JP2007072455A

JP2007072455A - 表示装置

Info

Publication number: JP2007072455A
Application number: JP2006219873A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Hajime Kimura; 肇木村; Atsushi Umezaki; 敦司梅崎; Yasunori Yoshida; 泰則吉田; Hideaki Shishido; 英明宍戸; Takuya Kimijima; 卓也君嶋; Yasuyuki Arai; 康行荒井
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-08-12
Filing date: 2006-08-11
Publication date: 2007-03-22

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子などの表示素子は、発光によって劣化が進み、表示素子に同じ電圧を印加しても発光輝度が低下する。よって、経時的に使用することにより、画素毎に発光のバラツキが生じるため、いわゆる「焼き付き」現象が生じてしまう。そこで、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、画素の表示素子の発光のバラツキを低減する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】特定の画素のみ累積点灯時間が長くならないようにする。そのため、表示パターンの階調を変化させ、画素毎の表示素子の劣化の差が大きくならないようにする。または、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする。または、画素毎の累積点灯時間が等しくなるように、劣化の遅れている画素を劣化させる。
【選択図】図１

Description

本発明は表示装置及びその表示方法に関し、特に、複数の画素がマトリクスに配置されたアクティブマトリクス型表示装置における画素の劣化により生じる焼き付き現象を低減する技術に関する。

液晶などの表示素子で形成した表示装置である液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が広く普及している。しかし、近年、画素に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの表示素子を備える、いわゆる自発光型の表示装置、つまり、発光装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる表示素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。ＯＬＥＤなどの表示素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べて画素の視認性が高く、バックライトが不要で応答速度が速い等の利点がある。

ところで、有機ＥＬ素子などの表示素子は、発光によって劣化が進むと、表示素子に同じ電圧を印加しても発光輝度が低下する。よって、経時的に使用することにより、画素毎に発光のバラツキが生じるため、いわゆる「焼き付き」現象が生じてしまう。

そこで本発明は、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、画素毎の表示素子の発光のバラツキを低減する表示装置を提供することを課題とする。また、その表示方法を提供することを課題とする。

そこで、特定の画素のみ累積点灯時間が長くならないようにする。そのため、表示パターンの階調を変化させ、画素毎の表示素子の劣化の差が大きくならないようにする。または、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする。または、画素毎の累積点灯時間が等しくなるように、劣化の遅れている画素を劣化させる。

まず、表示パターンの階調を変化させ、画素毎の劣化の差が大きくならないようにする具体的構成を以下に示す。

本発明の表示装置は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードとのモード切り替え可能な画像処理回路と、前記画像処理回路の切り替えを制御する制御回路と、を有する。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、周囲の明るさによりモードを切り替える。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、日毎にモードを切り替える。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、時間毎にモードを切り替える。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電池の残量でモードを切り替える。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、一定期間操作しないとモードを切り替える。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電源投入の度にモードを切り替える。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、前記制御回路は、電子メールの受信と送信とでモードを切り替える。

また、本発明の表示装置は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードとのモード切り替え可能な画像処理回路と、前記画像処理回路の切り替えを制御する制御回路と、を有する。

本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を周囲の明るさにより切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を日毎に切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を時間毎に切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電池の残量で切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を一定期間操作しないと切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電源投入の度に切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字を白表示とし、文字の背景を黒表示とする白文字モードと、を電子メールの受信と送信とで切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を日毎に切り替えることを特徴とする表示方法。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を時間毎に切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を一定期間操作しないと切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を電源投入の度に切り替える。

また、本発明の表示方法は、文字を黒表示とし、文字の背景を白表示とする黒文字モードと、文字の芯を白表示とし、文字の芯周辺を囲むように縁を黒表示とし、文字の芯及び文字の芯の縁の背景を白表示とする黒縁白抜きモードと、を電子メールの受信と送信とで切り替える。

また、特定の表示パターンを特定の領域で固定表示しないようにする本発明の具体的構成を以下に示す。

また、本発明の表示装置は、文字の書体を変更する画像処理が可能な画像処理回路と、該画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎に文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎に文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないと文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度に文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電子メールの受信と送信とで文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示装置は、文字をシフトさせる画像処理が可能な画像処理回路と、該画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないと文字をシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、文字を入力する度に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一行分の文字を入力する度に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該文字を構成する矩形型の画素のブロックの横方向の長さをａ、縦方向の長さをｂとし、該シフトさせる移動範囲の横方向をｘ、縦方向をｙとすると、移動範囲の横方向ｘ及び縦方向ｙは、それぞれａ＜ｘ≦３ａ及びｂ＜ｘ≦３ｂである。

また、本発明の表示装置は、アイコンをシフトする画像処理が可能な画像処理回路と、該画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎にアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎にアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないとアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度にアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、アイコンの累積表示時間及びアイコンの表示されない画素累積点灯時間をカウントするカウンタと、該カウンタによりカウントされたデータを記憶する記憶回路部と、該記憶回路部に記憶されたデータを用いて、該アイコン部の画素の輝度と該アイコンの表示されない画素との輝度を等しくなるように画像信号を補正する補正回路とを有する。

また、本発明の表示装置は、ピクトをシフトさせる画像処理が可能な画像処理回路と、該画像処理回路の動作を制御する制御回路と、を有する。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、日毎にピクトをシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、時間毎にピクトをシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、一定期間操作しないとピクトをシフトさせる。

また、本発明の表示装置は、上記構成において、該制御回路は、電源投入の度にピクトをシフトさせる。

本発明の表示方法は、日毎に文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示方法は、時間毎に文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないと文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示方法は、電源投入の度に文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示方法は、電子メールの受信と送信とで文字の書体を変更させる。

また、本発明の表示方法は、日毎に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、時間毎に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないと文字をシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、電源投入の度に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、文字を入力する度に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、一行分の文字を入力する度に文字をシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、上記構成において、該文字のブロックの横方向の長さをａ、縦方向の長さをｂとし、該シフトさせる移動範囲の横方向をｘ、縦方向をｙとすると、移動範囲の横方向ｘ及び縦方向ｙは、それぞれａ＜ｘ≦３ａ及びｂ＜ｘ≦３ｂである。

また、本発明の表示方法は、日毎にアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、時間毎にアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないとアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、電源投入の度にアイコンをシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、日毎にピクトをシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、時間毎にピクトをシフトさせる。

また、本発明の表示方法は、一定期間操作しないとピクトをシフトさせる。

なお、明細書に示すピクト（ピクトグラムともいう）とは図形、絵、文字等の予め定められたパターンをいい、ピクト表示領域とは、そのパターンの表示に寄与する画素が配置された領域をいう。

なお、本発明に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、動作しやすいからである。

なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型かＮチャネル型かのどちらかのスイッチが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合は、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配線を少なくすることが出来る。

なお、本発明において接続されているとは、電気的に接続されていることと同義である。したがって、間に別の素子やスイッチなどが配置されていてもよい。

なお、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子を有したりすることが出来る。例えば、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置としては、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒＤｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある。

なお、本発明において、適用可能なトランジスタの種類に限定はなく、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。また、トランジスタが配置されている基板の種類に限定はなく、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、プラスチック基板などに配置することが出来る。

なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトランジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、回路の全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、回路の一部が、ある基板に形成されており、回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、回路の一部は、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、回路の別の一部は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。

なお、本発明においては、一画素とは画像の最小単位を示すものとする。よって、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるフルカラー表示装置の場合には、一画素とはＲの色要素のドットとＧの色要素のドットとＢの色要素のドットとから構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上の数を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。また、ＲＧＢに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以上追加したものでもよい。また、例えばＲＧＢの中の少なくとも一色について、類似した色を追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも青色であるが、少し周波数が異なっている。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができたり、消費電力を低減したりすることが出来る。なお、一画素に、ある色の色要素のドットが複数あってもよい。そのとき、その複数の色要素は、各々、表示に寄与する領域の大きさが異なっていても良い。また、複数ある、ある色の色要素のドットを各々制御することによって、階調を表現してもよい。これを、面積階調方式と呼ぶ。あるいは、複数ある、ある色の色要素のドットを用いて、各々のドットに供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。

なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでいる。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向において、直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含んでいる。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置されている場合や、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。また、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、消費電力を低下させたり、表示素子の寿命を延ばしたりすることが出来る。

トランジスタとは、それぞれ、ゲート電極と、ドレイン領域と、ソース領域とを含む少なくとも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル形成領域を有する。ここで、ソース領域とドレイン領域とは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソース領域またはドレイン領域であるかを限定することが困難である。そこで、本形態においては、ソース領域及びドレイン領域として機能する領域を、それぞれ第１端子、第２端子と表記する。

なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般でもよい。

また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のことを言う。なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させる周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また、ワイヤボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆるチップオングラス（ＣＯＧ）を含んでいても良い。さらに、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられたもの（ＩＣや抵抗素子や容量素子やインダクタやトランジスタなど）も含んでもよい。さらに、偏光板や位相差板などの光学シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニット（導光板やプリズムシートや拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など）を含んでいても良い）を含んでいても良い。

また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用いる素子などの自発光型の表示素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。

本発明は、画素毎の表示素子の発光のバラツキを低減し、いわゆる「焼き付き」現象を低減することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

本発明の表示装置の主要な構成のブロック図を図３６に示す。

本発明の表示装置は、画像処理回路３６０１と、制御回路３６０２と、コントローラ３６０３と、表示パネル３６０４とを有する。

画像処理回路３６０１及び制御回路３６０２には、画像信号が入力される。そして、制御回路３６０２は画像処理回路３６０１の動作を制御する。そして、画像処理回路３６０１は、制御回路３６０２に従って、入力された画像信号を画像処理を施した信号へ変換する。

そして、画像処理回路３６０１から出力された信号がコントローラ３６０３に入力され、コントローラ３６０３から表示パネル３６０４に信号が入力される。

ここで、画像処理回路３６０１で画像処理が行われることにより、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくする処理を行うことができる。

以下の実施の形態において、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくするための表示方法、すなわち、画像処理回路３６０１によって画像処理を行うことにより実現する表示方法について説明する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、条件を設定し、その条件を満たしたら表示画像の階調を反転させる。つまり、表示画像の明暗を反転させる。そして、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることで画素毎の輝度のバラツキを低減する。

例えば、６４階調の表示の表示装置において、階調反転させる場合には、階調反転前の点灯が階調０、階調１、階調２、階調３、・・・階調６２、階調６３の画素は、反転後はそれぞれ階調６３、階調６２、階調６１、階調６０、・・・階調１、階調０の点灯にする。つまり、階調数Ｎの表示の表示装置において、階調反転前の階調を階調Ｘとし、階調反転後の階調を階調Ｙとすると、Ｙ＝Ｎ−Ｘを満たす。

また、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）を表示する場合においては、文字を白表示とする白文字モードと文字を黒表示とする黒文字モードとを設定された条件を満たす毎に切り替える。図２（Ａ）には「あ」という文字の黒文字モードの例を示している。そして、図２（Ｂ）には「あ」という文字の白文字モードの例を示している。なお、文字を構成する画素数や文字の書体は例であってこれに限定されない。

なお、図２（Ａ）、（Ｂ）において、四角形で表された１マスが１画素を示すものとする。また、画素の表示素子の発光領域の形状はこのような四角形に限らず、他の多角形であってもよいし、円形であってもよい。また、１画素は複数の色要素のドットから構成されていてもよい。

なお、ここでの白表示とは、最も輝度の高い階調でなくともよい。つまり、黒表示よりも輝度の高い階調であればよい。また、黒表示も最も輝度の低い階調でなくともよい。つまり、白表示よりも輝度の低い階調であればよい。

例えば、携帯電話機などの携帯端末機で文字を表示する場合において、周囲が明るいとき（外光や室内光の得られる下）には、図２（Ｂ）のように、文字の背景を黒表示とし、文字を白表示にする。そして、周囲が暗いとき（夜間の暗闇の中）には、図２（Ａ）に示すように文字の背景を白表示とし、文字を黒表示にする。なお、ここでは文字及び文字の背景を階調反転させた図をしめしたが、文字のみ階調反転させたり、文字の背景のみ階調反転させてもよい。

こうすることで、外光や室内光の得られるような明るいところでは白文字モードにより消費電力を低減できるとともに、焼き付き現象を低減することができる。つまり、文字の背景は黒表示であるため焼き付き現象は生じないし、文字を表示するための画素の点灯領域は狭く、焼き付き現象は視認しにくい。

また、夜間の暗闇の中では、文字の背景を白表示にし、文字を黒表示にすることで、字を見やすくすることができるし、白文字モードとは異なる領域（文字と文字の行間や文字と文字の間隔の領域など）の画素を白表示にするため画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができる。よって、焼き付き現象を低減することができる。

また、白文字モードから黒文字モードに切り替わってから、文字の背景の白表示は徐々に又は段階的に輝度を低くするようにしてもよい。つまり、暗闇の中で目が慣れてくれば、コントラストを低くしても見えるようになるので、白表示の輝度を低くして消費電力の低減を図ることができる。

なお、階調反転表示の条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日は白文字表示、偶数日は黒文字表示にするなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間のときは白文字表示、偶数時間のときは黒文字表示にするなど時間毎に切り替えてもいいし、電池の残量が充分にあるときには、黒文字表示、電池の残量が少なくなると白文字表示にするなど電池の残量によって切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと黒文字表示から白文字表示に切り替えるようにしてもいいし、電源の投入の度に白文字表示と黒文字表示を切り替えてもいいし、電子メールの受信と送信のときで白文字表示と黒文字表示を切り替えてもいい。

