JP2007072044A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】 光源光の利用効率を向上させることが可能な液晶装置を提供する。
【解決手段】 画像表示単位となる複数のサブ画素領域30と、そのサブ画素領域30内の透過表示領域Tに光源光を集光するレンズ70とを備え、そのレンズ70は、複数のサブ画素領域30に跨って配置されたシリンドリカルレンズであり、そのシリンドリカルレンズの幅方向(X方向)と、レンズ70に入射する直線偏光の振動方向36aとが、45°未満の角度をなすように、好ましくは略平行に配置されている。
【選択図】 図4

Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。
図11は、従来技術に係る液晶装置の側面断面図である。観察者側基板20と光源側基板10との間に液晶層50が挟持された液晶装置の一種として、反射表示モードと透過表示モードとを兼ね備えた半透過反射型の液晶装置が知られている。このような半透過反射型の液晶装置として、例えば中央に窓部28を有する反射膜27が、光源側基板10の内面に形成されたものが提案されている。
反射表示モードでは、観察者側基板20から入射した外光92が、液晶層50を通過した後に光源側基板10の反射膜27で反射され、再び液晶層50を通過し観察者側基板20から出射されて表示に寄与する。一方、透過表示モードでは、光源側基板10から入射した光源光94が、窓部28および液晶層50を通過した後に、観察者側基板20から出射されて表示に寄与する。したがって、反射膜27の形成領域が反射表示領域Rとなり、反射膜27の非形成領域(窓部28の形成領域)が透過表示領域Tとなっている。
半透過反射型の液晶装置では、光源光の一部が透過表示領域Tに入射して表示に寄与するものの、光源光の残部はそれ以外の領域に入射して表示に寄与しないので、光源光の利用効率が低くなる。そこで、光源光の多くを透過表示領域Tに集光するマイクロレンズ(以下「レンズ」という。)70を設けることにより、光源光の利用効率を向上する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−250916号公報
しかしながら、光源光の全てがレンズ70の内部に入射するわけではなく、光源光の一部はレンズ70の表面で反射されることになる。その反射光の一部は、バックライト60のリフレクタ等により反射され光源光として再利用されるが、反射光の残部は、液晶装置の構成部材に吸収されて消滅する。そのため、光源光の利用効率のさらなる向上が望まれている。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、光源光の利用効率を向上させることが可能な液晶装置の提供を目的とする。
また、表示品質に優れた電子機器の提供を目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、画像表示単位となる複数のサブ画素領域と、前記サブ画素領域内の透過表示領域に光源光を集光するレンズと、を備えた液晶装置であって、前記レンズは、前記複数のサブ画素領域に跨って配置されたシリンドリカルレンズであり、前記シリンドリカルレンズの幅方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とのなす角度が、45°未満とされていることを特徴とする。
この構成によれば、レンズに入射するP偏光の光量をS偏光の光量より多くすることが可能になる。これにより、レンズ表面における反射率を小さくして、レンズ内部への入射率を大きくすることが可能になり、光源光の利用効率を向上させることができる。
また前記シリンドリカルレンズの幅方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、略平行とされていることが望ましい。
この構成によれば、P偏光のみをレンズに入射させることが可能になる。したがって、光源光の利用効率を最大化することができる。
一方、本発明に係る他の液晶装置は、画像表示単位となる複数のサブ画素領域と、前記サブ画素領域内の透過表示領域に光源光を集光するレンズと、を備えた液晶装置であって、前記レンズは、前記複数のサブ画素領域ごとに配置され二方向に曲率が異なるレンズであり、前記レンズの曲率半径が小さい方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、45°未満とされていることを特徴とする。
このレンズの曲率半径が小さい方向では、光源光の入射角が大きくなるので、S偏光とP偏光との反射率の差が大きくなる。そこで上記構成を採用し、曲率半径が小さい方向についてP偏光を多く入射させることにより、S偏光が多く入射する場合と比べてレンズ表面での反射率を小さくレンズ内部への入射率を大きくすることができる。一方、レンズの曲率半径が大きい方向では、光源光の入射角が小さくなるので、S偏光とP偏光との反射率の差が小さくなる。そのため、上記構成を採用することにより、曲率半径が大きい方向についてS偏光が多く入射しても、P偏光が多く入射する場合と比べて、レンズ表面での反射率およびレンズ内部への入射率には大差がない。したがって、光源光の利用効率を向上させることができる。
