JP2007034117A - 液晶装置、電子機器、および液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置、電子機器、および液晶装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007034117A JP2007034117A JP2005220155A JP2005220155A JP2007034117A JP 2007034117 A JP2007034117 A JP 2007034117A JP 2005220155 A JP2005220155 A JP 2005220155A JP 2005220155 A JP2005220155 A JP 2005220155A JP 2007034117 A JP2007034117 A JP 2007034117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal device
- insulating film
- rubbing
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】 表示領域に付着するラビング屑の数を低減させることによって高い表示品位で表示を行うことが可能な液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器、および該液晶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 液晶装置を構成するTFT基板10には、回路素子層11、第四層間絶縁膜44、画素電極37、配向膜46がこの順に積層されている。ここで、第四層間絶縁膜44のうち、表示領域5の外部の領域には、窪み441が形成されている。窪み441は、ラビング工程において発生したラビング屑70を捕捉可能であり、ラビング屑70が表示領域5に侵入するのを防ぐ。
【選択図】 図5
【解決手段】 液晶装置を構成するTFT基板10には、回路素子層11、第四層間絶縁膜44、画素電極37、配向膜46がこの順に積層されている。ここで、第四層間絶縁膜44のうち、表示領域5の外部の領域には、窪み441が形成されている。窪み441は、ラビング工程において発生したラビング屑70を捕捉可能であり、ラビング屑70が表示領域5に侵入するのを防ぐ。
【選択図】 図5
Description
本発明は、一対の基板とこれに挟持された液晶とを有する液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器、および該液晶装置の製造方法に関する。
液晶装置の製造工程は、配向膜の表面を布で擦るラビング工程を有するのが一般的である。ラビング工程を経た配向膜は、ラビングされた方向に液晶分子を配向させることができる。ところが、ラビング工程においては、「ラビング屑」が発生することがある。ラビング屑は、配向膜とラビング布との接触によって発生する、配向膜の一部やラビング布の繊維などからなる異物であり、表示領域に付着すると液晶の配向を乱して微輝点などの表示不良を引き起こす。また、端子部に付着すると配線の接続不良を引き起こす。
端子部におけるラビング屑起因の接続不良を回避する技術が、特許文献1に開示されている。これは、凹凸を有する絶縁膜によってラビング屑を捕捉し、端子部にラビング屑が付着するのを防ぐものである。
しかしながら、こうした技術を液晶装置の表示領域に適用するのは、表示品位維持の観点から適切ではないため、依然として表示領域へのラビング屑の付着を回避するための手段の開発が望まれていた。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示領域に付着するラビング屑の数を低減させることによって高い表示品位で表示を行うことが可能な液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器、および該液晶装置の製造方法を提供することにある。
本発明による液晶装置は、互いに対向して配置された第1の基板および第2の基板と、前記第1の基板の前記第2の基板に対向する面に形成された絶縁膜と、表示領域において前記絶縁膜の表面に形成された複数の画素電極と、少なくとも前記画素電極上に形成され、ラビングにより配向規制される配向膜と、前記第1の基板および前記第2の基板に挟持された液晶とを備え、前記絶縁膜は、前記表示領域に隣接する領域であって、前記表示領域から前記ラビングの方向に沿って延長した線分上に設けられた、側壁面が急傾斜面である窪みを有することを特徴とする。
こうした構成によれば、絶縁膜に設けられた上記窪みによって、ラビング工程で発生したラビング屑を、表示領域に侵入する前に捕捉することができる。ここで、上記窪みは、表示領域に隣接する領域であって、前記表示領域から前記ラビングの方向に沿って延長した線分上に設けられているので、表示領域に侵入する可能性のあるラビング屑を効率よく捕捉することができる。これは、ラビング工程で発生するラビング屑は、ラビングの方向、すなわちラビング工程におけるラビング布の進行方向に沿って移動しやすいためである。また、窪みの側壁面は急傾斜面となっているので、ラビング屑は、窪みの側壁面によって掻き取られるようにして捕捉される。このように、上記構成によれば、絶縁膜に設けられた窪みによってラビング屑を補足することで、表示領域に付着するラビング屑の数を低減させることができ、高い表示品位で表示を行うことができる。
上記液晶装置において、前記側壁面は、前記第1の基板の表面からの仰角が60度以上の急傾斜面であることが好ましい。こうした構成によれば、絶縁膜の表面と窪みの側壁面とがなすエッジによって、ラビング屑を高い確率で捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みは、前記絶縁膜の表面に略垂直な側壁面を有することが好ましい。こうした構成によれば、絶縁膜の表面と窪みの側壁面とがなす略直角のエッジによって、ラビング屑を最も高い確率で捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みの深さは、前記絶縁膜の厚さよりも小さいことが好ましい。この構成によれば、捕捉されたラビング屑が絶縁膜の下層の構成要素と接触することによる不具合の発生を防ぐことができる。
