JP2007071786A - センサ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 性能を維持しながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することが可能なセンサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁気センサ１は、磁気の変化に応じて磁気抵抗素子３１〜３４の各々の電気抵抗値が変化することに基づいて磁気の変化を検出する。磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に対応して、熱が付与されて溶融される被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ），３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）が設けられている。被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）は、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）から枝分かれするように設けられている。被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）は、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に対して孤立するように設けられている。対応する磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ），３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）との間には、閉回路が形成されていない。
【選択図】 図１

Description

本発明は、物理変化を検出するセンサ装置に関する。

従来、自動車においては、ステアリングホイールの回転角度を検出するステアリングアングルセンサとして磁気センサが用いられている。
図３に示すように、磁気センサ１は、４つの磁気抵抗素子３１〜３４によりホイートストーンブリッジが構成されたものである。そして、磁気センサ１に対して磁界の方向が所定方向の時、磁気抵抗素子３１，３２間のノードＮ１と、磁気抵抗素子３３，３４間のノードＮ２との間の電圧（ブリッジの各中点電位Ｅ１，Ｅ２の差であるオフセット電圧Ｅ１２）が０Ｖに近いもの程、磁気センサ１として高性能であることが知られている。即ち、磁気抵抗素子３１の電気抵抗値をＲ１、磁気抵抗素子３２の電気抵抗値をＲ２、磁気抵抗素子３３の電気抵抗値をＲ３、磁気抵抗素子３４の電気抵抗値をＲ４としたとき、「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式が成り立つことが最も好ましい。

ここで、磁気センサ１は、オフセット電圧Ｅ１２を０Ｖに近づけるために、つまり前記関係式を成り立たせるために、磁気抵抗素子３１〜３４の各々において、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の各々が互いに等しくなるような所要のパターンが予め設定されている。しかしながら、磁気抵抗素子３１〜３４の個々が有する電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４のバラツキは、成膜精度やパターンのエッチング精度に起因しているが、それらの精度の向上だけでは前記関係式を成り立たせることは困難である。

そこで、磁気センサ１を製造するのに際して、磁気抵抗素子３１〜３４の一部を切断することで電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４を微調整するトリミングの手法が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
特開平０５−０３４２２４号公報（段落番号００１９〜００２３、図４、図５）

ところが、前記関係式を成り立たせる目的でトリミングを施しても、磁気抵抗素子３１〜３４の各々において、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の各々が、トリミング直後のものから互いに異なる度合で経時変化する。このため、ホイートストーンブリッジの平衡が時間の経過に伴って維持されなくなって、オフセット電圧Ｅ１２がレーザトリミング直後の０Ｖから、やがて磁気センサ１の性能を決定する上で無視できない程のレベルにまで達する。

そこで、トリミングに先立って、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対してレーザを照射して磁気抵抗素子３１〜３４の各々の一部を切断することで同磁気抵抗素子３１〜３４の各々を物理的に安定化させることが考えられる。しかしながら、このように磁気抵抗素子３１〜３４の各々の一部を切断するということは、磁気センサ１により磁気の変化を検出するべく設定された所要のパターンをいわば強制的に変化させることに他ならない。言い換えると、この場合、電流経路が変化させられることになる。そうすると、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が変化して磁気センサ１の性能が低下する虞がある。

本発明は、このような問題点に着目してなされたものであって、その目的は、性能を維持しながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することが可能なセンサ装置を提供することにある。

上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気信号が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、複数のセンサエレメントの各々に対応して、熱が付与されて溶融される被熱処理部を設け、対応するセンサエレメントと被熱処理部との間に閉回路が形成されていないことを特徴とする。

請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のセンサ装置において、複数のセンサエレメントの各々は、一筆書が可能なパターンを有し、対応するセンサエレメントと被熱処理部とにより構成されるグループは、一筆書が不可能なパターンを有していることを特徴とする。

請求項３に記載の発明では、請求項１又は請求項２に記載のセンサ装置において、センサエレメントから枝分かれするように設けられた被熱処理部を備えていることを特徴とする。

請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のセンサ装置において、センサエレメントに対して孤立するように設けられた被熱処理部を備えていることを特徴とする。

請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のセンサ装置において、複数のセンサエレメントの各々に対応する被熱処理部が集約されて配置されていることを特徴とする。

請求項６に記載の発明では、請求項５に記載のセンサ装置において、集約されて配置されている複数の被熱処理部の各々は、互いに分離するように設けられていることを特徴とする。

