JP2007018692A - データ入力及びデータ出力制御装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、m=2n+kビット(ここで、m、n、及びkは整数)で構成される複数個のライトまたはリードデータが外部クロック信号の1クロックサイクル内にアクセスすることのできるデータ入力及びデータ出力制御装置とデータ入力及び出力制御方法を提供する。
【選択図】 図5
Description
12 命令デコーダCOM DEC
14−1’〜14−j’ 直並列変換器
16−1’〜16−j’ 並直列変換器
18’ メモリセルアレイ
20 ローデコーダ
22 コラムデコーダ
24’ クロック発生器CLK Gen.
26’ 制御信号発生回路CSG Ckt.
CLK1 内部クロック信号
ECLK 外部クロック信号
P1〜P(m) 制御信号
WE ライト命令信号
Claims (44)
- m−1個の制御信号それぞれに応答してm(mは3以上の整数)ビットの直列ビットストリームのうち1ビットからm−1ビットまでを順次に受信するm−1個のレジスタを具備し、前記m−1個のレジスタそれぞれは前記mビットの直列ビットストリームのうち1ビットからm−1ビットまでをm−1個の第1レジスタアレイの出力として保存して出力し、前記m−1個の第1レジスタアレイの出力それぞれは外部クロック信号の1サイクルの間に出力されるm−1個のレジスタの第1レジスタアレイと、
m−1個の第1レジスタアレイの出力を順次に受信するm個のレジスタを具備し、前記m個のレジスタそれぞれはm番目制御信号に応答して1ビットからmビットまでをm個の第2レジスタアレイ出力として同時に保存して出力し、前記m個の第2レジスタアレイ出力のすべてが前記外部クロック信号の1クロックサイクルの間に出力されるm個のレジスタの第2レジスタアレイと、
を具備して、
前記mビットの直列ビットストリームは、並列mビットストリームに変換され、
前記mビットは、2n(nは1以上の整数)個のデータビット及びk(kは1以上の整数)個のデータビットを含む
ことを特徴とする直並列変換器。 - 前記第1レジスタアレイのm−1個のレジスタのそれぞれ、及び前記第2レジスタアレイのm個のレジスタのそれぞれは、フリップフロップである
ことを特徴とする請求項1に記載の直並列変換器。 - 前記フリップフロップは、Dフリップフロップである
ことを特徴とする請求項2に記載の直並列変換器。 - 前記2n個のデータビット及び前記k個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データである
ことを特徴とする請求項1に記載の直並列変換器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはチェックデータである
ことを特徴とする請求項1に記載の直並列変換器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはマスクデータである
ことを特徴とする請求項1に記載の直並列変換器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはダミーデータである
ことを特徴とする請求項1に記載の直並列変換器。 - m−1個の制御信号のそれぞれに応答してm(mは3以上の整数)ビットの直列ビットストリームの1ビットからm−1ビットまでを順次に受信し、
前記mビットの直列ビットストリームの1ビットからm−1ビットまでを保存して出力し、前記m−1個の第1出力のそれぞれを外部クロック信号の1サイクルの間に出力し、
前記m−1個の第1出力と前記m番目のビットを順次に受信し、
m番目の制御信号に応答して1ビットからmビットまでをm個の第2出力として保存して出力し、前記m個の第2出力のすべてを前記外部クロック信号の1サイクルの間に出力し、
前記mビットの直列ビットストリームを並列mビットストリームに変換し、前記mビットは2n(nは1以上の整数)個のデータビット及びk(kは1以上の整数)個のデータビットを含む
ことを特徴とする直並列変換方法。 - m(mは3以上の整数)ビットの並列ビットストリームの1ビットからmビットまでを同時にそれぞれ受信するn個のロジッグゲートを具備し、前記m個のロジッグゲートそれぞれはm個の制御信号それぞれに応答してmビットの直列ビットストリームの1ビットからmビットまでをm個のロジッグゲートアレイ出力として順次に出力し、前記m個のロジッグゲートアレイ出力のすべてを外部クロック信号の1サイクルの間に出力するm個のロジッグゲートのロジッグゲートアレイと、
前記m個のロジッグゲートアレイ出力を順次に受信し、1ビットからmビットまでをmビットの直列ビットストリームとして出力し、1ビットからmビットまでのすべてを前記外部クロック信号の1サイクルの間に出力するロジッグゲートと、
を具備して、
前記mビットの並列ビットストリームは、mビットの直列ビットストリームに変換され、
前記mビットは、2n(nは1以上の整数)個のデータビット及びk(kは1以上の整数)個のデータビットを含む
ことを特徴とする並直列変換器。 - 前記m個のロジッグゲートは、ANDゲートであり、
前記ロジッグゲートはORゲートである
ことを特徴とする請求項9に記載の並直列変換器。 - 前記2n個のデータビット及び前記k個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データである
ことを特徴とする請求項9に記載の並直列変換器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはチェックデータである
ことを特徴とする請求項9に記載の並直列変換器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはマスクデータである
ことを特徴とする請求項9に記載の並直列変換器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはダミーデータである
ことを特徴とする請求項9に記載の直並列変換器。 - m(mは3以上の整数)ビットの並列ビットストリームの1ビットからmビットまでを同時に受信し、
