JP2007020154A

JP2007020154A - スピーカー

Info

Publication number: JP2007020154A
Application number: JP2006144676A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kitazawa; 秀夫北澤; Akimasa Ushigoe; 昭雅牛越; Takamasa Kaneko; 孝昌金児; Kenji Yokoyama; 健司横山
Original assignee: Nidec Pigeon Corp
Current assignee: Nidec Pigeon Corp
Priority date: 2005-06-07
Filing date: 2006-05-24
Publication date: 2007-01-25
Anticipated expiration: 2026-05-24
Also published as: JP4625427B2

Abstract

【課題】外乱ノイズの影響を受けることなく、センターポールとボイスコイルボビンとの間で形成される静電容量を正確に検出することができるスピーカーを提供する。
【解決手段】非金属の筒体２１をベースにして構成されたボイスコイルボビン４とセンターポール５との間に形成される静電容量を検出して電気信号として出力するものであり、筒体２１の内周面２１ａに非磁性の内側銅箔２２及び内側銅メッキ２３を形成するとともに、筒体２１の外周面２１ｂに筒体２１を介して内側銅箔２２及び内側銅メッキ２３を被覆する外側銅箔２５及び外側銅メッキ２６を形成する。また、内側銅メッキ２３上に内側レジスト２４を、外側銅メッキ２６上に外側レジスト２７を形成することが好ましい。また、外側銅メッキ２６を接地することが好ましい。
【選択図】図３

Description

本発明は、スピーカーに関するものであり、さらに詳しくは振動板の動作状態を検出するスピーカーに関するものである。

スピーカーの音質を向上させる技術としてＭＦＢ（ＭｏｔｉｏｎａｌＦｅｅｄＢａｃｋ）回路を搭載したスピーカーが知られている。このＭＦＢ回路は、スピーカーに入力された音声情報を示す電気信号（以下、「音声信号」と記す）に基づいて振動する振動板の動作状態を検出し、その検出結果に基づいて振動板をフィードバック制御するものであり、これにより特に低音域で生じ易い音の歪みを解消することができる。したがって、一般的にＭＦＢ回路は、低音域での再生が難しいとされる小型のスピーカーで採用されることが効果的であるとされている。

ＭＦＢ回路に関する技術としては、例えば特許文献１〜５が開示されている。特許文献１〜５ではいずれも電極間に形成される静電容量の変化を検出することによって振動板の動作状態を検出している。具体的には、振動板またはこの振動板を振動させるためのボイスコイルボビンと呼ばれる電磁コイルに電極（以下、「可動電極」と記す）を固定するとともに、この可動電極に対して対向するように電極（以下、「固定電極」と記す）を固定し、可動電極が固定電極に対して相対的に可動することによって変化した静電容量を検出して、それを検出信号として出力する。そして、静電容量に対応した検出信号と音声信号とを比較装置（例えば、ＣＰＵ）で比較し、その比較結果、すなわち、検出信号の出力レベルと音声信号の出力レベルとの差分に基づいて振動板の動作を適宜に制御する。
特開昭５２−７９６４４号特開昭５３−１２３１９号特開昭５３−１２３２０号特開昭５３−１２３２１号実開昭５７−９６５８９号

しかしながら、電極間で形成される静電容量は数ｐＦ〜数１００ｐＦと非常に微少であることから僅かな量の電磁波や静電気などの影響を受けて変動してしまう。例えば、一般的に振動板は、ボイスコイルボビンと、ボイスコイルボビンに嵌装されるセンターポールと呼ばれる鉄芯と、ボイスコイルボビン及びセンターポールを貫く磁束を生成する磁石とによる励磁作用によって振動するように構成されているが、電極間の静電容量はボイスコイルボビンを流れる励磁電流の影響を受けて変動してしまう。また、スピーカーに組み込まれている電子部品には弱いながらも電磁波を発するものがあり、この電磁波が電極に伝播することで静電容量の変動をもたらす虞もある。また、電極間の静電容量は、スピーカーに組み込まれている部品の振動などの力学的現象に伴う摩擦、スピーカーの内部及び外部の様々な電磁気現象によって引き起こされる静電気、スピーカーの周辺に設置されている電子機器から出力される電磁波などの影響を受けるといったことも考えられる。このように特許文献１〜５の技術では静電容量が変動し、電極間で形成される正しい静電容量を検出することができなくなってしまうといった問題があった。

