圧電素子は、例えば、湿気等の外部環境に起因して破壊され易いという問題がある。このため、例えば、圧力発生室が形成される流路形成基板に、圧電素子保持部を有する基板を接合し、この圧電素子保持部内に並設された複数の圧電素子を密封するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。 Further, such a piezoelectric element has a problem that it is easily destroyed due to an external environment such as moisture. For this reason, for example, a substrate having a piezoelectric element holding portion is bonded to a flow path forming substrate in which a pressure generating chamber is formed, and a plurality of piezoelectric elements arranged in parallel in the piezoelectric element holding portion are sealed. (For example, refer to Patent Document 1).

このようなインクジェット式記録ヘッドでは、圧力発生室が、流路形成基板の圧電素子が形成された一方面とは反対側からマスクパターンを介して異方性エッチングすることにより形成されるが、圧力発生室を形成する際に圧電素子との相対位置を高精度に位置決めする必要がある。このため、流路形成基板の圧電素子が形成される一方面にアライメントマークを設けると共に、流路形成基板の一方面に接合された保護基板にアライメントマークが露出される露出孔を設け、保護基板側から光学系を用いてアライメントマークの位置を確認すると共に、流路形成基板の他方面側に配置されて圧力発生室を形成するためのマスクパターンを形成する際に用いられる露光マスクに設けられたマスクマークの位置を流路形成基板側から他の光学系で確認することで、アライメントマークとマスクマークとの位置決めを行っていた。 In such an ink jet recording head, the pressure generation chamber is formed by anisotropic etching through a mask pattern from the opposite side of the flow path forming substrate on which the piezoelectric element is formed. When forming the generation chamber, it is necessary to position the relative position with the piezoelectric element with high accuracy. Therefore, an alignment mark is provided on one surface of the flow path forming substrate on which the piezoelectric element is formed, and an exposure hole is provided in the protective substrate bonded to the one surface of the flow path forming substrate to expose the alignment mark. The position of the alignment mark is confirmed from the side using an optical system, and is provided on an exposure mask used when forming a mask pattern for forming a pressure generating chamber disposed on the other side of the flow path forming substrate. The alignment mark and the mask mark are positioned by confirming the position of the mask mark with another optical system from the flow path forming substrate side.

しかしながら、このようなアライメント方法では、保護基板に露出孔を形成する必要があると共に、アライメントマークを形成する領域に制限があり、アライメントマークを増やしたり、位置を変更するのが困難であるという問題がある。 However, in such an alignment method, it is necessary to form an exposure hole in the protective substrate, and there is a limit to the region where the alignment mark is formed, and it is difficult to increase the alignment mark or change the position. There is.

また、アライメントマークを確認するための光学系と、露光マスクに設けられたマスクマークを確認するための光学系との２つの光学系を用いるため、アライメントマークとマスクマークとの位置決めが困難であると共に高精度に位置決めするのに時間がかかってしまうという問題がある。また、アライメントマークとマスクマークとの位置決めに２つの光学系が必要なため、高コストになってしまうという問題がある。 In addition, since the two optical systems of the optical system for confirming the alignment mark and the optical system for confirming the mask mark provided on the exposure mask are used, it is difficult to position the alignment mark and the mask mark. In addition, there is a problem that it takes time to position with high accuracy. Moreover, since two optical systems are required for positioning the alignment mark and the mask mark, there is a problem that the cost is increased.

なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法だけでなく、他の液体を吐出する液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在する。 Such a problem exists not only in a method for manufacturing an ink jet recording head that discharges ink but also in a method for manufacturing a liquid ejecting head that discharges another liquid.

特開２００２−１１３８５７号公報（特許請求の範囲等）JP 2002-113857 A (Claims etc.)

本発明はこのような事情に鑑み、高精度な位置決めを容易に且つ低コストで行うことができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。 In view of such circumstances, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid ejecting head that can perform highly accurate positioning easily and at low cost.

