JP2007070140A - 炭素膜および電界放射型の電子放出源 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】細長い針状に成膜されている炭素膜において、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での先端までの高さをh、半径をrとして、h/rの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備え、かつ、先端領域にナノダイヤモンド微粒子が成膜されている。
【選択図】図6
Description
F=βV
ただし、Iは電界放射電流、sは電界放射面積、Aは定数、Fは電界強度、φは仕事関数、Bは定数、βは電界集中係数、Vは印加電圧である。電界集中係数βは、印加電圧Vを、先端部分の形状や素子の幾何学的形状により電界強度F(V/cm)を変換する係数である。
(a)針状の膜の基板上での姿勢が極めて安定化し、電子を安定して放出することができること、
(b)複数の針状の膜それぞれの成膜方向が揃い易くなり、この面からも複数の針状の膜それぞれからの電子放出量が基板全体にわたり均一にすることができ、電界放射型の照明ランプ全体において蛍光体を励起発光させる電子量が均一になって発光輝度を照明ランプ全体で均一化し、輝度むらを低減することができること、
(c)基板上に機械的に強固に支持され、基板上に倒れ込みにくくなる結果、照明ランプの電子放出源としての安定性が向上すること、
(d)針状の膜の直径が細くても、電流を流し込むための基板との電気的コンタクトを壁状の膜によりとることができる。
(1)ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置から先端までの高さをh、その位置での半径をrとして、h/rの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備えること、かつ、
(2)先端領域にナノダイヤモンド微粒子が成膜されていることを特徴とする針状炭素膜である。
実施の形態の針状炭素膜は、アスペクト比が100〜数万程度であり、直径が2〜200nm、長さが数十〜数万nmである。
実施の形態の針状炭素膜の上記(2)のナノダイヤモンド微粒子に基づく原理を図3ないし図5を参照して説明する。
まず、チャンバ14内にガス導入口20から水素ガス(500sccm)を導入しその内圧を30torr程度に徐々に減圧し、チャンバ14内圧力を30torrにする。チャンバ14内圧が30torrになると、その圧力を5ないし25分程度維持する。
次いで、チャンバ14内にガス導入口20から水素ガス(500sccm)とメタンガス(40sccm)との混合ガスを導入しチャンバ14内圧を75torr程度にまで徐々に増大し、チャンバ14内圧が75torrになると、この内圧を1ないし2時間程度維持する。
次いで、チャンバ14内にガス導入口20から窒素ガス(8sccm)と水素ガス(400sccm)とメタンガス(4sccm)との混合ガスを導入しチャンバ14内圧を第2工程の75torr程度に維持する。
4 基板
5 網目状炭素膜
6 ナノダイヤモンド微粒子
7 壁状炭素膜
Claims (5)
- 細長い針状に成膜されている炭素膜において、
任意の位置から先端までの高さをh、その位置での半径をrとして、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βがh/rの式で表され、かつ、その半径が先端に向けて小さくなる形状に成膜され、かつ、先端領域にナノダイヤモンド微粒子が成膜されている、ことを特徴とする炭素膜。 - 請求項1に記載の炭素膜(針状炭素膜)と、
針状炭素膜の少なくとも膜下部に外方向に壁状に広がる形態に成膜されている炭素膜 (壁状炭素膜)と
を備える、ことを特徴とする炭素膜。 - 請求項1に記載の炭素膜(針状炭素膜)と、
針状炭素膜の周囲を壁状に取り囲む炭素膜(網目状炭素膜)と
を備える、ことを特徴とする炭素膜。 - 請求項1に記載の炭素膜(針状炭素膜)と、
針状炭素膜の少なくとも膜下部に外方向に壁状に広がる形態に成膜されている炭素膜 (壁状炭素膜)と
針状炭素膜の周囲を壁状炭素膜を含めて壁状に取り囲む炭素膜(網目状炭素膜)と
を備える、ことを特徴とする炭素膜。 - 導電性ワイヤと、
この導電性ワイヤの表面に成膜された炭素膜と
を含み、
この炭素膜が、請求項1ないし4のいずれかに記載の炭素膜であることを特徴とする電界放射型の電子放出源。
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