また、特許文献１〜５で用いられている可動電極は金属箔で構成されているが、その金属箔が一定の磁場内で往復動作することにより金属箔に渦電流が生じ、これにより正しい静電容量を得られなくなるといった問題があった。以上のような問題点により、従来の技術では振動板の動作状態を正しく検出することができず、低音域での音の歪を十分に解消することができなかった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、電磁波や静電気などの外乱ノイズの影響を受けることなく、電極間で形成される静電容量を正確に検出することができるスピーカーを提供することを目的とする。

かかる目的を達成するために、本発明にかかるスピーカーは、非金属の筒体をベースにして構成されたボイスコイルボビンとセンターポールとの間に形成される静電容量を検出して電気信号として出力するものであり、前記筒体の内周面に非磁性の第１導電体膜を形成するとともに、前記筒体の外周面に前記筒体を介して前記第１導電体膜を被覆する第２導電体膜を形成したことを特徴としている。

したがって、このスピーカーによると、外部からの電磁波を第２導電体膜が遮断するので、第１導電体膜とセンターポールとの間で形成される静電容量が保持され、ボイスコイルボビンとセンターポールとの間に形成される静電容量の変化を正しく検出することができる。

また、上記本発明のスピーカーにおいては、第１及び第２導電体膜上に絶縁体膜を形成するように構成することができ、第１導電体膜上に絶縁体膜を形成した場合には、比誘電率を高めることができる。つまり、第１導電体膜とセンターポールとの間で形成される静電容量が増大し、外乱ノイズの影響を受け難くすることができる。また、静電容量が増大することで、仮に外部からの微弱な電磁波が侵入したとしてもその影響を受け難くすることができ、これにより安定した検出結果を得ることができる。また、第２導電体膜上に絶縁体膜を形成した場合には、外乱ノイズと第２導電体膜とを電気的に絶縁した状態にすることができる。具体的には、前記第１導電体膜の内周面に内側絶縁体膜を形成して前記第１導電体膜と前記センターポールとの間に形成される静電容量を検出するようにするとともに、第２導電体膜の外周面上に外側絶縁体膜を形成し、該絶縁体膜の外周面にコイルを巻き回わして前記ボイスコイルボビンを構成する。

また、上記本発明のスピーカーにおいて、第２導電体膜を接地するようにしておけば、例えば、ボイスコイルボビンを構成しているボイスコイルに流れる交流電流、あるいは外部からの電磁波の影響を第２導電体膜により排除することができる。

また、上記本発明のスピーカーにおいて、第１及び第２導電体膜のうちの少なくともいずれか一方を積層化するようにしておけば、各層の導電体膜が本来なら形成されるべき渦電流の流れる回路を切断し、電流を効果的に個々の層内に閉じ込めてしまうので、渦電流を最小限に抑制することができる。例えば、前記第１導電体膜を複数の積層された導電体膜から構成することが好ましい。

また、上記本発明のスピーカーにおいて、第１及び第２導電体膜のうちの少なくともいずれか一方に複数のスリット及び複数の穴のうちの少なくともいずれか一方を形成しておくことができる。このようにしておけば、本来なら導電体膜に形成されるはずの渦電流のループが複数のスリットまたは複数の穴によって切断されるので、渦電流を最小限に抑制することができる。具体的には、複数の積層された導電体膜からなる導電体膜の１つの膜は、箔部材から構成するようにし、この箔部材には、渦電流抑制用の複数のスリット及び複数の穴のうちの少なくともいずれか一方をほぼ均等に形成しておくことが好ましい。