上記課題を解決する本発明の第１の態様は、液体が噴射されるノズル開口に連通する圧力発生室が形成されると共に前記圧力発生室に対応して設けられて当該圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧力発生手段を有するシリコン単結晶基板からなる流路形成基板の一方面にアライメントマークを形成する工程と、前記流路形成基板の前記一方面側に保護基板を接合する工程と、前記流路形成基板の前記アライメントマークの位置を前記流路形成基板側に設けられた光学系を用いて当該流路形成基板を赤外線により透過させて確認すると共に、前記流路形成基板の他方面側に配置されて前記アライメントマークに位置決めされるマスクマークを有し且つ前記圧力発生手段に対応した前記圧力発生室を形成するために用いられる露光マスクの前記マスクマークの位置を前記光学系を用いて確認し、前記流路形成基板と前記露光マスクとを相対的に移動させて前記アライメントマークと前記マスクマークとの位置決めを行う工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１の態様では、流路形成基板と露光マスクとの位置決めを、流路形成基板側から１つの光学系でアライメントマークの位置とマスクマークの位置とを取得して行うことができるため、保護基板にアライメントマークを露出するための露出孔を形成する必要がなく、所望の位置に所定量のアライメントマークを形成することができる。これにより、高精度な位置決めを容易に且つ低コストで行うことができる。 According to a first aspect of the present invention for solving the above-described problem, a pressure generation chamber communicating with a nozzle opening through which a liquid is ejected is formed, and provided corresponding to the pressure generation chamber, the pressure generation chamber A step of forming an alignment mark on one surface of a flow path forming substrate made of a silicon single crystal substrate having a pressure generating means for generating, a step of bonding a protective substrate to the one surface side of the flow path forming substrate, The position of the alignment mark on the flow path forming substrate is confirmed by transmitting the flow path forming substrate with infrared rays using an optical system provided on the flow path forming substrate side, and the other surface side of the flow path forming substrate. The mask of the exposure mask having a mask mark positioned on the alignment mark and used for forming the pressure generating chamber corresponding to the pressure generating means And a step of confirming the position of the mark using the optical system and positioning the alignment mark and the mask mark by relatively moving the flow path forming substrate and the exposure mask. And a manufacturing method of the liquid jet head.
In such a first aspect, the positioning of the flow path forming substrate and the exposure mask can be performed by acquiring the position of the alignment mark and the position of the mask mark with one optical system from the flow path forming substrate side. It is not necessary to form an exposure hole for exposing the alignment mark on the protective substrate, and a predetermined amount of alignment mark can be formed at a desired position. Thereby, highly accurate positioning can be performed easily and at low cost.

本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記アライメントマークと前記マスクマークとの位置決めを行う工程の後、前記露光マスクを介して前記流路形成基板の他方面側に設けられるマスクパターンを形成するためのレジストの露光を行う工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第２の態様では、高精度に位置決めされた露光マスクを用いてレジストの露光を行うことで、圧力発生手段に対応した圧力発生室を高精度に形成することができる。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, after the step of positioning the alignment mark and the mask mark, the mask provided on the other surface side of the flow path forming substrate via the exposure mask. The method of manufacturing a liquid ejecting head further includes a step of exposing a resist to form a pattern.
In the second aspect, by performing exposure of the resist using an exposure mask positioned with high accuracy, a pressure generating chamber corresponding to the pressure generating means can be formed with high accuracy.

本発明の第３の態様は、第２の態様において、前記レジストの露光を行う工程の後、前記流路形成基板の他方面に前記レジストを介して前記マスクパターンを形成すると共に、前記流路形成基板を前記マスクパターンを介してエッチングすることにより、前記圧力発生室を形成する工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第３の態様では、高精度に位置決めされた露光マスクによって形成されたレジストを用いて、マスクパターンを高精度に形成することができると共に、圧力発生手段に対応した圧力発生室を高精度に形成することができる。 According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, after the step of exposing the resist, the mask pattern is formed on the other surface of the flow path forming substrate via the resist, and the flow path The method of manufacturing a liquid jet head further includes a step of forming the pressure generating chamber by etching a formation substrate through the mask pattern.
In the third aspect, the mask pattern can be formed with high accuracy using the resist formed by the exposure mask positioned with high accuracy, and the pressure generating chamber corresponding to the pressure generating means can be formed with high accuracy. Can be formed.

本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記圧力発生手段が、前記流路形成基板の前記一方面側に振動板を介して設けられた圧電素子であると共に、前記保護基板には、前記圧電素子を保持する圧電素子保持部が設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第４の態様では、保護基板によって覆われた圧電素子に対応する圧力発生室を容易に高精度に形成することができる。 According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the pressure generating means is a piezoelectric element provided on the one surface side of the flow path forming substrate via a vibration plate. In the method of manufacturing the liquid jet head, the protective substrate is provided with a piezoelectric element holding portion that holds the piezoelectric element.
In the fourth aspect, the pressure generating chamber corresponding to the piezoelectric element covered with the protective substrate can be easily formed with high accuracy.

