JP2007073316A - 有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
有機el表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007073316A JP2007073316A JP2005258481A JP2005258481A JP2007073316A JP 2007073316 A JP2007073316 A JP 2007073316A JP 2005258481 A JP2005258481 A JP 2005258481A JP 2005258481 A JP2005258481 A JP 2005258481A JP 2007073316 A JP2007073316 A JP 2007073316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting portion
- light
- organic
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】インクジェット方式で発光層を形成する場合において、発光層の成形不良による製品不良を低減することができる有機EL表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板10上に配置された画素20に対応する位置にインクジェットヘッドのノズル36から発光材料を溶媒Kに溶解した発光層形成材料Mを吐出して各画素20に発光層34を形成する有機EL表示装置の製造方法において、発光層34を形成した画素20から成形不良発光部20aを検出し、前記検出した成形不良発光部20aに発光材料を溶解した溶媒Kを吐出して成形不良の発光層34を溶解し、その後、インクジェットヘッドのノズル36から前記発光層形成材料Mを再吐出して前記成形不良発光部20aに発光層34を再形成する。
【選択図】 図2
【解決手段】アレイ基板10上に配置された画素20に対応する位置にインクジェットヘッドのノズル36から発光材料を溶媒Kに溶解した発光層形成材料Mを吐出して各画素20に発光層34を形成する有機EL表示装置の製造方法において、発光層34を形成した画素20から成形不良発光部20aを検出し、前記検出した成形不良発光部20aに発光材料を溶解した溶媒Kを吐出して成形不良の発光層34を溶解し、その後、インクジェットヘッドのノズル36から前記発光層形成材料Mを再吐出して前記成形不良発光部20aに発光層34を再形成する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、有機EL表示装置の製造方法に関するものである。
近年、インクジェット方式による塗工方法が発達したことにより有機EL表示装置における発光層の形成に用いられている。
このような方式は、インクジェットヘッドのノズルを基板に対して相対的に移動させながら、ノズルから基板上に格子状に設けられた画素に向けて発光材料と溶媒とを含む発光層形成材料を断続的に吐出することにより各画素に発光層を形成するものである(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記のようなインクジェット方式で発光層を形成する場合、発光層形成材料を所定位置に所定量を吐出できないことに起因する発光層の成形不良が発生すると、有機EL表示装置の輝度分布ムラの原因となる。特に、発光材料の吐出位置及び吐出量は、基板上の全ての画素にわたって高精度に再現性良く制御しなければならないため、上記したような輝度分布ムラによる製品不良が発生し易く、製造歩留まりが悪化する問題がある。
特開2003−109754号公報
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、発光層の成形不良による製品不良の発生を低減することができる有機EL表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の有機EL表示装置の製造方法は、アレイ基板上に配置された画素に対応する位置に発光部を配置する有機EL表示装置の製造方法において、前記画素に対応して発光部形成材料を選択塗布法により塗布する工程と、前記発光部のうち成形不良発光部を検出する工程と、前記検出した成形不良発光部に対し、前記発光部形成材料を再塗布して前記発光部を再形成する工程と、を含むことを特徴とする。
以上のように、本発明によれば、製造歩留まりを飛躍的に改善することができる。
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態において製造対象とする有機EL表示装置に用いられるアレイ基板10の一画素分の縦断面図であり、図2は同アレイ基板10の画素20に発光部30を形成する方法を示したアレイ基板10の要部拡大縦断面図である。
有機EL表示装置はアレイ基板10を備え、このアレイ基板10上の画像を表示する表示エリアには格子状に配置された赤、緑、青にそれぞれ発光する3種類の画素20を備えている。
具体的には、アレイ基板10は、ガラス基板から構成された支持基板12と、走査線と、走査線に直交するように配置された信号線と、走査線と信号線との交点付近に配置されたスイッチング素子である画素TFTと前記画素TFTを介して前記信号線と接続する駆動トランジスタ14、この駆動トランジスタ14に接続された画素20を有している。
ここで、画素TFTおよび駆動トランジスタ14は、pチャネル型薄膜トランジスタで形成され、支持基板12上に形成されたポリシリコン半導体層Pと、このポリシリコン半導体層Pと第1絶縁層16を介して配置されたゲート電極Gと、第1絶縁層16と第2絶縁層18を介してポリシリコン半導体層Pのソース領域にコンタクトしたソース電極Sと、第1絶縁層16と第2絶縁層18を介してポリシリコン半導体層Pのドレイン領域とコンタクトしたドレイン電極Dを備える。また、画素TFTのソース電極Sには信号線が接続され、ゲート電極Gには走査線が接続されている。画素TFTのドレイン電極Dは、駆動トランジスタ14のゲート電極Gと接続する。また、駆動トランジスタ14のソース電極Sは第1電源端子、ドレイン電極Dは画素20を介して第2電源端子に接続する。
画素20は、第2絶縁層18の上に配置された第3絶縁層22の上に配置され、一対の電極と、この電極間に挟持される発光層を少なくとも備えている。