以上のように、本発明のスピーカーによると、筒体の内周面に非磁性の第１導電体膜を形成するとともに、筒体の外周面に筒体を介して第１導電体膜を被覆する第２導電体膜を形成したので、外部からの電磁波を第２導電体膜で遮断することができ、第１導電体膜とセンターポールとの間で形成される静電容量が微少であっても、それを正しく検出することができる。したがって、検出結果の信頼度が高まるので、例えば、その検出結果をＭＦＢ回路に効果的に活用することができ、従来の問題であったスピーカーから発せられる音の歪を解消することができる。これにより小型のスピーカーであっても大型のスピーカー並みの低音域を実現することができる。

また、上記の本発明において、第１及び第２導電体膜上に絶縁体膜を形成すると、第１導電体膜により第１導電体膜とセンターポールとの間で形成される静電容量を増大させることができ、静電容量の検出が行い易くなる。また、静電容量が増大することで、外部からの微弱な電磁波の影響を受け難くすることができる。また、第２導電体膜上の絶縁体膜により、例えば、ボイスコイルボビンに巻き回されているリード線と第２導電体膜とを電気的に絶縁することができるので、リード線に流れる電流が第１及び第２導電体膜に伝導することがなくなる。これにより安定した検出結果を得ることができる。例えば、その検出結果をＭＦＢ回路に効果的に活用することができるので、従来の問題であったスピーカーから発せられる音の歪をより一層確実に解消することができる。したがって、小型のスピーカーであっても大型のスピーカー並みの低音域を実現することができる。

また、上記の本発明において、第２導電体膜を接地するようにしておけば、例えば、ボイスコイルボビンを構成しているボイスコイルボビンに流れる交流電流、あるいは外部からの電磁波の影響を第２導電体膜により排除することができる。これにより第１導電体膜とセンターポールとの間で形成される静電容量をより一層正確に検出することができる。例えば、その検出結果をＭＦＢ回路に効果的に活用することができるので、従来の問題であったスピーカーから発せられる音の歪をより一層確実に解消することができる。したがって、小型のスピーカーであっても大型のスピーカー並みの低音域を実現することができる。

また、上記の本発明において、第１及び第２導電体膜のうちの少なくともいずれか一方を積層化した場合には、各層の導電体膜が本来なら渦電流が流れる回路を切断し、電流を効果的に個々の層内に閉じ込めることができ、渦電流を最小限に抑制することができる。これにより渦電流の影響を受けることなく、第１導電体膜とセンターポールとの間で形成される静電容量をより一層正確に検出することができる。例えば、その検出結果をＭＦＢ回路に効果的に活用することができるので、従来の問題であったスピーカーから発せられる音の歪をより一層確実に解消することができる。したがって、小型のスピーカーであっても大型のスピーカー並みの低音域を実現することができる。

また、上記の本発明において、第１及び第２導電体膜のうちの少なくともいずれか一方に複数のスリット及び複数の穴のうちの少なくともいずれか一方を形成した場合には、本来なら導電体膜に形成されるはずの渦電流のループを複数のスリット、或いは複数の穴で切断することができ、渦電流を最小限に抑制することができる。これにより渦電流の影響を受けることなく、第１導電体膜とセンターポールとの間で形成される静電容量をより一層正確に検出することができる。例えば、その検出結果をＭＦＢ回路に効果的に活用することができるので、従来の問題であったスピーカーから発せられる音の歪をより一層確実に解消することができる。したがって、小型のスピーカーであっても大型のスピーカー並みの低音域を実現することができる。

以下、本発明の構成を図面に示す最良の形態に基づいて詳細に説明する。

図１〜図３に本発明のスピーカーの一実施形態を示す。本発明のスピーカー１は、非金属の筒体２１をベースにして構成されたボイスコイルボビン４とセンターポール５との間に形成される静電容量を検出して電気信号として出力するものであり、筒体２１の内周面２１ａに非磁性の内側銅箔（第１導電体膜）２２及び内側銅メッキ（第１導電体膜）２３を形成するとともに、筒体２１の外周面２１ｂに筒体２１を介して内側銅箔２２及び内側銅メッキ２３を被覆する外側銅箔（第２導電体膜）２５及び外側銅メッキ（第２導電体膜）２６を形成したことを特徴としている。