また前記レンズの曲率半径が小さい方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、略平行とされていることが望ましい。
この構成によれば、レンズに入射するP偏光の割合を最大化することが可能になる。したがって、光源光の利用効率を最大化することができる。
一方、本発明に係る他の液晶装置は、画像表示単位となる複数のサブ画素領域と、前記サブ画素領域内に配置された透過表示領域と、前記透過表示領域に光源光を集光するレンズと、を備えた液晶装置であって、前記レンズの厚さが変化する方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、45°未満とされていることが望ましい。
この構成によれば、上記各発明と同様に光源光の利用効率を向上させることができる。
一方、本発明に係る電子機器は、上述した液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、光源光の利用効率を向上させた輝度の高い液晶装置を備えているので、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
なお本明細書では、液晶装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。また、画像表示の最小単位となる領域を「サブ画素領域」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素領域の集合を「画素領域」と呼ぶ。また、サブ画素領域の内部において、液晶装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域を「反射表示領域」と呼び、液晶装置の背面側(前記表示面と反対側)から入射する光を利用した表示が可能な領域を「透過表示領域」と呼ぶ。また、「非選択電圧印加時」および「選択電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧近傍である時」および「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧に比べて十分高い時」を意味しているものとする。
(第1実施形態)
最初に、本発明の第1実施形態に係る液晶装置につき、図1ないし図4を用いて説明する。第1実施形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下「TFT」という。)素子を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置である。また第1実施形態の液晶装置は、サブ画素領域がストライプ配列された、全透過型の液晶装置である。
図1(a)は液晶装置を各構成要素とともにカラーフィルタ基板の側から見た平面図であり、図1(b)は図1(a)のH−H’線に沿う側面断面図である。
図1に示すように、本実施形態の液晶装置100では、TFTアレイ基板(以下「素子基板」という。)10と対向基板20とがシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶層50が封入されている。シール材52の外側の周辺回路領域には、データ信号駆動回路101および外部回路実装端子102が素子基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査信号駆動回路104が形成されている。また、対向基板20の角部においては、素子基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材106が配設されている。
(等価回路)
図2は、TFT素子を用いた液晶装置の等価回路図である。液晶装置の画像表示領域には、データ線6aおよびゲート線3aが格子状に配置され、両者の交点付近に画像表示単位であるサブ画素領域30が配置されている。マトリクス状に配置された複数のサブ画素領域30には、それぞれ画素電極15が形成されている。その画素電極15の側方には、当該画素電極15への通電制御を行うためのスイッチング素子であるTFT素子13が形成されている。このTFT素子13のソースには、データ線6aが電気的に接続されている。各データ線6aには画像信号S1、S2、‥、Snが供給される。
またTFT素子13のゲートには、ゲート線(走査線)3aが電気的に接続されている。ゲート線3aには、所定のタイミングでパルス的に走査信号G1、G2、‥、Gnが供給される。またTFT素子13のドレインには、画素電極15が電気的に接続されている。そして、ゲート線3aから供給された走査信号G1、G2、‥、Gnにより、スイッチング素子であるTFT素子13を一定期間だけオン状態にすると、データ線6aから供給された画像信号S1、S2、‥、Snが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、‥、Snは、画素電極15と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号S1、S2、‥、Snがリークするのを防止するため、画素電極15と容量線3bとの間に蓄積容量7が形成され、液晶容量と並列に配置されている。そして、上記のように液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて、階調表示が行われるようになっている。
