JP2007012612A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板、該基板上の下部電極、上部電極、これら２つの電極の間に置かれた有機ＥＬ層であり、これら２つの電極によって該有機ＥＬ層に電流が注入されるとき、これら２つの電極の少なくとも一方を介して放射線を放出することが可能な有機ＥＬ層、及び１組以上の隣接する２つのサブレイヤーの組の積層体で形成された少なくとも１つの多層構造であり、各組の前記２つのサブレイヤーが異なる屈折率n₁、n₂を有するところの少なくとも１つの多層構造、を有する発光ダイオードであって：
   前記少なくとも１つの多層構造のうちの１つから前記２つの電極の少なくとも一方が構成されており；かつ
   電極を構成する各多層構造の前記サブレイヤーの材料が、シリコン含有量が0.1重量％未満である非晶質炭素である；
   ことを特徴とする発光ダイオード。
2. 前記非晶質炭素は導電性であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
3. 如何なる組の前記隣接する２つのサブレイヤーの屈折率差｜n₁−n₂｜も0.5以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
4. λ₀を前記放射線の最大強度に対応する波長とし、かつ前記２つのサブレイヤーの組の各々に対し、d₁を屈折率n₁のサブレイヤーの厚さ、d₂を屈折率n₂のサブレイヤーの厚さとしたとき、近似的にn₁d₁＝n₂d₂＝λ₀/４であることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオード。
5. 前記２つの電極の一方のみが前記多層構造の１つによって構成され、かつ前記２つの電極の他方が前記放射線に関して反射性又は半透過性であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の発光ダイオード。
6. 請求項１乃至５の何れかに記載の発光ダイオードのアレイを有することを特徴とするイメージ表示パネル。