図１に示すように、スピーカー１は、振動板２、３、ボイスコイルボビン４、センターポール５、マグネット６、７、及びヨーク８を備えている。ケース９は升状に形成されている。このケース９にはセンターポール５、マグネット６、７、及びヨーク８が収納されており、これらはケース９の内壁面に接着剤またはビスなどで固着されている。センターポール５は鉄製であり、円柱状のセンターポール本体５ａと、このセンターポール本体５ａの基端に形成されている円盤状のフランジ５ｂとから構成されている。センターポール５は、センターポール本体５ａの先端部分がケース９の開口９ａの略中央からケース９の外部に突出するようにケース９に配置されている。

センターポール５及びケース９は、エンクロージャーと呼ばれる筐体（不図示）に接続され、接地されている。フランジ５ｂの開口９ａに対向している面には、センターポール本体５ａを中心とするリング状のマグネット６が磁気吸着されている。マグネット６における開口９ａに対向している面には略円板状のヨーク８が磁気吸着されており、マグネット６はヨーク８とフランジ５ｂとによって挟まれた状態となっている。フランジ５ｂにおけるケース９の底部９ｂに対向している面と底部９ｂとの間にはマグネット６と同形状のリング状のマグネット７が設置されている。このマグネット７は、フランジ５ｂに当接する側の極がマグネット６のフランジ５ｂに当接する側の極と同極になるように底部９ｂに配置されている。これによりマグネット６とヨーク８とセンターポール５との間で安定した磁束ループ（後述）が形成される。

略円板状のヨーク８は、円柱状のセンターポール本体５ａの長手方向の軸に対して略直交するとともに、その内周面がセンターポール本体５ａの外周面５ｄに対向するように、マグネット６に磁気吸着されており、ヨーク８の内周面とセンターポール本体５ａの外周面５ｄとの間にはエアーギャップが形成されている。また、上記略円板状のヨーク８は、ケース９内において、その内周面がセンターポール本体５ａを介して対向し、且つ、その外周面がケース９の内壁面に対向した状態で近接するように配置されている。

ボイスコイルボビン４は、先端と後端とが開口された筒状のボビン１０と、このボビン１０の外周に巻き回されたコイル１１とから構成されている。コイル１１としては、エナメル線または銅線などの導電体を用いれば良く、適宜に決定すれば良い。図示しないが、ボビン１０は、前後方向（図中の矢印Ａ方向）にスライド自在となるようにケース９に取り付けられており、これにより後述する励磁作用によって前後方向に振動可能となる。ボビン１０は、その内径がセンターポール本体５ａの外径よりも僅かに大きく、センターポール本体５ａに被せられている。すなわち、コイル１１をヨーク８の内周面に対向させ、且つ、センターポール本体５ａの外周面５ｃとボビン１０の内周面とが略平行となるようにボビン１０をセンターポール本体５ａに被せる。これによりヨーク８の内周面がコイル１１に近接した状態となるとともに、ボビン１０の内周面がセンターポール本体５ａの外周面５ｃに近接した状態となり、マグネット６とヨーク８とセンターポール５との間で図中の円弧矢印方向に常時一定の磁束ループが形成される。なお、マグネット６及びヨーク８は、センターポール５とマグネット６とヨーク８との間で一定の磁束を形成することができるような箇所に設置されていれば良く、設置箇所は適宜に決定すれば良い。

ヨーク８におけるケース９の外部に露呈されている面にはフレーム１２が接着剤で接合されている。また、フレーム１２は上述した筐体（不図示）にビスや接着剤などで接合されており、接地されている。ボビン１０には振動板２、３が取り付けられている。振動板２は、複数の屈曲部を有する薄板であり、その一端がボビン１０の外周面に、他端がフレーム１２に接着剤で接合されている。振動板３は、所謂コーン紙として機能するものであり、その一端がボビン１０の外周面に接合され、他端がジョイント１３を介してフレーム１２に連結されている。センターキャップ１４はアルミ等からなり、ドーム状に形成された本体部と、この本体部の外周縁に沿って形成された鍔部とからなり、この鍔部が振動板３に接着剤で接合されている。これによりボビン１０の開口１０ａがセンターキャップ１４によって覆われる。

