JP2007059904A - 光学エレメント上の付着物を除去する方法、光学エレメントを保護する方法、デバイス製造方法、光学エレメントを含む装置、およびリソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光学エレメント上の付着物を除去する方法、光学エレメントを保護する方法、デバイス製造方法、光学エレメントを含む装置、およびリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】光学エレメント上の付着物を除去する方法は、Ｈ₂含有ガスと、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物とを装置の少なくとも一部に提供し、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成し、光学エレメントを付着物とともに水素基の少なくとも一部と接触させ、付着物の少なくとも一部を除去する。光学エレメントを含む装置の光学エレメントを保護する方法は、付着プロセスによってキャップ層を光学エレメントに提供し、装置の使用中または使用後に、上述した除去プロセスで光学エレメントからキャップ層の少なくとも一部を除去する。方法はリソグラフィ装置に適用することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、光学エレメント上の付着物を除去する方法、光学エレメントを保護する方法、デバイス製造方法、光学エレメントを含む装置、およびリソグラフィ装置に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。その例では、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射線感光材料（レジスト）の層への描像を介する。一般的に、１枚の基板は、順次照射される近接目標部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「走査」方向）にパターンを投影ビームで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板に刻印することによって、パターニングデバイスからのパターンを基板へと転写することも可能である。

リソグラフィ装置では、基板に描像できる形体のサイズは、投影放射線の波長によって制限される。デバイスの密度が比較的高い、したがって動作速度が比較的速い集積回路を生成するために、より小さい形体を描像できることが望ましい。現在のリソグラフィ投影装置は大部分が、水銀ランプまたはエキシマレーザによって生成された紫外線光を使用するが、例えば１３ｎｍ程度など、より短い波長の放射線を使用することが提案されている。このような放射線は、超紫外線（ＥＵＶ）または軟ｘ線と呼ばれ、可能なソースは、例えばレーザ生成プラズマソース、放電プラズマソース、または電子蓄積リングからのシクロトロン放射を含む。

ＥＵＶ放射線のソースは通常プラズマソースで、例えばレーザ生成プラズマまたは放電ソースである。任意のプラズマソースの一般的特徴は、本質的に高速イオンおよび原子を生成することであり、これはプラズマから全方向に放出される。これらの粒子は、コレクタまたは集光器ミラーを損傷することがあり、これは一般的に多層ミラーで、脆弱な表面を有する。この表面は一般的に、プラズマから放出される粒子の衝突、またはスパッタリングのせいで劣化し、したがってミラーの寿命が短縮される。スパッタリング効果は、コレクタミラーにとって特に問題になる。このミラーの目的は、プラズマソースによって全方向に放射された放射線を収集し、照明システムの他のミラーに向かってそれを配向することである。コレクタミラーは、プラズマソースに非常に近く、その見通し線に位置決めされ、したがってプラズマから高速粒子の大きい束を受け取る。システムの他のミラーは一般的に、プラズマから放出される粒子のスパッタリングによる損傷の程度が、これより低い。ある程度、保護できるからである。

破片粒子によるコレクタミラーの損傷を防止するために、米国特許出願公報第２００２／００５１１２４Ａ１号は、プラズマソースから放出される高速イオンおよび原子によって引き起こされるスパッタリング損傷からミラーを保護するミラー表面上のキャップ層を開示している。ミラーを含む空間に炭化水素を追加し、これが物理的または化学的にミラーの表面に吸着して、表面に保護層を形成する。この表面層は、炭化水素分子、および場合によってはシステム内に不純物として存在する他の汚染物質粒子が、ガス供給物からシステム内に導入されるさらなる分子とともに構成する。プラズマによって生成された高速イオンおよび原子がミラーの表面に衝突すると、これは保護層に接触し、それによってキャップ層から炭化水素分子を追い払うので、ミラー表面自体への損傷が回避される。動的キャップ層を使用してもよい。これは、スパッタリングで連続的に除去され、さらなる分子で置換されるキャップ層であり、したがって層の厚さはほぼ一定または許容可能な範囲内で維持される。これを達成するために、ミラーの反射率および／または空間の背景圧力を監視する。

近い将来に、超紫外線（ＥＵＶ）ソースは、ＥＵＶ放射線を生成するために錫または別の金属蒸気を使用するかもしれない。この錫がリソグラフィ装置内に漏れ、例えば放射線コレクタのミラーのようなリソグラフィ装置のミラーに付着する。このような放射線コレクタのミラーは、多層式にすることが予想され、ルテニウム（Ｒｕ）のＥＵＶ反射最上層を有してよい。反射性のＲｕ層上に約１０ｎｍを超える錫（Ｓｎ）を付着させた層は、塊のＳｎと同じ方法でＥＵＶ放射線を反射する。１０ｎｍのＳｎの層は、Ｓｎ系のＥＵＶソース付近に非常に素早く付着することが予見される。コレクタの全体的透過性が大幅に低下する。錫の反射率がルテニウムの反射率より大幅に低いからである。米国特許出願公報第２００２／００５１１２４Ａ１号の方法は、例えばミラー表面のような光学エレメントの表面からＳｎ付着物を除去するのには適切でなく、例えば光学エレメントからＳｉ付着物を除去するのにも適切でない。米国特許出願公報第２００２／００５１１２４Ａ１号は、光学エレメントへの粒子および他の汚染物質のスパッタリングも対処していない。したがって、この問題に対処するために改善された方法が望ましい。

光学エレメントを含む装置の光学エレメントの付着物を除去する方法を提供することが、本発明の態様である。光学エレメントを含む装置の光学エレメントを保護する方法を提供することが、本発明のさらなる態様である。デバイス製造方法を提供することが、本発明のさらなる態様である。本発明の方法を適用することができる光学エレメントを含む装置、例えばリソグラフィを提供することが、本発明の別の態様である。

本発明のある実施形態によると、光学エレメントを含む装置の光学エレメントの付着物を除去する方法は、Ｈ₂を含有するガス、および炭化水素化合物およびシラン化合物で構成されたグループから選択した１つまたは複数の追加の化合物を、装置の少なくとも一部に提供することと、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成することと、付着物がある光学要素を水素基の少なくとも一部と接触させ、付着物の少なくとも一部を除去することとを含む。

別の実施形態では、付着物は、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎから選択した１つまたは複数の元素を含む。Ｃ（炭素）は、例えばリソグラフィ装置のような装置内における炭化水素の望ましくない存在のために、光学エレメントの付着物となることがあるが、保護キャップ層として故意に存在させることもある。Ｓｉ（シリコン）も、保護キャップ層として故意に存在させることがあり、Ｓｎ（錫）はＳｎを生成するソースのために存在することがある。さらに、Ｓｉはレジストのガス放出のために付着物として存在することがある。さらなる実施形態では、水素基の少なくとも一部は、熱フィラメント、プラズマ、放射線、およびＨ₂を水素基に変化させる触媒から選択した１つまたは複数の塩基形成デバイスによって、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から生成される。水素基はＳｎ（またはＳｎ酸化物）、Ｃ、Ｓｉ（またはＳｉ酸化物）などと反応して、例えば排出などによって除去可能な揮発性水酸化物になる。酸化しているか、少なくとも部分的に付着物またはキャップ層としての酸化物として存在することがあるＳｎおよびＳｉは、それぞれ元素ＳｎおよびＳｉに還元し、水素化物またはハロゲン化物として除去することができる。したがって、さらに別の実施形態では、Ｈ₂含有ガスはさらに、ハロゲンガスを含むことがある。ハロゲンは、揮発性ハロゲン化合物を形成し、例えばＳｎおよびＳｉ付着物の除去を改善することができる。

本発明のある実施形態によると、光学エレメントを含む装置の光学エレメントを保護する方法は、付着プロセスによって光学エレメントにキャップ層を提供することと、装置の使用中または使用後に、Ｈ₂含有ガス、および炭化水素化合物とシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を装置の少なくとも一部に提供することを含む除去プロセスで、光学エレメントからキャップ層の少なくとも一部を除去することと、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成することと、光学エレメントをキャップ層とともに水素基の少なくとも一部と接触させ、キャップ層の少なくとも一部を除去することとを含む。

別の実施形態では、付着プロセスによってキャップ層を光学エレメントに提供するプロセスは、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む開始材料を提供することと、開始材料から、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含み、付着物を提供可能な種を提供することと、付着物を生成可能な種を光学エレメントの少なくとも一部と接触させることとを含む。

さらに別の実施形態では、付着プロセスによってキャップ層を光学エレメントに提供するプロセスは、グループＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含むガスを提供することと、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含み、付着物を生成可能な種を提供することと、付着物を生成可能な種を光学エレメントの少なくとも一部と接触させることとを含む。

付着物をキャップ層として使用することができる。キャップ層を提供するために使用可能な種は、例えばＳｉおよびＣ、およびＢ（硼素）またはＧｅ（ゲルマニウム）原子および粒子もあり、例えばＳｉＨ₂のような中間生成物も（Ｓｉ）付着物を形成することができる。したがって、開始材料は、例えば硼化水素、炭化水素、シラン、または水素化ゲルマニウム、またはその２つ以上の組合せなどを含むガスを含んでよい。本発明のある実施形態では、付着物を提供可能な種は、熱フィラメント、プラズマまたは放射線によって提供する。別の実施形態では、キャップ層は熱フィラメント付着によって生成し、さらなる実施形態では、キャップ層は、Ｂ（例えばＢＨ₃のような硼化水素から誘導）、Ｃ（例えばＣＨ₄のような炭化水素から誘導）、Ｓｉ（例えばＳｉＨ₄のようなシランから誘導）およびＧｅ（例えばＧｅＨ₄のような水素化ゲルマニウムから誘導）から選択した１つまたは複数の元素の熱フィラメント付着によって生成する。別の実施形態では、付着物を提供可能な種は、化学蒸着ではなく物理蒸着によって提供し、開始材料として、ガスではなく例えばＳｉおよびＧｅの酸化物または金属を適用することができる。元素ＳｉおよびＧｅは、光学エレメントに付着可能な種として、蒸発またはスパッタリングで除去する。したがって、ある実施形態では、キャップ層はＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む。

本発明の別の実施形態では、装置はリソグラフィ装置である。さらに、本発明の別の実施形態では、光学エレメントはミラーまたは格子、例えばコレクタミラーまたは多層ミラーを含む。別の実施形態では、光学エレメントはセンサまたはレチクルを含む。

さらに別の実施形態では、装置は放射線ビームで光学エレメントを照射するように設計される。別の実施形態では、光学エレメントはセンサを含み、他の光学エレメントを装置の部品（例えばマスク、ウェハ、マスクテーブル、ウェハテーブルなど）と位置合わせするように設計される。光学エレメントを含む装置は、リソグラフィ装置のように放射線ビームを提供するように設計することができる。さらに別の実施形態では、光学エレメントは、他の光学エレメントの特性、例えばコレクタミラーの反射の光学的特性などを測定するように設計される。さらなる実施形態では、放射線は、５〜２０ｎｍの範囲から選択した波長を有するＥＵＶ放射線を含む。さらに別の実施形態では、放射線は、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍから選択した波長を有する放射線を含むが、放射線は、リソグラフィ用途に使用可能な他の波長を含んでもよい。

