JP2007047574A - 半導体レーザ光源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
温度変化に対する適応性に優れ、安定したレーザ出力を供給できるとともに歩留まりの向上を図ることができる半導体レーザ光源装置を提供する。
【解決手段】
半導体レーザ素子から得られるレーザ光を所定の波長に変換して出力する光導波路型の波長変換素子41と、この波長変換素子41を保持する保持部材33とを有する波長変換部4を備え、入射レーザ光の強度を調節するとともに入射角度の誤差が±0.5°以内である音響光学式変調器に波長変換部4において変換されたレーザ光を入射させる半導体レーザ光源装置において、波長変換素子41と保持部材33との線膨張係数の差の絶対値を0.08×10−5/K以下とした。
【選択図】 図7
温度変化に対する適応性に優れ、安定したレーザ出力を供給できるとともに歩留まりの向上を図ることができる半導体レーザ光源装置を提供する。
【解決手段】
半導体レーザ素子から得られるレーザ光を所定の波長に変換して出力する光導波路型の波長変換素子41と、この波長変換素子41を保持する保持部材33とを有する波長変換部4を備え、入射レーザ光の強度を調節するとともに入射角度の誤差が±0.5°以内である音響光学式変調器に波長変換部4において変換されたレーザ光を入射させる半導体レーザ光源装置において、波長変換素子41と保持部材33との線膨張係数の差の絶対値を0.08×10−5/K以下とした。
【選択図】 図7
Description
本発明は、半導体レーザ素子から得られるレーザ光を所定の波長に変換して出力する光導波路型の波長変換素子と、前記波長変換素子を保持する保持部材とを有する波長変換部を備え、入射レーザ光の強度を調節するとともに入射角度の誤差が±0.5°以内である音響光学式変調器に前記波長変換部において変換されたレーザ光を入射させる半導体レーザ光源装置に関する。
従来、半導体レーザ光源装置として、近赤外線からなるレーザ光を基本波として発振する半導体レーザ素子と、この基本波の第2高調波としてG(緑色)光或いはB(青色)光の可視光を出力する波長変換素子とを備えることで、印画紙などにR(赤)、G(緑)、B(青)の3色からなるカラー画像を露光する写真処理装置における露光ユニット用に使用されているものがある。このような半導体レーザ光源装置においては、写真処理装置で得られるレーザ光の出力を高めるために、特定波長の光を反射するファイバ・ブラッグ・グレーティングを半導体レーザ素子と波長変換素子との間に設けている。
半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティング、波長変換素子は温度変化に対して基本波長が変化し易く、製造時の個体差に基づく波長のばらつきもあるので、出射レーザ光の波長を一定にするために、この種の半導体レーザ光源装置においては、これらの素子を厳密に温度制御する必要がある(例えば、特許文献1)。特に、波長のばらつきが大きいほど、この制御すべき温度範囲は広くなる。例えば、温度による波長変動が0.073nm/℃である波長変換素子において、その基本波長がファイバ・ブラッグ・グレーティングの基本波長より1.5nm短い場合、両方の基本波長を合わせるため、この波長変換素子を約20℃加熱しなければならない。特に、光導波路型波長変換素子の場合は保持部材である筐体の上部に保持されており、波長変換素子の温度制御はこの筐体を温度制御することにより行われる。
また、半導体レーザ光源装置から出射されたレーザ光は、露光ユニットにおいて、レーザ光の強度(光量)を調節する音響光学式変調器に、一定の入射誤差の範囲内例えば±0.5°以内で入射している。
しかしながら、上述のように筐体を通じて波長変換素子の温度制御を行う場合、筐体と波長変換素子の温度変化による変形量が異なると、波長変換素子に歪みが生じたり、また、接着が外れることにより波長変換素子が筐体から剥離してしまうなどの問題がある。その結果、音響光学式変調器に対する出射レーザ光の光軸ずれの発生や、筐体と波長変換素子との間に隙間が生じて正確な温度制御が出来ないことなどの問題が生じていた。特に、このような光軸ずれは、露光面におけるレーザ出力を本来のレーザ出力に比べて低下させ、プリント色の異常を引き起こす。
一方、このような問題を回避するため温度制御範囲を狭くすると、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間の波長差も狭くしなければならない。その結果、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間で製造時の波長のばらつきが大きい場合、製造歩留まりの低下につながり、コストアップとなるという問題が生じる。