(断面構造、平面構造)
図3および図4は第1実施形態に係る液晶装置の説明図であり、図3は図4のB−B線に沿う側面断面図であり、図4は図3のA−A線に沿う平面断面図である。
図4に示すように、第1実施形態では、画像表示単位となる複数のサブ画素領域30がストライプ配列されている。すなわち、各サブ画素領域30は長方形状とされ、その短手方向(X方向、第1方向)および長手方向(Y方向、第2方向)に沿ってマトリクス状に並列配置されている。各サブ画素領域30には、Y方向に沿って素子形成領域Sおよび透過表示領域Tが隣接配置されている。
素子形成領域Sには、TFT素子13が形成されている。そのTFT素子13のドレインには、第1容量電極7aが接続されている。その第1容量電極7aと平面的に重なるように、容量線3bから延設された第2容量電極7bが配置されている。そして第1容量電極7aおよび第2容量電極7bにより蓄積容量7が形成されている。
また透過表示領域Tには、矩形状の画素電極15が形成されている。この画素電極15は、コンタクトホール45を介して第1容量電極7aに接続されている。
図3に示すように、本実施形態の液晶装置100は、光源側に配置された素子基板10と、観察者側に配置された対向基板20と、一対の基板10,20の間に挟持された液晶層50とを主体として構成されている。なお観察者側に素子基板10を配置し、光源側に対向基板20を配置してもよい。
素子基板10は、ガラスやプラスチック、石英等の透光性材料からなる基板本体11を備えている。その基板本体11の内側には、上述したデータ線やゲート線、容量線、TFT素子等を含む素子形成層12が配置されている。その素子形成層12の内側には、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電性材料からなる画素電極15が形成されている。
一方の対向基板20も、ガラスやプラスチック、石英等の透光性材料からなる基板本体21を備えている。その基板本体21の内側には、カラーフィルタ層(以下「CF層」という。)22が形成されている。このCF層22には、異なる色光を透過する複数のカラーフィルタ(着色材層)と、入射光を透過しない遮光層23とが形成されている。遮光層23は、上述した素子形成領域Sに対応して形成されている。なお、遮光層23の非形成領域と画素電極15の形成領域とのオーバーラップ部分が、素子基板側からの入射光を利用した表示が可能な透過表示領域Tとなっている。
図4には、RGB3原色光をそれぞれ透過する複数のカラーフィルタ22R,22G,22Bを、二点差線で示している。各カラーフィルタは、サブ画素領域30に対応して形成されている。具体的には、同じ色光を透過するカラーフィルタがY方向に沿って並列配置され、異なる色光を透過するカラーフィルタがX方向に沿って順に並列配置されている。なおCF層は素子基板に設けてもよい。
図3に戻り、対向基板20の内側の略全面には、ITO等の透明導電性材料からなる共通電極25が形成されている。その共通電極25の表面には、ポリイミド等からなる配向膜29が形成されている。また素子基板10に形成された画素電極15の表面にも、ポリイミド等からなる配向膜19が形成されている。これらの配向膜19,29には、所定方向にラビング処理が施されている。さらに、液晶層50の厚さ(セルギャップ)を規制するため、フォトスペーサ59が形成されている。
そして、素子基板10と対向基板20との間には、液晶層50が挟持されている。この液晶層50を構成する液晶材料として、非選択電圧印加時には配向膜に対して水平に配向し、選択電圧印加時には配向膜に対して垂直に(すなわち、電界方向と平行に)配向する、誘電率異方性が正のポジ型液晶材料を採用することができる。この場合、例えば液晶層をTN(Twisted Nematic)モード等で動作させ、液晶装置をノーマリーホワイトモードで動作させればよい。
なお液晶材料として、非選択電圧印加時には配向膜に対して垂直に配向し、選択電圧印加時には配向膜に対して平行に(すなわち、電界方向と垂直に)配向する、誘電率異方性が負のネガ型液晶材料を採用することも可能である。この場合には、液晶層をVAN(Vertically-Aligned Nematic)モードで動作させ、液晶装置をノーマリーブラックモードで動作させればよい。なおネガ型液晶材料を採用する場合には、画素電極15にスリットを形成して複数のサブドットに分割するとともに、各サブドットを電気的に接続する連結部を設けることが望ましい。また各サブドットの中央に相当する共通電極25上の位置に、突起等の配向規制手段を設けることが望ましい。これらにより、液晶分子のダイレクタの方向を同時に複数発生させることが可能になり、視野角の広い液晶装置を提供することができる。