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a schematic configuration of an ink jet recording head according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of FIG. As shown in the drawing, the flow path forming substrate 10 is made of a silicon single crystal substrate having a plane orientation (110) in this embodiment, and one surface thereof is made of silicon dioxide previously formed by thermal oxidation. An elastic film 50 of 5 to 2 μm is formed. In the flow path forming substrate 10, a plurality of pressure generating chambers 12 partitioned by a partition wall 11 are arranged in parallel in the width direction. In addition, a communication portion 13 is formed in a region outside the longitudinal direction of the pressure generation chamber 12 of the flow path forming substrate 10, and the communication portion 13 and each pressure generation chamber 12 are provided for each pressure generation chamber 12. Communication is made via a supply path 14. The communication part 13 constitutes a part of a reservoir that communicates with a reservoir part of a protective substrate, which will be described later, and serves as a common ink chamber for the pressure generating chambers 12. The ink supply path 14 is formed with a narrower width than the pressure generation chamber 12, and maintains a constant flow path resistance of ink flowing into the pressure generation chamber 12 from the communication portion 13.

また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、後述するマスク膜５２を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０^-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。 Further, a nozzle plate 20 having a nozzle opening 21 communicating with the vicinity of the end portion of each pressure generating chamber 12 on the side opposite to the ink supply path 14 on the opening surface side of the flow path forming substrate 10 will be described later. The mask film 52 is fixed by an adhesive, a heat welding film, or the like. The nozzle plate 20 has a thickness of, for example, 0.01 to 1 mm, a linear expansion coefficient of 300 ° C. or less, for example, 2.5 to 4.5 [× 10 ⁻⁶ / ° C.], glass ceramics, silicon It consists of a single crystal substrate or stainless steel.

一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）等からなり厚さが例えば、約０．３〜０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている。また、絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．１〜０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約０．５〜５μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。すなわち、本発明では、振動板が絶縁体膜５５等の酸化膜を有し、圧電素子３００はこの酸化膜上に形成されている。なお、一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、弾性膜５０、絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみを残して下電極膜６０を振動板としても良い。 On the other hand, an elastic film 50 made of silicon dioxide and having a thickness of, for example, about 1.0 μm is formed on the side opposite to the opening surface of the flow path forming substrate 10. For example, an insulator film 55 made of zirconium oxide (ZrO ₂ ) or the like and having a thickness of, for example, about 0.3 to 0.4 μm is laminated. Further, on the insulator film 55, the lower electrode film 60 with a thickness of, for example, about 0.1 to 0.2 μm, the piezoelectric layer 70 with a thickness of, for example, about 0.5 to 5 μm, and a thickness For example, the piezoelectric element 300 including the upper electrode film 80 of about 0.05 μm is formed. That is, in the present invention, the diaphragm has an oxide film such as the insulator film 55, and the piezoelectric element 300 is formed on the oxide film. In general, one of the electrodes of the piezoelectric element 300 is used as a common electrode, and the other electrode and the piezoelectric layer 70 are patterned for each pressure generating chamber 12. In the present embodiment, the lower electrode film 60 is used as a common electrode of the piezoelectric element 300 and the upper electrode film 80 is used as an individual electrode of the piezoelectric element 300. However, there is no problem even if this is reversed for convenience of a drive circuit and wiring. In addition, here, the piezoelectric element 300 and the diaphragm that is displaced by driving the piezoelectric element 300 are collectively referred to as an actuator device. In the above-described example, the elastic film 50, the insulator film 55, and the lower electrode film 60 function as a diaphragm. However, the elastic film 50 and the insulator film 55 are not provided, and only the lower electrode film 60 is left. The electrode film 60 may be a diaphragm.

そして、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。 The upper electrode film 80 of each piezoelectric element 300 is connected to a lead electrode 90 made of, for example, gold (Au) or the like, and a voltage is selectively applied to each piezoelectric element 300 via the lead electrode 90. Is applied.

また、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が、接着剤３４等によって接合されている。なお、圧電素子保持部３１は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。 Further, on the flow path forming substrate 10 on which the piezoelectric element 300 is formed, the protective substrate 30 having the piezoelectric element holding portion 31 having a space that does not hinder the movement of the piezoelectric element 300 in a region facing the piezoelectric element 300. Are joined by an adhesive 34 or the like. Note that the piezoelectric element holding portion 31 only needs to have a space that does not hinder the movement of the piezoelectric element 300, and the space may be sealed or not sealed.