一方、このような問題を回避するため温度制御範囲を狭くすると、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間の波長差も狭くしなければならない。その結果、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間で製造時の波長のばらつきが大きい場合、製造歩留まりの低下につながり、コストアップとなるという問題が生じる。
本発明は、かかる問題点に着目してなされたものであり、その目的は、温度変化に対する適応性に優れ、安定したレーザ出力を供給できるとともに歩留まりの向上を図ることができる半導体レーザ光源装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明に係る半導体レーザ光源装置の特徴構成は、半導体レーザ素子から得られるレーザ光を所定の波長に変換して出力する光導波路型の波長変換素子と、前記波長変換素子を保持する保持部材とを有する波長変換部を備え、入射レーザ光の強度を調節するとともに入射角度の誤差が±0.5°以内である音響光学式変調器に前記波長変換部において変換されたレーザ光を入射させる半導体レーザ光源装置において、
前記波長変換素子と前記保持部材との線膨張係数の差の絶対値を0.08×10−5/K以下とした点にある。
前記波長変換素子と前記保持部材との線膨張係数の差の絶対値を0.08×10−5/K以下とした点にある。
本構成のごとく、光導波路型の波長変換素子とその保持部材との線膨張係数の差の絶対値を一定の値、0.08×10−5/K以下とすることにより、保持部材に対する波長変換素子の剥離や位置ずれによる歪みなどが抑制され、入射角度の誤差が±0.5°以内である音響光学式変調器に対する出射レーザ光の光軸ずれを回避することができ、所定の温度変化量に対して安定したレーザ出力を供給することができる。
また、線膨張係数の差が小さければ、温度制御範囲が広くても、すなわち温度変化量が大きくても、波長変換素子と筐体との変化量のずれは小さくて済むので位置ずれは抑制される。したがって、線膨張係数の差を小さくすることにより、温度制御範囲を広くとることができ、その結果、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間の波長差を広くとることができる。これにより、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間で製造時に波長のばらつきがあっても、これらの間でより広い波長差のものについても使用することができるので、許容範囲が従来に比べて広くなり、製造歩留まりの向上によりコストダウンにつながる。さらに、上述したように波長差を広くとることができるので、これらの素子夫々の波長の選別が容易になり、組立効率もアップする。
本発明によるその他の特徴及び利点は、以下図面を用いた実施形態の説明により明らかになるだろう。
また、線膨張係数の差が小さければ、温度制御範囲が広くても、すなわち温度変化量が大きくても、波長変換素子と筐体との変化量のずれは小さくて済むので位置ずれは抑制される。したがって、線膨張係数の差を小さくすることにより、温度制御範囲を広くとることができ、その結果、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間の波長差を広くとることができる。これにより、波長変換素子と、半導体レーザ素子、ファイバ・ブラッグ・グレーティングの間で製造時に波長のばらつきがあっても、これらの間でより広い波長差のものについても使用することができるので、許容範囲が従来に比べて広くなり、製造歩留まりの向上によりコストダウンにつながる。さらに、上述したように波長差を広くとることができるので、これらの素子夫々の波長の選別が容易になり、組立効率もアップする。
本発明によるその他の特徴及び利点は、以下図面を用いた実施形態の説明により明らかになるだろう。
以下に本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。
〔露光ユニット〕