上記液晶装置において、前記窪みは、前記表示領域を囲う窪みであることが好ましい。こうした、表示領域の外側を略一周して表示領域を囲うような窪みによれば、第1の基板に対してどのような方向でラビングを行った場合においても、ラビング屑を捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みの側壁面と、前記絶縁膜の表面との交線は、鋸歯状をなしていることが好ましい。また、前記窪みの側壁面と、前記絶縁膜の表面との交線は、矩形波状をなしていることが好ましい。ここで、鋸歯状とは、ある凹凸形状の繰り返しからなる形状を言う。凹凸の形状は任意であり、一例として、三角波状の凹凸形状を挙げることができる。このような、より複雑な形状をした側壁面を有する窪みによれば、ラビング屑が窪みの側壁面に引っ掛かる確率を高めることができ、より効率よくラビング屑を捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みが複数配置されていることが好ましい。こうした構成によれば、一つの窪みが捕捉できなかったラビング屑を、他の窪みによって捕捉することが可能となる。よって、より確実にラビング屑を捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が、前記画素電極の形状と略一致する窪みであることが好ましい。上記形状の窪みは、画素電極と同等の形状および大きさを有しているため、画素電極に付着しやすい大きさのラビング屑を捕捉するのに好適である。よって、より効率よくラビング屑を捕捉することができる。
上記液晶装置において、複数の前記窪みは列配置され、前記列は複数あって互いに隣接しており、隣接する前記列の間で前記窪みの位置が前記列方向にずれて配置されていることが好ましい。こうした構成によれば、ラビング屑が隣り合う第1および第2の窪みの間をすり抜けたとしても、このラビング屑はこれらに隣接する第3の窪みの領域に移動して捕捉される確率が高い。よって、第1の基板に対してどのような方向でラビングを行っても、ラビング屑を高確率で捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が細長の直線状であることが好ましい。こうした構成によれば、各々の窪みは、より多くのラビング屑の軌跡と交差し、このラビング屑を捕捉することができる。よって、より効率よくラビング屑を捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みは、互いに略平行に配置されていることが好ましい。このような構成によれば、一つの窪みが捕捉できなかったラビング屑を、他の窪みによって捕捉することが可能となる。よって、より確実にラビング屑を捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みの少なくとも一部は、他の前記窪みと交差することが好ましい。ここで、交差は、二つの窪みが直接交わる場合と、一つの窪みの線分を延長したものが、他の窪みまたは他の窪みの線分を延長したものと交わる場合とをともに含む。このような構成によれば、ある直線状の窪みに平行な軌跡で移動するラビング屑を、この窪みに交差する窪みによって捕捉することができる。よって、より確実にラビング屑を捕捉することができる。
上記液晶装置において、前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が略円形であることが好ましい。また、前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が多角形であることが好ましい。こうした略円形の窪みは、その点対称な形状により、どのような向きの軌跡で移動するラビング屑であっても同等の確率で捕捉することができる。また、多角形の窪みも、対称性の高い形状のため、様々な向きの軌跡で移動するラビング屑を捕捉することができる。よって、このような構成の窪みによれば、第1の基板に対してどのような方向でラビングを行っても、ラビング屑を捕捉することができる。
本発明による電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。こうした構成の電子機器は、ラビング屑の付着による表示不良の少ない液晶装置によって表示を行うので、高品位の表示を行うことができる。
本発明の液晶装置の製造方法は、第1の基板上に絶縁膜を形成する第1のステップと、前記絶縁膜のうち、画素電極を形成すべき領域のすべてを包含する表示領域の、外部の領域に窪みを形成する第2のステップと、前記絶縁膜の表面のうち、前記表示領域に複数の前記画素電極を形成する第3のステップと、前記画素電極の表面に配向膜を形成する第4のステップと、前記配向膜の表面をラビングする第5のステップと、前記第1の基板を、前記絶縁膜の形成された面を対向させて第2の基板と貼り合わせる第6のステップとを有することを特徴とする。
上記製造方法によれば、第1の基板上に、表示領域の外部の領域に窪みを有する絶縁膜が形成される。こうした構成の第1の基板は、ラビング工程において発生するラビング屑を前記窪みによって捕捉することができ、表示領域に付着するラビング屑の数が低減される。よって、上記製造方法によって得られる液晶装置は、ラビング屑に起因する表示不良の少ない、高品位の表示を行うことができる。
上記製造方法において、前記第2のステップは、異方性エッチングによるエッチング工程を含んでいてもよい。異方性エッチングによれば、窪みの深さ方向にのみ選択的にエッチングを進めることが可能であり、前記絶縁膜の表面と、前記窪みの側壁面とが略直角となるような前記窪みを形成することができる。このような窪みによれば、前記絶縁膜の表面と前記窪みの側壁面とがなす略直角のエッジによって、ラビング屑をより高い確率で捕捉することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
(第1の実施形態)
<A.液晶装置>
まず、図1から図4を用いて、本発明の第1の実施形態に係る液晶装置1について説明する。図1は、液晶装置1の平面図であり、図2は、図1中のA−A線で液晶装置1を切断して示す断面図である。図3は、液晶装置1の表示領域5を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。また、図4は、一つの画素に着目した液晶装置1の断面図である。
<A.液晶装置>
まず、図1から図4を用いて、本発明の第1の実施形態に係る液晶装置1について説明する。図1は、液晶装置1の平面図であり、図2は、図1中のA−A線で液晶装置1を切断して示す断面図である。図3は、液晶装置1の表示領域5を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。また、図4は、一つの画素に着目した液晶装置1の断面図である。
