JP2007059507A - 基板搭載用トランス - Google Patents

Abstract

【目的】 複数の出力ｃｈを有するトランスであって、トランス本体の大きさを大とすることなく、入力負荷の変動時にあっても出力側の各ｃｈ毎の電圧のばらつきを抑制することができて、安定した出力を得ることの出来る巻線構造を有する基板搭載用トランスを提供する。
【構成】 コアと、入力巻線を複数の巻線帯に分割してコア上に分割巻回した第１層と、出力ｃｈの出力巻線毎に巻線帯に分割して第１層上に分割巻回した第２層と、を含む。ここで、入力巻線の巻線帯及び出力巻線の巻線帯は、入力巻線の巻回方向に離間して並ぶ巻線領域にそれぞれ１づつ収容されている。この巻線領域内において巻線帯のうちの大なる一方の巻線中心方向に沿った分布範囲内に他方の巻数帯が分布していることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、プリント配線基板上に搭載される基板搭載用トランスに関し、複数の出力ｃｈを有する多ｃｈ絶縁電源トランスに関する。

複数の制御回路から構成される電子回路を含む電子機器では、電源回路から各制御回路毎に独立した電源が供給される。このような電源回路では、外部から与えられる単一の電源から、独立した複数の電源を取り出すことのできる多ｃｈ絶縁電源トランスが用いられる。多ｃｈ絶縁電源トランスは、電子機器の外部から供給される電源を与える入力（１次）巻線と、各制御回路に接続される独立した複数の出力（２次）巻線とをコア上に巻回した構造を有している。近年、電子機器の小型化とともに、プリント配線基板上に固定される小型の多ｃｈ絶縁電源トランスが広く用いられるようになった。小型電源トランスでは、大型電源トランスに比べて、各出力ｃｈ毎の出力精度をより高めて駆動効率の安定性を確保することがより要求されるのである。

例えば、特許文献１では、入力巻線を前半巻線と後半巻線とに分けて、互いに対向する前半巻線の入力巻線帯と後半巻線の入力巻線帯との間に、複数のｃｈ毎の出力巻線による出力巻線帯を挟み込んだ基板搭載用トランスの巻線構造が開示されている。かかる構造により、２つの入力巻線帯によって形成される磁束を各出力ｃｈ毎の出力巻線帯に良好に結合せしめることができるので、トランスの駆動効率をより高めることができると述べている。

また、特許文献２では、入力巻線を互いに対向する２つの入力巻線帯に分けて、この入力巻線帯の間に複数の出力ｃｈの出力巻線の１巻きづつを幅方向に交互に並べて、しかも各出力ｃｈの出力巻線をバイファイラ又はトリファイラなどの無誘導巻きで巻回して出力巻線帯を形成する基板搭載用トランスの巻線構造が開示されている。かかる構造により、各出力ｃｈの整流平滑回路を流れる電流のピーク値を低くすることが出来て、電源回路の小型化と安全性の向上を図ることができると述べている。また、各出力ｃｈ毎の出力電圧のレギュレーション特性を向上できるとも述べている。
実開平４−９４７１３ 特開平６−１７７５９９

一般的な電源回路では、入力側から出力側に降圧されて電流が取り出されるため、入力巻線のコアへの巻回数に比較して出力側の各ｃｈ毎の出力巻線の巻回数は少ない。ところが、出力ｃｈ数が増加すると各出力ｃｈ毎の巻回数の和である総巻回数は大となって、上記した特許文献１及び２の如く、入力巻線を２つの巻線帯に分割してしまうと、その巻線帯の幅方向に出力巻線の巻線帯が収容できないことがある。このような場合、出力巻線の巻線帯を二重に重ねるなどして巻線帯の幅を狭めることが可能だが、一方で巻線帯の厚さが増してトランス本体の大きさが大となってしまうのである。特に基板搭載用トランスにあっては基板上の収容スペースの観点からトランス本体の大きさが大となることは好ましくない。また、入力巻線の巻線帯に対する各ｃｈ毎の出力巻線の位置が大きく異なるため、入力側の負荷変動に対する影響が各ｃｈ毎に相対的に大きく異なることがある。かかる場合、各ｃｈ毎に電圧のばらつきを個別に補償することが必要となって電源回路が大となってしまうのである。