なお、このような階調反転表示は画面上に現れる、あるウインドウ内で行うようにしてもよいし、表示画面全体で階調反転するようにしてもよい。画面上のウインドウ内で階調反転表示を行う場合の例を図１（Ａ）、（Ｂ）に示す。図１（Ａ）はピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にウインドウ１０３が表示されている。なお、ピクト表示領域１０１には、携帯端末機の状態（電池残量や電波受信状態など）を表すピクトなどが表示される。そして、メイン表示領域１０２とは、携帯端末機を操作して動画や静止画などを表示させることができるメインの表示領域をいう。また、ウインドウ１０３とは、操作画面内にそれぞれ異なった情報を表示できる領域であって、その中に画像や文書を表示する機能を有する。なお、ピクト表示領域１０１とメイン表示領域１０２とは区別されていなくてもよい。つまり、メイン表示領域１０２にピクトが表示されていてもよい。

図１（Ａ）において、ウインドウ１０３は、文字が黒で背景が白である黒文字モードである。そして、図１（Ｂ）においては、ウインドウ１０３は文字が白で背景が黒である白文字モードである。ここで、ウインドウ１０３外のメイン表示領域１０２に表示される画像は黒文字モードと白文字モードとで変化させなくてもいいし、階調反転させてもいい。また、ピクト表示領域１０１も黒文字モードと白文字モードとで変化させなくてもいいし、階調反転させてもいい。

そして、文字以外の画像を階調反転させるときには、階調数の中間を境に反転させる。例えば、簡単に説明するため８階調のグラデーション（明暗の段階的変化）を用いて説明する。図２１（Ａ）の第１領域２１０１、第２領域２１０２、第３領域２１０３、第４領域２１０４、第５領域２１０５、第６領域２１０６は、それぞれ階調６、階調５、階調４、階調３、階調２、階調１の表示を示し、第７領域２１０７は、背景を階調７とし、ピクトを階調０で表示している。そして、図２１（Ａ）の表示を階調反転させた表示は図２１（Ｂ）に示すように第１領域２１０１、第２領域２１０２、第３領域２１０３、第４領域２１０４、第５領域２１０５、第６領域２１０６は、それぞれ階調１、階調２、階調３、階調４、階調５、階調６の表示を示し、第７領域２１０７は、背景を階調０とし、ピクトを階調７として表示している。

なお、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色要素を用いて、フルカラー表示を行う場合においても反転表示を行うことができる。この場合には、例えばＲのドットのみ点灯していた画素は、反転表示のとき、ＧとＢのドットを点灯にし、Ｒのドットを非点灯にする。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の色要素を用いてフルカラー表示を行う場合には、白表示をＲＧＢのドットを点灯させるか、Ｗのドットを点灯させるかを条件によって切り替えてもよい。例えば、文字を表示する場合のように、焼き付きがシャープに見えてしまうようなときに、劣化のしにくい色要素のドットを点灯させて白表示をする。または、白表示の輝度の半分は、ＲＧＢのドットの発光を用い、また半分はＷのドットの発光を用いてもよい。図２８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）にＲのドット、Ｇのドット、Ｂのドット、Ｗのドットでなる画素において、白表示を行う三通りの場合を示す。なお、点灯しているドットは点線で示しており、非点灯のドットは線で示してある。図２８（ａ）に示す場合には、ＲＧＢのドット及びＷのドットを点灯させて白表示をしている。図２８（ｂ）に示す場合には、Ｗのドットは非点灯の状態で、ＲＧＢのドットを点灯させて白表示をしている。図２８（ｃ）に示す場合には、ＲＧＢのドットは非点灯の状態で、Ｗのドットを点灯させて白表示をしている。

よって、本実施の形態で示したように階調反転表示を行うことで、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができるため、画素の発光のバラツキを低減することができる。つまり、焼き付きを低減することができる。

なお。本実施の形態において示したような表示方法は、ハードウェアやソフトウェアを用いて実現できる。ハードウェアとしては、ＣＰＵやメモリなどの機能回路、ソフトウェアとしては、メモリなどに記憶された手順や命令などの情報を含むプログラムがある。

（実施の形態２）
本実施の形態では、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）を表示する場合において、条件を設定し、その条件を満たしたら、文字を黒色とする黒文字モードと、文字の芯を白色とし文字の芯周辺を囲むように縁を黒色とした黒縁白抜き文字モードとを切り替える。または、文字を白色とする白文字モードと、文字の芯を黒色とし、文字の芯周辺を囲むように縁を白色とした白縁黒抜き文字モードとを切り替える。図４（Ａ）には「あ」という文字の黒縁白抜き文字モードの例を示している。また、図４（Ｂ）には「あ」という文字の白縁黒抜き文字モードの例を示している。

このように切り替えることにより、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができる。というのも、図２（Ａ）と図４（Ａ）を見ればわかるように、黒文字モードと黒縁白抜き文字モードとを切り替える場合、黒文字モードで黒となっている文字を黒縁白抜き文字モードでは白にすることができる。また、図２（Ｂ）と図４（Ｂ）を見ればわかるように、白文字モードと白縁黒抜き文字モードとを切り替える場合、白文字モードで白となっている文字を白縁黒抜き文字モードでは黒にすることができる。つまり、文字の画素を白黒反転することができるので、焼き付き現象を低減することができる。

また、このようなモードの切り替えは、画面上に現れる、あるウインドウ内で行うようにしてもよいし、表示画面全体で行うようにしてもよい。画面上のウインドウ内で白黒反転表示を行う場合の例を図３（Ａ）、（Ｂ）に示す。図３（Ａ）はピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にウインドウ１０３が表示されている。また、図３（Ａ）のウインドウ１０３には黒縁白抜き表示の表示例を示し、図３（Ｂ）のウインドウ１０３には白縁黒抜き表示の表示例を示している。

なお、モードの切り替えの条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日は白文字モード、偶数日は白縁黒抜き文字モードにする、または奇数日は黒文字モード、偶数日は黒縁白抜き文字モードにするなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間のときは白文字モード、偶数時間は白縁黒抜き文字モードにする、または奇数時間は黒文字モード、偶数時間は黒縁白抜き文字モードにするなど時間毎に切り替えてもいいし、電池の残量が充分にあるときには、黒縁白抜き文字モード、電池の残量が少なくなると白縁黒抜き文字モードにするなど電池の残量によって切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと黒縁白抜き文字モードから白縁黒抜き文字モードに切り替えるようにしてもいい。

（実施の形態３）
本実施の形態では、画像をシフトさせることにより、焼き付き現象を低減する。特に、表示画像が文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）のようにグラデーションの境界がはっきりしている場合などに有効である。

図５に、「あ」という文字を右に一画素、下に一画素シフトさせたときの図を示す。シフト前の文字「あ」は画素が斜線で塗られ、シフト後の文字「あ」は画素が黒で塗られている。一例としてここでは、１文字を構成する文字ブロックを縦×横：７×７の矩形型に配置された画素としている。なお、ここで、文字ブロックとは、同じ書体であり、同じサイズの文字において、全ての種類の文字の一を表示することができる最少の矩形型の画素の集まりをいうものとする。そして、シフト前の文字「あ」は文字ブロック５０１で構成され、シフト後の文字「あ」は文字ブロック５０２で構成される。つまり、シフト前の文字ブロック５０１の中心の画素はｉ行ｊ列であり、シフト後の文字ブロック５０２の中心の画素（ｉ＋１）行（ｊ＋１）列となる。

なお、文字（文字ブロック）と文字（文字ブロック）の間には余白（文字を構成する画素とは白黒反転表示する画素）がある。そして、黒文字モードの場合その余白は文字を構成しないため白表示に偏ってしまう。もちろん文字が白文字表示のときには余白は黒表示に偏ってしまう。また、文字ブロック内においても、中心付近と、四隅とでは、白表示になるか黒表示になるかの確率が偏ってしまう。

そこで、図５に示すように文字をシフトさせることにより、画素毎の表示素子の劣化の差が小さくなり、画素毎の発光のバラツキを低減することができる。なお、文字のシフト量は、図６に示すように、縦横斜めにとなりあう一文字ブロック分までシフトさせてもいいし、図７に示すように二つの文字ブロック分までシフトさせてもいい。

つまり、文字ブロックの横の長さをａとし、縦の長さをｂとすると、図６の場合の文字「あ」の移動範囲６０１の横の移動幅ｘと縦の移動幅ｙはそれぞれ、ａ＜ｘ≦３ａ、ｂ＜ｙ≦３ｂとなる。よって、図６のような移動範囲であれば、最大でシフトしたときには、シフト前の文字とシフト後の文字が重ならないため画素の累積点灯時間を平均化しやすい。また、図７の場合の文字「あ」の移動範囲６０１の横の移動幅ｘ’と縦の移動幅ｙ’はそれぞれ、ａ＜ｘ’≦５ａ、ｂ＜ｙ’≦５ｂとなる。図７のような移動範囲であれば、より画素の累積点灯時間を平均化しやすい。

また、文字のシフトのさせ方は色要素（１ドット）ずつシフトさせてもよいし、一画素ずつシフトさせてもいいし、数画素ずつシフトさせてもよい。例えば、図８に示すようにＲ（赤）の色要素と、Ｇ（緑）の色要素と、Ｂ（青）の色要素で画素を構成する場合には、右に１ドットシフトし、下に１画素シフトしていてもよい。つまり、シフト前の点灯領域８０１、シフト後の点灯領域８０２とすると、シフト前は左からＲＧＢで１画素を構成しており、シフト後は左からＧＢＲで１画素を構成している。

なお、画像をシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、日毎にシフトさせてもいいし、時間毎にシフトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトするようにしてもいい。

また、文字のシフトのさせ方としては、ソフトウェアを用いて、文字の背景画像を動かさずに、文字情報の位置座標を変えることで文字をシフトさせることができる。また、ウインドウ単位で画像をシフトさせてもよい。つまり、文字の表示されるウインドウ毎シフトさせてもよい。

また、画素部において、表示画面に必要な画素より冗長に画素を設け、画素部内で表示画面として用いる画素領域を変更することにより表示画面自体をシフトさせてもよい。

また、文字入力可能なウインドウ内で文字をシフトさせる場合、文字を入力する度に文字をシフトさせてもいいし、一行分の文字を入力したら文字全体をシフトさせてもいい。また、複数のウインドウを表示しているとき、いずれか一のウインドウを選択する度、文字がシフトするようにしてもよい。

（実施の形態４）
本実施の形態では、表示画面に文字（ひらがな、カタカナ、漢字、数字、アルファベットなど）を表示する場合において、条件を設定し、その条件を満たしたら、文字の書体（フォント）や大きさ（サイズ）を変更する。そして、書体の変更前後で文字を構成する画素の重複を少なくすれば画素毎の表示素子の劣化の差を小さくすることができる。よって、画素毎の発光のバラツキを低減することができる。

まず、文字の書体を変更する場合について説明する。例えば、縦×横：１０×１０の画素で文字ブロックを構成する場合において、「あ」という文字を表示したときを例に説明する。あるときには、例えば図２３のような書体の「あ」を表示する。そして、ある条件を満たしたら、図２４に示すような「あ」という文字の書体に変更する。すると、図２３の書体のときには「あ」を構成する画素は４１個が黒表示となっている。また、図２４の書体のときには「あ」を構成する画素は３８個が黒表示となっている。そして、図２５には、図２３の書体の「あ」が右斜線で塗られた画素で構成され、図２４の書体の「あ」が左斜線で塗られた画素で構成され、それぞれの書体の「あ」が重なっている画素が黒で塗られている。つまり、ある条件を満たしたら、図２３の書体の「あ」から図２４の書体の「あ」に変更すれば、どちらのときの文字も構成する画素は１３個の画素となる。つまり、劣化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用いられる画素が分散する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象を低減することができる。

次に、文字の大きさを変更する場合について説明する。なお、図１０には、縦×横：１０×１０の画素で文字ブロック１００１を構成する場合から縦×横：７×７の画素で文字ブロック１００２を構成する場合へと変更する場合について示している。文字ブロック１００１の大きさの文字「あ」は、右斜線で塗られた画素で構成され、文字ブロック１００２の大きさの文字「あ」は、左斜線で塗られた画素で構成され、それぞれの大きさの文字「あ」が重なっている画素が黒で塗られている。文字ブロック１００１の大きさの文字「あ」は３８個が黒表示となり、文字ブロック１００２の大きさの文字「あ」は２５個が黒表示となる。つまり、ある条件を満たしたら、文字ブロック１００１の「あ」から文字ブロック１００２の「あ」に変更すれば、どちらのときの文字も構成する画素は９個の画素となる。つまり、劣化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用いられる画素が分散する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象を低減することができる。

例えば、文字の書体の変更や大きさの変更はウインドウ内で行うようにしてもよい。図９（Ａ）はピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にウインドウ１０３が表示されている。図９（Ａ）において、ウインドウ１０３には、黒文字モードで文字が表示されている。そして、ある条件を満たしたら図９（Ｂ）のようにウインドウ１０３内に表示されている文字の書体を変更する。こうすることにより、劣化の進行が進みやすい画素の数が減り、文字を構成する画素として用いられる画素が分散する。よって、画素毎の表示素子の劣化の差を小さくし、焼き付き現象を低減することができる。

また、大きさを工夫することにより、面内の画素の累積点灯時間が概略等しくなるようにするとよい。

なお、書体の変更や大きさの変更の条件は上述したものに限らない。例えば、奇数日と、偶数日とで変更するなど日毎に切り替えてもいいし、奇数時間と、偶数時間とで変更するなど時間毎に切り替えてもいいし、電子機器を一定期間操作しないと変更するようにしてもいい。

