JP2007035192A - 光情報記録媒体、光情報記録装置、光情報記録媒体の製造方法、製造プログラム及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 隣接する微細構造層の配列の間隔が少なくとも微細構造層の大きさ以上離れるように記録光を照射するため、高効率かつ安定に高品質の大容量の情報を記録、再生することのできる光情報記録媒体が得られる。
【選択図】 図1
Description
今後、更に普及されると予想される高鮮明(high-definition )動画像やVOD(Video-On-Demand )のような双方向性画像通信が実現されると、情報記録媒体及び格納媒体の容量は更に増大されることになる。
光を用いた記録の方法の代表的な例としては、特定の高分子材料に所定の光を照射してその分子構造を変化させることによる局所的な屈折率の変化を用いるもの、一般に希土類金属と遷移金属からなるアモルファス合金薄膜を所定の磁界中で光を照射し、局所的にキュリー点または補償点以上に加熱することにより局所的な磁化方向を変化させるもの、などがある。
即ち、レーザ光のスポットの大きさを小さくすればするほど、光記録媒体に多くの情報を記録し、再生することができ、高記録密度を達成することができるが、このためには、レーザ光の波長を短くし、光ピックアップの対物レンズの開口数(NA)を増加させる必要がある。
例えば、レーザ光の波長を短かくするため、現在、DVDの光源として用いられる赤色半導体レーザ(〜660nm)に代わって、青色半導体レーザ(〜400nm)をDVDの光源に用いると、DVDの単位面積当たり記録可能な情報量は、赤色半導体レーザを用いた場合の記録媒体の情報量に比べて、約2.5倍ほど向上させることができる。
従って、前記したような問題点に鑑みて、テラバイト(TB, terabyte) 級の情報量を処理する際の、従来技術とは全く異なる原理に基づく技術として、近接場光学又はボリュームホログラム(Volume Hologram)、光化学ホールバーニング(photo-chemical hole burning)、3次元光記録などのような超高密度記録方式が提案されている。
一般に、光の回折理論に基いて、光集束スポットの大きさ(長径)は、光源波長及び開口数により決定され、光集束スポットの大きさの低減程度により、記録媒体の情報記録密度の上限が決定される。且つ、光の回折現象は、レンズを用いて光のビームの大きさを小さくするほど、ビームが広くなる性質を有するもので、これを数式に示すと、
θ≒λ/d ……(1)
となる。数式(1)中、θは回折角を表し、dはビームの直径(waist )を表し、λは光の波長を表す。
d≒1.22λ/NA ……(2)
と数式(2)のように近似的に表される光の回折理論により決定される。
ここでNAは対物レンズの開口数を表す。即ち、レーザ光の波長(λ)が短いほど、且つ、レンズの開口数(NA)が大きくなるほど、集光されるビームの大きさは小さくなり、記録媒体の記録面密度は、スポットの大きさの自乗に反比例して増大し、光の波動性による回折現象により、1ビット当たり記録及び再生可能な情報の最小の大きさはほぼ光の波長程度になる。
即ち、従来のシステムでは、光を電磁気波として利用するため、記録密度を向上させるとき、回折限界に伴う制約が避けられないという問題点があった。
すなわち、光の波長よりも小さい開口から発生する近接場光は原則的に放射されない。この近接場光を開口付近に位置した材料と相互作用させることを用いて、記録媒体への情報の記録及び再生を行うことにより、回折限界を克服し、従来の光記録の情報記録密度を飛躍的に向上できる可能性がある。
これはシリコン基板を異方性エッチングする事により同一基板上に微小開口をアレイ状に作製している。したがって、1つの素子にプローブが多数個あることになり、素子自体の掃引速度はそれほど高速である必要はない。碁盤目状に並んだプローブに対し記録媒体は回転するように配置され、2次元平面上に配置されたプローブはそれぞれ記録媒体上の異なった点を通過することになる。
この近接場プローブでは、寸法制御性が良く、また屈折率を高くしているため、微小開口から出射される光等の到達性に優れている。
そこで、以上のような状況を鑑み、本発明の目的は、光の近接場効果を用いた光情報処理装置で、高効率かつ高品質な信号を記録可能な光情報記録媒体、光情報記録装置、光情報記録媒体の製造方法、製造プログラム及び記憶媒体を提供することにある。
平板状の基板は透明であることが好ましい。
すなわち、本発明に係る光情報記録媒体の製造プログラムの実施形態は、光情報記録装置の実質的なコンピュータに、ガラス基板の表面全面にガラス基板より屈折率を高くするイオンを注入し、そのガラス基板の表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、レジストを後退させながらガラス基板をエッチングしてガラス基板表面に所定の凹凸を形成する工程、レジストを除去する工程、ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、レジスト層を除去するリフトオフの工程を実行させることを特徴とする。
