JP2007059132A - パターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システム - Google Patents

Abstract

【課題】柔軟な基板上に高い生産性で、しかも低コストで所定のパターンの薄膜を形成できるパターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システムの提供。
【解決手段】可撓性を有し、一方の面に貼着層を形成してなるとともに、前記パターンに対応する切抜部を穿設したマスク用シート体の貼着層側を、少なくとも一方の面に連続した薄膜が形成された基板における薄膜に貼着するマスク貼着工程と、前記貼着工程で前記マスク用シート体を貼着した基板をエッチングし、前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去するエッチング工程と、前記エッチング工程でエッチングされた基板からマスク用シート体を除去するマスク除去工程とを有することを特徴とするパターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システムの提供。
【選択図】 図１

Description

本発明は、パターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システムに関し、更に詳しくは柔軟な基板上に高い生産性で、しかも低コストで所定のパターンの薄膜を形成できるパターン膜形成方法、前記パターン膜形成方法に好適に使用されるマスク用材料、および前記マスク用材料を用いて前記基板上に低コストで所定のパターンの薄膜を形成するパターン膜形成システムに関する。

液晶ディスプレー、エレクトロ・ルミネセンス、電子プラズマディスプレーなどの各種電子ディスプレーに使用される透明電極や不透明電極、前記電子ディスプレーにおいてスイッチング素子として使用されるＴＦＴ素子、１ビットごとに分割された記録層を有するパターンド磁気メディア、ＩＣチップを組み込んだＲＦタグなどとして薄膜が特定のパターンに形成された基板が使用されている。

基板の表面に所定のパターンの薄膜を形成する方法としては、基板表面に連続する薄膜を形成し、次いで、前記薄膜の表面にレジスト層を形成し、可視光リソグラフィ法、ＵＶリソグラフィ法、または電子線リソグラフィ法などによって前記レジスト層を所定のパターンに形成し、最後にドライエッチングまたはウェットエッチングで不要な薄膜を除去する方法がある。

また、形成しようとするパターンに対応する開口を有する金属マスクを介して製膜を行い、金属マスクを通過した製膜材料のみを基板に堆積して所望のパターンを有する薄膜を形成する方法もある。

更に、基板表面に連続する薄膜を形成し、形成しようとするパターンに応じて変調したレーザビームなどのエネルギービームによって直接前記薄膜を照射するか、または前記エネルギービームで前記薄膜を照射した後、エッチングで不要な部分を除去する方法も用いられている。

特に、透明電極として広く利用されているインジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）のパターニング技術としては、濃ハロゲン酸を含有するエッチング液によるエッチング（特許文献１）、およびドライレーザエッチング（特許文献２）などがある。
特開平６−６０７４４号公報 特開平６−３２６０６２号公報

しかしながら、近年重要性が増している電子ペーパにおいては、プラスチック基板のように柔軟性の高い支持基板の表面に電極、特に透明電極を所定のパターンで形成する必要がある。

しかしながら、リソグラフィ法は、得られるパターンの精度や精細性には優れているが、基板の洗浄、レジスト塗布、レジストのプリベーク、露光、ポストベーク、現像処理、エッチングと多数の工程からなり、大掛かりな設備投資が必要である。その上、歩留まりも悪いのでコストが高く、生産性が低い。

金属マスクを用いて薄膜を形成する方法は、プラスチック基板に適用した場合はバッチプロセスになるので、生産性や生産コストの点で問題がある。更に、製膜を行うに従って金属マスクの表面に製膜材料が堆積するから、微細なパターンを高精度に形成する場合には、短時間で金属マスクを交換するか再生するかを選択する必要がある。したがって、手間がかかる上、生産性も低い。

本発明は、上記問題を解決すべく成されたものであり、プラスチック基板のような柔軟な基板上に高い生産性で、しかも低コストで所定のパターンの薄膜を形成できるパターン膜形成方法、前記パターン膜形成方法に好適に使用されるマスク用材料、および前記マスク用材料を用いて前記基板上に低コストで所定のパターンの薄膜を形成するパターン膜形成システムを提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、基板上に所定のパターンの薄膜を形成するパターン膜形成方法であって、可撓性を有し、一方の面に貼着層を形成してなるとともに、前記パターンに対応する切抜部を穿設したマスク用シート体の貼着層側を、少なくとも一方の面に連続した薄膜が形成された基板における薄膜に貼着するマスク貼着工程と、前記貼着工程で前記マスク用シート体を貼着した基板をエッチングし、前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去するエッチング工程と、前記エッチング工程でエッチングされた基板からマスク用シート体を除去するマスク除去工程とを有することを特徴とするパターン膜形成方法に関する。

前記パターン膜形成方法においては、所定のパターンに対応する切抜部が切り抜かれ、言い換えれば穿設されたマスク用シート体を粘着層の粘着力によって前記基板に貼着することにより、前記パターンに対応するマスクが形成される。

したがって、フォトリソグラフィー法でマスクを作るのに比べて、少ない工程で容易かつ廉価にマスクを作れる。

また、前記マスク用シート体としては、たとえばポリエチレンテレフタレート樹脂などの可撓性を有するフィルムが使用されるから、金属マスクに比べて作製が容易であり、安価でもある。したがって、マスク除去工程により除去されたマスク用シート体を廃棄してもそれ程のコスト増加にはつながらない。また、マスク用シート体に蒸着した薄膜を除去して再利用する場合に比べて、作業工程が簡素化され、廉価な製品を提供できる。

請求項２に記載の発明は、マスク用シート体に前記切抜部を穿設する型取り工程を有し、前記貼着工程においては、前記型取り工程で切抜部を穿設したマスク用シート体を貼着する請求項１に記載のパターン膜形成方法に関する。

前記パターン膜形成方法においては、型取り工程で切抜部を穿設したマスク用シート体を、基板上の薄膜に貼着しているから、前記型取り工程において切抜部を切り抜く形状を変えることにより、複数のパターンを有する薄膜を１つのラインで形成する場合に対応できる。

請求項３に記載の発明は、前記基板が、可撓性を有するプラスチック基板である請求項１または２に記載のパターン膜形成方法に関する。

請求項４に記載の発明は、前記プラスチック基板がポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムである請求項３に記載のパターン膜形成方法に関する。

前記パターン膜形成方法によれば、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムなどの可撓性のプラスチック基板上に所望のパターンの薄膜を形成することができるから、可撓性の電子ディスプレーやパターンド磁気メディア、ＲＦタグなどを高い生産性で形成できる。