光学エレメントの使用中または使用後に、キャップ層を部分的または完全に除去することができる。ある実施形態では、装置の使用は、例えばＥＵＶ放射線を適用するリソグラフィ装置を使用するなど、放射線ビームで光学エレメントを照射することを含む。使用中に、例えばＳｎの付着および／またはソースからのＳｎ粒子などによるキャップ層の一部のスパッタリングでの除去のせいで、キャップ層が劣化することがある。したがって、使用後、または使用中でさえ、キャップ層が少なくとも部分的に除去され、新鮮なキャップ層を、光学エレメント上か、光学エレメント上の部分的に除去されたキャップ層上に生成することができる。Ｓｎは、キャップ層の少なくとも一部に付着するか、キャップ層の少なくとも一部を除去する。したがって、さらなる実施形態では付着物は少なくともＳｎを含み、その変形で、キャップ層が少なくともＳｎを含む。使用中に、付着と除去との両プロセスが生じ、それによって劣化したキャップ層を提供する。さらなる実形態では、装置の使用の少なくとも一部で、Ｓｉが、例えばレジストからのガス放出のせいでキャップ層の少なくとも一部に付着する。したがって別の実施形態では、付着物は少なくともＳｉを含み、その変形で、キャップ層が少なくともＳｉを含む。

別の実施形態では、キャップ層は、除去プロセス中にエッチングで除去され、さらに別の実施形態では、キャップ層は除去プロセス中にキャップ層を水素基に接触させることによって除去される。水素基は様々な方法で生成することができる。本発明による方法のある実施形態では、水素基の少なくとも一部は、熱フィラメント、プラズマ、放射線、およびＨ₂を水素基に変化させる触媒から選択され、Ｈ₂を解離して、触媒の表面に吸着するＨ塩基またはＨ原子にする１つまたは複数の塩基形成デバイスによって、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から生成される。触媒は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＩｒおよびＲｕを含む触媒のような遷移金属系触媒を含んでよい。触媒は、Ｒｕ層、例えばかすめ入射ミラーまたは多層の表面も含んでよく、この場合、Ｒｕが最上層に含まれる。塩基を生成する放射線は、ＥＵＶ放射線、ＤＵＶ放射線、ＵＶ放射線のような放射線、例えば１９３ｎｍ、１５７ｎｍおよび１２６ｎｍから選択した波長を有する放射線などの放射線を含んでよく、放射線は、電子ビームまたは電離放射線のような放射線を含んでよく、したがって水素基を水素から形成することができる。

本発明のさらなる実施形態によると、光学エレメントを含む装置の外部の場所で、キャップ層の少なくとも一部を提供する方法が提供され、さらなる実施形態によると、光学エレメントを含む装置の外部の場所（ｅｘｓｉｔｕ）でキャップ層の少なくとも一部を除去する方法が提供される。

本発明のさらなる実施形態によると、デバイス製造方法は、照明システムおよび投影システムを含むリソグラフィ装置を提供することを含み、リソグラフィ装置はさらに光学エレメントを含み、さらにパターン形成した放射線のビームを、放射線感光性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板の目標部分に投影することと、付着プロセスによってキャップ層を光学エレメントに提供することと、装置の使用中または使用後に、Ｈ₂含有ガス、および炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を装置の少なくとも一部に提供することを含む除去プロセスで、光学エレメントからキャップ層の少なくとも一部を除去することと、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成することと、光学エレメントをキャップ層とともに水素基の少なくとも一部に接触させ、キャップ層の少なくとも一部を除去することとを含む。

本発明のさらなる実施形態によると、装置は光学エレメントと、Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から塩基を生成するように構成された水素基発生装置とを含む。

さらなる実施形態によると、装置は光学エレメントと、Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から塩基を発生するように構成された水素基発生装置と、付着物発生装置とを含み、付着物はＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む。

さらなる実施形態によると、水素基発生装置は、加熱可能なフィラメント、プラズマ発生装置、放射線のソース、およびＨ₂を水素基に変換するように構成された触媒から選択した塩基形成デバイスを含む。Ｒｕが最上層に含まれる。放射線のソースは、ＥＵＶ放射線、ＤＵＶ放射線、ＵＶ放射線のような放射線、例えば１９３ｎｍ、１５７ｎｍおよび１２６ｎｍから選択した波長を有する放射線のような放射線を発生するように構成されたソースでよく、放射線のソースは、電子ビームまたは電離放射線などの放射線を発生することができ、したがって水素基を水素から形成することができる。別の実施形態では、リソグラフィ装置のソースを放射線のソースとして使用し、塩基を生成する。

別の実施形態によると、付着物生成装置は、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む付着物を生成するように構成され、加熱可能なフィラメント、プラズマを発生する発生装置、および放射線のソースから選択したデバイスを含む。

さらに別の実施形態によると、装置は、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含むガスを提供するように構成された入口を含む。光学エレメント上にキャップ層を生成するために、例えば熱フィラメントなどによって種を作成できるように、ガスを導入することができる。さらなる実施形態では、装置はさらに、開始材料を提供するように構成された入口を含む。

本発明のさらに別の実施形態によると、リソグラフィ装置は光学エレメントと、放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成された支持体とを含み、パターニングデバイスは、放射線ビームの断面にパターンを与えて、パターン形成した放射線ビームを形成するように構成され、さらに、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から塩基を発生するように構成された水素基発生装置とを含む。

さらなる実施形態によると、リソグラフィ装置は光学エレメントと、放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成された支持体とを含み、パターニングデバイスは、放射線ビームの断面にパターンを与えて、パターン形成した放射線ビームを形成するように構成され、さらに、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から塩基を発生するように構成された水素基発生装置と、付着物発生装置とを含み、付着物はＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む。

本発明のさらに別の実施形態によると、光学エレメントを含む装置の光学エレメント上の付着物を除去する方法で、付着物は、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含み、方法は、Ｈ₂含有ガス、および炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから１つまたは複数の追加的化合物を装置の少なくとも一部に提供することと、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を発生することと、光学エレメントを付着物とともに水素基の少なくとも一部と接触させて、付着物の少なくとも一部を除去することとを含む。

さらなる実施形態では、付着物は少なくともＳｉを含む。

本発明のさらに別の実施形態によると、装置は光学エレメントと、Ｓｎを含む付着物を提供するように構成された付着物発生装置とを含む。

さらなる実施形態では、装置はさらに、Ｓｎを含む開始材料を提供するように構成された入口を含む。開始材料は、例えば熱フィラメントなどを使用してＣＶＤ技術でキャップ層を生成するために使用可能なガスでよいが、開始材料は、金属またはＳｎの酸化物でもよく、これはＰＶＤ技術によって付着するために元素Ｓｎを提供する。

別の実施形態によると、装置はＥＵＶリソグラフィ用のリソグラフィ装置である。

本発明のある実施形態によると、炭化水素化合物はＣ₁−Ｃ₂₅化合物を含む。さらなる実施形態によると、炭化水素化合物は線状、分枝、環状または芳香族炭化水素を含む。

さらに別の実施形態では、炭化水素化合物は、線状、分枝、環状または芳香族でよい少なくとも１つのＣ₁−Ｃ₆炭化水素基で置換した芳香族化合物を含む。

ある実施形態では、炭化水素化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を含み、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は別々にＣ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される。つまり炭素原子が４つの炭化水素基によって配位結合され、これは別個に相互の線状、分枝、環状または芳香族でよい。

別の実施形態では、炭化水素化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を含み、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は別々にＣ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つが水素基を含む。

別の実施形態では、炭化水素化合物はメタン、トルエンおよびＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＨのグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、およびＲ₃は別々にＣ₁−Ｃ₄炭化水素基のグループから選択され、これは別個に相互の線状、分枝、環状または芳香族でよい。

別の実施形態では、シラン化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を含み、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は別々にＣ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される。つまり炭素原子が４つの炭化水素基によって配位結合され、これは別個に相互の線状、分枝、環状または芳香族でよい。

さらに別の実施形態では、シラン化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を含み、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は別々にＣ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つが水素基を含む。

本発明のさらに別の実施形態によると、シラン化合物はＳｉ_nＨ_2n+2のグループから選択した１つまたは複数の化合物を含み、ここでｎは１以上の整数である。例えば１（「シラン」）または２、３、４など（ポリシラン）である。

さらに別の実施形態ではＣ₁−Ｃ₂₅化合物、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素側基またはＣ₁−Ｃ₄炭化水素側基は、アルコキシル基礎、アルコール基およびハライド（ハロイド）基のグループから選択した１つまたは複数を含んでよい。Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素側基またはＣ₁−Ｃ₄炭化水素側基は、線状、分枝、環状（または芳香族）基を含んでよい。

本発明の炭化水素またはシラン化合物を提供するために、ある実施形態では、本発明の装置はさらに、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口を含む。ある実施形態では、この入口は、Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成されたものと同じ入口である。変形では、幾つかの入口を使用する。別の変形では、装置の少なくとも一部に導入する前に、Ｈ₂含有ガスおよび追加の化合物（例えばメタン）を混合する。

ある実施形態によると、本発明による方法はさらに、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物から、塩基、特に炭化水素基を生成することを含む。

さらに、別の実施形態では、装置はさらに、１つまたは複数の追加的化合物から塩基を生成するように構成された塩基生成装置を含む。特定の実施形態では、装置はさらに、１つまたは複数の追加的化合物から炭化水素基を生成するように構成された炭化水素基生成装置を含む。さらに特定の実施形態では、この炭化水素基生成装置は、水素基の生成に使用するもの、つまり熱フィラメント、プラズマおよび放射線から選択した１つまたは複数の塩基形成デバイスおよび／またはシランを炭化水素基に変化させる触媒と同じ生成装置でよい。

本発明のある実施形態によると、付着物の少なくとも一部またはキャップ層の少なくとも一部を、光学エレメントを含む装置から外部の場所で除去するか、光学エレメントを含む装置から現場で除去するか、（デバイス製造プロセスのような）光学的プロセスを実行する間に、光学エレメントを含む装置から現場で除去する。

次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。

図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示したものである。この装置１は、放射線ビームＢ（例えばＵＶ放射線またはＥＵＶ放射線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬを含む。支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置ＰＭに連結を行う。基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジスト塗布したウェハ）Ｗを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置ＰＷに連結を行う。投影システム（例えば屈折性投影レンズシステム）ＰＬは、パターン形成した放射線ビームＢを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成される。

照明システムは、放射線の誘導、成形、あるいは制御を行うために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの光学構成要素、またはその組み合わせなどの様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。

支持体ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、つまりその重量を担持する。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、または他の締め付け技術を使用することができる。支持体は、例えばフレームもしくはテーブルでよく、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。支持体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して所望の位置にあることを保証することができる。

本明細書において使用する「レチクル」または「マスク」なる用語は、より一般的な「パターニングデバイス」なる用途と同義と見なすことができる。

本明細書において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するように、放射線ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射線ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが移相形体またはいわゆるアシスト形体を含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は小さなミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、異なる方向に入射の放射線ビームを反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射線ビームにパターンを与える。

本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。

ここで示しているように、本装置は反射タイプであり、例えば反射性マスクを使用する。あるいは、装置は透過タイプでもよい。例えば反射性マスクを使用する。

リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）あるいはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。

リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するよう、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。本明細書で使用する「浸漬」なる用語は、基板などの構造を液体に浸さなければいけないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体を配置するというだけの意味である。

図１を参照すると、照明装置ＩＬは放射線ソースＳＯから放射線ビームを受け取る。ソースとリソグラフィ装置とは、例えばソースがエキシマレーザである場合に、別個の存在でよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはビーム拡大器などを含むビーム送出システムＢＤの助けにより、ソースＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、ソースが装置の一体部品でもよい。ソースＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム送出システムＢＤとともに放射線システムと呼ぶことができる。

照明装置ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置ＡＤを含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明装置ＩＬは、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するように、放射線ビームの調整に使用することができる。

放射線ビームＢは、支持体（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射線ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＬを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび位置センサＩＦ１（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合、スキャナとは対照的に、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用の目標位置を占有するが、目標部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡに複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

ここに表した装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が１回で目標部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に基板テーブルＷＴがＸ方向および／あるいはＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルＷＴを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。

上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。

「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素のいずれか、またはその組み合わせを指す。

本発明の状況では、「光学エレメント」は光学フィルタ、光学格子、多層ミラー、かすめ入射ミラー、垂直入射ミラー、コレクタミラーのようなミラー、レンズ、レチクル、ダイオード、強度測定センサ、エネルギセンサ、ＣＣＤセンサ、光学アラインメントセンサのようなアラインメントセンサのようなセンサ、例えば参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６，６１４，５０５号および第６，３５９，９６９号に記載されたようなガスバリア構造などから選択した１つまたは複数のエレメントを含む。フィルタ、光子、ミラーまたはレンズなどのこのような光学エレメントは、平坦または湾曲してよく、層、箔、デバイスなどとして存在してよい。本発明のある実施形態では、光学フィルタ、光学格子、多層ミラー、かすめ入射ミラー、垂直入射ミラー、コレクタミラーのようなミラー、レンズなどのような光学エレメントは、所定の波長λ（５０〜２０ｎｍなど、つまりＥＵＶ放射線、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍなど）の放射線に合わせてブレージングまたは最適化することができる。これは、レンズの場合は、波長λの放射線に対して透過性でよく、あるいはミラーの場合は反射性、格子の場合は回折性でよい。幾つかの光学エレメントは、これらの光学効果のうち１つまたは複数を提供することができる。例えば参照により本明細書に組み込まれる欧州特許出願第０３０７７１５５号および第０３０７７８５０号を参照のこと。

本明細書で使用する「層」という用語は、当業者に理解されているように、他の層および／または使用中の真空のような他の媒体との１つまたは複数の境界を有する層を表すことができる。しかし、「層」は構造の一部も意味してよいことを理解されたい。「層」という用語は、幾つかの層も示すことがある。これらの層は、例えば相互に隣接したり、相互に重なったりしてよい。これは１つの材料または材料の組合せを含んでもよい。本明細書で使用する「層」という用語は、連続層または不連続層を表してよいことも留意されたい。本発明では、本明細書で使用する「材料」という用語は、材料の組合せと解釈してもよい。本明細書の「付着物」という用語は、当業者に知られているように表面（例えば光学エレメントの表面）に化学的または物理的に付着した材料を指す。このような付着物は層でよいが、多層構造も含むことがある。付着物はキャップ層を含んでよいが、ソースからスパッタされた（元素）粒子のような望ましくない付着物も含んでよい。付着物は、再付着生成物または気化生成物も含んでよい。付着物は、例えば粒子をスパッタするソースとともに装置を使用した後に、このようにスパッタされた粒子を含む、またはＢ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎのグループから選択した１つまたは複数の元素を含む材料からの付着物を含む保護層として、キャップ層も含んでよい。「付着物が、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎから選択した１つまたは複数の元素を含む」、または「キャップ層が、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む」というフレーズの「元素」という用語は、本明細書では当業者に知られているように、このような元素を含む、またはこのような元素を含む粒子を含む、またはこのような元素を含むＳｉ酸化物、Ｓｉ炭化物などの化合物を含む、またはその組合せなどの付着物またはキャップ層を指す。「Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む付着物」というフレーズは、原子のＢ、Ｃ、ＳｉまたはＧｅ、またはその組合せを含む単層または多層を指す。

「Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む開始材料」というフレーズは、ガス（例えば水素化物）、化合物（例えばＳｉ酸化物）、金属およびＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの元素を指す。「Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含むガス」というフレーズは、ガス相中のこのような元素および／またはＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの揮発性化合物、例えば水素化物を指すが、当業者に理解されるように、例えばテトラメチルシラン、テトラエチルシランのような金属と炭化水素の化合物などの他の揮発性化合物を選択することもできる。開始材料（またはガス）を使用して、付着物を生成可能な種を提供することができる。例えばＳｉＨ₄ガスは、光学エレメントの表面に付着し、熱フィラメントの熱または放射線などによってＳｉキャップ層を生成することができる。ここでは種は開始材料そのものである。さらに、例えばＳｉＨ₄は、ＳｉＨ₂およびＳｉのような種に変化することができ、これはＳｉキャップ層または光学エレメント上の付着物を形成することができる。本明細書では、種はＳｉＨ₂およびＳｉである。別の例では、開始材料は、例えばＳｉＯまたはＳｉＯ₂であり、ＰＶＤプロセスによって光学エレメント上に付着物を形成するＳｉ元素を提供する。ここでは、種はＳｉ元素である。したがって、「付着物を生成可能な種」というフレーズは、付着物またはキャップ層を生成することができる開始材料または中間生成物または元素を指し、「開始材料」という用語は、例えば化学蒸着プロセスまたは物理蒸着プロセスなどによって、それらのプロセスによって光学エレメント上に付着物またはキャップ層を生成する種を提供することができる元素、ガス、金属、金属酸化物などを指す。当業者に理解されるように、ＥＵＶ用途ではＡｒなどのようなガスが存在していても、装置内に多少の酸素が残ることがあるので、光学エレメント上の付着物またはキャップ層は酸化物も含むことがある。さらに、炭化水素が存在するので、カーバイドまたはオキシカーバイドも形成されることがある。

「炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の化合物を装置の少なくとも一部に提供する」というフレーズは、炭化水素化合物又はシラン化合物或いはこれらの化合物の両方を意図的に導入することを表す。ここで「化合物」とは、ガスまたは液体を指し、特定の分子を指すものではない。液体の場合、ある実施形態では、化合物を例えば（予備）加熱によって気体状化合物として装置内に導入するか、例えばリソグラフィ装置などの装置内で気化するか、装置内で分解した後に導入するか、装置内で分解する。実施形態では、炭化水素またはシラン化合物の沸点は７７３Ｋ（５００℃）であり、さらなる実施形態では、炭化水素またはシラン化合物の沸点は６２３Ｋ（３５０℃）であり、さらなる実施形態では、炭化水素またはシラン化合物の沸点は５２３Ｋ（２５０℃）であり、さらに別のさらなる実施形態では、炭化水素またはシラン化合物の沸点は４２３Ｋ（１５０℃）である。「基」または「側鎖」または「側基」という用語は同義である。例えば、トリメチルシラン（ＨＳｉ（ＣＨ₃）₃）は、１つの水素基（Ｈ）および３つのメチル基を含むシリコンであり、また、例えばイソブタンは、メチル側基または側鎖が１つあるプロパンである。Ｃ１−Ｃ６などの用語は、Ｃ₁（つまりＣＨ₄化合物またはＣＨ₃側鎖）、Ｃ₂（エタン）、Ｃ₃（プロパン）、Ｃ₄（ブタン）、Ｃ₅（ペンタン）、Ｃ₆（ヘキサン）など、およびその異性体のような炭化水素または炭化水素側鎖を指す。

本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長λを有する）および超紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射線（例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む全タイプの電磁放射線、さらにイオンビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含む。一般的に、約７８０ｎｍ〜３０００ｎｍ（以上）の波長を有する放射線を、ＩＲ放射線と見なす。ＵＶとは、約１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の放射線を指す。リソグラフィでは、一般的に水銀放電ランプによって生成可能な波長、つまりＧ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍおよび／またはＩ線３６５ｎｍも用いられる。ＶＵＶは真空ＵＶ（つまり空気によって吸収されるＵＶ）であり、約１００ｎｍ〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは深ＵＶであり、通常は１２６ｎｍ〜２４８ｎｍのようにエキシマレーザによって生成される波長のリソグラフィに使用する。当業者に理解されるように、例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射線は、特定の波長帯域幅の放射線を指し、その少なくとも一部は５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に見られる。

図２は、投影装置１をさらに詳細に示し、放射線システム４２、照明光学系ユニット４４、および投影システムＰＬを含む。放射線システム４２は、放電プラズマによって形成可能な放射線ソースＳＯを含む。ＥＵＶ放射線は、内部に非常に高温のプラズマが生成されて、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射線を放出するＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成することができる。非常に高温のプラズマは、電荷の部分的に電離したプラズマを光軸Ｏ上で崩壊させることによって生成される。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の適切なガスまたは蒸気の１０Ｐａという分圧を、ソース室４７の口に、またはその背後に位置決めされたガスバリア構造または汚染トラップ４９を介してソース室４７からコレクタ室４８へと渡す。ガスバリア構造／汚染トラップ４９は、例えば米国特許第６，６１４，５０５号および第６，３５９，９６９号に詳細に記載されているようなチャネル構造を含む。

コレクタ室４８は、かすめ入射コレクタによって形成可能な放射線コレクタ５０を含む。コレクタ５０によって渡された放射線は格子スペクトルフィルタ５１で反射して、コレクタ室４８の開口にある仮想ソースポイント５２に収束する。コレクタ室４８からの放射線ビーム５６は、照明光学ユニット４４で反射し、垂直入射反射鏡５３、５４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスクに当たる。パターン形成されたビーム５７が形成され、これは投影システムＰＬ内で反射性エレメント５８、５９を介してウェハステージまたは基板テーブルＷＴ上に投影される。照明光学ユニット４４および投影システムＰＬ内には、一般的に図示より多くのエレメントが存在してよい。

放射線コレクタ５０は、参照により本明細書に組み込まれた欧州特許出願第０３０７７６７５．１号に記載されているようなコレクタでよい。

図２で図示された全ての光学エレメント、およびこの実施形態の略図で図示されていない光学エレメントは、例えばＳｎの付着に対して脆弱である。これは、光学エレメント、放射線コレクタ５０および格子スペクトルフィルタ５１に特に当てはまる。したがって、本発明の方法は、これらの光学エレメントに当てはまるが、垂直入射反射鏡５３、５４および反射性エレメント５８、５９にも当てはまる。図３は、本発明の実施形態により、このような光学エレメントにキャップ層を生成し得る方法を概略的に示す。

図３は、光学エレメント１００の表面の一部を概略的に示し、付着プロセスによってキャップ層１２５を光学エレメント１００に提供するプロセスを概略的に説明するものである。光学エレメント１００はコレクタ５０、格子スペクトルフィルタ５１であってよく、例えばＲｕコーティングなどがあるＳｉ／Ｍｏ多層ミラーのような多層ミラーでよいことを理解されたい。