より詳細には、画素20の下部電極(ここでは陽極)26が第3絶縁層22の上層に形成され、第3絶縁層22に設けられているコンタクトホール28によって駆動トランジスタ14のドレイン電極Dと接続されている。下部電極26は、光透過性導電材料であるITO(Indium Tin Oxid)で形成されている。この下部電極26の上層には、紫外線でマスク露光することで形成されたアクリル樹脂よりなる隔壁24が形成され、これにより、横方向に隣接する画素20を分離して区画している。
隔壁24の開口位置に対応する画素20の下面に位置する下部電極26の上には、発光部30が積層される。この発光部30は、下部電極26に対向配置された上部電極(陰極)29との間に形成されるものであり、RGB各色共通に形成される正孔輸送層32及びその上層において各色毎に形成される発光層34の二層構造で構成される。なお、本実施形態では発光部30を正孔輸送層32と発光層34の二層構造としているが、発光層34の上層に電子輸送層を形成した三層構造の発光部であってもよい。
上記のような発光部30を形成するためには、選択塗布法の一つであるインクジェット法を用いる。まず、正孔輸送層32を形成する正孔輸送層形成材料をインクジェットヘッドのノズルより隔壁24で分離区画された画素20に向けて吐出し、正孔輸送層形成材料の溶媒を蒸発させることで下部電極26上に正孔輸送層32を形成する。正孔輸送層形成材料としては、ポリチオフェン誘導体、芳香族アミン誘導体あるいはポリアニリン誘導体等を適宜の溶媒に溶解したものである。
次いで、図2(a)に示すように、正孔輸送層32が形成された画素20に向けて発光層34を形成する発光層形成材料Mをインクジェットヘッドのノズル36より吐出し、発光層形成材料Mの溶媒を蒸発させることで正孔輸送層32上に発光層34を形成する。発光層形成材料MはPPV(ポリフェニレンビニレン)やポリフルオレン誘導体又はその前駆体などの発光材料をキシレン、トルエン、アニソール、テトラリンなどの溶媒に溶解したものである。なお、発光層形成材料Mの吐出による発光層34の形成は、赤、緑、青の各発光色を発光する発光層形成材料を、それぞれ対応する画素に吐出することによって行う。
次いで、発光層34を形成した画素20から、発光層形成材料Mが吐出されていない画素や規格外の膜厚の発光層34が形成されている画素、あるいは、図2(b)に示すような発光層34が画素20に対応した所定の位置からズレて形成されている画素などの成形不良発光部20aを検出する。
成形不良発光部20aの検出方法は、弱い白色光を発光層に照射し、その反射強度を測定し、それらの反射強度を基にしたパターン認識、あるいは弱いブラックライトなどの励起光を発光層34に照射し、そのPL(フォトルミネッセンス)発光強度を基にしたパターン認識によって上記のような成形不良発光部20aを検出することができる。具体的には、同軸落射照明ユニットを備えるカメラによって成形不良発光部20aを検出する。このカメラは40MHzでタップスキャンすることができ、光学系の分解能5μm、強度分解能4096bitの分解能を備えており、ピクセルサイズ7×7μmをパターン認識上1画素として認識する。これにより得られたアレイ基板10上の各画素20ごとの反射光強度あるいはPL発光強度に関するデータを各画素20の位置データと対応づけて測定パターンとして取得し、該測定パターンを設計値に基づく正規パターンと比較することで、各画素20が成形不良発光部20aであるか否かを検出することができる。
なお、成形不良発光部20aの検出は、発光層34からの反射強度あるいはPL発光強度を正確に測定するため、各画素20に吐出された発光層形成材料M中の溶媒が蒸発して少なくとも表面が乾燥している状態で行うことが好ましく、少なくとも20秒経過後であることが好ましい。また、製造サイクルタイムを短縮するため、発光層形成材料Mの吐出工程と、発光層34を形成した画素20から成形不良発光部20aの検出工程を、1つのアレイ基板10において同時進行させてもよく、このような場合においても、発光層形成材料Mを吐出してから少なくとも20秒経過した画素20を対象に成形不良発光部20aの検出を行うことが好ましい。
そして、図2(c)に示すように検出された成形不良発光部20aに対してインクジェットヘッドのノズル36よりキシレンなどの発光材料を溶解した溶媒Kを30pl吐出して成形不良の発光層34を溶解し(図2(d)参照)、次いで、図2(e)に示すように、溶媒Kが蒸発する前に、必要量の発光層形成材料Mをインクジェットヘッドのノズル36より再吐出し補充する。
補充する発光層形成材料Mの量は、成形不良発光部20aを検出する際に測定した反射光強度あるいはPL発光強度に基づき、予め作成しておいた発光層34の膜厚と反射光強度あるいはPL発光強度との相関関係を示す構成曲線から、先に形成した発光層34の膜厚を算出し、算出した発光層34の膜厚から不足する発光層形成材料Mを算出することで決定される。
なお、発光層形成材料Mを再吐出するノズル36は、先に発光層形成材料Mを不良吐出したノズル、すなわち、成形不良の発光層34を形成したノズルと異なるノズルであることが好ましく、これにより吐出不良を再発する可能性を抑えることができる。
次いで、発光材料を溶解した溶媒Kを蒸発させることにより、図2(f)に示すような、正孔輸送層32上に膜厚均一性及び平坦性の高い固形の発光層34が形成された発光部30を得ることができ、成形不良発光部20aを修復することができる。
尚、発光層34の成形不良を例にとり説明したが、発光部の他の層の成形不良に対して上記方法を適用してもよい。
次いでアレイ基板10の表面に上部電極29を形成し、図1に示すようなアレイ基板10が得られ、これに不図示の封止部材などを取り付けることで有機EL表示装置が得られる。
このように、発光層34を形成した画素20から成形不良発光部20aを検出し、検出した成形不良発光部20aに発光層形成材料Mを必要量再吐出するので、位置ズレあるいは規格外の膜厚などの成形不良の発光層34の修復や、発光層形成材料Mが吐出されていない画素20の修復を行うことができ、そのため、発光層34の成形不良による製品不良を低減して、製造歩留まりを飛躍的に改善することができる。
また、発光層形成材料Mを再吐出する前に、発光層形成材料Mの溶媒Kなどの発光層34を溶解することができる溶剤を成形不良発光部20aに吐出することにより、画素20に対応する所定位置からずれた位置に発光層形成材料Mが吐出されたために発光層34の成形不良が生じた場合であっても、画素20内に膜厚均一性及び平坦性の高い発光層を形成することができる。