一方、一対の基板10,20の外側には、それぞれ偏光板36,37が設けられている。これらの偏光板36,37は、その透過軸方向に振動する直線偏光のみを透過させるものである。なお偏光板36および偏光板37の内側に、必要に応じて位相差板を配置してもよい。
さらに、素子基板10の外面側にあたる液晶セルの外側には、光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト(照明手段)60が設置されている。
(マイクロレンズ)
図3に示すように、バックライト60からの光(光源光)の一部は、透過表示領域Tに入射して表示に寄与する。しかしながら光源光の残部は、素子形成領域Sに入射してTFT素子や遮光層23等に吸収され、表示に寄与しない。そのため、光源光の利用効率の向上が望まれている。
そこで、本実施形態の液晶装置は、バックライト60からの光を透過表示領域Tに集光する複数のマイクロレンズ(以下「レンズ」という。)70を備えている。このレンズ70は、バックライト60と素子形成層12との間に配置されている。なおレンズ70と素子形成層12との距離が短いと、レンズ70の焦点距離を短くする必要があり、レンズ70の厚肉化を招くことになる。そこで、レンズ70を基板本体11の外側に配置して、画素電極15との距離を確保することにより、レンズ70の厚肉化を防止している。このレンズ70は、透明な樹脂材料等で構成されている。そのレンズ70の表面は屈折率の異なる他の樹脂材料で覆われ、その外側に偏光板36が配置されている。
レンズ70は、円柱をその中心軸と平行に切断した形状(半円柱状、かまぼこ状)の、シリンドリカルレンズである。図4に示すように、各シリンドリカルレンズ70は、その長手方向をX方向に一致させ、その幅方向をY方向に一致させて配置されている。図3に戻り、各シリンドリカルレンズ70は、その光軸を透過表示領域Tの略中央に位置合わせして配置されている。本実施形態では、複数のシリンドリカルレンズ70がその幅方向に並列配置された状態で一体成形されている。このレンズ70は、熱可塑性樹脂を使用してプレス成形する方法や、感光性樹脂を使用してフォトリソグラフィにより成形する方法、樹脂材料の液滴を連続吐出して成形する方法等によって製造することが可能である。なおレンズ70は、基板本体11の外面に直接形成してもよく、別体のレンズシートを基板本体11の外面に貼り付けて形成してもよい。
そして、バックライト60から透過表示領域Tに向かって照射された光94は、そのままレンズ70を透過して表示に寄与する。また透過表示領域Tの周辺領域に向かって照射された光96は、レンズ70の表面で屈折され透過表示領域Tに集光されて表示に寄与する。これにより、光源光の利用効率を向上させることができる。
ところが、バックライト60からレンズ70に向かって照射された光源光の全てがレンズ70に入射するわけではなく、光源光の一部はマイクロレンズ70の表面で反射されることになる。その反射光の一部は、バックライト60のリフレクタ等により反射され光源光として再利用されるが、反射光の残部は、液晶装置の構成部材に吸収されて消滅することになる。そのため、光源光の利用効率のさらなる向上が望まれている。
そこで、本実施形態の液晶装置は、レンズ70の厚さが変化する方向と、そのレンズ70に入射する直線偏光の振動方向とが、45°未満の角度で交差するように、好ましくは略平行となるように構成されている。なおレンズ70の厚さが変化する方向とは、シリンドリカルレンズ70の幅方向であり、図4のX方向である。レンズ70に入射する直線偏光の振動方向の設定は、図3に示す偏光板36の透過軸方向を所定方向に配置することによって行うことができる。なお偏光板36とレンズ70との間に位相差板を配置した場合には、その位相差板から出射した楕円偏光がレンズ70に入射することになる。この場合には、レンズ70の厚さが変化する方向と、そのレンズ70に入射する楕円偏光の長軸方向とが、上記関係を満たすように配置すればよい。
図5は、直線偏光の種類と反射率との関係の説明図である。図5(a)に示すように、直線偏光には、レンズ70に対する振動方向の違いによりP偏光およびS偏光が存在する。レンズ70の表面の法線70vおよびその表面に入射する直線偏光90の光軸を含む面(入射面;図5(a)の紙面に一致)に対して、平行に振動する直線偏光がP偏光であり、垂直に振動する直線偏光がS偏光である。なお楕円偏光も、P偏光およびS偏光の合成光である。そして図5(b)に示すように、レンズの表面におけるP偏光の反射率は、S偏光の反射率に比べて、常に小さくなることが知られている。