キャップ層１２５の構成を生成可能な種を提供することができるガス１０５（この実施形態では、気体状開始材料の例としてＳｉＨ₄を取り上げている。）を、ガス供給部６（１）によって入口２（１）を通して導入する。Ｓｉの付着は、種提供デバイスによって実現され、このデバイスはこの実施形態では熱フィラメント１１０であり、付着可能な種を提供し、他の種の中でも、付着物またはキャップ層１２５を形成するＳｉ１１５、さらに水素１２０を生成する。熱フィラメント１１０は、Ｗ（タングステン）またはＴａ（タンタル）線またはコイルでよく、材料の種類およびガス１０５中の種の化学結合を解離するのに望ましい温度および必要な温度に応じて、例えば１５００〜３０００Ｋ（８１６〜１６４９℃）、あるいはさらに上まで加熱することができ、したがってキャップ層１２５は、Ｓｉ１１５の付着により形成することができる。例えば、Ｔａの細い線を通して約２０Ａを送ることができる。フィラメントは、一般的に約２０００〜２３００Ｋ（１０９４〜１２６０℃）（Ｗでは一般的に約１７００〜２５００Ｋ（９２７〜１３７１℃））の温度に到達し、この温度は炭化水素またはシランのＳｉ−Ｈ結合またはＣ−Ｈ結合を破壊するには十分に高く、水素基を生成する。Ｓｉ粒子（特に原子）１１５が形成され、付着物またはキャップ層１２５として光学エレメント１００に付着する。水素基または水素ガス１２０も形成される。

ＳｉＨ₄は揮発性化合物である。所望の付着率が獲得されるように、ＳｉＨ₄の分圧、およびガス１０５のガス流量、光学エレメント１００の温度、ガス１０５の温度、フィラメント１１０の温度などのような他のパラメータを選択し、制御することができる。

ＳｉＨ₄の代わりに、ガス１０５は他のシラン、または熱フィラメント１１０で加熱するとＳｉを形成するＳｉ化合物も含んでよいが、ガス１０５はＣＨ₄のような炭化水素、エタン、プロパン、（イソ）ブタンなど、または２つ以上のこれらの化合物、または付着物を形成可能なＳｉ化合物とＣ化合物の組合せも含むことができる。この方法で、Ｓｉは、最大約３０〜６０ｎｍ／分という典型的な成長率で付着することができる。Ｃは、最大約３０〜６０ｎｍ／分の成長率で成長することができる。Ｓｉ、Ｃ、またはＳｉとＣの両方のキャップ層の層厚さは、約０．５ｎｍと２０ｎｍの間、例えば約１ｎｍと５ｎｍの間でよい。キャップ層は、層厚さの約１〜５０％、例えば層厚さの約１０％と約２０％の間のような粗さを有する。Ｓｉおよび／またはＣの代わりに、またはその隣に、Ｂおよび／またはＧｅも、光学エレメント１００上に付着する材料として選択することができる。

フィラメント１１０は、光学エレメントの種類、適用される温度、およびフィラメント１１０および光学エレメント１００の位置における装置内の局所的圧力に応じて、光学エレメント１００から約０．１ないし５０ｃｍの距離に配置することができる。フィラメント１１０は、光学エレメント１００の表面から適切な距離に配置構成された幾つかのフィラメントを含んでよいことを理解されたい。１つまたは複数のフィラメント１１０を、電源（図示せず）によって制御された方法で（個々に）加熱し、光学エレメント１００の温度、または光学エレメント１００の一部の局所的温度、または空間の温度、または光学エレメント１００とフィラメント１１０の間の空間の一部の温度を光学的に測定可能な熱エレメントまたは他のデバイス（これも図示せず）でさらに制御することができる。層１２５が付着するには時間がかかり、したがって図３はこのような層１２５が存在する特定の瞬間を概略的に示すことも理解されたい。

例えばリソグラフィ装置のような装置の使用の少なくとも一部で、ソースＳＯ（図示せず）の放出のせいで、Ｓｎがキャップ層１２５の少なくとも一部に付着するか、キャップ層１２５の少なくとも一部を損傷し、除去することができる。光学エレメント１００の使用後に、キャップ層１２５は、損傷しているように見え、Ｓｎなどの元素を含むことがあり、これは望ましくないか、光学エレメント１００を損なう可能性があり、したがってキャップ層１２５を除去するか、新鮮なキャップ層１２５と置換することができる。図４も、光学エレメント１００の表面の一部を概略的に示し、付着物またはキャップ層１２５を除去するプロセスを概略的に説明するものである。層１２５は、図３で上述したようなキャップ層でよく、キャップ層１２５がある光学エレメント１００を含む装置の使用後に、キャップ層を使用したせいで、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素の隣で、キャップ層１２５が、例えばソースＳＯ（図１および図２で図示）などからのＳｎも含むか、層１２５が主に、または完全にプラスチック管または残りのガスなどからのＳｎまたは炭化水素のような望ましくない付着物を含むようなキャップ層１２５でもよい。

図４を参照すると、Ｈ₂を含むガス１５５が、ガス供給部６（２）によって、光学エレメント１００が存在する空間の入口２（２）を通して提供される。熱フィラメント１１０が存在するので、水素ガスが水素基１６５中で解離する。水素基１６５の一部が、光学エレメント１００の表面上の付着物またはキャップ層１２５と接触し、ここで水素基１６５がＳｉ（Ｓｉ酸化物を含む）、Ｓｎ（錫酸化物を含む）およびＣなどのうち１つまたは複数と反応する。この方法で、付着物１２５がある光学エレメント１００が水素基１６５の少なくとも一部と接触し、付着物１２５の少なくとも一部が除去される。揮発性水素化物１７０が形成され、これは図４ではＳｉＨ₄として示されているが、錫水素化物および／またはＣＨ₄などのような炭化水素も含むことができる。揮発性化合物１７０は、排気管またはポンプ（図３および図４には図示せず）によって少なくとも部分的に除去される。しかし、１つまたは複数のゲッタプレートも提供してよく、その上で水素化物が付着物を形成することができ、したがって光学エレメントにとってもう有害ではない。１００〜１５０ｎｍ／時の除去率を獲得することができる。成長率および除去率は、外部の場所でのＸ線蛍光分光法から導出することができる。このように、付着プロセスによってキャップ層１２５を光学エレメント１００に提供する方法を使用し、除去プロセスで、装置の使用中または使用後にキャップ層１２５の少なくとも一部を除去する。光学エレメント１００は使用中に保護され、キャップ層１２５のリフレッシュのせいで連続的に使用することができる。しばらく使用した後、キャップ層１２５がある光学エレメント１００を、上述の除去プロセスにかけることができ、これは、装置の少なくとも一部にＨ₂含有ガス１５５を提供することと、キャップ層１２５がある光学エレメント１００を水素基１６５の少なくとも一部と接触させて、キャップ層１２５の少なくとも一部を除去することとを含む。先行技術で示唆されているように、光学エレメント１００を含む装置の部品を損傷し得るハロゲン化物を使用しないので、付着物またはキャップ層１２５を少なくとも部分的に除去し、それによって損傷したキャップ層１２５またはＳｎを含むキャップ層１２５を除去することができる。酸化しているＳｎさえ、Ｓｎ水素化物としての水素基１６５で除去することができる。これらの揮発性化合物は、排気管（図示せず）によって装置から除去することができる。本発明の方法を実行することにより、光学エレメント１００はキャップ層１２５によってＳｎから保護され、光学エレメント１００の光学特性の向上および寿命の延長につながる。例えば、Ｓｎによる反射損を減少させ、光学エレメント１００の寿命を延長させるために、保護キャップ層１２５を簡単に回復させることができる。その次に、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数を含むキャップ層１２５は、ＥＵＶ放射線に対して比較的透過性であり、したがって放射線はキャップ層１２５によってほとんど減少しない。

この実施形態では、水素基を生成するデバイスはフィラメント１１０であり、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数から付着物を提供するデバイスもフィラメント１１０である。これらのフィラメントは、同じまたは異なるフィラメント１１０でよい。

ガス供給部６（１）、６（２）および入口２（１）、２（２）は、それぞれ同じガス供給部および入口でよい。さらに、これらの入口は、ガスを装置に導入するか、ガスを装置から除去するために使用可能な通常の入口でよい。したがって、これらの供給部および入口は、当業者に理解されるように、導入を可能にするデバイスを表し、適宜、装置から、または光学エレメント１００を含む装置の部分からガスを除去できるようにする。当業者に理解されるように、デバイスは、ポンプ、容器、（分）圧手段、流量制御装置、弁、排出管などを含んでよい。

キャップ層１２５は、ソースからのスパッタリング生成物または電子から光学エレメント１００を保護するだけでなく、例えば酸素または水のような化学的攻撃からも光学エレメント１００を保護する。

この実施形態の変形で、図４の光学エレメント１００はミラー５８または５９（図２参照）を含む光学エレメント、または投影システムＰＬ内に存在し得る別のミラーまたは光学エレメント（このシステムＰＬ内には、例えば６つのミラーがあってよい）を示すことができる。光学エレメントが投影システムＰＬ内に存在し、装置の他の部品も、ウェハテーブルＷＴ上のウェハ上のレジストからＳｉが放出されることによって形成された付着物１２５を含むことがある（図１および図２参照）。図４で示す方法によると、この付着物は、熱フィラメント１１０によって、または本明細書で説明する他のデバイスによって生成した水素基１６５で除去することができる。さらに、ガス供給部６（２）は水素ガス１５５を提供することができるが、さらにハロゲンも提供することができる。水素基は、付着物１２５中に存在するＳｉの酸化物を元素Ｓｉに還元し、これがさらに、それぞれ揮発性水素化物およびハロゲン化物を生成することによって除去される。水素化物のみを使用する当技術分野で知られている方法とは対照的に、本発明の方法では、例えばＳｉおよびＳｎなどの酸化物も除去することができる。

図３を参照すると、ＣＨ₄を含むガスが、供給部６（１）によって入口２（１）を介して導入される。Ｃの付着は、熱フィラメント１１０によって実現され、これは１５００Ｋ〜３０００Ｋ（８１６℃〜１６４９℃）に、またはそれ以上まで加熱し、ガス１０５中のＣＨ₄の化学結合を解離させることができ、したがって、Ｃ１１５の分解によりキャップ層１２５を形成することができる。水素基または水素ガス１２０も形成される。ＣＨ₄の代わりに、他の炭化水素も使用することができる。

光学エレメント１００を使用した後、キャップ層１２５を除去し、新鮮なキャップ層１２５で置換することができる。図４を参照すると、Ｈ₂を含むガス１５５が、供給部６（２）によって入口２（２）を介して光学エレメント１００が存在する空間へと提供される。熱フィラメント１１０が存在するので、水素ガスは水素基１６５中で解離する。水素基１６５の一部は光学エレメント１００の表面上の付着物またはキャップ層１２５へと移動し、そこで水素基１６５はＣまたはＣおよびＳｎ（ソースＳＯからスパッタされる）などと反応する。揮発性水素化物１７０が形成され、これは図４ではＳｉＨ₄とされているが、この実施形態では炭化水素または炭化水素と水素化錫を含む。揮発性化合物１７０は、排気管またはポンプ（図３または図４には図示せず）によって少なくとも部分的に除去することができる。