（実施の形態５）
本実施の形態では、処理の内容や対象を小さな絵や記号で表現したもの（以下アイコンという）のように、表示画面上に特定のパターンとして表示されることにより、そのパターンが焼き付いてしまうのを低減する方法を説明する。

表示画面は、図１１のように、ピクト表示領域１０１と、メイン表示領域１０２とを有し、メイン表示領域１０２にはアイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されている。なお、メイン表示領域１０２にはアイコン１１０１やアイコン１１０２の背景に背景画像が表示されていてもよい。アイコン１１０１やアイコン１１０２は、ある条件を満たしたら移動するようにする。移動方向としては、縦横斜めのいずれでもよい。

なお、アイコンのシフト量としては、図１３に示すように、アイコンをブロックとして、縦横斜めにとなりあうブロック分までシフトさせてもいいし、図１４に示すように二つのブロック分までシフトさせてもいい。なお、ここで、アイコンのブロックとは、アイコンを構成することができる最少の矩形型の画素の集まりをいうものとする。

つまり、アイコンのブロックの横の長さをａとし、縦の長さをｂとすると、図１３の場合のアイコンの移動範囲１３０１の横の移動幅ｘと縦の移動幅ｙはそれぞれ、ａ＜ｘ≦３ａ、ｂ＜ｙ≦３ｂとなる。よって、図１３のような移動範囲であれば、最大でシフトしたときには、シフト前のアイコンとシフト後のアイコンが重ならないため画素の累積点灯時間を平均化しやすい。また、図１４の場合のアイコンの移動範囲１４０１の横の移動幅ｘ’と縦の移動幅ｙ’はそれぞれ、ａ＜ｘ’≦５ａ、ｂ＜ｙ≦５ｂとなる。図１４のような移動範囲であれば、より画素の累積点灯時間を平均化しやすい。

また、移動しなくても、図１２（Ａ）に示すように、アイコン自身が回転してもよい。図１２（Ａ）において、平面上に表示されるアイコン１１０１は表裏方向に回転している。そして、平面上に表示されるアイコン１１０２は平面上の中心を軸として回転している。よって、ある瞬間のアイコン１１０１は図１２（Ｂ）に示すように幅が狭くなっている。また、ある瞬間のアイコン１１０２は図１２（Ｂ）に示すようにアイコン１１０２は傾いている。

なお、アイコンをシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、常に上下左右に数画素分ずつシフトするようにしてもいいし、日毎にシフトさせてもいいし、時間毎にシフトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトするようにしてもいい。また、シフトする度に色を変えてもいいし、点滅させながらシフトさせてもいい。また、携帯端末機がカメラ機能を搭載しているのであれば、シャッターを押すたびにシフトするようにしてもいい。そして、露光スピードよりも速く動くようにするとよい。

また、アイコンを半透明表示にしたり、アイコンをグラデーション表示にして、グラデーションを変化させてもいい。

また、図２０に示すようにメイン表示領域１０２の背景画上にアイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されている場合において、携帯端末機を操作しない状態が続くとアイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されなくなるようにしてもよい。例えば、携帯端末機を使用してから５分〜１０分くらい操作しない状態が続いたらアイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されなくなるようにし、ボタンを押したり、携帯端末機を操作したときに、アイコン１１０１やアイコン１１０２が表示されるようにしてもよい。また、ボタンを押すたびアイコン１１０１やアイコン１１０２の色が変わるようにしてもよい。

また、起動時や設定した月日によって、アイコンの表示場所が変わるようにしてもいい。

また、画素単位ではなく、アイコン単位でアイコンの表示時間をカウントし、アイコンを構成する画素へ入力する信号の補正を行ってもよい。つまり、アイコンの表示累積時間と、アイコンの表示されない領域の画素（以下、リファレンス画素という）の点灯累積時間とをカウントして、累積時間からアイコン部の画素とリファレンス画素の表示素子の劣化の差を求める。そして、アイコン部の画素とリファレンス画素の輝度が同じになるように補正する。なお、画素の輝度の補正は、表示素子に印加する電流若しくは電圧または発光時間などを制御して行うことができる。

ここで、アイコン単位でアイコンの表示時間をカウントし、アイコンを構成する画素へ入力する信号の補正を行うことが可能な表示装置のブロック図を図５３に示す。

表示装置は、カウンタ５３０１、補正回路５３０２、揮発性メモリ５３０３、不揮発性メモリ５３０４、表示パネル５３０５及び補正データ格納部５３０６を有する。

まず、表示パネルの有する表示素子の輝度特性の経時変化のデータを、補正データ格納部５３０６にあらかじめ記憶させておく。このデータはアイコン部の画素とリファレンス画素との輝度を同じにするため信号を補正する際に用いる。

そして、カウンタ５３０１は、定期的に画像信号をサンプリングし、アイコンの表示、非表示のデータと、リファレンス画素の点灯非点灯のデータをカウントする。カウンタ５３０１によりカウントされたデータは、順次記憶回路部に記憶されていく。ここで、このデータは累積していくため、記憶回路は不揮発性メモリを用いて構成するのが好ましいが、不揮発性メモリは一般にその書き込み回数が限られているため、図５３に示すように、表示装置の動作中は揮発性メモリ５３０３を用いて記憶を行い、一定時間毎に（例えば１時間毎、あるいは電源のシャットダウン時など）に不揮発性メモリ５３０４に書き込むようにしてもよい。

ここで、電源をシャットダウンするまでの、アイコンの表示時間及びリファレンス画素の点灯時間のカウント動作と、表示時間と点灯時間のデータを記憶回路部へ記憶するまでのフローチャートを図５４及び図５５に示す。

図５４の場合には、定期的にアイコンの表示時間及びリファレンス画素の点灯時間をカウントし、そのデータを揮発性メモリに記憶させる。そして、電源をシャットダウンするときには揮発性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させる。

図５５の場合には、定期的にアイコンの表示時間及びリファレンス画素の点灯時間をカウントし、そのデータを揮発性メモリに記憶させる。そして、一定の期間が経過したら揮発性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させる。そして、電源をシャットダウンしなければ、また上述の動作を繰り返す。なお、電源をシャットダウンするときにも、揮発性メモリに記憶されたデータを不揮発性メモリに記憶させてもよい。

また、表示素子を用いて階調表現が輝度制御によっても行われる場合には、そのときの表示素子の点灯時間と点灯強度を共に検出し、点灯時間と点灯強度との両方から劣化の状態を判断するとよい。この場合には、補正用のデータもそれに合わせて作成する。

また、記憶回路に用いるメモリの種類としてはスタティックメモリ、ダイナミックメモリ、強誘電体メモリ、フラッシュメモリなどがあげられるが、本発明の表示装置に適用することができる記憶回路はこれに限定されない。ただし、揮発性メモリにダイナミックメモリを用いる場合には、定期的なリフレッシュ機能を付加する必要がある。

次に、画像信号の補正動作に移る。補正回路５３０２には画像信号と、アイコンの累積表示時間と、リファレンス画素の累積点灯時間とのデータが入力される。補正回路５３０２は、アイコン累積表示時間とリファレンス画素の累積点灯時間のデータから、アイコン部の画素とリファレンス画素との劣化の差を求め、あらかじめ補正データ格納部５３０６に記憶されたデータを参照し、入力された画像信号の補正を行う。このようにして補正された画像信号が表示パネル５３０５へ入力される。なお、このときの補正とは、アイコン部の画素とリファレンス画素との輝度の差が小さくなるようにすることをいう。

電源遮断時には揮発性の記憶回路に記憶されている、アイコンの累積表示時間と、リファレンス画素の累積点灯時間とを、不揮発性の記憶回路に記憶されているアイコンの累積表示時間と、リファレンス画素の累積点灯時間とにそれぞれ加算して記憶しておく。これにより、次回の電源投入後、継続してアイコンの表示時間とリファレンス画素の点灯時間が累積してカウントされる。

以上のようにして、定期的にアイコンの表示時間とリファレンス画素の点灯時間の検出を行い、累積表示時間と累積点灯時間を記憶しておくことで、表示頻度の高いアイコン部の画素の劣化に対して補正をすることができる。つまり、画像信号を補正することにより、アイコン部の画素の輝度と、リファレンス画素の輝度とを同等にすることができ、アイコンのパターンの焼き付きを低減することができる。

また、リファレンス画素は複数あってもよい。つまり、複数のリファレンス画素の平均の点灯累積時間とアイコンの表示累積時間とから、複数のリファレンス画素の平均とアイコン部の画素との劣化の差を求めてもよい。また、どのアイコンをティーチングするかユーザーが指定するようにしてもよい。

また、アイコンの設定をユーザーが変えられるようにしてもよい。つまり、アイコンの表示位置や色、輝度、アイコンの形、種類、大きさなどをユーザーが変更できるようにしてもよい。さらに、アイコンを点滅させたり、回転させたり、動く範囲を設定したりできるようにしてもよい。また、アニメーション（アイコンの形を連続的に変化（変化の前後で動きにつながりがあれば不連続でもよい）させるような動き）の作成をユーザーができるようにしてもよい。

（実施の形態６）
本実施の形態においては、ピクト表示領域に表示されるピクトのパターンが焼き付くのを低減する方法について説明する。

図１５に示すように、ピクト１５０１やピクト１５０２がピクト表示領域１０１をシフトするようにしてもいい。なお、ここで、ピクトがシフトするとは、ピクトの表示に寄与する画素の組み合わせを変化させることをいう。なお、シフト方向は、図１５に示すように横方向でなくとも縦方向であってもよい。また、ピクト１５０１やピクト１５０２が回転するようにしてもよい。また、図１６に示すように、ピクト表示領域を白黒反転させてもよい。ある条件を満たすまでは図１６（Ａ）のようにピクト表示領域１０１の背景を白表示とし、ピクト１５０１やピクト１５０２を黒表示とする。そしてある条件を満たしたら、図１６（Ｂ）に示すようにピクト表示領域の背景を黒表示とし、ピクト１５０１やピクト１５０２を白表示とする。よって、本実施の形態で示したように白黒反転表示を行うことで、画素毎の劣化の差を小さくすることができるため、画素の発光のバラツキを低減することができる。

なお、ピクトをシフトさせる条件は上述したものに限らない。例えば、日毎にシフトさせてもいいし、時間毎にシフトさせてもいいし、電子機器を一定期間操作しないとシフトするようにしてもいい。

また、ピクトの焼き付きパターンをあらかじめ用意しておき、その部分の輝度をユーザーが変えられるようにしてもよい。つまり、図１６（Ａ）のように、ピクト表示領域の背景が白表示でピクト１５０１やピクト１５０２が黒表示の場合には、ユーザーの操作により、背景の輝度を高くすることができる。また、図１６（Ｂ）のように、ピクト表示領域の背景が黒表示でピクト１５０１やピクト１５０２が白表示の場合には、ユーザーの操作により、ピクト１５０１やピクト１５０２のそれぞれ輝度を高くすることができる。

例えば、ボタンを押すたびにピクトやピクト表示領域の背景の輝度が変化するようにしたり、タッチパネル方式でタッチしたところの輝度が変化するようにしてもよい。以下にフローチャートを用いて簡単に説明する。

まず、ボタン操作によりピクトパターンの焼き付きを補正する場合のフローチャートを図５７に示す。図５７に示すように、ピクトパターンの焼き付きが発生したら、その焼き付きパターンの生じたピクト部の輝度を補正するためのボタンを押す。ボタンを押すたびにピクト又はピクトの背景の輝度が変化するようにする。そして、ピクトパターンの焼き付きが低減されるまでボタンを押す。こうして、ピクトパターンの焼き付きが視認できなくなるまでユーザーが自由にピクトパターンの焼き付き補正を行うことができる。

また、タッチパネル式を採用し、タッチ操作によりピクトパターンの焼き付きを補正する場合のフローチャートを図５６に示す。図５６に示すように、ピクトパターンの焼き付きが発生したら、その焼き付きパターンの生じたピクト部をタッチする。そのピクト部をタッチするたびにピクト又はピクトの背景の輝度が変化するようにする。そして、ピクトパターンの焼き付きが低減されるまでそのピクト部をタッチする。こうして、ピクトパターンの焼き付きが視認できなくなるまでユーザーが自由にピクトパターンの焼き付き補正を行うことができる。

（実施の形態７）
本実施の形態においては、画素毎に発光のバラツキが生じ、焼き付きが生じたら、エージングを行う。なお、ここで、エージングとは画素の表示素子に電流を流し、画素の表示素子を積極的に劣化させることをいう。つまり、充電などを行う際に、画素を点灯させ、画素の表示素子を劣化させる。そして、劣化の進行の遅れている画素の表示素子を積極的に劣化させることにより、画素部内の各画素の表示素子の劣化の差を縮める。

本実施の形態に示す表示装置の画素構成を図１８に示す。画素は、トランジスタ１８０１と、第１のスイッチ１８０２と、容量素子１８０３と、表示素子１８０４と、電流源回路１８０５と、第２のスイッチ１８０６と、第３のスイッチ１８０７と、第１の配線１８０９と、第２の配線１８１０と、第３の配線１８１１とを有する。なお、トランジスタ１８０１はＰチャネル型トランジスタである。

第１のスイッチ１８０２は、トランジスタ１８０１のゲート端子と第２の配線１８１０との導通または非導通を制御するように接続されている。そして、第１のスイッチ１８０２の制御端子には第１の配線１８０９に供給される信号が入力される。そして、この信号により第１のスイッチ１８０２がオンまたはオフする。第１のスイッチ１８０２がオンするときには第２の配線１８１０とトランジスタ１８０１のゲート端子が導通し、第１のスイッチ１８０２がオフするときには第２の配線１８１０とトランジスタ１８０１のゲート端子は非導通となる。