図２に示すように、入力端子１５に入力された音声情報を示す電気信号（以下、「音声信号」と記す）はＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）からなる比較器１６を介して電力増幅器１７に入力される。この電力増幅器１７で増幅された音声信号はボイスコイルボビン４に入力される。すなわち、ボイスコイルボビン４のコイル１１に音声信号を示す電流が流れ、この電流と、センターポール５、マグネット６、及びヨーク８の間に形成されている磁束とによる励磁作用によりボイスコイルボビン４が前後方向（図１に示す矢印Ａ方向）に振動する。これに伴って振動板２、３も振動し、スピーカー１から音声が発せられる。

スピーカー１には、検出器１８、変換器１９、及びフィードバック回路２０が設けられている。検出器１８は、センターポール５とボイスコイルボビン４の内側銅メッキ２３（図３参照）とから構成される所謂コンデンサであり、このコンデンサで静電容量が形成される。検出器１８は、センターポール５と内側銅メッキ２３とで形成された静電容量を電気信号として変換器１９に入力する。変換器１９は、検出器１８から入力された電気信号を増幅し、これを検出信号としてフィードバック回路２０を介して比較器１６に入力する。比較器１６は、入力された検出信号に応答して入力端子１５から入力される音声信号と検出信号とを比較する。そして、その比較結果、すなわち、音声信号の出力レベルと検出信号の出力レベルとを比較し、その差分を算出する。次いで、電力増幅器１７は、その算出結果に基づいて音声信号の出力レベルを調節し、それをボイスコイルボビン４に入力する。そして、ボイスコイルボビン４は、電力増幅器１７から入力された音声信号に基づいて振動する。なお、変換器１９は、特に図示しないが、インダクタンス、発振回路、検波回路、ローパスフィルターなどから構成されている。また、フィードバック回路２０は、特に図示しないが、積分回路、バッファアンプ、電子ボリューム、加算回路などから構成されている。

図３に示すように、ボビン１０は、筒体２１、内側銅箔（第１導電体膜）２２、内側銅メッキ（第１導電体膜）２３、内側レジスト（内側絶縁体膜）２４、外側銅箔（第２導電体膜）２５、外側銅メッキ（第２導電体膜）２６、及び外側レジスト（外側絶縁体膜）２７を備えている。

筒体２１は、ボイスコイルボビン４のベースになるものであり、図４に示すように、ポリイミドからなる略短冊状のシート２８を円筒状に形成することによって構成される。シート２８の一方の面、つまり筒体２１の内周面２１ａ（図３参照）に相当する面には、シート２８の大きさ及び形状に対応した内側銅箔２２が接着剤２９（図３参照）によって貼り付けられている。内側銅箔２２には複数の円形状の穴２２ａが横方向と縦方向とに一定のピッチでマトリクス状に形成されている。なお、内側銅箔２２において、穴２２ａを必ずしも規則的に配置する必要はなく、不規則に配置しても良い。また、図５〜図７に示すように、内側銅箔２２に複数のスリット２２ｂを形成しても良い。この場合、スリット２２ｂの配置は、図５に示すように、スリット２２ｂを内側銅箔２２の長手方向に沿って配置しても良い。また、図６に示すように、スリット２２ｂを傾斜させて配置しても良い。また、図７に示すように、スリット２２ｂを互い違いに配置しても良い。このように内側銅箔２２に形成されるスリット２２ｂの配置は適宜に変更可能である。