本発明のある実施形態では、光学エレメント１００は放射線コレクタ５０でよい（図２も参照）。図５は、第一ミラー３０（１）および第二ミラー３０（２）を含むコレクタ５０の一部を概略的に示す。放射線コレクタ５０は、ＥＵＶ放射線３５を集光し、放射線ビーム５６を生成するために３つ以上のミラーを含んででよい。ミラー３０（１）と３０（２）の間の空間１８０内には、ＥＵＶ放射線３５の外側、つまりミラー３０（２）の影に配置構成された空間１８０の部分がある。これらの空間の部分は灰色の区域で示される。例えば、これらの空間を使用して図示のように、フィラメント１１０（１）および１１０（２）を有するフィラメント１１０を配置構成することができる。炭素またはシリコンの水素化物が空間１８０に入り、熱フィラメント１１０によってキャップ層（図示せず）をミラー３０（１）および３０（２）上に形成する。同様に、水素ガスが空間１８０に入り、フィラメント１１０によって少なくとも部分的に該水素ガスを水素基１６５に変化させることができ、これはＳｎのような望ましくない付着物、または炭素キャップ層、シリコンキャップ層または炭素シリコンキャップ層などのキャップ層１２５を除去することができ、これらの後者の層は、ソースＳＯ（図示せず）からのＳｎも含んでよい。

この実施形態の変形では、ガス供給部６（１）および６（２）を、コレクタ５０が配置された空間内に設けることができる。さらなる変形では、入口２（２）および２（２）も、ＥＵＶ放射線３５の外側、つまりミラー３０（２）の影に配置構成された空間１８０の一部に入るように、ガス供給部を配置することができる。図５は、ガス供給部６（１）および６（２）それぞれの位置の例を示す。１つまたは複数のガス供給部６（１）および６（２）それぞれを、コレクタ５０（または他のミラー）が存在する空間に配置することができるが、代わりに１つの入口２（図示せず）がある１つのガス供給部６のみが所望のガスを提供してもよいことを理解されたい。

本発明のさらなる実施形態では、光学エレメント１００はコレクタ５０でよく、これにさらに熱フィラメント３８を設ける。図６は、第一ミラー３０（１）および第二ミラー３０（２）を含むコレクタ５０の一部を概略的に示す。放射線コレクタ５０は、ＥＵＶ放射線３５を集光し、放射線ビーム５６を生成するために、３つ以上のミラーを含んでよい。ミラー３０（１）と３０（２）の間の空間内に、ＥＵＶ放射線３５の外側、つまりミラー３０（２）の影に配置構成された空間１８０の部分がある。これらの空間の部分は、参照番号３２および３４が付いた灰色の区域で示されている。例えば、これらの空間を使用して、（図５で示すように）フィラメント１１０を配置構成することができる。図６は、制御装置４０によって制御された加熱エレメント３８を示す。加熱エレメントソース３８は、コネクタ３１によってミラー３０（１）に接続してよい。コネクタ３１は導電加熱してよい。制御装置４０は、適切にプログラムしたコンピュータ、または適切なアナログおよび／またはディジタル回路がある制御装置として実現することができる。加熱エレメント３８は、矢印３７で示す熱を発生し、これが放射線コレクタ５０の第一ミラー３０（１）へと配向される。加熱エレメント３８は、ミラー３０（１）に物理的に接続してもよい。加熱装置３８は、様々な加熱エレメントを含むか、ミラー３０（１）の様々な区域を選択的に加熱できるように配置構成する、あるいはその両方でよい。この方法で、キャップ層の層成長および層除去をさらによく制御することができる。加熱エレメント３８は制御装置４０によって制御することができ、これはポンプ２９、または熱電対、ガス圧力、ガス流量、ミラー３０（１）の反射率を分析する分析ユニット、キャップ層の厚さを測定する分析ユニットなど（図６には図示しないが、デバイスの幾つかは図７で図示）のような測定デバイスも制御することができる。

本発明のさらなる実施形態では、図７で概略的に示すように、光学エレメントは放射線コレクタ５０でよく、これは多層ミラーでよく、さらに加熱エレメント６８を設ける。このような多層ミラーは、少なくとも４０の層、または少なくとも５０の層、少なくとも６０の層を含んでよく、さらにＲｕ保護層（最上層）を含んでよい。

図７で示すようなシステムは、放射線を室３内に放射するソース室４７を含み、これはコレクタ室４８（図２で図示）の一部またはコレクタ室４８自体でよい。システムは、炭化水素ガス、シランガス、またはその両方を供給するガス供給部６を含む。供給部は、必要なガス６のソースおよび入口２を含む（この図ではガス供給部６が１つしか図示されていないが、より多くの供給部が存在してよく、例えば図３から図５を参照されたい）。ガスは室３に供給され、室３内のガスの分圧は、センサ５（制御装置、例えば図５の制御装置４０に結合することができる）を介して監視することができる。反射性センサ７を設け、これを使用して、Ｓｎのスパッタリング、Ｓｉおよび／またはＣなどの層の成長、および付着物またはキャップ層１２５の除去のせいで、コレクタ５０の反射率がいつ低下または増加したか判断することができる。この実施形態は多層ミラーについて説明しているが、これは本発明を制限するものではない。１つの代替形態は、かすめ入射ミラーであり、そのミラーに放射線が約２０°より小さい角度で配向され、これは必ずしも複数の層を含まず、単一の金属層で製造することができる。このようなミラーは、ＥＵＶ放射線ソースによって生成された原子およびイオンに露出した場合にも劣化する。同じ方法が、これらのミラーにも当てはまる。

出口２２は、例えばＨ₂、炭化水素などを除去するが、例えばＨ₂Ｏ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃ、Ｇｅの水素化物およびハロゲン化物、および例えばＣ₂Ｈ₄などの形成可能な炭化水素のように、本発明の方法で形成される揮発性生成物（副産物）も除去する排出管として使用することができる。このような出口は、他の場所、例えば図３、図４、図５および図６の光学エレメント１００に近い場所にも存在してよい。

キャップ層１２５を提供する方法の用途について、図２から図４に関して説明する。熱フィラメント付着などの化学蒸着技術を使用して、シリコンまたは炭素を光学エレメント１００に付着させるか、そこからエッチングすることができる。これは、光学エレメント上のキャップ層としてＳｉまたはＣの薄い層１２５（またはＳｉおよびＣの層）を与え、これはソースＳＯから来る高速イオンによるエッチングからこれを保護する。層１２５は動的でよい。というのは特定の厚さおよび粗さのキャップ層を維持するために、キャップ層１２５を連続的にエッチングし、付着できるからである。これは、３つの別個のプロセスで実行することができる。つまり（１）層１２５を付着させ、次に（２）リソグラフィ装置を作動させ、（３）装置を停止し、層１２５（Ｃ、ＳｉまたはＳｉとＣの両方に次いでＳｎも含んでよいソースＳＯからのＳｎなどの高速原子およびイオンによって減少して、損傷することができる。）をエッチングで除去する。あるいは、さらに別の実施形態では、リソグラフィの動作中にオンラインのエッチングと付着を使用して、３つのプロセス全部を同時に実行することができる。動的キャップ層１２５として使用可能な材料はＳｉ、Ｃ、ＢおよびＧｅであるか、これらの元素のうち２つ以上の組合せを使用することができる。シリコン（またはＢ、Ｃ、Ｇｅ）層のエッチングおよび付着はオンラインで、つまりＥＵＶリソグラフィ機械が作動中に実行することができる。つまり、放射線ビームで光学エレメント１００を照射する間に、キャップ層１２５の少なくとも一部を光学エレメント１００に提供するか、放射線ビームで光学エレメント１００を照射する間に、キャップ層１２５の少なくとも一部を光学エレメント１００から除去する。これは、ガスの圧力を十分に高くできれば可能になることがある。水素は、ＥＵＶ放射線に対して非常に良好な透過性を有する。つまり、オンラインエッチングも可能である。幸運にも、ＳｉＨ₄（Ｓｉ付着物のソース）およびＣＨ₄（Ｃのソース）は、ＥＵＶ放射線に対して非常に良好な透過性を有し、現時点で広く使用されているバッファガスであるアルゴンより、さらに良好な透過性を有する。圧力に対するこれらのガスの透過性が与えられている図８を参照されたい。これらのガスをそれぞれガス１０５または１５５として故意に導入する場合、室を接続、または室の他の部分それぞれを接続した状態で、室または室の閉鎖部分（例えば図２の放射線システム４２または図７の室３）間の圧力差は、非常に大きくなる必要はない。さらに、ＳｉＨ₄およびＣＨ₄は、ＥＵＶ細塵抑制用のバッファガスとしても働くことができる。

光学エレメント１００上の様々なスポットは、ソースからの高速イオンおよび付着率のために、様々なエッチング率を呈する。これにより、光学エレメント１００の表面全体にわたって均一なキャップ層厚さで平衡を達成するのが困難になる。これは、光学エレメント１００の特定部分でエッチング率を上げるための、熱フィラメント（例えば図６および図７参照）による光学エレメント１００の温度勾配で解決することができる。冷却エレメントも使用することができる。したがって、光学エレメント１００にキャップ層１２５を提供するか、キャップ層（または副着物）１２５を除去しながら、光学エレメント１００の１つまたは複数の部分を加熱し、光学エレメント１００にキャップ層１２５を提供しながら、光学エレメント１００の１つまたは複数の部分を冷却することができ、したがって均一なキャップ層１２５を提供し、キャップ層１２５を少なくとも部分的に均一に除去することもできる。冷却は、ペルチエ素子で実行することができ、加熱は、加熱エレメントおよびＩＲ放射線でも実行することができる。キャップ１２５の厚さおよび均一性を制御する他の方法は、ガスの圧力、フィラメント１１０の温度、フィラメント１１０から光学エレメントまでの距離、または様々なフィラメント１１０の個々の温度および距離などを変化させることである。

別の実施形態では、キャップ層１２５は物理蒸着（ＰＶＤ）で生成される。そのために、キャップ層１２５が光学エレメント１００に形成されるような方法で、Ｂ、Ｃ、ＳｉまたはＧｅ、またはこれらの元素の１つまたは複数の組合せを、光学エレメント１００を含む装置に導入する。例えば、電子のビームが、Ｂ、Ｃ、ＳｉまたはＧｅを含む開始材料に衝突し、これは、Ｂ、Ｃ、ＳｉまたはＧｅそれぞれの元素および／または粒子のスパッタリングおよび／または蒸発によって付着物を生成可能な種の形成につながる。物理蒸着は、リソグラフィ装置のその場で実行することができ、それによってオンライン付着技術を提供するか、ＰＶＤ装置の外部の位置で実行することができ、それによってオフライン技術を提供する。

この実施形態では、付着物生成装置は、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅのうち１つまたは複数から選択した付着物を生成し、放射線のソース、例えば電子衝撃を提供するソースである。光学エレメントの使用後または使用中に、加熱可能なフィラメント、プラズマ生成装置、同じソースでもよい放射線ソース、およびＨ₂を水素基に変化させる触媒などの水素基発生装置を使用して、キャップ層１２５を除去することができる。