本発明は上記した如き問題点に鑑みてなされたものである。本発明の目的とするところは、トランス本体の大きさを大とすることなく、入力負荷の変動時にあっても各出力ｃｈ毎の電圧のばらつきを抑制することができて、安定した出力を得ることの出来る基板搭載用トランスを提供することである。

本発明による基板搭載用トランスは、複数の出力ｃｈを有する基板搭載用トランスであって、コアと、入力巻線を複数の巻線帯に分割して前記コア上に分割巻回した第１層と、前記出力ｃｈの出力巻線毎に巻線帯に分割して前記第１層上に分割巻回した第２層と、を含み、前記入力巻線の前記巻線帯及び前記出力巻線の前記巻線帯は前記入力巻線の巻回方向に離間して並ぶ巻線領域にそれぞれ１づつ収容されており、前記巻線領域内において前記巻線帯のうちの大なる一方の巻線中心方向に沿った分布範囲内に他方の巻数帯が分布していることを特徴とする。

本発明によれば、トランス本体の大きさ、特にコア上への巻線の積層方向の大きさを大とすることなく、入力巻線と各出力ｃｈ毎の出力巻線との間の磁気結合度をより高めることが出来るのである。すなわち、漏洩磁束を減少せしめることが出来て、電源トランスとして高い駆動効率を得ることが出来るのである。また、漏洩磁束を減少せしめたことにより、入力巻線に与えられる電源の負荷に変動があったとしても、各出力ｃｈ毎の出力電圧のばらつきが抑制されるので安定した出力を得ることが出来るのである。

発明を実施するための形態

本発明による基板搭載用トランスは、入力（一次側）巻線をコアの長手方向に沿ったいくつかの巻線帯として各巻線帯の間に間隔をあけて分割スペース巻きするとともに、この分割スペース巻きされた各巻線帯に対応して１つの出力ｃｈの出力（二次側）巻線を巻回するのである。かかる巻線構造により、入力巻線により形成される磁界の分布の調整が容易になって、入力巻線と出力巻線との間の磁気結合度を高めることが出来るのである。これにより漏洩磁束を減少せしめ、トランスの出力も安定するのである。また、入力巻線を分割することなく巻線帯の上に巻回して出力巻線をこの上に巻回するため、巻き部分の厚さを小とすることが出来て、トランスを小型化できるのである。

本発明の基板搭載用トランスの実施例について図１を参照しながら説明する。なお、基板搭載用トランス１は略直方体であるが、図１中に示した如く、この長手方向をＺ軸方向と定める。また、Ｚ軸に垂直な切断面の略長方形断面の２つの辺に沿ってＸ軸方向、Ｙ軸方向を定めることとする。

図１に示すように、プラスチックなどの絶縁材料からなるボビン１０は、フェライトなどからなる直方体のコア１２の２つの対向する側面（Ｘ軸方向両端部側面）以外の４つの面を覆っている。すなわち、ボビン１０の中央に設けられた断面略矩形の中央貫通孔１０ａ内に直方体のコア１２がほぼ隙間なく収容されているのである。ボビン１０の中央貫通孔１０ａの伸張する方向（Ｘ軸方向）両端部近傍には、中央貫通孔１０ａの開口に沿って外側方向に向けて延在するとともに互いに対向する一対のフランジ１０ｂが設けられている。フランジ１０ｂはＹＺ面内において延在している板状体であって、その外周形状は略矩形である。フランジ１０ｂのＹ軸方向の一端部近傍には、Ｘ軸に沿った方向に突出する２つの突部１０ｃが形成されている。突部１０ｃからは後述する各巻線をプリント基板に接続するための金属製の複数のリード端子１４が突出して形成されている。