請求項７に記載の発明では、請求項５に記載のセンサ装置において、集約されて配置されている複数の被熱処理部の各々は、互いに繋がるように設けられていることを特徴とする。

請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のセンサ装置において、センサエレメントは、物理変化に応じて電気抵抗値が変化するものであることを特徴とする。

以下、本発明の「作用」について説明する。
請求項１に記載の発明によると、被熱処理部に熱が付与されて同被熱処理部が溶融されることで熱エネルギーによりセンサエレメントが物理的に安定化される。このため、センサエレメントの電気信号の経時変化が抑制される。言い換えると、オフセット電圧の経時変化が抑制される。ここに、被熱処理部に熱が付与される前後において電流経路は変化させられない。このため、センサエレメントの電気信号は変化させられず、センサ装置の性能は低下しない。従って、性能を維持しながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することができる。

請求項２に記載の発明によると、センサエレメントのパターンは、被熱処理部に熱が付与される前後において一筆書が可能な態様のまま維持される。つまり、被熱処理部に熱が付与される前後において電流経路は変化させられない。このため、センサエレメントの電気信号は変化させられず、センサ装置の性能は低下しない。従って、性能を維持しながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することができる。

請求項３に記載の発明によると、センサエレメントに繋がっている被熱処理部に付与された熱は、被熱処理部からセンサエレメントに効率良く伝達される。従って、熱エネルギーによりセンサエレメントを確実に安定化させることができる。要するに、オフセット電圧の経時変化を抑制することができる。

請求項４に記載の発明によると、センサエレメントに繋がっていない被熱処理部に熱が付与される前後において電流経路は変化させられない。このため、センサエレメントの電気信号は変化させられず、センサ装置の性能は低下しない。従って、性能を維持することができる。

請求項５に記載の発明によると、複数の被熱処理部が集約されている。このため、複数の被熱処理部に対してまとめて熱を付与することが可能となる。よって、複数の被熱処理部の各々に対して別々に熱を付与する必要がない。従って、被熱処理部に熱を付与する工程の所要時間を短縮することができる。

請求項６に記載の発明によると、互いに分離するように設けられている複数の被熱処理部に対してまとめて熱を付与することが可能となる。従って、被熱処理部に熱を付与する工程の所要時間を短縮することができる。

請求項７に記載の発明によると、互いに繋がるように設けられている複数の被熱処理部に対してまとめて熱を付与することが可能となる。従って、被熱処理部に熱を付与する工程の所要時間を短縮することができる。

請求項８に記載の発明によると、熱エネルギーによりセンサエレメントが物理的に安定化されることで、センサエレメントの電気抵抗値の経時変化を抑制することができる。

本発明は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の発明によれば、性能を維持しながら、オフセット電圧の経時変化を抑制することができる。

以下、本発明を自動車のステアリングアングルセンサとして用いられる磁気センサに具体化した一実施形態を説明する。
図１及び図２に示すように、磁気センサ１は、基板１０を備えている。基板１０は、半導体（本実施形態ではシリコン）により構成されている。基板１０の上面には、絶縁膜２０が設けられている。絶縁膜２０は、基板１０の上面の略全体を覆うように設けられている。絶縁膜２０は、酸化膜（本実施形態では二酸化珪素）により構成されている。絶縁膜２０の上面には、磁気抵抗素子３１〜３４が設けられている。磁気抵抗素子３１〜３４の各々は、薄膜により一筆書が可能な所要のパターンに形成されている。磁気抵抗素子３１〜３４の各々は、ニッケルコバルトにより構成されている。ニッケルコバルトは、負の磁気特性を有する強磁性体である。

絶縁膜２０の上面には、層間絶縁膜４０が設けられている。層間絶縁膜４０は、絶縁膜２０の上面の略全体を覆うように設けられている。層間絶縁膜４０は、磁気抵抗素子３１〜３４の全体を覆うように設けられている。層間絶縁膜４０は、窒化膜（本実施形態では窒化珪素）により構成されている。層間絶縁膜４０の上面には、金属パッド５０が設けられている。金属パッド５０の下面は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々の始端及び終端に対して電気的に接続されている。金属パッド５０の上面の一部は、露出されている。金属パッド５０は、アルミニウムにより構成されている。

層間絶縁膜４０の上面には、パッシベーション膜６０が設けられている。パッシベーション膜６０は、層間絶縁膜４０の上面の略全体を覆うように設けられている。パッシベーション膜６０は、金属パッド５０の略全体を覆うように設けられている。パッシベーション膜６０は、窒化膜（本実施形態では窒化珪素）により構成されている。