別の実施形態では、図４を参照すると、水素１５５の次にハロゲンも導入することができる。例えば、酸素の存在によって部分的に酸化されているＳｎを、熱フィラメント１１０で生成した水素基１６５で還元することができる。次に、ＳｎをＳｎＨ₄１７０として、しかしＳｎハロゲン化物としても除去することができる。例えば、水素の次にガス１５５もＣｌ₂またはＩ₂を含んでよい。現在知られているプロセスより、使用すべきハロゲンが少ない。ＳｉまたはＧｅキャップ層または付着物にも、同じことが当てはまる。

さらに別の実施形態では、フィラメント１１０ではなくプラズマ生成装置を使用して、水素基１６５を生成する。この生成装置は、２つの電極間にあり、それによってプラズマを形成する例えば約５〜１０ｋＶの高圧生成装置でよい。このプラズマが存在するので、水素を含むガス１５５からの水素が、少なくとも部分的に水素基１６５に変化する。

このようなプラズマは、開始材料としてシランを含むガス１０５、または開始材料として炭化水素を含むガス１０５それぞれから、Ｓｉを生成するために使用することができる。この実施形態では、水素基生成装置はプラズマであり、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅのうち１つまたは複数から付着物を生成する付着物生成装置は、フィラメント１１０、プラズマまたは放射線ソースでよい。

さらに別の実施形態では、フィラメント１１０の次に、Ｈ₂を水素基に変化させる触媒を使用する。これは、Ｒｕを含むゼオライトまたはアルミナとＲｕのようなＲｕ含有触媒、またはＲｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄなどの他の金属でよい。Ｈ₂を水素基に変化させる触媒が存在するので、水素を含むガス１５５からの水素が、少なくとも部分的に水素基１６５に変化する。この実施形態の変形では、触媒および光学エレメント１００がＲｕ層を含み、これは例えば多層ミラー、かすめ入射ミラーなどのミラーのような光学エレメント１００上のＲｕ保護層でよい。この実施形態では、水素基生成装置は触媒であり、付着物生成装置はフィラメント１１０、またはキャップ層１２５を提供する別のデバイスでよい。

この実施形態の状況、特に光学エレメント上にＲｕ層がある状況では、水素ガス分子がＲｕの表面上で解離し、水素原子を表面に化学吸着させることができる。水素原子は、例えばＳｎへと移動し、水素化物としてＳｎを除去するか、Ｓｎ酸化物（例えばＳｎＯ／ＳｎＯ₂）へと移動し、次にＳｎへと還元することができる。水素原子も、ＳｎまたはＳｎ酸化物（またはそれぞれＳｉおよびＳｉＯ／ＳｉＯ₂など）の近傍で表面上に形成し、Ｓｎを除去するか、ＳｎＯを還元することができる。これで、水素基、Ｒｕ層の表面に結合した水素原子、およびハロゲン化物によって元素Ｓｎを除去することができる（例えば実施形態１および８も参照されたい）。

さらに別の実施形態では、炭化水素を装置に導入し、光学エレメント１００の近傍に炭化水素を提供することによって、キャップ層１２５を生成する。ソースで照射するので、光学エレメント１００の表面に（ファンデルワールス力などのせいで）付着した炭化水素が、Ｃを含むキャップ層１２５に少なくとも部分的に変化する。ソースはＥＵＶ、ＤＵＶまたはＵＶ放射線を提供することができる。代替的または追加的に、これも炭化水素をＣに変化させることができる電子を提供するソースを使用してよく、したがってＣを含むキャップ層１２５が提供される。この実施形態の変形では、例えば放射線のソースはソースＳＯ（図１および図２参照）および／または別個の放射線ソースでよい。

本発明のこの実施形態では、光学エレメント１００を含む装置から、付着物またはキャップ層１２５を含む光学エレメント１００を除去し、別の構成の外部の場所で付着物またはキャップ層除去プロセスを実行する。それには、この構成の少なくとも一部にＨ₂含有ガスを提供し、Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成し、光学エレメント１００とキャップ層１２５を水素基１６５の少なくとも一部と接触させて、この構成の光学エレメント１００からキャップ層１２５の少なくとも一部を除去する。

本発明のこの実施形態では、光学エレメント１００を、この光学エレメント１００を含む装置から除去し、キャップ層１２５を生成する付着を、付着物生成装置によって別の構成の外部の場所で実行し、付着物は、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含む。あるいは、例えば数ｎｍ、約１〜５０ｎｍ、または約２〜４０ｎｍなどの薄いＳｎの層も付着してよい。

この実施形態では、キャップ層１２５を、装置内で特定の期間使用した後に除去する。この除去は、図７のセンサ７によって検出される特定の基準値（例えば光学系１００がミラーまたは格子である場合、光学エレメント１００の反射率）に合わせて実行される。このプロセスは、装置を使用する毎に、またはある時間装置を使用した後に繰り返すことができる。キャップ層１２５は必ずしも完全に除去する必要がなく、特定の基準値が獲得されるまで除去するだけでよい。キャップ層１２５の一部を除去した後、第二基準値が獲得されるまで、新鮮なキャップ層１２５を生成することができる。この方法で、キャップ層１２５を完全に除去した後、またはキャップ層１２５を部分的に除去した後に、新鮮な均一の層を獲得することができる。

この実施形態では、装置はリソグラフィのリソグラフィ装置であり、放射線のビームは放射線を含む。光学エレメント１００は、例えば放射線強度を感知するダイオード、または他の光学エレメント１００の光学特性を感知するダイオード、または図７のようにミラーの反射率を測定するセンサ７、または位置合わせなどのセンサのような光学エレメントである。リソグラフィ装置は、例えば放射線強度を感知するセンサの場合に、放射線のビームで光学エレメントを照射するように設計することができるが、上述したセンサも、直接的放射線が存在しない位置で装置内に存在してよい。例えば数ｎｍのＳｉなど、放射線に対してほぼ透明なキャップ層１２５を生成することができる。

別の実施形態によると、装置は、例えばＥＵＶリソグラフィ用に設計された図２による装置のようなリソグラフィ装置を含む。

図４から図７を参照すると、除去プロセスのために、供給部６（２）によって入口２（２）を介して、（水素ガスに加えて）光学エレメント１００が存在する空間に炭化水素および／またはシラン化合物を提供する。つまり、参照記号１５５は、水素含有ガスおよび炭化水素および／またはシラン化合物ガス（または炭化水素および／またはシランを含むガス）の混合物または２つ以上の流れも示す。供給部６は、幾つかの供給部、例えば炭化水素化合物の供給部、シラン化合物（付着物またはキャップ層１２５の除去に使用する）の供給部、水素含有ガスの供給部およびシラン（キャップ層１２５を提供する）の供給部を指す。例えば、付着物またはキャップ層１２５を除去するために、炭化水素化合物および水素含有ガスを装置に提供することができる（例えばＨ₂／ＣＨ₄）。これらのガスは別個に導入するか、装置に導入する前に混合することができる。

例えばクリーニング中にＣＨ₄を水素含有ガスに追加することによって、同じ条件であるが水素のみのクリーニングプロセスに対して、クリーニング速度が上がるので有利である。例えばＣＨ₄を水素ガスに追加すると、ある実施形態では熱フィラメント１１０がＨ₂分子に加えてＣＨ₄分子を解離する（つまり、ガスの少なくとも一部が炭化水素および水素基を生成し、水素基生成装置１１０が炭化水素基生成装置１１０でもある）。その結果の塩基はＨ基および例えばＣＨ₃基である。これらの塩基間の比率は、例えば水素含有ガスおよび炭化水素化合物含有ガスＣＨ₄の相対的ガス流量を変化させるか、混合ガス中の分子の比率を調整することによって調整することができる。当業者は、比率が低くなりすぎず、高くなりすぎないように、比率を調整する。例えば、ＣＨ₃基が多すぎる場合は、（所望の炭化効果に加えて）基板上に炭素の厚い層を形成する危険が高くなる。したがって、ＣＨ₃濃度は、炭素が成長するより速く、Ｈ基がこれを除去できるほど十分に低くする必要がある。しかし、ＣＨ₃濃度が低すぎる場合、ＣＨ₄の追加が低すぎることになる。

炭化水素基がクリーニング速度を改善できるメカニズムは、以下のうち１つまたは複数でよい。
ガス相では、ＣＨ₃基のような炭化水素基がＳｎＨ₄（水素化錫）分子と反応して、ＳｎＨ₃（ＣＨ₃）、ＳｎＨ₂（ＣＨ₃）₂、ＳｎＨ（ＣＨ₃）₃、またはＳｎ（ＣＨ₃）₄を形成することができる。これらの分子はＳｎＨ₄分子より安定し、したがってクリーニング速度が改善される。というのは、これらの分子がミラー上にＳｎの再付着物を形成する可能性が低くなるからである。したがって、例えば図４を参照すると、参照記号１７０はＳｉＨ₄を含んでよいが、さらに例えばＳｎＨ₃（ＣＨ₃）、ＳｎＨ₂（ＣＨ₃）₂、ＳｎＨ（ＣＨ₃）₃、またはＳｎ（ＣＨ₃）₄ のうち１つまたは複数を含んでよい（追加の化合物が本発明の除去方法でメチル基を形成するものとする）。
例えばＣＨ₃などの炭化水素基は、ミラーの最上層を炭化することができる。例えば、これは例えばＲｕ基板をＲｕカーバイド基板に効果的に変化させることができる。Ｒｕカーバイド基板は、純粋なＲｕ基板より良好なＳｎクリーニング速度を有することができる。

これは、他の付着物、特にＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅにも同様に当てはまる。

本発明のある実施形態では、炭化水素化合物はＣ₁−Ｃ₂₅化合物を含む。さらなる実施形態では、炭化水素化合物は線状、分枝、環状または芳香族炭化水素、例えばメタン、エタン、ｎ−プロパン、ｎ−ブタン、ｎ−プロパン、ｎ−ヘキサン、およびその異性体、例えばシクロプロパン、シクロブタン、ターブタン（イソブタンまたは２−メチルプロパン）、シクロペンタン、イソペンタン（または２−メチルブタン）、ネオペンタン（または２，２−ジメチルプロパン）などを含む。さらなる実施形態では、炭化水素化合物は、メタン、エタン、ｎ−プロパン、ｎ−ブタン、ｎ−プロパン、ｎ−ヘキサン、シクロブタン、ターブタン（イソブタン）、イソペンタン、ネオペンタン、およびこれらの化合物のうち１つまたは複数の混合物から選択される。さらに、炭化水素化合物は、１つまたは複数の不飽和結合、つまりアルケン、アルキンまたは芳香族を有してよい。これらの炭化水素化合物の１つまたは複数の組合せを使用してもよい。

ある実施形態では、炭化水素化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を含み、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄（側鎖）はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される。つまり、炭素原子は４つの炭化水素基によって配位結合され、これはそれぞれ相互に線状、分枝、環状または芳香族でよく、例えばある実施形態ではＣ（ＣＨ₃）₄、Ｃ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₄、Ｃ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₄、Ｃ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₄などでよいが、ある実施形態では例えばＣ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃などでもよい。ある実施形態では、側鎖もこれらの炭化水素基の異性体、例えば上記で定義したようなものも含んでよい。側鎖は、不飽和炭化水素基も含んでよい。側鎖は、異なってもよく（別個に選択する）、線状、分枝または環状となっていてもよい。