請求項５に記載の発明は、前記薄膜が、有機材料、非金属無機材料、および金属材料からなる群から選択された１種または２種以上の材料からなる請求項１〜４の何れか１項に記載のパターン膜形成方法である。

前記パターン膜形成方法によれば、基板表面に、無機材料、非金属無機材料、および金属材料から選択された材料の薄膜を所望のパターンで、しかも高い生産性で形成できる。

請求項６に記載の発明は、前記薄膜が透明導電膜である請求項５に記載のパターン膜形成方法に関する。

前記パターン膜形成方法は、本発明のパターン膜形成方法を透明導電膜の形成に適用した例である。

請求項７に記載の発明は、前記透明導電膜が、アンチモンをドープした酸化錫膜（ＡＴＯ膜）、弗素をドープした酸化錫膜（ＦＴＯ膜）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫、および酸化亜鉛インジウムから選択される１種または２種以上の半導体性金属化合物の膜、金、銀、クロム、およびニッケルから選択される１種または２種以上の金属の膜、前記金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物の膜、沃化銅および硫化銅から選択される１種または２種以上の無機導電性材料の膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリピロールから選択される１種または２種以上の有機導電性材料の膜、並びに前記有機導電性材料と酸化インジウム錫との積層膜から選択される請求項６に記載のパターン膜形成方法に関する。

前記請求項で挙げられた膜は、本発明のパターン膜形成方法で形成される透明導電性膜の例である。

請求項８に記載の発明は、可撓性を有する仮支持体と、前記仮支持体の少なくとも一方の面に積層された第１粘着層と、前記仮支持体に形成された第１粘着層上に積層された可撓性を有するマスク用シート体と、前記マスク用シート体における前記第１粘着層に相対する側とは反対側の面に積層された第２粘着層と、前記第２粘着層における前記マスク用シート体に相対する側とは反対側に積層された離型層とを備え、前記第２粘着層は、前記第１粘着層よりも強い粘着力を有することを特徴とするマスク用材料に関する。

前記マスク用材料においては、第２粘着層の粘着力が第１粘着層の粘着力よりも強くなるように構成されている。したがって、離型層から仮支持体に向かって前記仮支持体の表面に至る深さの切込みであるハーフカットを入れて切抜部を設け、離型層の前記切抜部の内側の部分を剥離して第２粘着層を露出させ、露出した第２粘着層を支持体に貼着させてから仮支持体を引き剥がすことにより、所定のパターンが形成されたマスク用シート体のみが基板上に残留する。

したがって、前記マスク用材料を用いれば、一面に粘着層を設けたマスク用シート体に切抜部を設けて基板上に位置決めして貼着するものに比べて、作業を容易に、しかも迅速に行える。

さらに、前記マスク用材料における切抜部の外側の部分には離型層が残留しているから、前記部分は基板には貼着せず、仮支持体とマスク用シート体と離型層とが第１粘着層および第２粘着層で一体化された状態が保持される。したがって、マスク用材料の不要部分は、極めて容易に廃棄できる。

請求項９に記載の発明は、前記マスク用シート体がポリエチレンテレフタレート樹脂のフィルムである請求項８に記載のマスク用材料に関する。

前記マスク用材料においては、マスク用シート体は、ポリエチレンテレフタレート樹脂のフィルムであるから強度が高い。したがって、第２粘着層を基板に貼着して仮支持体を引き剥がすときに、第１粘着層の粘着力でマスク用シート体が敗れることがない。

請求項１０に記載の発明は、基板上に所定のパターンの薄膜を形成するパターン膜形成システムであって、請求項８または９に記載のマスク用材料の離型層から仮支持体に向かい、前記仮支持体の表面に至る深さの切込みであるハーフカットを設け、前記マスク用材料におけるマスク用シート体に切抜部を形成するハーフカット形成部と、前記ハーフカット形成部でハーフカットが形成されたマスク用材料から、前記切抜部の内側における前記基板に貼着すべき部分の離型層を除去する離型操作部と、前記離型操作部で離型層を除去したマスク用材料における第２粘着層が積層された側を、薄膜が形成された前記基板の薄膜に貼着するマスク貼着部と、前記支持体の表面から前記マスク用材料を引き剥がして前記マスク用シート体を前記基板における薄膜が形成された側の面に転写するマスク転写部と、前記マスク転写部において前記マスク用シート体が転写された基板をエッチングし、前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去するエッチング部と、前記エッチングにおいて前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去した基板から前記マスク用シート体を除去するマスク除去部とを備えてなることを特徴とするパターン膜形成システムに関する。

前記パターン膜形成システムによれば、マスク用材料にハーフカットを設け、離型層を除去して基板に貼着して仮支持体を引き剥がし、マスク用シート体を基板に転写するまでの工程、およびマスク用シート体を転写した基板をエッチングして薄膜の不要な部分を除去してからマスク用シート体を基板から除去するまでの一連の工程が自動的に行われる。

したがって、本発明のパターン膜形成方法を連続的に、しかも効率的に実施できる。

請求項１１に記載の発明は、前記基板の一方または両方の面に薄膜を形成する薄膜形成部を備えてなり、前記マスク貼着部においては、前記薄膜形成部で薄膜が形成された基盤の薄膜に前記マスク用材料を貼着する請求項１０に記載のパターン膜形成システムに関する。

前記パターン膜形成システムによれば、基板に薄膜を形成してからマスク用シート体を前記基板に貼着し、エッチングの後、マスク用シート体を基板から除去するまでの一連の工程を連続的に行うことができる。

請求項１２に記載の発明は、前記基板は可撓性を有するプラスチック基板である請求項１０または１１に記載のパターン膜形成システムである。

請求項１３に記載の発明は、前記プラスチック基板がポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムである請求項１２に記載のパターン膜形成システムである。

前記パターン膜形成システムによれば、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムなどの可撓性のプラスチック基板上に所望のパターンの薄膜を形成することができるから、可撓性の電子ディスプレーやパターンド磁気メディア、ＲＦタグなどを高い生産性で形成できる。

請求項１４に記載の発明は、前記基板に形成される薄膜が、有機材料、非金属無機材料、および金属材料からなる群から選択された１種または２種以上の材料からなる請求項１０〜１３の何れか１項に記載のパターン膜形成システムに関する。

前記パターン膜形成システムによれば、基板表面に、無機材料、非金属無機材料、および金属材料から選択された材料の薄膜を所望のパターンで、しかも高い生産性で形成できる。

