JP2007048380A - 半導体メモリ装置 - Google Patents

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敦 高杉
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Abstract

【課題】 パスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり、個人認証ができる不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】 不揮発性半導体メモリ装置において、入出力手段と、
メモリコントロール手段と、一般データ格納領域と、パスワード制御手段と、暗号化・暗号解読手段と、認証制御手段とを設けた。
【選択図】 図３（A）

Description

この発明は、不揮発性半導体メモリ装置における回路方式に関するものである
一般に、従来の不揮発性半導体メモリ装置には、以下に述べる第1の不揮発性半導体メモリ装置と第２の不揮発性半導体メモリ装置の２種類がある。
<第1の不揮発性半導体メモリ装置>
第1の不揮発性半導体メモリ装置は、製造者以外の使用者がメモリに対して決められた任意の回数に限り書きアクセスが可能な不揮発性半導体メモリ装置である。これには、製造者以外の使用者が一回だけ書き込み可能なＯＴＰという不揮発性半導体メモリがある。２回以上（普通は数万回以上）の書き換えアクセスが可能な不揮発性半導体メモリとしては、フラッシュメモリが一般的である。フラッシュメモリ以外に、近年、ＦＲＡＭ，ＦｅＲＡＭ等さまざまな素材を使用した不揮発性半導体メモリが発表されている。
第1の不揮発性半導体メモリ装置は、図１に示すように、電源を切っても情報を保持する性質を有する不揮発性メモリセル単位１が複数集まった不揮発性メモリセル単位１群からなるメモリセルアレイ２と、
アドレスを入力することにより、メモリセルアレイ２中の個々の不揮発性メモリセル単位１（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、アドレス手段３（図１で示すように、Ｘアドレスが入力するＸアドレス手段５とＹアドレスが入力するＹアドレス手段６からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、前記アドレス手段３により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、同じく、前記アドレス手段３により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する読み出し手段８、からなる入出力手段４とからなる。
<第２の不揮発性半導体メモリ装置>
第２の不揮発性半導体メモリ装置は、製造者により書き込み作業が行われた後、使用者が利用可能なアクセスはメモリに書き込まれた情報の読み出しアクセスだけで、メモリへの書き込みアクセスができない不揮発性半導体メモリ装置である。第1の不揮発性半導体メモリ装置としては、マスクＲＯＭという種類のメモリが現在、一般的である。
第２の不揮発性半導体メモリ装置は、図２に示すように、
電源を切っても情報を保持する性質を有する不揮発性メモリセル単位１が複数集まった不揮発性メモリセル単位１群からなるメモリアレイアレイ２と、
アドレスを入力することにより、メモリアレイアレイ２中の個々の不揮発性メモリセル単位１（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、アドレス手段３（図１で示すように、Ｘアドレスが入力するＸアドレス手段５とＹアドレスが入力するＹアドレス手段６からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
前記アドレス手段３により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する読み出し手段８、
からなる出力手段４からなる。
なお、不揮発性半導体メモリのセキュリティーは、一般的にはマイクロコンピュータ等によって行われるもので、単体のメモリがセキュリティー手段は有してはいない。マイクロコンピュータによる不揮発性半導体メモリのセキュリティーについては以下の文献がある。
特開２０００−７６１３３号公報
以上述べた不揮発性メモリは、電源を切っても、書き込まれた情報を保持し続けるという特長を有するため、広く電子機器に用いられてきた。近年、大容量化が進み、電子機器の心臓部であるＣＰＵをコントロールするプログラム、貴重なデータを蓄積するための装置として広く用いられるようになっている。
しかしながら、例えば、前記第１の不揮発性メモリ装置では、書き換えられる便利さが災いし、不正にデータを改ざんされたり、第１の不揮発性メモリが搭載されたメモリカードを不正再利用されたりする犯罪行為が増加している。
また、書き換えられない前記第２の不揮発性メモリ装置でも、誰でも簡単に読み出しができるため、不正読み出し、不正コピーされるなど、貴重なデータを盗み取られる事件が頻発するようになってきた。特に、不正コピーに政治的な規制がかけにくいアジア諸国、特に中国では、不正コピーにが頻繁に行われ、知的所有権に関わる犯罪件数が増大している。
上記目的を達成するためこの発明では、不揮発性半導体メモリ装置において、
入出力手段と、
メモリコントロール手段と
一般データ格納領域と
パスワード制御手段と、
暗号化・暗号解読手段と
認証制御手段と
を設けた。
パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり、
認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる。
以下、図面を用いて本発明の第１の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３（A）は、この発明の第１の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）が接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と
から成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明>
図３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明（１）」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介してメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、0．一般データ格納領域に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（１）>
図３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9.メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：0．一般データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 0．一般データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1.暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1.暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（１）>
図３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：0．一般データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
0．一般データ格納領域には認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9.メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−１−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
この実施例の特徴は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
上記Ｃを設けたことで、
個人認証ができる装置を提供することができ、便利で便利で安全性の高い、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４は、この発明の第２の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と
から成る。
第２の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
上記ａ．について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明>
図３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明（１）」を使って詳細動作を説明する。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介してメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、0．一般データ格納領域に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
第２の実施例は、不揮発性メモリに以下のＡ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、便利で性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図５は、この発明の第３の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図５で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と
から成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
以下、詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（１）>
図３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：0．一般データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 0．一般データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第３の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり、便利で便利で性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図６は、この発明の第４の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図６で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）が接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域とから成る。
第４の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｃ．認証制御手段
以下に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（１）>
図３（C）不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：0．一般データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
0．一般データ格納領域には認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第４の実施例では、不揮発性メモリに以下のＣ．を設けた。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
従って、上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、便利で性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第５の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図７は、この発明の第５の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図７で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域とから成る。
第５の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．
の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（１）>
図３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介してメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、0．一般データ格納領域に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
<<以下、読み出し動作を詳細に説明する>>
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（１）>