また、保護基板３０には、連通部１３に対向する領域にリザーバ部３２が設けられており、このリザーバ部３２は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出されている。 Further, the protective substrate 30 is provided with a reservoir portion 32 in a region facing the communication portion 13, and the reservoir portion 32 is communicated with the communication portion 13 of the flow path forming substrate 10 as described above. A reservoir 100 serving as an ink chamber common to the pressure generation chamber 12 is configured. In addition, a through hole 33 that penetrates the protective substrate 30 in the thickness direction is provided in a region between the piezoelectric element holding portion 31 and the reservoir portion 32 of the protective substrate 30, and the lower electrode film 60 is provided in the through hole 33. And the tip of the lead electrode 90 are exposed.

また、保護基板３０上には、圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。 A drive circuit 120 for driving the piezoelectric element 300 is fixed on the protective substrate 30. For example, a circuit board or a semiconductor integrated circuit (IC) can be used as the drive circuit 120. The drive circuit 120 and the lead electrode 90 are electrically connected via a connection wiring 121 made of a conductive wire such as a bonding wire.

保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。 As the protective substrate 30, it is preferable to use a material substantially the same as the coefficient of thermal expansion of the flow path forming substrate 10, for example, glass, a ceramic material, etc. In this embodiment, a single silicon of the same material as the flow path forming substrate 10 is used. It formed using the crystal substrate.

保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。 On the protective substrate 30, a compliance substrate 40 including a sealing film 41 and a fixing plate 42 is bonded. Here, the sealing film 41 is made of a material having low rigidity and flexibility (for example, a polyphenylene sulfide (PPS) film having a thickness of 6 μm). The sealing film 41 seals one surface of the reservoir portion 32. It has been stopped. The fixing plate 42 is made of a hard material such as metal (for example, stainless steel (SUS) having a thickness of 30 μm). Since the region of the fixing plate 42 facing the reservoir 100 is an opening 43 that is completely removed in the thickness direction, one surface of the reservoir 100 is sealed only with a flexible sealing film 41. Has been.

このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。 In such an ink jet recording head of this embodiment, after taking ink from an external ink supply means (not shown) and filling the interior from the reservoir 100 to the nozzle opening 21, the pressure is applied according to the recording signal from the drive circuit. By applying a voltage between each of the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80 corresponding to the generation chamber 12, the elastic film 50, the insulator film 55, the lower electrode film 60, and the piezoelectric layer 70 are bent and deformed. The pressure in each pressure generating chamber 12 is increased, and ink droplets are ejected from the nozzle openings 21.

ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。 Here, a method of manufacturing the ink jet recording head will be described with reference to FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views of the pressure generating chamber 12 in the longitudinal direction. First, as shown in FIG. 3A, a channel forming substrate wafer 110 which is a silicon wafer is thermally oxidized in a diffusion furnace at about 1100 ° C., and a silicon dioxide film 51 constituting an elastic film 50 is formed on the surface thereof. To do. In this embodiment, a silicon wafer having a relatively thick film thickness of about 625 μm and a high rigidity is used as the flow path forming substrate wafer 110.

次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなる絶縁体膜５５を形成する。 Next, as shown in FIG. 3B, an insulator film 55 made of zirconium oxide is formed on the elastic film 50 (silicon dioxide film 51). Specifically, after forming a zirconium (Zr) layer on the elastic film 50 (silicon dioxide film 51) by, for example, sputtering, the zirconium layer is thermally oxidized in a diffusion furnace at 500 to 1200 ° C., for example. Thus, the insulator film 55 made of zirconium oxide (ZrO ₂ ) is formed.

次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。 Next, as shown in FIG. 3C, after the lower electrode film 60 is formed by stacking platinum and iridium on the insulator film 55, for example, the lower electrode film 60 is patterned into a predetermined shape.

次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板１０の全面に形成後、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。 Next, as shown in FIG. 3D, for example, a piezoelectric layer 70 made of, for example, lead zirconate titanate (PZT) and an upper electrode film 80 made of, for example, iridium are formed on the entire surface of the flow path forming substrate 10. Then, the piezoelectric element 300 is formed by patterning in a region facing each pressure generating chamber 12. As a material of the piezoelectric layer 70 constituting the piezoelectric element 300, for example, a ferroelectric piezoelectric material such as lead zirconate titanate (PZT) or a metal such as niobium, nickel, magnesium, bismuth or yttrium is used. An added relaxor ferroelectric or the like is used. The method for forming the piezoelectric layer 70 is not particularly limited. For example, in this embodiment, a so-called sol in which a metal organic substance is dissolved and dispersed in a catalyst is applied, dried, gelled, and further fired at a high temperature. The piezoelectric layer 70 was formed by using a so-called sol-gel method for obtaining a piezoelectric layer 70 made of an oxide.

