JP2003109774A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003109774A JP2003109774A JP2001299288A JP2001299288A JP2003109774A JP 2003109774 A JP2003109774 A JP 2003109774A JP 2001299288 A JP2001299288 A JP 2001299288A JP 2001299288 A JP2001299288 A JP 2001299288A JP 2003109774 A JP2003109774 A JP 2003109774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work function
- thin film
- surface layer
- anode electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 47
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 241001428397 Taito Species 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アノード側電極では仕事関数が大きく、カソ
ード側電極では仕事関数が小さく、デバイスの効率の向
上を図ることできる有機電界発光素子及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 高周波プラズマを用いた化学的気相成長
法によって作製されるダイヤモンド状カーボン薄膜にお
いて、少なくとも自己バイアス−１５００Ｖから０Ｖま
でで、アノード電極２又はアノード電極表面層として仕
事関数が大きいダイヤモンド状カーボン薄膜を、かつカ
ソード電極５またはカソード電極表面層として仕事関数
が小さい炭素を主成分とする薄膜を作製する。
ード側電極では仕事関数が小さく、デバイスの効率の向
上を図ることできる有機電界発光素子及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 高周波プラズマを用いた化学的気相成長
法によって作製されるダイヤモンド状カーボン薄膜にお
いて、少なくとも自己バイアス−１５００Ｖから０Ｖま
でで、アノード電極２又はアノード電極表面層として仕
事関数が大きいダイヤモンド状カーボン薄膜を、かつカ
ソード電極５またはカソード電極表面層として仕事関数
が小さい炭素を主成分とする薄膜を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機薄膜のエレク
トロルミネッセンス（ＥＬ）現象を利用した有機電界発
光素子及びその製造方法に関するものである。また、前
記有機薄膜（発光層）として、低分子材料を用いた低分
子有機ＥＬ素子、または高分子材料を用いた高分子ＥＬ
素子（ここでは両方を総称して有機電界発光素子と呼
ぶ）に関するものである。
トロルミネッセンス（ＥＬ）現象を利用した有機電界発
光素子及びその製造方法に関するものである。また、前
記有機薄膜（発光層）として、低分子材料を用いた低分
子有機ＥＬ素子、または高分子材料を用いた高分子ＥＬ
素子（ここでは両方を総称して有機電界発光素子と呼
ぶ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機電界発光素子は、近年、次世代の高
品質・低価格のフラットパネルディスプレイデバイスの
発光素子として注目されている（例えば、特開２０００
−３０８６７が挙げられる）。
品質・低価格のフラットパネルディスプレイデバイスの
発光素子として注目されている（例えば、特開２０００
−３０８６７が挙げられる）。
【０００３】電界発光素子では、電極薄膜と半導体層と
の間でキャリア（電子、正孔）の注入特性が、デバイス
特性に大きな影響を及ぼす。すなわち、電界発光素子で
は、半導体発光層への電子及び正孔の注入が、デバイス
特性を左右する（いずれもできるだけ多く注入できる方
がデバイス特性は良好である）。
の間でキャリア（電子、正孔）の注入特性が、デバイス
特性に大きな影響を及ぼす。すなわち、電界発光素子で
は、半導体発光層への電子及び正孔の注入が、デバイス
特性を左右する（いずれもできるだけ多く注入できる方
がデバイス特性は良好である）。
【０００４】この電極薄膜と半導体層との界面に生じる
注入特性（キャリアの移動特性）は、理論的には両者の
仕事関数（半導体の場合はフェルミ準位）で決定され
る。電界発光素子の場合、電子注入側では、電極薄膜
（カソード）の仕事関数は小さい方が、一方、正孔注入
側では、電極薄膜（アノード）の仕事関数は大きい方
が、キャリアの移動効率は高くなる。
注入特性（キャリアの移動特性）は、理論的には両者の
仕事関数（半導体の場合はフェルミ準位）で決定され
る。電界発光素子の場合、電子注入側では、電極薄膜
（カソード）の仕事関数は小さい方が、一方、正孔注入
側では、電極薄膜（アノード）の仕事関数は大きい方
が、キャリアの移動効率は高くなる。
【０００５】ただし、発光層として無機半導体を用いた
場合には、界面準位やシリサイドの生成により、仕事関
