JP2007073327A - 酸化物超電導導体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Moを含まないNi−Cr合金からなり、その表面が電解研磨または化学研磨された金属基材上にイオンビームアシスト法によって多結晶中間薄膜が設けられ、該多結晶中間薄膜上に酸化物超電導体薄膜が設けられてなることを特徴とする酸化物超電導導体。
【選択図】 図1
Description
特許文献2には、表面粗さRmaxが0.05μm以下に平滑化された長尺板状基材上に安定化ジルコニア等の材料をRFスパッタ法等により蒸着して形成された中間層が設けられ、該中間層上にレーザ蒸着法等により酸化物超電導層が形成された構成となっている。
特許文献3には、インコネル600板とセラミックス超電導体層との間に銀及びマグネシアを含む混合物からなる中間層を介在させたセラミックス超電導複合体が開示されている。
特許文献4には、ニッケル合金母材の1回の圧延での加工度を20%以下とし、圧延工程の前にニッケル合金母材を1000〜1050℃で焼き鈍し、さらにニッケル合金母材のトータルの加工度を60%以下とする超電導テープ導体用基材の製造方法が開示されている。
このハステロイC276のようにMoの量が多いNi基合金は熱処理が難しく、熱処理によってMoに富む化合物が析出してしまうことが多い(応用金属学大系6 128〜145頁)。さらに、その析出物近傍は、Moが欠乏してしまう組成変化を生じる。Moに富む化合物は貴であり、析出物近傍のMoが欠乏した基質部は卑である。そのため電解研磨のような、酸性溶液中で金属を溶解させ、平滑化させる方法を用いると、貴である部位と卑である部位における溶出の速度が異なり、平滑化できず、成膜用の基板として良好な成膜表面を得ることができない。
その結果、比較例(ハステロイ製金属基材)の表面はMoに富む貴な析出物が基材表面に凸部として多く現れ、電解研磨前の平均表面粗さRaが9.9〜16.8nmの範囲、電解研磨後の平均表面粗さRaが3.4〜45nmであり、電解研磨後の方が粗くなる部位もあった。
一方、実施例(インコネル600製金属基材)は、電解研磨前の平均表面粗さRaが9.3〜15.8nmの範囲、電解研磨後の平均表面粗さRaが1.2〜3.5nmであり、電解研磨によって極めて平滑な表面を形成することができた。
その結果、比較例(ハステロイ製金属基材)で製造した酸化物超電導導体の臨界電流密度は1.4MA/cm2であり、実施例(インコネル600製金属基材)で製造した酸化物超電導導体の臨界電流密度は1.8MA/cm2であった。従って、本発明によれば、金属基材の改良により、得られる酸化物超電導導体の臨界電流密度を向上し得ることが実証された。
Claims (2)
- Moを含まないNi−Cr合金からなり、その表面が電解研磨または化学研磨された金属基材上にイオンビームアシスト法によって多結晶中間薄膜が設けられ、該多結晶中間薄膜上に酸化物超電導体薄膜が設けられてなることを特徴とする酸化物超電導導体。
- 金属基材の平均表面粗さRa(JIS B0601)が9nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005258927A JP4741326B2 (ja) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | 酸化物超電導導体およびその製造方法 |
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JP2007073327A true JP2007073327A (ja) | 2007-03-22 |
JP4741326B2 JP4741326B2 (ja) | 2011-08-03 |
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JP2005258927A Expired - Fee Related JP4741326B2 (ja) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | 酸化物超電導導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4741326B2 (ja) |
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