次に、磁気センサ１を構成する基板１０、絶縁膜２０、磁気抵抗素子３１〜３４、層間絶縁膜４０、金属パッド５０、パッシベーション膜６０が果たす役目について説明する。
基板１０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を設けるための土台としての役目を果たす。絶縁膜２０は、基板１０と磁気抵抗素子３１〜３４の各々との間に必要な絶縁レベルを確保するための絶縁層としての役目を果たす。言い換えると、絶縁膜２０は、基板１０上に磁気抵抗素子３１〜３４の各々を設ける際の下地としての役目を果たす。

磁気抵抗素子３１〜３４は、磁気センサ１により磁気の変化を検出するべく、磁気の変化に応じて電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４が変化するセンサエレメントとしての役目を果たす。層間絶縁膜４０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を外乱から保護するための保護膜としての役目を果たす。金属パッド５０は、図３に示す態様で磁気抵抗素子３１〜３４間をワイヤーボンディングにより電気的に接続するための媒体としての役目を果たす。パッシベーション膜６０は、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を外乱から保護するための保護膜としての役目を果たす。

次に、磁気センサ１の特徴的な構成について説明する。
さて、磁気抵抗素子３１に対応して、熱が付与されて溶融される被熱処理部３１ａが設けられている。一方、磁気抵抗素子３２（３３，３４も同様）に対応して、熱が付与されて溶融される被熱処理部３２ａ（３３ａ，３４ａ）が設けられている。被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）は、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と同様の材料（ニッケルコバルト）により構成されている。被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）は、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）から枝分かれするように設けられている。つまり、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）とは繋がっている。

加えて、磁気抵抗素子３１に対応して、熱が付与されて溶融される被熱処理部３１ｂが設けられている。一方、磁気抵抗素子３２（３３，３４も同様）に対応して、熱が付与されて溶融される被熱処理部３２ｂ（３３ｂ，３４ｂ）が設けられている。被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）は、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と同様の材料（ニッケルコバルト）により構成されている。被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）は、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に対して孤立するように設けられている。つまり、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）とは繋がっていない。

ここで、対応する磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）との間には、閉回路が形成されていない。つまり、被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）は、始端から終端に至る経路の途中の１箇所で磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と繋がっており、始端及び終端はいずれも磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と繋がっていない。別の言い方をすると、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）とにより構成されるグループは、一筆書が不可能なパターンを有している。

尚、被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）が磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に対して孤立するように設けられていることを考えると、対応する磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）との間にも、閉回路が形成されていない。そして、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）とにより構成されるグループも、一筆書が不可能なパターンを有している。要するに、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）と被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）と被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）とにより構成されるグループは、一筆書が不可能なパターンを有している。

次に、磁気センサ１の製造方法について説明する。
磁気センサ１は、可能な限りトリミングを施すことなくオフセット電圧Ｅ１２を０Ｖに近づけるために（「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式を成り立たせるために）、磁気抵抗素子３１〜３４の各々において、電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の各々が互いに等しくなるような所要のパターンが予め設定されている。そして、基板１０の上面に絶縁膜２０が設けられた後、絶縁膜２０の上面に磁気抵抗素子３１〜３４が該パターンに対応してスパッタ成膜される（成膜工程）。また、成膜工程では、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂもスパッタ成膜される。

そして、成膜工程とフォトリソグラフィー工程とが繰り返されて層間絶縁膜４０、金属パッド５０、パッシベーション膜６０が設けられた後、熱処理工程に入る。熱処理工程は、トリミング工程に先立って行われる。熱処理工程では、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々に対してレーザが照射される。そして、これにより、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々に熱が付与されて同被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々が溶融される。そして、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々において、レーザによる熱が付与されて溶融された部分が、結果として切断される。その結果、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々に溶融部７０が形成される。

ここで、磁気抵抗素子３１〜３４の各々のパターンは、溶融部７０が形成される前後において変化しない。つまり、磁気抵抗素子３１〜３４の各々の一部が切断される訳ではなく、磁気抵抗素子３１〜３４からずれた位置に設けられている被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂが切断される。これにより、溶融部７０が形成される前後の段階において電流経路が変化しないように配慮されている。