請求項１５に記載の発明は、前記基板に形成される薄膜が透明導電膜である請求項１４に記載のパターン膜形成システムに関する。

前記パターン膜形成システムによれば、透明導電膜を有する各種電子ディスプレーを効率的に、しかも安価に製造できる。

請求項１６に記載の発明は、前記透明導電膜が、アンチモンをドープした酸化錫膜（ＡＴＯ膜）、弗素をドープした酸化錫膜（ＦＴＯ膜）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫、および酸化亜鉛インジウムから選択される１種または２種以上の半導体性金属化合物の膜、金、銀、クロム、およびニッケルから選択される１種または２種以上の金属の膜、前記金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物の膜、沃化銅および硫化銅から選択される１種または２種以上の無機導電性材料の膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリピロールから選択される１種または２種以上の有機導電性材料の膜、並びに前記有機導電性材料と酸化インジウム錫との積層膜から選択される請求項１５に記載のパターン膜形成システムに関する。

前記請求項で挙げられた膜は、本発明のパターン膜形成システムで作製できる透明導電膜の例である。

以上説明したように本発明によれば、柔軟な基板上に高い生産性で、しかも低コストで所定のパターンの薄膜を形成できるパターン膜形成方法、前記パターン膜形成方法に好適に使用されるマスク用材料、および前記マスク用材料を用いて前記基板上に低コストで所定のパターンの薄膜を形成するパターン膜形成システムが提供される。

本発明のパターン膜形成方法について以下に詳細に説明する。

１．基板
本発明のパターン膜形成方法で好適に使用される基板としてはプラスチック基板があり、前記プラスチック基板としては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート（ＰＡｒ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、環状ポリオレフィン（ＣＰＯ）、ポリイミド（ＰＩ）、アラミド樹脂（ＰＡ）などが使用される。中でもＰＥＴフィルムが好ましい。

前記樹脂は、熱膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下のものが好ましい。なお、ここでいう熱膨張係数は、ＴＭＡ８３１０（理学電機株式会社製、Thermo Plusシリーズ）で測定した値である。前記線膨張係数は、たとえばＰＥＴ(東レ株式会社、ルミラー（商品名）)で１５ｐｐｍ／℃、ＰＥＮ（デュポン・帝人株式会社、Ｑ６５Ａ）で２０ｐｐｍ／℃、ＰＩ（宇部興産株式会社、ユーピレックス（商品名））で２０ｐｐｍ／℃、ＰＡ（帝人株式会社）で２ｐｐｍ／℃である。

また、ガラス転移点が１２０℃以上の樹脂に、ゾルゲル法で形成した無機粒子やガラスクロス、ガラスファイバーなどの無機充填剤を配合して熱膨張係数を３０ｐｐｍ／℃以下にしたフィルムも好ましい。

ガラス転移点が１２０℃以上の樹脂としては、たとえばポリカーボネート樹脂（ＰＣ、Ｔｇ＝１４０℃）、脂環式ポリオレフィン樹脂（たとえば日本ゼオン株式会社、ゼオノア（商品名）１６００、Ｔｇ＝１６０℃、ＪＳＲ株式会社、アートン（商品名）、Ｔｇ＝１７０℃）、ポリアリレート樹脂（Ｔｇ＝２１０℃）、ポリエーテルスルホン樹脂（Ｔｇ＝２２０℃）、ポリスルホン樹脂（Ｔｇ＝１９０℃）、ポリエステル樹脂（ＰＥＴ、鐘紡株式会社製、Ｏ−ＰＥＴ Ｔｇ＝１２５℃、ポリエチレンナフタレート）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＣ、特開２０００−２２７６０３号公報の実施例１の化合物、Ｔｇ＝１６２℃）、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂（ＢＣＦ−ＰＣ、前記公開公報の実施例４の化合物、Ｔｇ＝２２５℃）、脂環変性ポリカーボネート樹脂（ＩＰ−ＰＣ、前記公開公報の実施例５の化合物、Ｔｇ＝２０５℃）、アクリロイル化合物（特開２００２−８０６１６の実施例１の化合物、Ｔｇ＝３００℃以上）などが挙げられる。

また、下記式（Ａ）で示されるビスフェノール化合物をビスフェノール成分とするポリカーボネート樹脂も好ましい例として挙げられる。

（ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、水素原子、アルキル基、およびアリール基から選択される基であって同一であっても異なっていてもよく、Ｘは、炭素数５〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１５のアラルキレン基、および炭素数１〜５のハロアルキレン基から選択される基である。）。

Ｘ基として可能なシクロアルキレン基の例としては、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロへキシレン基、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロへキシレン基、ノルボルナン−２，２−ジイル基、およびトリシクロ［５，２，１］デカン−８，８’−ジイル基などが挙げられ、特にＸ基が１，１−シクロペンチレン基または１，１−シクロへキシレン基であるビスフェノール化合物をビスフェノール成分とするポリカーボネート樹脂が好ましい。また、Ｘ基として可能なアラルキレン基としては、フェニルメチレン基、ジフェニルメチレン基、１，１−（１−フェニル）エチレン基、９，９−フルオレニレン基などが挙げられる。また、ハロアルキレン基としては、２，２−ヘキサフルオロプロピレン基、２，２−（１，１，３，３−テトラフルオロ−１，３−ジシクロ）プロピレン基などがある。

本発明のプラスチック基板として使用される樹脂は、１種類の構造単位からなるものであっても、２種類以上の構造単位からなるものであってもよい。また、本発明の効果を損なわない範囲で他の構造単位を含んでいてもよい。前記他の構造単位の置換量は、通常５０モル％以下であり、好ましくは１０モル％以下である。また、本発明のプラスチック基板として使用される樹脂には、上に挙げたもの以外の樹脂がブレンドされていてもよく、また、２種以上の樹脂をブレンドしたものであってもよい。

本発明のプラスチック基板として使用される樹脂の分子量は、数平均分子量で１０，０００〜３００，０００（ポリスチレン換算）の範囲が好ましく、２０，０００〜２００，０００の範囲が更に好ましく、３０，０００〜１５０，０００の範囲が最も好ましい。分子量が低すぎると、プラスチック基板として使用する場合、機械的強度が不十分になる。