このようにして形成された内側銅箔２２には、図３に示すように、内側銅メッキ２３が塗装されている。これにより内側銅箔２２と内側銅メッキ２３とからなる銅膜層が形成される。内側銅メッキ２３にはゴムからなる内側レジスト２４が膜状にコーティングされている。また、内側銅箔２２に形成した内側銅メッキ２３には、ハンダ付けによって固着されたリード線３０を介して端子３１が設けられており、この端子３１は変換器１９に接続されている。これによりボイスコイルボビン４とセンターポール本体５ａとの間、つまり、内側銅メッキ２３とセンターポール本体５ａの外周面５ｃとの間で形成される静電容量を示す電気信号が変換器１９に入力される。

図８に示すように、シート２８の他方の面、すなわち筒体２１の外周面２１ｂ（図３参照）に相当する面には、内側銅箔２２に対応するように略短冊状の外側銅箔２５が接着剤３２（図３参照）によって貼り付けられている。図３に示すように、外側銅箔２５には外側銅メッキ２６が塗装されている。これにより筒体２１の外周面２１ｂには、外側銅箔２５と外側銅メッキ２６とからなる銅膜層が形成される。また、外側銅メッキ２６は上述した筐体（不図示）に接続され、接地されている。この外側銅メッキ２６にはゴムからなる外側レジスト２７が膜状にコーティングされている。

ボビン１０は、以上のようにしてシート２８の一方の面、すなわち筒体２１の内周面２１ａに内側銅箔２２、内側銅メッキ２３、及び内側レジスト２４を順次に積層させるとともに、シート２８の他方の面、すなわち筒体２１の外周面２１ｂに外側銅箔２５、外側銅メッキ２６、及び外側レジスト２７を順次に積層させた後、図４におけるシート２８の長手方向の両端部を接着剤で貼り合わせて円筒状に形成することによって作り上げられる。このようにしてボビン１０が形成されると、筒体２１の外周面２１ｂに筒体２１を介して内側銅箔２２及び内側銅メッキ２３を被覆するように外側銅箔２５及び外側銅メッキ２６が形成されることとなる。そして、ボビン１０の外周面、すなわち、外側レジスト２７上にコイル１１が巻き回されることによってボイスコイルボビン４が形成される。

以上のように、図１〜図５に示す構造のスピーカー１によると、入力端子１５に音声信号が入力されると、この音声信号に基づいてボイスコイルボビン４が振動し、この振動に伴って振動板２、３が振動する。これら振動板の振動によってスピーカー１は音声を発生する。このときの振動板２、３の動作状態は、ボイスコイルボビン４とセンターポール本体５ａとの間で形成される静電容量を検出することによって認識される。つまり、ボイスコイルボビン４の内側銅メッキ２３とセンターポール本体５ａの外周面５ｃとの対向面積が変化し、これにより外側銅メッキ３２と外周面５ｃとの間で形成される静電容量が変化する。この静電容量の変化が振動板２、３の変位に相当するものとなる。このようにして検出される静電容量は非常に微少（数ｐＦ〜数百ｐＦ程度）であるため、従来のスピーカーであれば、コイル１１に流れる電流によって生じる磁場や或いはスピーカーを構成している各種電子機器（不図示）から出力される電磁波などの外乱ノイズの影響を受けて変化する虞があった。

しかし、本発明のスピーカー１では、筒体２１の外周面２１ｂに外側銅箔２５及び外側銅メッキ２６を形成したので、これらがコイル１１に流れる電流や外部から侵入しようとする電磁波などを遮断する。また、外側銅メッキ２６とコイル１１との間に外側レジスト２７を形成したので、この外側レジスト２７によって外側銅メッキ２６とコイル１１とを電気的に絶縁することができる。これによりコイル１１に流れる電流が外側銅メッキ２６及び外側銅箔２５に伝導するといった虞がなくなる。また、外側銅メッキ２６は接地されているので、コイル１１に流れる電流や外部からの電磁波などは外側銅メッキ２６によって吸収される。さらに、外側銅メッキ２６とセンターポール本体５ａの外周面５ｃとの間に内側レジスト２４を介在させたので、外側銅メッキ２６とセンターポール本体５ａとによって構成されるコンデンサーの比誘電率が高まる。つまり、静電容量を増大させることができる。したがって、コイル１１に流れる電流や外部から侵入しようとする電磁波などの影響を受けることなく外側銅メッキ２６とセンターポール本体５ａの外周面５ｃとの間で形成される真の静電容量を正確に検出することができる。