すなわち、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が本発明の新規な機能を実現することになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体及びその記憶媒体から読み出された信号は本発明を構成することになる。
この記憶媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、フラッシュメモリ、CD-ROM、CD-R、磁気テープ、不揮発性メモリカード、ROM、EEPROM等を用いてよい。
図1は本発明に係る光情報記録装置のプローブ近傍の説明図である。
図1に示すように、入射波長よりも十分小さい大きさを持った微小開口を備えたプローブ13から近接場光を情報記録媒体11に照射する。情報記録媒体11上にはプローブ13の微小開口とほぼ同じ大きさを持った微細構造層12が形成されている。
この微細構造層12に、プローブ13から近接場光を照射することにより、あらかじめ情報記録媒体11に形成された微細構造層12に記録されている情報を再生することが可能である。
また、情報記録媒体11に記録可能な材料を形成することにより、追記型、あるいは書き換え型の情報記録が可能である。
図2(a)は本発明に係る光情報記録装置の一実施例としての光学情報処理装置の概念図であり、図2(b)は図2(a)に示した光情報処理装置の平面型基板(スライダ部、浮上型ヘッドともいう)27の外観斜視図であり、図2(c)は図2(a)に示した光情報処理装置のホルダ周辺の外観斜視図であり、図2(d)は図2(b)に示した平面型基板を裏返したときの透視図である。
図2(a)において、21はレーザダイオード、22、26はコリメートレンズ、23はビームスプリッタ、24は結像レンズ、25は光検出器(例えば、フォトダイオードもしくはフォトトランジスタ)、27はスライダ部、28はホルダ、29は微細構造層、30は光情報記録媒体を示す。
図1に示したプローブ13は平面型基板27の底面に突起形状で形成されている。このプローブ13はアレイ状に形成することが可能であり、アレイ化されたプローブ13から逐次的あるいは並列的に光情報記録媒体からの情報を再生可能である。この平面プローブ部はスライダ状に平面型基板27の底面に形成され、ホルダ28に支持され、回転する光情報記録媒体30上を掃引する。
半導体レーザ21から照射された光はコリメータレンズ22により平行光束に変換されビームスプリッタ23に入射する。ビームスプリッタ23を通過した光束は対物レンズ26によってスライダ部27の底面に形成された平面プローブ部にスポットを結像し、平面プローブ先端部より近接場光を発生させる。発生した近接場光は光情報記録媒体30に形成された微細構造層29に結合する。
また、図3に示すように、光情報記録媒体30の基板を透過した光を検出することでも情報の記録再生を行うことができる。この場合には図2に示した実施例と異なりビームスプリッタ23が不用であり、結像レンズ34で光検出器35上にディスク表面(光情報記録場板30の表面)の近接場光を照射した部分の光を結像し検出する。この光検出器35上の光強度の明暗により、光情報記録媒体30上に記録された情報を再生することができる。
図2に示した微細構造層29の平面図の一例を図4に示す。
ここで微細構造層の大きさは記録光の光源波長以下の大きさであり、例えばその直径は30nmである。44は光情報記録媒体30の基板上に形成された微細構造層からなる突起であり、ガラス、もしくはイオンをドープした高屈折率ガラス、SiO2、SiON、SiNなどのシリコン化合物材料、ZnS、CaS、BaSなどの硫化物材料、ZnSe、BaSeなどのセレン化物材料、CaF2、BaF2などのフッ素化合物材料、ZnS、SiO2などから構成される。その上に、熱反応層43、光記録層42、及び金属層41が積層されている。
金属微細構造層41に結合した近接場光は、プラズモンに結合し強度が増強されたのち、その直下の光記録層42に転写される。光記録層42は結合した近接場光を吸収し、発熱する。光記録層42が相変化材料であれば、結合した近接場光の発熱により、例えば結晶相からアモルファス相、もしくはアモルファス相から結晶相へ相変化することにより情報を記録することができる。
また光磁気材料では近接場光照射時に磁界を印加することで、情報を記録することが可能である。
熱反応層43は、光記録層42で発生した熱を閉じ込めるために形成されており、金属層41、光記録層42のみであっても同様の効果を得ることが可能である(請求項3)。
また、図5に示すような構成でも同様な効果が得られる。
ここで微細構造層の大きさは光源波長以下の大きさであり、例えばその直径は30nmである。55は光情報記録媒体に用いられる基板上に形成された微細構造突起であり、ガラス、もしくはイオンをドープした高屈折率ガラス、SiO2、SiON、SiNなどのシリコン化合物材料、ZnS、CaS、BaSなどの硫化物材料、ZnSe、BaSeなどのセレン化物材料、CaF2、BaF2などのフッ素化合物材料、ZnS、SiO2などから構成される。その上に、熱反応層54、光記録層53、熱反応層52、金属層51が積層されている。熱反応層52、54としては、SiO2、SiON、SiNなどのシリコン化合物材料、ZnS、CaS、BaSなどの硫化物材料、ZnSe、BaSeなどのセレン化物材料、CaF2、BaF2などのフッ素化合物材料を用いることができる。