そこで、レンズの厚さが変化する方向と、そのレンズに入射する直線偏光の振動方向とが、略平行となるように配置すれば、レンズに対してP偏光のみを入射させることができる。これにより、レンズの表面における反射率を小さくして、レンズの内部への入射率を大きくすることが可能になり、光源光の利用効率を向上させることができる。なおレンズの厚さが変化する方向と、そのレンズに入射する直線偏光の振動方向とが、45°未満の角度で交差するように配置すれば、少なくともレンズに入射するP偏光の光量をS偏光の光量より多くすることができる。またレンズの厚さが変化する方向と、そのレンズに入射する楕円偏光の長軸方向とが、上記関係を満たすように配置した場合にも、レンズに入射するP偏光の光量をS偏光の光量より多くすることができる。いずれの場合も、レンズの内部への入射率を大きくすることができるので、光源光の利用効率を向上させることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る液晶装置につき、図6ないし図9を用いて説明する。第2実施形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード(Thin Film Diode;以下「TFD」という。)素子を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置である。また第2実施形態の液晶装置は、サブ画素領域がデルタ配列された、半透過反射型の液晶装置である。なお、第1実施形態と同様の構成となる部分については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
(等価回路)
図6は、第2実施形態に係る液晶装置の等価回路図である。この液晶装置100には、走査信号駆動回路104により駆動される複数の走査線9と、データ信号駆動回路101により駆動される複数のデータ線8とが格子状に配置され、両者の交点付近には画像表示単位であるサブ画素領域30が配置されている。マトリクス状に配置された複数のサブ画素領域30には、TFD素子13および液晶表示要素(液晶層)50が配置されている。これらの各TFD素子13および各液晶層50は、各走査線9と各データ線8との間に直列接続されている。
(断面構造、平面構造)
図7および図8は第2実施形態に係る液晶装置の説明図であり、図7は図8のF−F線に沿う側面断面図であり、図8は図7のE−E線における底面断面図である。なお図8では、素子基板に形成された画素電極15やTFD素子13、データ線8等を二点差線で示している。
図8に示すように、第2実施形態では、画像表示単位となる複数のサブ画素領域30がデルタ配列されている。すなわち、各サブ画素領域30は長方形状とされ、その短手方向(X方向、第1方向)に並列配置されるとともに、長手方向(Y方向、第2方向)に隣接するサブ画素領域30は相互にX方向に半ピッチずれた状態で配置されている。そのサブ画素領域30内に、ITO等の透明導電性材料からなる略長方形状の画素電極15が形成されている。各画素電極15の周囲には、データ線8がY方向に延設されている。そして、各画素電極15がTFD素子13を介してデータ線8に接続されている。
図7に示すように、本実施形態の液晶装置100は、観察者側に配置された素子基板10と、光源側に配置された対向基板20と、一対の基板10,20の間に挟持された液晶層50とを主体として構成されている。なお観察者側に対向基板20を配置し、光源側に素子基板10を配置してもよい。
対向基板20の基板本体21の内側(図示上側)において、サブ画素領域の長手方向の一方端部には、アルミニウム等の高反射率の金属材料からなる反射膜27が形成されている。その反射膜27を覆うように、異なる色光を透過する複数のカラーフィルタを備えたCF層22が形成されている。なおCF層22は、素子基板10に設けてもよい。
図8に示すように、反射膜27は、X方向に並列配置された複数のサブ画素領域30を跨ぐように、X方向に延設されている。(デルタ状に配置された3つのサブ画素領域が隣接する領域を連続して含んでいる。)そのため、反射膜27の形成領域と画素電極15の形成領域との重畳部分である反射表示領域Rは、X方向につき透過表示領域Tを介することなく並列配置されている。また反射膜27の非形成領域と画素電極15の形成領域との重畳部分である透過表示領域Tも、X方向につき反射表示領域Rを介することなく並列配置されている。さらに、RGB3原色光をそれぞれ透過する複数のカラーフィルタ22R,22G,22Bが、各サブ画素領域30に対応して形成されている。本実施形態では、デルタ状に隣接する3個のサブ画素領域30に、3色のカラーフィルタ22R,22G,22Bが割り当てられている。
カラーフィルタは、サブ画素領域内で色度の異なる2種類の領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体例を挙げると、透過表示領域Tの平面領域に対応して第1の色材領域が設けられ、反射表示領域Rの平面領域に対応して第2の色材領域が設けられており、第1の色材領域の色度が、第2の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。また、反射表示領域Rの一部に非着色領域を設ける構成としてもよい。このような構成とすることで、カラーフィルタを表示光が1回のみ透過する透過表示領域Tと、2回透過する反射表示領域Rとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。