また、一般的に、一定の磁場内で導電体を移動させると、その導電体の表面に渦電流が流れるが、本発明では、筒体２１の内周面２１ａに内側銅箔２２及び内側銅メッキ２３を形成するとともに、筒体２１の外周面２１ｂに外側銅箔２５及び外側銅メッキ２６からなる銅膜層を形成したので、渦電流が流れる回路を切断して電流を効果的に個々の膜層内に閉じ込めることができ、これにより渦電流を抑制することができる。さらに、箔部材である内側銅箔２２に複数の穴２２ａをほぼ全体にわたりほぼ均等に形成したので、穴２２ａによって渦電流の回路を切断することができ、これにより渦電流をより一層抑制することができる。したがって、渦電流の影響を受けることなく、外側銅メッキ２６とセンターポール本体５ａの外周面５ｃとの間で形成される真の静電容量をより一層正確に検出することができる。

なお、上述の形態は本発明の好適な形態の一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。例えば、図９に示すように、上述した内側銅箔２２と同様に構成された内側銅箔３６を筒体２１の内周面２１ａに貼り付け、その上に内側レジスト２４を貼り付ける。そして、上述した外側銅箔２５と同様に構成された外側銅箔３７を筒体２１を介して内側銅箔３６を被覆するように筒体２１の外周面２１ｂに貼り付け、その上に外側レジスト２７を貼り付ける。また、上記実施形態と同様にして外側銅箔３７を接地するとともに、内側銅箔３６にリード線３０を介して端子３１を接続する。このように構成することで上記実施形態と同様に外部からの電磁波の侵入やコイル１１に流れる電流の伝導を外側銅箔３７で遮断することができる。

また、上記実施形態では、複数の穴２２ａがほぼ全体にわたりほぼ均等に形成された内側銅箔２２を用いたが、これに限ることなく、穴２２ａと図５〜図７のそれぞれに示す複数のスリット２２ｂをほぼ全体にわたりほぼ均等に形成したパターンのいずれかを組み合わせて使用しても良い。また、図５〜図７のそれぞれに示すスリット２２ｂのパターンを組み合わせて使用しても良い。また、上記実施形態では、穴２２ａを円形状に形成したが、その形状、大きさ、数などは銅箔の大きさ、銅箔の強度、及び銅箔上に発生することが予想される渦電流の規模などの様々な条件に応じて適宜に設定すれば良く、銅箔上に形成される渦電流の回路を切断することができるようなものであれば良い。また、図５〜図７のそれぞれに示すスリット２２ｂの幅、形状、配置、組み合わせ、本数などについても銅箔の大きさ、銅箔の強度、及び銅箔上に発生することが予想される渦電流の規模などに応じて適宜に設定すれば良く、銅箔上に形成される渦電流の回路を確実に切断することができるようなものであれば良い。

上記実施形態では、箔部材である内側銅箔２２に複数の穴２２ａを形成するようにしたが、これに限ることなく、箔部材である外側銅箔２５にも同様の穴や図５〜図７のスリット２２ｂと同様のスリットを形成するようにしても良い。これにより外側銅箔２５上に発生する渦電流をより一層確実に抑制することができる。

上記実施形態では、筒体２１の内周面２１ａに内側銅箔２２及び内側銅メッキ２３からなる２重の銅膜層を形成し、筒体２１の外周面２１ｂに外側銅箔２５及び外側銅メッキ２６からなる２重の銅膜層を形成したが、これに限ることなく、３重または４重の銅膜層を形成しても良く、その積層数は適宜に変更可能である。

上記実施形態では、筒体２１の内周面２１ａに内側銅箔２２を貼り付け、さらにその上に内側銅メッキ２３を塗装し、また、筒体２１の外周面２１ｂに外側銅箔２５を貼り付け、さらにその上に外側銅メッキ２６を塗装し、筒体２１の内周面２１ａと外周面２１ｂとのそれぞれに銅膜層を形成したが、銅を蒸着することで筒体２１の内周面２１ａと外周面２１ｂとのそれぞれに銅膜層を形成しても良い。このように銅膜層を形成する方法は適宜に変更可能である。