mビットの直列ビットストリームの1ビットからmビットまでをm個の制御信号それぞれに応答してm個の第1出力として順次に出力し、前記m個の第1出力のすべてを外部クロック信号の1サイクルの間に出力し、
前記m個の第1出力を順次に受信し、1ビットからmビットまでをmビットの直列ビットストリームとして出力し、1ビットからmビットまでのすべてを前記外部クロック信号の1サイクルの間に出力して、
前記mビットが並列ビットストリームを前記mビットの直列ビットストリームに変換し、前記mビットは2n(nは1以上の整数)個のデータビット及びk(kは1以上の整数)個のデータビットを含む
ことを特徴とする並直列変換方法。 - 少なくとも2個の内部クロック信号を受信し、p個の制御信号(pは3以上の整数)を発生し、p=2n+kであり、2n(nは1以上の整数)はデータビットの数であり、kはデータビット(kは1以上の整数)の数であり、前記p個の制御信号のすべてを外部クロック信号の1クロックサイクルの間に順次に発生するロジッグ回路を具備する
ことを特徴とする制御信号発生器。 - 前記2n個のデータビット及び前記k個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データである
ことを特徴とする請求項16に記載の制御信号発生器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはチェックデータである
ことを特徴とする請求項16に記載の制御信号発生器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはマスクデータである
ことを特徴とする請求項16に記載の制御信号発生器。 - 前記2n個のデータビットは、メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはダミーデータである
ことを特徴とする請求項16記載の制御信号発生器。 - メモリセルアレイと、
少なくとも2個の内部クロック信号を受信し、p個の制御信号(pは3以上の整数)を発生し、p=2n+kであり、2n(nは1以上の整数)はデータビットの数であり、kはデータビット(kは1以上の整数)の数であり、前記p個の制御信号のすべてを外部クロック信号の1クロックサイクルの間に順次に発生する制御信号発生器回路と、
m(mは3以上の整数)ビットの直列ビットストリームを順次に受信し、前記mビットの直列ビットストリームをp個の制御信号それぞれに応答して並列ビットストリームに変換し、前記並列ビットストリームのすべてを前記外部クロック信号の1サイクル間出力し、少なくとも前記2n個のデータビットは前記メモリセルアレイに用いられることができる少なくとも1つの直並列変換器と、
前記メモリセルアレイからリードされる少なくとも並列2nビットストリームを受信し、前記並列2nビットストリームを前記2n個の制御信号それぞれに応答して直列ビットストリームに変換し、前記直列ビットストリームのすべてを前記外部クロック信号の1サイクルの間に出力し、少なくとも前記2n個のデータビットは前記メモリセルアレイからリードすることができる少なくとも1つの並直列変換器と、
を具備することを特徴とするメモリ装置。 - 前記2nデータビット及び前記k個のデータビットは、前記メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データである
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記2n個のデータビットは、前記メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはチェックデータである
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記2n個のデータビットは、前記メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはマスクデータである
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記2n個のデータビットは、前記メモリセルアレイにライトすることができ、前記メモリセルアレイからリードすることができる有効データであり、
前記k個のデータビットはダミーデータである
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの直並列変換器は、ライトイネーブル信号をさらに受信し、少なくとも前記2n個のデータビットを前記メモリセルアレイに用いる
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの並直列変換器は、リードイネーブル信号をさらに受信し、少なくとも前記2n個のデータビットを前記メモリセルアレイからリードする
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの直並列変換器は、前記mビットの直列ビットストリームを前記2n個のデータビットと前記k個のデータビットを含む並列mビットストリームに変換し、
前記並列mビットストリームは前記メモリセルアレイに用いられることができる
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの並直列変換器は、前記並列mビットストリームを前記メモリセルアレイからリードすることができるmビットの直列ビットストリームに変換し、
前記mビットの直列ビットストリームは前記2n個のデータビットと前記k個のデータビットとを含む
ことを特徴とする請求項28に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの直並列変換器は、前記mビットの直列ビットストリームを、前記メモリセルアレイに用いられることができる前記2n個のデータビットと前記k個のデータビットを含む並列mビットストリームに変換する
ことを特徴とする請求項21に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの並直列変換器は、前記並列mビットストリームをmビットの直列ビットストリームに変換し、