また、トランジスタ１８０１は、ゲート端子が容量素子１８０３を介して第３の配線１８１１と接続され、第１端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）が第２のスイッチ１８０６を介して第３の配線１８１１と接続され、第２端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）が表示素子１８０４の画素電極と接続されている。つまり、トランジスタ１８０１の第１端子と第３の配線１８１１との導通または非導通を制御するように第２のスイッチ１８０６が接続され、第２のスイッチ１８０６がオンするときにはトランジスタ１８０１の第１端子と第３の配線１８１１が導通し、第２のスイッチ１８０６がオフするときにはトランジスタ１８０１の第１端子と第３の配線１８１１とは非導通となる。

また、直列に接続された第３のスイッチ１８０７及び電流源回路１８０５が、第２のスイッチ１８０６と並列に接続されている。つまり、第３のスイッチ１８０７がオンすると、電流源回路１８０５とトランジスタ１８０１の第１端子とが導通する。

なお、表示素子１８０４の対向電極１８０８には所定の電位が入力されている。

続いて、本画素の動作について説明する。

画素への書き込み動作時には第１のスイッチ１８０２と第２のスイッチ１８０６をオンにする。そして、第２の配線１８１０からビデオ信号に相当する電圧分の電荷を容量素子１８０３に蓄積する。つまり、この電圧はトランジスタ１８０１のゲートソース間電圧となる。よって、この電圧によってトランジスタ１８０１のオンオフが制御される。なお、トランジスタ１８０１がオンするために入力されるビデオ信号はトランジスタ１８０１が線形領域で動作するような電圧である。

そして、トランジスタ１８０１がオンするときは、第３の配線１８１１に供給される電位と表示素子１８０４の対向電極１８０８に印加される電位との電位差となる電圧が表示素子１８０４の両電極間に印加されることになる。そして画素は点灯状態になる。

各画素毎にビデオ信号を入力すると、信号の書き込み動作が完了し、各画素は点灯または非点灯の２状態となる。したがって、このままでは２階調しか表現できない。そこで、時間階調法や面積階調法などを用いることによって多階調表示を行うことができる。

ここでは、デジタル時間階調法について図２７を用いて説明する。

図２７は時間経過に伴った１フレーム期間の動作について説明する図である。図２７において、横方向は時間経過を表し、縦方向は走査線の走査行数を表している。

画像表示を行うとき、書き込み動作と発光動作とが繰り返し行われる。一画面（１フレーム）分の書き込み動作と発光動作を行う期間を１フレーム期間という。１フレーム分の信号の処理について特に限定はないが、画像をみる人がちらつき（フリッカ）を感じないように少なくとも１秒間に６０回程度とすることが好ましい。

１フレーム期間は、図２７に示すように、アドレス期間Ｔａ１、Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４とサスティン期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４とを含む４つのサブフレーム期間に時分割されている。つまり、それぞれの画素行については、書き込み時間Ｔｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３、Ｔｂ４と発光時間Ｔｓ１（ｉ）、Ｔｓ２（ｉ）、Ｔｓ３（ｉ）、Ｔｓ４（ｉ）とに時分割されている。発光するための信号が入力された画素の発光素子は、サスティン期間において発光状態となっている。各々のサブフレーム期間における発光時間の長さの比は、Ｔｓ１（ｉ）：Ｔｓ２（ｉ）：Ｔｓ３（ｉ）：Ｔｓ４（ｉ）＝２^３：２^２：２^１：２^０＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレーム期間を設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。

１フレーム期間における動作について説明する。まず、アドレス期間Ｔａ１において、１行目から最終行まで、それぞれの行の書き込み時間Ｔｂ１に書き込み動作が行われる。つまり、１行目から順に走査線に走査信号が入力され、画素が選択される。そして、画素が選択されているときに、信号線から画素へビデオ信号が入力され、その電位によってサスティン期間Ｔｓ１における各画素の点灯、非点灯が制御される。従って、行によって画素の書き込み動作の開始時間が異なる。書き込み動作が終了した行から順にサスティン期間Ｔｓ１へと移る。当該サスティン期間において、発光するための信号が入力されている画素の発光素子は発光状態となっている。また、サスティン期間Ｔｓ１が終了した行から順に次のサブフレーム期間の信号書き込み動作に移り、それぞれの信号書き込み時間Ｔｂ２において、同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。このように、同様にアドレス期間Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４において画素へビデオ信号が入力され、その電位によってサスティン期間Ｔｓ２、Ｔｓ３、Ｔｓ４における各画素の点灯、非点灯が制御される。以上のような動作を繰り返し、サスティン期間Ｔｓ４迄終了する。

このように、各サブフレーム期間において発光した時間の積算時間が、１フレーム期間における各々の画素の発光時間となり、これによって階調が表現される。

なお、サブフレーム期間におけるサスティン期間の長いものから順に並んでいるが、必ずしもこのような並びにする必要はなく、例えばサスティン期間の短いものから順に並べられていてもよいし、またはサスティン期間の長いものと短いものとがランダムに並んでいてもよい。

以上が表示中の画素の動作である。続いて、本発明の画素を有する表示装置を画素部に有する電子機器を充電するときにエージングを行う場合の画素の動作について説明する。充電を行う際には、まず、第１のスイッチ１８０２及び第２のスイッチ１８０６をオンにし、第２の配線１８１０から画素を点灯にするビデオ信号を入力する。そしてトランジスタ１８０１をオンにする。すると、表示素子１８０４に電流が流れる。このときの電流値を測定する。そして、全部の画素の電流値を測定した上で、互いの画素の表示素子に流れる電流値から画素の表示素子の劣化の程度を比較する。そして、画素の表示素子の劣化に応じた電流値を電流源回路１８０５にプログラミングする。この画素の表示素子の劣化に応じた電流値とは、ある画素の表示素子が他の画素の表示素子に流れる電流値より大きいときには、ある画素の表示素子は他の画素の表示素子よりも劣化していないことになるので、ある画素へのプログラミングの電流値は他の画素へのプログラミングの電流値よりも大きくする。これらの画素毎の比較は、まず一番劣化している画素を基準に行うのがよい。つまり、劣化の激しい画素にはこれ以上劣化させる必要がないためプログラミングによる電流値は０にしてよいからである。

こうして画素の電流源回路１８０５へのプログラミングが完了すると、第２のスイッチ１８０６をオフにし、第３のスイッチ１８０７をオンにする。そして、第１のスイッチ１８０２をオンにし、画素を点灯にする信号をトランジスタ１８０１のゲート端子に入力する。こうして、画素の劣化の程度に応じたエージングを行うことができるため、画素毎の劣化の差を小さくすることができる。よって、焼き付きを低減することができる。

なお、図１８の画素を有する表示装置を図１７に示す。信号線駆動回路１７０１と、走査線駆動回路１７０２と、画素部１７０３とを有する。信号線駆動回路１７０１から画素部１７０３へ信号線Ｓ１〜Ｓｎが延長し、走査線駆動回路１７０２から画素部１７０３へ走査線Ｇ１〜Ｇｍが延長し、信号線Ｓ１〜Ｓｎと走査園Ｇ１〜Ｇｍに対応してマトリクスに画素１７０４が配置されている。また、信号線Ｓ１〜Ｓｎに対応して電源線Ｐ１〜Ｐｊが配置されている。また、対向電極１７０６が画素部１７０３を覆って形成されている。

なお、画素１７０４には、図１８で示した画素を適用することができる。このとき、第１の配線１８０９が走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｍのうちいずれか一）に相当し、第２の配線１８１０が信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｎのうちいずれか一）に相当する。また、第３の配線１８１１が電源線Ｐｊ（電源線Ｐ１〜Ｐｎのうちいずれか一）に相当する。よって、ｉ行ｊ列の画素は、走査線Ｇｉにより選択され、信号線Ｓｊから信号が書き込まれる、そして、電源線Ｐｊから電源が供給される。また、図１８で示した対向電極１８０８は図１７の対向電極１７０６の一部をさすものとする。

信号の書き込みは、走査線Ｇ１〜Ｇｍにより順次画素が選択され、それぞれの信号線Ｓ１〜Ｓｎからビデオ信号がそれぞれの画素１７０４に供給されて行われる。

また、エージングを行う際には、各画素１７０４へ順々に画素を点灯にする信号を入力し、そのときに電源線と対向電極の間に流れる電流値を電流計１７０５により測定する。電流計１７０５によって測定した電流値の情報を含むデータはメモリ１７０７に記憶される。そして、メモリ１７０７に記憶されたデータはプログラミング電流設定回路１７０８に入力される。そして、プログラミング電流設定回路１７０８は、電流値の情報を含むデータから各画素毎の表示素子の劣化の進み具合を割り出す。そして、各画素へ一定の時間電流を流すと劣化の差が小さくなるように、それぞれの画素に応じた電流値を設定する。このプログラミング電流設定回路１７０８により設定された電流値が、画素１７０４内の電流源回路にプログラミングされる。そして、エージング中において、各画素の表示素子には各画素の表示素子の劣化の差が小さくなるように一定時間電流が供給される。こうして、充電中に焼き付きを低減することができる。

なお、図１８で示した画素の電流源回路１８０５の構成の一例を示す画素を図１９に示す。図１８と共通するところは共通の符号を用いてその説明を省略する。

電流源回路１８０５はトランジスタ１９０１と容量素子１９０２と第４のスイッチ１９０３と第５のスイッチ１９０４とを有する。なお、トランジスタ１９０１はＮチャネル型トランジスタである。トランジスタ１９０１は、第１端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）が第３のスイッチ１８０７を介してトランジスタ１８０１の第１端子と接続され、第２端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）が第３の配線１８１１と接続されている。また、トランジスタ１９０１のゲート端子は第４のスイッチ１９０４を介して第３の配線１８１１と接続され、さらに容量素子１９０２を介してトランジスタ１９０１の第１端子と接続されている。また、トランジスタ１９０１の第１端子は第５のスイッチ１９０３を介して第４の配線１９０５と接続されている。

よって、プログラミングのとき、第４のスイッチ１９０３及び第５のスイッチ１９０４をオンにする。すると、電流源１９０６から第４の配線１９０５に供給される電流が電流源回路１８０５に書き込まれる。つまり、このとき、トランジスタ１９０１の第１端子がソース端子となり、トランジスタ１９０１のゲートソース間電圧分の電荷が容量素子１９０２に蓄積される。そして、第４のスイッチ１９０３及び第５のスイッチ１９０４をオフにすると、容量素子１９０２はトランジスタ１９０１のゲートソース間電圧を保持する。こうして、電流源回路１８０５へのプログラミングが完了する。

（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態７とは異なる方法でエージングを行うときの表示装置の構成とその駆動方法について説明する。

まず、本実施の形態の表示装置に適用可能な画素について説明する。

画素は、トランジスタ２６０１と、スイッチ２６０２と、容量素子２６０３と、表示素子２６０４と、第１の配線２６０５と、第２の配線２６０６と、第３の配線２６０７とを有する。なお、トランジスタ２６０１はＰチャネル型トランジスタである。スイッチ２６０２は第２の配線２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子とを導通または非導通を制御するように接続されている。つまり、第１の配線２６０５に供給される信号により、スイッチ２６０２がオンオフする。そして、スイッチ２６０２がオンするときは第２の配線２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子が導通し、スイッチ２６０２がオフするときは第２の配線２６０６とトランジスタ２６０１のゲート端子は非導通となる。また、トランジスタ２６０１は、第１端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）が第３の配線２６０７と接続され、第２の端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）は表示素子２６０４の画素電極と接続されている。そして、トランジスタ２６０１のゲート端子はさらに容量素子２６０３を介して第３の配線２６０７と接続されている。なお、表示素子２６０４の対向電極２６０８には所定の電位が印加されている。

画素への書き込み動作時にはスイッチ２６０２をオンにする。そして、第２の配線２６０６からビデオ信号に相当する電圧分の電荷を容量素子２６０３に蓄積する。つまり、この電圧はトランジスタ２６０１のゲートソース間電圧となる。よって、この電圧によってトランジスタ２６０１のオンオフが制御される。なお、トランジスタ２６０１がオンするために入力されるビデオ信号はトランジスタ２６０１が線形領域で動作するような電圧である。

そして、トランジスタ２６０１がオンするときは、第３の配線２６０７に供給される電位と表示素子２６０４の対向電極２６０８に印加される電位との電位差となる電圧が表示素子２６０４の両電極間に印加されることになる。そして画素は点灯状態になる。

続いて、図２６に示した画素を有する本実施の形態の表示装置について図２２を用いて説明する。表示装置は、信号線駆動回路２２０１と、走査線駆動回路２２０２と、画素部２２０３とを有する。信号線駆動回路２２０１から画素部２２０３へ信号線Ｓ１〜Ｓｎが延長し、走査線駆動回路２２０２から画素部２２０３へ延長して走査線Ｇ１〜Ｇｍが延長している。そして、信号線Ｓ１〜Ｓｎと走査線Ｇ１〜Ｇｍに対応して複数の画素２２０４がマトリクスに配置されている。また、画素部２２０３を覆うように全面に対向電極２２０６が形成されている。