前記プラスチック基板には、耐溶剤性および耐熱性の観点から架橋性樹脂も好ましく使用される。

架橋性樹脂としては、熱硬化性樹脂および放射線硬化樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂の例としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フラン樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂などが挙げられるが、共有結合を形成する架橋反応によって硬化する樹脂であれば、特に制限なく用いることができる。このような樹脂としては、ポリアルコール化合物とポリイソシアネート化合物との反応によってポリウレタン樹脂を形成する系がある。しかしながら、このような系は、製膜前のポットライフが問題になる場合が多いから、製膜直前にポリイソシアネート化合物を添加する２液混合型が一般的に用いられる。一方、前記系を１液型として用いる場合は、架橋反応に携わる官能基を保護したブロックタイプ硬化剤を使用できる。このようなブロックタイプ硬化剤としては、三井武田ケミカル株式会社製Ｂ−８８２Ｎ、日本ポリウレタン工業株式会社製コロネート（商品名）２５１３などのブロックポリイソシアネートや三井サイテック株式会社製サイメル（商品名）３０３などのメチルメラミン化合物などがある。また、下記Ｂ−１式で示されるブロックカルボン酸も前記ブロックタイプ硬化剤として使用される。

放射線硬化樹脂としては、ラジカル硬化性樹脂およびカチオン硬化性樹脂が挙げられる。ラジカル硬化性樹脂の硬化性成分としては、分子内に複数個のラジカル重合性基を有する化合物が使用され、具体的には、分子内に２〜６個のアクリル酸エステル基を有する多官能アクリレートモノマーや、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、およびエポキシアクリレートなどの分子内に複数個のアクリル酸エステル基を有する化合物が使用される。

ラジカル硬化性樹脂の代表的な硬化方法としては、電子線照射および紫外線照射などがある。紫外線照射によって硬化させる場合には、通常、紫外線硬化によってラジカルを発生する重合開始剤をラジカル硬化性樹脂に添加する。なお、加熱によってラジカルを発生する重合開始剤をラジカル硬化性樹脂に添加すれば、熱硬化性樹脂としても使用できる。

カチオン硬化性樹脂の硬化性成分としては、分子内に複数個のカチオン重合性基を有するカチオン重合性化合物が用いられる。代表的な硬化方法としては、紫外線の照射によって酸を発生する光酸発生剤を添加し、紫外線を照射して硬化させる方法が挙げられる。カチオン重合性化合物としては、エポキシ基などの開環重合性基を含む化合物や、ビニルエーテル基を含む化合物などが挙げられる。

これらの架橋性樹脂は、２種以上を混合して用いてもよく、また、前記熱硬化性樹脂と前記放射線硬化樹脂とを併用してもよい。また、架橋性樹脂を、架橋性基を有しない樹脂と混合して用いてもよい。架橋性基を有しない樹脂に前記架橋性樹脂を混合すれば、得られるプラスチック基板の耐溶剤性、耐熱性、光学特性、および強靭性が改善されるから好ましい。

また、架橋性基を有しない樹脂に架橋性基を導入したものを用いてもよい。架橋性基導入する箇所は、ポリマー主鎖末端やポリマー側鎖などがあるが特に制限はない。架橋性基を導入した樹脂を用いる場合には、前記架橋性樹脂を併用する必要は必ずしもない。

これらの樹脂には、本発明の硬化を損なわない範囲で可塑剤、染料、顔料、帯電防止剤、紫外線吸収剤、酸化防止字亜、無機微粒子、剥離促進剤、レベリング剤、および潤滑剤などの樹脂改質剤を配合してもよい。

本発明で使用されるプラスチック基板は延伸されていてもよい。前記プラスチック基板は、延伸により機械的強度が改善され、取り扱い性が向上する。特に、延伸方向のオリエンテーションリリースストレス（ＡＳＴＭ Ｄ１５０４、以下、「ＯＲＳ」と略記する。）が０．３〜３ＧＰａであるものは機械的強度が改善され、好ましい。ＯＲＳは、延伸により生じ、延伸フィルムまたは延伸シートに凍結された内部応力である。延伸には高知の方法が使用でき、たとえば樹脂のガラス転移温度Ｔｇよりも１０〜５０℃高い温度で、ロール一軸延伸法、テンタ一軸延伸法、同時二軸延伸方、インフレーション法などにより実施できる。延伸倍率は１．１〜３．５倍の範囲が好ましい。

前記プラスチック基板の厚さは、特に制限はないが３０〜７００μｍの範囲が好ましく、４０〜２００μｍの範囲がより好ましく、５０〜１５０μｍの範囲が更に好ましい。前記プラスチック基板のヘイズは３％以下が好ましく、２％以下がより好ましく、１％以下が更に好ましい。全光透過率は７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましい。

なお、本発明で使用される基板は、光透過性であっても非光透過性であってもよい。前記基板として非光透過性のものを用いるときは、光反射性を有する白色基板を用いることができる。前記白色基板としては、酸化チタンや酸化亜鉛などの無機顔料を添加したプラスチック基板が挙げられる。なお、前記基板は、表示面を構成する場合は、少なくとも可視領域の光に対して透過性を有することが好ましい。

２．薄膜
本発明のパターン膜形成方法において、前記基板に形成できる薄膜としては、アンチモンをドープした酸化錫膜（ＡＴＯ膜）、弗素をドープした酸化錫膜（ＦＴＯ膜）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、および酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）から選択される１種または２種以上の半導体性金属化合物の膜、金、銀、クロム、およびニッケルから選択される１種または２種以上の金属の膜、前記金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物の膜、沃化銅および硫化銅から選択される１種または２種以上の無機導電性材料の膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリピロールから選択される１種または２種以上の有機導電性材料の膜、並びに前記有機導電性材料と酸化インジウム錫との積層膜などがある。

これらの薄膜のうち、金、銀、クロム、およびニッケルなどの金属電極材料、並びにＩＴＯ膜およびＩＺＯ膜などの透明電極材料などが好ましい。

基板に前記薄膜を形成する方法としては、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、イオンビームスパッタ法、レーザアブレーション法、ホローカソードアークプラズマ法、カソーディックアークプラズマ法、およびＭＢＥ法などがある。これらの方法は、単独でも２種以上を組み合わせても使用できる。

３．マスク用材料
本発明のマスク用材料は、図１において（Ａ）に示すように、仮支持体１０と、仮支持体１０の一方の表面に積層された第１粘着層１２と、ＰＥＴ等の材料で形成され、第１粘着層１２上に積層されたマスク用シート体１４と、マスク用シート体１４上に積層された第２粘着層１６と、第２粘着層１６に積層された離型層１８とからなる５層構造の帯状体である。

仮支持体１０は、プラスチック又は紙等の可撓性を有するシート材からなり、厚さは、２０〜２００μｍが好ましく、５０〜１５０μｍの範囲がより好ましい。

マスク用シート体１４は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のプラスチック等の可撓性を有するシート材であり、厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、２０〜１００μｍの範囲がより好ましい。