そして、熱処理工程が完了すると、必要に応じてトリミング工程に入る。トリミング工程は、磁気抵抗素子３１〜３４の一部をレーザで切断することで電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４を微調整するために行われる。トリミング工程では、４つの磁気抵抗素子３１〜３４のうち、いずれか１つの磁気抵抗素子の一部がレーザで切断される。この理由は、該切断により１つの磁気抵抗素子の電気抵抗値さえ増大させれば、上記した「Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３」の関係式が成り立つことになるからである。そして、トリミング工程が完了すると、オフセット電圧Ｅ１２が略０Ｖに設定された好適な磁気センサ１が得られる。

以上、詳述したように本実施形態によれば、次のような作用、効果を得ることができる。
（１）被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々に熱が付与されて同被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々が溶融されることで熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１〜３４の各々が物理的に安定化される。このため、磁気抵抗素子３１〜３４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の経時変化が抑制される。言い換えると、オフセット電圧Ｅ１２の経時変化が抑制される。ここに、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂの各々に熱が付与される前後において電流経路は変化させられない。このため、磁気抵抗素子３１〜３４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４は変化させられず、磁気センサ１の性能は低下しない。従って、性能を維持しながら、オフセット電圧Ｅ１２の経時変化を抑制することができる。

（２）磁気抵抗素子３１〜３４のパターンは、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂに熱が付与される前後において一筆書が可能な態様のまま維持される。つまり、被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂに熱が付与される前後において電流経路は変化させられない。このため、磁気抵抗素子３１〜３４の電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４は変化させられず、磁気センサ１の性能は低下しない。従って、性能を維持しながら、オフセット電圧Ｅ１２の経時変化を抑制することができる。

（３）磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に繋がっている被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）に付与された熱は、被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）から磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に効率良く伝達される。従って、熱エネルギーにより磁気抵抗素子３１（３２〜３４）を確実に安定化させることができる。要するに、オフセット電圧Ｅ１２の経時変化を抑制することができる。

（４）磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に繋がっていない被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）に熱が付与される前後において電流経路は変化させられない。このため、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）の電気抵抗値Ｒ１（Ｒ２〜Ｒ４）は変化させられず、磁気センサ１の性能は低下しない。従って、性能を維持することができる。

（５）レーザにより被熱処理部３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂが切断されるとき、層間絶縁膜４０やパッシベーション膜６０も切断される。このため、磁気抵抗素子３１〜３４の各々が層間絶縁膜４０やパッシベーション膜６０から受ける応力の度合が緩和される。そして、これにより、該応力に起因する電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ４の経時変化が抑制される。従って、オフセット電圧Ｅ１２の経時変化を抑制することができる。

尚、前記実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に対応して設けられる被熱処理部は、被熱処理部３１ａ（３２ａ〜３４ａ）と被熱処理部３１ｂ（３２ｂ〜３４ｂ）との組み合わせに限定されない。つまり、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に繋がっている被熱処理部と磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に繋がっていない被熱処理部との組み合わせに限定されない。即ち、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に繋がっている被熱処理部同士の組み合わせであってもよい。或いは、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に繋がっていない被熱処理部同士の組み合わせであってもよい。

・磁気抵抗素子３１（３２〜３４）に対応して設けられる被熱処理部の数は２つに限定されない。即ち、４つであってもよい。この場合、磁気抵抗素子３１（３２〜３４）の外形形状を四角形（長方形）として扱ったとき、長方形を構成する四辺の各々に沿って１つずつ被熱処理部が設けられていてもよい。

・磁気抵抗素子３１（３２〜３４）の外形形状を四角形（長方形）として扱ったとき、長方形を構成する四辺のうちの二辺（例えば、２つの長辺）の各々に沿って１つずつ被熱処理部が設けられていてもよい。

・図４に示す態様で、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対応する被熱処理部３１ｃ〜３４ｃが集約されて配置されている構成を採用してもよい。ちなみに、図４に示す態様では、集約されて配置されている被熱処理部３１ｃ〜３４ｃの各々は、互いに分離するように設けられている。このように構成すると、互いに分離するように設けられている被熱処理部３１ｃ〜３４ｃに対してまとめて熱を付与することが可能となる。よって、被熱処理部３１ｃ〜３４ｃの各々に対して別々に熱を付与する必要がない。従って、被熱処理部３１ｃ〜３４ｃに熱を付与する工程の所要時間を短縮することができる。その結果、磁気センサ１の製造コストを低減できる。尚、被熱処理部３１ｃ〜３４ｃの各々において集約されている側とは反対側の端部については、磁気抵抗素子３１〜３４に繋がっていてもよいし、繋がっていなくてもよい。