なお、画素２２０４には、図２６で示した画素を適用することができる。このとき、第１の配線２６０５が走査線Ｇｉ（走査線Ｇ１〜Ｇｍのうちいずれか一）に相当し、第２の配線２６０６が信号線Ｓｊ（信号線Ｓ１〜Ｓｎのうちいずれか一）に相当する。また、第３の配線２６０７が電源線Ｐｊ（電源線Ｐ１〜Ｐｎのうちいずれか一）に相当する。よって、ｉ行ｊ列の画素は、走査線Ｇｉにより選択され、信号線Ｓｊにより信号が書き込まれる、そして、電源線Ｐｊから電源が供給される。また、図２６で示した対向電極２６０８は図２２の対向電極２２０６の一部をさすものとする。

信号の書き込みは、走査線Ｇ１〜Ｇｍにより順次画素が選択され、それぞれの信号線Ｓ１〜Ｓｎからビデオ信号がそれぞれの画素２２０４に供給されて行われる。

また、エージングを行う際には、各画素２２０４へ順々に画素を点灯にする信号を入力し、そのときに電源線と対向電極の間に流れる電流値を電流計２２０５により測定する。電流計２２０５によって測定した電流値の情報を含むデータはメモリ２２０７に記憶される。そして、メモリ２２０７に記憶されたデータは補正回路２２０８に入力される。そして、補正回路２２０８は、電流値の情報を含むデータから各画素毎の表示素子の劣化の進み具合を割り出す。そして、各画素へそれぞれの画素の劣化に応じた時間、点灯させるための信号を生成する。つまり、この信号は、上述したデジタル時間階調法の各サブフレーム期間のうち、どのサブフレーム期間に画素を点灯させるかを制御する各ビットの信号である。そして、補正回路２２０８によって生成されたこの信号がフレームメモリ２２０９に記憶される。そして、エージング中において、フレームメモリ２２０９に記憶された各画素へ入力する信号が補正回路２２０８から走査線駆動回路２２０２及び信号線駆動回路２２０１に入力される。そして、各画素の表示素子には各画素の表示素子の劣化の差が小さくなるようにそれぞれの画素の点灯時間が制御される。こうして、充電中に焼き付きを低減することができる。

（実施の形態９）
本実施の形態に示す表示装置の表示パネルは、画素数が表示画素数よりも冗長に設けられた構成とする。つまり１フレームのデータに対応する画素数よりも多くの画素を表示パネルに設ける。そして、１フレームのデータを入力する画素を選択することにより表示画面をあるタイミングに従ってシフトさせる。

本実施の形態の表示パネルについて図２９を用いて説明する。表示パネル２９００は画素が複数設けられた画素部２９０１を有している。なお、画素部２９０１において、表示に寄与する領域、つまり表示画面となる領域を表示領域という。そして、表示パネルが表示中において、あるときは表示領域２９０２が図２９（ａ）のように画素部２９０１の左斜め上にシフトしており、そしてまたあるときには、図２９（ｂ）のように表示領域２９０２が画素部２９０１の右斜め上にシフトしており、そしてまたあるときには図２９（ｃ）のように画素部２９０１の左下、図２９（ｄ）のように画素部２９０１の右下というように表示領域２９０２がシフトする。

こうすることで、表示画面の焼き付きを低減することができる。

なお、図２９では表示領域２９０２が両角に最大限シフトしている図を示しているが、もちろん画素部２９０１の中心に表示領域が位置しても良く、画素部２９０１の中で様々な方向にシフトするようにする。

例えば、解像度がＱＶＧＡ（３２０×２４０＝７６８００画素）の表示パネルを用いて、表示パネルの画素数を行列の各方向に４画素分の画素を冗長に設け、（３２４×２４４＝７９０５６画素）の表示パネルとする。

そして、表示領域をあるタイミングに従ってシフトさせる。例えば、シフトさせるタイミングとしては、表示装置の電源投入の度にシフトさせる。なお、その度にシフト量をずらすようにしてもよい。行方向及び列方向のそれぞれに４画素分、つまり、行方向に±２画素、列方向に±２画素分の画素を冗長に設けた表示パネルにおいて、表示領域のシフト量の幅は、行方向及び列方向とも±２画素である。そして、シフトパターンは、行方向に（−２，−１，０，１，２）の５種類、列方向に（−２，−１，０，１，２）の５種類で、計２５種類の組み合わせとなる。

表示領域のシフトは走査開始信号ＳＰのタイミングをずらして行うことが出来る。表示領域のシフト方法について図３０のタイミングチャートを用いて説明する。クロック信号ＣＬＫ、ＤＡＴＡ信号に対して、走査開始信号ＳＰとして、図３０に示すように信号ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４、ＳＰ５を生成することができるようにする。つまり、信号ＳＰ１のときには＋２シフトし、信号ＳＰ２のときには＋１シフトし、信号ＳＰ３のときにはシフトせず、信号ＳＰ４のときには−１シフトし、信号ＳＰ５のときには−２シフトする。

ここで、本実施の形態の表示装置のブロック図の一例について図３１を用いて説明する。図３１に示す表示装置は表示パネル３１０１、コントローラ３１０２、遅延回路３１０３、メモリ３１０４を有する。

コントローラ３１０２にＶＩＤＥＯ信号が入力される。そして、コントローラ３１０２は表示パネルにＤＡＴＡ信号及びＣＬＫ信号を入力する。また、コントローラ３１０２は遅延回路３１０３にＳＰ信号を入力する。そして、遅延回路３１０３はＳＰ信号をメモリ３１０４から入力される遅延量に従って遅延させる。そして、その遅延させたＳＰ’信号を表示パネル３１０１に入力する。このとき、メモリ３１０４から出力される遅延量は、例えば前回の表示装置の電源投入時の遅延量などをメモリ３１０４に記憶させ、それに応じて前回とは異なる遅延量を決定すればよい。
（実施の形態１０）

本実施の形態では、実施の形態９で示した表示装置の表示領域のシフトさせるタイミングとは異なるタイミングで表示領域をシフトさせる方法について図３４に示す表示装置のブロック図を用いて説明する。

本実施の形態で示す表示装置は表示パネル３４０１、コントローラ３４０２、遅延回路３４０３、メモリ３４０４、カウンタ３４０５を有する。

コントローラ３４０２にＶＩＤＥＯ信号が入力される。そして、コントローラ３４０２は表示パネルにＤＡＴＡ信号及びＣＬＫ信号を入力する。また、コントローラ３４０２は遅延回路３４０３にＳＰ信号を入力する。そして、遅延回路３４０３はＳＰ信号をメモリ３４０４から入力される遅延量に従って遅延させる。そして、その遅延させたＳＰ’信号を表示パネル３４０１に入力する。

なお、メモリ３４０４から遅延回路３４０３に入力される遅延量は次のように決定される。カウンタ３４０５は表示装置の表示累積時間をカウントする。そして、カウンタ３４０５によってカウントされた表示累積時間のデータがメモリ３４０４に入力される。この表示累積時間のデータに基づき、メモリ３４０４は遅延量を決定し、遅延回路３４０３にこの遅延量を入力する。

このように遅延量を決定すれば、各々の遅延パターンにおいての表示時間が平均化され、より表示画面の焼き付きが低減される。

この遅延量を決定する経過時間は例えば、１分単位や、約５分単位や、約１０分単位や、約３０分単位や、約１時間単位等に設定するのが好ましい。短ければ短いほど遅延パターン毎の表示時間が頻繁に平均化され焼き付きの防止の効果は大きいが、あまり、短すぎると画面がちらついてしまうからである。

なお、本実施の形態では、表示装置は表示中にも表示領域がシフトするため、シフトは少しずつしていくようにして、シフトが目立たないようにするのが好ましい。

（実施の形態１１）
本実施の形態では、実施の形態９及び１０の表示装置の具体的構成について説明する。

まず、本発明をアクティブマトリクス型表示装置に適用した場合について、図３５を用いて説明する。

図３５のアクティブマトリクス型表示装置は行方向に配置されたゲート信号線Ｇ_１〜Ｇ_ｍに信号を出力するゲート信号線駆動回路３５０２と、列方向に配置されたソース信号線Ｓ_１〜Ｓ_ｎへ信号を出力するソース信号線駆動回路３５０１と、ゲート信号線Ｇ_１〜Ｇ_ｍとソース信号線Ｓ_１〜Ｓ_ｎに対応してマトリクスに複数の画素３５０４が配置された画素部３５０３を備えている。この画素３５０４は、１フレーム分の画素より行方向及び列方向共、冗長に設けられている。好ましくは、画素部３５０３の画素数の１〜１０％の画素数を冗長に設ける。より好ましくは画素部３５０３の画素数の１．５％〜７％、さらに好ましくは表示パネルの画素数の約３％の画素数を冗長に設けるようにするとよい。例えば、解像度がＱＶＧＡ（３２０×２４０）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２〜１０画素分、ＣＩＦ（３５２×２８８）の時は行方向及び列方向のそれぞれに４〜１０画素分、ＱＣＩＦ（１７６×１４４）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２〜５画素分、ＶＧＡ（６４０×４８０）の時は行方向及び列方向のそれぞれに５〜２０画素分、ＳＶＧＡ（８００×６００）の時は行方向及び列方向のそれぞれに１０〜３０画素分、ＸＧＡ（１０２４×７６８）の時は行方向及び列方向のそれぞれに１３〜３５画素分、ＳＸＧＡ（１２８０×１０２４）の時は行方向及び列方向のそれぞれに１５〜４０画素分、ＵＸＧＡ（１６００×１２００）の時は行方向及び列方向のそれぞれに、２０〜５０画素分、ＱＸＧＡ（２０４８×１５３６）の時は行方向及び列方向のそれぞれに２５〜６０画素分の画素を冗長に設けると良い。

ソース信号線駆動回路３５０１にはシリアルにＤＡＴＡ信号が入力される。そしてパルス出力回路３５０５にはＳＣＫ信号、ＳＣＫＢ信号が入力される。また、ＳＳＰ信号が遅延回路３５１１を介してパルス出力回路に入力され、第１のラッチ回路３５０６の各列に順次パルスが出力される。

ここで、遅延回路３５１１では入力されたＳＳＰ信号を任意のタイミングに遅延させ、パルス出力回路３５０５に入力する。つまり、メモリ３５０９により遅延量が入力され、その遅延量にしたがって、ＳＳＰ信号を遅延させる。こうして、メモリ３５０９の遅延量により画素部において表示に寄与する画素列をシフトすることができる。

つまり、このパルス出力回路３５０５から出力された信号に従って第１のラッチ回路３５０６にＤＡＴＡ信号がパラレルに保存されることになる。そして、このとき、ＳＳＰ信号の遅延量に従って、ＤＡＴＡ信号が入力されない画素列が決定される。

そして、第２のラッチ回路３５０７にＳＬＡＴ信号が入力されると、この第１のラッチ回路３５０６に保存されたＤＡＴＡ信号は第２のラッチ回路３５０７に転送される。この第２のラッチ回路３５０７に保存されたＤＡＴＡ信号がソース信号線駆動回路３５０１から出力される。

また、ゲート信号線駆動回路３５０２にはＧＣＫ信号、ＧＣＫＢ信号が入力される。また、ＧＳＰ信号が遅延回路３５０８を介してゲート信号線駆動回路３５０２に入力される。すると、ゲート信号線駆動回路３５０２からゲート信号線Ｇ_１〜Ｇ_ｍに順次パルスが出力される。そして、順次ゲート信号線Ｇ_１〜Ｇ_ｍを選択する。

ここで、遅延回路３５０８では入力されたＧＳＰ信号を任意のタイミングに遅延させ、ゲート信号線駆動回路３５０２に出力する。この遅延させるタイミングはメモリ３５１０により遅延量が入力され、その遅延量にしたがって、ＧＳＰ信号を遅延させる。こうして、メモリ３５１０からの遅延量により画素部において表示画面の表示に寄与する画素行をシフトすることができる。つまり、ＧＳＰ信号の遅延量に従って、ＤＡＴＡ信号が入力されない画素行が決定される。

こうして、表示に寄与する画素行をシフトさせることができる。よって、表示装置の表示画面の焼き付きを低減することができる。

本実施の形態の表示装置に適用可能な遅延回路の構成の一例を図３２を用いて説明する。なお、本実施例に示す遅延回路は例えば図３１の表示装置のブロック図における遅延回路３１０３や図３４の遅延回路３４０３に用いることができる。

本実施の形態に示す遅延回路はＤＦＦ３２０１〜３２０８が直列に接続されている。前列のＤＦＦにＳＰ信号が入力される。すると出力２から信号が出力されるときにはＳＰ信号が１パルス分遅延することになる。そして、さらに、出力３から信号が出力されるときにはＳＰ信号が２パルス分遅延する。このように出力４、出力５となるにつれてさらに１パルス分ずつ遅延する。つまり、ＳＰ信号が図３０のタイミングチャートのＳＰ１信号であるとすると、出力２から出力される信号はＳＰ２、出力３から出力される信号はＳＰ３、出力４から出力される信号はＳＰ４、出力５から出力される信号はＳＰ５に対応することになる。

つまり、上述したように表示装置の電源投入の度に遅延量を異ならせる場合には、電源投入時に遅延回路からの出力として出力１、出力２、出力３、出力４、出力５のいずれかを選択するようにすればよい。

続いて、図３２に示した遅延回路のＤＦＦ３２０１〜３２０８の構成の一例を図３３に示す。ＤＦＦ３３０１は、クロックドインバータ３３０２とクロックドインバータ３３０３とインバータ３３０４とを有する。

クロックドインバータ３３０２の入力端子にはＳＰ信号が入力され、出力端子はインバータ３３０４の入力端子に接続されている。インバータ３３０４の出力端子は次の列のＤＦＦの入力端子と接続されている。また、クロックドインバータ３３０３の入力端子はインバータ３３０４の出力端子と接続され、出力端子はインバータ３３０４の入力端子及びクロックドインバータ３３０２の出力端子と接続されている。

