JP2007017366A - 歪センサおよび歪センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 測定対象に対して探針の成す角度が常に一定に保たれるようにし、生体細胞等に微小な探針を押し込んだ際の貫通力を正確に計測できるようにした歪センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の歪センサは、ダイアフラム3の一方の面の中央部に針状突起4が設けられたセンサ基板1と、センサ基板1のダイアフラム3中央部の変移を検出する検出手段である第一電極6と第二電極10とからなる静電容量を有する。この歪センサは、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程の後に帯状窓に沿って基板を所定量エッチングし、基板に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程によって製造される。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明の歪センサは、ダイアフラム3の一方の面の中央部に針状突起4が設けられたセンサ基板1と、センサ基板1のダイアフラム3中央部の変移を検出する検出手段である第一電極6と第二電極10とからなる静電容量を有する。この歪センサは、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程の後に帯状窓に沿って基板を所定量エッチングし、基板に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程によって製造される。
【選択図】 図2
Description
本発明は、創薬の研究分野などにおいて生体細胞に微小なニードルを差し込んだ際の貫通力を求める歪センサおよび歪センサの製造方法に関する。
創薬の研究分野などにおいては、生体細胞の力学的反応など、その各種情報を正確に把握することが求められている。しかし、生体細胞は、形状が微細でありしかも柔らかいので、微小な力を加えることにより変形しやく、その力学的特性を正確に把握することが極めて困難であった。特に、生体細胞に微小なニードルを差し込んだ際の貫通力などは、その情報が微弱な力学量であるばかりか、ニードルを差し込む角度制御が定め難いので、正確な計測が極めて困難であった。
微小ニードルを利用したセンサしては、特許文献1に開示されているような変移センサ、いわゆるAFMセンサが知られている。特許文献1に開示されているAFMセンサは、図8に示すように、支持部103に一端を支持された片持ち梁部101の自由端の裏面に窒化シリコンからなる探針部102を取り付け、ボロンを拡散したシリコンからなる抵抗層104にて片持ち梁部101の変位を検出するようにしたものである。
しかし、片持ち梁部101の自由端に探針部102を取り付けたセンサにおいては、測定対象に対して探針部102を押し込んでいくと、その反発力により片持ち梁部101が支持部103を支点に回転するので、測定対象に対して探針部102の成す角度も片持ち梁部101の変位に合わせて回転する。従って、生体細胞のように測定対象が柔らかいものにおいては、誤差が大きくなるという問題があった。
特開平6−307852号公報
本発明は、従来の微小ニードルセンサの問題点を解消し、測定対象に対して探針の成す角度が常に一定に保たれるようにし、生体細胞などのように柔らかい測定対象に微小な探針を押し込んだ際の貫通力を正確に計測できるようにした歪センサを提供するとともにその製造方法を提供することを目的としている。
本発明によれば、ダイアフラムが形成され、該ダイアフラムの一方の面の中央部に針状突起が設けられたセンサ基板と、該センサ基板のダイアフラム中央部の変移を検出する検出手段とを有することを特徴とする歪センサが得られる。
また、前記検出手段が、前記センサ基板のダイアフラムの他方の面の中央部に形成された第1電極と、該第1電極と対向し、平行に形成された第2電極からなる静電容量を有することを特徴とする歪センサを提供する。
さらに、前記検出手段が、前記センサ基板のダイアフラムの他方の面の中央部に接合され、前記ダイアフラム中央部の変移に対応して伝播特性が変化する表面弾性波素子を有することを特徴とする歪センサを提供する。
また、前記針状突起が円錐状あるいは多角錐状であることを特徴とする歪センサを提供する。さらに、前記センサ基板がシリコンあるいは水晶であることを特徴とする歪センサを提供する。
また本発明によれば、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、該パターニング工程の後に前記帯状窓に沿って前記基板を所定量エッチングし、前記基板に前記帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムと該ダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程とを有することを特徴とする歪センサの製造方法が得られる。