図7に戻り、CF層22の内側には、反射表示領域Rにおける液晶層50の厚さを透過表示領域Tにおける液晶層50の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層24が設けられている。半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Rへの入射光は液晶層50を2回透過するが、透過表示領域Tへの入射光は液晶層50を1回しか透過しない。これにより反射表示領域Rと透過表示領域Tとの間で液晶層50が寄与する偏光変調効果が異なってくるため、透過表示領域Tと反射表示領域Rで階調表示特性が合わなくなる。そこで液晶層厚調整層24を設けることにより、マルチギャップ構造が実現されている。具体的には、反射表示領域Rにおける液晶層50の層厚が透過表示領域Tにおける液晶層50の層厚の半分程度に設定されて、反射表示領域Rおよび透過表示領域Tにおける液晶層50のリタデーションが略同一に設定されている。これにより、反射表示領域Rおよび透過表示領域Tにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。
この液晶層厚調整層24の構成材料として、アクリル樹脂等の電気絶縁性および感光性を有する材料を採用することが望ましい。感光性材料を採用することにより、フォトリソグラフィを用いたパターニングが可能になり、液晶層厚調整層を精度よく形成することができる。この液晶層厚調整層24は、素子基板10に設けてもよく、また素子基板10および対向基板20の両方に設けてもよい。
液晶層厚調整層24が形成された対向基板20の内側には、帯状電極25が形成されている。この帯状電極25は、上述した走査線として機能するものであり、前記素子基板10のデータ線と交差する方向に延在している。なお対向基板20の帯状電極25をデータ線として機能させ、素子基板10のデータ線を走査線として機能させてもよい。
その帯状電極25および突起の表面には、ポリイミド等からなる配向膜29が形成されている。また素子基板10に形成された画素電極15の表面にも、ポリイミド等からなる配向膜19が形成されている。これらの配向膜19,29には、所定方向にラビング処理が施されている。そして、素子基板10と対向基板20との間には、誘電率異方性が正のポジ型液晶材料からなる液晶層50が挟持されている。なお液晶材料として、誘電率異方性が負のネガ型液晶材料を採用することも可能である。
一方、一対の基板10,20の外側には、それぞれ偏光板36,37が設けられている。その偏光板36および偏光板37の内側に、それぞれ位相差板31および位相差板32が設けられている。位相差板31,32として、可視光の波長に対して略1/4波長の位相差を持つλ/4板を使用すれば、偏光板36,37とともに円偏光板を構成することができる。またλ/2板およびλ/4板を組み合わせて使用すれば、広帯域円偏光板を構成することができる。
(マイクロレンズ)
図7に示すように、第2実施形態の液晶装置でも、バックライト60からの光源光を透過表示領域Tに集光するため、複数のマイクロレンズ(以下「レンズ」という。)70が形成されている。このレンズ70の光軸は、透過表示領域Tの略中央に位置合わせされている。またレンズ70は、反射膜27とバックライト60との間に配置されている。特に、レンズ70を基板本体21の外側に配置して、反射膜27との距離を確保することにより、レンズ70の厚肉化を防止している。なお第2実施形態の複数のレンズ70も、第1実施形態と同様の方法により一体成形することが可能である。
図8に示すように、レンズ70は、長方形状のサブ画素領域30に対応して長円形状に形成されている。このレンズ70は、長軸方向をY方向に一致させ、短軸方向をX方向に一致させて配置されている。すなわち、レンズ70はX方向の曲率(半径)とY方向の曲率(半径)とが異なる非球面平凸レンズであり、X方向の曲率はY方向の曲率より大きくなっている。そして、複数のレンズ70が最密充填配置されている。なお各サブ画素領域の反射表示領域Rは、Y方向に隣接するレンズ70の境界部を跨ぐように配置されている。
ところで、図4に示す第1実施形態のシリンドリカルレンズは、光源光をY方向のみに集光しX方向には集光しないので、透過表示領域Tだけでなく、そのX方向の隣接領域にも光源光が照射されることになる。この隣接領域に照射された光源光は表示に寄与しないので、光源光の利用効率の向上に限界がある。この点、図8に示す第2実施形態の長円形状レンズは、XY両方向について光源光を集光するので、透過表示領域Tのみに光源光を集光することが可能になる。しかも、複数のレンズ70が最密充填配置されているので、光源光のほとんど全てを透過表示領域Tに集光することが可能になる。したがって、光源光の利用効率を最大化することができる。
図9は、各光学軸の配置図である。第2実施形態では、偏光板37とレンズ70との間に位相差板32が配置されている。そのためバックライト60からの光は、偏光板37により直線偏光90に変換され、さらに位相差板32により楕円偏光91に変換されて、レンズ70に入射する。そこで第2実施形態では、レンズ70の厚さが大きく変化する方向(曲率が大きい方向)と、そのレンズ70に入射する楕円偏光91の長軸方向とが、45°未満の角度で交差するように、好ましくは略平行となるように構成されている。レンズ70に入射する楕円偏光の長軸方向の設定は、偏光板37の透過軸方向を所定方向に配置すること等によって行うことが可能である。なお位相差板32を設けない場合には、レンズ70の厚さが変化する方向と、そのレンズ70に入射する直線偏光の振動方向とが、上記関係を満たすように配置すればよい。