なお、本実施の形態の表示装置の遅延回路に適用可能な構成はこれに限られないことは言うまでもなく、図３２には一例として遅延回路の構成を示している。

（実施の形態１２）
本実施の形態では、表示素子としてＥＬ素子を適用した表示パネルの構成について図３７（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。

なお、図３７（ａ）は、表示パネルを示す上面図、図３７（ｂ）は図３７（ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された信号線駆動回路３７０１、画素部３７０２、第１の走査線駆動回路３７０３、を有する。また、封止基板３７０４、シール材３７０５を有し、シール材３７０５で囲まれた内側は、空間３７０７になっている。

なお、配線３７０８は第１の走査線駆動回路３７０３及び信号線駆動回路３７０１に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）３７０９からビデオ信号、クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス信号（ＳＰ）等を受け取る。ＦＰＣ３７０９と表示パネルとの接続部上にはＩＣチップ（メモリ回路や、バッファ回路などが形成された半導体チップ）３７１９、３７２２がＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）等で実装されている。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における表示装置とは、表示パネル本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図３７（ｂ）を用いて説明する。基板３７１０上には画素部３７０２とその周辺駆動回路（走査線駆動回路３７０３、及び信号線駆動回路３７０１）が形成されているが、ここでは、信号線駆動回路３７０１と、画素部３７０２が示されている。

なお、信号線駆動回路３７０１はＴＦＴ３７２０やＴＦＴ３７２１を有している。また、本実施の形態では、基板上に周辺駆動回路を一体形成した表示パネルを示すが、必ずしもその必要はなく、周辺駆動回路の全部若しくは一部をＩＣチップなどに形成し、ＣＯＧなどで実装しても良い。

また、画素部３７０２はＴＦＴ３７１１と、ＴＦＴ３７１２とを有している。なお、ＴＦＴ３７１２のソース電極は第１の電極（画素電極）３７１３と接続されている。また、第１の電極３７１３の端部を覆って絶縁物３７１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物３７１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物３７１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物３７１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物３７１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

第１の電極３７１３上には、有機化合物を含む層３７１６、および第２の電極（対向電極）３７１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極３７１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、有機化合物を含む層３７１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。有機化合物を含む層３７１６には、元素周期表第４族金属錯体をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、有機化合物を含む層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施の形態においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。

さらに、有機化合物を含む層３７１６上に形成される第２の電極３７１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）を用いればよい。なお、有機化合物を含む層３７１６で生じた光が第２の電極３７１７を透過させる場合には、第２の電極（陰極）３７１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

さらにシール材３７０５で封止基板３７０４を基板３７１０と貼り合わせることにより、基板３７１０、封止基板３７０４、およびシール材３７０５で囲まれた空間３７０７にＥＬ素子３７１８が備えられた構造になっている。なお、空間３７０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材３７０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材３７０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板３７０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明の画素構成を有する表示パネルを得ることができる。なお、上述した構成は一例であって本発明の表示パネルの構成はこれに限定されない。

図３７示すように、信号線駆動回路３７０１、画素部３７０２及び第１の走査線駆動回路３７０３及びを一体形成することで、表示装置の低コスト化が図れる。

なお、表示パネルの構成としては、図３７（ａ）に示したように信号線駆動回路３７０１、画素部３７０２及び走査線駆動回路３７０３を一体形成した構成に限られず、信号線駆動回路３７０１に相当する図４３に示す信号線駆動回路４３０１をＩＣチップ上に形成して、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。なお、図４３（ａ）の基板４３００、画素部４３０２、走査線駆動回路４３０３、ＦＰＣ４３０５、ＩＣチップ４３０６、ＩＣチップ４３０７、封止基板４３０８、シール材４３０９は図３７（ａ）の基板３７１０、画素部３７０２、走査線駆動回路３７０３、ＦＰＣ３７０９、ＩＣチップ３７１９、ＩＣチップ３７２２、封止基板３７０４、シール材３７０５に相当する。

つまり、駆動回路の高速動作が要求される信号線駆動回路のみを、ＣＭＯＳ等を用いてＩＣチップに形成し、低消費電力化を図る。また、ＩＣチップはシリコンウエハ等の半導体チップとすることで、より高速動作且つ低消費電力化を図れる。

そして、走査線駆動回路４３０３を画素部４３０２と一体形成することで、低コスト化が図れる。

こうして、高精細な表示装置の低コスト化が図れる。また、ＦＰＣ４３０５と基板４３００との接続部において機能回路（メモリやバッファ）が形成されたＩＣチップを実装することで基板面積を有効利用することができる。

また、図４３（ａ）の信号線駆動回路４３０１、走査線駆動回路４３０３に相当する図４３（ｂ）の信号線駆動回路４３１１、走査線駆動回路４３１３をＩＣチップ上に形成して、ＣＯＧ等で表示パネルに実装した構成としても良い。この場合には高精細な表示装置をより低消費電力にすることが可能である。よって、より消費電力が少ない表示装置とするためには、画素部に用いられるトランジスタの半導体層にはポリシリコンを用いることが望ましい。なお、図４３（ｂ）の基板４３１０、画素部４３１２、ＦＰＣ４３１５、ＩＣチップ４３１６、ＩＣチップ４３１７、封止基板４３１８、シール材４３１９は図４３（ａ）の基板４３００、画素部４３０２、ＦＰＣ４３０５、ＩＣチップ４３０６、ＩＣチップ４３０７、封止基板４３０８、シール材４３０９に相当する。

また、画素部４３１２のトランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることにより低コスト化を図ることができる。さらに、大型の表示パネルを作製することも可能となる。

また、画素の行方向及び列方向のそれぞれに信号線駆動回路及び走査線駆動回路を設けなくても良い。例えば、図４４（ａ）に示すようにＩＣチップ上に形成された周辺駆動回路４４０１が図４３（ｂ）に示す、走査線駆動回路４３１３及び信号線駆動回路４３１１の機能を有するようにしても良い。なお、図４４（ａ）の基板４４００、画素部４４０２、ＦＰＣ４４０４、ＩＣチップ４４０５、ＩＣチップ４４０６、封止基板４４０７、シール材４４０８は図４３（ｂ）の基板４３１０、画素部４３１２、ＦＰＣ４３１５、ＩＣチップ４３１６、ＩＣチップ４３１７、封止基板４３１８、シール材４３１９に相当する。

なお、図４４（ａ）の表示装置の配線の接続を説明する模式図を図４４（ｂ）に示す。基板４４１０、周辺駆動回路４４１１、画素部４４１２、ＦＰＣ４４１３、ＦＰＣ４４１４有する。ＦＰＣ４４１３より周辺駆動回路４４１１に外部からの信号及び電源電位が入力される。そして、周辺駆動回路４４１１からの出力は、画素部４４１２の有する画素に接続された行方向及び列方向の配線に入力される。

さらに、ＥＬ素子３７１８に適用可能なＥＬ素子の例を図３８（ａ）、（ｂ）に示す。つまり、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４及び本実施の形態で示した画素に適用可能なＥＬ素子の構成について図３８（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。

図３８（ａ）のＥＬ素子は、基板３８０１の上に陽極３８０２、正孔注入材料からなる正孔注入層３８０３、その上に正孔輸送材料からなる正孔輸送層３８０４、発光層３８０５、電子輸送材料からなる電子輸送層３８０６、電子注入材料からなる電子注入層３８０７、そして陰極３８０８を積層させた素子構造である。ここで、発光層３８０５は、一種類の発光材料のみから形成されることもあるが、２種類以上の材料から形成されてもよい。また本発明の素子の構造は、この構造に限定されない。

また、図３８（ａ）で示した各機能層を積層した積層構造の他、高分子化合物を用いた素子、発光層に三重項励起状態から発光する三重項発光材料を利用した高効率素子など、バリエーションは多岐にわたる。ホールブロック層によってキャリヤの再結合領域を制御し、発光領域を二つの領域にわけることによって得られる白色ＥＬ素子などにも応用可能である。

図３８（ａ）に示す本発明の素子作製方法は、まず、陽極３８０２（ＩＴＯ）を有する基板３８０１に正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料を順に蒸着する。次に電子輸送材料、電子注入材料を蒸着し、最後に陰極３８０８を蒸着で形成する。

次に、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料の材料に好適な材料を以下に列挙する。

正孔注入材料としては、有機化合物でればポルフィリン系の化合物や、フタロシアニン（以下「Ｈ_２Ｐｃ」と記す）、銅フタロシアニン（以下「ＣｕＰｃ」と記す）などが有効である。また、使用する正孔輸送材料よりもイオン化ポテンシャルの値が小さく、かつ、正孔輸送機能をもつ材料であれば、これも正孔注入材料として使用できる。導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下「ＰＳＳ」と記す）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下「ＰＥＤＯＴ」と記す）や、ポリアニリンなどが挙げられる。また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有効であり、ポリイミド（以下「ＰＩ」と記す）がよく用いられる。さらに、無機化合物も用いられ、金や白金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム（以下「アルミナ」と記す）の超薄膜などがある。

正孔輸送材料として最も広く用いられているのは、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物である。広く用いられている材料として、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）−ビフェニル（以下、「ＴＡＤ」と記す）や、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、「ＴＰＤ」と記す）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、「α−ＮＰＤ」と記す）がある。４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ− ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、「ＴＤＡＴＡ」と記す）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ− フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（以下、「ＭＴＤＡＴＡ」と記す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。

電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、先に述べたＡｌｑ、ＢＡｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、「Ａｌｍｑ」と記す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下、「ＢｅＢｑ」と記す）などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体などがある。また、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ（ＢＯＸ）_２」と記す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、「Ｚｎ（ＢＴＺ）_２」と記す）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、「ＰＢＤ」と記す）、ＯＸＤ−７などのオキサジアゾール誘導体、ＴＡＺ、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−２，３、４−トリアゾール（以下、「ｐ−ＥｔＴＡＺ」と記す）などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン（以下、「ＢＰｈｅｎ」と記す）、ＢＣＰなどのフェナントロリン誘導体が電子輸送性を有する。

電子注入材料としては、上で述べた電子輸送材料を用いることができる。その他に、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどの金属ハロゲン化物や、酸化リチウムなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよく用いられる。また、リチウムアセチルアセトネート（以下、「Ｌｉ（ａｃａｃ）」と記す）や８−キノリノラト−リチウム（以下、「Ｌｉｑ」と記す）などのアルカリ金属錯体も有効である。

発光材料としては、先に述べたＡｌｑ、Ａｌｍｑ、ＢｅＢｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。蛍光色素としては、青色の４，４’−ビス（２，２ − ジフェニル−ビニル）−ビフェニルや、赤橙色の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランなどがある。また、三重項発光材料も可能であり、白金ないしはイリジウムを中心金属とする錯体が主体である。三重項発光材料として、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、ビス（２−（４’−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）アセチルアセトナトイリジウム（以下「ａｃａｃＩｒ（ｔｐｙ）_２」と記す）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈポルフィリン−白金などが知られている。

以上で述べたような各機能を有する材料を、各々組み合わせ、高信頼性のＥＬ素子を作製することができる。

また、図３８（ｂ）に示すように図３８（ａ）とは逆の順番に層を形成したＥＬ素子を用いることができる。つまり、基板３８１１の上に陰極３８１８、電子注入材料からなる電子注入層３８１７、その上に電子輸送材料からなる電子輸送層３８１６、発光層３８１５、正孔輸送材料からなる正孔輸送層３８１４、正孔注入材料からなる正孔注入層３８１３、そして陽極３８１２を積層させた素子構造である。

また、ＥＬ素子は発光を取り出すために少なくとも陽極又は陰極の一方が透明であればよい。そして、基板上にＴＦＴ及びＥＬ素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造のＥＬ素子があり、本発明の画素構成はどの射出構造のＥＬ素子にも適用することができる。

上面射出構造のＥＬ素子について図３９（ａ）を用いて説明する。

基板３９００上に駆動用ＴＦＴ３９０１が形成され、駆動用ＴＦＴ３９０１のソース電極に接して第１の電極３９０２が形成され、その上に有機化合物を含む層３９０３と第２の電極３９０４が形成されている。

また、第１の電極３９０２はＥＬ素子の陽極である。そして第２の電極３９０４はＥＬ素子の陰極である。つまり、第１の電極３９０２と第２の電極３９０４とで有機化合物を含む層３９０３が挟まれているところがＥＬ素子となる。

また、ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。光を反射する金属膜を用いることで光を透過させない陽極を形成することができる。

また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。

こうして、図３９（ａ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を上面に取り出すことが可能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、封止基板３７０４側に光が射出することになる。従って上面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用いる場合には封止基板３７０４は光透過性を有する基板を用いる。

また、光学フィルムを設ける場合には、封止基板３７０４に光学フィルムを設ければよい。

なお、第１の電極３９０２を陰極として機能するＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等の仕事関数の小さい材料からなる金属膜を用いることができる。そして、第２の電極３９０４にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電膜を用いることができる。よって、この構成によれば、上面射出の透過率を高くすることができる。

また、下面射出構造のＥＬ素子について図３９（ｂ）を用いて説明する。射出構造以外は図３９（ａ）と同じ構造のＥＬ素子であるため同じ符号を用いて説明する。

ここで、陽極として機能する第１の電極３９０２に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜などの透明導電膜を用いることができる。透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陽極を形成することができる。

また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）からなる金属膜を用いることができる。こうして、光を反射する金属膜を用いることで光が透過しない陰極を形成することができる。