・図５に示す態様で、磁気抵抗素子３１〜３４の各々に対応する被熱処理部３１ｄ〜３４ｄが集約されて配置されている構成を採用してもよい。ちなみに、図５に示す態様では、集約されて配置されている被熱処理部３１ｄ〜３４ｄの各々は、互いに繋がるように設けられている。このように構成すると、互いに繋がるように設けられている被熱処理部３１ｄ〜３４ｄに対してまとめて熱を付与することが可能となる。よって、被熱処理部３１ｄ〜３４ｄの各々に対して別々に熱を付与する必要がない。従って、被熱処理部３１ｄ〜３４ｄに熱を付与する工程の所要時間を短縮することができる。その結果、磁気センサ１の製造コストを低減できる。尚、被熱処理部３１ｄ〜３４ｄの各々において集約されている側とは反対側の端部については、磁気抵抗素子３１〜３４に繋がっていてもよいし、繋がっていなくてもよい。

・磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料は、ニッケルコバルトに限定されない。即ち、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料として、パーマロイ等の負の磁気特性を有する強磁性体を採用してもよい。

・磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料は、負の磁気特性を有する強磁性体に限定されない。即ち、磁気抵抗素子３１〜３４の各々を構成する材料として、正の磁気特性を有する半導体を採用してもよい。このように正の磁気特性を有する半導体としては、インジウムアンチモン、ガリウムヒ素等が挙げられる。

・絶縁膜２０を窒化膜（例えば、窒化珪素）により構成してもよい。
・層間絶縁膜４０を酸化膜（例えば、二酸化珪素）により構成してもよい。
・パッシベーション膜６０を酸化膜（例えば、二酸化珪素）により構成してもよい。

・層間絶縁膜４０とパッシベーション膜６０とを互いに異なる材料により構成してもよい。例えば、層間絶縁膜４０を窒化膜により構成する一方でパッシベーション膜６０を酸化膜により構成してもよい。

・磁気センサ以外のセンサ装置に具体化してもよい。例えば、磁気以外に、光、熱、圧力、静電容量、電圧等の変化（物理変化）に応じて電気信号が変化するセンサエレメントを有するセンサ装置に具体化してもよい。

・センサエレメントは、物理変化に応じて電気抵抗値が変化するものに限定されない。つまり、センサエレメントは、物理変化に応じて電流や電圧等の電気信号が変化するものであってもよい。

本実施形態の磁気センサの平面図。 本実施形態の磁気センサの要部断面図。 磁気センサの電気回路図。 他の実施形態の磁気センサの平面図。 他の実施形態の磁気センサの平面図。

符号の説明

１…磁気センサ（センサ装置）、３１〜３４…磁気抵抗素子（センサエレメント）、３１ａ〜３４ａ，３１ｂ〜３４ｂ，３１ｃ〜３４ｃ，３１ｄ〜３４ｄ…被熱処理部、Ｒ１〜Ｒ４…電気抵抗値。

Claims (8)

1. 物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気信号が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、
   複数のセンサエレメントの各々に対応して、熱が付与されて溶融される被熱処理部を設け、
   対応するセンサエレメントと被熱処理部との間に閉回路が形成されていないことを特徴とするセンサ装置。
2. 請求項１に記載のセンサ装置において、
   複数のセンサエレメントの各々は、一筆書が可能なパターンを有し、
   対応するセンサエレメントと被熱処理部とにより構成されるグループは、一筆書が不可能なパターンを有していることを特徴とするセンサ装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載のセンサ装置において、
   センサエレメントから枝分かれするように設けられた被熱処理部を備えていることを特徴とするセンサ装置。
4. 請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のセンサ装置において、
   センサエレメントに対して孤立するように設けられた被熱処理部を備えていることを特徴とするセンサ装置。
5. 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のセンサ装置において、
   複数のセンサエレメントの各々に対応する被熱処理部が集約されて配置されていることを特徴とするセンサ装置。
6. 請求項５に記載のセンサ装置において、
   集約されて配置されている複数の被熱処理部の各々は、互いに分離するように設けられていることを特徴とするセンサ装置。
7. 請求項５に記載のセンサ装置において、
   集約されて配置されている複数の被熱処理部の各々は、互いに繋がるように設けられていることを特徴とするセンサ装置。
8. 請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のセンサ装置において、
   センサエレメントは、物理変化に応じて電気抵抗値が変化するものであることを特徴とするセンサ装置。

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