この微小突起にプローブから結合した近接場光は金属微細構造層41があるため、プラズモンを発生することにより、高効率で金属微細構造に結合することができる。
金属微細構造層51に結合した近接場光は、プラズモンに結合し強度が増強されたのち、その直下の熱反応層52に転写され、熱反応層52で発生した熱が光記録層53に転写される。光記録層53が相変化材料であれば、例えば結晶相からアモルファス相、もしくはアモルファス相から結晶相へ相変化することにより情報を記録することができる。また光磁気材料では近接場光照射時に磁界を印加することで、情報を記録することが可能である。熱反応層54は、光記録層53で発生した熱を閉じ込めるために形成されている(請求項4)。
またこの場合、図1に示すプローブ13と光情報記録媒体11との間隔は入射光の波長より十分接近していることが必要である。またこの場合には図2に示すように作製した平面型近接場光ピックアップを浮上型ヘッド27に形成することにより、光情報記録媒体と上記光ピックアップの微小開口部との間隔を一定且つ微小に保つことが可能になり、より微少な記録マークが形成できることにより超高密度記録が可能である。記録媒体側の微細構造層は屈折率の実部がある間隔で変化しているもの、あるいは虚部すなわち、吸収率がある間隔で変化している構造などでもよい。
光記録媒体側の微細構造はたとえば以下に述べるような方法で作製可能である(図6、12)。たとえば、ガラス基板62の表面全面にイオンを注入し、高屈折率層66を形成する。その表面にレジスト63により円柱形状の凹凸を形成した後、レジスト63を後退させながらガラス基板をエッチングしてガラス基板表面に所定の微細構造の凹凸64を形成する。さらにレジストを残した状態で、表面全体に金属膜65、記録層66、熱反応層67を形成する。
また図7(a)〜(d)に示すように、ガラス基板72の表面全面にイオンを注入し、高屈折率層76を形成する。その表面にレジスト73により円柱形状の凹凸を形成した後、該レジストを後退させながらガラス基板72をエッチングしてガラス基板72の表面に所定の微細構造層の凹凸74を形成する。
ここで、表面全体に金属膜75、記録層76、熱反応層77を形成する。金属層75の次に熱反応層を形成することで図5に示した構成を形成することができる。また、表面を研磨することで突起部分を除去し表面が平面な記録媒体を作製することが可能である(請求項8、17、20)。
さらに、基板表面に、選択的にイオン注入するには、イオン半径が大きい前者のTlが良い。
イオンの注入はたとえばイオン注入法、イオン交換法、エレクトロフロート法などがあるが、とくにイオン注入法が好ましい。この場合、注入するイオン濃度を大きくすることにより、屈折率も大きくなる。したがって、凸部の屈折率は、注入するイオンの種類やその注入ドープ量を変えることで、簡単に変えることができる。
また、上記した屈折率を高めるために導入する物質としては種々のものがあるが、例えばイオン交換法の場合では、イオン交換を効率よく行うために高温ガラス中での移動度が十分大きくなければならないこと及びガラス中に多量にドープしてもその性質を損なわないことなどの条件から1価イオンが選択される。
さらに、光プローブ(例えば、光ファイバープローブや平面プローブ)の性能を高めるためには、なるべく屈折率を高める効果を持ったイオンが望まれる。このことを考慮するとタリウムイオン(Tl+)やセシウムイオン(Cs+)が適当である。タリウムイオン(Tl+)は、外殻電子配列が非希ガラス型(18+2)構造であり、高温ガラス中で拡散し易くしかもガラス編目修飾イオンとして多量にガラスに添加することができ、かつ大きな屈折率変化を得ることができる。
金属としては、アルミニウム、金、銀などがあるが、とくに酸化性の低いものが好ましい。
上記以外にも、コバルト酸化物系ナノガラス薄膜を形成しても良い。Co3O4薄膜を通常良く用いられる高周波スパッタリング法により室温で形成することにより、基板62上にCo3O4薄膜66を形成することが可能である(請求項9、15、18、21)。
平面微小開口上部に1/4波長板と偏光ビームスプリッタとを配置して入射光の偏波面と信号光の偏波面とを90度回転させることによって、信号光をより高いSN比で検出することが可能である。またこの場合半導体レーザへの戻り光を抑制することが可能であり、レーザの発振状態を良好に保つことが可能であり、良好な記録マークの形成、再生信号を安定に検出することができる。