次に、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成し、その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して金属層９１を圧電素子３００毎にパターニングすることによってリード電極９０を形成する。また、同時に流路形成基板用ウェハ１１０の所定位置に金属層９１を残留させることで、後の工程で露光マスク２００に設けられたマスクマーク２０１に対して位置決めされるアライメントマーク９２を形成する。アライメントマーク９２を形成する位置は、特に限定されないが、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０を分割して流路形成基板１０となる領域以外の位置に設けた。また、アライメントマーク９２は、露光マスク２００（図５参照）のマスクマーク２０１（図５参照）と位置決めすることで、露光マスク２００と流路形成基板用ウェハ１１０との位置決めを行うためのものであり、２つ以上設けるのが好ましい。 Next, as shown in FIG. 4A, a metal layer 91 made of, for example, gold (Au) or the like is formed over the entire surface of the flow path forming substrate wafer 110, and then made of, for example, a resist or the like. The lead electrode 90 is formed by patterning the metal layer 91 for each piezoelectric element 300 through a mask pattern (not shown). At the same time, the metal layer 91 is left at a predetermined position on the flow path forming substrate wafer 110, thereby forming an alignment mark 92 that is positioned with respect to the mask mark 201 provided on the exposure mask 200 in a later step. The position at which the alignment mark 92 is formed is not particularly limited, but in this embodiment, the flow path forming substrate wafer 110 is divided and provided at a position other than the region that becomes the flow path forming substrate 10. The alignment mark 92 is used for positioning the exposure mask 200 and the flow path forming substrate wafer 110 by positioning with the mask mark 201 (see FIG. 5) of the exposure mask 200 (see FIG. 5). There are preferably two or more.

次に、図４（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接着剤３４を介して接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。 Next, as shown in FIG. 4 (b), a protective substrate wafer 130 that is a silicon wafer and serves as a plurality of protective substrates 30 is placed on the flow path forming substrate wafer 110 via the adhesive 34 on the piezoelectric element 300 side. Join. Since the protective substrate wafer 130 has a thickness of, for example, about 400 μm, the rigidity of the flow path forming substrate wafer 110 is remarkably improved by bonding the protective substrate wafer 130.

次いで、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。 Next, as shown in FIG. 4C, after the flow path forming substrate wafer 110 is polished to a certain thickness, the flow path forming substrate wafer 110 is further etched to a predetermined thickness by wet etching with hydrofluoric acid. To. For example, in this embodiment, the flow path forming substrate wafer 110 is etched so as to have a thickness of about 70 μm.

次いで、流路形成基板用ウェハ１１０をエッチングすることにより、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を形成する。詳しくは、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板３０とは反対側の面に亘って、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる窒化膜１５２を新たに形成する。窒化膜１５２は、例えば、スパッタリング法などにより形成することができる。次に、図５（ｂ）に示すように、窒化膜１５２上に亘ってレジスト１５３を形成する。レジスト１５３は、例えば、スピンコートや噴射などにより塗布することができる。 Next, the pressure generation chamber 12, the communication portion 13, and the ink supply path 14 are formed by etching the flow path forming substrate wafer 110. Specifically, as shown in FIG. 5A, a nitride film 152 made of, for example, silicon nitride (SiN) is newly formed over the surface of the flow path forming substrate wafer 110 opposite to the protective substrate 30. To do. The nitride film 152 can be formed by sputtering, for example. Next, as shown in FIG. 5B, a resist 153 is formed over the nitride film 152. The resist 153 can be applied by, for example, spin coating or spraying.

次に、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０と、露光マスク２００との位置決めを行う。具体的には、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側に、マスクマーク２０１が形成された露光マスク２００と、赤外線像を取得できる光学系２１０とを配置し、光学系２１０によって流路形成基板用ウェハ１１０を赤外線により透過させて流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０の接合面に設けられたアライメントマーク９２の位置を確認すると共に露光マスク２００のマスクマーク２０１の位置を確認して、露光マスク２００と流路形成基板用ウェハ１１０とを流路形成基板用ウェハ１１０の面方向に相対的に移動させて、アライメントマーク９２とマスクマーク２０１との位置決めを行うことで、露光マスク２００と流路形成基板用ウェハ１１０とを位置決めする。 Next, as shown in FIG. 5C, the flow path forming substrate wafer 110 and the exposure mask 200 are positioned. Specifically, an exposure mask 200 on which a mask mark 201 is formed and an optical system 210 capable of acquiring an infrared image are arranged on the opposite side of the flow path forming substrate wafer 110 from the protective substrate wafer 130, and optical The system 210 transmits the flow path forming substrate wafer 110 with infrared rays to confirm the position of the alignment mark 92 provided on the bonding surface of the protective substrate wafer 130 of the flow path forming substrate wafer 110 and the mask of the exposure mask 200. The position of the mark 201 is confirmed, and the exposure mask 200 and the flow path forming substrate wafer 110 are relatively moved in the surface direction of the flow path forming substrate wafer 110 to position the alignment mark 92 and the mask mark 201. As a result, the exposure mask 200 and the flow path forming substrate wafer 110 are positioned.