上記実施形態では、内側銅メッキ２３に内側レジスト２４を、外側銅メッキ２６に外側レジスト２７をコーティング処理によって形成したが、薄膜状に形成された内側レジスト２４及び外側レジスト２７を内側銅メッキ２３及び外側銅メッキ２６に接着剤を用いて取り付けるようにしても良い。このように各レジストは膜状に形成されていれば良く、それを形成する方法は適宜に変更可能である。

上記実施形態では、筒体２１の内周面２１ａ及び外周面２１ｂに銅膜層を形成したが、これに限ることなく、例えば、アルミニウムからなるアルミニウム層、あるいは導電性のプラスチック層を形成しても良く、筒体２１の内周面２１ａ及び外周面２１ｂには非磁性の導電体膜が形成されていれば適宜に変更可能である。

上記実施形態では、筒体２１をポリイミドによって構成したが、材質はこれに限ることなく、例えば紙であっても良く、絶縁体で構成されていれば適宜に変更可能である。

本発明のスピーカーの構成を示す断面図である。スピーカーの電気的構成を示す機能ブロック図である。ボイスコイルボビン、センターポール、及びヨークの一部の構成を示す断面図である。内側銅箔の構成を示す平面図である。内側銅箔の構成を示す平面図である。内側銅箔の構成を示す平面図である。内側銅箔の構成を示す平面図である。外側銅箔の構成を示す平面図である。本発明における別の実施形態であり、ボイスコイルボビン、センターポール、及びヨークの一部の構成を示す断面図である。

符号の説明

１スピーカー
４ボイスコイルボビン
５センターポール
５ａセンターポール本体
２１筒体
２１ａ内周面
２１ｂ外周面
２２、３６内側銅箔（第１導電体膜）
２２ａ穴
２２ｂスリット
２３内側銅メッキ（第１導電体膜）
２４内側レジスト（内側絶縁体膜）
２５、３７外側銅箔（第２導電体膜）
２６外側銅メッキ（第２導電体膜）
２７外側レジスト（外側絶縁体膜）

Claims

非金属の筒体をベースにして構成されたボイスコイルボビンとセンターポールとの間に形成される静電容量を検出して電気信号として出力するスピーカーにおいて、
前記筒体の内周面に非磁性の第１導電体膜を形成するとともに、前記筒体の外周面に前記筒体を介して前記第１導電体膜を被覆する第２導電体膜を形成したことを特徴とするスピーカー。
前記第１及び第２導電体膜上に絶縁体膜を形成したことを特徴とする請求項１記載のスピーカー。
前記第２導電体膜を接地したことを特徴とする請求項１記載のスピーカー。
前記第１及び第２導電体膜のうちの少なくともいずれか一方を積層化したことを特徴とする請求項１記載のスピーカー。
前記第１及び第２導電体膜のうちの少なくともいずれか一方に複数のスリット及び複数の穴のうちの少なくともいずれか一方を形成したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のスピーカー。
前記第１導電体膜の内周面に内側絶縁体膜を形成して前記第１導電体膜と前記センターポールとの間に形成される静電容量を検出するようにするとともに、第２導電体膜の外周面上に外側絶縁体膜を形成し、該絶縁体膜の外周面にコイルを巻き回わして前記ボイスコイルボビンを構成したことを特徴とする請求項１記載のスピーカー。
前記第２導電体膜を接地したことを特徴とする請求項６記載のスピーカー。
前記第１導電体膜は、複数の積層された導電体膜からなるものであることを特徴とする請求項７記載のスピーカー。
前記複数の積層された導電体膜からなる第１導電体膜の１つの膜は、箔部材から構成されており、この箔部材には、渦電流抑制用の複数のスリット及び複数の穴のうちの少なくともいずれか一方が形成されていることを特徴とする請求項８記載のスピーカー。