本発明は、発光層の成形不良による製品不良を低減することができる有機EL表示装置の製造方法として有用である。
10…アレイ基板
20…画素
20a…成形不良発光部
24…隔壁
30…発光部
32…正孔輸送層
34…発光層
36…ノズル
M…発光層形成材
K…溶媒
20…画素
20a…成形不良発光部
24…隔壁
30…発光部
32…正孔輸送層
34…発光層
36…ノズル
M…発光層形成材
K…溶媒
Claims (9)
- アレイ基板上に配置された画素に対応する位置に発光部を配置する有機EL表示装置の製造方法において、
前記画素に対応して発光部形成材料を選択塗布法により塗布する工程と、
前記発光部のうち成形不良発光部を検出する工程と、
前記検出した成形不良発光部に対し、前記発光部形成材料を再塗布して前記発光部を再形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記成形不良発光部に前記発光部形成材料を再吐出する前に、発光部を溶解することができる溶剤を該成形不良発光部に吐出することを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記溶剤が、前記発光部形成材料を溶解した溶媒であることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記溶剤が、キシレン、トルエン、アニソール、テトラリンのうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項2又は3に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記成形不良発光部を検出する工程は、前記発光部形成材料を選択塗布法により塗布する工程にて前記発光部形成材料を吐出してから少なくとも20秒経過後に、前記発光部を形成した画素から成形不良画素を検出することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記発光部形成材料を再形成する工程は、選択塗布法により行うことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記選択塗布法は、インクジェットヘッドのノズルから発光部形成材料を吐出するインクジェット法であることを特徴とする請求項1および6に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記発光部を再形成する工程の前記インクジェットヘッドのノズルが、該成形不良発光部に前記発光部形成材料を塗布する工程にて用いたノズルと異なるノズルであることを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記成形不良発光部を検出する工程は、各画素に対応して塗布された前記発光部に光を照射し、これによる各画素ごとの反射光強度あるいはPL発光強度に基づくパターンと正規のパターンとを比較するパターン認識によって、該画素が成形不良発光部であるか否かを検出することを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258481A JP2007073316A (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 有機el表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258481A JP2007073316A (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 有機el表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073316A true JP2007073316A (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=37934607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005258481A Pending JP2007073316A (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 有機el表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007073316A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4664446B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2011-04-06 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
JP2022186612A (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-15 | 功憲 末次 | 商品・サービス利用シミュレーションシステム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001291583A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Seiko Epson Corp | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
JP2003142261A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Tdk Corp | 有機el表示素子の製造方法および有機el表示素子 |
JP2004055520A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレー製造装置、及び、ディスプレー製造方法 |
JP2004119243A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子の欠陥除去方法 |
JP2004358353A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出装置、液滴吐出方法、薄膜形成方法、及び電気光学装置 |
JP2005118752A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法及び液滴吐出装置 |