図２乃至図４を更に併せて参照するように、ボビン１０の最内側には、非制御入力（一次側）巻線Ｎｐ１がＸ軸方向に沿って互いに離間した３つの巻線領域Ａ、Ｂ、Ｃに分割して巻回されている。ここで、巻線Ｕを巻線領域Ｌに巻回して形成される巻線帯をＵ−Ｌ巻線帯と称することとする。つまり、巻線Ｎｐ１をＸ軸方向に沿って巻線領域Ａに巻回して形成された巻線帯は、Ｎｐ１−Ａ巻線帯と称するのである。同様に、巻線領域Ｂ及びＣには、Ｎｐ１−Ｂ巻線帯及びＮｐ１−Ｃ巻線帯が形成されているのである。コア１２上の第１の巻線層４０はこのＮｐ１−Ａ巻線帯、Ｎｐ１−Ｂ巻線帯及びＮｐ１−Ｃ巻線帯を含む。ここで、巻線領域Ａ、Ｂ及びＣのＸ軸方向に沿った幅は、後述する各巻線領域に巻回される巻線帯のうちの最大の幅を有する巻線帯の幅に一致している。これにより、ボビン１０に巻回される全ての巻線帯は、必ずいずれかの巻線領域Ａ、Ｂ、Ｃの幅方向の中央内側に存在するのである。

後述するように、巻線領域Ｂには、その両側に位置する巻線領域Ａ及びＣに位置する入力巻線によって形成される磁界の影響を受けて、磁束密度が相対的に高くなる。故に、巻線領域Ｂの入力巻線Ｎｐ１の巻回数は、巻線領域Ａ及びＣにおける巻回数よりも少ないことが好ましい。

第１の巻線層４０の上には絶縁シート２２ａがＮｐ１−Ａ巻線帯、Ｎｐ１−Ｂ巻線帯及びＮｐ１−Ｃ巻線帯を覆うように配置されていて、更にこの上に配置される巻線との短絡を防止している。

第１、第４及び第３の各出力ｃｈの出力（二次側）巻線Ｎｓ１、Ｎｓ４、Ｎｓ３は、絶縁シート２２ａの上から巻線領域Ａ、Ｂ及びＣに分けてそれぞれ巻回されて、第２の巻線層４１を形成している。各出力巻線Ｎｓ１、Ｎｓ４及びＮｓ３は、Ｘ軸方向に沿って隙間なくそれぞれ巻線領域Ａ、Ｂ及びＣに密に巻回されて、Ｎｓ１−Ａ巻線帯、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯及びＮｓ３−Ｃ巻線帯を形成している。

ここで、Ｎｓ１−Ａ巻線帯のＸ軸方向の幅がＮｐ１−Ａ巻線帯のＸ軸方向の幅より大であれば、Ｎｓ１−Ａ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｐ１−Ａ巻線帯が分布するのである。一方、Ｎｓ１−Ａ巻線帯の幅がＮｐ１−Ａ巻線帯の幅より小であれば、Ｎｐ１−Ａ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ１−Ａ巻線帯が分布するのである。好ましくは、Ｎｓ１−Ａ巻線帯及びＮｐ１−Ａ巻線帯は、互いの幅方向の中心位置が一致するような相対的な位置関係で巻線領域Ａ内に配置される。更に好ましくは、Ｎｓ１−Ａ巻線帯及びＮｐ１−Ａ巻線帯の幅方向の中心位置が巻線領域Ａの幅方向の中心位置に一致するように配置される。

同様に、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯の幅がＮｐ１−Ｂ巻線帯の幅より大であれば、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｐ１−Ｂ巻線帯が分布している。また、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯の幅がＮｐ１−Ｂ巻線帯の幅より小であれば、Ｎｐ１−Ｂ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ４−Ｂ巻線帯が分布するのである。好ましくは、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯及びＮｐ１−Ｂ巻線帯は、互いの幅方向の中心位置が相対的に一致するように巻線領域Ｂの内部に配置される。更に好ましくは、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯及びＮｐ１−Ｂ巻線帯の幅方向の中心位置が巻線領域Ｂの幅方向中心位置に一致するように配置される。