図３（C)「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：0．一般データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 0．一般データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第５の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり便利で性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第６の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図８は、この発明の第６の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図８で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）が接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域とから成る。
第６の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（１）>
図３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9.メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：0．一般データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16.0．一般データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1.暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（１）>
図３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：0．一般データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
0．一般データ格納領域には認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第６の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、便利で性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第７の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図９は、この発明の第７の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図９で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路
（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）が接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域とから成る。
第７の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．、ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（１）>
図３（B）不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のc．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介してメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、0．一般データ格納領域に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（１）>
図３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：0．一般データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
0．一般データ格納領域には認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、<パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第７の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、便利で性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第８の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１０は、この発明の第８の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１０で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路
（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15.パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）から成る。
第８の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明−２>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。>
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−８−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第８の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第９の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１１は、この発明の第９の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１１で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）
とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）から成る。
第９の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
第９の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１０の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１２は、この発明の第１０の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１２で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と111-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）から成る。
第１０の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
４−１０−２−２ <暗号化・暗号解読動作説明−２>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明（２）」を使って詳細動作を説明する。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第１０の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供できるため、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１１の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１３は、この発明の第１１の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１３で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）から成る。
第１１の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｃ．認証制御手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明−２>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第１１の実施例では、不揮発性メモリに以下のＣ．を設けた。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１２の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１４は、この発明の第１２の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１４で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段
（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）から成る。
第１２の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
<<以下、書き込み動作を詳細に説明する>>
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第１２の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１３の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１５（A）は、この発明の第１３の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１５で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である） 同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）から成る。
第１３の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第１３の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１４の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１６は、この発明の第１４の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１６で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路
（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）から成る。
第１４の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記の、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する．
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する．
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−１４−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第１４の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１５の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１７は、この発明の第１５の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１７で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と
とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第１５の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、18．パスワードデータ格納領域にに記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
<<以下、書き込み動作を詳細に説明する>>
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−１５−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第１５の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる
以下、図面を用いて本発明の第１６の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１８は、この発明の第１６の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１８で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と
とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域とから成る。
第１６の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。

本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、18．パスワードデータ格納領域にに記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
第１６の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１７の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図１９は、この発明の第１７の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図１９で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第１７の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
<<以下、読み出し動作を詳細に説明する>>
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第１７の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１８の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２０は、この発明の第１８の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２０で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第１８の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｃ．認証制御手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明>（２）
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第１８の実施例では、不揮発性メモリに以下のＣ．を設けた。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１９の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２１は、この発明の第１９の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２１で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と
とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第１９の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｃ．認証制御手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第１９の実施例は、不揮発性メモリに以下のＣ．を設けたことである。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第１９の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２１は、この発明の第１９の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２１で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と
とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第１９の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、18．パスワードデータ格納領域にに記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第１９の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２０の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２２は、この発明の第２０の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２２で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と

<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第２０の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。

<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第２０の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２１の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２３は、この発明の第２１の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２３で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と
とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第２１の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のc．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、18．パスワードデータ格納領域にに記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−２１−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第２１の実施例は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２２の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２４は、この発明の第２２の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２４で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域とから成る。
第２２の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５−２．「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
17. 認証データ格納メモリには、認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−２２−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第２２の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２３の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２５は、この発明の第２３の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２５で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第２３の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−２３−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9.メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第２３の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２４の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２６は、この発明の第２４の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２６で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１５−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第２４の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：１０-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−２４−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第２４の実施例は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２５の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２７は、この発明の第２５の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２７で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域とから成る。
第２５の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
第２５の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２６の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２８は、この発明の第２６の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２８で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第２６の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第２６の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２７の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図２９は、この発明の第２７の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図２９で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第２７の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｃ．認証制御手段
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−２７−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第２７の実施例では、不揮発性メモリに以下のＣ．を設けた。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる
以下、図面を用いて本発明の第２８の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３０は、この発明の第２８の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３０で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域とから成る。
第２８の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段とは図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第２８の実施例は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第２９の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３１は、この発明の第２９の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３１で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第２９の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
<<以下、読み出し動作を詳細に説明する>>
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