図1および図2に示すように、液晶装置1は、石英基板からなる「第1の基板」としてのTFT基板10と「第2の基板」としての対向基板20とがシール材51を介して貼り合わされてなり、TFT基板10と対向基板20との間には液晶50が封入されている。液晶50は、液晶注入口53から注入され、その後液晶注入口53は封止材52によって封止される。
TFT基板10上には画素を構成する画素電極37、TFT30、およびデータ線34、走査線36等がマトリクス状に配置され(図3参照)、対向基板20上には全面に対向電極38(図4参照)が設けられている。また、TFT基板10上には、データ線駆動回路61、走査線駆動回路62が形成されている。データ線駆動回路61は、データ線34に画像信号を供給し、走査線駆動回路62は、走査線36に走査信号を供給する。
図3に示すように、表示領域5においては、複数本の走査線36と複数本のデータ線34とが交差するように配線され、走査線36とデータ線34とで区画された領域に画素電極37がマトリクス状に配置されている。そして、走査線36とデータ線34の各交差部分に対応してTFT30が設けられ、このTFT30に画素電極37が接続されている。
TFT30は走査線36のON信号によってオンとなり、これにより、データ線34に供給された画像信号が画素電極37に供給される。この画素電極37と対向基板20に設けられた対向電極38との間の電圧が液晶50に印加される。また、画素電極37と並列に蓄積容量35が設けられており、これによって、画素電極37の電圧はソース電圧が印加された時間よりも長い時間の保持が可能となる。
次に、図4を用いて上述の各構成要素の積層構造について説明する。TFT基板10上には、TFT30、データ線34、蓄積容量35、走査線36、画素電極37、シールド層45、配向膜46等が、下地絶縁膜40、第一層間絶縁膜41、第二層間絶縁膜42、第三層間絶縁膜43、第四層間絶縁膜44を挟んで、最下層の第1層から最上層の第6層までの6層にわたって積層された構成となっている。各絶縁膜は、前述の各要素間が短絡するのを防止するためのものである。その一方で、各絶縁膜には一部コンタクトホールが設けられており、必要な場所において適宜電気的な接続が行われている。上記絶縁膜のうち、第四層間絶縁膜44が、本発明における「絶縁膜」に相当する。
TFT基板10の表面の第1層には走査線36が形成されている。第1層の上には、下地絶縁膜40を挟んで第2層が形成されている。第2層には、ゲート電極31、ソース領域32、ドレイン領域33を有するTFT30が含まれる。TFT30のゲート電極31は、走査線36と等電位に保たれており、走査線36に供給された走査信号はゲート電極31に入力される。
第2層の上には、第一層間絶縁膜41を挟んで第3層が形成されている。第3層には、蓄積容量35およびこれに接続された容量電極39が含まれる。容量電極39は、蓄積容量35の固定電位側容量電極として機能する。容量電極39は、固定電位とされた後述するシールド層45と電気的に接続されている。
第3層の上には、第二層間絶縁膜42を挟んで、データ線34を含む第4層が形成されている。データ線34は、コンタクトホールを介してソース領域32に接続されており、画像信号をソース領域32に伝達する。
第4層の上には、第三層間絶縁膜43を挟んで第5層が形成されている。第5層には、アルミニウムからなる層を含むシールド層45が含まれる。シールド層45は、画素電極37が配置された表示領域5からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。シールド層45は、データ線34の全体を覆うように形成されており、データ線34と画素電極37との間に生じる容量カップリングの影響を排除する役割を果たす。
第5層の上には、第四層間絶縁膜44を挟んで第6層が形成されている。第6層には、画素電極37と、これを覆う配向膜46とが形成されている。画素電極37は、透明なITO(Indium Tin Oxide)からなり、複数の中継電極を介してTFT30のドレイン領域33と電気的に接続されている。配向膜46はポリイミドからなり、表面を布で擦るラビング工程を経ることにより、その表面においてラビングされた方向に液晶50を配向させることができる。
一方、対向基板20には、全面にITOからなる対向電極38が形成されており、この対向電極38を覆ってさらに配向膜46が形成されている。対向基板20上の配向膜46にもラビング処理がなされている。
以上の構成を有する液晶装置1は、多数の画素が集合してなる表示領域5において、液晶50の配向状態を制御し、画素毎に入射光の透過率を異ならしめることによって表示を行う。なお、以下では上記第1層から第5層までの層構造をまとめて「回路素子層11」とも呼ぶ。
<B.第四層間絶縁膜>
続いて、本発明の特徴部分である、「絶縁膜」としての第四層間絶縁膜44の構造について図5を用いて説明する。図5(a)は、上述した構成要素が積層されたTFT基板10の平面図、図5(b)は、図5(a)中の表示領域5の境界部分の拡大図、図5(c)は、図5(b)中のB−B線における断面図である。
続いて、本発明の特徴部分である、「絶縁膜」としての第四層間絶縁膜44の構造について図5を用いて説明する。図5(a)は、上述した構成要素が積層されたTFT基板10の平面図、図5(b)は、図5(a)中の表示領域5の境界部分の拡大図、図5(c)は、図5(b)中のB−B線における断面図である。
図5(a)および図5(b)に示されるように、第四層間絶縁膜44は、画素電極37がマトリクス状に配置された表示領域5の外側の領域(以下「非表示領域」とも呼ぶ)において、表面に窪み441を有している。窪み441は、画素電極37の各辺の長さに近い幅を有して、表示領域5を囲って矩形の周をなすように、かつ三重に形成されている。また、図5(c)の断面図に示すように、窪み441は、第四層間絶縁膜44の表面に垂直な側壁面441wを有している。また、その深さが第四層間絶縁膜44の厚さよりも小さくなるように形成されている。なお、図5(c)においては上記第1層から第5層までの層構造をまとめて回路素子層11とするとともに、ゲート電極31、ソース領域32、ドレイン領域33を含むTFT30を台形に模して描いてある。
第四層間絶縁膜44および画素電極37の表面には、配向膜46が形成されている。配向膜46も、上記の窪み441の位置においては窪み441の形状に応じて窪みを有する構造をとって形成されている。