JP2006278127A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法、el装置の製造方法、el装置、電子機器 |
-
2005
- 2005-09-06 JP JP2005258481A patent/JP2007073316A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001291583A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Seiko Epson Corp | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
JP2003142261A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Tdk Corp | 有機el表示素子の製造方法および有機el表示素子 |
JP2004055520A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレー製造装置、及び、ディスプレー製造方法 |
JP2004119243A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子の欠陥除去方法 |
JP2004358353A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出装置、液滴吐出方法、薄膜形成方法、及び電気光学装置 |
JP2005118752A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法及び液滴吐出装置 |
JP2006278127A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法、el装置の製造方法、el装置、電子機器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4664446B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2011-04-06 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
US9111886B2 (en) | 2009-02-10 | 2015-08-18 | Joled Inc. | Method of repairing a defect of an organic EL display |
JP2022186612A (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-15 | 功憲 末次 | 商品・サービス利用シミュレーションシステム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI453791B (zh) | 裝置、膜形成方法及裝置的製造方法 | |
JP2007095606A (ja) | 有機el装置、その製造方法、及び電子機器 | |
JP4239890B2 (ja) | 有機el装置、電子機器 | |
US11024679B2 (en) | Color filter substrate having a filter layer disposed on quantum dot layer | |
CN102738415B (zh) | 有机电致发光显示器的制造方法 | |
JP2007213999A (ja) | 有機el装置の製造方法及び有機el装置 | |
JP2006038987A (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器 | |
JP2007044582A (ja) | 表面処理方法、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 | |
JP5690333B2 (ja) | 有機el表示装置の検査方法 | |
JP4466115B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 | |
US20170271419A1 (en) | Polymer light-emitting diode structure, related display substrate and display apparatus, and fabrication method thereof | |
JP2011134489A (ja) | 有機elディスプレイ基板の点灯検査設備及び点灯検査方法、有機elディスプレイ基板の欠陥検査修正装置及び欠陥検査修正方法並びに有機elディスプレイ製造システム及び製造方法。 | |
JP2020042955A (ja) | 表示パネル、表示パネルの検査方法、及び表示パネルの製造方法 | |
JP2007073316A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
JP2005158584A (ja) | パターン形成方法及び表示装置の製造方法 | |
JP2012099328A (ja) | 有機elディスプレイの製造方法 | |
JP2003317960A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 | |
JP2006222195A (ja) | 有機el装置、その製造方法、及び電子機器 | |
JP2007066561A (ja) | 表示装置の製造装置及び製造方法 | |
JP2004200158A (ja) | 有機el装置製造用基板、有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP4995361B1 (ja) | 有機elパネルおよびその製造方法 | |
JP5045581B2 (ja) | 発光装置の検査方法 | |
JP4957318B2 (ja) | 有機el装置の製造方法 | |
JP2015220219A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2014086236A (ja) | 発光装置、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110920 |