離型層１８は、プラスチック又は紙等の可撓性を有するシート材から構成され、厚さは、１０〜１００μｍが好ましく、２０〜１００μｍの範囲がより好ましい。

第１粘着層１２と第２粘着層１６とは、それぞれ一般の粘着テープ等に使用されている粘着剤から構成され、厚さは１〜５０μｍであり、より好ましくは２〜１０μｍである。

また、マスク用シート体１４は、図１において（Ｃ）に示すように、基板２２に形成された薄膜２３に第２粘着層１６によって貼着される。

そして、マスク用シート体１４を薄膜２３に貼着後、仮支持体１０を引き剥がしたときに、マスク用シート体が仮支持体１０とともに剥離しないように、第２粘着層１６は、第１粘着層１２よりも高い粘着力を有している。

第２粘着層１６は、層の厚さが第１粘着層１２よりも厚くなるように形成することにより粘着力を高めても良く、また、第１粘着層１２と異なる組成にすることで粘着力を高めてもよい。

このように構成することによって、図１において（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）に示すように、マスク用材料２０における、マスク形状に対応した剥離されるべき離型層部分１８Ａだけを剥離して、露呈した第２粘着層１６の所定部分の表面を、基板２２に形成された薄膜２３の表面に当接させて貼着し、マスク用材料２０を引き剥がすと、薄膜２３と第２粘着層１６との間の粘着力が、仮支持体１０と第１粘着層１２との間の粘着力に勝って、マスク用シート体１４だけが薄膜２３上に転写される。

なお、薄膜２３をエッチング後、マスク用シート１４を薄膜２３から容易に剥離できるように、第２粘着層１６は、紫外線光を照射することによって粘着力を失うＵＶ硬化型剥離層、熱により粘着力を失う熱硬化型剥離層、水を塗布することにより粘着力を失う水溶性剥離層により形成することが好ましい。特にＵＶ硬化型剥離層および熱硬化型剥離層が、非接触でマスク用シート１４を剥離できる点で好ましい
また、離型層１８の離型面にはシリコーン膜等を形成されている。これにより、第２粘着層１６の離型層１８に対する粘着力が弱まり、マスク用材料２０の表面にある剥離される離型層部分１８Ａ部分を第２粘着層１６から剥がすときに、マスク用シート体１４が仮支持体１０からともに剥がれ落ちるのが防止される。

マスク用材料２０の使用方法について以下に説明する。

先ず、マスク用材両２０の離型層１８側の面から仮支持体１０に向かって仮支持体１０の第１粘着層１２に面した面に至る切込みであるハーフカットを設ける。これにより、マスク用シート体１４は肉厚方向に渡って完全に切断され、所定のパターンに沿った切抜部が形成される。

このとき、マスク用材料２０に、いわゆる島状の部分を残す場合には、閉ループ状（ここでは、切断線がマスク用材料２０の外郭線を含んで閉ループとなるようにしても良い）にハーフカットを行う。

次に、マスク用材料２０の離型層１８から、基板２２の薄膜２３におけるマスクを形成する部分に対応するように離型層部分１８Ａを取り除き、図１の（Ｂ）に示すように、残留される離型層部分１８Ｂだけを第２粘着層１６上に残す。

次に、マスク用材料２０における、残留される離型層部分１８Ｂだけを残した第２粘着層１６上に、基板２２の薄膜２３側の面を押し当てる。これにより、図１の（Ｃ）に示すように、第２粘着層１６の剥離される離型層部分１８Ａだけが薄膜２３に貼着される。

次に、基板２２からマスク用材料２０を引き剥がすと、薄膜２３には離型層部分１８Ａに対応するマスク用シート体１４だけが残留し、マスク用材料２０の残りの部分は、仮支持体１０、第１貼着層１２、マスク用シート体１４、第２粘着層１６、および離型層１８の５層が一体になった状態で引き剥がされる。これにより、薄膜２３は、マスク用シート体１４でマスクされる。

一方、残留した使用済みのマスク用材料２０部分は、廃棄処分される。なお、このマスク用材料２０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の廉価な材料で構成するので、使用済みのマスク用材料２０部分を廃棄処分しても、他のフォトリソグラフィー等のマスク手段に比べて廉価にマスク処理できる。

４．エッチング処理
本発明においては、エッチング処理としては通常の処理が用いられる。たとえば薄膜２３がＩＴＯのときは、塩酸硝酸混合水溶液（王水系）、塩酸酢酸混合水溶液、塩化第二鉄水溶液、尿粗餐水溶液、燐酸水溶液、蓚酸水溶液などのエッチング浴が使用できる。また、薄膜２３がクロムのときは、第二セリウム塩を主成分とし、必要に応じて過塩素酸塩、酢酸、硝酸などを添加した混合水溶液が用いられる。更に、薄膜２３がアルミニウムのときは、燐酸溶液などが使用され、銅のときは、塩化第二鉄溶液や塩化第二銅溶液が、銀のときは、希硝酸やアンモニア水−過酸化水素系溶液が、金のときはシアン系、王水系、沃素酸系などのエッチング液が用いられる。

また、レーザエッチングやドライエッチングのような乾式エッチングも可能である。

５．パターン膜形成システム
以下、本発明に係るパターン膜形成システムの一例について説明する。

本発明のパターン形成システムは、大きく分けて、長尺ベルト状の基板２２に薄膜２３を形成し、その上に所定の切抜部を形成したマスク用シート体１４を貼着するマスク形成部２００と、マスク用シート体１４を貼着した基板２２をエッチングするエッチング処理部２０２とを備える。

（５−１）マスク形成部
マスク形成部２００は、図２に示すように、基板２２に薄膜２３を形成する薄膜形成部８０と、マスク用材料２０の離型層１８側から仮支持体１０の表面に至る深さの切込み、即ちハーフカットを設けるハーフカット形成部４８と、ハーフカット形成部４８で設けられたハーフカットの内側部分の剥離層１８を剥離する剥離操作部５０と、マスク用材料２０の剥離操作部５０で剥離層１８が剥離された部分を基板２２の薄膜２３に貼付するマスク貼着ローラ３４と、マスク貼着ローラ３４で基板２２に貼着されたマスク用材料２０を剥離する剥離ローラ３６と、剥離ローラ３６でマスク用材料２０が剥離された基板２２を再び巻き取る基板巻取りローラ４２と、剥離ローラ３６で剥離されたマスク用材料２０を巻き取る余剰マスク巻取りローラ６４とを備える。