上記窪み441を有する第四層間絶縁膜44は、図5(b)および図5(c)に示すように、窪み441においてラビング屑70を捕捉することができる。ここで、ラビング屑70は、配向膜46の一部やラビング布の繊維などからなる異物であり、ラビング工程において配向膜46とラビング布とが接触することによって発生する。ラビング工程とは、ラビング布を巻きつけたラビングローラー(不図示)を回転させながら配向膜46に押し当て、その状態でTFT基板10とラビングローラーとを相対移動させる工程である。図5(a)中の矢印90が、ラビングの方向、すなわちラビングローラーの進行方向を示す。ラビング屑70は、ラビング工程におけるラビングローラーの矢印90方向の移動とともにTFT基板10上を主に矢印90の方向に移動する。ラビング屑70は、表示領域5に侵入して画素電極37に付着すると、液晶50の配向状態を乱して液晶装置1の表示異常を引き起こす。第四層間絶縁膜44は、窪み441においてこうしたラビング屑70を捕捉し、ラビング屑70が表示領域5に侵入するのを防ぐことができる。窪み441を三重に形成することによって、一つの窪み441が捕捉できなかったラビング屑70を、他の窪み441によって捕捉することが可能となり、より確実にラビング屑70を捕捉することができる。
窪み441は、表示領域5の周りを囲って周状に形成されているため、TFT基板10に対してどのような方向でラビングが行われても、すなわち、どのような軌跡で移動するラビング屑70に対しても、ラビング屑70を効率よく捕捉することができる。ここで、窪み441の側壁面441wは第四層間絶縁膜44の表面と垂直になっているため、第四層間絶縁膜44の表面と窪み441の側壁面441wとがなす略直角のエッジによって、ラビング屑70をより高い確率で捕捉することができる。また、窪み441は、絶縁性を有する第四層間絶縁膜44に、その厚さより小さな深さで形成されている。このため、第四層間絶縁膜44の下層に形成されているシールド層45を始めとする他の構成要素に対し、電気的または物理的な影響を与えずにラビング屑70を捕捉することができる。
上記実施形態では、窪み441は表示領域5の周りを囲って形成されているが、少なくとも、表示領域5に隣接する領域であって、表示領域5から前記ラビングの方向(図5(a)の矢印90)に沿って延長した線分91上に設けられていれば上述の効果を奏する。これは、ラビング工程で発生するラビング屑70は、ラビングの方向(図5(a)の矢印90)に沿って移動しやすいためである。また、窪み441の側壁面441wは第四層間絶縁膜44の表面に垂直であるとしているが、少なくともTFT基板10の表面に対して仰角が60度以上の急傾斜面となっていれば上述の効果を奏する。
液晶装置1は、非表示領域にこうした窪み441を有する第四層間絶縁膜44を備えることによって、表示領域5に付着するラビング屑70の数を低減させることができ、高い表示品位で表示を行うことができる。
<C.液晶装置の製造方法>
次に、図6を用いて、上記液晶装置1の製造方法について説明する。図6(a)から(f)は、液晶装置1のそれぞれの製造工程における断面図である。
次に、図6を用いて、上記液晶装置1の製造方法について説明する。図6(a)から(f)は、液晶装置1のそれぞれの製造工程における断面図である。
まず、図6(a)に示すように、TFT基板10上に、公知の薄膜形成プロセスによってTFT30および回路素子層11を形成する。
次に、図6(b)に示すように、回路素子層11の表面に第四層間絶縁膜44を形成する。この工程も、公知の薄膜形成プロセスによって行われ、例えば、TEOSガス、TEBガス、TMOPガス等を用いた常圧又は減圧CVD法等を用いることができる。第四層間絶縁膜44には、NSG、PSG、BSG、BPSG等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などが適しているが、本実施形態では酸化シリコン膜が用いられている。この工程が、本発明における「第1のステップ」に対応する。
次に、図6(c)に示すように、第四層間絶縁膜44の表面に窪み441を形成する。この工程は、反応性イオンエッチング等の異方性ドライエッチングによって行われる。異方性ドライエッチングによって窪み441の深さ方向にのみ選択的にエッチングを進めることにより、窪み441の側壁面441wを第四層間絶縁膜44の表面に対して略垂直とすることができる。この工程が、本発明における「第2のステップ」に対応する。
次に、図6(d)に示すように、第四層間絶縁膜44の表面に画素電極37を形成する。この工程は、スパッタ処理等により、ITO膜形成し、その後フォトリソグラフィ及びエッチングによって、所定の形状の画素電極37を形成して行われる。この工程が、本発明における「第3のステップ」に対応する。
次に、図6(e)に示すように、第四層間絶縁膜44および画素電極37の表面に配向膜46を形成する。この工程は、スクリーン印刷法等によって行われる。この工程が、本発明における「第4のステップ」に対応する。
次に、配向膜46の表面全体に対してラビングを行う。ラビングは、上述したように、ラビング布を巻きつけたラビングローラー(不図示)を回転させながら配向膜46に押し当て、その状態でTFT基板10とラビングローラーとを相対移動させることによって行う。この工程において、配向膜46が剥がれたものやラビング布の繊維などからなるラビング屑70が発生するが、その多くを上記第四層間絶縁膜44の窪み441で捕捉することができる。この工程が、本発明における「第5のステップ」に対応する。
最後に、図6(f)に示すように、別の工程によって製造された対向基板20を、TFT基板10に対向させて貼りあわせ、TFT基板10および対向基板20の間に液晶50を注入する。この工程が、本発明における「第6のステップ」に対応する。以上の工程を経て、液晶装置1が完成する。
<D.電子機器>
続いて、図7の斜視図を用いて、上記液晶装置1を搭載した「電子機器」としてのプロジェクタ100について説明する。プロジェクタ100は、本体101、レンズ102を有している。プロジェクタ100は、内蔵された光源(不図示)から光を射出し、これを内部に備え付けられた液晶装置1によって変調した後にレンズ102から前方に投写する装置である。このようなプロジェクタ100は、第四層間絶縁膜44の窪み441によってラビング屑70を捕捉可能な液晶装置1を搭載しているため、ラビング屑70に起因する表示不良が起き難く、高い品位の表示を行うことができる。