更に、Ｎｓ３−Ｃ巻線帯の幅がＮｐ１−Ｃ巻線帯の幅より大であれば、Ｎｓ３−Ｃ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｐ１−Ｃ巻線帯が分布する。また、Ｎｓ３−Ｃ巻線帯の幅がＮｐ１−Ｃ巻線帯の幅より小であれば、Ｎｐ１−Ｃ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ３−Ｃ巻線帯が分布するのである。好ましくは、Ｎｓ３−Ｃ巻線帯及びＮｐ１−Ｃ巻線帯は、互いの幅方向の中心位置が相対的に一致するように巻線領域Ｃ内に配置される。更に好ましくは、Ｎｓ３−Ｃ巻線帯及びＮｐ１−Ｃ巻線帯の幅方向の中心位置が巻線領域Ｃの中心位置に一致するように配置される。

以上の如く、入力巻線Ｎｐ１を含む第１の巻線層４０と、出力巻線Ｎｓ１、Ｎｓ４及びＮｓ３を含む第２の巻線層４１とは一組をなしている。第１の巻線層４０に含まれる巻線帯の１つと、第２の巻線層４１に含まれる巻線帯の１つとが対応して、コア１０上の巻線領域の１に収容されるのである。典型的には、Ｎｐ１−Ａ巻線帯、Ｎｐ１−Ｂ巻線帯及びＮｐ１−Ｃ巻線帯は、Ｎｐ１巻線の２回巻、１回巻、２回巻をそれぞれ含む。また、Ｎｓ１−Ａ巻線帯、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯及びＮｓ３−Ｃ巻線帯はそれぞれＮｓ１、Ｎｓ４、Ｎｓ３巻線を同数の６回ずつ巻回して形成されている。

更に、第２の巻線層４１の上には絶縁シート２２ｂがＮｓ１−Ａ巻線帯、Ｎｓ４−Ｂ巻線帯及びＮｓ３−Ｃ巻線帯の表面を覆うように配置されてこの上に配置される巻線との短絡を防止している。

ところで、特に、図４に示すように、トランス１が上記した非制御入力巻線Ｎｐ１とは独立した制御入力（フィードバック）巻線Ｎｓ０を有する場合にあっては、これが絶縁シート２２ｂの上に巻回される。制御入力（フィードバック巻線Ｎｓ０は、Ｎｓ０の発生電圧により、他の電圧（Ｎｓ１〜Ｎｓ７）を規定することができる。よって、Ｎｓ０とＮｓ１〜Ｎｓ７との磁束等の巻線による結合を強くしなければならない。詳細には、制御入力巻線Ｎｓ０はＸ軸方向に沿って互いに離間した３つの巻線領域Ａ、Ｂ、Ｃに分割して巻回される。つまり、巻線領域Ａ、Ｂ及びＣには、Ｎｓ０−Ａ巻線帯、Ｎｓ０−Ｂ巻線帯及びＮｓ０−Ｃ巻線帯が形成されて、これにより第３の巻線層４２が形成されている。

第３の巻線層４２の上には絶縁シート２２ｃがＮｓ０−Ａ巻線帯、Ｎｓ０−Ｂ巻線帯及びＮｓ０−Ｃ巻線帯を覆うように配置されてこの上に配置される巻線との短絡を防止している。

第２の巻線層４１の出力巻線に対して追加される第２、第５及び第６の各出力ｃｈの出力巻線Ｎｓ２、Ｎｓ５、Ｎｓ６は、絶縁シート２２ｃの上から巻線領域Ａ、Ｂ及びＣにそれぞれ密に巻線が並置されるように巻回されて第４の巻線層４３を形成している。

ここで、Ｎｓ２−Ａ巻線帯の幅がＮｓ０−Ａ巻線帯の幅より大であれば、Ｎｓ２−Ａ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ０−Ａ巻線帯が分布するのである。一方、Ｎｓ２−Ａ巻線帯の幅がＮｓ０−Ａ巻線帯の幅より小であれば、Ｎｓ０−Ａ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ２−Ａ巻線帯が分布するのである。好ましくは、Ｎｓ０−Ａ巻線帯及びＮｓ２−Ａ巻線帯は、その幅方向の中心位置が一致するように巻線領域Ａの内部に配置される。更に好ましくは、Ｎｓ０−Ａ巻線帯及びＮｓ２−Ａ巻線帯は、その幅方向の中心位置が巻線領域Ａの中心位置に一致するように配置されるのである。

