JP2007036138A - バイポーラトランジスタ及び電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ベースメサフィンガー(エミッタレッジ層15、ベース層16及びコレクタ層17)を2本のコレクタフィンガー(コレクタ電極13)で挟み、ベースメサフィンガー上に1本のベースフィンガー(ベース電極12)及びその両側の2本のエミッタフィンガー(エミッタ層14及びエミッタ電極11)を形成した構造である。2本のエミッタフィンガーは、ベースフィンガーを基準に対称の位置に形成される。
【選択図】 図1B
Description
まず、本発明の一実施形態に係るバイポーラトランジスタの構造を説明する。
図1Aは、本発明の一実施形態に係るバイポーラトランジスタの構造を示す平面図である。図1Bは、図1Aに示すバイポーラトランジスタのa−a断面図である。この実施形態に係るバイポーラトランジスタは、ベースメサフィンガー(エミッタレッジ層15、ベース層16及びコレクタ層17)を2本のコレクタフィンガー(コレクタ電極13)で挟み、ベースメサフィンガー上に1本のベースフィンガー(ベース電極12)及びその両側の2本のエミッタフィンガー(エミッタ層14及びエミッタ電極11)を形成した構造である。2本のエミッタフィンガーは、ベースフィンガーを基準に対称の位置に形成される。また、このバイポーラトランジスタは、典型的にはヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)である。
次に、本発明の一実施形態に係るバイポーラトランジスタの製造方法を説明する。
図7は、図1Bに示した本発明の一実施形態に係るバイポーラトランジスタを製造する各工程A〜Eを説明する図である。
HBTでは、エッチング工程においてGaAsとInGaPの選択エッチングを利用することができる。コレクタ電極13は、Ni/AuGe/Auの合金を用い、ベース電極12はTi/Pt/Auである。
なお、コレクタ電極13は、Ni/AuGe/Auの合金を用い、ベース電極82はPtを最下層に入れたPt/Ti/Pt/Auである。
次に、本発明の一実施形態に係るバイポーラトランジスタを用いた電力増幅器について説明する。
図9Aは、図1Bに示した本発明の一実施形態に係るバイポーラトランジスタを複数並列接続した電力増幅器の構成例を示す図である。図9Bは、図9Aに示した電力増幅器の等価回路図である。この図9A及び図9Bは、バイポーラトランジスタを4つ並列接続した電力増幅器の構成例である。
12、82、102 ベース電極
13、103 コレクタ電極
14、104 エミッタ層
15、105 エミッタレッジ層
16、106 ベース層
17、107 コレクタ層
18、108 サブコレクタ層
40、100 コレクタ配線
41、110 エミッタ配線
42、120 ビアホール(接地)
45、150 DCバイアス供給線
130 外部ベース抵抗
140 ベース配線
W1 ベースメサ幅
W2 レッジ開口幅
W3 ベース電極幅
W4 エミッタメサ幅
L エミッタフィンガー長
Claims (6)
- 半導体基板上に形成されたバイポーラトランジスタであって、
1本のベースフィンガー、
前記1本のベースフィンガーを中心に対称となる位置に、前記1本のベースフィンガーと平行して配置された2本のエミッタフィンガー、及び
前記1本のベースフィンガー及び前記2本のエミッタフィンガーを挟む位置に配置された2本のコレクタフィンガーで構成される、バイポーラトランジスタ。 - 前記2本のエミッタフィンガーの長さが、共に30μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のバイポーラトランジスタ。
- 前記1本のベースフィンガーの電極幅が、1μm以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のバイポーラトランジスタ。
- ベース層にヘテロ接合されたエミッタ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであり、
前記1本のベースフィンガーの電極が、前記エミッタ層のワイドギャップ層を貫通して前記ベース層にオーミック接合された構造であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のバイポーラトランジスタ。 - 半導体基板上に形成されたバイポーラトランジスタであって、
1本のベースフィンガー、
前記1本のベースフィンガーを中心に対称となる位置に、前記1本のベースフィンガーと平行して縦列配置された偶数本のエミッタフィンガー、及び
前記1本のベースフィンガー及び前記偶数本のエミッタフィンガーを挟む位置に配置された2本のコレクタフィンガーで構成される、バイポーラトランジスタ。 - 複数のバイポーラトランジスタを並列に接続して構成される電力増幅器であって、
ベースが共通接続され、コレクタが高周波信号出力端子に接続され、かつエミッタが接地された、電流増幅を行う請求項3〜5のいずれかに記載の複数のバイポーラトランジスタと、
高周波信号入力端子と前記複数のバイポーラトランジスタの共通接続されたベースとを接続する容量と、
バイアス供給端子と前記複数のバイポーラトランジスタの共通接続されたベースとを接続する抵抗とを備える、電力増幅器。
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---|---|---|---|
JP2005221213A JP2007036138A (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | バイポーラトランジスタ及び電力増幅器 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7605648B2 (en) | 2007-07-23 | 2009-10-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Power amplifier |
JPWO2014148194A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661246A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0897230A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ |
JP2001230261A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001274636A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタを用いた高周波電力増幅器 |
JP2006253594A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Sony Corp | ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとその製造方法 |
JP2007027269A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイポーラトランジスタ及び電力増幅器 |
-
2005
- 2005-07-29 JP JP2005221213A patent/JP2007036138A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661246A (ja) * | 1992-08-10 | 1994-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0897230A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ |
JP2001230261A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001274636A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタを用いた高周波電力増幅器 |
JP2006253594A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Sony Corp | ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとその製造方法 |
JP2007027269A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイポーラトランジスタ及び電力増幅器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7605648B2 (en) | 2007-07-23 | 2009-10-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Power amplifier |
JPWO2014148194A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
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