続いて、図7の斜視図を用いて、上記液晶装置1を搭載した「電子機器」としてのプロジェクタ100について説明する。プロジェクタ100は、本体101、レンズ102を有している。プロジェクタ100は、内蔵された光源(不図示)から光を射出し、これを内部に備え付けられた液晶装置1によって変調した後にレンズ102から前方に投写する装置である。このようなプロジェクタ100は、第四層間絶縁膜44の窪み441によってラビング屑70を捕捉可能な液晶装置1を搭載しているため、ラビング屑70に起因する表示不良が起き難く、高い品位の表示を行うことができる。
本発明による液晶装置1は、プロジェクタ100の他にも様々な電子機器に搭載可能であり、例えば、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、PDA、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、時計等、表示部を備えた各種電子機器に適用することができる。こうした電子機器も、ラビング屑70に起因する表示不良が起き難く、高い品位の表示を行うことができる。
(第2の実施形態)
第四層間絶縁膜44に形成される窪み441の形状は、上記のような周状のものに限られず、図8(a)に示すような矩形状とすることもできる。以下では、こうした構成の第2の実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態は、窪み441の形状を除くと第1の実施形態と同等であるため、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
第四層間絶縁膜44に形成される窪み441の形状は、上記のような周状のものに限られず、図8(a)に示すような矩形状とすることもできる。以下では、こうした構成の第2の実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態は、窪み441の形状を除くと第1の実施形態と同等であるため、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
図8(a)は、第2の実施形態のTFT基板10の平面図、図8(b)は、図8(a)中の表示領域5の境界部分の拡大図、図8(c)は、図8(b)中のC−C線における断面図である。図8(a)および図8(b)に示されるように、第四層間絶縁膜44は、非表示領域において、表面に矩形の窪み441を有している。窪み441は、画素電極37と略同等の形をしている(図8(a)においては説明のため窪み441を実際よりかなり大きく描いている)。図8(b)に示すように、窪み441は、互いに隣接する複数の列の状態に配置され、隣接する列の間で窪み441の位置が列方向(図8(b)中の上下方向)に半ピッチずつずれて配置されている。以下では、このような配置を「千鳥格子」とも呼ぶ。
こうした千鳥格子状に配列された窪み441によれば、たとえ隣り合う第1および第2の窪みの間をすり抜けたラビング屑70があったとしても、これらに隣接する第3の窪みによってこのラビング屑70を捕捉することができる。よって、本実施形態の窪み441は、TFT基板10に対してどのような方向にラビングが行われても、すなわち、どのような軌跡で移動するラビング屑70であっても、効率よく捕捉することができる。また、各々の窪み441は、画素電極37と略同等の形をしているため、画素電極37に付着しやすい大きさのラビング屑70を効率よく捕捉することができる。
こうした窪み441を有する第四層間絶縁膜44を備えた液晶装置1は、表示領域5に付着するラビング屑70の数を低減させることができ、高い表示品位で表示を行うことができる。
(第3の実施形態)
第四層間絶縁膜44に形成される窪み441は、図9(a)に示すように、絶縁膜44の表面における開口の形状が細長の直線状となるような形状とすることもできる。以下では、こうした構成の第3の実施形態について説明する。
第四層間絶縁膜44に形成される窪み441は、図9(a)に示すように、絶縁膜44の表面における開口の形状が細長の直線状となるような形状とすることもできる。以下では、こうした構成の第3の実施形態について説明する。
図9(a)は、第3の実施形態のTFT基板10の平面図、図9(b)は、図9(a)中の表示領域5の境界部分の拡大図、図9(c)は、図9(b)中のD−D線における断面図である。図9(a)および図9(b)に示されるように、第四層間絶縁膜44は、非表示領域において、表面に直線状の窪み441を有している。窪み441は、互いに平行でかつ等ピッチに、全体として表示領域5を囲うように配置されており、各々の窪み441の幅は、画素電極37の各辺の長さに略等しくなっている。
こうした直線状に配列された窪み441のそれぞれは、より多くのラビング屑70の軌跡と交差し、このラビング屑70を捕捉することができる。よって、より効率よくラビング屑70を捕捉することができる。また、窪み441は、互いに平行に隣り合って配置されているため、一つの窪み441が捕捉できなかったラビング屑70を、他の窪み441によって捕捉することが可能となる。よって、より確実にラビング屑70を捕捉することができる。
ここで、窪み441は、その長手方向がラビング方向に対して直角に近いほど多くのラビング屑70の軌跡と交差する。このため、本実施形態の窪み441は、ラビング方向と直交する方向に形成されることが望ましい。
また、図11に示すように、上記の窪み441と交差する、互いに平行な直線状の窪み441をさらに形成してもよい。このような構成によれば、ある窪み441に平行な軌跡で移動するラビング屑70を、この窪み441に交差する窪み441によって捕捉することができる。よって、より確実にラビング屑70を捕捉することができる。
こうした窪み441を有する第四層間絶縁膜44を備えた液晶装置1は、表示領域5に付着するラビング屑70の数を低減させることができ、高い表示品位で表示を行うことができる。
(第4の実施形態)
第四層間絶縁膜44に形成する窪み441の形状は、図10(b)に示すような円形とすることもできる。以下では、こうした構成の第4の実施形態について説明する。
第四層間絶縁膜44に形成する窪み441の形状は、図10(b)に示すような円形とすることもできる。以下では、こうした構成の第4の実施形態について説明する。