数以外の要因が、注入特性に影響する場合も多い。これ
に対して、特に最近実用化開発で注目されている、半導
体層が有機物の場合（低分子ＥＬ、高分子ＥＬ）の電界
発光素子では、界面準位ができにくいため、電極表面の
仕事関数制御が効率向上のために（実用化のために）不
可欠となっている。
場合には、界面準位やシリサイドの生成により、仕事関
数以外の要因が、注入特性に影響する場合も多い。これ
に対して、特に最近実用化開発で注目されている、半導
体層が有機物の場合（低分子ＥＬ、高分子ＥＬ）の電界
発光素子では、界面準位ができにくいため、電極表面の
仕事関数制御が効率向上のために（実用化のために）不
可欠となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来は、アノード側の
高仕事関数かつ透明導電性薄膜として、ＩＴＯ（インジ
ュウム・ティン・オキサイド）薄膜が広く用いられてい
る。しかしながら、仕事関数は４．８〜５．０ｅＶ程度
と半導体層と比較して小さく、デバイス効率の低下を招
く原因となっていた。
高仕事関数かつ透明導電性薄膜として、ＩＴＯ（インジ
ュウム・ティン・オキサイド）薄膜が広く用いられてい
る。しかしながら、仕事関数は４．８〜５．０ｅＶ程度
と半導体層と比較して小さく、デバイス効率の低下を招
く原因となっていた。
【０００７】一方、カソード側の低仕事関数電極薄膜と
して、Ａｌなどの金属薄膜が広く用いられている。しか
しながら、仕事関数は４．３ｅＶ程度と半導体層と比較
して大きく、デバイス効率の低下を招く原因となってい
た。
して、Ａｌなどの金属薄膜が広く用いられている。しか
しながら、仕事関数は４．３ｅＶ程度と半導体層と比較
して大きく、デバイス効率の低下を招く原因となってい
た。
【０００８】本発明は、上記状況に鑑みて、アノード側
電極では仕事関数が大きく、カソード側電極では仕事関
数が小さく、デバイスの効率の向上を図ることできる有
機電界発光素子及びその製造方法を提供することを目的
とする。
電極では仕事関数が大きく、カソード側電極では仕事関
数が小さく、デバイスの効率の向上を図ることできる有
機電界発光素子及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕有機電界発光素子において、アノード電極又はア
ノード電極表面層として仕事関数が大きい炭素を主成分
とする薄膜を用いることを特徴とする。
成するために、 〔１〕有機電界発光素子において、アノード電極又はア
ノード電極表面層として仕事関数が大きい炭素を主成分
とする薄膜を用いることを特徴とする。
【００１０】〔２〕有機電界発光素子において、アノー
ド電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい
ダイヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とす
る。
ド電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい
ダイヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とす
る。
【００１１】〔３〕有機電界発光素子において、カソー
ド電極またはカソード電極表面層として仕事関数が小さ
い炭素を主成分とする薄膜を用いることを特徴とする。
ド電極またはカソード電極表面層として仕事関数が小さ
い炭素を主成分とする薄膜を用いることを特徴とする。
【００１２】〔４〕有機電界発光素子において、カソー
ド電極またはカソード電極表面層として仕事関数が小さ
いダイヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とす
る。
ド電極またはカソード電極表面層として仕事関数が小さ
いダイヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とす
る。
【００１３】〔５〕有機電界発光素子において、アノー
ド電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい
炭素を主成分とする薄膜を用い、かつカソード電極また
はカソード電極表面層として仕事関数が小さい炭素を主
成分とする薄膜を用いることを特徴とする。
ド電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい
炭素を主成分とする薄膜を用い、かつカソード電極また
はカソード電極表面層として仕事関数が小さい炭素を主
成分とする薄膜を用いることを特徴とする。
【００１４】〔６〕有機電界発光素子において、アノー
ド電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい
ダイヤモンド状カーボン薄膜を用い、かつカソード電極
またはカソード電極表面層として仕事関数が小さいダイ
ヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とする。
ド電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい
ダイヤモンド状カーボン薄膜を用い、かつカソード電極
またはカソード電極表面層として仕事関数が小さいダイ
ヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とする。
【００１５】〔７〕有機電界発光素子の製造方法におい
て、高周波プラズマを用いた化学的気相成長法によって
作製されるダイヤモンド状カーボン薄膜において、少な
くとも自己バイアス−１５００Ｖから０Ｖまでで、アノ
ード電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大き
いダイヤモンド状カーボン薄膜を、かつカソード電極ま
たはカソード電極表面層として仕事関数が小さい炭素を
主成分とする薄膜を作製することを特徴とする。
て、高周波プラズマを用いた化学的気相成長法によって
作製されるダイヤモンド状カーボン薄膜において、少な
くとも自己バイアス−１５００Ｖから０Ｖまでで、アノ
ード電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大き
いダイヤモンド状カーボン薄膜を、かつカソード電極ま
たはカソード電極表面層として仕事関数が小さい炭素を
主成分とする薄膜を作製することを特徴とする。
【００１６】このように構成することにより、本発明で
は、電極薄膜または電極／有機半導体界面層として、ダ
イヤモンド状カーボン薄膜を使用することにより、そし
てその製法、条件を制御することにより、３．８ｅＶか
ら５．４ｅＶの低仕事関数及び高仕事関数の双方を実現
でき、それにより高効率の有機電界発光素子を実現でき
ることを見出した。
は、電極薄膜または電極／有機半導体界面層として、ダ
イヤモンド状カーボン薄膜を使用することにより、そし
てその製法、条件を制御することにより、３．８ｅＶか
ら５．４ｅＶの低仕事関数及び高仕事関数の双方を実現
でき、それにより高効率の有機電界発光素子を実現でき
ることを見出した。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の第１実施例を示す有機電界
発光素子の断面図である。
発光素子の断面図である。
【００１９】この図において、１は絶縁基板、２はその
絶縁基板１上に形成されるアノード電極〔陽極（ＤＬ
Ｃ）〕、３はそのアノード電極２上に形成される正孔輸
送層、４はその正孔輸送層３上に形成される有機発光
層、５はその有機発光層４上に形成されるカソード電極
〔陰極（ＤＬＣ）〕である。
絶縁基板１上に形成されるアノード電極〔陽極（ＤＬ
Ｃ）〕、３はそのアノード電極２上に形成される正孔輸
送層、４はその正孔輸送層３上に形成される有機発光
層、５はその有機発光層４上に形成されるカソード電極
〔陰極（ＤＬＣ）〕である。
【００２０】この実施例においては、アノード電極（Ｄ
ＬＣ）２は、高周波プラズマ化学的気相成長法（ＲＦ−
ＰＥＣＶＤ）により、基板バイアスを−１０００Ｖとし
て高仕事関数の薄膜電極を形成する。
ＬＣ）２は、高周波プラズマ化学的気相成長法（ＲＦ−
ＰＥＣＶＤ）により、基板バイアスを−１０００Ｖとし
て高仕事関数の薄膜電極を形成する。
【００２１】一方、カソード電極（ＤＬＣ）５は高周波
プラズマ化学的気相成長法（ＲＦ−ＰＥＣＶＤ）によ
り、基板バイアスを−５００Ｖとして低仕事関数の薄膜
電極を形成する。
プラズマ化学的気相成長法（ＲＦ−ＰＥＣＶＤ）によ
り、基板バイアスを−５００Ｖとして低仕事関数の薄膜
電極を形成する。
【００２２】なお、その他の成膜条件として、反応ガス
は、メタン２０ｓｃｃｍ、メタン１３ｓｃｃｍ＋窒
素６ｓｃｃｍ、又はメタン１３ｓｃｃｍ＋アンモニア
６ｓｃｃｍとし、反応圧力は１０ｍＴｏｒｒとした。
は、メタン２０ｓｃｃｍ、メタン１３ｓｃｃｍ＋窒
素６ｓｃｃｍ、又はメタン１３ｓｃｃｍ＋アンモニア
６ｓｃｃｍとし、反応圧力は１０ｍＴｏｒｒとした。
【００２３】図２は本発明の第２実施例を示す有機電界
発光素子の断面図である。
発光素子の断面図である。
【００２４】この図において、１１は絶縁基板、１２は
その絶縁基板１１上に形成されるアノード電極、１３は
そのアノード電極１２上に形成される電極／有機半導体
界面層（ＤＬＣ）、１４はその電極／有機半導体界面層
（ＤＬＣ）１３上に形成される正孔輸送層、１５はその
正孔輸送層１４上に形成される有機発光層、１６はその
有機発光層１５上に形成される電極／有機半導体界面層
（ＤＬＣ）、１７はその電極／有機半導体界面層（ＤＬ
Ｃ）１６上に形成されるカソード電極である。
その絶縁基板１１上に形成されるアノード電極、１３は
そのアノード電極１２上に形成される電極／有機半導体
界面層（ＤＬＣ）、１４はその電極／有機半導体界面層
（ＤＬＣ）１３上に形成される正孔輸送層、１５はその
正孔輸送層１４上に形成される有機発光層、１６はその
有機発光層１５上に形成される電極／有機半導体界面層
（ＤＬＣ）、１７はその電極／有機半導体界面層（ＤＬ
Ｃ）１６上に形成されるカソード電極である。
【００２５】この実施例においても、電極／有機半導体
界面層（ＤＣＬ）１３は、高周波プラズマ化学的気相成
長法（ＲＦ−ＰＥＣＶＤ）により、基板バイアスを−１
０００Ｖとして高仕事関数の薄膜電極を形成する。
界面層（ＤＣＬ）１３は、高周波プラズマ化学的気相成
長法（ＲＦ−ＰＥＣＶＤ）により、基板バイアスを−１
０００Ｖとして高仕事関数の薄膜電極を形成する。