保護層として近接場光はプローブからの染み出しが波長以下であるため、記録層までの距離をできるだけ近づけるために、厚みが薄く、光の吸収がほとんどない材料が望ましい。本発明では上記条件を満足する材料としてダイアモンドライクカーボンを用いた。この保護膜の形成はスパッタリング、イオンビームスパッタリングやCVD法などの成膜装置で可能である。本実施例では最表面保護膜としてダイヤモンドライクカーボンをCVD法により作製した。また保護層としてはSiNを使用することも可能である。このSiN保護層もスパッタリング、イオンビームスパッタリングやCVD法などの成膜装置で形成することが可能である(請求項10、11)。
透明な基板(石英基板)82に高屈折率材料として窒化シリコン膜86を形成する。この窒化シリコン膜はSiH4とNH3とを700〜1100℃の高温下で熱反応させる高温熱CVD法で成膜することが出来る。この窒化シリコン膜の膜厚は2μm以上であることが望ましい。ここでは高屈折率材料として窒化シリコン膜をあげたが、他の高屈折率材料でもなんら問題無い。例えば、石英ガラス上にSiO2をスパッタ(基板表面から1μm程度)したのち、N原子あるいはC原子の侵入層を作製する。C原子の場合、CH4をソースガスとするイオン注入法により石英ガラスへイオン注入、またN原子の場合、SiH4とN2Oを原料とする熱分解CVD法によってSiO2を成膜することにより高屈折率層を形成することができる。
この高屈折率層は上記方法以外にも他のCVD、真空蒸着、スパッタリング等や熱拡散法によっても形成できる。また、SOI基板と呼ばれる、シリコン単結晶基板に酸化シリコンのバッファー層が形成されている基板を使用し、上記SOI基板とガラス基板に電極を設け約300℃程度の温度雰囲気中で適当な電圧を印可することによりSOI基板とガラス基板を接合することにより、石製基板上に高屈折率材料を形成することが出来る。
別の方法としては、接合する石英基板表面を十分に洗浄し、SOI基板の活性シリコン層を張り合わせ、窒素雰囲気中900℃以上で熱処理することにより接合することが可能である。また接合する石英基板とSOIとの接合面を鏡面研磨しRCA洗浄し、1×10-9Torr以下の真空度のチャンバー内でArのFAB(Fast Atom Beam)を300sec程度同時に照射し、10MPaの圧力で圧着することにより接合することが出来る。この石英基板82上に窒化シリコン膜86を成膜した基板に、半導体プロセスのフォトリソグラフ技術を用いて円柱状のレジストパターン83を形成する。この円柱状のレジストパターン83は、シリコンの突起を形成する領域に作製される。このレジストパターン83をマスクとして窒化シリコン膜86をドライエッチングにより除去する。このエッチング時に、石英基板82をストッパー層とすることで、光学的に透明な石英基板上に高屈折率材料からなる突起からなる近接場光学プローブ85を形成することができる。また、エッチング時間を調節することにより、石英基板82上にレジストパターン83が無い領域の窒化シリコン膜86を基板上に残して、石英基板82上に高屈折率材料からなる突起からなる近接場光学プローブ85を形成することができる。このあと、基板82の裏面にスパッタ等で反射防止膜87をコーティングすることで、平面型プローブを形成することができる。
また、図11に示すように、隣接した微細構造列に配列している微細構造間の距離がその微細構造の直径より大きくなるように配置した時、すなわちP>2Rにすることにより、隣接の微細構造にクロストーク、クロスライトの影響を低減することが可能となる。この時のトラックピッチTは図9に示した配置におけるトラックピッチTよりも間隔を短くすることが可能であり、同じ媒体面積に対する記録密度をより向上することが可能になる。また、この時も、近接場光を照射された微細構造は入射した偏光方向に対して垂直な方向のエッジ部分の電界強度が強くなる。したがって電界強度が強くなった部分の近傍に微細構造が位置する場合にクロストーク、クロスライトが大きくなることになり、この影響を軽減するため、図11に示した微細構造の2次元配列に対してプローブ進行方向から時計回りに90度の偏波面をもつ直線偏光を入射することで、クロストーク、クロスライトを軽減することが可能になる(請求項2、13)。
(請求項1) 請求項1記載の光情報記録装置は、平板状の基板と、該基板上に、記録光の波長以下のサイズの微細構造を基板上に形成した微細構造層を備え、波長以下の微小開口を備えたプローブで前記微細構造層に情報を記録する光情報記録装置において、情報を記録あるいは記録された情報を再生するための微細構造が複数個配列し、ここの微細構造が2次元格子点上に配列されている微細構造配列において、隣接する微細構造列との間隔が少なくとも形成されている微細構造の大きさ以上離れているため、高効率かつ安定に高品質の大容量の情報を記録、再生することができる。
12 微細構造層
13 プローブ
21 レーザダイオード
22、26 コリメートレンズ
23 ビームスプリッタ
24 集光レンズ
25、35 光検出器
27 スライダ部
28 ホルダ
29 微細構造層
Claims (21)
- 平板状の基板と、該基板上に形成され記録光の波長以下のサイズの微細構造層と、該微細構造層の上部に形成された記録層とを備えた光情報記録媒体において、