第２９の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３０の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３２は、この発明の第３０の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３２で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第３０の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第３０の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３１の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３３は、この発明の第３１の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３３で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第３１の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：１０-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第３１の実施例では、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けた。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３２の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３４は、この発明の第３２の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３４で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路
（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段
（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）
とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域とから成る。
第３２の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のc．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
17. 認証データ格納メモリには、認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−３２−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第３２の実施例は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３３の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３５は、この発明の第３３の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３５で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
第３３の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のc．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−３３−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第３３の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３４の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３６は、この発明の第３４の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３６で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
第３４の実施例の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．17. 認証データ格納メモリには、認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−３４−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
第３４の実施例では、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けた。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３５の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３７は、この発明の第３５の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３７で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（ｃ）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−３５−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、をかけるための情報の記憶箇所が、
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３６の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３８は、この発明の第３６の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３８で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（１）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
セス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−３６−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリである事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３７の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図３９は、この発明の第３７の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図３９で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、を設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３８の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４０は、この発明の第３８の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４０で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けたことである。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、
例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第３９の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４１は、この発明の第３９の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４１で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と<12. 認証制御手段>認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のc．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−３９−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ。
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４０の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４２は、この発明の第４０の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４２で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。

（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−４０−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４１の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４３は、この発明の第４１の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４３で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）から成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）が接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−４１−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。このパスワード制御手段の特徴は、
パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４２の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４４は、この発明の第４２の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４４で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷは、２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは、18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、18．パスワードデータ格納領域に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶される。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−４２−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリである事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４３の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４５は、この発明の第４３の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４５で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路
とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは18．パスワードデータ格納領域に記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、18．パスワードデータ格納領域に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 13．暗号化データ格納領域には、暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−４３−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４４の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４６は、この発明の第４４の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４６で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、

本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４５の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４７は、この発明の第４５の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４７で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）
とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４６の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４８は、この発明の第４６の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４８で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けたことである。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４７の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図４９は、この発明の第４７の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図４９で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ｂ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＢ．Ｃ．を設けたことである。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４８の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図５０は、この発明の第４８の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図５０で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のc．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−４８−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第４９の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図５１は、この発明の第４９の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図５１で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、

１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）
とから成る10. パスワード制御手段と
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｃ．認証制御手段
この２手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｃ．の２手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のc．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−４９−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第５０の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図５２は、この発明の第５０の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図５２で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリとから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（２）>
図１５（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域に記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域には、それぞれ認証に必要な、12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−５０−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、
例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第５１の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図５３は、この発明の第５１の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図５３で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）
10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（２）>
図１５（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、18．パスワードデータ格納領域に記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（３）>
図４３（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。
（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−５１−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
B-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするだけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
B-2.を設けたことで、例えば、B-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
以下、図面を用いて本発明の第５２の実施例の各部分の結合関係、配置関係を詳細に示す。
図５４は、この発明の第５２の実施例を示すブロック図であって、
<本発明である不揮発性メモリの基本的な構成>
電源を切っても情報を保持する性質を有する１．不揮発性メモリセル単位が複数集まった１．不揮発性メモリセル単位の群からなる２．メモリアレイアレイと、
アドレスを入力することにより、２．メモリセルアレイ中の個々の１．不揮発性メモリセル単位（以下メモリセルと呼ぶ）の所在位置を指定するための、３．アドレス手段（図５４で示すように、Ｘアドレスが入力する５．Ｘアドレス手段とＹアドレスが入力する６．Ｙアドレス手段からなることが一般的だが、必ずしもこの構成をとる必要は無い）と、
入力端子ＩＮが接続し、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに、入力端子ＩＮから入力した書き込み情報を書き込むための７．書き込み手段と、（必ずしもここで扱っているメモリは不揮発性メモリであるから、７．書き込み手段が無い場合も考えられる。７．書き込み手段がない場合でも本発明は有効である）
同じく、２．メモリアレイに接続し、前記３．アドレス手段により指定した任意のメモリセルに前もって書き込まれていた情報を読み出すための、出力端子ＯＵＴが接続する８．読み出し手段からなる４．入出力手段からなる基本的なメモリと、
<10. パスワード制御手段>
9. メモリコントロール手段に接続し、
１０−２．パスワード入（出）力回路（パスワードは必ずしも出力する必要はないので、パスワード出力端子ＰＯは必ずしも必要はない。また、パスワードの本発明による不揮発性メモリ装置に対する書き込み<この不揮発性メモリ装置に書き込まれる有効なパスワードを以下、メインパスワードＭＰＷと呼ぶ>が工場出荷前に製造者によって行われ、このメモリ装置を使うユーザがパスワードを書き込む、或いは追加する必要がない場合は、パスワード書き込み機能は必要がない。しかし、本発明による不揮発性メモリ装置をアクセスするとき、
パスワード入力端子ＰＩＮは参照用のパスワードＳＰＷ<以下参照用のパスワードをＳＰＷと呼ぶ>を外部から入力するために必要である。また、パスワード出力端子ＰＯが必要ではない場合も考えられ、１０−２．パスワード入（出）力回路は必ずしも必要ではない）と15. パスワード格納手段が接続する10-1 パスワード制御回路を主要構成手段とし、
10-1 パスワード制御回路と１０−２．パスワード入（出）力回路と15. パスワード格納手段（この15. パスワード格納手段は、どのようなメモリであってもよく、書き込みが必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良い。また、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、メインパスワードＭＰＷを電源投入の度に外部から15. パスワード格納手段に再度書き込むような場合、或いは18．パスワードデータ格納領域に記憶してあるメインパスワードＭＰＷを15. パスワード格納手段に再度書き込めばよいような場合には、15. パスワード格納手段は揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る10. パスワード制御手段と
<11. 暗号化・暗号解読手段>
７．書き込み手段と9. メモリコントロール手段に接続し、16. 暗号化データ格納手段が接続する11-1. 暗号化・暗号解読回路を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と12-2. 演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段を主要構成手段とし、
11-1. 暗号化・暗号解読回路と11-2 暗号演算用メモリ（必ずしも11-2 暗号演算用メモリは無くても良い）と16. 暗号化データ格納手段（この16. 暗号化データ格納手段は、どのようなメモリであってもよく、暗号化のためのデータＡＮ<以下ＡＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず、読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、暗号化のためのデータＡＮを電源投入の度に外部から16. 暗号化データ格納手段に再度書き込むような場合、或いは13．暗号化データ格納領域に記憶してある暗号化のためのデータＡＮを16. 暗号化データ格納手段に再度書き込めばよいような場合には、16. 暗号化データ格納手段は、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る11. 暗号化・暗号解読手段と、
<9. メモリコントロール手段>
メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが入力し、７．書き込み手段と８．読み出し手段とに接続する9. メモリコントロール手段と
<12. 認証制御手段>
認証データ入力端子ＲＩＮが接続し、12-2. 演算用メモリ（必ずしも12-2. 演算用メモリは無くても良い）と、17. 認証データ格納メモリが接続し、認証を許可、或いは不許可とするための信号である認証信号ON/OFFを出力し、9. メモリコントロール手段に接続（本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない）する、12-1. 認証制御回路を主要構成手段とする、
12-1. 認証制御回路と12-2. 演算用メモリと17. 認証データ格納メモリ（この17. 認証データ格納メモリは、どのようなメモリであってもよく、認証制御のためのデータＮＮ<以下ＮＮと呼ぶ>を書き込みする必要のない場合は、書き込みができず読み出しのみができるマスクＲＯＭであっても良いし、書き込みが必要な場合は、不揮発性メモリの代表であるフラッシュメモリ等でも良いし、一度だけの書き込みができるフラッシュメモリの一種であるＯＴＰ等でもよい。また、認証制御のためのデータＮＮを電源投入の度に外部から17. 認証データ格納メモリに再度書き込むような場合、或いは14．認証データ格納領域に記憶してある認証制御のためのデータＮＮを17. 認証データ格納メモリに再度書き込めばよいような場合には、17. 認証データ格納メモリは、揮発性メモリであるＳＲＡＭ，ＤＲＡＭであっても良い。）とから成る12. 認証制御手段と
<0．一般データ格納領域>
７．書き込み手段、８．読み出し手段と接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る0．一般データ格納領域と（本実施例では、必ずしも0．一般データ格納領域はなくても良い場合もある）、
<18．パスワードデータ格納領域>
10-1 パスワード制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、パスワード制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である18．パスワードデータ格納領域と
<13．暗号化データ格納領域>
11-1. 暗号化・暗号解読回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る、データの暗号化制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である13．暗号化データ格納領域と
<14．認証データ格納領域>
12-1. 認証制御回路に接続し、１．不揮発性メモリ単位の集合体である２．メモリアレイの内部に存在する１．不揮発性メモリ単位の単位群から成る認証制御動作に関わる情報を記憶するためのメモリ領域である14．認証データ格納領域とから成る。
本発明の主要な特色は、不揮発性メモリ装置に以下の手段が接続する事である。
ａ．パスワード制御手段
ｂ．暗号化・暗号解読手段
ｃ．認証制御手段
この３手段の動作は独立して説明することができるので以下、上記ａ．ｂ．ｃ．の３手段について、個別に詳細な動作を説明をする。
回路動作は、代表的な場合の回路動作の順序を追って、以下（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で説明するが、本発明である不揮発性メモリのおかれた動作環境により、必ずしもここでの説明による（１）（２）（３）（４）（５）......という順番で行われるとは限らない。たとえば、（１）（２）（５）（３）（４）......という場合もあり得る。
以下、動作を説明する。
<パスワード制御動作説明（３）>
図４３（B）「不揮発性メモリのパスワード制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のｂ．暗号化・暗号解読手段と、c．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