本発明によれば、センサ基板に形成されたダイアフラムの中央部に針状突起を設けたので、センサ基板を測定対象に対して一定の姿勢に保ちながら近づけることにより、針状突起を生体細胞などのように柔らかい測定対象に対しても一定の角度を保って押し込むことができる。その際の反撥力によりダイアフラム中央部に生じる変移を検出手段が検出するので、その貫通力を正確に計測することができる。針状突起がセンサ基板面およびダイアフラム面に対して垂直であれば、測定対象に対して針状突起の姿勢を一定に保つことが極めて容易である。
また、検出手段が、ダイアフラムの他方の面の中央部に形成された第1電極と、第1電極と対向して平行に形成された第2電極からなる静電容量であれば、電極間の距離を適宜調整して微小な圧力を検出することが容易である。加えて、検出手段を形成するプロセスが容易である。
さらに、検出手段が、ダイアフラムの他方の面の中央部に接合され、ダイアフラム中央部の変移に対応して伝播特性が変化する表面弾性波素子であれば、共振周波数変化あるいは位相変化を利用して高感度の圧力センサを得ることが容易である。表面弾性波素子がATカット水晶基板にくし歯型電極を形成したものであると、温度変化に対して安定した弾性表面波を発生させることができるので、周囲の温度に左右されずに正確な計測ができる。
針状突起が円錐状であると、等方性エッチングを適用して、センサ基板に針状突起とダイアフラムを一体形成することが容易である。針状突起が多角錐状であると、異方性エッチングを適用して、センサ基板に針状突起とダイアフラムを一体形成することが容易である。
センサ基板がシリコンであると、針状突起をセンサ基板に一体形成し、疎水性の針状突起を得ることができる。センサ基板が水晶であると、針状突起をセンサ基板に一体形成し、親水性の針状突起を得ることができる。
さらに本発明によれば、基板の一面に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中心に支持された針状突起とを一体に形成できるので、基板の姿勢を測定対象に対して一定に保ちながら基板を測定対象に近づけ、生体細胞などのように柔らかい測定対象に対しても針状突起の成す角度を一定に保って押し込むことができるセンサ基板が得られる。
従って、その反撥力によりダイアフラムが撓む量を、ダイアフラムに形成した静電容量あるいは表面弾性波素子により検出することにより、その貫通力を正確に計測できる歪センサを作ることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態の歪センサの構成を示す要部斜視図であり、図1において、1はセンサ基板であるシリコン基板、2はシリコン基板1に接合された支持基板であるシリコン基板であり、シリコン基板1とシリコン基板2とが図中左右方向にずらして接合されている。シリコン基板1の一方の面は、その一部が丸鉢状に掘り込まれ、底部が円形のダイアフラム3となっていて、ダイアフラム3の中央に針状突起である円錐状突起4が形成されている。
図2は、図1に示した歪センサの円錐状突起4の左右方向に延びる中心線Aに沿った要部断面図であり、図2に示すように、ダイアフラム3と円錐状突起4はシリコン基板1に一体形成されている。ダイアフラム3は、厚さt1のシリコン基板1が、表面部の径がΦ1、深さがt2、底部の径がΦ2、の丸鉢状に掘り込まれて形成されたものである。その形状は、径がΦ2、厚さt3の円板であり、その中央部にダイアフラム3と一体に形成され、底部の径がΦ3、高さがh1の円錐状突起4を支持しており、その周辺部がテーパー部5を介してシリコン基板1と一体になっている。
シリコン基板1の円錐状突起4と反対側の面には径がΦ4の円形状の薄膜電極6が円錐状突起4と同心円状に形成され、薄膜電極6の引出し部7がシリコン基板1の図中左側に取り出されている。
シリコン基板2は、厚さがt4であり、ダイアフラム3と対向する面が、円錐状突起4と同心円に、かつ表面部の径がΦ5、底部に径Φ6の円形平坦部9を設けて深さがt5の丸鉢状に掘り込まれ、凹部8が形成されている。凹部8の平坦部9には径がΦ4の円形状の薄膜電極10が薄膜電極6と対向して形成され、その引出し部11がシリコン基板2の図中右側に取り出されている。尚、ここでは、Φ4とΦ6を等しい値としている。シリコン基板1とシリコン基板2の凹部8で囲まれた空間には空気あるいは希ガス等が充填されており、薄膜電極6と薄膜電極10が静電容量を形成している。
このような構成の歪センサは、円錐状突起4にその先端を軸方向に押し付ける力が加えられると、ダイアフラム3がシリコン基板2の方向に撓む。その結果、薄膜電極6と薄膜電極10の距離が接近し、静電容量が増加するので、その静電容量の変化を適宜計測することにより、円錐状突起4に加わる力を求めることができる。