図1に示す露光ユニット1は、デジタルミニラボ等と称される写真プリント装置に備えられているものである。このような写真プリント装置では、印画紙を搬送機構によって副走査方向に搬送しながら、搬送速度と同期したタイミングで、印画紙に対して露光ユニットから前記副走査方向と直交する主走査方向にライン状にレーザビームによって走査露光が行われる。より詳しくは、露光ユニット内において、半導体レーザ光源装置から出射された所望の波長を持つ可視光は、レーザビームの強度(光量)を調節する音響光学式変調器(Acousto Optic Modulator;以下、AOMと称する)、レーザビームを反射するビームミラー、ビームミラーからのレーザビームを前記主走査方向に走査するためのポリゴンミラー、及び、ポリゴンミラーで反射されたレーザビームを露光位置の印画紙に導くfθレンズなどを経て、印画紙の乳剤面に到達することになる。
〔露光ユニット〕
図1に示す露光ユニット1は、デジタルミニラボ等と称される写真プリント装置に備えられているものである。このような写真プリント装置では、印画紙を搬送機構によって副走査方向に搬送しながら、搬送速度と同期したタイミングで、印画紙に対して露光ユニットから前記副走査方向と直交する主走査方向にライン状にレーザビームによって走査露光が行われる。より詳しくは、露光ユニット内において、半導体レーザ光源装置から出射された所望の波長を持つ可視光は、レーザビームの強度(光量)を調節する音響光学式変調器(Acousto Optic Modulator;以下、AOMと称する)、レーザビームを反射するビームミラー、ビームミラーからのレーザビームを前記主走査方向に走査するためのポリゴンミラー、及び、ポリゴンミラーで反射されたレーザビームを露光位置の印画紙に導くfθレンズなどを経て、印画紙の乳剤面に到達することになる。
具体的には図1に示すように、露光ユニット1は、レーザビームを送り出す開口部に防塵ガラス17をはめ込むことで密封構造維持しているアルミニウム合金等の軽金属合金からなる扁平な直方体形状(高さが横や縦に比べて短い)であるハウジング16と、このハウジング16の内部に収容したレーザユニットとで構成されている。このレーザユニットは、R、(赤)、G(緑)、B(青)の3色の半導体レーザ光源装置10r、10g、10bと、この半導体レーザ光源装置10r、10g、10bからの各レーザビームの強度(光量)を調節するAOM11r、11g、11bと、各レーザビームを反射するビームミラー12r、12g、12bと、Y軸周りで回転し、このビームミラー12r、12g、12bからのレーザビームが導かれるアルミニウム等の軽合金製のポリゴンミラー13と、このポリゴンミラー13で反射されたレーザビームを露光位置の印画紙Pに導くfθレンズ群14と、ポリゴンミラー13からのレーザビームが走査端に達したタイミングをタイミングミラー15aで反射されたレーザビームから取得する同期センサ15bとを備えている。ここで、AOMには、レーザビームの入射角度の誤差が±0.5°以内であるものが使用されている。
〔半導体レーザ光源装置〕
カラー用印画紙に画像を形成するためには、R(赤)、G(緑)、B(青)の各波長の可視光を走査する必要がある。そして、R(赤)用の光源装置には、半導体レーザ素子(Semiconductor Laser Diode)からのレーザビームを直接的に送り出す半導体レーザ型を用い、G(緑)用とB(青)用の光源装置には、半導体レーザ素子から出射される近赤外線を、波長変換素子で波長変換して可視光線を得る形態が知られている。本発明による半導体レーザ光源装置は、後者のG(緑)用及びB(青)用の光源装置に該当する。
なお、G(緑)用の半導体レーザ光源装置とB(青)用の半導体レーザ光源装置のレーザ光源装置とは基本的に同じ構成を有するので、以下の説明では、基本的に専らG(緑)用の半導体レーザ光源装置10gについて解説する。
カラー用印画紙に画像を形成するためには、R(赤)、G(緑)、B(青)の各波長の可視光を走査する必要がある。そして、R(赤)用の光源装置には、半導体レーザ素子(Semiconductor Laser Diode)からのレーザビームを直接的に送り出す半導体レーザ型を用い、G(緑)用とB(青)用の光源装置には、半導体レーザ素子から出射される近赤外線を、波長変換素子で波長変換して可視光線を得る形態が知られている。本発明による半導体レーザ光源装置は、後者のG(緑)用及びB(青)用の光源装置に該当する。
なお、G(緑)用の半導体レーザ光源装置とB(青)用の半導体レーザ光源装置のレーザ光源装置とは基本的に同じ構成を有するので、以下の説明では、基本的に専らG(緑)用の半導体レーザ光源装置10gについて解説する。