さらなる実施形態では、炭化水素化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を含み、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基および水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つは水素基を含む。特定の実施形態では、炭化水素化合物は、ＨＣＲ₁Ｒ₂Ｒ₃から選択され、ここでＲ₁、Ｒ₂およびＲ₃はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループ、例えばＣＨ（ＣＨ₃）₃（トリメチルメタン）、ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリエチルメタン）、ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリプロピルメタン）、ＣＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリブチルメタン）から選択される。上述したように、ある実施形態では側鎖もこれらの炭化水素基の異性体、例えば上記で定義したようなものを含んでよい。側鎖は、不飽和炭化水素基も含んでよい。側鎖は、異なってもよく、線状、分枝または環状となっていてもよい。

さらに別の実施形態では、炭化水素化合物は線状、分枝、環状または芳香族で、少なくとも１つのＣ₁−Ｃ₆炭化水素基で置換した芳香族化合物を含む。

したがって、炭化水素化合物は、付着プロセス（キャップ層１２５の形成）および除去プロセス（つまりキャップ層または付着物１２５の除去）の両方で使用することができる。

炭化水素化合物の代わりに、または炭化水素化合物に加えて、シラン化合物も使用してよい。両方の化合物とも、水素基での処理によって付着物またはキャップ層の除去率が上がるという意味で、触媒と同様の機能を提供することができる。ある実施形態では、シラン化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を含み、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される。つまり、シラン原子は４つの炭化水素基によって配位結合され、これはそれぞれ相互に線状、分枝、環状または芳香族でよく、例えばある実施形態ではＳｉ（ＣＨ₃）₄、Ｓｉ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₄、Ｓｉ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₄、Ｓｉ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₄などでよいが、ある実施形態では例えばＳｉ（ＣＨ₃）（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃などでもよい。上記と同様に、ある実施形態では側鎖もこれらの炭化水素基の異性体、例えば上記で定義したようなものも含んでよい。側鎖は、不飽和炭化水素基も含んでよい。側鎖は、異なってもよく線状、分枝または環状となっていてもよい。

別の実施形態では、シラン化合物はＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を含み、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基および水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つは水素基を含む。つまり、シリコン原子は３つ以下の炭化水素基によって配位結合され、これは相互に線状、分枝、環状または芳香族でよい（例えばトリまたはジメチルシラン）。炭化水素側鎖は、１つまたは複数の不飽和結合、つまりアルケン、アルキンまたは芳香族を有してよい。特定の実施形態では、炭化水素化合物は、ＨＳｉＲ₁Ｒ₂Ｒ₃から選択され、ここでＲ₁、Ｒ₂およびＲ₃はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループ、例えばＳｉＨ（ＣＨ₃）₃（トリメチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリエチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリプロピルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリブチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリペンチルシラン）およびＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₃（トリヘキシルシラン）から選択される。さらに別の特定の実施形態では、シラン化合物は、Ｒ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＨのグループから選択され、ここでＲ₁、Ｒ₂およびＲ₃はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₄炭化水素基のグループから選択され、これは線状、分枝、または環状など、例えばＳｉＨ（ＣＨ₃）₄（トリメチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₄（トリエチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₄（トリプロピルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）₄（トリブチルシラン）から選択される。上述したように、ある実施形態では側鎖もこれらの炭化水素基の異性体、例えば上記で定義したようなものを含んでよい。側鎖は、不飽和炭化水素基も含んでよい。側鎖は、異なってもよく、線状、分枝または環状となっていてもよい。別の実施形態では、シランはポリシランを含む。

さらに特定の実施形態では、炭化水素またはシラン化合物いずれかのＣ₁−Ｃ₂₅化合物、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素側基またはＣ₁−Ｃ₄炭化水素側基は、アルコキシ基（例えばアルキルアルコキシシラン）、アルコール基およびハライド基のグループから選択された１つまたは複数を含んでよい。当業者には明白であるように、ガスの組合せを使用することができる。

上述した全てについて、言及された側鎖には、ある実施形態で側鎖がこれらの炭化水素基の異性体、例えば上記で定義したものを含んでよい。側鎖は、不飽和炭化水素基も含んでよい。側鎖は、（１つの化合物、例えばエチルジメチルシラン：（ＣＨ₃ＣＨ₂）ＳｉＨ（ＣＨ₃）₂などの中で）異なってもよく、線状、分枝または環状でもよい。

さらに別の実施形態では、シラン化合物はＳｉ_nＨ_2n+2のグループから選択した１つまたは複数の化合物を含み、ここでｎは１以上の整数である。したがって、シラン、特定の実施形態ではＳｉ_nＨ_2n+2シランを、付着プロセス（キャップ層１２５の形成）と除去プロセスの両方に使用することができる。

本発明の炭化水素またはシラン化合物を提供するために、ある実施形態では本発明の装置はさらに、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口６、６（２）を含む。ある実施形態では、この入口６、６（２）は、装置の少なくとも一部にＨ₂含有ガスを提供するために構成されたものと同じ入口６、６（２）である。

ある実施形態によると、本発明による方法はさらに、化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物から塩基を生成することを含む。例えば、ＣＨ₃を、ＣＨ₄、ターブチルメタンまたはターメチルシラン（ＣＨ₃）₃ＳｉＨなどから形成することができる。特定の実施形態によると、本発明による方法はさらに、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物から炭化水素基を生成することを含む。そのために特定の実施形態では、装置はさらに、１つまたは複数の追加的化合物から炭化水素基を生成するように構成された炭化水素基生成装置を含む。さらなる特定の実施形態では、この炭化水素基生成装置は、水素基の生成に使用するのと同じ生成装置、つまり、熱フィラメント、プラズマ、放射線および／またはシランを炭化水素基に変化させる触媒から選択した１つまたは複数の塩基形成デバイスでよい。例えば、図４および図５を参照すると、フィラメント１１０を使用して水素基１６５および炭化水素基を生成することができる。

同様に特定の実施形態では、装置はさらに、Ｓｉ_nＨ_2n+2のグループから選択した１つまたは複数のシラン化合物から塩基を生成するように構成された塩基生成装置を含み、ここでｎは１以上の整数である。さらなる特定の実施形態では、この塩基生成装置は、上述したように水素基または炭化水素基の生成に使用するのと同じ生成装置、つまり熱フィラメント（図４および図６の参照記号１１０）、プラズマ、放射線および／またはシラン化合物を塩基に変化させる触媒から選択した１つまたは複数の塩基形成デバイスでよい。

本発明のある実施形態によると、付着物１２５の少なくとも一部、またはキャップ層１２５の少なくとも一部は、外部の位置で光学エレメントを含む装置から除去される。つまり、光学エレメント１００を光学装置から外し、付着物１２５の少なくとも一部を除去するために、別の装置または容器に入れる。本発明の別の実施形態によると、付着物１２５の少なくとも一部、またはキャップ層１２５の少なくとも一部は、その場で光学エレメントを含む装置から除去される。例えば、光学エレメントを含む空間に上述した水素含有ガス、炭化水素および／またはシラン化合物を提供し、塩基生成装置によって付着物１２５を除去する。本発明のさらに別の実施形態によると、付着物１２５の少なくとも一部、またはキャップ層１２５の少なくとも一部は、（デバイス製造方法のような）光学プロセスを実行しながら、その場で光学エレメントを含む装置から除去される。例えば、リソグラフィ装置を使用しながら、水素ガスおよびメタンガスを放射線システム４２のようにコレクタミラー５０モジュールに提供することができ、熱フィラメント１１０またはプラズマによって水素および炭化水素基が形成され、望ましくない付着物１２５または例えば劣化したキャップ層１２５の少なくとも一部を除去するので有利である。上述したように、その場で（または外部の位置で）新しい、新鮮または改善されたキャップ１２５を提供することもできる。

この実施形態では、キャップ層または付着物１２５は、装置内で特定の期間使用した後に除去する。除去は、図７のセンサ７によって検出される特定の基準値（例えば光学系１００がミラーまたは格子である場合、光学エレメント１００の反射率）に合わせて実行される。このプロセスは、装置を使用する毎に、またはある時間装置を使用した後に繰り返すことができる。キャップ層１２５は必ずしも完全に除去する必要がなく、特定の基準値が獲得されるまで除去するだけでよい。キャップ層１２５の一部または全部を除去した後、第二基準値が獲得されるまで、新鮮なキャップ層１２５を生成することができる。この方法で、キャップ層１２５を完全に除去した後、またはキャップ層１２５を部分的に除去した後に、新鮮な均一の層を獲得することができる。例えば反射または他のパラメータを監視することにより、当業者はキャップ層１２５の形成および付着物１２５の除去を調整することができる。したがって、このようなパラメータを監視することにより、除去するために導入すべき化合物の量、および適宜、比率も調整することができ、キャップ層形成のために導入すべき化合物の量、および適宜、比率も調整することができる。例えば、例えばメタンガスのような炭化水素化合物、および水素を含むガスを使用して除去すると仮定すると、監視されるパラメータに応じて、所望の量の付着物１２５が除去されるように、量、ガス流量、温度、圧力などを調整することができる。

図９で示すように、炭化水素の存在により、除去プロセスは純粋な水素のプロセスに対して向上する。数パーセントのメタン（水素に対して１、３、５および８体積％）を追加することにより、同回数の処理で、Ｓｎの厚さが大幅に減少する結果となる。図９の実験では、メタンの量を５％から８％に増加しても、Ｓｎの厚さがさらに大幅に減少することはなく、曲線は相互にほぼ重なる。

本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途の状況においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。

以上では光学リソグラフィの状況における本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、刻印リソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに制限されないことが分かる。刻印リソグラフィでは、パターニングデバイスの構造が、基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの構造を、基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射線、熱、圧力またはその組み合わせを適用して、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または自身内にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。

上記の説明は例示的であり、制限的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

本発明は、実施形態に記載されたようなリソグラフィ装置の用途またはリソグラフィ装置での使用に制限されない。さらに、図面は通常、本発明を理解するために必要なエレメントおよび形体しか含まれない。更に、リソグラフィ装置の図面は概略的であり、一律の縮尺ではない。本発明は、略図に図示されたこれらのエレメントに制限されない（例えば略図に図示されたミラーの数）。さらに、本発明は図１および図２で説明したリソグラフィ装置に限定されない。上述した実施形態を組み合わせてよいことが、当業者には理解される。さらに、本発明は、例えばソースＳＯからのＳｎなどに対する保護に制限されず、光学エレメント１００を損傷可能な放射線ソースなどの他のソースからの他の粒子も、本発明の方法で除去することができる。光学エレメントを保護する複数の方法も、このような他の粒子に関して同様に適用することができる。例えばＣまたはＳｉなどのみに言及する実施形態は、Ｂ、ＧｅおよびＳｎも指向してよい。さらに、キャップ層１２５は、水素基によってＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅの元素を含むキャップ層１２５の少なくとも一部を除去できる場合に、これらの元素以外の元素を含むキャップ層１２５を提供する付着プロセスによって生成することができる。

