JP2007081304A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェハ1の半導体集積回路が形成されている側の表面11に形成された第1のホール2と、ウェハ1の裏面12に形成された第2のホール3とを有し、1個の第2のホール3と複数個の第1のホール2とがつながってウェハ1を貫通するビアホール4が構成され、ビアホール4には埋め込み金属層5が埋め込まれ、ウェハ1の裏面12の全体にはグランド層6が形成されている。
【選択図】 図1
Description
半導体集積回路において、ウェハにビアホール(via hole:接続孔)を貫通して形成し、該ウェハの裏面にグランド層を形成する従来の技術は、以下のようである。ビアホールは、グランド層に接続すべきウェハの表面に形成された接地用電極(もしくは配線)と、ウェハの裏面のグランド層とを接続するために設けられる。
まず、ウェハの表面側に半導体集積回路を製作する。
次に、ウェハの裏面の研磨を行って、ウェハの厚さを薄くする。
次に、ウェハの裏面からビアホールをエッチングにより開口する。このビアホールは、ウェハの裏面から表面に貫通するように形成する。
次に、このビアホールに金属を埋め込む。
次に、ウェハの裏面全体に金属を堆積してグランド層を形成し、グランド層とビアホール内に埋め込んだ金属とを接続する。
なお、ウェハの厚さを薄くするのは、ウェハを貫通するビアホールの形成を容易にするためである。
このような技術は、例えば下記非特許文献1、2に記載されている。
また、ウェハの裏面からビアホールを開口するので、ビアホールと、表面に形成された接地用電極との位置合わせが難しいという問題がある。
本発明の目的は、裏面のグランド層を容易に形成するとともに、ビアホールを位置合わせが容易に形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
また、前記第2のホール1個について、該第2のホールにつながる前記第1のホールが複数個形成されている、という構成になっている。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、前記第1のホールおよび前記第2のホールに前記金属を埋め込む工程とを有する、という構成になっている。
また、前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、前記第2のホールおよび前記第1のホールに前記金属を埋め込む工程とを有する、という構成になっている。
また、前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、前記第2のホールに前記金属を埋め込む工程と、前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、前記第1のホールに前記金属を埋め込む工程とを有する、という構成になっている。
また、前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、前記第1のホールに前記金属を埋め込む工程と、前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、前記第2のホールに前記金属を埋め込む工程とを有する、という構成になっている。
また、反応性イオンエッチングにより前記第1のホールを形成し、ウェットエッチングにより前記第2のホールを形成する、という構成になっている。
《実施の形態1》
〈半導体装置の構造〉
図1は、本発明の実施の形態1の半導体装置の構造を示す断面図である。
図1において、1は半導体からなるウェハ、11は半導体集積回路(図示省略)が形成されている側のウェハ1の表面、12は表面11の反対側のウェハ1の裏面、2は第1のホール、3は第2のホール、4は第1のホール2と第2のホール3とから構成されるビアホール、5はビアホール4に埋め込まれた埋め込み金属層、6はウェハ1の裏面12全体に形成され、ビアホール4の埋め込み金属層5に接続されたグランド層、a1は第1のホール2の開口面積、a2は第2のホール3の開口面積、d1は第1のホール2の深さ、d2は第2のホール3の深さである。なお、図1に示す半導体装置の構造は、以下の実施の形態1、2について共通する。
また、埋め込み金属層5が埋め込まれた複数の第1のホール2により、ウェハ1を複数の領域に分断し、これらの領域を電気的に遮蔽することにより、半導体集積回路チップ内の不要な共振を除去し、超高周波半導体集積回路の高周波特性を向上させることができる。なお、第1のホール2相互の間隔を超高周波半導体集積回路の波長より短くするのが、高周波特性を向上させる上で望ましい。
1.ミリ波帯(30GHz〜300GHz)まで動作する超高周波半導体集積回路モジュールの高性能化を実現することができる。
2.パワー密度の高いトランジスタの高性能化を実現することができる。
3.高い位置合わせ精度を必要としない、半導体集積回路の裏面プロセスを実現することができる。
4.ウエハ強度を著しく低下させない、半導体集積回路の裏面プロセスを実現することができる。
5.モジュールの組み立てコストを低減することができる。
図2(a)〜図3(d)は、本発明の実施の形態1の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、例えばInPまたはGaAs等の半導体からなるウェハ1の表面11に、半導体集積回路(図示省略)を製作した後、図2(a)に示すように、ウェハ1の表面11に、開口が一辺100μmの正方形状、または直径100μmの円形状で、深さ100μm〜200μmの第1のホール2を形成する。これらの第1のホール2の形成には、レジスト、SiO2、SiN、Ni、またはTi等をマスクとし、塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチングを用いる。また、これらの第1のホール2は、ウェハ1の裏面12のグランド層6(図1。図3(d)参照)に電気的に接続すべき、ウェハ1の表面11に設けられた接地用電極もしくは配線(図示省略)の位置にそれぞれ形成する。
最後に、図3(d)に示すように、ウェハ1の裏面12の全体に例えばスパッタ法等により金を堆積し、グランド層6を形成する。これにより、グランド層6は、ビアホール4に埋め込まれた埋め込み金属層5を介して、該グランド層6と接続すべき表面11に設けられた接地用電極もしくは配線(図示省略)と接続される。
本実施の形態では、図2(b)の工程までは、上記実施の形態1と全く同じなので、説明を省略する。