エッチング処理部２０２は、図３に示すように、マスク形成部２００でマスク用シート体１４を貼着した基板２２を基板巻取りローラ４２から巻き戻しつつエッチングするエッチング部７０と、エッチング部７０でエッチング後の基板２２からマスク用シート体１４を剥離する剥離ローラ７２と、剥離ローラ７２でマスク用シート体１４を剥離したエッチング済みの基板７２を巻き取る製品巻取りローラ８４と、剥離ローラ７２で基板２２から剥離したマスク用シート体１４を巻き取る使用済みマスク巻取りローラ７８とを備える。

マスク形成部２００とエッチング処理部２０２とにつき、以下に詳細に説明する。

図２に示すように、マスク形成部２００は、表面に薄膜２３の形成されていない基板２２を矢印ａで示す方向に沿って薄膜形成部８０に供給する供給ローラ２４と、供給ローラ２４の下流側に位置する原反接合部２８と、薄膜形成部８０の入り口部近傍に位置する基板前処理部３２とを備える。基板前処理部３２の位置口部近傍には、基板前処理部３２に導入される基板の張力を一定に保持するテンション設定部３０が設けられている。テンション設定部３０は、基板２２に一定の張力を付与するためのダンサーローラ３０Ａを備えている。原反接合部２８は、空になった供給ローラ２４を新たな供給ローラ２４に交換するときに、空になった供給ローラ２４から供給された基板２２の末端と、新たな供給ローラ２４から供給しようとする基板２２の先端とを自動的に接合することにより、基板２２の供給が途絶えないようにする機能を有している。

薄膜形成部８０において形成される薄膜２３の種類、および形成プロセスについては、「２．薄膜」の欄で説明したとおりである。また、基板前処理部３２においては、薄膜形成部８０において形成される薄膜の種類および形成プロセスに応じてコロナ処理、大気圧プラズマ処理、真空プラズマ処理などを行うことができる。また、雰囲気についても、アルゴンガス、キセノンガス、酸素ガス、炭酸ガスなどのガスを単独または混合して使用できる。更に、プラズマ発生装置として、ＤＣプラズマ発生装置、ＡＣプラズマ発生装置、ｒｆプラズマ発生装置、マイクロ波プラズマ発生装置、パルスプラズマ発生装置などが使用できる。なお、これらのプラズマ処理を真球中で行うときは、基板前処理部３２および薄膜形成部８０の何れも真空チャンバに収容することが好ましい。

マスク形成部２００は、また、図１の（Ａ）に示すマスク用材料２０を矢印ｂで示す方向に沿ってハーフカット形成部４８に供給する供給ローラ２６と、ハーフカット形成部４８の入り口側に隣接し、ハーフカット形成部４８に導入されるマスク用材両２０の張力を一定に保持するダンサーローラ４６Ａを有するテンション設定部４６とを備える。供給ローラ２６には、マスク用材料２０が、剥離層１８の側が外側に、言い換えれば仮支持体１０の側が内側になるようにロール状に巻回されている。

供給ローラ２６とテンション設定部４６との間には、原反接合部４４が設けられている。原反接合部４４は、空になった供給ローラ２６を新たな供給ローラ２６に交換するときに、空になった供給ローラ２６から供給されたマスク用材料２０の末端と、新たな供給ローラ２６から供給しようとするマスク用材料２０の先端とを自動的に接合することにより、マスク用材料２０の供給が途絶えないようにする機能を有している。

剥離操作部５０は、マスク用材料２０の仮支持体１０の側を吸着しつつ、供給方向ｂに沿って転動するサクションドラム５８と、マスク用材料２０の経路を挟んでサクションドラム５８に相対すると共に、サクションドラム５８に接離可能に設けられた剥離ローラ５４と、サクションドラム５８上にマスク用材料２０が存在するときに、マスク用材料２０とサクションドラム５８との間に粘着テープ５３を送り出す粘着テープ供給ローラ５２と、剥離ローラ５４を通過した粘着テープ５３を巻き取る巻取りローラ５６とを備える。粘着テープ５３は、粘着面が外側になるように粘着テープ供給ローラ５２に巻回されているから、剥離ローラ５４を通過する際は、粘着テープ５３の粘着面がマスク用材料２０の剥離層１８に当接する。

ハーフカット形成部４８は、図４および図５に示すように、マスク用材料２０の経路を挟んで相対するサクションテープル１００とトムソン刃台１１０とを備える。

サクションテーブル１００は、表面に多数の吸引孔が形成され、これらの吸引孔から吸気することにより、マスク用材料２０の仮支持体１０側を吸着保持する。

一方、図５に示すように、トムソン刃台１１０のマスク用材料２０の経路に相対する側の面には、図５に示すように所定高さの刃物である矩形枠状のトムソン刃１１２が設けられている。トムソン刃１１２で囲まれた領域の内側には、島状のマスク部分を残すために、所定高さの刃物である矩形枠状のトムソン刃１１２Ａが設けられている。

トムソン刃台１１０におけるトムソン刃１１２で囲まれた領域の外側であって、マスク用材料２０の経路を外れた領域には、トムソン刃１１２および１１２Ａの刃先位置を設定するためのストッパ部材１１４が設けられている。

トムソン刃台１１０においては、図７において（Ａ）および（Ｂ）に示すように、サクションテーブル１００上にマスク用材料２０が存在する状態において、トムソン刃台１１０をサクションテーブル１００に近接させ、ストッパ部材１１４の先端面がサクションテーブル１００に当接したときに、トムソン刃１１２および１１２Ａの刃先がマスク用材料２０の離型層１８、第２粘着層１６、マスク用シート体１４、および第１粘着層１２を完全に裁断し、仮支持体１０の厚さの中程に達する程度にストッパ部材１１４の高さを設定すれば、マスク用材料に確実にハーフカットが形成されるが、仮支持体１０が完全には切り抜かれて完全カット部が形成されることがないから好ましい。

ストッパ部材１１４は、トムソン刃１１２および１１２Ａの刃先位置を設定できるのであれば、図５に示すような短円柱状、スタッド状、乃至ピン状の固定部材には限定されず、突出量が調節可能に形成されてもよく、また、隠顕可能に形成されていてもよい。

剥離ローラ３６は、マスク貼着ローラ３４の下流側に位置するマスク貼着ローラ３４においてマスク用シート体１４が基板２２の薄膜２３に転写された残りの余剰なマスク用材料２０は、剥離ローラ３６において基板２２から剥離される。