半導体レーザ光源装置10gは、図2〜図5に示すように、ベース部材21の上面に、近赤外線を発振する半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2から得られる近赤外線を第2高調波によって約532nmの可視光のレーザビームLBgに変換する波長変換部4とが配置され、半導体レーザ素子2と波長変換部4とは、近赤外線を導く長尺の光ファイバFによって光学的に接続されている。そして、光ファイバFの一部には、特定波長の光を反射することによって、主縦モードのレーザ光を増幅する回折格子としてのファイバ・ブラッグ・グレーティング(Fiber Bragg Grating;以下、FBGと称する)3が介装されている。なお、ベース部材21の上部には、カバー部材22がシール用のOリング(不図示)を介して被せられ、半導体レーザ素子2、波長変換部4、FBG3を含む光ファイバFなどの各構成部材は、カバー部材22内に形成された空間内に密閉されて、基本的に外気から遮断される。
図6は、半導体レーザ素子2、第1光ファイバF1、FBG3、第2光ファイバF2、及び、第2光ファイバF2の後端に取り付けられたフェルール5からなる導波系モジュールMの概要を示している。フェルール5は、第2光ファイバF2の後端と一体形成されたステンレス鋼製の円筒状部材であり、波長変換部4を構成する素子ホルダ33の貫通孔内に挿通されて溶接で固定される。図6に示すように、半導体レーザ素子2には光反射面35と光出射面36とが形成されており、高出力の主縦モードのレーザ光を光出射面36から出射させるために、光反射面35は反射被膜を形成することにより90%を超える高い反射率を持たせ、他方、光出射面36は反射防止コーティング(ARコーティング)を施すことなどにより、約0.1%の非常に低い反射率を持たせている。
図2〜図5、図7に示すように、波長変換部4は、波長変換素子を保持する保持部材としてステンレス(SUS303等)製の素子ホルダ33を有し、この素子ホルダ33の上面には、光導波路型の波長変換素子として、半導体レーザ素子の出射レーザ光の波長変換行い、第2高調波として可視光を出力する非線形光学結晶からなるPPLN(周期分極ニオブ酸リチウム:Periodically Poled Lithium Niobate)41が接着剤42を介して2点でスポット接着されている。この素子ホルダ33の上面及びPPLN41の長さLは、ともに14mmである。また、前記ステンレス製の素子ホルダ33の線膨張係数は1.46×10−5/K、PPLN41の線膨張係数は1.54×10−5/Kであり、その差は0.08×10−5/Kである。
ベース部材21の上面の一部からは、平板状の第1ペルチエ素子(温調素子の一例)をほぼ垂直な姿勢で収納した温調プレート31が立設されており、半導体レーザ素子2がこの温調プレート31の前面に密着固定され、FBG3を含む光ファイバFの部位が温調プレート31の一部に形成された水平な貫通孔31a内に密着固定されることで、半導体レーザ素子2とFBG3とが共通の第1ペルチエ素子によって目標温度に維持される構成となっている。
また、波長変換部4を構成する素子ホルダ33の底面とベース部材21との間には、光導波路を構成するPPLN41を目標温度に維持するための、平板状の第2ペルチエ素子(温調素子の一例)をほぼ水平に収納した温調プレート32が配置されている。これにより、PPLNは10℃〜47.5℃の間で温度制御される。
また、波長変換部4を構成する素子ホルダ33の底面とベース部材21との間には、光導波路を構成するPPLN41を目標温度に維持するための、平板状の第2ペルチエ素子(温調素子の一例)をほぼ水平に収納した温調プレート32が配置されている。これにより、PPLNは10℃〜47.5℃の間で温度制御される。
なお、G(緑)用の半導体レーザ光源装置10gの場合、安定した高い出力を得るためには、光ファイバFの長さは、半導体レーザ素子2からFBG3までの第1光ファイバF1の長さL1を1060mm、FBG3から波長変換部4までの第2光ファイバF2の長さL2を538mmに設定するのが適切であり、これらの値が基準とされている。光ファイバFはこのように長尺であるため、半導体レーザ光源装置10gを小型化するために、光ファイバFを何重かの束になったループ状にして、ベース部材21に形成された環状の収納溝37の中に収納する構成となっている。また、ループの周方向における所定の数箇所にて接着剤38によりベース部材21に固定されている。
波長変換部4でG(緑)色の可視光に変換されたレーザビームLBgは、コリメートレンズ23、赤外光除去フィルタ24、ビームスプリッタ25、集光レンズ26を介して、カバー部材22に形成された開口部(不図示)から外部に送り出される。そして、このレーザビームLBgは、図1に示すように、入射誤差が±0.5°以内であるAOM11gに入射する。なお、コリメートレンズ23は波長変換部4から出射されたレーザビームを平行化し、集光レンズ26は平行化されたレーザビームを集光する。ビームスプリッタ25は、レーザビームの一部の光線を分岐する機能を有し、このビームスプリッタ25で分岐されたたレーザビームは光量センサSで光量が計測され、出力される光量を目標値に維持するためのフィードバック制御に用いられる。