【００２６】また、電極／有機半導体界面層（ＤＬＣ）
１６は高周波プラズマ化学的気相成長法（ＲＦ−ＰＥＣ
ＶＤ）により、基板バイアスを−５００Ｖとして低仕事
関数の薄膜電極を形成する。
１６は高周波プラズマ化学的気相成長法（ＲＦ−ＰＥＣ
ＶＤ）により、基板バイアスを−５００Ｖとして低仕事
関数の薄膜電極を形成する。
【００２７】そこで、アノード電極又はアノード電極表
面層やカソード電極又はカソード電極表面層のダイヤモ
ンド状カーボン薄膜の製法として、具体的には、ＲＦ−
ＰＥＣＶＤ（高周波プラズマ化学的気相成長法）を用
い、基板バイアスを−１５００Ｖから０Ｖまでの範囲で
作製することにより、仕事関数制御を行うことができ、
高及び低仕事関数電極が得られ、かつこれらの電極薄膜
を用いることにより、高効率の電界発光素子が得られ
た。
面層やカソード電極又はカソード電極表面層のダイヤモ
ンド状カーボン薄膜の製法として、具体的には、ＲＦ−
ＰＥＣＶＤ（高周波プラズマ化学的気相成長法）を用
い、基板バイアスを−１５００Ｖから０Ｖまでの範囲で
作製することにより、仕事関数制御を行うことができ、
高及び低仕事関数電極が得られ、かつこれらの電極薄膜
を用いることにより、高効率の電界発光素子が得られ
た。
【００２８】なお、本発明の製造方法は、ディスプレイ
などの大面積デバイスに適した、大面積かつ低温成膜が
可能であり、実用化に有効な方法である。
などの大面積デバイスに適した、大面積かつ低温成膜が
可能であり、実用化に有効な方法である。
【００２９】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００３１】（Ａ）電極薄膜または電極／有機半導体界
面層として、ダイヤモンド状カーボン薄膜を使用し、そ
の製法、条件を制御することにより、３．８ｅＶから
５．４ｅＶの低仕事関数及び高仕事関数の双方を実現で
き、それにより高効率の有機電界発光素子を実現するこ
とができる。
面層として、ダイヤモンド状カーボン薄膜を使用し、そ
の製法、条件を制御することにより、３．８ｅＶから
５．４ｅＶの低仕事関数及び高仕事関数の双方を実現で
き、それにより高効率の有機電界発光素子を実現するこ
とができる。
【００３２】（Ｂ）ダイヤモンド状カーボン薄膜の製法
として、具体的には、ＲＦ−ＰＥＣＶＤを用い、基板バ
イアスを−１５００Ｖから０Ｖまでの範囲で作製するこ
とにより、仕事関数制御ができ、高及び低仕事関数が得
られ、かつこれらの電極薄膜を用いることにより、高効
率の電界発光素子が得られた。
として、具体的には、ＲＦ−ＰＥＣＶＤを用い、基板バ
イアスを−１５００Ｖから０Ｖまでの範囲で作製するこ
とにより、仕事関数制御ができ、高及び低仕事関数が得
られ、かつこれらの電極薄膜を用いることにより、高効
率の電界発光素子が得られた。
【００３３】（Ｃ）本発明の製造方法は、ディスプレイ
などの大面積デバイスに適した、大面積かつ低温成膜が
可能で、実用化に有効な方法である。
などの大面積デバイスに適した、大面積かつ低温成膜が
可能で、実用化に有効な方法である。
【図１】本発明の第１実施例を示す有機電界発光素子の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す有機電界発光素子の
断面図である。
断面図である。
１，１１ 絶縁基板
２ アノード電極（ＤＬＣ）
３，１４ 正孔輸送層
４，１５ 有機発光層
５ カソード電極（ＤＬＣ）
１２ アノード電極
１３ 電極／有機半導体界面層（ＤＬＣ）〔アノード
電極側〕 １６ 電極／有機半導体界面層（ＤＬＣ）〔カソード
電極側〕 １７ カソード電極
電極側〕 １６ 電極／有機半導体界面層（ＤＬＣ）〔カソード
電極側〕 １７ カソード電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 崔 雲
福岡県福岡市城南区東油山２−22−２−４
ソレイユ東油山Ｄ−102
(72)発明者 蒲生 秀典
東京都台東区台東１丁目５番１号凸版印刷
株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB18 CC00 DB03 EB00
FA01
4K030 AA10 AA13 AA18 BA28 FA01
KA20
Claims (7)
- 【請求項１】 有機電界発光素子において、アノード電
極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい炭素
を主成分とする薄膜を用いることを特徴とする有機電界
発光素子。 - 【請求項２】 有機電界発光素子において、アノード電
極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きいダイ
ヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とする有機
電界発光素子。 - 【請求項３】 有機電界発光素子において、カソード電
極またはカソード電極表面層として仕事関数が小さい炭
素を主成分とする薄膜を用いることを特徴とする有機電
界発光素子。 - 【請求項４】 有機電界発光素子において、カソード電
極またはカソード電極表面層として仕事関数が小さいダ
イヤモンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とする有