ところで、第2実施形態のレンズ70は、XY両方向に曲率を有するので、XY両方向にレンズ70の厚さが変化する。ここで、図5(a)に示す直線偏光90の入射角(レンズの法線70vと直線偏光90の光軸とのなす角度)θは、レンズ70の曲率半径が小さいほど大きくなる。そして図5(b)に示すように、直線偏光の入射角θが大きいほど、S偏光とP偏光との反射率の差が大きくなる。そこで、上述した「レンズの厚さが変化する方向」を、レンズの曲率半径が小さい方向(X方向)に設定することが望ましい。レンズの曲率半径が小さい方向では、光源光の入射角が大きくなるので、S偏光とP偏光との反射率の差が大きくなる。そこで上記構成を採用し、曲率半径が小さい方向についてP偏光を多く入射させることにより、S偏光が多く入射する場合と比べてレンズ表面での反射率を小さくレンズ内部への入射率を大きくすることができる。一方、レンズの曲率半径が大きい方向では、光源光の入射角が小さくなるので、S偏光とP偏光との反射率の差が小さくなる。そのため、上記構成を採用することにより、曲率半径が大きい方向についてS偏光が多く入射しても、P偏光が多く入射する場合と比べて、レンズ表面での反射率およびレンズ内部への入射率には大差がない。したがって、光源光の利用効率を向上させることができる。
(電子機器)
図10は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図10に示す携帯電話1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。本発明の液晶装置では、光源光の利用効率を向上させることにより、液晶装置の輝度を増加させることができるので、表示品質に優れた携帯電話1300を提供することができる。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストの表示が可能になっている。
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
液晶装置の平面図および側面断面図である。 TFT素子を用いた液晶装置の等価回路図である。 第1実施形態に係る液晶装置の側面断面図である。 第1実施形態に係る液晶装置の平面断面図である。 直線偏光の種類と反射率との関係の説明図である。 TFD素子を用いた液晶装置の等価回路図である。 第2実施形態に係る液晶装置の側面断面図である。 第2実施形態に係る液晶装置の平面断面図である。 各光学軸の配置図である。 携帯電話の斜視図である。 従来技術に係る液晶装置の側面断面図である。
符号の説明
T‥透過表示領域 30‥サブ画素領域 36a‥直線偏光の振動方向 70‥レンズ 100‥液晶装置 1300‥電子機器

Claims (6)

  1. 画像表示単位となる複数のサブ画素領域と、前記サブ画素領域内の透過表示領域に光源光を集光するレンズと、を備えた液晶装置であって、
    前記レンズは、前記複数のサブ画素領域に跨って配置されたシリンドリカルレンズであり、
    前記シリンドリカルレンズの幅方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とのなす角度が、45°未満とされていることを特徴とする液晶装置。
  2. 前記シリンドリカルレンズの幅方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、略平行とされていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
  3. 画像表示単位となる複数のサブ画素領域と、前記サブ画素領域内の透過表示領域に光源光を集光するレンズと、を備えた液晶装置であって、
    前記レンズは、前記複数のサブ画素領域ごとに配置され二方向に曲率が異なるレンズであり、
    前記レンズの曲率半径が小さい方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、45°未満とされていることを特徴とする液晶装置。
  4. 前記レンズの曲率半径が小さい方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、略平行とされていることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。
  5. 画像表示単位となる複数のサブ画素領域と、前記サブ画素領域内に配置された透過表示領域と、前記透過表示領域に光源光を集光するレンズと、を備えた液晶装置であって、
    前記レンズの厚さが変化する方向と、前記レンズに入射する直線偏光の振動方向または楕円偏光の長軸方向とが、45°未満とされていることを特徴とする液晶装置。
  6. 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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