〔素子ホルダ及びPPLNの変化量〕
次に、素子ホルダ及びPPLNの温度変化による変化量、特に位置ずれにより出射レーザLBgに影響を与え易い、レーザ出射方向に細長い長さL方向の変化量について説明する。温度変化による変化量は、線膨張係数×長さ×温度変化量で与えられる。上述したように、素子ホルダ33の上面及びPPLN41の長さは14mmであり、温度変化量は最大で47.5℃−10℃=37.5Kである。素子ホルダ33とPPLNの線膨張係数は、夫々1.46×10−5/K、1.54×10−5/Kであるので、その変化量の最大値は、夫々7.665μm、8.085μmとなる。したがって、本実施形態における波長変換部における位置ずれの最大値は、0.42μmとなる。本願発明者の実験によれば、この位置ずれの値0.42μmは、入射誤差±0.5°以内のAOMの仕様値の範囲内であることが確認された。したがって、AOMに対する出射レーザ光の光軸ずれを回避することができ、所定の温度変化量に対して安定したレーザ出力を供給することができる。
次に、素子ホルダ及びPPLNの温度変化による変化量、特に位置ずれにより出射レーザLBgに影響を与え易い、レーザ出射方向に細長い長さL方向の変化量について説明する。温度変化による変化量は、線膨張係数×長さ×温度変化量で与えられる。上述したように、素子ホルダ33の上面及びPPLN41の長さは14mmであり、温度変化量は最大で47.5℃−10℃=37.5Kである。素子ホルダ33とPPLNの線膨張係数は、夫々1.46×10−5/K、1.54×10−5/Kであるので、その変化量の最大値は、夫々7.665μm、8.085μmとなる。したがって、本実施形態における波長変換部における位置ずれの最大値は、0.42μmとなる。本願発明者の実験によれば、この位置ずれの値0.42μmは、入射誤差±0.5°以内のAOMの仕様値の範囲内であることが確認された。したがって、AOMに対する出射レーザ光の光軸ずれを回避することができ、所定の温度変化量に対して安定したレーザ出力を供給することができる。
上述した実施の形態においては、素子ホルダ33をステンレス製としたが、勿論、波長変換素子との線膨張係数の差の絶対値が0.08×10−5/K以下であれば、その他の材料を用いて素子ホルダを形成しても良い。
上述した実施の形態においては、素子ホルダ33及びPPLN41の長さLを14mm、温度制御範囲を10℃〜47.5℃(最大温度変化量37.5℃)としたが、これが好適な値である。しかしながら、この値に限定されるものではなく、前記長さ×前記最大温度変化量の値が0.525K・m以下であれば、本発明を適用することができる。
2:半導体レーザ素子
4:波長変換部
11:音響光学式変調器
33:素子ホルダ(保持部材)
41:PPLN(波長変換素子)
4:波長変換部
11:音響光学式変調器
33:素子ホルダ(保持部材)
41:PPLN(波長変換素子)
Claims (1)
- 半導体レーザ素子から得られるレーザ光を所定の波長に変換して出力する光導波路型の波長変換素子と、前記波長変換素子を保持する保持部材とを有する波長変換部を備え、
入射レーザ光の強度を調節するとともに入射角度の誤差が±0.5°以内である音響光学式変調器に前記波長変換部において変換されたレーザ光を入射させる半導体レーザ光源装置において、
前記波長変換素子と前記保持部材との線膨張係数の差の絶対値を0.08×10−5/K以下とした半導体レーザ光源装置。
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Cited By (1)
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JP2015161674A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 富士重工業株式会社 | 振動検出装置及び振動検出方法 |
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2005
- 2005-08-11 JP JP2005233305A patent/JP2007047574A/ja not_active Withdrawn
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