注意：（１）’（２）は必要な場合と必要がない場合がある。
（１）'：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対し、アクセス許可（あるいは規制）するための本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれるメインパスワードＭＰＷを入力する。
本発明である不揮発性メモリ装置の生産者が工場出荷時前に、このメモリ装置にこのメインパスワードＭＰＷを書き込み、その後、全く書き換える、或いは、書き加える事が無い場合には、このパスワード入力端子ＰＩＮは必要ない。
このメインパスワードＭＰＷのすべて、或いは、一部が10-1 パスワード制御回路を介して15. パスワード格納手段に記憶される（或いはメインパスワードＭＰＷの全部或いは一部は２．メモリアレイアレイ内の18．パスワードデータ格納領域に記憶される）。
すなわち、メインパスワードＭＰＷは15. パスワード格納手段と18．パスワードデータ格納領域のどちらかに全部、或いは分割されて、それぞれに記憶される（必ずしも排他的に分割される必要はなく、オーバーラップして分割されても良い）。
（１）：パスワード入力端子ＰＩＮから１０−２．パスワード入（出）力回路に、今後、本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザがアクセス許可（あるいは規制）を得るために、本発明の不揮発性メモリ装置に書き込まれていたメインパスワードＭＰＷと同じパスワードである参照用のパスワードＳＰＷを入力する。（ここではメインパスワードＭＰＷと参照用のパスワードＳＰＷが合致して、本発明である不揮発性メモリのアクセスが許可される場合を主に説明することにする）
（２）：（１）’、或いは工場出荷前に本発明である不揮発性メモリに書き込まれていたメインパスワードＭＰＷは、パスワード出力端子ＰＯから読み出せる。
しかし、必ずしもパスワード出力端子ＰＯは必要なく、書き込まれたメインパスワードＭＰＷを読み出して確認する必要がないようなシステムではパスワード出力端子ＰＯは必要がない。
（３）：１０−２．パスワード入（出）力回路に入力したアクセス許可（あるいは規制）を得るために本発明の不揮発性メモリ装置に入力した参照用のパスワードＳＰＷは、10-1 パスワード制御回路に転送される。
（４）（５）（６）：10-1 パスワード制御回路に転送された参照用のパスワードＳＰＷは、前記（１）’で説明したように、15. パスワード格納手段或いは18．パスワードデータ格納領域に全部或いは一部が記憶されていたメインパスワードＭＰＷと参照される。以下、４つのケースの動作をそれぞれ個別に説明する。
<<ケース1>>： 15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、15. パスワード格納手段にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、18．パスワードデータ格納領域には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報の両方を使い、入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮ<以下ＥＮと呼ぶ>を9. メモリコントロール手段に転送する事で、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース２>>： 18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶される場合
例えば、18．パスワードデータ格納領域にすべてのメインパスワードＭＰＷが記憶されており、15. パスワード格納手段には、本発明である不揮発性メモリに固有の情報など（例えば半導体ごとのユニークなチップ番号など。必ずしも固有な情報である必要はなく、使用目的に合致すれば、どのような情報であっても良い）を書き込んでおき、10-1 パスワード制御回路において、
この本発明である不揮発性メモリに固有の情報等ＫＯ<以下ＫＯと呼ぶ>と、メインパスワードＭＰＷの両方の情報を10-1 パスワード制御回路において入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース３>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが分割して記憶される場合（必ずしも排他的に真っ二つに分割される必要はなく、オーバーラップして冗長を持たせた方が安全度が増すこともあるため、オーバーラップして分割されても良い）
10.パスワード制御手段に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡ<以下とＰＡと呼ぶ>と18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢ<以下ＰＢと呼ぶ>（必ずしも10. パスワード制御手段に記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＡと18．パスワードデータ格納領域に分割記憶されているメインパスワードＭＰＷの一部分ＰＢはオーバーラップしていても、オーバーラップしていなくてもよい）と入力される参照用のパスワードＳＰＷとを参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9. メモリコントロール手段に転送し本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
<<ケース４>>： 10. パスワード制御手段と18．パスワードデータ格納領域とにメインパスワードＭＰＷが記憶される場合。
10. パスワード制御手段に記憶されたメインパスワードＭＰＷと18．パスワードデータ格納領域に記憶されたメインパスワードＭＰＷとの両方、或いは、どちらか優先権を前もって決めた方のメインパスワードＭＰＷを入力される参照用のパスワードＳＰＷと参照することで、
本発明である不揮発性メモリ装置を使おうとする、他コントローラ、或いは装置、或いはユーザに対するアクセス許可（あるいは規制）を与える信号、すなわち、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮを9.メモリコントロール手段に転送し、本発明である不揮発性メモリのアクセスをコントロールする。
（７）：メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（８）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により７．書き込み手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥ<以下、ＷＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し７．書き込み手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、７．書き込み手段に入力する書き込み手段活性化信号ＷＥがローレベルとなり、７．書き込み手段を不活性化させる。このときは、（９）（１０）（１１）（１２）の動作は行われないか、又は不完全に終わり書き込み動作は完了しない。
（９）：入力端子ＩＮから本発明である不揮発性メモリに書き込みデータＤＩＮが入力する。
（１０）（１１）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１２）：前記（８）で述べたように、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮが仮にハイレベルの時、9. メモリコントロール手段は７．書き込み手段に対して、ハイレベルの書き込み手段活性化信号ＷＥを出力し、７．書き込み手段は活性化され、書き込みデータＤＩＮは７．書き込み手段を介して２．メモリアレイアレイ内の0．一般データ格納領域に存在する前記（１０）（１１）で指定された不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに書き込みデータＤＩＮが書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１３）：前記（６）でも説明したように、10-1 パスワード制御回路から本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮの状態により８．読み出し手段の動作はコントロールされる。
例えば、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥ<以下、ＲＥと呼ぶ>をハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをローレベルとして出力し８．読み出し手段を不活性化させる。
（１４）：前記（１３）で述べたように、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがハイレベルの時は、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥをハイレベルとして出力し８．読み出し手段を活性化させる。
このとき、（１０）（１１）で説明したのと同様な動作で、
ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定され、
そのＸアドレスＸＡＤとＹアドレスＹＡＤで指定された0．一般データ格納領域に存在する１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡに記憶されている情報、すなわち読み出しデータＤＯＵＴ<以下、ＤＯＵＴと呼ぶ>が８．読み出し手段に転送され、出力端子ＯＵＴから出力される。
一方、仮に本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮがローレベルの時、８．読み出し手段に入力する読み出し手段活性化信号ＲＥはローレベルとして出力され、８．読み出し手段を不活性化させるため、
（１０）（１１）（１４）（１５）の動作は行われないか、又は不完全に終わり読み出し動作は完了しない。
<暗号化・暗号解読動作説明（２）>
図１５（C）「不揮発性メモリの暗号化・暗号解読動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｃ．認証制御手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：暗号コントロール信号群ＥＰが11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（２）：11-1. メモリコントロール入力信号群ＭＥＭが9. メモリコントロール手段に入力し、同時期に、暗号化・暗号解読回路から9. メモリコントロール手段に、本発明である不揮発性メモリに（暗号化されて読み出される、或いは、暗号解読されて書き込まれる）情報が読み出される、或いは、書き込まれるためのコントロールを行うコントロール信号ＡＰ<以下、ＡＰと呼ぶ>を出力する。
以下、書き込み動作を詳細に説明する。
（注意）本発明である不揮発性メモリが書き込みできない、例えば、マスクＲＯＭのようなメモリの時は不可能であるため、書き込み動作は行われない。
（３）：9. メモリコントロール手段から書き込み手段活性化信号ＷＥが出力し、例えば、ＷＥがハイレベルの時、７．書き込み手段に入力し７．書き込み手段が活性化する。
以下、ＷＥのレベルがローレベルの時、本発明である不揮発性メモリに対する書き込みは行われない。従い、以下の説明はＷＥレベルがハイレベルとなり、７．書き込み手段から書き込み動作が行われる時の動作説明だけを行う。
（４）：入力端子ＩＮから、既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣ<以下、ＥＣと呼ぶ>が７．書き込み手段に入力する。
（５）：７．書き込み手段に入力した既に暗号化されている外部から入力する情報ＥＣが、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力する。
（６）（７）（８）：16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化或いは暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されており、11-2 暗号演算用メモリを使って、（ここでは、本発明である不揮発性メモリに対する書き込み動作を説明しているので）暗号解読を行う。
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域には、それぞれ暗号化・暗号解読のために必要な、11-1. 暗号化・暗号解読回路で使用する暗号化、或い、は暗号解読データ（暗号化、或いは暗号解読化に必要な数値テーブルなど）、暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
16. 暗号化データ格納手段と13．暗号化データ格納領域の使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない16. 暗号化データ格納手段には、11-1. 暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される13．暗号化データ格納領域には、データ量が大きい暗号化・暗号解読のためのの数値テーブルを記憶する。
（９）（１０）：ＸアドレスＸＡＤが５．Ｘアドレス手段に入力し、ＹアドレスＹＡＤが６．Ｙアドレス手段に入力することで２．メモリアレイアレイ内の１．不揮発性メモリ単位からなる任意アドレスのメモリ単位、或いは任意のアドレスの１．不揮発性メモリ単位の集合からなるメモリ領域ＭＡ<以下、ＭＡと呼ぶ>が指定される。