前記2n個のデータビットは、前記メモリセルアレイからリードすることができる
ことを特徴とする請求項30に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの直並列変換器から前記並列mビットストリームを受信し、複合エラー検出信号を発生するエラー検出回路をさらに具備する
ことを特徴とする請求項30に記載のメモリ装置。 - 前記エラー検出回路は、
少なくとも1つの直並列変換器から並列mビットストリームを受信しkビット信号を発生する分配器と、前記kビット信号を受信しエラー検出信号を発生するエラー決定回路とを具備する少なくとも1つのエラー検出器と、
少なくとも1つの前記エラー決定回路から前記エラー検出信号を組み合わせ前記複合エラー検出信号を発生するエラー検出信号発生回路と、
を具備する
ことを特徴とする請求項32に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つのエラー検出器は、パリティチェックで実現することを特徴とする請求項33記載のメモリ装置。
- 前記少なくとも1つのエラー検出器は、循環リダンダンシーチェック(CRC;Cyclic Redundancy Check)実現を実行する
ことを特徴とする請求項33記載のメモリ装置。 - 前記メモリセルアレイから前記2n個のデータビットを受信し、少なくとも1つのkビットコードを発生するエラー検出コード発生回路をさらに具備する
ことを特徴とする請求項32に記載のメモリ装置。 - 前記エラー検出コード発生回路は、
前記メモリセルアレイから前記2n個のデータビットを受信し、mビットを発生するシフトレジスタと、
前記mビットを分配してkビットコードを発生する分配器を具備する少なくとも1つのエラー検出コード発生器と、
を具備する
ことを特徴とする請求項36に記載のメモリ装置。 - 前記少なくとも1つの直並列変換器から前記並列mビットストリームを受信し、前記メモリセルアレイに用いられることができる前記2n個のデータビットを発生するデータマスキング回路をさらに具備する
ことを特徴とする請求項30に記載のメモリ装置。 - 前記データマスキング回路は、
複数個のスイッチを具備し、前記複数個のスイッチそれぞれは前記少なくとも1つの直並列変換器から前記2n個のデータビット及び前記k個のデータビットを受信し、前記2n個のデータビットの少なくとも1つをマスクする
ことを特徴とする請求項38に記載のメモリ装置。 - 前記kが増加することによってマスキング分解能(resolution)が増加する
ことを特徴とする請求項39記載のメモリ装置。 - 前記メモリセルアレイに対する温度情報を受信し、前記少なくとも1つの並直列変換器にkビットの温度情報を出力する少なくとも1つの温度検出発生器をさらに具備する
ことを特徴とする請求項38に記載のメモリ装置。 - k個のダミービットを発生し、前記k個のダミービットを前記少なくとも1つの並直列変換器に出力する少なくとも1つのダミービット発生器をさらに具備する
ことを特徴とする請求項39に記載のメモリ装置。 - 少なくとも2個の内部クロック信号を受信し、p(pは3以上の整数)個の制御信号を発生し、p=2n+kであり、2n(nは1以上の整数)はデータビットの数であり、k(kは1以上の整数)はデータビットの数であり、p個の制御信号のすべてを外部クロック信号の1クロックサイクルの間に順次に発生し、
m(mは3以上の整数)ビットの直列ビットストリームを順次に受信し、前記mビットの直列ビットストリームを前記p個の制御信号それぞれに応答して並列ビットストリームに変換し、前記並列ビットストリームのすべてのビットを前記外部クロック信号の1サイクルの間に出力し、少なくとも前記2n個のデータビットは前記メモリセルアレイに用いられることができ、
前記メモリセルアレイからリードされる少なくとも並列2nビットストリームを受信し、前記並列2nビットストリームを前記2n個の制御信号それぞれに応答して直列ビットストリームに変換し、前記直列ビットストリームはすべてのビットを前記外部クロック信号の1クロックサイクルの間に出力し、少なくとも前記2nビットデータは前記メモリセルアレイからリードすることができる
ことを特徴とするメモリセルアレイにデータをライトしメモリセルアレイからデータをリードする方法。 - 複数個のメモリ装置を具備し、
前記複数個のメモリ装置のそれぞれは、
メモリセルアレイと、
少なくとも2個の内部クロック信号を受信し、p(pは3以上の整数)個の制御信号を発生し、p=2n+kであり、2n(nは1以上の整数)はデータビットの数であり、k(kは1以上の整数)はデータビットの数であり、p個の制御信号のすべてを外部クロック信号の1クロックサイクルの間に順次に発生する制御信号発生器回路と、
m(mは3以上の整数)ビットの直列ビットストリームを順次に受信し、前記mビットの直列ビットストリームを前記p個の制御信号それぞれに応答して並列ビットストリームに変換し、前記並列ビットストリームのすべてのビットを前記外部クロック信号の1サイクルの間に出力し、少なくとも前記2n個のデータビットは前記メモリセルアレイに用いられることができる少なくとも1つの直並列変換器と、
前記メモリセルアレイからリードされる少なくとも並列2nビットストリームを受信し、前記並列2nビットストリームを前記2n個の制御信号それぞれに応答して直列ビットストリームに変換し、前記直列ビットストリームはすべてのビットを前記外部クロック信号の1クロックサイクルの間に出力し、少なくとも前記2nビットデータは前記メモリセルアレイからリードすることができる少なくとも1つの並直列変換器を具備するメモリモジュールと、
前記外部クロック信号を前記制御信号発生器回路に供給する少なくとも2個の内部クロック信号を発生する前記複数個のメモリ装置のそれぞれの位相同期ループに供給し、前記複数個のメモリ装置から前記少なくとも2n個のデータビットをリードし、前記複数個のメモリ装置に前記少なくとも2n個のデータビットをライトするための命令信号及びアドレス信号を供給するメモリコントローラと、
を具備する
ことを特徴とするメモリシステム。
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