剥離ローラ３６と余剰マスク巻取りローラ６４との間には、テンション設定部６０と、余剰マスク巻取りローラ６４を交換する際に余剰マスク用材料の巻取りが中断しないようにする余剰マスク用材料接合図６２とが設けられている。テンション設定部６０においては、余剰なマスク用材料２０が所定の張力で矢印ｃの方向に引張られるようにダンサーローラ６０Ａによって張力を設定する。

一方、剥離ローラ３６と基板巻取りローラ４２との間には、ダンサーローラ３８Ａによって剥離ローラ３６において余剰なマスク用材料２０が剥離された基板２０に矢印ｄの方向に沿った一定の張力を付与するテンション設定部３８および基板巻取りローラ４２を交換する際に基板２２の巻取りが途切れないようにする基盤用接合部４０が設けられている。
（５−２）エッチング処理部
図３に示すように、エッチング処理部２０２においては、エッチング部７０の上流側には、基板巻取りローラ４２から巻き戻された基板２２にダンサーローラ６８Ａによって所定の張力を付しつつエッチング部７０に導入するテンション設定部６８と、テンション設定部６８および基板巻取りローラ４２の間に位置し、基板巻取りローラ４２を交換する際にも基板２２の供給が滞らないようにする基板接合部６６とが設けられている。

一方、剥離ローラ７２と使用済みマスク巻取りローラ７８との間にはテンション設定部７４および接合部７６が設けられ、剥離ローラ７２と製品巻取りローラ８４との間には、テンション設定部８６および製品接合部８２が設けられている。テンション設定部７４およびテンション設定部８６は夫々ダンサーローラ７４Ａおよび８６Ａによって張力を設定する。

エッチング部７０においては、薄膜２３の組成および製造プロセスに応じて任意のエッチング方法が選択できるが、詳細は、「４．エッチング処理」の欄で述べたとおりである。

以下、上記パターン膜形成システムの作用について説明する。

供給ローラ２４から送り出された基板２２は、テンション設定部３０によって所定のテンションに設定されて基板前処理部３２に導入されて前処理を施され、次に薄膜形成部８０で表面に薄膜２３が形成される。なお、薄膜形成部８０においては、基板２２の図２における上面に薄膜２３が形成される。

一方、マスク用材料２０は、剥離層１８が外側に位置するように供給ローラ２６に巻回されているから、供給ローラ２６から送り出されたマスク用材料２０は、ハーフカット形成部４８において、図２〜図５に示すように、仮支持体１０の側においてサクションテーブル１００に吸着保持されるとともに、図４において矢印に示すように、トムソン刃台１１０がサクションテーブル１００に向かって押圧されることにより、トムソン刃１１２および１１２Ａによって離型層１８、第２粘着層１６、マスク用シート体１４、および第１粘着層１２が完全に裁断され、仮支持体１０は厚さの中程まで切断され、マスク用材料２０にハーフカットが設けられる。トムソン刃１１２Ａによって、離型層部分１８Ａを離型層部分１８Ｂと区画するハーフカットが形成され、トムソン刃１１２によって、離型層部分１８Ｂをそれよりも外側の部分と区画するハーフカットが形成されることにより、マスク用シート体１４には所定の切抜部分が形成される。

ハーフカット形成部４８でハーフカットが形成されたマスク用材料２０は、剥離操作部５０に導入される。剥離操作部５０においては、前述のように、マスク用材料２０は、仮支持体１０においてサクションドラム５８に吸着支持されるとともに、剥離ローラ５４がサクションドラム５８に圧着され、粘着テープ５３の粘着面がマスク用材料の剥離層１８に貼着する。粘着テープ５３が剥離層１８に貼着したら、剥離ローラ５４はサクションドラム５８から遠ざかる。これにより、マスク用材料２０においては、離型層１８のうち離型層部分１８Ｂを残して離型層部分１８Ａが剥ぎ取られ、図１において（Ｂ）に示すように第２粘着層１６が露出する。一方、粘着テープ５３は、粘着テープ供給ローラ５２から送り出されると剥離ローラ５４を通過して巻取りローラ５６で巻き取られる。したがって、剥ぎ取られた離型層部分１８Ａも粘着テープ５３とともに巻取りローラ５６で巻き取られる。

離型層部分１８Ａが剥ぎ取られたマスク用材料２０は、次に、マスク貼着ローラ３４によって基板２２の薄膜２３が形成された側に重ねられ、露出した第２粘着層１６が薄膜２３の表面に貼着する。

マスク貼着ローラ３４によって基板２２と一体に貼着されたマスク用材料は、更に剥離ローラ３６でニップされた後、剥離ローラ３６の下流側において余剰マスク巻取りローラ６４で連続的に巻き取られることにより、図２で矢印ｃに示すように余剰マスク巻取りローラ６４に向かう方向に引張られる。一方、基板２２は、剥離ローラ３６の下流側において基板巻取りローラ４２で連続的に巻き取られることにより、図２において矢印ｄで示すように下方に引張られる。

これにより、マスク用材料２０は基板２２から引き剥がされる方向の力を受ける。ここで、マスク用材料２０は、第２粘着層１６が露出した部分において基板２２の薄膜２３上に強固に貼着されているから、先の剥離操作で粘着層１８が残存した粘着層部分１８Ｂに対応する部分のみが引き剥される。

これにより、図１において（Ｃ）に示すように、所定の切抜きが形成されたマスク用シート体１４が第２貼着層１６によって基板２２の薄膜２３に貼着される。

マスク用シート体１４が貼着された基板２２は、基板巻取りローラ４２によってロール状に巻き取られる。

次に、エッチング処理部２０２においては、基板巻取りローラ４２から巻き戻された基板２２は、基板接合部６６およびテンション設定部６８を経由してエッチング部７０に導入され、エッチング処置される。

図７において（Ａ）に示すように、基板２２は、薄膜２３上にマスク用シート体１４が貼着された状態でエッチング部７０に導入される。エッチング部７０においては、図７において（Ｂ）に示すように、薄膜２３におけるマスク用シート体１４で覆われていない部分のみが選択的にエッチングされる。

基板２２がエッチング部７０を通過すると、図７において（Ｃ）に示すように剥離ローラ７２によって基板２２の表面からマスク用シート体１４が剥離される。

これにより、薄膜２３が所定のパターンにエッチングされて除去された基板２２が得られる。

マスク用シート体１４が剥離された基板２２は、製品巻取りローラ８４にロール状に巻き取られる。一方、基板２２の表面から剥離されたマスク用シート体１４は、使用済みマスク巻取りローラ７８に巻き取られる。