同様に、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯の幅がＮｓ０−Ｂ巻線帯の幅より大であれば、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ０−Ｂ巻線帯が分布する。また、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯の幅がＮｓ０−Ｂ巻線帯の幅より小であれば、Ｎｓ０−Ｂ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ５−Ｂ巻線帯が分布する。好ましくは、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯及びＮｓ０−Ｂ巻線帯は、その幅方向の中心位置が一致するように巻線領域Ｂ内に配置される。更に好ましくは、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯及びＮｓ０−Ｂ巻線帯は、その幅方向の中心位置が巻線領域Ｂの中心に一致するように配置される。

更に、Ｎｓ６−Ｃ巻線帯の幅がＮｓ０−Ｃ巻線帯の幅より大であれば、Ｎｓ６−Ｃ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ０−Ｃ巻線帯が分布する。また、Ｎｓ６−Ｃ巻線帯の幅がＮｓ０−Ｃ巻線帯の幅より小であれば、Ｎｓ０−Ｃ巻線帯の巻線中心方向に沿った分布配置内にＮｓ６−Ｃ巻線帯が分布する。好ましくは、Ｎｓ６−Ｃ巻線帯及びＮｓ０−Ｃ巻線帯は、その幅方向の中心位置が一致するように相対的に巻線領域Ｃ内に配置される。更に好ましくは、Ｎｓ６−Ｃ巻線帯及びＮｓ０−Ｃ巻線帯は、その幅方向の中心位置が巻線領域Ｃの中心に一致するように配置される。

入力巻線Ｎｓ０を含む第３の巻線層４２及び出力巻線Ｎｓ２、Ｎｓ５及びＮｓ６を含む第４の巻線層４３は一組をなしており、第３の巻線層４２に含まれる巻線帯の１つと、第４の巻線層４３に含まれる巻線帯の１つとがそれぞれ巻線領域Ａ、Ｂ、Ｃのそれぞれで対向するように配置されているのである。

後述するように、巻線領域Ｂには、その両側に位置する巻線領域Ａ及びＣに位置する入力巻線によって形成される磁束の影響を受けて、磁束密度が相対的に高くなる。故に、巻線領域Ｂの入力巻線Ｎｓ０の巻回数は、巻線領域Ａ及びＣにおける巻回数よりも少ないことが好ましい。典型的には、Ｎｓ０−Ａ巻線帯、Ｎｓ０−Ｂ巻線帯及びＮｓ０−Ｃ巻線帯は、Ｎｓ０巻線の４回巻、１回巻、３回巻をそれぞれ含む。また、Ｎｓ２−Ａ巻線帯、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯及びＮｓ６−Ｃ巻線帯はそれぞれＮｓ２、Ｎｓ５、Ｎｓ６巻線を同数の６回ずつ巻回して形成されている。

第４の巻線層４３の上には絶縁シート２２ｄがＮｓ２−Ａ巻線帯、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯及びＮｓ６−Ｃ巻線帯を覆うように配置されてこの上に配置される巻線との短絡を防止している。

非制御入力巻線Ｎｐ１とは独立した入力（一次側）巻線である第２の非制御入力巻線Ｎｐ２が絶縁シート２２ｄの上に巻回される。詳細には、非制御入力巻線Ｎｐ２はＸ軸方向に沿って互いに離間して３つの巻線領域Ａ、Ｂ、Ｃに分割して巻回される。つまり、巻線領域Ａ、Ｂ及びＣには、Ｎｐ２−Ａ巻線帯、Ｎｐ２−Ｂ巻線帯及びＮｐ２−Ｃ巻線帯が形成されて第５の巻線層４４を構成している。好ましくは、Ｎｐ２−Ａ巻線帯、Ｎｐ２−Ｂ巻線帯及びＮｐ２−Ｃ巻線帯は、その幅方向の中心位置がそれぞれ巻線領域Ａ、Ｂ及びＣの中心位置に一致するように配置される。典型的には、Ｎｓ２−Ａ巻線帯、Ｎｓ５−Ｂ巻線帯及びＮｓ６−Ｃ巻線帯は、Ｎｓ２巻線の４回巻、１回巻、３回巻をそれぞれ含む。