次に、図1に示した本発明の第1の実施の形態の歪センサの製造方法について、図面を参照して説明する。
図3は、本発明の第1の実施の形態の歪センサの製造工程を示す要部工程断面図であり、図3において図3(a)ないし図3(d)はシリコン基板1の加工工程を示している。
まず、厚さt1の所定の大きさのシリコン基板1を用意し、その表面および裏面に金等をスパッタ法などにより所定厚さに成膜して、図3(a)に示すように、導電性薄膜50、60を形成する。
次に、導電性薄膜50をフォトリソグラフィー技術によりパターニングして導電性薄膜50の一部をリング状にエッチング除去し、図3(b)に示すように、シリコン基板1の表面1sを露出させる。
続いて、図3(b)にて得られたシリコン基板1を、例えば、エッチャント(HF:HNO3:CH3COOH=1:10:3)を用いて表面1sから等方性エッチングし、図3(c)に示すように、シリコン基板1にダイアフラム3を、表面部の径がΦ1、深さがt2、底部の径がΦ2、厚さがt3の丸鉢状に形成するとともに、その中央部にダイアフラム3と一体に底部の径がΦ3、高さがh1の円錐状突起4を形成する。なお、ダイアフラム3は、その周辺部がテーパー部5を介してシリコン基板1と一体になっている。
その後、図3(c)にて得られたシリコン基板1を、フォトリソグラフィー技術によりパターニングして導電性薄膜60の一部をエッチング除去し、図3(d)に示すようにシリコン基板1の円錐状突起4と反対側の面に、径がΦ4の円形状の薄膜電極6を円錐状突起4と同心円状に形成するとともに、薄膜電極6の引出し部7を形成する。尚、このとき、残余の導電性薄膜50は必要に応じて除去できる。
図4は、本発明の第1の実施の形態の歪センサの他の製造工程を示す要部工程断面図であり、図4において図4(a)ないし図4(d)はシリコン基板2の加工工程を示している。
まず、厚さt4の所定の大きさのシリコン基板2を用意し、シリコン基板2の一方の面に酸化シリコン膜を形成し、フォトリソグラフィー技術によりパターニングする。その後、例えば、エッチャント(HF:NH4F=1:7)を用いて酸化シリコン膜表面より等方性エッチングを行い、図4(a)に示すように、シリコン基板2に表面部の径がΦ5、深さがt5、底部の径がΦ6の丸鉢状の凹部8を形成する。
次に、図4(b)に示すように、シリコン基板2の凹部8が形成された面に、薄膜電極10およびその引出し部11を除く形状にポジレジストのパターン71を形成する。
続いて、図4(c)に示すように、シリコン基板2のパターン71が形成された面全体に、金等をスパッタ法などにより所定厚さに成膜し、導電性薄膜70を形成する。
次に、ポジレジストのパターン71に従って、導電性薄膜70をリフトオフし、図4(d)に示すように、ダイアフラム3と対向する面に径がΦ4の円形状の薄膜電極10とその引出し部11を形成する。
図5は、これら加工工程で作られたシリコン基板1とシリコン基板2とを用いて歪センサを組立てる工程を示す要部工程断面図であり、図3(d)に示すシリコン基板1と図4(d)に示すシリコン基板2とを、例えば常温接合により接合し、歪センサを完成させたものである。
本発明の第1の実施の形態の歪センサにおいては、円錐状突起4の先端を軸方向に押し付けた際にダイアフラム3が撓むのを利用し、その撓み量を静電容量の変化により検出して、円錐状突起4に加わる力を求めるようにしたものである。
しかし、撓み量を、ダイアフラム3の変形に対応して伝播特性が変化するくし歯型電極を有する表面弾性波素子により検出することもできる。
しかし、撓み量を、ダイアフラム3の変形に対応して伝播特性が変化するくし歯型電極を有する表面弾性波素子により検出することもできる。
以下このような本発明の第2の実施の形態の歪センサについて説明する。
図6は、本発明の第2の実施の形態の歪センサの構成を示す要部斜視図であり、図6において、21はセンサ基板であるシリコン基板、22はシリコン基板21に接合された表面弾性波素子となる水晶基板であり、シリコン基板21と水晶基板22とが図中左右方向にずらして接合されている。シリコン基板21の一方の面は、第1の実施の形態の歪センサのシリコン基板1と全く同様にその一部が丸鉢状に掘り込まれ、底部が円形のダイアフラム23となっていて、ダイアフラム23の中央に針状突起である円錐状突起24が形成されている。
図6は、本発明の第2の実施の形態の歪センサの構成を示す要部斜視図であり、図6において、21はセンサ基板であるシリコン基板、22はシリコン基板21に接合された表面弾性波素子となる水晶基板であり、シリコン基板21と水晶基板22とが図中左右方向にずらして接合されている。シリコン基板21の一方の面は、第1の実施の形態の歪センサのシリコン基板1と全く同様にその一部が丸鉢状に掘り込まれ、底部が円形のダイアフラム23となっていて、ダイアフラム23の中央に針状突起である円錐状突起24が形成されている。