図１は、本発明のマスク用材料の構成および使用方法を示す斜視図である。 図２は、本発明のパターン膜形成システムの備えるマスク形成部の構成を示す説明図である。 図３は、本発明のパターン膜形成システムの備えるエッチング部の構成を示す説明図である。 図４は、図２に示すマスク形成部の備えるハーフカット形成部とマスク用材料との相対的な位置関係を示す斜視図である。 図５は、図４に示すハーフカット形成部の有するトムソン刃台１１０を、トムソン刃が設けられた側からみたところを示す斜視図である。 図６は、図４に示すハーフカット形成部においてマスク用材料にハーフカットが形成されたところを示す説明図である。 図７は、エッチング処理部で基板がエッチング処理されることを示す工程図である。

符号の説明

１０ 仮支持体
１２ 第１粘着層
１４ マスク用シート体
１６ 第２粘着層
１８ 離型層
１８Ａ 離型層（剥離分）
１８Ｂ 離型層（残留分）
２０ マスク用材料
２２ 基板
２３ 薄膜
３４ マスク貼着ローラ
３６ 剥離ローラ
４８ ハーフカット形成部
５０ 剥離操作部
５４ 剥離ローラ
５８ サクションドラム
７０ エッチング部
７２ マスク除去部
１００ サクションテーブル
１１０ トムソン刃台
１１２ トムソン刃
１１２Ａ トムソン刃
１１４ ストッパ部材
２００ マスク形成部
２０２ エッチング処理部

Claims (16)

1. 基板上に所定のパターンの薄膜を形成するパターン膜形成方法であって、
   可撓性を有し、一方の面に貼着層を形成してなるとともに、前記パターンに対応する切抜部を穿設したマスク用シート体の貼着層側を、少なくとも一方の面に連続した薄膜が形成された基板における薄膜の側に貼着するマスク貼着工程と、
   前記貼着工程で前記マスク用シート体を貼着した基板をエッチングし、前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去するエッチング工程と、
   前記エッチング工程でエッチングされた基板からマスク用シート体を除去するマスク除去工程と
   を有することを特徴とするパターン膜形成方法。
2. マスク用シート体に前記切抜部を穿設する型取り工程を有し、前記貼着工程においては、前記型取り工程で切抜部を穿設したマスク用シート体を貼着する請求項１に記載のパターン膜形成方法。
3. 前記基板は、可撓性を有するプラスチック基板である請求項１または２に記載のパターン膜形成方法。
4. 前記プラスチック基板はポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムである請求項３に記載のパターン膜形成方法。
5. 前記薄膜は、有機材料、非金属無機材料、および金属材料からなる群から選択された１種または２種以上の材料からなる請求項１〜４の何れか１項に記載のパターン膜形成方法。
6. 前記薄膜は透明導電膜である請求項５に記載のパターン膜形成方法。
7. 前記透明導電膜は、アンチモンをドープした酸化錫膜（ＡＴＯ膜）、弗素をドープした酸化錫膜（ＦＴＯ膜）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫、および酸化亜鉛インジウムから選択される１種または２種以上の半導体性金属化合物の膜、金、銀、クロム、およびニッケルから選択される１種または２種以上の金属の膜、前記金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物の膜、沃化銅および硫化銅から選択される１種または２種以上の無機導電性材料の膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリピロールから選択される１種または２種以上の有機導電性材料の膜、並びに前記有機導電性材料と酸化インジウム錫との積層膜から選択される請求項６に記載のパターン膜形成方法。
8. 可撓性を有する仮支持体と、
   前記仮支持体の少なくとも一方の面に積層された第１粘着層と、
   前記仮支持体に形成された第１粘着層上に積層された可撓性を有するマスク用シート体と、
   前記マスク用シート体における前記第１粘着層に相対する側とは反対側の面に積層された第２粘着層と、
   前記第２粘着層における前記マスク用シート体に相対する側とは反対側に積層された離型層とを備え、
   前記第２粘着層は、前記第１粘着層よりも強い粘着力を有する
   ことを特徴とするマスク用材料。
9. 前記マスク用シート体はポリエチレンテレフタレート樹脂のフィルムである請求項８に記載のマスク用材料。
10. 基板上に所定のパターンの薄膜を形成するパターン膜形成システムであって、
    請求項８または９に記載のマスク用材料の離型層から仮支持体に向かい、前記仮支持体の表面に至る深さの切込みであるハーフカットを設け、前記マスク用材料におけるマスク用シート体に切抜部を形成するハーフカット形成部と、
    前記ハーフカット形成部でハーフカットが形成されたマスク用材料から、前記切抜部の内側における前記基板に貼着すべき部分の離型層を除去する離型操作部と、
    前記離型操作部で離型層を除去したマスク用材料における第２粘着層が積層された側を、薄膜が形成された前記基板の薄膜に貼着するマスク貼着部と、
    前記支持体の表面から前記マスク用材料を引き剥がして前記マスク用シート体を前記基板における薄膜が形成された側の面に転写するマスク転写部と、
    前記マスク転写部において前記マスク用シート体が転写された基板をエッチングし、前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去するエッチング部と、
    前記エッチングにおいて前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去した基板から前記マスク用シート体を除去するマスク除去部と
    を備えてなることを特徴とするパターン膜形成システム。
11. 前記基板の一方または両方の面に薄膜を形成する薄膜形成部を備えてなり、
    前記マスク貼着部においては、前記薄膜形成部で薄膜が形成された基盤の薄膜に前記マスク用材料を貼着する請求項１０に記載のパターン膜形成システム。
12. 前記基板は可撓性を有するプラスチック基板である請求項１０または１１に記載のパターン膜形成システム。
13. 前記プラスチック基板はポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムである請求項１２に記載のパターン膜形成システム。
14. 前記基板に形成される薄膜は、有機材料、非金属無機材料、および金属材料からなる群から選択された１種または２種以上の材料からなる請求項１０〜１３の何れか１項に記載のパターン膜形成システム。
15. 前記基板に形成される薄膜は透明導電膜である請求項１４に記載のパターン膜形成システム。
16. 前記透明導電膜は、アンチモンをドープした酸化錫膜（ＡＴＯ膜）、弗素をドープした酸化錫膜（ＦＴＯ膜）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫、および酸化亜鉛インジウムから選択される１種または２種以上の半導体性金属化合物の膜、金、銀、クロム、およびニッケルから選択される１種または２種以上の金属の膜、前記金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物の膜、沃化銅および硫化銅から選択される１種または２種以上の無機導電性材料の膜、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリピロールから選択される１種または２種以上の有機導電性材料の膜、並びに前記有機導電性材料と酸化インジウム錫との積層膜から選択される請求項１５に記載のパターン膜形成システム。

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