なお、流路形成基板用ウェハ１１０の表面には、窒化膜１５２及びレジスト１５３が形成されているが、光学系２１０からの赤外線は、シリコン単結晶基板からなる流路形成基板用ウェハ１１０と共に窒化膜１５２及びレジスト１５３を透過することができるため、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０の接合された面に設けられたアライメントマーク９２の位置を取得することができる。 A nitride film 152 and a resist 153 are formed on the surface of the flow path forming substrate wafer 110. The infrared rays from the optical system 210 are nitrided together with the flow path forming substrate wafer 110 made of a silicon single crystal substrate. Since the film 152 and the resist 153 can be transmitted, the position of the alignment mark 92 provided on the bonded surface of the protective substrate wafer 130 of the flow path forming substrate wafer 110 can be acquired.

また、露光マスク２００は、露光する際の光を透過する材料、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等からなり、その一方面に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等のパターンが形成されたものである。このため、本実施形態の露光マスク２００も赤外線を透過するものである。 The exposure mask 200 is made of a material that transmits light at the time of exposure, for example, silicon dioxide (SiO ₂ ), and has a pattern such as the pressure generation chamber 12, the communication portion 13, and the ink supply path 14 on one surface thereof. It is formed. For this reason, the exposure mask 200 of this embodiment also transmits infrared rays.

さらに、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めは、特にこれに限定されず、例えば、露光マスク２００のマスクマーク２０１に対して光学系２１０を位置決めして固定し、光学系２１０を用いて流路形成基板用ウェハ１１０のアライメントマーク９２の位置を確認しながら、流路形成基板用ウェハ１１０を面方向に移動させることで、アライメントマーク９２を露光マスク２００のマスクマーク２０１に位置決めするようにしてもよい。 Further, the positioning of the flow path forming substrate wafer 110 and the exposure mask 200 is not particularly limited to this. For example, the optical system 210 is positioned and fixed with respect to the mask mark 201 of the exposure mask 200, and the optical system 210. The alignment mark 92 is positioned on the mask mark 201 of the exposure mask 200 by moving the flow path forming substrate wafer 110 in the surface direction while confirming the position of the alignment mark 92 of the flow path forming substrate wafer 110 using You may make it do.

このように、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めを、赤外線像を取得することができる１つの光学系２１０により行うことで、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めを容易に且つ高精度に行うことができる。また、保護基板用ウェハ１３０にアライメントマーク９２を露出するための露出孔が不要となるため、製造工程を簡略化することができると共に、アライメントマーク９２の位置及び数が制限されることなく、所望の位置に所望の数だけアライメントマーク９２を形成することができ、さらに高精度な位置決めを行うことができる。さらに、１つの光学系２１０によって、流路形成基板用ウェハ１１０と露光マスク２００との位置決めを行うことができるため、コストを低減することができる。 As described above, the positioning of the flow path forming substrate wafer 110 and the exposure mask 200 by the single optical system 210 capable of acquiring an infrared image allows the flow path forming substrate wafer 110 and the exposure mask 200 to be aligned. Can be easily and highly accurately positioned. In addition, since an exposure hole for exposing the alignment mark 92 is not required in the protective substrate wafer 130, the manufacturing process can be simplified, and the position and number of the alignment marks 92 are not limited and desired. A desired number of alignment marks 92 can be formed at the positions, and positioning with higher accuracy can be performed. Furthermore, the positioning of the flow path forming substrate wafer 110 and the exposure mask 200 can be performed by one optical system 210, so that the cost can be reduced.

次に、図６（ａ）に示すように、露光マスク２００を介してレジスト１５３を所定形状に露光する。そして、露光したレジストを現像して余分な領域を除去することにより、図６（ｂ）に示すような、所定形状のレジストパターン５３を形成する。また、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン５３を介して窒化膜１５２をパターニングすることで所定形状のマスク膜５２を形成する。なお、マスク膜５２は、例えば、窒化膜１５２をイオンミリングによるドライエッチングやウェットエッチングすることで形成することができる。 Next, as illustrated in FIG. 6A, the resist 153 is exposed to a predetermined shape through the exposure mask 200. Then, the exposed resist is developed to remove excess regions, thereby forming a resist pattern 53 having a predetermined shape as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 6B, a mask film 52 having a predetermined shape is formed by patterning the nitride film 152 through the resist pattern 53. The mask film 52 can be formed, for example, by dry etching or wet etching using ion milling on the nitride film 152.