（１１）：前記（６）（７）（８）で説明したように、11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号解読された情報が、（９）（１０）で指定されたメモリ領域ＭＡに書き込まれる。
以下、読み出し動作を詳細に説明する。
（１１）：前記（９）（１０）で説明したのと同じ動作で、指定されたメモリ領域ＭＡに記憶されていた情報は、11-1. 暗号化・暗号解読回路に入力した後、前記、（６）（７）（８）で説明したのと同じ動作で今度は、暗号化される。
（１２）：11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は、８．読み出し手段に転送される。（１３）：出力端子ＯＵＴより11-1. 暗号化・暗号解読回路で暗号化された情報は出力される。
<不揮発性メモリの認証制御動作説明（３）>
図４３（D）「不揮発性メモリの認証制御動作説明」を使って詳細動作を説明する。この図では、上記のａ．パスワード制御手段と、ｂ．暗号化・暗号解読手段は図を簡単にするため省略している。
（１）：認証データ入力端子ＲＩＮがより参照認証データＮ<以下、Ｎと呼ぶ>が12-1.認証制御回路に入力する。
（２）（３）：14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリに記憶されている12-1.認証制御回路で使用する、認証元データＭ<以下、Ｍと呼ぶ>や、例えば、指紋認証などで、後で個人認証に使うための個人の指紋情報などのあらかじめ記憶してあった情報、認証作業に必要なアルゴリズム、ファームウェア等を12-1. 認証制御回路に取り込み、
12-1. 認証制御回路と12-2. ワークメモリである演算用メモリを用いて認証のための演算を行い、
（１）で入力した参照認証データＮを用い、認証元データＭを比較することにより認証作業を行う。
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリには、それぞれ認証に必要な、
12-1. 認証制御回路で使用する認証元データＭや認証に必要なアルゴリズム、ファームウェアが記憶されるが、
14．認証データ格納領域と17. 認証データ格納メモリの使い分けとしては、
ＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成することができ、アクセスが早くて使いやすいが比較的小容量のデータしか記憶できない17. 認証データ格納メモリには、12-1. 認証制御回路を動かすための認証に必要なファームウェアやアルゴリズムを記憶し、
アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成される14．認証データ格納領域には、データ量が大きい認証元データＭを記憶する。
（４）：認証の結果、外部に対し認可を与えるための認証信号ＯＮ／ＯＦＦを出力する。
（５）：9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭを出力する。この9. メモリコントロール手段をコントロールするためのコントロール信号ＥＭは、４−５２−２−１ <パスワード制御動作説明>で説明した、本発明である不揮発性メモリの読み書きのアクセスをコントロールするための信号ＥＮと同様の働きで9. メモリコントロール手段をコントロールする。
本発明である不揮発性メモリにおいて、認証結果により、9. メモリコントロール手段をコントロールする必要のない場合は、12-1. 認証制御回路は9. メモリコントロール手段と接続している必要はない。
本発明は、不揮発性メモリに以下のＡ．Ｂ．Ｃ．を設けたことである。
Ａ．不揮発メモリ内に記憶されたデータを不正に読み出しされないようにアクセスのためのパスワード機能を付けるための10.パスワード制御手段。
このパスワード制御手段の特徴は、パスワードをかけるための情報の記憶箇所が、
A-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ領域
A-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ領域
の２種類である事である。
Ｂ．メモリ内容を外部に取り出したとき、その内容を不正利用されないように暗号化する（或いはメモリに書き込むとき暗号化し情報を解読してメモリ内に記憶する）ための暗号化・暗号解読手段。
この暗号化・暗号解読手段の特徴は、暗号化（或いは暗号解読）のために使う情報の記憶箇所が、
B-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
である事である。
Ｃ．不揮発性メモリの内容を不正読み出しされないように、読み出しを許可されたユーザに認証（たとえば、指紋や手のひらの静脈、アイリス認証などのバイオメトリクス認証などを使い）するための認証制御手段。（また、不揮発性メモリに記憶された内容を許可されていない者に不正に読み出されないようにするけではなく、認証により本発明のメモリ以外の素子の動作制御を行うような場合も考えられる）
この認証制御手段の特徴は、認証のために使う情報の記憶箇所が、
C-1. 不揮発メモリアレイ内のメモリ
C-2. 不揮発メモリアレイ外にあるメモリ
の２種類である事である。
従って、上記Ａを設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
A-1.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
A-2.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
上記Ｂを設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
B-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
上記Ｃを設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
C-1.を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
C-2.を設けたことで、例えば、C-2を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、性能の良い装置を提供できる。
この発明の第1の不揮発性半導体メモリ装置の回路図である。 この発明の第２の不揮発性半導体メモリ装置の回路図である この発明の第１の実施例を示すブロック図である。 不揮発性メモリのパスワード制御の動作説明図である。 不揮発性メモリの暗号化・暗号解読の動作説明図である。 不揮発性メモリの認証制御の動作説明図である。 この発明の第２の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４の実施例を示すブロック図である。 この発明の第５の実施例を示すブロック図である。 この発明の第６の実施例を示すブロック図である。 この発明の第７の実施例を示すブロック図である。 この発明の第８の実施例を示すブロック図である。 この発明の第９の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１０の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１１の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１２の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１３の実施例を示すブロック図である。 不揮発性メモリのパスワード制御（２）の動作説明図である。 不揮発性メモリの暗号化・暗号解読（２）の動作説明図である。 不揮発性メモリの認証制御（２）の動作説明図である。 この発明の第１４の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１５の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１６の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１７の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１８の実施例を示すブロック図である。 この発明の第１９の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２０の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２１の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２２の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２３の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２４の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２５の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２６の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２７の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２８の実施例を示すブロック図である。 この発明の第２９の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３０の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３１の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３２の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３３の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３４の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３５の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３６の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３７の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３８の実施例を示すブロック図である。 この発明の第３９の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４０の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４１の実施例を示すブロック図である。 不揮発性メモリのパスワード制御（３）の動作説明図である。 不揮発性メモリの暗号化・暗号解読（３）の動作説明図である。 不揮発性メモリの認証制御（３）の動作説明図である。 この発明の第４２の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４３の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４４の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４５の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４６の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４７の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４８の実施例を示すブロック図である。 この発明の第４９の実施例を示すブロック図である。 この発明の第５０の実施例を示すブロック図である。 この発明の第５１の実施例を示すブロック図である。 この発明の第５２の実施例を示すブロック図である。
符号の説明
１．不揮発性メモリ単位
２．メモリアレイ
３．アドレス手段
４．入出力手段
５．Ｙアドレス手段
６．Ｘアドレス手段
７．書き込み手段
８．読み出し手段
IN：入力端子
OUT：出力端子

Claims (52)

  1. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と
    一般データ格納領域と
    パスワード制御手段と、
    暗号化・暗号解読手段と
    認証制御手段と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる半導体メモリ装置。
  2. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と
    を設け、
    前記パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができる半導体メモリ装置。
  3. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなる半導体メモリ装置。
  4. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    認証制御手段と
    を設け、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる半導体メモリ装置。
  5. 半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    暗号化・暗号解読手段と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなる半導体メモリ装置。