ダイアフラム23と円錐状突起24はシリコン基板21に一体形成されており、ダイアフラム23および円錐状突起24の構成は、図1に示したものと同じであるので、その説明を省略する。シリコン基板21とシリコン基板1との相違は、シリコン基板21の円錐状突起24と反対側の面が平坦で、薄膜電極と引出し部が形成されていないことである。
図7は、水晶基板22の構成を示す要部斜視図であり、水晶基板22は、厚さt6のATカットの水晶基板であり、水晶基板22の一面には送信用くし歯型電極26と受信用くし歯型電極27が設けられ、くし歯型電極26には信号源28が接続され、くし歯型電極27には、図示を省略しているが、受信回路が接続される。
このような水晶基板22は、くし歯型電極26とくし歯型電極27が設けられていない面が、シリコン基板21の円錐状突起24と反対側の平坦な面と、くし歯型電極26とくし歯型電極27間の中心Cが円錐状突起24の中心と重なるように位置づけられ、接合されている。
このような本発明の第2の実施の形態の歪センサは、信号源28によりくし歯型電極26を励振すると、水晶基板22が伝播特性に応じた周波数で共振し、くし歯型電極27に接続された受信回路にその共振特性が検出される。ここで、円錐状突起24にその先端を軸方向に押し付ける力が加えられると、ダイアフラム23が水晶基板22の方向に撓む。その結果、水晶基板22が撓み、水晶基板22の伝播特性が変化し、その共振周波数が変化するので、その共振周波数の変化を適宜計測することにより、円錐状突起24に加わる歪を求めることができる。
次に、図6に示した本発明の第2の実施の形態の歪センサの製造方法について、説明する。シリコン基板21は、図3に示したシリコン基板1と殆ど同じ工程で作ることができる。シリコン基板1の工程と異なる点は、シリコン基板21が、薄膜電極6とその引出し部7を形成する工程、即ち、導電性薄膜60の形成およびそのパターニングが不要となることである。ここでは、その詳細な説明を省略する。
また一方で、厚さt6の所定の大きさのATカットの水晶基板22を用意し、所定の厚さにアルミニウムなどの導電性薄膜をスパッタ形成する。次に、導電性薄膜を所定のパターンにエッチングしてくし歯型電極26とくし歯型電極27を形成する。また適宜、くし歯型電極26とくし歯型電極27のための引出し線を形成し、図7に示すような水晶基板22に加工する。
その後、このような工程で得られたシリコン基板21と水晶基板22とを位置合わせして接合し、図6に示したような一体構造とし、歪センサを完成する。
以上の実施の形態の歪センサにおいて、針状突起を円錐状としたが、針状突起は異等方性エッチングを適用して、多角錐状に形成することもできる。
また、センサ基板は、シリコンとしたが、水晶を用いて針状突起をセンサ基板に一体形成し、親水性の針状突起を得ることもできる。
更に、表面弾性波素子はATカット水晶基板を用いたが、ATカット水晶基板に限られるものではなく、他の圧電性材料の基板を用いてもよい。
1、2、21 シリコン基板
3、23 ダイアフラム
4、24 円錐状突起
5 テーパー部
6、10 薄膜電極
7、11 引出し部
8 凹部
9 平坦部
22 水晶基板
26、27 くし歯型電極
28 信号源
3、23 ダイアフラム
4、24 円錐状突起
5 テーパー部
6、10 薄膜電極
7、11 引出し部
8 凹部
9 平坦部
22 水晶基板
26、27 くし歯型電極
28 信号源
Claims (6)
- ダイアフラムが形成され、該ダイアフラムの一方の面の中央部に針状突起が設けられたセンサ基板と、該センサ基板のダイアフラム中央部の変移を検出する検出手段とを有することを特徴とする歪センサ。
- 前記検出手段が、前記センサ基板のダイアフラムの他方の面の中央部に形成された第1電極と、該第1電極と対向し、平行に形成された第2電極からなる静電容量を有することを特徴とする請求項1記載の歪センサ。
- 前記検出手段が、前記センサ基板のダイアフラムの他方の面の中央部に接合され、前記ダイアフラム中央部の変移に対応して伝播特性が変化する表面弾性波素子を有することを特徴とする請求項1記載の歪センサ。
- 前記針状突起が円錐状あるいは多角錐状であることを特徴とする請求項1記載の歪センサ。
- 前記センサ基板がシリコンあるいは水晶であることを特徴とする請求項1記載の歪センサ。
- 基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、該パターニング工程の後に前記帯状窓に沿って前記基板を所定量エッチングし、前記基板に前記帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムと該ダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程とを有することを特徴とする歪センサの製造方法。
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2005
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