図10(a)は、第4の実施形態のTFT基板10の平面図、図10(b)は、図10(a)中の表示領域5の境界部分の拡大図、図10(c)は、図10(b)中のE−E線における断面図である。図10(a)および図10(b)に示されるように、第四層間絶縁膜44は、非表示領域において、表面に円形の窪み441を有している。各々の窪み441の直径は、画素電極37の各辺の長さと略等しくなっている(図10(a)においては説明のため窪み441を実際よりかなり大きく描いている)。図10(b)に示すように、窪み441は、上下方向には等ピッチで一列に整列しているとともに、左右方向には、窪み441が千鳥格子を構成するように上下方向に半ピッチずつずれながら配列されている。
こうした円形の窪み441のそれぞれは、その点対称な形状により、どのような向きの軌跡で移動するラビング屑70であっても同等の確率で捕捉することができる。よって、本実施形態の窪み441は、どのような方向にラビングが行われても、すなわち、どのような軌跡で移動するラビング屑70であっても、効率よく捕捉することができる。上記の効果は、窪み441が千鳥格子状に配列されていることによってさらに高まる。
こうした窪み441を有する第四層間絶縁膜44を備えた液晶装置1は、表示領域5に付着するラビング屑70の数を低減させることができ、高い表示品位で表示を行うことができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
(変形例1)
上記第1の実施形態における周状の窪み441は、側壁面441wと、第四層間絶縁膜44の表面に平行な平面との交線が鋸歯状、あるいは矩形波状をなしていてもよい。こうした構成の例を、図12(a),(b)に示す。図12(a)の窪み441は、前記交線が三角波状の凹凸の繰り返しからなるような鋸歯状を呈している。また、図12(b)の窪み441は、前記交線が矩形波状となっている。これらのような、より複雑な形状をした側壁面441wを有する窪み441によれば、ラビング屑70が側壁面441wに引っ掛かる確率が高まり、より効率よくラビング屑70を捕捉することができる。
上記第1の実施形態における周状の窪み441は、側壁面441wと、第四層間絶縁膜44の表面に平行な平面との交線が鋸歯状、あるいは矩形波状をなしていてもよい。こうした構成の例を、図12(a),(b)に示す。図12(a)の窪み441は、前記交線が三角波状の凹凸の繰り返しからなるような鋸歯状を呈している。また、図12(b)の窪み441は、前記交線が矩形波状となっている。これらのような、より複雑な形状をした側壁面441wを有する窪み441によれば、ラビング屑70が側壁面441wに引っ掛かる確率が高まり、より効率よくラビング屑70を捕捉することができる。
(変形例2)
上記第1の実施形態および変形例1において、周状の窪み441の数および間隔は、液晶装置1の設計面からの要請に応じて変更することができる。例えば、窪み441同士の間隔を狭くして、多重の(例えば10以上)周状の窪み441を形成してもよい。また、窪み441が一重であったとしてもラビング屑70を捕捉することは可能であるので、上記の効果を得ることができる。また、周状の窪み441のそれぞれは、必ずしも完全に閉じた周をなしていなくてもよく、一部が分断された略周状の窪み441であってもよい。
上記第1の実施形態および変形例1において、周状の窪み441の数および間隔は、液晶装置1の設計面からの要請に応じて変更することができる。例えば、窪み441同士の間隔を狭くして、多重の(例えば10以上)周状の窪み441を形成してもよい。また、窪み441が一重であったとしてもラビング屑70を捕捉することは可能であるので、上記の効果を得ることができる。また、周状の窪み441のそれぞれは、必ずしも完全に閉じた周をなしていなくてもよく、一部が分断された略周状の窪み441であってもよい。
(変形例3)
上記第2の実施形態において、矩形の窪み441は千鳥格子状に配列されているが、これに代えて、マトリクス状、あるいはランダム等、その他の規則性に従って配置されていてもよい。また、矩形の窪み441が表示領域5を囲むように単一の列をなしている場合であっても、ラビング屑70を捕捉することは可能であるので、上記の効果を得ることができる。
上記第2の実施形態において、矩形の窪み441は千鳥格子状に配列されているが、これに代えて、マトリクス状、あるいはランダム等、その他の規則性に従って配置されていてもよい。また、矩形の窪み441が表示領域5を囲むように単一の列をなしている場合であっても、ラビング屑70を捕捉することは可能であるので、上記の効果を得ることができる。
(変形例4)
第四層間絶縁膜44に形成される窪み441の形状は、上記各実施形態および各変形例に示したものに限られず、例えば、楕円形や、多角形等、種々の形状の窪み441によってもラビング屑70を捕捉することができる。このうち、窪み441を正八角形とした場合における表示領域5の境界部分の拡大図を、図13に示す。
第四層間絶縁膜44に形成される窪み441の形状は、上記各実施形態および各変形例に示したものに限られず、例えば、楕円形や、多角形等、種々の形状の窪み441によってもラビング屑70を捕捉することができる。このうち、窪み441を正八角形とした場合における表示領域5の境界部分の拡大図を、図13に示す。
(変形例5)
上述した各実施形態において、窪み441は表示領域5の周囲全体にわたって形成されているが、必ずしもこうした構成でなくともよい。すなわち窪み441は、少なくとも、表示領域5に隣接する領域であって、表示領域5からラビング方向(図5(a)中の矢印90)に沿って延長した線分91上に設けられていればよい。ラビング工程で発生するラビング屑70はラビングの方向に沿って移動しやすいので、表示領域5に移動する可能性のあるラビング屑70は、上記の位置に設けらた窪み441によって大部分が捕捉されるためである。
上述した各実施形態において、窪み441は表示領域5の周囲全体にわたって形成されているが、必ずしもこうした構成でなくともよい。すなわち窪み441は、少なくとも、表示領域5に隣接する領域であって、表示領域5からラビング方向(図5(a)中の矢印90)に沿って延長した線分91上に設けられていればよい。ラビング工程で発生するラビング屑70はラビングの方向に沿って移動しやすいので、表示領域5に移動する可能性のあるラビング屑70は、上記の位置に設けらた窪み441によって大部分が捕捉されるためである。
(変形例6)
上記各実施形態は、本発明をTFT30によってスイッチングを行うTFT液晶装置に適用したものであるが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、TFD(Thin Film Diode)液晶装置やSTN(Super Twisted Nematic)液晶装置等、種々の液晶装置に適用することができる。