機電界発光素子。 - 【請求項５】 有機電界発光素子において、アノード電
極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きい炭素
を主成分とする薄膜を用い、かつカソード電極またはカ
ソード電極表面層として仕事関数が小さい炭素を主成分
とする薄膜を用いることを特徴とする有機電界発光素
子。 - 【請求項６】 有機電界発光素子において、アノード電
極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きいダイ
ヤモンド状カーボン薄膜を用い、かつカソード電極また
はカソード電極表面層として仕事関数が小さいダイヤモ
ンド状カーボン薄膜を用いることを特徴とする有機電界
発光素子。 - 【請求項７】 有機電界発光素子の製造方法において、
高周波プラズマを用いた化学的気相成長法によって作製
されるダイヤモンド状カーボン薄膜において、少なくと
も自己バイアス−１５００Ｖから０Ｖまでで、アノード
電極又はアノード電極表面層として仕事関数が大きいダ
イヤモンド状カーボン薄膜を、かつカソード電極または
カソード電極表面層として仕事関数が小さい炭素を主成
分とする薄膜を作製することを特徴とする有機電界発光
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001299288A JP2003109774A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001299288A JP2003109774A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003109774A true JP2003109774A (ja) | 2003-04-11 |
Family
ID=19120063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001299288A Pending JP2003109774A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003109774A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340496A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機太陽電池及びその製造方法 |
| FR2887684A1 (fr) * | 2005-06-28 | 2006-12-29 | Thomson Licensing Sa | Diode electroluminescente dont l'une des electrodes est multicouche en carbone amorphe |
| CN100392887C (zh) * | 2003-04-29 | 2008-06-04 | 统宝光电股份有限公司 | 具有抗反射和惰性阴极的有机发光显示器 |
| TWI413169B (ja) * | 2007-07-20 | 2013-10-21 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001299288A patent/JP2003109774A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100392887C (zh) * | 2003-04-29 | 2008-06-04 | 统宝光电股份有限公司 | 具有抗反射和惰性阴极的有机发光显示器 |
| JP2005340496A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機太陽電池及びその製造方法 |
| FR2887684A1 (fr) * | 2005-06-28 | 2006-12-29 | Thomson Licensing Sa | Diode electroluminescente dont l'une des electrodes est multicouche en carbone amorphe |
| EP1739764A2 (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-03 | Thomson Licensing S.A. | Light-emitting diode, one of the electrodes of which is a multilayer made of amorphous carbon |
| JP2007012612A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Thomson Licensing | 一方電極に非晶質炭素から成る多層構造を有する発光ダイオード |
| US7851814B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-12-14 | Thomson Licensing | Light-emitting diode, one of the electrodes of which is a multilayer made of amorphous carbon |