  6. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    認証制御手段と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができる半導体メモリ装置。
  7. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    認証制御手段と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができる半導体メモリ装置。
  8. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能となり、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段を設けたことで、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができ、
    認証データ格納メモリを設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  9. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能とる半導体メモリ装置。
  10. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段を設けたことで、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供できる半導体メモリ装置。
  11. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  12. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能となり、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段を設けたことで、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供できる半導体メモリ装置。
  13. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段を設けたことで、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリを設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  14. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能となり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  15. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
    暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置
  16. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができる半導体メモリ装置。
  17. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置。
  18. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
    暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くる半導体メモリ装置。
  19. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
    暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くる半導体メモリ装置。
  20. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と、
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
    暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くる半導体メモリ装置。
  21. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができ、
    暗号化に必要な認証データを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置。
  22. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  23. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリを設けたことで、例えば、認証データ格納メモリ.を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  24. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり、
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  25. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができる半導体メモリ装置。
  26. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置。
  27. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  28. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供できる半導体メモリ装置。
  29. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能となり、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置。
  30. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  31. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリ.を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  32. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモ.を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  33. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と、
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって簡便に書き換え動作が可能となり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリ.を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  34. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリ.を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる半導体メモリ装置。
  35. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリ.を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  36. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリ.を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  37. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置。
  38. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  39. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  40. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  41. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  42. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    .パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  43. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  44. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段入と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置。
  45. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなる半導体メモリ装置。
  46. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  47. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  48. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  49. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができる
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  50. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり、
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  51. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納手段.を設けたことで、例えば、暗号化データ格納手段を比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリであるＮＯＲフラッシュやＳＲＡＭで構成すれば、暗号化・暗号解読回路を動かすためのファームウェアや暗号化、或いは、暗号解読化に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、性能の良い装置を提供でき、
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
  52. 不揮発性半導体メモリ装置において、
    入出力手段と、
    メモリコントロール手段と、
    一般データ格納領域と、
    パスワード制御手段と、
    パスワード格納手段と、
    パスワードデータ格納領域と、
    暗号化・暗号解読手段と、
    暗号化データ格納領域と、
    認証制御手段と、
    認証データ格納メモリと、
    認証データ格納領域と
    を設け、
    パスワード制御手段設けたことで、大容量不揮発性メモリにパスワードを設定することができ、不揮発性メモリに記憶された情報を不正に読み出されることを容易に防ぐことができ、
    パスワード格納手段.を設けたことで、パスワードの書き換えなどや、高速アクセスが必要のような場合、（書き換えのできる高速アクセスメモリを使うことによって）簡便に書き換え動作が可能となり、
    パスワードデータ格納領域.を設けたことで、電源を切ったときにも電力を消費せず、特に、パスワードを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、パスワードを故意に書き換えられる心配が無くなり、
    同時にパスワード認定動作を制御するパスワード制御回路を動作させるための書き換えられると心配なプログラムやデータ量が大きい数値テーブルなどがある場合は、大容量不揮発性メモリに容易にそれらのデータを記憶することができ、
    暗号化・暗号解読手段を設けたことで、不正に大事な情報を不正利用される心配が無くなり
    暗号化データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい暗号化・暗号解読のための数値テーブルなどを記憶することができ、
    暗号化に必要なデータを一度書き込んだ後、不正に書き換える心配のない不揮発性メモリを使用した場合、故意に書き換えられる心配が無くなり、
    認証制御手段を設けたことで、個人認証ができる装置を提供することができ、
    認証データ格納メモリ.を設けたことで、例えば、認証データ格納メモリを比較的小容量のデータしか記憶できないが、アクセスが早く、簡便に書き換えが可能で、使いやすいメモリで構成すれば、認証制御回路を動かすためのファームウェアや認証に必要なアルゴリズムの記憶に使うことで、高速に認証ができ、
    認証データ格納領域を設けたことで、アクセス速度が比較的遅いが、大容量データが格納できる不揮発性メモリで構成できるため、データ量が大きい認証のためのデータなどを記憶することができる半導体メモリ装置。
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