上記各実施形態は、本発明をTFT30によってスイッチングを行うTFT液晶装置に適用したものであるが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、TFD(Thin Film Diode)液晶装置やSTN(Super Twisted Nematic)液晶装置等、種々の液晶装置に適用することができる。
1…液晶装置、5…表示領域、10…「第1の基板」としてのTFT基板、11…回路素子層、20…「第2の基板」としての対向基板、30…TFT、37…画素電極、38…対向電極、44…「絶縁膜」としての第四層間絶縁膜、441…窪み、441w…窪みの側壁面、46…配向膜、50…液晶、100…「電子機器」としてのプロジェクタ。
Claims (18)
- 互いに対向して配置された第1の基板および第2の基板と、
前記第1の基板の前記第2の基板に対向する面に形成された絶縁膜と、
表示領域において前記絶縁膜の表面に形成された複数の画素電極と、
少なくとも前記画素電極上に形成され、ラビングにより配向規制される配向膜と、
前記第1の基板および前記第2の基板に挟持された液晶と
を備え、
前記絶縁膜は、前記表示領域に隣接する領域であって、前記表示領域から前記ラビングの方向に沿って延長した線分上に設けられた、側壁面が急傾斜面である窪みを有することを特徴とする液晶装置。 - 請求項1に記載の液晶装置であって、
前記側壁面は、前記第1の基板の表面からの仰角が60度以上の急傾斜面であることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、前記絶縁膜の表面に略垂直な側壁面を有することを特徴とする液晶装置。 - 請求項1に記載の液晶装置であって、
前記窪みの深さは、前記絶縁膜の厚さよりも小さいことを特徴とする液晶装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、前記表示領域を囲う窪みであることを特徴とする液晶装置。 - 請求項5に記載の液晶装置であって、
前記窪みの側壁面と、前記絶縁膜の表面との交線は、鋸歯状をなしていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項5に記載の液晶装置であって、
前記窪みの側壁面と、前記絶縁膜の表面との交線は、矩形波状をなしていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項5から7のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記窪みが複数配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が、前記画素電極の形状と略一致する窪みであることを特徴とする液晶装置。 - 請求項9に記載の液晶装置であって、
複数の前記窪みは列配置され、前記列は複数あって互いに隣接しており、隣接する前記列の間で前記窪みの位置が前記列方向にずれて配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が細長の直線状であることを特徴とする液晶装置。 - 請求項11に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、互いに略平行に配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項11に記載の液晶装置であって、
前記窪みの少なくとも一部は、他の前記窪みと交差することを特徴とする液晶装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が略円形であることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記窪みは、前記絶縁膜の表面における開口の形状が多角形であることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1から15のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
- 第1の基板上に絶縁膜を形成する第1のステップと、
前記絶縁膜のうち、画素電極を形成すべき領域のすべてを包含する表示領域の、外部の領域に窪みを形成する第2のステップと、
前記絶縁膜の表面のうち、前記表示領域に複数の前記画素電極を形成する第3のステップと、
前記画素電極の表面に配向膜を形成する第4のステップと、
前記配向膜の表面をラビングする第5のステップと、
前記第1の基板を、前記絶縁膜の形成された面を対向させて第2の基板と貼り合わせる第6のステップと
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 請求項15に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第2のステップは、異方性エッチングによるエッチング工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005220155A JP2007034117A (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | 液晶装置、電子機器、および液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005220155A JP2007034117A (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | 液晶装置、電子機器、および液晶装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007034117A true JP2007034117A (ja) | 2007-02-08 |
Family
ID=37793426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005220155A Withdrawn JP2007034117A (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | 液晶装置、電子機器、および液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007034117A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100850398B1 (ko) | 2006-07-18 | 2008-08-04 | 가부시끼가이샤 아이피에스 알파 테크놀로지 | 액정 표시 장치 |