| EP1739764A3 (en) * | 2005-06-28 | 2011-07-13 | Thomson Licensing SA | Light-emitting diode, one of the electrodes of which is a multilayer made of amorphous carbon |
| TWI413169B (ja) * | 2007-07-20 | 2013-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101438627B (zh) | 有机电子器件的制备方法及用该方法制备的有机电子器件 | |
| JP4516789B2 (ja) | アノード表面改質層を用いる有機電界発光素子 | |
| WO2019085045A1 (zh) | 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法 | |
| Lee et al. | Interface studies of Aluminum, 8-hydroxyquinolatolithium (Liq) and Alq3 for inverted OLED application | |
| KR100844788B1 (ko) | 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된유기발광소자 | |
| KR20070086518A (ko) | 개선된 안정성, 휘도 및 효율을 가지는 유기 발광다이오드(ｏｌｅｄ) | |
| TWI580686B (zh) | 一種有機電致發光元件及其製備方法 | |
| JP2003109774A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| JPH1131587A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2004088096A (ja) | 分子配列を有する有機半導体層の製造方法 | |
| US20040217344A1 (en) | Apparatus and method of employing self-assembled molecules to function as an electron injection layer of OLED | |
| JP4475009B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| US7871852B2 (en) | Method for fabricating carbon-enriched film | |
| WO2003101158A1 (fr) | Substrat comprenant un film conducteur transparent et dispositif electroluminescent organique | |
| Paredes et al. | Quality improvement of organic thin films deposited on vibrating substrates | |
| KR100700012B1 (ko) | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100611754B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR100903486B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자용 보호막 형성 방법 | |
| JP2001326070A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| CN101379885B (zh) | 有机发光器件的制备方法及由该方法制备的有机发光器件 | |
| JP2003257672A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| KR100565587B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| JP2007100132A (ja) | 蒸着方法及び表示装置の製造方法 | |
| JP2003234194A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| CN108269942B (zh) | 一种oled结构及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20031031 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040129 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040715 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |