JP2007081001A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、基板等に実装される電子部品において、導電体と基板の電極との間の導電性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、本体1と、この本体1の下面に設けた第1の金属からなる導電体6と、この導電体6の表面に設けた第2の金属からなる導電体7とを備え、導電体6は凹部6Aを有し、この凹部6A内には導電体7が充填されている電子部品としたものである。
【選択図】図1
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、本体1と、この本体1の下面に設けた第1の金属からなる導電体6と、この導電体6の表面に設けた第2の金属からなる導電体7とを備え、導電体6は凹部6Aを有し、この凹部6A内には導電体7が充填されている電子部品としたものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられる小型の電子部品に関するものである。
従来この種の電子部品は、図7に示すように、本体1の下面には導電体2を備えており、この導電体2に凹部2Aを設けることにより、図8に示すようにこの導電体2と、この電子部品を実装する基板3の電極(図示せず)上のクリーム半田4との間の接着面積を増やすことで密着強度を強めていた。
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2004−103943号公報
このような従来の電子部品は、導電体2と基板3の電極(図示せず)との間の導電性の悪さが問題となっていた。
即ち実装時において、クリーム半田4に含まれるフラックス成分と、導電体2表面で形成された酸化膜(図示せず)の酸素との結合によりガス5が発生する。上記従来の構成では、図8に示すようにこのガス5が導電体2の凹部2A表面においても発生しており、凹部2A表面で発生したガス5はこの凹部2Aに捕らえられ、そのまま基板3の電極(図示せず)と導電体2との間に留まってしまうために、導電体2と基板3の電極(図示せず)との間の導電性を悪くしていた。
そこで本発明は、基板等に実装される電子部品において、導電体と基板の電極(図示せず)との間の導電性を向上させることを目的とする。
そして、この目的を達成するために本発明は、本体と、この本体の下面に設けた第1の金属からなる第1の導電体と、この第1の導電体の表面に設けた第2の金属からなる第2の導電体とを備え、前記第1の導電体は凹部を有し、この凹部内には前記第2の導電体が充填されている電子部品としたものである。
本発明の電子部品は、第1の金属からなる第1の導電体が凹部を有し、この凹部内には第2の金属からなる第2の導電体が充填されている構成としたため、半田でこの電子部品を基板の電極に実装する際、フラックス成分と酸化膜との化学反応により発生するガスが、第1の導電体の凹部表面で発生するのではなく、半田と金属結合する第2の導電体の表面にて発生するため、基板の電極と第1の導電体との間に留まるガスを減少させることができ、第1の導電体と基板の電極(図示せず)との間の導電性を向上させることができると共に、第1の導電体が凹部を有するため第1の導電体と第2の導電体との密着強度を高めることができる。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における電子部品について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の実施の形態1における電子部品について図面を参照しながら説明する。
図1に示すように、本体1の下面には導電体6を設け、この導電体6には凹部6Aを設けている。そして、この導電体6の表面には、凹部6Aを充填するよう導電体7を形成している。つまり、導電体6、7で電極を形成している。
ここで、導電体6の材料としては、ニッケルやニッケル合金、パラジウムなど、他の金属と金属結合したときに相互拡散を起こさず、且つ半田喰われを起こしにくい材料を用いることが望ましい。
ここで、導電体7の形成法としては、電解めっき形成法や無電解めっき形成法を用いることができるが、バレルめっき形成法を用いればマスク等を必要とせず、導電体6の表面のみに導電体7を形成することができるため、小さい電子部品等において有効である。
そして、この導電体7の材料としては、金、銀、白金、錫、ニッケルなど酸化還元電位が−0.3V以上のものを用いることが望ましい。酸化還元電位が高いほど酸化しにくく、図2に示すクリーム半田4を用いた実装時において、クリーム半田4と金属結合するときに障害となる酸化膜の形成を防ぐことができるためである。特に金は、酸化還元電位が高い上に、硫化することもなく、他の金属とも合金を作りやすいため半田と非常に金属結合しやすい性質を持つため最も望ましい。
このような電子部品を図2に示すごとく基板3の電極(図示せず)上にクリーム半田4を用いて実装するとき、仮に導電体7の表面が極わずかでも酸化していると、クリーム半田4に含まれるフラックスと酸化膜(図示せず)の酸素とが化学反応し、ガス5を発生させるが、これらは導電体7の表面で発生するため、凹部6Aに捕らえられることがなく、クリーム半田4の外へ抜けていくことができる。
このような構成にしたため、導電体6と基板3の電極(図示せず)との間にガス5が留まる確率を大幅に低減することができるため、導電体6と基板3の電極(図示せず)との間の導電性を高くすることができる。
また、導電体6が凹部6Aを持つことにより、導電体6と導電体7との接着面積が増し、導電体6と導電体7との密着強度を高めることができる。そして、酸化還元電位が高い導電体7とクリーム半田4との金属結合により、導電体7とクリーム半田4とは高い密着性を有している。その結果として導電体6とクリーム半田4とは導電体7を介して高い密着性を有することができる。
さらに、導電体6の側面に形成する導電体7は薄い部分でも6μm以上の厚みを設けておくことが望ましい。導電体7が薄すぎると、基板3の電極(図示せず)への実装時に高温になったクリーム半田4に導電体7が喰われてしまい、導電体6の側面の一部が露出してしまうことがある。導電体6の一部が露出するとその部分から導電体6の酸化が始まり、電子部品の電気的特性を低下させたり、基板3の電極(図示せず)からの脱落を生んだりする可能性がある。従って、導電体6の側面に形成する導電体7は薄い部分でも6μm以上の厚みを設けておくことが望ましい。
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2における電子部品について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の実施の形態2における電子部品について図面を参照しながら説明する。
図3に示すように、本体1の下面には導電体8を設け、この導電体8には凹部8Aを設けている。そして、この導電体8の表面には導電体9を形成しており、この導電体9の表面には、凹部8Aを導電体9を介して充填するように導電体7を形成している。つまり、導電体8、9、7で電極を形成している。
ここで、導電体7の形成法としては、電解めっき形成法や無電解めっき形成法を用いることもできるが、バレルめっき形成法を用いればマスク等を必要とせず、導電体9の表面のみに導電体7を形成することができるため、小さい電子部品等において有効である。
そして、この導電体7の材料としては、金、銀、白金、錫、ニッケルなど酸化還元電位が−0.3V以上のものを用いることが望ましい。酸化還元電位が高いほど酸化しにくく、図4に示すクリーム半田4を用いた実装時において、クリーム半田4と金属結合するときに障害となる酸化膜の形成を防ぐことができるためである。特に金は、酸化還元電位が高い上に、硫化することもなく、他の金属とも合金を作りやすい性質を持つため、半田と金属結合しやすく特に望ましい。
また、導電体8の材料としては金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムなどの体積抵抗率が110×10-3μΩ・m以下の材料を用いると導電性を高くすることができるため望ましい。
そして、導電体9の材料としては、ニッケルやニッケル合金、パラジウムなど、他の金属と金属結合したときに相互拡散を起こさず、且つ半田喰われを起こしにくい材料を用いることが望ましい。このような導電体9を設けておくことにより、導電体8に半田喰われの起こる材料を用いることを可能にしており、さらに、導電体8と導電体7との相互拡散を防ぐことができるため、導電体8に酸化が起こりやすい銅などを用いたとしても、その酸化しやすい金属が導電体7の表面に出てくることが無い。その結果、導電体7とクリーム半田4との金属結合による密着性を確保するとともに、その酸化しやすい金属の酸化膜とフラックス成分との反応により生ずるガス5の発生を防ぐという効果を有する。
このような電子部品を図4に示すごとく基板3の電極(図示せず)上にクリーム半田4を用いて実装するとき、仮に導電体7の表面が極わずかでも酸化していると、クリーム半田4に含まれるフラックスと酸化膜(図示せず)の酸素とが化学反応し、ガス5を発生させるが、これらは導電体7の表面で発生するため、凹部8A、9Aに捕らえられることがなく、クリーム半田4の外へ抜けていくことができる。
このような構成にしたため、導電体8と基板3の電極(図示せず)との間にガス5が留まらせる確率を大幅に低減することができるため、導電体8と基板3の電極(図示せず)との間の導電性を高くすることができる。
また、導電体8が凹部8Aを持つことにより、導電体8と導電体9との接着面積が増し、導電体8と導電体9との密着強度を高めることができる。そして、この凹部8Aに沿った形状の導電体9の表面には、この導電体9を介して凹部8Aを充填するように導電体7を形成しているため、導電体9と導電体7との接着面積が増し、導電体9と導電体7との密着強度を高めることができる。さらに、酸化還元電位の高い導電体7とクリーム半田4との金属結合により、導電体7とクリーム半田4とは高い密着強度を有している。その結果として導電体8とクリーム半田4との間の高い密着性を実現している。
さらに、導電体9の側面に形成する導電体7は薄い部分でも6μm以上の厚みを設けておくことが望ましい。導電体7が薄すぎると、基板3の電極(図示せず)への実装時に高温になったクリーム半田4に導電体7が喰われてしまい、導電体9の側面の一部が露出してしまうことがある。導電体9の一部が露出するとその部分から導電体9の酸化が始まり、電子部品の電気的特性を低下させたり、基板3からの脱落を生んだりする可能性がある。従って、導電体9の側面に形成する導電体7は薄い部分でも6μm以上の厚みを設けておくことが望ましい。
なお、図5、図6に示すように、導電体9が導電体8の凹部8Aを充填するような構成としても、導電体8と基板3の電極(図示せず)との間にガス5を留まらせる確率を大幅に低減し、導電性を高めることは可能である。また、導電体8が凹部8Aを有することにより、導電体8と導電体9との接着面積が増し、導電体8と導電体9との密着性を高めることができる。さらに、酸化還元電位の高い導電体7とクリーム半田4との金属結合により、導電体7とクリーム半田4とは高い密着強度を有している。
ただし、導電体9と導電体7との密着性に関しては、図3のように、導電体9を導電体8の凹部8Aに沿った形状に構成し、導電体7が導電体9を介して凹部8Aを充填する構成とした方が接着面積を高めることができる分、導電体7と導電体9との間の密着強度を高くすることができるため望ましい。
本発明の電子部品は、基板の電極と第1の導電体との間に留まる半田を減少させることができ、第1の導電体と基板の電極との間の導電性を向上させることができると共に、第1の導電体が凹部を有するため第1の導電体と基板の電極との間の密着強度を高めることができるという効果を有し、各種電気機器において有用である。
1 本体
6 導電体
6A 凹部
7 導電体
6 導電体
6A 凹部
7 導電体
Claims (19)
- 本体と、この本体の下面に設けた第1の金属からなる第1の導電体と、この第1の導電体の表面に設けた第2の金属からなる第2の導電体とを備え、前記第1の導電体は凹部を有し、この凹部内には前記第2の導電体が充填されている電子部品。
- 第1の金属がニッケル、ニッケル合金、パラジウムの内の少なくとも1つからなる請求項1に記載の電子部品。
- 第2の金属の酸化還元電位が−0.3V以上である請求項1に記載の電子部品。
- 第2の金属が金である請求項1に記載の電子部品。
- 第1の導電体の側面に設けた第2の導電体の厚みが少なくとも6μm以上である請求項1に記載の電子部品。
- 本体と、この本体の下面に設けた第1の金属からなる第1の導電体と、この第1の導電体の表面に設けた第2の金属からなる第2の導電体と、この第2の導電体の表面に設けた第3の金属からなる第3の導電体とを備え、前記第1の導電体は凹部を有し、この凹部内には前記第2の導電体を介して前記第3の導電体が充填されている電子部品。
- 第1の金属の体積抵抗率が110×10-3μΩ・m以下である請求項6に記載の電子部品。
- 第1の金属が金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムの内の少なくとも1つからなる請求項6に記載の電子部品。
- 第2の金属がニッケル、ニッケル合金、パラジウムの内の少なくとも1つからなる請求項6に記載の電子部品。
- 第3の金属の酸化還元電位が−0.3V以上である請求項6に記載の電子部品。
- 第3の金属が金である請求項6に記載の電子部品。
- 第2の導電体の側面に設けた第3の導電体の厚みが少なくとも6μm以上である請求項6に記載の電子部品。
- 本体と、この本体の下面に設けた第1の金属からなる第1の導電体と、この第1の導電体の表面に設けた第2の金属からなる第2の導電体と、この第2の導電体の表面に設けた第3の金属からなる第3の導電体とを備え、前記第1の導電体は凹部を有し、この凹部内には前記第2の導電体が充填されている電子部品。
- 第1の金属の体積抵抗率が110×10-3μΩ・m以下である請求項13に記載の電子部品。
- 第1の金属が金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムの内の少なくとも1つからなる請求項13に記載の電子部品。
- 第2の金属がニッケル、ニッケル合金、パラジウムの内の少なくとも1つからなる請求項13に記載の電子部品。
- 第3の金属の酸化還元電位が−0.3V以上である請求項13に記載の電子部品。
- 第3の金属が金である請求項13に記載の電子部品。
- 第2の導電体の側面に設けた第3の導電体の厚みが少なくとも6μm以上である請求項13に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005264949A JP2007081001A (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005264949A JP2007081001A (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 電子部品 |
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JP2007081001A true JP2007081001A (ja) | 2007-03-29 |
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ID=37941004
Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288562A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-09-13 JP JP2005264949A patent/JP2007081001A/ja active Pending
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JP2008288562A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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