こうして、図３９（ｂ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を下面に取り出すことが可能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、基板３７１０側に光が射出することになる。従って下面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用いる場合には封止基板３７０４は光透過性を有する基板を用いる。

また、光学フィルムを設ける場合には、基板３７１０に光学フィルムを設ければよい。

両面射出構造のＥＬ素子について図３９（ｃ）を用いて説明する。射出構造以外は図３９（ａ）と同じ構造のＥＬ素子であるため同じ符号を用いて説明する。

また、陰極として機能する第２の電極３９０４に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、またはＣａ_３Ｎ_２）からなる金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。こうして薄い金属薄膜と、透明性を有する透明導電膜を用いることで光を透過させることが可能な陰極を形成することができる。

こうして、図３９（ｃ）の矢印に示すようにＥＬ素子からの光を両面に取り出すことが可能になる。つまり、図３７の表示パネルに適用した場合には、基板３７１０側と封止基板３７０４側に光が射出することになる。従って両面射出構造のＥＬ素子を表示装置に用いる場合には基板３７１０および封止基板３７０４は、ともに光透過性を有する基板を用いる。

また、光学フィルムを設ける場合には、基板３７１０および封止基板３７０４の両方に光学フィルムを設ければよい。

また、白色のＥＬ素子とカラーフィルターを用いてフルカラー表示を実現する表示装置にも本発明を適用することが可能である。

図４０に示すように、基板４０００上に下地膜４００２が形成され、その上に駆動用ＴＦＴ４００１が形成され、駆動用ＴＦＴ４００１のソース電極に接して第１の電極４００３が形成され、その上に有機化合物を含む層４００４と第２の電極４００５が形成されている。

また、第１の電極４００３はＥＬ素子の陽極である。そして第２の電極４００５はＥＬ素子の陰極である。つまり、第１の電極４００３と第２の電極４００５とで有機化合物を含む層４００４が挟まれているところがＥＬ素子となる。図４０の構成では白色光を発光する。そして、ＥＬ素子の上部に赤色のカラーフィルター４００６Ｒ、緑色のカラーフィルター４００６Ｇ、青色のカラーフィルター４００６Ｂを設けられており、フルカラー表示を行うことができる。また、これらのカラーフィルターを隔離するブラックマトリクス（ＢＭともいう）４００７が設けられている。

上述したＥＬ素子の構成は組み合わせて用いることができ、本発明の画素構成を有する表示装置に適宜用いることができる。また、上述した表示パネルの構成や、ＥＬ素子は例示であり、もちろん本発明の画素構成は他の構成の表示装置に適用することもできる。

次に、表示パネルの画素部の部分断面図を示す。

まず、トランジスタの半導体層に結晶性半導体膜（ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜）を用いた場合について図４１及び図４２を用いて説明する。

ここで、半導体層は、例えば基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を公知の成膜法で形成する。なお、アモルファスシリコン膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む半導体膜（微結晶半導体膜を含む）であれば良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でも良い。

そして、アモルファスシリコン膜をレーザ結晶化法や、ＲＴＡやファーネスアニール炉を用いた熱結晶化法や、結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法などとにより結晶化させる。もちろん、これらを組み合わせて行っても良い。

上述した結晶化によって、非晶質半導体膜に部分的に結晶化された領域が形成される。

さらに、部分的に結晶性が高められた結晶性半導体膜を所望の形状にパターニングして、結晶化された領域から島状の半導体膜を形成する。この半導体膜をトランジスタの半導体層に用いる。なお、パターニングとは、膜を形状加工することをいい、フォトリソグラフィー技術によって膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクトホールを形成することや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含む）や、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパターンを用いてエッチング加工を行うことなどをいう。

図４１に示すように、基板４１０１上に下地膜４１０２が形成され、その上に半導体層が形成されている。半導体層は駆動トランジスタ４１１８のチャネル形成領域４１０３及びソース又はドレイン領域となる不純物領域４１０５、並びに容量素子４１１９の下部電極となるチャネル形成領域４１０６、ＬＤＤ領域４１０７及び不純物領域４１０８を有する。なお、チャネル形成領域４１０３及びチャネル形成領域４１０６にはチャネルドープが行われていても良い。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることができる。また、下地膜４１０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

半導体層上にはゲート絶縁膜４１０９を介してゲート電極４１１０及び容量素子の上部電極４１１１が形成されている。

駆動トランジスタ４１１８及び容量素子４１１９を覆って層間絶縁膜４１１２が形成され、層間絶縁膜４１１２上にコンタクトホールを介して配線４１１３が不純物領域４１０５と接している。配線４１１３に接して画素電極４１１４が形成され、画素電極４１１４の端部及び配線４１１３を覆って絶縁物４１１５が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。そして、画素電極４１１４上に有機化合物を含む層４１１６及び対向電極４１１７が形成され、画素電極４１１４と対向電極４１１７とで有機化合物を含む層４１１６が挟まれた領域ではＥＬ素子４１２０が形成されている。

また、図４１（ｂ）に示すように、容量素子４１１９の下部電極の一部を構成するＬＤＤ領域が、上部電極４１１１と重なるような領域４１２３を設けても良い。なお、図４１（ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。

また、図４２（ａ）に示すように、駆動トランジスタ４１１８の不純物領域４１０５と接する配線４１１３と同じ層に形成された第２の上部電極４１２１を有していても良い。なお、図４１（ａ）と共通するところは共通の符号を用い、説明は省略する。第２の上部電極４１２１と上部電極４１１１とで層間絶縁膜４１１２を挟みこみ、第２の容量素子を構成している。また、第２の上部電極４１２１は不純物領域４１０８と接しているため、上部電極４１１１とチャネル形成領域４１０６とでゲート絶縁膜４１０９を挟みこんで構成される第１の容量素子と、上部電極４１１１と第２の上部電極４１２１とで層間絶縁膜４１１２を挟みこんで構成される第２の容量素子と、が並列に接続され、第１の容量素子と第２の容量素子からなる容量素子４１２２を構成している。この容量素子４１２２の容量は第１の容量素子と第２の容量素子の容量を加算した合成容量であるため、小さい面積で大きな容量の容量素子を形成することができる。つまり、本発明の画素構成の容量素子として用いるとより開口率の向上が図れる。

また、図４２（ｂ）に示すような容量素子の構成としても良い。基板４２０１上に下地膜４２０２が形成され、その上に半導体層が形成されている。半導体層は駆動トランジスタ４２１８のチャネル形成領域４２０３及びソース又はドレイン領域となる不純物領域４２０５を有する。なお、チャネル形成領域４２０３はチャネルドープが行われていても良い。

半導体層上にはゲート絶縁膜４２０６を介してゲート電極４２０７及び第１の電極４２０８が形成されている。

駆動トランジスタ４２１８及び第１の電極４２０８を覆って第１の層間絶縁膜４２０９が形成され、第１の層間絶縁膜４２０９上にコンタクトホールを介して配線４２１０が不純物領域４２０５と接している。また、配線４２１０と同じ材料からなる同層の第２の電極４２１１が形成される。

さらに、配線４２１０及び第２の電極４２１１を覆うように第２の層間絶縁膜４２１２が形成され、第２の層間絶縁膜４２１２上にコンタクトホールを介して、配線４２１０と接して画素電極４２１３が形成されている。また、画素電極４２１３のと同じ材料からなる同層の第３の電極４２１４が形成されている。ここで、第１の電極４２０８、第２の電極４２１１及び第３の電極４２１４からなる容量素子４２１９が形成される。

画素電極４２１３と第３の電極４２１４の端部を覆って絶縁物４２１５が形成され、第３の絶縁物４２１５及び第３の電極４２１４上に有機化合物を含む層４２１６及び対向電極４２１７が形成され、画素電極４２１３と対向電極４２１７とで有機化合物を含む層４２１６が挟まれた領域ではＥＬ素子４２２０が形成されている。

上述したように、結晶性半導体膜を半導体層に用いたトランジスタの構成は図４１及び図４２に示したような構成が挙げられる。なお、図４１及び図４２に示したトランジスタの構造はトップゲートの構造のトランジスタの一例である。つまり、トランジスタはＰ型でもＮ型でもよい。Ｎ型の場合には、ＬＤＤ領域はゲート電極と重なっていても良いし、ゲート電極と重なっていなくても良いし、又はＬＤＤ領域の一部の領域が重なっていてもよい。さらに、ゲート電極はテーパー形状でもよく、ゲート電極のテーパー部の下部にＬＤＤ領域が自己整合的に設けられていても良い。また、ゲート電極は二つに限られず三以上のマルチゲート構造でも良いし、一つのゲート電極でも良い。

また、半導体層にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いたトランジスタの構成として、基板と半導体層の間にゲート電極が挟まれた構造、つまり、半導体層の下にゲート電極が位置するボトムゲートのトランジスタを適用した表示パネルの部分断面を図４５に示す。

基板４５０１上に下地膜４５０２が形成されている。さらに下地膜４５０２上にゲート電極４５０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極４５０４が形成されている。ゲート電極４５０３の材料にはリンが添加された多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリサイドでもよい。

また、ゲート電極４５０３及び第１の電極４５０４を覆うようにゲート絶縁膜４５０５が形成されている。ゲート絶縁膜４５０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。

また、ゲート絶縁膜４５０５上に、半導体層が形成されている。半導体層は駆動トランジスタ４５２２のチャネル形成領域４５０６、ＬＤＤ領域４５０７及びソース又はドレイン領域となる不純物領域４５０８、並びに容量素子４５２３の第２の電極となるチャネル形成領域４５０９、ＬＤＤ領域４５１０及び不純物領域４５１１を有する。なお、チャネル形成領域４５０６及びチャネル形成領域４５０９はチャネルドープが行われていても良い。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることができる。また、下地膜４５０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

半導体層を覆って第１の層間絶縁膜４５１２が形成され、第１の層間絶縁膜４５１２上にコンタクトホールを介して配線４５１３が不純物領域４５０８と接している。また、配線４５１３と同層に同じ材料で第３の電極４５１４が形成されている。第１の電極４５０４、第２の電極、第３の電極４５１４によって容量素子４５２３が構成されている。

また、第１の層間絶縁膜４５１２には開口部４５１５が形成されている。駆動トランジスタ４５２２、容量素子４５２３及び開口部４５１５を覆うように第２の層間絶縁膜４５１６が形成され、第２の層間絶縁膜４５１６上にコンタクトホールを介して、画素電極４５１７が形成されている。また、画素電極４５１７の端部を覆って絶縁物４５１８が形成されている。例えば、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。そして、画素電極４５１７上に有機化合物を含む層４５１９及び対向電極４５２０が形成され、画素電極４５１７と対向電極４５２０とで有機化合物を含む層４５１９が挟まれた領域ではＥＬ素子４５２１が形成されている。そして、ＥＬ素子４５２１の下部に開口部４５１５が位置している。つまり、ＥＬ素子４５２１からの発光を基板側から取り出すときには開口部４５１５を有するため透過率を高めることができる。

また、図４５（ａ）において画素電極４５１７と同層に同じ材料を用いて第４の電極４５２４を形成して、図４５（ｂ）のような構成としてもよい。すると、第１の電極４５０４、第２の電極、第３の電極４５１４及び第４の電極４５２４によって構成される容量素子４５２５を形成することができる。

次に、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を用いた場合について説明する。図４６にはトップゲートのトランジスタ、図４７及び図４５にはボトムゲートのトランジスタの場合について示す。

アモルファスシリコンを半導体層に用いた順スタガ構造のトランジスタの断面を図４６（ａ）に示す。に示すように、基板４６０１上に下地膜４６０２が形成されている。さらに下地膜４６０２上に画素電極４６０３が形成されている。また、画素電極４６０３と同層に同じ材料からなる第１の電極４６０４が形成されている。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることができる。また、下地膜４６０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

また、下地膜４６０２上に配線４６０５及び配線４６０６が形成され、画素電極４６０３の端部が配線４６０５で覆われている。配線４６０５及び配線４６０６の上部にＮ型の導電型を有するＮ型半導体層４６０７及びＮ型半導体層４６０８が形成されている。また、配線４６０６と配線４６０５の間であって、下地膜４６０２上に半導体層４６０９が形成されている。そして、半導体層４６０９の一部はＮ型半導体層４６０７及びＮ型半導体層４６０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されている。また、半導体層４６０９上にゲート絶縁膜４６１０が形成されている。また、ゲート絶縁膜４６１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜４６１１が第１の電極４６０４上にも形成されている。なお、ゲート絶縁膜４６１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。

また、ゲート絶縁膜４６１０上に、ゲート電極４６１２が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料でなる第２の電極４６１３が第１の電極４６０４上に絶縁膜４６１１を介して形成されている。第１の電極４６０４及び第２の電極４６１３で絶縁膜４６１１を挟まれた容量素子４６１９が形成されている。また、画素電極４６０３の端部、駆動トランジスタ４６１８及び容量素子４６１９を覆い、層間絶縁膜４６１４が形成されている。

層間絶縁膜４６１４及びその開口部に位置する画素電極４６０３上に有機化合物を含む層４６１５及び対向電極４６１６が形成され、画素電極４６０３と対向電極４６１６とで有機化合物を含む層４６１５が挟まれた領域ではＥＬ素子４６１７が形成されている。

また、図４６（ａ）に示す第１の電極４６０４を図４６（ｂ）に示すように第１の電極４６２０で形成してもよい。第１の電極４６２０は配線４６０５及び４６０６と同層の同一材料で形成されている。