前記微細構造層が2次元格子点上に複数個配列され、隣接する微細構造層の列の間隔が少なくとも前記微細構造層の大きさ以上離れていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 平板状の基板と、該基板上に形成され記録光の波長以下のサイズの微細構造層と、該微細構造層の上部に形成された記録層とを備えた光情報記録媒体において、
前記微細構造層の中心が2次元格子点以外に複数個配列され、各微細構造層の他の微細構造層との間隔が少なくとも各微細構造層の大きさ以上離れていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1または2記載の光情報記録媒体において、
光吸収層、光記録層、金属層、及び保護層からなる積層構造を有していることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1または2記載の光情報記録媒体において、
誘電体層、光記録層、金属層、及び保護層からなる積層構造を有していることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項3または4記載の光情報記録媒体において、
前記金属層が金、銀、アルミニウム、銅、白金のいずれかからなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1から5のいずれか1項記載の光情報記録媒体において、
最表面にダイヤモンドライクカーボンが形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 請求項1から5のいずれか1項記載の光情報記録媒体において、
最表面にSiNが形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。 - 記録光を発生する記録光発生手段と、
前記記録光の波長以下の微小開口を有し、前記記録光により平板状の基板上に前記記録光の波長以下のサイズの微細構造層を2次元格子点上に複数個配列し、隣接する微細構造層の列の間隔が少なくとも前記微細構造層の大きさ以上離れるように形成するプローブとを備えたことを特徴とする光情報記録装置。 - 記録光を発生する記録光発生手段と、
前記記録光の波長以下の微小開口を有し、前記記録光により平板状の基板上に前記記録光の波長以下のサイズの微細構造層を2次元格子点以外に複数個配列し、各微細構造層の他の微細構造層との間隔を少なくとも各微細構造層の大きさ以上離すように形成するプローブとを備えたことを特徴とする光情報記録装置。 - 記録光を発生する記録光発生手段と、
前記記録光の波長以下の微小開口を有し、前記記録光により平板状の基板上に前記記録光の波長以下のサイズの微細構造層を2次元格子点の配列に対して進行方向から時計回りに45度、もしくは135度の偏波面をもつ直線偏光を入射するプローブとを備えたことを特徴とする光情報記録装置。 - 記録光を発生する記録光発生手段と、
前記記録光の波長以下の微小開口を有し、前記記録光により平板状の基板上に前記記録光の波長以下のサイズの微細構造層を2次元格子点以外に複数個配列し、各微細構造層の他の微細構造層との間隔を少なくとも各微細構造層の大きさ以上離すと共に前記微細構造層の2次元配列に対して進行方向から時計回りに90度の偏波面をもつ直線偏光を入射するように形成するプローブとを備えたことを特徴とする光情報記録装置。 - 請求項8から11のいずれか1項記載の光情報記録装置において、
前記基板上に形成された微細構造の大きさと波長以下の微小開口を備えたプローブの開口寸法が等しいことを特徴とする光情報記録装置。 - ガラス基板の表面全面に前記ガラス基板より屈折率を高くするイオンを注入し、そのガラス基板の表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程とを備えたことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - ガラス基板の表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板の表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程を備えたことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - ガラス基板の表面全面にコバルト酸化物系ナノガラス薄膜をスパッタリング法により形成した後、その表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板の表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程を備えたことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - 光情報記録装置の実質的なコンピュータに、
ガラス基板の表面全面に前記ガラス基板より屈折率を高くするイオンを注入し、そのガラス基板の表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程
を実行させることを特徴とする光情報記録媒体の製造プログラム。 - 光情報記録装置の実質的なコンピュータに、
ガラス基板の表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板の表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程
を実行させることを特徴とする光情報記録媒体の製造プログラム。 - 光情報記録装置の実質的なコンピュータに、
ガラス基板の表面全面にコバルト酸化物系ナノガラス薄膜をスパッタリング法により形成した後、その表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板の表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程を
実行させることを特徴とする光情報記録媒体の製造プログラム。 - 光情報記録装置の実質的なコンピュータに、
ガラス基板の表面全面に前記ガラス基板より屈折率を高くするイオンを注入し、そのガラス基板の表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程
を実行させる光情報記録媒体の製造プログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。 - 光情報記録装置の実質的なコンピュータに、
ガラス基板の表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板の表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程
を実行させる光情報記録媒体の製造プログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。 - 光情報記録装置の実質的なコンピュータに、
ガラス基板の表面全面にコバルト酸化物系ナノガラス薄膜をスパッタリング法により形成した後、その表面にレジストにより微細な凹凸を形成する工程、
前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングして前記ガラス基板の表面に所定の凹凸を形成する工程、
前記レジストを除去する工程、
前記ガラス基板の表面全体に金属膜、光吸収層、及び光記録層を形成する工程、
前記レジスト層を除去するリフトオフの工程を
実行させる光情報記録媒体の製造プログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005219453A JP2007035192A (ja) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | 光情報記録媒体、光情報記録装置、光情報記録媒体の製造方法、製造プログラム及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005219453A JP2007035192A (ja) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | 光情報記録媒体、光情報記録装置、光情報記録媒体の製造方法、製造プログラム及び記憶媒体 |
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JP2007035192A true JP2007035192A (ja) | 2007-02-08 |
Family
ID=37794247
Family Applications (1)
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JP2005219453A Pending JP2007035192A (ja) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | 光情報記録媒体、光情報記録装置、光情報記録媒体の製造方法、製造プログラム及び記憶媒体 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007035192A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295223A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Hitachi Ltd | 情報記録再生方法 |
-
2005
- 2005-07-28 JP JP2005219453A patent/JP2007035192A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009295223A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Hitachi Ltd | 情報記録再生方法 |
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