第５の巻線層４４の上には絶縁シート２２ｅがＮｐ２−Ａ巻線帯、Ｎｐ２−Ｂ巻線帯及びＮｐ２−Ｃ巻線帯を覆うように配置されている。

最後に、制御入力（フィードバック）巻線Ｎｓ０に対応した制御出力（フィードバック）巻線Ｎｓ７が絶縁シート２２ｅの上から中央の巻線領域Ｂに密着巻回されてＮｓ７−Ｂ巻線帯を形成している。この第６の巻き線層４５は、Ｎｓ７−Ｂ巻線帯の１つの巻線帯のみを含む。好ましくは、Ｎｓ７−Ｂ巻線帯の幅方向の中心位置は巻線領域Ｂの中心に一致する。

Ｎｓ７−Ｂ巻線帯の上にはポリイミドテープが巻回されている。

次に、本発明による基板搭載用トランスの巻線構造により形成される磁界の特徴について説明する。

図５に示すように、従来のトランスの典型的な巻線構造では、入力（一次側）巻線を巻回した入力巻線層５１ａ、５１ｂ、５１ｃにおいて、各巻線は等間隔に配置されている。一方、出力（二次側）巻線を巻回した出力巻線層５２ａ、５２ｂは、それぞれ巻線帯５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５４ａ、５４ｂ、５４ｃを含むが、これらは互いに絶縁されるように一定間隔に配置されている。ここで、入力巻線層５１ａ、５１ｂ、５１ｃにおいて形成される磁束（磁気エネルギー）は、出力巻線層５２ａ、５２ｂに対して不均一に通過するのである。特に、トランスの中央部に位置する巻線帯５３ｂ、５４ｂは、その両端部に位置する巻線帯５３ａ、５４ａ、５３ｃ、５４ｃによって磁束の通過量が大となる。すなわち結合度が高くなるのである。この結合度のばらつきが出力ｃｈ毎の電圧のばらつきとなっていたのである。

一方、図６に示すように、本発明のトランスの巻線構造では、互いに離間された巻線領域Ａ、Ｂ、Ｃに入力巻線を分割して配置するとともに、各ｃｈ毎の出力巻線を１つの巻線帯として同様に各巻線領域内に配置しているのである。すなわち、巻線領域Ａの入力巻線による３つの巻線帯Ｎｐ１−Ａ、Ｎｓ０−Ａ、Ｎｐ２−Ａにより形成される磁束は、巻線領域Ａにある出力巻線による巻線帯Ｎｓ１−Ａ、Ｎｓ２−Ａを通過するが、一部は巻線領域Ｂにある出力巻線による巻線帯Ｎｓ４−Ｂ、Ｎｓ５−Ｂをも通過する。同様に、巻線領域Ｃにある入力巻線による３つの巻線帯Ｎｐ１−Ｃ、Ｎｓ０−Ｃ、Ｎｐ２−Ｃにより形成される磁束は、巻線領域Ｃにある出力巻線による巻線帯Ｎｓ３−Ｃ、Ｎｓ６−Ｃを通過するが、一部は巻線領域Ｂにある出力巻線による巻線帯Ｎｓ４−Ｂ、Ｎｓ５−Ｂをも通過する。故に、巻線領域Ｂにある出力巻線による巻線帯Ｎｓ４−Ｂ、Ｎｓ５−Ｂは、巻線領域Ｂにある入力巻線による３つの巻線帯Ｎｐ１−Ｂ、Ｎｓ０−Ｂ、Ｎｐ２−Ｂにより形成される磁束だけでなく、巻線領域Ａ及びＣからの磁束の影響も受けるのである。ところが、巻線領域Ｂにある入力巻線による３つの巻線帯Ｎｐ１−Ｂ、Ｎｓ０−Ｂ、Ｎｐ２−Ｂの巻回数は、巻線領域Ａの入力巻線による３つの巻線帯Ｎｐ１−Ａ、Ｎｓ０−Ａ、Ｎｐ２−Ａや、巻線領域Ｃの入力巻線による３つの巻線帯Ｎｐ１−Ｃ、Ｎｓ０−Ｃ、Ｎｐ２−Ｃの巻回数よりも少なくすることで、かかる巻線帯により形成される磁束は他の巻線領域により形成される磁束よりも弱くなるのである。つまり、出力巻線による巻線帯Ｎｓ１−Ａ、Ｎｓ２−Ａ、Ｎｓ４−Ｂ、Ｎｓ５−Ｂ、Ｎｓ３−Ｃ、Ｎｓ６−Ｃを通過する磁束をほぼ一定とすることができるのである。すなわち各出力ｃｈの巻線帯についての磁気結合度を均等にすることができて、出力ｃｈ毎の電圧のばらつきとなっていたのである。