また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用いた表示パネルの部分断面を図４７に示す。

基板４７０１上に下地膜４７０２が形成されている。さらに下地膜４７０２上にゲート電極４７０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極４７０４が形成されている。ゲート電極４７０３の材料にはリンが添加された多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリサイドでもよい。

また、ゲート電極４７０３及び第１の電極４７０４を覆うようにゲート絶縁膜４７０５が形成されている。ゲート絶縁膜４７０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。

また、ゲート絶縁膜４７０５上に、半導体層４７０６が形成されている。また、半導体層４７０６と同層に同じ材料からなる半導体層４７０７が形成されている。

基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板などを用いることができる。また、下地膜４７０２としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化窒化珪素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。

半導体層４７０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層４７０８、４７０９が形成され、半導体層４７０７上にはＮ型半導体層４７１０が形成されている。

Ｎ型半導体層４７０８、４７０９、４７１０上にはそれぞれ配線４７１１、４７１２が形成され、Ｎ型半導体層４７１０上には配線４７１１及び４７１２と同層の同一材料からなる導電層４７１３が形成されている。

半導体層４７０７、Ｎ型半導体層４７１０及び導電層４７１３からなる第２の電極が構成される。なお、この第２の電極と第１の電極４７０４でゲート絶縁膜４７０５を挟み込んだ構造の容量素子４７２０が形成されている。

また、配線４７１１の一方の端部は延在し、その延在した配線４７１１上部に接して画素電極４７１４が形成されている。

また、画素電極４７１４の端部、駆動トランジスタ４７１９及び容量素子４７２０を覆うように絶縁物４７１５が形成されている。

画素電極４７１４及び絶縁物４７１５上には有機化合物を含む層４７１６及び対向電極４７１７が形成され、画素電極４７１４と対向電極４７１７とで有機化合物を含む層４７１６が挟まれた領域ではＥＬ素子４７１８が形成されている。

容量素子の第２の電極の一部となる半導体層４７０７及びＮ型半導体層４７１０は設けなくても良い。つまり第２の電極は導電層４７１３とし、第１の電極４７０４と導電層４７１３でゲート絶縁膜４７０５が挟まれた構造の容量素子としてもよい。

なお、図４７（ａ）において、配線４７１１を形成する前に画素電極４７１４を形成することで、図４７（ｂ）に示すような、画素電極４７１４からなる第２の電極４７２１と第１の電極４７０４でゲート絶縁膜４７０５が挟まれた構造の容量素子４７２２を形成することができる。

なお、図４７では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの場合について、図４８（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。

図４８（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４７（ａ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ４７１９の半導体層４７０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物４８０１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。

また、同様に、図４５（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図４７（ｂ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ４７１９の半導体層４７０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁物４８０１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。

画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレイン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。

なお、本発明の表示パネルに適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造のものを用いることができる。

（実施の形態１３）
本発明の表示装置は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。

図４９（Ａ）はディスプレイであり、筐体４９００１、支持台４９００２、表示部４９００３、スピーカー部４９００４、ビデオ入力端子４９００５等を含む。本発明の表示装置を表示部４９００３に用いることができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明の表示装置を表示部４９００３に用いたディスプレイは、画面の焼き付きを低減することができる。

近年、ディスプレイの大型化のニーズが強くなっている。そして、ディスプレイの大型化に伴い価格の上昇が問題となっている、よって、いかに製造コストの削減を図り、高品質な製品を少しでも低価格に抑えるかが課題となる。

図４９（Ｂ）はカメラであり、本体４９１０１、表示部４９１０２、受像部４９１０３、操作キー４９１０４、外部接続ポート４９１０５、シャッター４９１０６等を含む。

近年、デジタルカメラなどの高性能化に伴い、生産競争は激化している。そして、いかに高性能なものを低価格に抑えるかが重要となる。本発明の表示装置を表示部４９１０２に用いたデジタルカメラは、画面の焼き付きを低減することができる。

図４９（Ｃ）はコンピュータであり、本体４９２０１、筐体４９２０２、表示部４９２０３、キーボード４９２０４、外部接続ポート４９２０５、ポインティングマウス４９２０６等を含む。本発明の表示装置を表示部４９２０３に用いたコンピュータは、画面の焼き付きを低減することができる。

図４９（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体４９３０１、表示部４９３０２、スイッチ４９３０３、操作キー４９３０４、赤外線ポート４９３０５等を含む。本発明の表示装置を表示部４９３０２に用いたモバイルコンピュータは、画面の焼き付きを低減することができる。

図４９（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体４９４０１、筐体４９４０２、表示部Ａ４９４０３、表示部Ｂ４９４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部４９４０５、操作キー４９４０６、スピーカー部４９４０７等を含む。表示部Ａ４９４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ４９４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明の表示装置を表示部Ａ４９４０３や表示部Ｂ４９４０４に用いた画像再生装置は、画面の焼き付きを低減することができる。

図４９（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体４９５０１、表示部４９５０２、アーム部４９５０３を含む。本発明の表示装置を表示部４９５０２に用いたゴーグル型ディスプレイは、画面の焼き付きを低減することができる。

図４９（Ｇ）はビデオカメラであり、本体４９６０１、表示部４９６０２、筐体４９６０３、外部接続ポート４９６０４、リモコン受信部４９６０５、受像部４９６０６、バッテリー４９６０７、音声入力部４９６０８、操作キー４９６０９、接眼部４９６１０等を含む。本発明の表示装置を表示部４９６０２に用いたビデオカメラは、画面の焼き付きを低減することができる。

図４９（Ｈ）は携帯電話機であり、本体４９７０１、筐体４９７０２、表示部４９７０３、音声入力部４９７０４、音声出力部４９７０５、操作キー４９７０６、外部接続ポート４９７０７、アンテナ４９７０８等を含む。

このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。

（実施の形態１４）
本実施の形態において、本発明の表示装置を表示部に有する携帯電話機の構成例について図５２を用いて説明する。

表示パネル５２１０はハウジング５２００に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５２００は表示パネル５２１０のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル５２１０を固定したハウジング５２００はプリント基板５２０１に嵌入されモジュールとして組み立てられる。

表示パネル５２１０はＦＰＣ５２１１を介してプリント基板５２０１に接続される。プリント基板５２０１には、スピーカ５２０２、マイクロフォン５２０３、送受信回路５２０４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５２０５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段５２０６、バッテリ５２０７を組み合わせ、筐体５２０９に収納する。表示パネル５２１０の画素部は筐体５２０９に形成された開口窓から視認できように配置する。

表示パネル５２１０は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で表示パネル５２１０に実装しても良い。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した表示パネルの構成は図４３（ａ）に一例を示してある。このような構成とすることで、表示装置の低消費電力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。また、携帯電話機の低コスト化を図ることができる。

また、本実施の形態に示した構成は携帯電話の一例であって、本発明の表示装置はこのような構成の携帯電話機に限られず様々な構成の携帯電話機に適用することができる。

（実施の形態１５）
図５０は表示パネル５００１と、回路基板５００２を組み合わせたＥＬモジュールを示している。表示パネル５００１は画素部５００３、走査線駆動回路５００４及び信号線駆動回路５００５を有している。回路基板５００２には、例えば、コントロール回路５００６や信号分割回路５００７などが形成されている。表示パネル５００１と回路基板５００２は接続配線５００８によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることができる。

表示パネル５００１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にＴＦＴを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）などで表示パネル５００１に実装するとよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて表示パネル５００１に実装しても良い。なお、一部の周辺駆動回路を基板上に画素部と一体形成し、他の周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図４３（ａ）に一例を示してある。

また、さらに消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）表示パネルに実装してもよい。

なお、非晶質半導体膜を、画素を構成するトランジスタの半導体層に適用する場合には、基板上にＴＦＴを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で表示パネルに実装するとよい。なお、基板上に画素部を形成し、その基板上に周辺駆動回路を形成したＩＣチップをＣＯＧ等で実装した構成は図４３（ｂ）に一例を示してある。

このＥＬモジュールによりＥＬテレビ受像機を完成させることができる。図５１は、ＥＬテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ５１０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５１０２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５１０３と、その映像信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路５００６により処理される。コントロール回路５００６は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５００７を設け、入力デジタル信号をｍ個に分割して供給する構成としても良い。

チューナ５１０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５１０４に送られ、その出力は音声信号処理回路５１０５を経てスピーカー５１０６に供給される。制御回路５１０７は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５１０８から受け、チューナ５１０１や音声信号処理回路５１０５に信号を送出する。

図４９（Ａ）に示すように、図５０のＥＬモジュールを筐体４９００１に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。ＥＬモジュールにより、表示部４９００３が形成される。また、スピーカー部４９００４、ビデオ入力端子４９００５などが適宜備えられている。

勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。

（Ａ）黒文字モードを説明する図、（Ｂ）白文字モードを説明する図。（Ａ）黒文字モードを説明する図、（Ｂ）白文字モードを説明する図。（Ａ）黒縁白抜き文字モードを説明する図、（Ｂ）白縁黒抜き文字モードを説明する図。Ａ）黒縁白抜き文字モードを説明する図、（Ｂ）白縁黒抜き文字モードを説明する図。文字のシフトを説明する図。文字のシフトを説明する図。文字のシフトを説明する図。画像のシフトを説明する図。文字の書体の変更を説明する図。文字の大きさの変更を説明する図。アイコンのシフトを説明する図。アイコンの回転を説明する図。アイコンのシフトを説明する図。アイコンのシフトを説明する図。ピクトのシフトを説明する図。ピクト表示領域の白黒反転を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。本発明の表示方法を説明する図。本発明の表示方法を説明する図。本発明の表示装置の構成を説明する図。文字の書体を説明する図。文字の書体を説明する図。文字の書体の変更を説明する図。本発明の表示装置に適用可能な画素構成を示す図。時間階調法の駆動方法を説明する図。画素のドットを説明する図。表示画面のシフトを説明する図。スタートパルス信号のタイミングチャート。本発明の表示装置のブロック図。遅延回路の構成を示す図。ＤＦＦの構成を示す図。本発明の表示装置のブロック図。本発明の表示装置を示す図。本発明の表示装置のブロック図。本発明の表示パネルを説明する図。本発明の表示装置に適用可能な発光素子を説明する図。本発明の表示パネルを説明する図。本発明の表示パネルを説明する図。本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。本発明の表示パネルを説明する図。本発明の表示パネルを説明する図。本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。本発明の画素に適用可能なトランジスタや容量素子の構成を説明する図。本発明の表示装置が適用可能な電子機器を説明する図。ＥＬモジュールの例を示す図。ＥＬテレビ受像機の主要な構成を示すブロック図。携帯電話機の構成例を示す図。本発明の表示装置のブロック図。記憶回路部へデータを記憶させるフローチャート。記憶回路部へデータを記憶させるフローチャート。焼き付き補正のフローチャート。焼き付き補正のフローチャート。

Claims

電池と、
第１の表示モードと、第２の表示モードと、の切り替えを前記電池の残量にしたがって行う回路と、を有し、
前記第１の表示モードと前記第２の表示モードは表示画像の明暗が反転していることを特徴とする表示装置。
電池と、
第１の表示色又は第２の表示色による文字の表示の切り替えを前記電池の残量にしたがって行う回路と、
を有することを特徴とする表示装置。
文字を黒表示とする第１の表示モードと、文字を白表示とし、前記文字の枠を黒表示とする第２の表示モードとの切り替えを行う回路と、を有することを特徴とする表示装置。
請求項３において、前記回路は、日毎にモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項３において、前記回路は、時間毎にモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項３において、前記回路は、一定期間操作しないとモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項３において、前記回路は、電源投入の度にモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項３において、前記回路は、電子メールの受信と送信とでモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
文字を白表示とする第１の表示モードと、文字を黒表示とし、前記文字の枠を白表示とする第２の表示モードとのモード切り替えを行う回路と、を有することを特徴とする表示装置。
請求項９において、前記回路は、日毎にモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項９において、前記回路は、時間毎にモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項９において、前記回路は、一定期間操作しないとモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項９において、前記回路は、電源投入の度にモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
請求項９において、前記回路は、電子メールの受信と送信とでモードを切り替えることを特徴とする表示装置。
文字の呈示位置をシフトすることによって表示画像を変更する回路を有し、
一文字の表示に必要な画素ブロックは矩形型に配置され、
前記画素ブロックの縦の長さをａ、横の長さをｂとすると、前記回路は、文字の呈示位置を縦方向にｘ（−ａ≦ｘ≦ａ）、横方向にｙ（−ｂ≦ｙ≦ｂ）シフトすることを特徴とする表示装置。
請求項１５において、前記制御回路は、日毎に文字をシフトさせることを特徴とする表示装置。
請求項１５において、前記制御回路は、時間毎に文字をシフトさせることを特徴とする表示装置。
請求項１５において、前記制御回路は、一定期間操作しないと文字をシフトさせることを特徴とする表示装置。
請求項１５において、前記制御回路は、電源投入の度に文字をシフトさせることを特徴とする表示装置。
請求項１５において、前記制御回路は、文字を入力する度に文字をシフトさせることを特徴とする表示装置。
請求項１５において、前記制御回路は、一行分の文字を入力する度に文字をシフトさせることを特徴とする表示装置。
アイコンの累積表示時間及びアイコンの表示されない表示領域の平均画素累積点灯時間をカウントするカウンタと、
前記カウンタによりカウントされたデータを記憶する記憶回路部と、
前記記憶回路部に記憶されたデータを用いて、前記アイコンの画素の輝度と前記アイコンの表示されない領域の画素の平均輝度を等しくなるように画像信号を補正する補正回路と、
を有することを特徴とする表示装置。