次に、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングすることにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。 Next, as shown in FIG. 6C, the pressure corresponding to the piezoelectric element 300 is obtained by anisotropically etching the flow path forming substrate wafer 110 through the mask film 52 using an alkaline solution such as KOH. A generation chamber 12, a communication portion 13, an ink supply path 14, and the like are formed.

このように、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４は、流路形成基板用ウェハ１１０の一方面に形成された圧電素子３００に対応して他方面側から形成するが、上述のように、圧電素子３００と同じ面側に設けられたアライメントマーク９２と、露光マスク２００との相対的な位置決めが高精度に行われているため、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を圧電素子３００に対して高精度な位置で形成することができる。 As described above, the pressure generation chamber 12, the communication portion 13, and the ink supply path 14 are formed from the other side corresponding to the piezoelectric element 300 formed on one side of the flow path forming substrate wafer 110. As described above, since the relative positioning between the alignment mark 92 provided on the same surface side as the piezoelectric element 300 and the exposure mask 200 is performed with high accuracy, the pressure generating chamber 12, the communication portion 13, and the ink supply path 14 can be formed at a highly accurate position with respect to the piezoelectric element 300.

その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。 Thereafter, unnecessary portions of the outer peripheral edge portions of the flow path forming substrate wafer 110 and the protective substrate wafer 130 are removed by cutting, for example, by dicing. The nozzle plate 20 having the nozzle openings 21 formed on the surface of the flow path forming substrate wafer 110 opposite to the protective substrate wafer 130 is bonded, and the compliance substrate 40 is bonded to the protective substrate wafer 130. By dividing the flow path forming substrate wafer 110 and the like into the flow path forming substrate 10 and the like of one chip size as shown in FIG. 1, the ink jet recording head of this embodiment is obtained.

（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１では、アライメントマーク９２をリード電極９０と同一層で、すなわち、金（Ａｕ）からなる金属層９１で形成するようにしたが、特にこれに限定されず、アライメントマーク９２を、例えば、圧電素子３００を構成する下電極膜６０や上電極膜８０で形成してもよく、また別途金属膜等により形成するようにしてもよい。また、アライメントマーク９２は、金属膜等に限定されず、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子側の面や、弾性膜５０及び絶縁体膜５５等の一部を除去したものとしてもよい。 (Other embodiments)
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment. For example, in the first embodiment described above, the alignment mark 92 is formed of the same layer as the lead electrode 90, that is, the metal layer 91 made of gold (Au). However, the alignment mark 92 is not particularly limited thereto. May be formed of, for example, the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80 constituting the piezoelectric element 300, or may be formed of a metal film or the like separately. The alignment mark 92 is not limited to a metal film or the like. For example, the surface on the piezoelectric element side of the flow path forming substrate wafer 110 or a part of the elastic film 50 and the insulator film 55 may be removed. Good.

また、上述した実施形態１では、アライメントマーク９２を、流路形成基板用ウェハ１１０の流路形成基板１０となる領域以外に設けるようにしたが、アライメントマーク９２を形成する位置は、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０が接合される面であれば特に限定されるものではない。すなわち、例えば、アライメントマーク９２を流路形成基板１０が形成される領域に設けるようにしてもよい。 In Embodiment 1 described above, the alignment mark 92 is provided in a region other than the region to be the flow path forming substrate 10 of the flow path forming substrate wafer 110. However, the position where the alignment mark 92 is formed is the flow path forming position. There is no particular limitation as long as it is a surface to which the protective substrate wafer 130 of the substrate wafer 110 is bonded. That is, for example, the alignment mark 92 may be provided in a region where the flow path forming substrate 10 is formed.

また、例えば、上述した実施形態１では、成膜及びリソグラフィ法を応用して製造される薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式記録ヘッドにも本発明を採用することができる。 Further, for example, in the above-described first embodiment, the thin film type ink jet recording head manufactured by applying the film formation and the lithography method is taken as an example, but of course, the present invention is not limited thereto. The present invention can also be applied to a thick film type ink jet recording head formed by a method such as affixing.

なお、ノズル開口２１からインク滴を吐出する圧力発生手段として圧電素子３００を用いて説明したが、圧力発生手段としては圧電素子３００に限定されず、例えば、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエータなどを使用することができる。 Although the piezoelectric element 300 has been described as the pressure generating means for ejecting ink droplets from the nozzle openings 21, the pressure generating means is not limited to the piezoelectric element 300. For example, a heating element is disposed in the pressure generating chamber. , One that discharges droplets from the nozzle opening by bubbles generated by the heat generated by the heating element, or one that generates static electricity between the diaphragm and the electrode, and deforms the diaphragm by electrostatic force to cause droplets to be ejected from the nozzle opening A so-called electrostatic actuator for discharging can be used.

また、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。さらに、本発明は、このような液体噴射ヘッドに圧力発生手段として搭載されるアクチュエータ装置だけでなく、あらゆる装置に搭載されるアクチュエータ装置に適用することができる。例えば、アクチュエータ装置は、上述したヘッドの他に、センサー等にも適用することができる。 In the first embodiment described above, the ink jet recording head has been described as an example of the liquid ejecting head. However, the present invention is widely intended for all liquid ejecting heads, and is a liquid ejecting liquid other than ink. Of course, the present invention can also be applied to an ejection head. Other liquid ejecting heads include, for example, various recording heads used in image recording apparatuses such as printers, color material ejecting heads used in the manufacture of color filters such as liquid crystal displays, organic EL displays, and FEDs (surface emitting displays). Examples thereof include an electrode material ejection head used for electrode formation, a bioorganic matter ejection head used for biochip production, and the like. Furthermore, the present invention can be applied not only to an actuator device mounted as pressure generating means on such a liquid jet head but also to an actuator device mounted on any device. For example, the actuator device can be applied to a sensor or the like in addition to the head described above.

本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図。1 is an exploded perspective view showing a schematic configuration of a recording head according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図。2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view of a recording head according to Embodiment 1 of the invention. 本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the recording head according to the first embodiment of the invention.

Explanation of symbols

１０流路形成基板、１２圧力発生室、１３連通部、１４インク供給路、２０ノズルプレート、２１ノズル開口、３０保護基板、３１圧電素子保持部、３２リザーバ部、４０コンプライアンス基板、６０下電極膜、７０圧電体層、８０上電極膜、９０リード電極、９２アライメントマーク、１００リザーバ、２００露光マスク、２０１マスクマーク、２１０光学系、３００圧電素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Flow path formation board | substrate, 12 Pressure generation chamber, 13 Communication part, 14 Ink supply path, 20 Nozzle plate, 21 Nozzle opening, 30 Protection board, 31 Piezoelectric element holding part, 32 Reservoir part, 40 Compliance board, 60 Lower electrode film , 70 piezoelectric layer, 80 upper electrode film, 90 lead electrode, 92 alignment mark, 100 reservoir, 200 exposure mask, 201 mask mark, 210 optical system, 300 piezoelectric element

Claims

A pressure generating chamber communicating with a nozzle opening through which liquid is ejected is formed, and is formed of a silicon single crystal substrate having pressure generating means provided corresponding to the pressure generating chamber and causing a pressure change in the pressure generating chamber. A step of forming an alignment mark on one surface of the flow path forming substrate; a step of bonding a protective substrate to the one surface side of the flow path forming substrate; and a position of the alignment mark on the flow path forming substrate. A mask mark that is placed on the other surface side of the flow path forming substrate and positioned on the alignment mark is confirmed by transmitting the flow path forming substrate with infrared rays using an optical system provided on the forming substrate side. The position of the mask mark of the exposure mask used to form the pressure generating chamber corresponding to the pressure generating means is confirmed using the optical system. The method of manufacturing a liquid jet head characterized by including the step of said exposure mask and the flow path forming substrate is relatively moved to position between the mask mark and the alignment mark.

The resist exposure for forming a mask pattern provided on the other surface side of the flow path forming substrate through the exposure mask after the step of positioning the alignment mark and the mask mark according to claim 1. A method for manufacturing a liquid jet head, further comprising the step of performing the step.

3. The method according to claim 2, wherein after the step of exposing the resist, the mask pattern is formed on the other surface of the flow path forming substrate via the resist, and the flow path forming substrate is etched via the mask pattern. Thus, the method of manufacturing a liquid ejecting head, further comprising the step of forming the pressure generating chamber.

4. The piezoelectric element according to claim 1, wherein the pressure generating means is a piezoelectric element provided on the one surface side of the flow path forming substrate via a vibration plate, and the protective substrate includes the piezoelectric element. A method of manufacturing a liquid ejecting head, comprising: a piezoelectric element holding portion that holds the ink.