本発明の保護の範囲は、与えられた実施形態に制限されない。本発明は、新規の各特徴および特徴の各組合せに存する。

本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。 図１によるリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学系の側面図を概略的に示したものである。 本発明の実施形態によりキャップ層を生成できる方法を概略的に示したものである。 本発明の実施形態により付着物またはキャップ層を除去できる方法を概略的に示したものである。 本発明の実施形態によるコレクタミラーおよびフィラメントの一部を概略的に示したものである。 本発明の実施形態によるコレクタミラーと温度制御装置の一部を概略的に示したものである。 本発明の実施形態によるミラーの配置構成を概略的に示したものである。 圧力に対するＨ₂、ＣＨ₄、ＳｉＨ₄およびＡｒガスの透過性を概略的に示したものである。 様々な量のメタンを水素ガスに追加することによるＳｎ層の除去を概略的に示したものである。

符号の説明

１ 投影装置
２ 入口
３ 室
５ センサ
６ ガス供給部
７ 反射率センサ
２２ 出口
３０ ミラー
３１ コネクタ
３５ ＥＵＶ放射線
３８ 加熱エレメント
３７ 矢印
４０ 制御装置
４２ 放射線システム
４４ 照明光学ユニット
４７ ソース室
４８ コレクタ室
４９ 汚染トラップ
５０ 放射線コレクタ
５１ 格子スペクトルフィルタ
５２ 仮想ソースポイント
５３ 垂直入射反射鏡
５４ 垂直入射反射鏡
５６ 放射線ビーム
５７ パターン形成ビーム
５８ 反射性エレメント
５９ 反射性エレメント
６８ 加熱エレメント
１００ 光学エレメント
１０５ ガス
１１０ 熱フィラメント
１１５ Ｓｉ
１２０ 水素
１２５ キャップ層
１５５ ガス
１６５ 水素基
１７０ 揮発性ハロゲン化物
１８０ 空間

Claims (55)

1. 光学エレメントを含む装置の光学エレメントの付着物を除去する方法であって、
   Ｈ₂含有ガスと、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物とを装置の少なくとも一部に提供することと、
   Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成することと、
   光学エレメントを付着物とともに水素基の少なくとも一部と接触させ、付着物の少なくとも一部を除去することとを含む方法。
2. 付着物が、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎから選択した１つまたは複数の要素を有する、請求項１に記載の方法。
3. 水素基の少なくとも一部が、フィラメント、プラズマ、放射線、またはＨ₂を水素基に変化させるように構成した触媒によってＨ₂含有ガスからのＨ₂から生成される、請求項１に記載の方法。
4. Ｈ₂含有ガスがさらにハロゲンガスを有する、請求項１に記載の方法。
5. 装置がリソグラフィ装置である、請求項１に記載の方法。
6. 光学エレメントが、ミラー、格子、レチクルおよびセンサのグループから選択した光学エレメントを有する、請求項１に記載の方法。
7. 付着物の少なくとも一部が、外部の位置で光学エレメントを含む装置から除去される、請求項１に記載の方法。
8. 炭化水素化合物がＣ₁−Ｃ₂₅化合物を有する、請求項１に記載の方法。
9. 炭化水素化合物が線状、分枝、環状または芳香族炭化水素を有する、請求項１に記載の方法。
10. 炭化水素化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される、請求項１に記載の方法。
11. 炭化水素化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基および水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つが水素基を有する、請求項１に記載の方法。
12. 炭化水素化合物が、少なくとも１つのＣ₁−Ｃ₆炭化水素基で置換した芳香族化合物を有する、請求項１に記載の方法。
13. 炭化水素化合物が、メタン、トルエンおよびＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＨのグループから選択され、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₄炭化水素基のグループから選択される、請求項１に記載の方法。
14. シラン化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基から選択される、請求項１に記載の方法。
15. シラン化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基および水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つが水素基を有する、請求項１に記載の方法。
16. シラン化合物がＨＳｉＲ₁Ｒ₂Ｒ₃化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂およびＲ₃がそれぞれＣ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される、請求項１に記載の方法。
17. シラン化合物が、Ｓｉ_nＨ_2n+2のグループから選択した１つまたは複数の化合物を有し、ここでｎは１以上の整数である、請求項１に記載の方法。
18. さらに、
    炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物から塩基を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
19. さらに、
    炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物から炭化水素基を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
20. 光学エレメントを含む装置の光学エレメントを保護する方法であって、
    付着プロセスによってキャップ層を光学エレメントに提供することと、
    装置の使用中または使用後に、除去プロセスで光学エレメントからキャップ層の少なくとも一部を除去することとを含み、除去プロセスが、
    Ｈ₂含有ガスと、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物とを、装置の少なくとも一部に提供することと、
    Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成することと、
    光学エレメントをキャップ層とともに水素基の少なくとも一部と接触させ、キャップ層の少なくとも一部を除去することとを含む方法。
21. 付着プロセスが、
    Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を有する開始材料を提供することと、
    開始材料から、付着物を生成可能なＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を有する種を提供することと、
    付着物を生成可能な種を光学エレメントの少なくとも一部と接触させることとを含む、請求項２０に記載の方法。
22. 付着物を生成可能な種がフィラメント、プラズマまたは放射線によって生成される、請求項２０に記載の方法。
23. キャップ層が、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を有する、請求項２０に記載の方法。
24. 装置を使用することが、放射線ビームで光学エレメントを照射することを含む、請求項２０に記載の方法。
25. キャップ層の少なくとも一部が、外部の位置で光学エレメントを含む装置から生成される、請求項２０に記載の方法。
26. キャップ層の少なくとも一部が、外部の位置で光学エレメントを含む装置から除去される、請求項２０に記載の方法。
27. 炭化水素化合物がＣ₁−Ｃ₂₅化合物を有する、請求項２０に記載の方法。
28. 炭化水素化合物が線状、分枝、環状または芳香族炭化水素を有する、請求項２０に記載の方法。
29. 炭化水素化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される、請求項２０に記載の方法。
30. 炭化水素化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基および水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つが水素基を有する、請求項２０に記載の方法。
31. 炭化水素化合物が、少なくとも１つのＣ₁−Ｃ₆炭化水素基で置換した芳香族化合物を有する、請求項２０に記載の方法。
32. 炭化水素化合物が、メタン、トルエンおよびＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＣＨのグループから選択され、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₄炭化水素基のグループから選択される、請求項２０に記載の方法。
33. シラン化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄がそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基から選択される、請求項２０に記載の方法。
34. シラン化合物がＲ₁Ｒ₂Ｒ₃ＳｉＲ₄化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ、Ｃ₁−Ｃ₆炭化水素基および水素基のグループから選択され、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄の少なくとも１つが水素基を有する、請求項２０に記載の方法。
35. シラン化合物がＨＳｉＲ₁Ｒ₂Ｒ₃化合物を有し、ここでＲ₁、Ｒ₂およびＲ₃がそれぞれＣ₁−Ｃ₆炭化水素基のグループから選択される、請求項２０に記載の方法。
36. シラン化合物が、Ｓｉ_nＨ_2n+2のグループから選択した１つまたは複数の化合物を有し、ここでｎは１以上の整数である、請求項２０に記載の方法。
37. さらに、
    炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物から塩基を生成することを含む、請求項２０に記載の方法。
38. さらに、
    炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物から炭化水素基を生成することを含む、請求項２０に記載の方法。
39. デバイス製造方法であって、
    照明システムおよび投影システムを有するリソグラフィ装置を提供することを含み、リソグラフィ装置がさらに光学エレメントを含み、さらに、
    照明システムを使用して放射線のビームを提供することと、
    パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、
    付着プロセスによってキャップ層を光学エレメントに提供することと、
    装置の使用中または使用後に、除去プロセスで光学エレメントからキャップ層の少なくとも一部を除去することとを含み、除去プロセスが、
    Ｈ₂含有ガスと、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物とを、装置の少なくとも一部に提供することと、
    Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成することと、
    光学エレメントをキャップ層とともに水素基の少なくとも一部と接触させ、キャップ層の少なくとも一部を除去することとを含む方法。
40. 装置であって、
    光学エレメントと、
    Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、
    Ｈ₂含有ガスからのＨ₂ガスから水素基を生成するように構成された水素基生成装置とを有する装置。
41. 水素基生成装置が、加熱可能なフィラメント、プラズマ生成装置、放射線のソース、およびＨ₂を水素基に変化させるように構成された触媒から選択した１つまたは複数のデバイスを有する、請求項４０に記載の装置。
42. 装置がリソグラフィ装置である、請求項４０に記載の装置。
43. 光学エレメントがミラー、格子、レチクルおよびセンサから選択した光学エレメントを有する、請求項４０に記載の装置。
44. 装置がさらに、１つまたは複数の追加的化合物から塩基を生成するように構成された塩基生成装置を有する、請求項４０に記載の装置。
45. 装置がさらに、１つまたは複数の追加的化合物から炭化水素基を生成するように構成された炭化水素基生成装置を有する、請求項４０に記載の装置。
46. 装置であって、
    光学エレメントと、
    Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、
    Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成するように構成された水素基生成装置と、
    付着物を生成するように構成された付着物生成装置とを有し、付着物がＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を含むものである装置。
47. 水素基生成装置が、加熱可能なフィラメント、プラズマ生成装置、放射線のソース、およびＨ₂を水素基に変化させるように構成された触媒のうち１つまたは複数を有する、請求項４６に記載の装置。
48. 付着物生成装置が、加熱可能なフィラメント、プラズマを生成する生成装置および放射線のソースのうち１つまたは複数を有する、請求項４６に記載の装置。
49. さらに、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を有する開始材料を提供するように構成された入口を有する、請求項４６に記載の装置。
50. さらに、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を有するガスを提供するように構成された入口を有する、請求項４６に記載の装置。
51. 装置がさらに、１つまたは複数の追加的化合物から塩基を生成するように構成された塩基生成装置を有する、請求項４６に記載の装置。
52. 装置がさらに、１つまたは複数の追加的化合物から炭化水素基を生成するように構成された炭化水素基生成装置を有する、請求項４６に記載の装置。
53. リソグラフィ装置であって、
    光学エレメントと、
    放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、
    パターニングデバイスを支持するように構成された支持体とを有し、パターニングデバイスは、放射線ビームの断面にパターンを与えて、パターン形成した放射線ビームを形成するように構成され、さらに、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
    Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、
    Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成するように構成された水素基生成装置とを有するリソグラフィ装置。
54. リソグラフィ装置であって、
    光学エレメントと、
    放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、
    パターニングデバイスを支持するように構成された支持体とを有し、パターニングデバイスは、放射線の断面にパターンを与えて、パターン形成した放射線ビームを形成するように構成され、さらに、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
    Ｈ₂含有ガスを装置の少なくとも一部に提供するように構成された入口と、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物を提供するように構成された入口と、
    Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成するように構成された水素基生成装置と、
    付着物生成装置とを有し、付着物がＢ、Ｃ、ＳｉおよびＧｅから選択した１つまたは複数の元素を有するものであるリソグラフィ装置。
55. 光学エレメントを含む装置の光学エレメント上の付着物を除去する方法であって、付着物がＢ、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎから選択した１つまたは複数の元素を有し、
    Ｈ₂含有ガスと、炭化水素化合物およびシラン化合物のグループから選択した１つまたは複数の追加的化合物とを装置の少なくとも一部を提供することと、
    Ｈ₂含有ガスからのＨ₂から水素基を生成することと、
    光学エレメントを付着物とともに水素基の少なくとも一部と接触させ、付着物の少なくとも一部を除去することとを含む方法。

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