次に、図2(c)に示すように、第1のホール2と第2のホール3とからなるビアホール4に、例えばウェハ1の裏面12側から銀ペースト等の流動性のある金属材料を流し込み、埋め込み金属層5を形成する。なお、流し込む側の反対側は、例えばシリコンや石英製の基板等を用いて押さえ付け、流し込みが終了したら外す。また、ウェハ1の表面11側から流し込むことも可能である。また、流し込みには真空を利用することも可能である。
最後に、図3(d)に示すように、ウェハ1の裏面12の全体に例えばスパッタ法やCVD法等により金や銀等の金属を堆積し、グランド層6を形成する。これにより、グランド層6は、ビアホール4に埋め込まれた埋め込み金属層5を介して、該グランド層6と接続すべき表面11の設けられた接地用電極もしくは配線(図示省略)と接続される。
図4(a)〜図5(e)は、本発明の実施の形態3の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、例えばInPまたはGaAs等の半導体からなるウェハ1の表面11に、半導体集積回路(図示省略)を製作した後、図4(a)に示すように、ウェハ1の裏面12に、開口が一辺500μm〜数mmの正方形状、または直径500μm〜数mmの円形状の第2のホール3を形成する。この第2のホール3の深さは、後でウェハ1の表面11から形成する第1のホール2(図4(c)参照)と合わせて、ウェハ1を貫通させられる深さとする。すなわち、第2のホール3の深さは、ウェハ1の厚さにより異なる。この第2のホール3の形成には、レジスト、SiO2、SiN、Ni、またはTi等をマスクとし、塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチングを用いる。なお、第2のホール3は反応性イオンエッチングの代わりに、ウェットエッチングにより形成してもよい。容積の大きい第2のホール3をウェットエッチングを用いて形成することにより、工程時間を短縮することができるともに、真空工程と真空装置を不要とすることができ、その結果、製造コストを低減することができる。
次に、図4(b)に示すように、例えばメッキにより、第2のホール3にウェハ1の裏面12側から金等の金属を埋め込み、埋め込み金属層5aを形成する。
次に、図5(d)に示すように、例えばメッキにより、第1のホール2にウェハ1の表面11側から金等の金属を埋め込み、埋め込み金属層5bを形成する。
なお、メッキにより金を埋め込んで埋め込み金属層5a、5bを形成する代わりに、銀ペースト等の流動性のある金属材料を流し込んでもよい。また、埋め込み金属層5a、5bを形成するのに、それぞれメッキと金属材料を流し込みを併用することも可能である。
また、特許請求の範囲における各構成要素と、発明の実施の形態における各構成要素との対応について説明する。すなわち、実施の形態におけるウェハ1が、特許請求の範囲の基板に、金属が埋め込み金属層5にそれぞれ対応する。
3…第2のホール 4…ビアホール
5、5a、5b…埋め込み金属層 6…グランド層
11…表面 12…裏面
a1…第1のホールの開口面積 a2…第2のホールの開口面積
d1…第1のホールの深さ d2…第2のホールの深さ
Claims (7)
- 半導体集積回路が形成されている側の基板の表面に形成された第1のホールと、
前記基板の裏面に形成された第2のホールとを有し、
前記第1のホールと前記第2のホールとがつながって前記基板を貫通するビアホールが構成され、
前記ビアホールには金属が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2のホール1個につながる前記第1のホールが複数個形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、
前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、
前記第1のホールおよび前記第2のホールに前記金属を埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、
前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、
前記第2のホールおよび前記第1のホールに前記金属を埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、
前記第2のホールに前記金属を埋め込む工程と、
前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、
前記第1のホールに前記金属を埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記基板の表面に前記第1のホールを形成する工程と、
前記第1のホールに前記金属を埋め込む工程と、
前記基板の裏面に前記第2のホールを形成する工程と、
前記第2のホールに前記金属を埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 反応性イオンエッチングにより前記第1のホールを形成し、ウェットエッチングにより前記第2のホールを形成することを特徴とする請求項3乃至6のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009064820A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2012164792A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヴィア構造およびその作製方法 |
JP2013021073A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Fujitsu Ltd | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2013538467A (ja) * | 2010-09-17 | 2013-10-10 | テッセラ,インコーポレイテッド | チップの両側からの段階的ビア形成 |
EP2718964A2 (en) * | 2011-06-06 | 2014-04-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions having through-substrate interconnects, and methods of forming through-substrate interconnects |
US9070678B2 (en) | 2006-11-22 | 2015-06-30 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips with array |
US9099296B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-08-04 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVS formed in stages with plural active chips |
US9269692B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-02-23 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVS formed in stages and carrier above chip |
US9640437B2 (en) | 2010-07-23 | 2017-05-02 | Tessera, Inc. | Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005270310A patent/JP2007081304A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9548254B2 (en) | 2006-11-22 | 2017-01-17 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips with array |
US9070678B2 (en) | 2006-11-22 | 2015-06-30 | Tessera, Inc. | Packaged semiconductor chips with array |
JP2009064820A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4585561B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2010-11-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US9640437B2 (en) | 2010-07-23 | 2017-05-02 | Tessera, Inc. | Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream |
US10354942B2 (en) | 2010-09-17 | 2019-07-16 | Tessera, Inc. | Staged via formation from both sides of chip |
KR101855216B1 (ko) | 2010-09-17 | 2018-05-08 | 테세라, 인코포레이티드 | 칩의 양 측면들로부터의 스테이징된 비아 형성 |
JP2013538467A (ja) * | 2010-09-17 | 2013-10-10 | テッセラ,インコーポレイテッド | チップの両側からの段階的ビア形成 |
US9099296B2 (en) | 2010-12-02 | 2015-08-04 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVS formed in stages with plural active chips |
US9269692B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-02-23 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVS formed in stages and carrier above chip |
US9368476B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-06-14 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVs formed in stages with plural active chips |
US9620437B2 (en) | 2010-12-02 | 2017-04-11 | Tessera, Inc. | Stacked microelectronic assembly with TSVS formed in stages and carrier above chip |
JP2012164792A (ja) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヴィア構造およびその作製方法 |
EP2718964A4 (en) * | 2011-06-06 | 2014-11-26 | Micron Technology Inc | SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS HAVING INTERCONNECTIONS THROUGH A SUBSTRATE AND METHODS OF FORMING INTERCONNECTS THROUGH A SUBSTRATE |
EP2718964A2 (en) * | 2011-06-06 | 2014-04-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions having through-substrate interconnects, and methods of forming through-substrate interconnects |
US10121738B2 (en) | 2011-06-06 | 2018-11-06 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions |
JP2013021073A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Fujitsu Ltd | 電子デバイス及びその製造方法 |
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