JP2009075554A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 液晶装置用基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器 |
JP2010026167A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
CN103454803A (zh) * | 2013-09-22 | 2013-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示装置用基板及制作方法、液晶显示装置 |
WO2017028344A1 (zh) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 |
-
2005
- 2005-07-29 JP JP2005220155A patent/JP2007034117A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100850398B1 (ko) | 2006-07-18 | 2008-08-04 | 가부시끼가이샤 아이피에스 알파 테크놀로지 | 액정 표시 장치 |
JP2009075554A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 液晶装置用基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器 |
JP2010026167A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
CN103454803A (zh) * | 2013-09-22 | 2013-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示装置用基板及制作方法、液晶显示装置 |
CN103454803B (zh) * | 2013-09-22 | 2017-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示装置用基板及制作方法、液晶显示装置 |
WO2017028344A1 (zh) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10707429B2 (en) | Flexible display panel and flexible display apparatus | |
US10014490B2 (en) | Flexible display panel, fabrication method, and flexible display apparatus | |
JP4532231B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4362250B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP5170985B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US9482917B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
JP2007334003A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP2006267317A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
US9523881B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
US10031381B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2007034117A (ja) | 液晶装置、電子機器、および液晶装置の製造方法 | |
US10598990B2 (en) | Array substrate for liquid crystal displays and liquid crystal display including the same | |
JP2008089994A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2004354966A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2010145841A (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
WO2019095458A1 (zh) | 阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法 | |
US11322521B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
TWI439778B (zh) | 畫素陣列基板及顯示面板 | |
JP6082424B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
JP2009047729A (ja) | 液晶表示パネル | |
JP2010026237A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5172023B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP2010156867A (ja) | 薄膜トランジスタ基板前駆体及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
JP5194186B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2010139962A (ja) | アレイ基板、平面表示装置、マザー基板及びアレイ基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081007 |