なお、詳細な巻線構造の１つの例については上記した説明を参考にされたい。

上記した如く、本発明によれば、巻線領域が完全に分割されているので各巻線領域からの磁束の影響を個々に考慮すればよく、出力ｃｈ毎の巻線帯を通過する磁束を均等にするための入力巻線の巻回数の設計等が非常に容易になるのである。

本発明による基板搭載用トランスの１つの実施例の断面図である。 本発明による基板搭載用トランスの１つの実施例の要部の断面図である。 本発明による基板搭載用トランスの１つの実施例の要部の断面図である。 本発明による基板搭載用トランスの１つの実施例の回路図である。 従来の基板搭載用トランスの巻線構造を示す図である。 本発明による基板搭載用トランスの１つの実施例の巻線構造を示す図である。

符号の説明

１ 基板搭載用トランス
１０ ボビン
１２ コア
１４ リード端子
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ 絶縁層
４０、４１、４２、４３、４４、４５ 巻線層
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ 入力巻線層
Ｎｐ１、Ｎｐ２ 非制御入力巻線
Ｎｓ０ 制御入力巻線
Ｎｓ１〜６ 出力巻線
Ｎｓ７ 制御出力巻線

Claims (7)

1. 複数の出力ｃｈを有する基板搭載用トランスであって、
   コアと、
   入力巻線を複数の巻線帯に分割して前記コア上に分割巻回した第１層と、
   前記出力ｃｈの出力巻線毎に巻線帯に分割して前記第１層上に分割巻回した第２層と、を含み、
   前記入力巻線の前記巻線帯及び前記出力巻線の前記巻線帯は前記入力巻線の巻回方向に離間して並ぶ巻線領域にそれぞれ１づつ収容されており、前記巻線領域内において前記巻線帯のうちの大なる一方の巻線中心方向に沿った分布範囲内に他方の巻数帯が分布していることを特徴とする基板搭載用トランス。
2. 前記巻線領域内において前記入力巻線及び前記出力巻線の前記巻線帯同士の巻線方向における中心位置が一致していることを特徴とする請求項１記載の基板搭載用トランス。
3. 前記出力巻線の前記巻線帯は前記出力巻線同士が並置されて互いに接触するように密に巻回されていることを特徴とする請求項１又は２記載の基板搭載用トランス。
4. 制御入力巻線を複数の巻線帯に分割して前記第２層上に分割巻回した第３層と、
   追加の出力ｃｈの追加の出力巻線毎に巻線帯に分割して前記第３層上に分割巻回した第４層と、を更に含み、
   前記制御入力巻線の前記巻線帯及び前記追加の出力巻線の前記巻線帯は前記巻線領域にそれぞれ１づつ収容されており、前記巻線領域内において前記巻線帯のうちの大なる一方の巻線中心方向に沿った分布範囲内に他方の巻数帯が分布していることを特徴とする請求項１乃至３のうちの１に記載の基板搭載用トランス。
5. 前記巻線領域内において前記制御入力巻線及び前記追加の出力巻線の前記巻線体同士の巻線方向における中心位置が一致していることを特徴とする請求項４記載の基板搭載用トランス。
6. 前記追加の出力巻線の前記巻線帯は前記出力巻線同士が並置されて互いに接触するように密に巻回されていることを特徴とする請求項４又は５記載の基板搭載用トランス。
7. 前記巻線領域内において、前記入力巻線、前記出力巻線、前記制御入力巻線及び前記追加の出力巻線の前記巻線帯同士の巻線方向における中心位置が一致していることを特徴とする請求項４記載の基板搭載用トランス。

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